本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種基于金屬柵的opc修正方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、金屬邊界效應(yīng)(mbe，metal?boundary?effect)是一種臨近效應(yīng)。注入離子層在邊界處的離子濃度比內(nèi)部的濃度高。而在opc修正(optical?proximity?correction，光學鄰近修正)過程中，邏輯器件中并未對n/p型離子注入?yún)^(qū)的邊界位置進行微調(diào)，n/p型離子注入?yún)^(qū)的邊界和最終所需的ref-target(目標電壓)差異較大。

2、需要說明的是，公開于該發(fā)明背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明一般背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種基于金屬柵的opc修正方法及系統(tǒng)，以解決金屬邊界效應(yīng)的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種基于金屬柵的opc修正方法，用于pmos管，包括以下步驟：

3、提供待修正版圖，獲取寬度小于預(yù)設(shè)值的有源區(qū)圖形，提取所述有源區(qū)圖形對應(yīng)的金屬層圖形；

4、獲取所述金屬層圖形的n/p型離子區(qū)邊界，對所述n/p型離子區(qū)邊界做一定長度的延伸，形成所需的目標金屬層圖形，以增大所述有源區(qū)圖形和所述n/p型離子區(qū)邊界之間的空間；其中，所述目標金屬層圖形用于在制造中設(shè)置金屬以形成所述pmos管的金屬柵。

5、優(yōu)選地，在移動所述n/p型離子區(qū)邊界后，再對所述目標金屬層圖形的n/p型離子區(qū)邊界進行opc修正。

6、優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)值為270nm。

7、優(yōu)選地，對所述n/p型離子區(qū)邊界的延伸長度不小于70nm。

8、優(yōu)選地，對所述n/p型離子區(qū)邊界做90nm的延伸。

9、基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本公開提供了一種基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)，包括：

10、圖形提取模塊，用于獲取寬度小于預(yù)設(shè)值的有源區(qū)圖形，提取所述有源區(qū)圖形對應(yīng)的金屬層圖形，進一步獲取所述金屬層圖形的n/p型離子區(qū)邊界；

11、圖形處理模塊，用于對所述n/p型離子區(qū)邊界做一定長度的延伸，形成所需的目標金屬層圖形，以增大所述有源區(qū)圖形和所述n/p型離子區(qū)邊界之間的空間；其中，所述目標金屬層圖形用于在制造中設(shè)置金屬以形成所述pmos管的金屬柵。

12、優(yōu)選地，在移動所述n/p型離子區(qū)邊界后，再對所述目標金屬層圖形的n/p型離子區(qū)邊界進行opc修正。

13、優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)值為270nm。

14、優(yōu)選地，對所述n/p型離子區(qū)邊界的延伸長度不小于70nm。

15、優(yōu)選地，對所述n/p型離子區(qū)邊界做90nm的延伸。

16、在本發(fā)明提供的基于金屬柵的opc修正方法，通過獲取滿足規(guī)則的有源區(qū)，對其金屬層圖形的邊界進行修正，改善pmos管的mbe效應(yīng)，提高器件穩(wěn)定性。

17、本發(fā)明提供的基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)與本發(fā)明提供的基于金屬柵的opc修正方法屬于同一發(fā)明構(gòu)思，因此，本發(fā)明提供的基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)至少具有本發(fā)明提供的基于金屬柵的opc修正方法的所有優(yōu)點，在此不再贅述。

技術(shù)特征：

1.一種基于金屬柵的opc修正方法，其特征在于，用于pmos管，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬柵的opc修正方法，其特征在于，在移動所述n/p型離子區(qū)邊界后，再對所述目標金屬層圖形的n/p型離子區(qū)邊界進行opc修正。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬柵的opc修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值為270nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬柵的opc修正方法，其特征在于，對所述n/p型離子區(qū)邊界的延伸長度不小于70nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬柵的opc修正方法，其特征在于，對所述n/p型離子區(qū)邊界做90nm的延伸。

6.一種基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)，其特征在于，在移動所述n/p型離子區(qū)邊界后，再對所述目標金屬層圖形的n/p型離子區(qū)邊界進行opc修正。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值為270nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)，其特征在于，對所述n/p型離子區(qū)邊界的延伸長度不小于70nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于金屬柵的opc修正系統(tǒng)，其特征在于，對所述n/p型離子區(qū)邊界做90nm的延伸。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于金屬柵的OPC修正方法及系統(tǒng)，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域，該基于金屬柵的OPC修正方法，包括提供待修正版圖，獲取寬度小于預(yù)設(shè)值的有源區(qū)圖形，提取所述有源區(qū)圖形對應(yīng)的金屬層圖形；獲取所述金屬層圖形的N/P型離子區(qū)邊界，對所述N/P型離子區(qū)邊界做一定長度的延伸，形成所需的目標金屬層圖形，以增大所述有源區(qū)圖形和所述N/P型離子區(qū)邊界之間的空間；其中，所述目標金屬層圖形用于在制造中設(shè)置金屬以形成所述PMOS管的金屬柵。通過獲取滿足規(guī)則的有源區(qū)，對其金屬層圖形的邊界進行修正，改善PMOS管的MBE效應(yīng)，提高器件穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：周啟光
受保護的技術(shù)使用者：上海華力集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10