本公開一般涉及設(shè)備檢測，具體涉及一種薄膜電容電極缺陷檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、薄膜電容的電極片用于生產(chǎn)電容，基膜上陣列排布著許多形狀為矩形的電極片，在制作電極片過程中產(chǎn)生肥大、缺損、不連續(xù)、毛刺、鋸齒、粘連和白點等缺陷。這些缺陷會嚴重影響電容的質(zhì)量和性能，進而影響下游產(chǎn)品的使用效果。因此，快速準確地檢測出電極片缺陷，對于提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量具有重要意義。電極片缺陷檢測一些企業(yè)使用人工檢測，人工檢測通過人工操作檢測設(shè)備進行檢測。人工檢測主觀性比較大且耗時耗力，成本比較高，效率偏低、容易漏檢小缺陷、易受疲勞影響，影響電極片缺陷檢測結(jié)果。

2、因此，現(xiàn)有技術(shù)需要改進。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種薄膜電容電極缺陷檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，能夠滿足本領(lǐng)域的需求。

2、基于本發(fā)明實施例的一個方面，本申請實施例提供了一種薄膜電容電極缺陷檢測方法，包括：

3、獲取薄膜電容電極圖像，并對圖像進行裁剪；

4、對裁剪后的薄膜電容電極圖像進行手工標注缺陷，并生成voc格式的xml標注文件；

5、對手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像和voc格式的xml標注文件進行第一處理，獲取第一處理圖像和voc格式的xml標注文件；

6、將手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像以及voc格式的xml標注文件和第一處理圖像以及voc格式的xml標注文件進行對應(yīng)合并，將合并后圖像的voc格式的xml標注文件轉(zhuǎn)換為yolo格式的txt標注文件，進行數(shù)據(jù)集劃分生成檢測模型的訓練集和驗證集，并通過訓練集和驗證集完成對檢測模型的訓練；

7、通過訓練模型，完成對新采集的薄膜電容電極圖像的缺陷檢測。

8、在另一個實施例中，所述對手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像和voc格式的xml標注文件進行第一處理，包括：

9、對手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像進行翻轉(zhuǎn)、調(diào)整亮度、模糊處理，生成處理后的圖像和voc格式的xml標注文件。

10、在另一個實施例中，所述生成檢測模型的訓練集和驗證集，包括：

11、將手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像以及voc格式的xml標注文件和第一處理圖像以及voc格式的xml標注文件進行對應(yīng)合并，生成新的數(shù)據(jù)集；

12、將新的數(shù)據(jù)集中的數(shù)據(jù)按比例劃分，分別劃分為檢測模型的訓練集和驗證集。

13、在另一個實施例中，所述通過訓練集和驗證集完成對檢測模型的訓練，包括：

14、選擇檢測模型的架構(gòu)，計算損失函數(shù)，搭建檢測模型的訓練環(huán)境，修改檢測模型的訓練參數(shù)，選擇優(yōu)化器，開始對檢測模型進行訓練。

15、在另一個實施例中，所述選擇檢測模型的架構(gòu)為yolov8-p2檢測模型。

16、在另一個實施例中，所述計算損失函數(shù)的公式為：

17、；

18、式中，c是檢測模型中包含預(yù)測框和真實框的最小閉包矩形的對角線長度，α是一個調(diào)節(jié)系數(shù)，iou為交并比，用來衡量預(yù)測框與真實框重疊程度，v表示預(yù)測框和真實框的長寬比一致性程度，gt代表真實框，b為預(yù)測框的中心點，為真實框中心點，為預(yù)測框和真實框中心點之間的歐氏距離：

19、；

20、對邊界框長寬比的約束，通過控制寬高比的一致性來使預(yù)測框的形狀更接近真實框，這一懲罰項是基于長寬比的相似度：

21、?；

22、、、w、h分別為真實框的寬、高和預(yù)測框的寬、高。

23、在本發(fā)明實施例的另一個方面，公開一種薄膜電容電極缺陷檢測裝置，包括：

24、處理模塊，用于獲取薄膜電容電極圖像，并對圖像進行裁剪；對裁剪后的薄膜電容電極圖像進行手工標注缺陷，并生成voc格式的xml標注文件；將手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像以及voc格式的xml標注文件和第一處理圖像以及voc格式的xml標注文件進行對應(yīng)合并，將合并后圖像的voc格式的xml標注文件轉(zhuǎn)換為yolo格式的txt標注文件，進行數(shù)據(jù)集劃分生成檢測模型的訓練集和驗證集；

25、訓練模塊，用于通過訓練集和驗證集完成對檢測模型的訓練；

26、檢測模塊，用于使用訓練好的模型完成對薄膜電容電極圖像的缺陷檢測。

27、基于本發(fā)明實施例的另一個方面，公開一種電子設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括一個或者多個處理器和存儲器，所述存儲器用于存儲一個或多個程序；

28、當所述一個或多個程序被所述處理器執(zhí)行時，使得所述處理器實現(xiàn)本發(fā)明各實施例提供的薄膜電容電極缺陷檢測的方法。

29、基于本發(fā)明實施例的另一個方面，公開一種存儲有計算機程序的計算機可讀存儲介質(zhì)，該計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)本發(fā)明各實施例提供的薄膜電容電極缺陷檢測的方法。

30、在本申請實施例中，通過獲取薄膜電容電極圖像，并對圖像進行裁剪；對裁剪后的薄膜電容電極圖像進行手工標注缺陷，并生成voc格式的xml標注文件?；對手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像和voc格式的xml標注文件進行第一處理，獲取第一處理圖像和voc格式的xml標注文件；將手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像以及voc格式的xml標注文件和第一處理圖像以及voc格式的xml標注文件進行對應(yīng)合并，將合并后圖像的voc格式的xml標注文件轉(zhuǎn)換為yolo格式的txt標注文件，進行數(shù)據(jù)集劃分生成檢測模型的訓練集和驗證集，并通過訓練集和驗證集完成對檢測模型的訓練；通過訓練模型，完成對新采集的薄膜電容電極圖像的缺陷檢測。本申請減少了復雜的圖像預(yù)處理和特征提取步驟，對小目標的特征捕捉更加精準，使得整個檢測過程更加簡便和快速。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜電容電極缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像和voc格式的xml標注文件進行第一處理，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述生成檢測模型的訓練集和驗證集，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過訓練集和驗證集完成對檢測模型的訓練，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述選擇檢測模型的架構(gòu)為yolov8-p2檢測模型。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述計算損失函數(shù)的公式為：

7.一種薄膜電容電極缺陷檢測裝置，其特征在于，包括：

8.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括一個或者多個處理器和存儲器，所述存儲器用于存儲一個或多個程序；

9.一種存儲有計算機程序的計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，該計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種薄膜電容電極缺陷檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。所述方法包括：獲取薄膜電容電極圖像，并進行裁剪；對裁剪后的圖像進行手工標注缺陷，并生成VOC格式的XML標注文件；對手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像和VOC格式的XML標注文件進行第一處理，獲取第一處理圖像和VOC格式的XML標注文件；將手工標注缺陷的薄膜電容電極圖像以及VOC格式的XML標注文件和第一處理圖像以及VOC格式的XML標注文件進行對應(yīng)合并，進行數(shù)據(jù)集劃分生成檢測模型的訓練集和驗證集，并通過訓練集和驗證集完成對檢測模型的訓練；通過訓練模型，完成對新采集的薄膜電容電極圖像的缺陷檢測。本申請減少了復雜的圖像預(yù)處理和特征提取步驟，對小目標的特征捕捉更加精準。

技術(shù)研發(fā)人員：洪金龍,陳輝
受保護的技術(shù)使用者：廣東天行測量技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19