專利名稱:使ddr2或ddr1共用一主機(jī)板的方法及裝置的制作方法

技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)使電腦主機(jī)板分別結(jié)合不同存儲(chǔ)器的方法及裝置，尤其是有關(guān)使DDR1及DDR2可分別結(jié)合同一主機(jī)板的方法及裝置。
背景技術(shù)：
在電腦日新月異的變化下，存儲(chǔ)器已從過(guò)去的EDO存儲(chǔ)器、SIMM存儲(chǔ)器等，轉(zhuǎn)變至更高速的Rambus存儲(chǔ)器、DDR1(DOUBLE DATA RAM I存儲(chǔ)器)與即將上市之DDR2。在存儲(chǔ)器制造技術(shù)快速的發(fā)展下，誰(shuí)能適時(shí)掌握變化，就能在變化激烈的市場(chǎng)中取得優(yōu)勝。
DDR2即將上市，可預(yù)見(jiàn)的是配合DDR2的主機(jī)板將逐漸成為市場(chǎng)上的主流。但由于DDR1的價(jià)格必然較DDR2便宜，因此配合DDR1的主機(jī)板仍將會(huì)有市場(chǎng)上的需求。目前在主機(jī)板的設(shè)計(jì)上，仍無(wú)使同一主機(jī)板分別結(jié)合DDR2或DDR1的規(guī)劃。意思是說(shuō)DDR2與DDR1不能共用一個(gè)連接器(Connector)。由于主機(jī)板的設(shè)計(jì)無(wú)法達(dá)成一板多用途的功能，因此必需分別制造結(jié)合DDR2或DDR1的主機(jī)板，使主機(jī)板的制造量能被分散，而增加制造成本，且會(huì)增加DDR2或DDR1的主機(jī)板總合的庫(kù)存量，客戶端也會(huì)彈性減少庫(kù)存量。如果可以設(shè)計(jì)一種轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，使DDR2或DDR1可分別結(jié)合同一塊主機(jī)板，便可以解決上述必須分別制造個(gè)別主機(jī)板所產(chǎn)生的問(wèn)題。
臺(tái)灣專利公告第566617號(hào)揭示一種快閃存儲(chǔ)器讀寫轉(zhuǎn)接器，系利用一轉(zhuǎn)換匣周邊分別設(shè)有一CF(COMPACT FLASH)插槽、USB(UNIVERSAL SERIAL BUS)插座及PCMCTA界面(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)界面)接頭，以對(duì)應(yīng)連結(jié)至一CF快閃存儲(chǔ)器、USB界面及PCMCIA界面，使CF快閃存儲(chǔ)器連接至USB界面或PCMCIA界面的數(shù)據(jù)讀寫裝置或電腦主機(jī)連結(jié)。但上述臺(tái)灣專利所揭示的轉(zhuǎn)接器，無(wú)法用以連結(jié)DDR1或DDR2，因此不能被利用做為使DDR2及DDR1共用主機(jī)板的設(shè)計(jì)。為能提供一種使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板的設(shè)計(jì)，經(jīng)發(fā)明人等一再研究后，終完成本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在提供一種轉(zhuǎn)接裝置，使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板。
本發(fā)明的另一目的，在提供一種轉(zhuǎn)接裝置，使同一主機(jī)板可分別結(jié)合DDR2或DDR1，以提升單一主機(jī)板的制造產(chǎn)能，降低制造成本及庫(kù)存量，提升主機(jī)板的銷售競(jìng)爭(zhēng)力。
本發(fā)明的又一目的，在提供一種使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板的方法，使同一主機(jī)板可分別結(jié)合DDR2或DDR1，達(dá)到一主機(jī)板多用途的功能。
本發(fā)明主要系使主機(jī)板結(jié)合一DDR2連接器，使DDR2連接器可結(jié)合DDR2，或結(jié)合一轉(zhuǎn)接卡后，再使轉(zhuǎn)接卡結(jié)合一DDR1連接器以結(jié)合DDR1。并利用一電壓轉(zhuǎn)接器的輸出端，提供DDR2或DDR1所需電力。當(dāng)要使主機(jī)板結(jié)合DDR2時(shí)，電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端卽輸出一適合DDR2使用的電壓至DDR2連接器；當(dāng)要使主機(jī)板結(jié)合DDR1時(shí)，利用使電壓轉(zhuǎn)接器的輸入端接地的方法，使電壓轉(zhuǎn)接器的輸出端輸出匹配DDR1的電壓，即可達(dá)成使同一主機(jī)板可分別結(jié)合DDR2或DDR1的功能。


本發(fā)明的其他目的、功效及實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖式詳細(xì)設(shè)明如下。
圖1為本發(fā)明轉(zhuǎn)接卡結(jié)合DDR2連接器及DDR1連接器實(shí)施例的示意圖。
圖2為本發(fā)明電壓轉(zhuǎn)換器實(shí)施例的電路圖。
圖3為本發(fā)明轉(zhuǎn)接卡接地的實(shí)施例示意圖。
圖4為DDR2電路方塊示意圖。
具體實(shí)施方式
DDR2具有240支接腳(Pin)，使用約1.8V(伏特)的電源；而DDR1具有184支接腳，使用約2.5V的電源。DDR2與DDR1的接腳數(shù)目和使用的電壓不同，所以無(wú)法使DDR1共用DDR2的連接器，而必須有一個(gè)可連接DDR2連接器的轉(zhuǎn)接卡，轉(zhuǎn)接卡具有一接地端點(diǎn)，并使轉(zhuǎn)接卡可連接DDR1連接器；并必須有一個(gè)電壓轉(zhuǎn)接器，利用電壓轉(zhuǎn)接器的輸入端是否與轉(zhuǎn)接卡的接地端點(diǎn)連接，分別提供DDR1或DDR2使用的電壓。
本發(fā)明使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板的方法，系使主機(jī)板結(jié)合一電壓轉(zhuǎn)換器及一DDR2連接器；當(dāng)要使主機(jī)板結(jié)合DDR2時(shí)，電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端卽輸出一適合DDR2使用的電壓至DDR2連接器；當(dāng)要使主機(jī)板結(jié)合DDR1連接器時(shí)，使DDR2連接器連接一轉(zhuǎn)接卡的一端，轉(zhuǎn)接卡的另一端連接DDR1連接器，并使電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端與轉(zhuǎn)接卡的接地端點(diǎn)連接，電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端即輸出一適合DDR1使用的電壓至DDR1連接器，使主機(jī)板可分別結(jié)合DDR2或DDR1。
請(qǐng)參閱圖1、2所示。本發(fā)明使一主機(jī)板10可分別結(jié)合一DDR2或一DDR1的轉(zhuǎn)接裝置，主要包括一轉(zhuǎn)接卡30及一電壓轉(zhuǎn)換器60。主機(jī)板10結(jié)合一DDR2連接器20，用以結(jié)合DDR2。當(dāng)主機(jī)板10不結(jié)合DDR2時(shí)，即可使DDR2連接器20結(jié)合轉(zhuǎn)接卡30，轉(zhuǎn)接卡30另一側(cè)再結(jié)合DDR1連接器40。即可利用DDR1連接器40結(jié)合DDR150。
請(qǐng)參閱圖2所示。本發(fā)明提供的電壓轉(zhuǎn)接器60，用以分別供應(yīng)與DDR2、DDR1相配合的電壓。電源轉(zhuǎn)換器60主要包括一芯片U8、一CMOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)Q75、一晶體管Q78及相配合的多個(gè)電阻所組成。芯片U8的第4連接端為電源輸入端61連結(jié)5V電源，并連接一接地的電阻R52；芯片U8的第1連接端、第2連接端之間連接一電阻R65，電阻R65與第2連接端的結(jié)合點(diǎn)另連接一接地的電阻R66及一CMOS Q75的源極。CMOS Q75的漏極連接另一接地的電阻R66。CMOS Q75的柵極連接晶體管Q78的集極，并連接至一電阻R52，電阻R52的另一端連接5V的電源。晶體管Q78的射極接地，基極連接另一電阻R52，另一電阻R52的另一端連接5V的電源。芯片U8的第6連接端連接第3、第2連接端，并作為供DDR1及DDR2使用電源的輸出端62，輸出端62連接DDR2連接器，并可連接至轉(zhuǎn)接卡。晶體管Q78的基極與另一電阻R52的結(jié)合點(diǎn)作為電壓轉(zhuǎn)接器60接地的輸入端63。
本發(fā)明系利用電壓轉(zhuǎn)接器60的輸入端63是否接地，做為輸出端62端輸出DDR1使用電壓或供DDR2使用電壓的依據(jù)。
當(dāng)使電壓轉(zhuǎn)接器60的輸入端63接地時(shí)，晶體管Q78的基極接地，故其基極的電位為0，而集極的電位為5V，因此CMOS Q75的柵極電位也為5V。本發(fā)明選取適當(dāng)?shù)腃MOS Q75，當(dāng)CMOS Q75的柵極電位為5V以上時(shí)，其源極及漏極呈短路的狀態(tài)，此時(shí)輸出端62輸出的電壓，會(huì)因電源流經(jīng)電阻R65再分流至兩電阻R66產(chǎn)生的壓降，而輸出供DDR1使用約2.5V的較高電壓。
當(dāng)使電壓轉(zhuǎn)接器60的輸入端63不接地時(shí)，晶體管Q78的基極不接地，故其基極電位大于0，而其集極電位小于5V，因此CMOS Q75的柵極電位也小于5V，而使其源極及漏極間并非呈短路的狀態(tài)，此時(shí)輸出端62輸出的電壓，會(huì)因電源流經(jīng)電阻R65及R66產(chǎn)生的壓降，而輸出供DDR2使用約1.8V的較低電壓。
請(qǐng)參閱圖3所示。本發(fā)明的一種實(shí)施例，系在轉(zhuǎn)接卡除了設(shè)有與DDR2連接器結(jié)合的接腳外，另設(shè)有至少兩個(gè)接腳，其中一接腳接地，另一接腳連接至轉(zhuǎn)接卡上連接至DDR1連接器供應(yīng)DDR1電源的連接端。此兩接腳可結(jié)合一連接器JP4。此連接器JP4與兩個(gè)接腳連結(jié)的兩端，分別以兩導(dǎo)線電氣連接至如圖2所示電壓轉(zhuǎn)換器60的輸入端63及輸出端62。當(dāng)使轉(zhuǎn)接卡結(jié)合DDR2連接器，并使連接器JP4與兩個(gè)接腳連結(jié)時(shí)，就會(huì)使電壓轉(zhuǎn)換器60的輸入端63接地，而使電壓轉(zhuǎn)換器60的輸出端62輸出供DDR1使用的較高電壓；否則，電壓轉(zhuǎn)換器60的輸出端62將輸出供DDR2使用的較低電壓。
請(qǐng)參閱圖4所示。本發(fā)明的另一種實(shí)施例，系在轉(zhuǎn)接卡與DDR2連接器結(jié)合的接腳中，有一接腳接地，而此接腳的位置，系相對(duì)于DDR251的接腳中，一般未使用之接腳NCO-NC22中的一接腳，譬如接腳NC18，而使DDR2連接器相對(duì)于DDR251接腳NC18的連接端，利用導(dǎo)線電氣連接至如圖2所示電壓轉(zhuǎn)換器60的輸入端63。當(dāng)使轉(zhuǎn)接卡結(jié)合DDR2連接器時(shí)，就會(huì)使電壓轉(zhuǎn)換器60的輸入端63接地，而使電壓轉(zhuǎn)換器60的輸出端62輸出供DDR1使用的較高電壓；否則，電壓轉(zhuǎn)換器60的輸出端62將輸出供DDR2使用的較低電壓。
經(jīng)由上述說(shuō)明，本發(fā)明可使同一主機(jī)板可分別結(jié)合DDR2或DDR1，以提升單一主機(jī)板的制造產(chǎn)能，降低制造成本及庫(kù)存量，提升主機(jī)板的銷售競(jìng)爭(zhēng)力。
以上所記載，僅為利用本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容之實(shí)施例，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域：
的人員運(yùn)用本發(fā)明所為的修飾、變化，皆屬本發(fā)明主張的權(quán)利要求
書范圍內(nèi)，而不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板的方法，包括使主機(jī)板結(jié)合一電壓轉(zhuǎn)換器及一DDR2連接器；當(dāng)要使該主機(jī)板結(jié)合DDR2時(shí)，該電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端即輸出一適合該DDR2使用的電壓至該DDR2連接器；當(dāng)要使該主機(jī)板結(jié)合DDR1連接器時(shí)，先使DDR2連接器連接一轉(zhuǎn)接卡的一端，該轉(zhuǎn)接卡的另一端連接該DDR1連接器，并使該電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端接地，該電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端即輸出一適合該DDR1使用的電壓至該DDR1連接器，以使該主機(jī)板可分別結(jié)合該DDR2或該DDR1。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，該電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端系與該轉(zhuǎn)接卡的接地端點(diǎn)電氣連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，該電壓轉(zhuǎn)換器包括一芯片、一CMOS、一晶體管及相配合的多個(gè)電阻所組成；該芯片的第4連接端為電源輸入端連接一電源，并連接一接地的電阻；該芯片的第1連接端、第2連接端之間連接一電阻，該電阻與第2連接端的結(jié)合點(diǎn)另連接一接地的電阻及該CMOS的源極；該CMOS的漏極連接另一接地的電阻；該CMOS的柵極連接該晶體管的集極，并連接至一電阻，此一電阻的另一端連接該電源；該晶體管的射極接地，基極連接另一電阻，此另一電阻的另一端連接該電源；該芯片的第6連接端連接第3、第2連接端，并為該輸出端；該晶體管的基極與此另一電阻的結(jié)合點(diǎn)作為該輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的方法，其特征在于，該DDR2連接器連接該轉(zhuǎn)接卡，該轉(zhuǎn)接卡與該DDR2連接器結(jié)合的接腳中，有一接腳接地，而此接腳的位置，系相對(duì)于該DDR2的接腳中，未使用的接腳中的一接腳，而該DDR2連接器相對(duì)于此接腳的連接端與該輸入端以導(dǎo)線電氣連接；這樣當(dāng)該轉(zhuǎn)接卡結(jié)合該DDR2連接器時(shí)，就會(huì)使該輸入端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的方法，其特征在于，該DDR2連接器連接該轉(zhuǎn)接卡，該轉(zhuǎn)接卡除了設(shè)有與該DDR2連接器結(jié)合的接腳外，另設(shè)有至少兩個(gè)接腳，其中一接腳接地，另一接腳電氣連接至該DDR1連接器供應(yīng)DDR1電源的連接端；這樣當(dāng)該兩接腳結(jié)合一連接器時(shí)，該連接器與該兩接腳連結(jié)的兩端，分別以導(dǎo)線電氣連接至該輸入端及該輸出端，使該輸入端接地。
6.一種使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板的裝置，系與電腦主機(jī)板結(jié)合，包括一電壓轉(zhuǎn)換器；該電壓轉(zhuǎn)換器具有一輸入端及一輸出端，該輸出端以導(dǎo)線電氣連接至一DDR2連接器及一DDR1連接器，這樣當(dāng)該輸入端未接地時(shí)，該輸出端輸出一供DDR2使用的電壓至DDR2連接器，而當(dāng)該輸入端接地時(shí)，該輸出端輸出一供DDR1使用的電壓至DDR1連接器。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的裝置，其特征在于，該電壓轉(zhuǎn)換器包括一芯片、一CMOS、一晶體管及相配合的電阻所組成；該芯片的第4連接端為電源輸入端連接一電源，并連接一接地的電阻；該芯片的第1連接端、第2連接端之間連接一電阻，該電阻與第2連接端的結(jié)合點(diǎn)另連接一接地的電阻及該CMOS的源極；該CMOS的漏極連接另一接地的電阻；該CMOS的柵極連接該晶體管的集極，并連接至一電阻，此一電阻的另一端連接該電源；該晶體管的射極接地，基極連接另一電阻，此另一電阻的另一端連接該電源；該芯片的第6連接端連接第3、第2連接端，并為該輸出端；該晶體管的基極與此另一電阻的結(jié)合點(diǎn)作為該輸入端。
8.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的裝置，其特征在于，該電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端系與一轉(zhuǎn)接卡的接地端點(diǎn)電氣連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的裝置，其特征在于，該DDR2連接器連接該轉(zhuǎn)接卡，該轉(zhuǎn)接卡與該DDR2連接器結(jié)合的接腳中，有一接腳接地，而此接腳的位置，系相對(duì)于該DDR2的接腳中，未使用之接腳中的一接腳，而該DDR2連接器相對(duì)于此接腳的連接端與該輸入端以導(dǎo)線電氣連接；這樣當(dāng)該轉(zhuǎn)接卡結(jié)合該DDR2連接器時(shí)，就會(huì)使該輸入端接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的裝置，其特征在于，該DDR2連接器連接該轉(zhuǎn)接卡，該轉(zhuǎn)接卡除了設(shè)有與該DDR2連接器結(jié)合的接腳外，另設(shè)有至少兩個(gè)接腳，其中一接腳接地，另一接腳電氣連接至該DDR1連接器供應(yīng)DDR1電源的連接端；這樣當(dāng)該兩接腳結(jié)合一連接器時(shí)，該連接器與該兩接腳連結(jié)的兩端，分別以導(dǎo)線電氣連接至該輸入端及該輸出端，使該輸入端接地。
專利摘要
一種使DDR2或DDR1共用一主機(jī)板的方法及裝置，系使主機(jī)板結(jié)合一電壓轉(zhuǎn)換器及一DDR2連接器；當(dāng)要使主機(jī)板結(jié)合DDR2時(shí)，電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端卽輸出一適合DDR2使用的電壓至DDR2連接器；當(dāng)要使主機(jī)板結(jié)合DDR1連接器時(shí)，使DDR2連接器連接一轉(zhuǎn)接卡，轉(zhuǎn)接卡的另一端連接DDR1連接器，并使電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端與轉(zhuǎn)接卡的接地端點(diǎn)連接，電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端即輸出一適合DDR1使用的電壓至DDR1連接器，使主機(jī)板可分別結(jié)合DDR2或DDR1，以改善分別制造個(gè)別主機(jī)板所產(chǎn)生的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G06F1/00GKCN1315016SQ200410031761
公開(kāi)日2007年5月9日 申請(qǐng)日期2004年3月23日
發(fā)明者駱紹平, 高億生 申請(qǐng)人:緯創(chuàng)資通股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (3),