無線通信設(shè)備及電子裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種包括非接觸式IC(集成電路)的非接觸式IC(集成電路)設(shè)備、無線通信設(shè)備以及包括該無線通信設(shè)備的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]諸如非接觸式IC(集成電路)卡等的無線通信設(shè)備包括非接觸式IC(集成電路)。日本特開第2003-188765號(hào)公報(bào)描述了調(diào)整作為一種非接觸式IC設(shè)備的RFID (rad1frequency identificat1n devices,無線射頻識(shí)別)標(biāo)簽的諧振頻率的方法。
[0003]當(dāng)在電子裝置(諸如照相機(jī)等)中設(shè)置包括天線單元和非接觸式IC的非接觸式IC設(shè)備時(shí)，電子裝置中包含的金屬材料可能會(huì)使非接觸式IC設(shè)備的諧振頻率偏離。通過使用諸如磁片等磁性部件可以減少這種問題。這是因?yàn)榇判圆考哂心軌驕p少金屬材料對(duì)非接觸式IC設(shè)備的諧振頻率的影響的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]然而，磁性部件具有會(huì)引起非接觸式IC設(shè)備的諧振頻率與目標(biāo)諧振頻率之間的偏差的缺點(diǎn)。因此，在使用磁性部件的情況下，期望適當(dāng)?shù)乜刂迫缦缕胶?，即，磁性部件能夠減少金屬材料對(duì)非接觸式IC設(shè)備的諧振頻率的影響的優(yōu)點(diǎn)，以及磁性部件會(huì)引起非接觸式IC設(shè)備的諧振頻率與目標(biāo)諧振頻率之間的偏差的缺點(diǎn)之間的平衡。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了無線通信設(shè)備、非接觸式集成電路設(shè)備和電子設(shè)備中的至少一者。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在使用天線單元和磁性部件(磁片等)的情況下，能夠抑制非接觸式IC設(shè)備的諧振頻率與目標(biāo)諧振頻率之間的偏差。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種無線通信設(shè)備，所述無線通信設(shè)備包括:包括天線圖案(antenna pattern)的天線單元；在所述天線單元的上方布置的磁性部件；以及用作非接觸式集成電路的設(shè)備，其中，所述磁性部件的面積與包括所述天線圖案的最外周的區(qū)域的面積的比值為90%或更大，并且其中，所述無線通信設(shè)備的諧振頻率與目標(biāo)諧振頻率之間的偏差落入-1.720%至+4.334%的范圍內(nèi)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種包括無線通信設(shè)備的電子裝置。該無線通信設(shè)備包括:包括天線圖案的天線單元；在所述天線單元的上方布置的磁性部件；以及用作非接觸式集成電路的設(shè)備，其中，所述磁性部件的面積與包括所述天線圖案的最外周的區(qū)域的面積的比值為90%或更大，并且其中，所述無線通信設(shè)備的諧振頻率與目標(biāo)諧振頻率之間的偏差落入-1.720%至+4.334%的范圍內(nèi)。
[0009]根據(jù)以下參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的其他特征將變得清楚。
【附圖說明】
[0010]圖1A和圖1B是用于描述根據(jù)第一不例性實(shí)施例的非接觸式IC設(shè)備100的第一示例的圖。
[0011]圖2A和圖2B是用于描述在圖1A和圖1B中所示的非接觸式IC設(shè)備100與非接觸式IC讀寫器(reader/writer)之間的通信距離的測(cè)量結(jié)果的示例的圖形。
[0012]圖3是用于描述圖1A和圖1B中所示的非接觸式IC設(shè)備100的等效電路的圖。
[0013]圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E和圖4F是用于描述當(dāng)天線單元101和磁片105被疊置時(shí)二者之間的偏差的圖。
[0014]圖5A、圖5B、圖5C和圖是用于描述面積覆蓋率(Sb/Sa) [% ]以及與目標(biāo)諧振頻率(13.56MHz)的偏差D3[% ]之間的關(guān)系的示例的圖形。
[0015]圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E和圖6F是用于描述包含非接觸式IC設(shè)備100的電子裝置200的第一示例和第二示例的圖。
[0016]圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E和圖7F是用于描述包含非接觸式IC設(shè)備100的電子裝置200的第三示例和第四示例的圖。
[0017]圖8A、圖8B、圖8C、圖8D、圖8E和圖8F是用于描述包含非接觸式IC設(shè)備100的電子裝置200的第五示例和第六示例的圖。
[0018]圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E和圖9F是用于描述包含非接觸式IC設(shè)備100的電子裝置200的第七示例和第八示例的圖。
[0019]圖1OA和圖1OB是用于描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的非接觸式IC設(shè)備100的第二示例的圖。
[0020]圖11是用于描述非接觸式IC設(shè)備100的諧振頻率的容許范圍(tolerancerange)以及與目標(biāo)諧振頻率(13.56MHz)的偏差Dl的范圍之間的關(guān)系的示例的圖。
[0021]圖12是用于描述在外部電容器的電容容差是±5%的情況下諧振頻率的偏差D2的范圍的示例的圖。
[0022]圖13是用于描述在天線單元101中包括的天線圖案(導(dǎo)電圖案)的電感值和用于測(cè)量的磁片類型之間的關(guān)系的示例的圖。
[0023]圖14是用于描述與目標(biāo)諧振頻率(13.56MHz)的偏差D3的允許值的范圍的示例的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]將參照【附圖說明】本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于以下示例性實(shí)施例。
[0025]第一示例性實(shí)施例
[0026]圖1A和圖1B是用于描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的非接觸式IC (集成電路)設(shè)備100的第一示例的圖。圖1A例示了非接觸式IC設(shè)備100的俯視圖。圖1B例示了非接觸式IC設(shè)備100的截面圖。
[0027]非接觸式IC設(shè)備100是，例如控制利用高頻(HF)范圍內(nèi)的頻率的無線通信的無線通信設(shè)備。非接觸式IC設(shè)備100是，例如控制基于近場(chǎng)通信(NFC)標(biāo)準(zhǔn)的無線通信的無線通信設(shè)備。
[0028]圖1A和圖1B中所示的非接觸式IC設(shè)備100包括天線單元101、非接觸式IC(集成電路)102、電容器103、基板104和磁片(magnetic sheet) 105。在第一示例性實(shí)施例中，磁片105、天線單元101和基板104彼此疊置。例如，在第一示例性實(shí)施例中，在基板104上布置天線單元101，在基板104和天線單元101上布置磁片105。也就是說，在第一示例性實(shí)施例中，在基板104和磁片105之間布置天線單元101。
[0029]天線單元101包括，例如作為具有多彎折(turn)螺旋結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案的天線圖案。
[0030]非接觸式IC 102是用作非接觸式IC (集成電路)的設(shè)備。非接觸式IC 102經(jīng)由兩個(gè)天線端子連接到天線單元101。非接觸式IC 102用作例如，用于控制利用高頻(HF)范圍內(nèi)的頻率的無線通信的設(shè)備。非接觸式IC設(shè)備100用作，例如用于控制基于近場(chǎng)通信(NFC)標(biāo)準(zhǔn)的無線通信的設(shè)備。
[0031]電容器103是用于調(diào)整非接觸式IC設(shè)備100的諧振頻率的外部電容器。注意，盡管在第一不例性實(shí)施例中電容器103包括2個(gè)電容器,但是電容器103可以包括I個(gè)電容器，也可以包括3個(gè)或更多個(gè)電容器。
[0032]基板104是布置有天線單元101、非接觸式IC 102、電容器103和磁片105的基板?；?04可以是剛性基板和柔性基板中的任何基板。
[0033]磁片105是用于減少非接觸式IC設(shè)備100附近存在的金屬材料的影響的磁性部件。在基板104和天線單元101上布置磁片105?？梢允褂秒p面膠將磁片105粘附到基板104。另選地，可以使用其他元件將磁片105保持在基板104上。
[0034]在第一示例性實(shí)施例中，將包括天線單元101中包括的天線圖案的最外周的形狀定義為“天線區(qū)域”。在第一示例性實(shí)施例中，天線區(qū)域具有矩形形狀。將天線單元101的天線區(qū)域的長(zhǎng)度定義為“LX”，將天線單元101的天線區(qū)域的寬度定義為“LY”。根據(jù)LXXLY計(jì)算天線單元101的天線區(qū)域的面積。
[0035]如圖6A至圖9F所示，在電子裝置200中設(shè)置非接觸式IC設(shè)備100。電子裝置200是，例如用作攝像裝置的裝置。電子裝置200是，例如照相機(jī)、攝影機(jī)、包括照相機(jī)的移動(dòng)電話以及包括照相機(jī)的電子裝置中的任何裝置。
[0036]接下來，參照?qǐng)D2A和圖2B描述第一不例性實(shí)施例的非接觸式IC設(shè)備100與非接觸式IC(集成電路)讀寫器之間的通信距離的測(cè)量結(jié)果的示例。
[0037]本申請(qǐng)的發(fā)明人構(gòu)造了如圖1A和圖1B中所示的非接觸式IC設(shè)備100，并且測(cè)量了非接觸式IC設(shè)備100和非接觸式IC(集成電路)讀寫器之間的通信距離。
[0038]在圖2A和圖2B中，橫軸表示非接觸式IC設(shè)備100的諧振頻率[MHz]?？v軸表示非接觸式IC設(shè)備100與非接觸式IC讀寫器之間的通信距離[mm]。這里，通信距離[mm]表示非接觸式IC設(shè)備100的外殼與非接觸式IC讀寫器的外殼之間的距離。在下文中，將非接觸式IC設(shè)備100的諧振頻率簡(jiǎn)稱為諧振頻率。
[0039]圖2A例示了在將磁片A用作磁片105的情況下的測(cè)量結(jié)果的示例。磁片A的磁導(dǎo)率μ’大約是120。
[0040]圖2Β例示了在將磁片B用作磁片105的情況下的測(cè)量結(jié)果的示例。磁片B的磁導(dǎo)率μ’大約是30。
[0041]注意，將JIS X 6319-4(對(duì)于集成電路卡的規(guī)格/標(biāo)準(zhǔn)一由JICSAP(Japan IC CardSystem Applicat1n Council,日本IC卡系統(tǒng)應(yīng)用委員會(huì))規(guī)定)用于非接觸式IC設(shè)備100與非接觸式IC讀寫器之間的通信。非接觸式IC讀寫器的載波頻率是13.56MHz。非接觸式I