一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及導(dǎo)電玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，電容屏產(chǎn)品使用非常廣泛，而電容屏中的雙面鍍導(dǎo)電玻璃是其主要器件，雙面鍍導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電薄膜在性能方面要求比較嚴(yán)，比如均勻性、耐熱性能、耐酸堿性能、耐高溫高濕性能等；在制作透明電路的時(shí)候，由于工藝難度增加，在制作電路時(shí)常采用酸刻電路。在制作過程中，容易蝕刻掉不應(yīng)該刻蝕的部位，并且存在電路蝕刻的蝕痕影跡，影響其電磁屏蔽、靜電保護(hù)功能，存在的蝕痕影跡會(huì)對(duì)觀看圖案產(chǎn)生影響。
[0003]鑒于上述原因，現(xiàn)研發(fā)出一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。
[0005]本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法，所述觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃是由上玻璃基板、錫面、空氣面、上干涉層一、上透明鈍化層、上干涉層二、下玻璃基板、下干涉層、ITO膜構(gòu)成；上玻璃基板和下玻璃基板的兩個(gè)表面均為錫面和空氣面，上玻璃基板和下玻璃基板的空氣面對(duì)應(yīng)貼合，上玻璃基板的錫面上方設(shè)置上干涉層一，上干涉層一與上干涉層二之間設(shè)置上透明鈍化層，上干涉層二上方設(shè)置ITO膜，下玻璃基板的錫面下方設(shè)置下干涉層，下干涉層下方設(shè)置ITO膜；
[0006]所述上透明鈍化層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0007]所述上干涉層一、上干涉層二、下干涉層均采用五氧化二鈮。
[0008]第一步，對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行處理，
[0009]A、對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；
[0010]B、對(duì)切割后的上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行磨邊和倒角，先X磨邊再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對(duì)Y磨邊及倒角；
[0011]C、刷洗吹干；
[0012]D、對(duì)磨邊和倒角后的上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行拋光；
[0013]E、再刷洗吹干；
[0014]第二步，對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板濺射上干涉層一、上透明鈍化層、下干涉層；.
[0015]A、對(duì)拋光刷洗吹干后上玻璃基板和下玻璃基板沿空氣面粘合在一起進(jìn)行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；
[0016]B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對(duì)加熱后的上玻璃基板上表面的錫面上方濺射上干涉層一，上干涉層一采用五氧化二鈮，上干涉層一上方濺射上透明鈍化層，上透明鈍化層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，下玻璃基板下表面的錫面下方濺射下干涉層，下干涉層采用五氧化二鈮；
[0017]第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板第二步濺射的基礎(chǔ)上進(jìn)行上干涉層二和ITO膜濺射；
[0018]A、對(duì)第二步濺射后的上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；
[0019]B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對(duì)加熱后的上玻璃基板和下玻璃基板濺射，在上玻璃基板的上透明鈍化層上方濺射上干涉層二，上干涉層二采用五氧化二鈮，上干涉層二上方濺射ITO膜，下干涉層下方濺射ITO膜；
[0020]C、對(duì)濺射ITO膜后的上玻璃基板和下玻璃基板，經(jīng)緩沖室做退火處理:先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板的鍍膜。
[0021]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明能夠保護(hù)氧化銦錫導(dǎo)電膜刻蝕線路，不受制作過程工藝中的酸溶液的蝕刻，避免在制作過程中蝕刻掉不應(yīng)該刻蝕的部位，在制作過程中使氧化銦錫導(dǎo)電膜刻蝕線路達(dá)到設(shè)計(jì)要求，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。
【附圖說明】
[0022]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明:
[0023]圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖1中:上玻璃基板1、錫面2、空氣面3、上干涉層一 4、上透明鈍化層5、上干涉層二 6、下玻璃基板7、下干涉層8、ITO膜9。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合實(shí)施例與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0026]實(shí)施例1
[0027]上玻璃基板I和下玻璃基板7的兩個(gè)表面均為錫面2和空氣面3，上玻璃基板I和下玻璃基板7的空氣面3對(duì)應(yīng)貼合，上玻璃基板I的錫面2上方設(shè)置上干涉層一 4，上干涉層一 4與上干涉層二 6之間設(shè)置上透明鈍化層5，上干涉層二 6上方設(shè)置ITO膜9，下玻璃基板7的錫面2下方設(shè)置下干涉層8，下干涉層8下方設(shè)置ITO膜9 ;
[0028]所述上透明鈍化層5采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0029]所述上干涉層一 4、上干涉層二 6、下干涉層8均采用五氧化二銀。
[0030]實(shí)施例2
[0031]第一步，對(duì)上玻璃基板I和下玻璃基板7進(jìn)行處理，
[0032]A、對(duì)上玻璃基板I和下玻璃基板7進(jìn)行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；
[0033]B、對(duì)切割后的上玻璃基板I和下玻璃基板7進(jìn)行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對(duì)Y磨邊及倒角；
[0034]C、刷洗吹干；
[0035]D、對(duì)磨邊和倒角后的上玻璃基板I和下玻璃基板7進(jìn)行拋光；
[0036]E、再刷洗吹干；
[0037]第二步對(duì)上玻璃基板I和下玻璃基板7濺射上干涉層一 4、上透明鈍化層5、下干涉層8 ；
[0038]A、對(duì)拋光刷洗吹干后上玻璃基板I和下玻璃基板7沿空氣面3粘合在一起進(jìn)行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；
[0039]B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對(duì)加熱后的上玻璃基板I上表面的錫面2上方濺射上干涉層一 4，上干涉層一 4采用五氧化二鈮，上干涉層一 4上方濺射上透明鈍化層5，上透明鈍化層5采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，下玻璃基板7下表面的錫面2下方濺射下干涉層8，下干涉層8采用五氧化二鈮；
[0040]第三步，在上玻璃基板I和下玻璃基板7第二步濺射的基礎(chǔ)上，進(jìn)行上干涉層二 6和ITO膜9濺射;
[0041]A、對(duì)第二步濺射后的上玻璃基板I和下玻璃基板7進(jìn)行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；
[0042]B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對(duì)加熱后的上玻璃基板I和下玻璃基板7濺射，在上玻璃基板I的上透明鈍化層5上方濺射上干涉層二 6，上干涉層二 6采用五氧化二鈮，上干涉層二 6上方濺射ITO膜9，下干涉層8下方濺射ITO膜9 ;
[0043]C、對(duì)濺射ITO膜9后的上玻璃基板I和下玻璃基板7，經(jīng)緩沖室做退火處理:先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對(duì)上玻璃基板I和下玻璃基板7的鍍膜。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法，所述觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃是由上玻璃基板(I)、錫面(2)、空氣面(3)、上干涉層一(4)、上透明鈍化層(5)、上干涉層二 ￠)、下玻璃基板(7)、下干涉層(8)、ITO膜(9)構(gòu)成；其特征在于:上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)的兩個(gè)表面均為錫面(2)和空氣面(3)，上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)的空氣面(3)對(duì)應(yīng)貼合，上玻璃基板(I)的錫面(2)上方設(shè)置上干涉層一(4)，上干涉層一(4)與上干涉層二(6)之間設(shè)置上透明鈍化層(5)，上干涉層二(6)上方設(shè)置ITO膜(9)，下玻璃基板(7)的錫面⑵下方設(shè)置下干涉層(8)，下干涉層⑶下方設(shè)置ITO膜(9); 所述上透明鈍化層(5)采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅； 所述上干涉層一(4)、上干涉層二 ￠)、下干涉層(8)均采用五氧化二鈮。2.一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法，其特征在于: 第一步，對(duì)上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)進(jìn)行處理， A、對(duì)上玻璃基板⑴和下玻璃基板(7)進(jìn)行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理； B、對(duì)切割后的上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)進(jìn)行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對(duì)Y磨邊及倒角； C、刷洗吹干； D、對(duì)磨邊和倒角后的上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)進(jìn)行拋光； E、再刷洗吹干； 第二步，對(duì)上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)濺射上干涉層一(4)、上透明鈍化層(5)、下干涉層⑶； A、對(duì)拋光刷洗吹干后上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)沿空氣面(3)粘合在一起進(jìn)行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度； B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對(duì)加熱后的上玻璃基板(I)上表面的錫面(2)上方濺射上干涉層一(4)，上干涉層一(4)采用五氧化二鈮，上干涉層一(4)上方濺射上透明鈍化層(5)，上透明鈍化層(5)采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，下玻璃基板(7)下表面的錫面(2)下方濺射下干涉層(8)，下干涉層(8)采用五氧化二鈮； 第三步，在上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)第二步濺射的基礎(chǔ)上，進(jìn)行上干涉層二(6)和ITO膜(9)濺射; A、對(duì)第二步濺射后的上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)進(jìn)行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度； B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對(duì)加熱后的上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)濺射，在上玻璃基板(I)的上透明鈍化層(5)上方濺射上干涉層二 ￠)，上干涉層二(6)采用五氧化二鈮，上干涉層二(6)上方濺射ITO膜(9)，下干涉層⑶下方濺射ITO膜(9); C、對(duì)濺射ITO膜(9)后的上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)，經(jīng)緩沖室做退火處理:先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對(duì)上玻璃基板(I)和下玻璃基板(7)的鍍膜。
【專利摘要】一種觸摸屏單面消影導(dǎo)電玻璃的加工方法，第一步，對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行處理，第二步，對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板濺射上干涉層一、上透明鈍化層、下干涉層；第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板第二步濺射的基礎(chǔ)上進(jìn)行上干涉層二和ITO膜濺射；具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。
【IPC分類】G06F3/041
【公開號(hào)】CN105204691
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510697129
【發(fā)明人】譚華, 秦遵紅, 王戀貴, 董安光
【申請(qǐng)人】洛陽康耀電子有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年10月19日