一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽及其信號(hào)發(fā)送方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻識(shí)別領(lǐng)域，特別涉及一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽及其信號(hào)發(fā)送方法。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻識(shí)別是一種非接觸的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，其基本原理是利用射頻信號(hào)實(shí)現(xiàn)對(duì)被識(shí)別物體的自動(dòng)識(shí)別。射頻識(shí)別系統(tǒng)包含電子標(biāo)簽，閱讀器。其中，電子標(biāo)簽是射頻識(shí)別系統(tǒng)的數(shù)據(jù)載體，主要由標(biāo)簽天線、標(biāo)簽專(zhuān)用射頻芯片和耦合元件組成。
[0003]電子標(biāo)簽按頻率分為:低頻30-300kHz、中頻300kHz_3MHz、高頻3_30MHz和超高頻300-968MHzo低頻電子標(biāo)簽的射頻芯片一般采用普通的cmos工藝，具有省電、廉價(jià)的特點(diǎn)；工作頻率不受無(wú)線電頻率管制約束；可以穿透水、有機(jī)組織或木材等介質(zhì)；適用于近距離、低速率的數(shù)據(jù)傳輸；但是其容易受到其它頻段信號(hào)的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的是提供一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽及其信號(hào)發(fā)送方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:
[0006]一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，包括低通濾波電路、電磁繼電器、耦合元件、射頻芯片和天線；所述耦合元件具有斷點(diǎn)；所述低通濾波電路與所述電磁繼電器電連接；所述耦合元件、射頻芯片和天線依次電連接；
[0007]所述電磁繼電器，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，閉合耦合元件；否則，斷開(kāi)親合元件。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:低通濾波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電磁繼電器閉合耦合元件；閉合的耦合元件受低頻信號(hào)磁場(chǎng)的感應(yīng)產(chǎn)生電流，驅(qū)動(dòng)射頻芯片生成射頻信號(hào)并經(jīng)天線進(jìn)行發(fā)射。耦合元件僅在低頻信號(hào)時(shí)才閉合，有效避免了其它頻段信號(hào)的影響。
[0009]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0010]進(jìn)一步，所述電磁繼電器為銜鐵電磁繼電器；所述耦合元件的斷點(diǎn)處具有導(dǎo)電觸占.
[0011]所述銜鐵電磁繼電器，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，低通濾波電路輸出端產(chǎn)生電壓差，驅(qū)動(dòng)銜鐵電磁繼電器的銜鐵動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒接觸耦合元件的導(dǎo)電觸點(diǎn)，耦合元件閉合；否則，低通濾波電路輸出端不產(chǎn)生電壓差，銜鐵電磁繼電器的銜鐵不動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒不接觸耦合元件的導(dǎo)電觸點(diǎn)，耦合元件斷開(kāi)。
[0012]進(jìn)一步，所述低通濾波電路的截止頻率等于所述閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)的最大頻率。
[0013]采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是，進(jìn)一步避免非閱讀器發(fā)射信號(hào)的影響。
[0014]本發(fā)明的另一技術(shù)方案如下:
[0015]—種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽信號(hào)發(fā)送方法，包括如下步驟:
[0016]步驟1，低通濾波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電磁繼電器閉合耦合元件；
[0017]步驟2，閉合的耦合元件受所述低頻信號(hào)磁場(chǎng)的感應(yīng)產(chǎn)生電流，所述電流驅(qū)動(dòng)射頻芯片生成射頻信號(hào)；
[0018]步驟3，所述射頻信號(hào)經(jīng)天線進(jìn)行發(fā)射。
[0019]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0020]進(jìn)一步，所述步驟1具體實(shí)現(xiàn)為:低通濾波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，輸出端產(chǎn)生電壓差；所述電壓差驅(qū)動(dòng)銜鐵電磁繼電器的銜鐵動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒接觸耦合元件的導(dǎo)電觸點(diǎn)，耦合元件閉合。
[0021]進(jìn)一步，所述低通濾波電路的截止頻率等于所述閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)的最大頻率。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽信號(hào)發(fā)送方法的方法流程圖。
[0024]附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:
[0025]1、低通濾波電路，2、電磁繼電器，3、耦合元件，4、射頻芯片，5、天線，201、銜鐵，202、導(dǎo)電棒，301、導(dǎo)電觸點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0027]如圖1所示，一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，包括低通濾波電路1、電磁繼電器2、耦合元件3、射頻芯片4和天線5 ;所述耦合元件3具有斷點(diǎn)；所述低通濾波電路1與所述電磁繼電器2電連接；所述耦合元件3、射頻芯片4和天線5依次電連接。
[0028]所述電磁繼電器2，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路1接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，閉合親合元件3 ;否則，斷開(kāi)親合元件3。
[0029]所述電磁繼電器2為銜鐵電磁繼電器；所述耦合元件3的斷點(diǎn)處具有導(dǎo)電觸點(diǎn)301 ;所述銜鐵電磁繼電器，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路1接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，低通濾波電路1輸出端產(chǎn)生電壓差，驅(qū)動(dòng)銜鐵電磁繼電器的銜鐵201動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒202接觸耦合元件3的導(dǎo)電觸點(diǎn)301，耦合元件3閉合；否則，低通濾波電路1輸出端不產(chǎn)生電壓差，銜鐵電磁繼電器的銜鐵201不動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒202不接觸耦合元件3的導(dǎo)電觸點(diǎn)301，親合元件3斷開(kāi)。
[0030]所述低通濾波電路1的截止頻率等于所述閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)的最大頻率。
[0031]如圖2所示，一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽信號(hào)發(fā)送方法，包括如下步驟:
[0032]步驟1，低通濾波電路1接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電磁繼電器2閉合耦合元件3 ；
[0033]所述步驟1具體實(shí)現(xiàn)為:低通濾波電路1接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，輸出端產(chǎn)生電壓差；所述電壓差驅(qū)動(dòng)銜鐵電磁繼電器的銜鐵201動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒202接觸親合元件3的導(dǎo)電觸點(diǎn)301，親合元件3閉合。
[0034]步驟2，閉合的耦合元件3受所述低頻信號(hào)磁場(chǎng)的感應(yīng)產(chǎn)生電流，所述電流驅(qū)動(dòng)射頻芯片4生成射頻信號(hào)。
[0035]步驟3，所述射頻信號(hào)經(jīng)天線5進(jìn)行發(fā)射。
[0036]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，包括低通濾波電路(1)、電磁繼電器(2)、耦合元件(3)、射頻芯片(4)和天線(5);所述耦合元件(3)具有斷點(diǎn)；所述低通濾波電路(1)與所述電磁繼電器⑵電連接；所述耦合元件(3)、射頻芯片(4)和天線(5)依次電連接； 所述電磁繼電器(2)，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路(1)接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，閉合親合元件(3);否則，斷開(kāi)親合元件(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述電磁繼電器(2)為銜鐵電磁繼電器；所述耦合元件⑶的斷點(diǎn)處具有導(dǎo)電觸點(diǎn)(301); 所述銜鐵電磁繼電器，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路(1)接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，低通濾波電路⑴輸出端產(chǎn)生電壓差，驅(qū)動(dòng)銜鐵電磁繼電器的銜鐵(201)動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒(202)接觸耦合元件(3)的導(dǎo)電觸點(diǎn)(301)，耦合元件(3)閉合；否則，低通濾波電路(1)輸出端不產(chǎn)生電壓差，銜鐵電磁繼電器的銜鐵(201)不動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒(202)不接觸耦合元件(3)的導(dǎo)電觸點(diǎn)(301)，耦合元件(3)斷開(kāi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述低通濾波電路(1)的截止頻率等于所述閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)的最大頻率。4.一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽信號(hào)發(fā)送方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1，低通濾波電路⑴接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電磁繼電器⑵閉合耦合元件⑶； 步驟2，閉合的耦合元件(3)受所述低頻信號(hào)磁場(chǎng)的感應(yīng)產(chǎn)生電流，所述電流驅(qū)動(dòng)射頻芯片(4)生成射頻信號(hào)； 步驟3，所述射頻信號(hào)經(jīng)天線(5)進(jìn)行發(fā)射。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽信號(hào)發(fā)送方法，其特征在于，所述步驟1具體實(shí)現(xiàn)為:低通濾波電路(1)接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，輸出端產(chǎn)生電壓差；所述電壓差驅(qū)動(dòng)銜鐵電磁繼電器的銜鐵(201)動(dòng)作，銜鐵電磁繼電器的導(dǎo)電棒(202)接觸耦合元件(3)的導(dǎo)電觸點(diǎn)(301)，耦合元件(3)閉合。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽信號(hào)發(fā)送方法，其特征在于，所述低通濾波電路(1)的截止頻率等于所述閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)的最大頻率。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽及其信號(hào)發(fā)送方法，包括低通濾波電路、電磁繼電器、耦合元件、射頻芯片和天線；所述耦合元件具有斷點(diǎn)；所述低通濾波電路與所述電磁繼電器電連接；所述耦合元件、射頻芯片和天線依次電連接；所述電磁繼電器，其用于當(dāng)?shù)屯V波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)時(shí)，閉合耦合元件；否則，斷開(kāi)耦合元件。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了，低通濾波電路接收閱讀器發(fā)射的低頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電磁繼電器閉合耦合元件；閉合的耦合元件受低頻信號(hào)磁場(chǎng)的感應(yīng)產(chǎn)生電流，驅(qū)動(dòng)射頻芯片生成射頻信號(hào)并經(jīng)天線進(jìn)行發(fā)射；耦合元件僅在低頻信號(hào)時(shí)才閉合，有效避免了其它頻段信號(hào)的影響。
【IPC分類(lèi)】G06K17/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105243404
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510577361
【發(fā)明人】陳建軍
【申請(qǐng)人】武漢威杜信息科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年9月11日