一種高方向性定向rfid標(biāo)簽實現(xiàn)方法
【專利摘要】一種高方向性定向RFID標(biāo)簽的實現(xiàn)方法，其特征在于，該方法采用了介質(zhì)基板、定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器，其中介質(zhì)基板用于承載并固定定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器；定向耦合器連接信號輸入端，實現(xiàn)與輸入信號的耦合；定向耦合器的信號輸出端接到RFID頻段的濾波器，經(jīng)過濾波器的信號接到RFID標(biāo)簽芯片的﹢管腳，將RFID標(biāo)簽芯片的－管腳接地；本發(fā)明通過一個定向耦合器實現(xiàn)了RFID標(biāo)簽的定向性，通過定向耦合器中的電阻調(diào)節(jié)，降低工作頻段對反射信號的耦合，滿足射頻器件和射頻系統(tǒng)對定向性的要求。使得該具備高度定向性的RFID標(biāo)簽適合使用在移動通信領(lǐng)域有線系統(tǒng)中。
【專利說明】
一種高方向性定向RF ID標(biāo)簽實現(xiàn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及無源器件裝置組成的網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，特別涉及一種高方向性定向RFID標(biāo)簽實現(xiàn)方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]所謂的RFID技術(shù)是指一種非接觸式的射頻自動識別技術(shù)，它通過射頻信號自動識別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識別工作無需人工干預(yù)，可工作于各種惡劣環(huán)境。而RFID標(biāo)簽則是指可被射頻識別的標(biāo)志物。目前的RFID標(biāo)簽一般采用偶極子天線，不具備方向性，也不具備信號選擇性，導(dǎo)致RFID技術(shù)無法在移動通信領(lǐng)域有線系統(tǒng)中對信號的輸入輸出檢測與回?fù)軗p耗進(jìn)行定向檢測
[0003]基于此，有必要提供一種高方向性定向RFID標(biāo)簽，在移動通訊領(lǐng)域有線系統(tǒng)中運(yùn)用。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]本發(fā)明針對以上情況提出了一種高方向性定向RFID標(biāo)簽實現(xiàn)方法，該高方向性定向RFID標(biāo)簽?zāi)軌蜃詣幼R別方向，自動進(jìn)行信號選擇，適合應(yīng)用在移動通信領(lǐng)域有線系統(tǒng)中。
[0005]—種高方向性定向RFID標(biāo)簽的實現(xiàn)方法，該方法采用了介質(zhì)基板、定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器，其中介質(zhì)基板用于承載并固定定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器;定向耦合器連接信號輸入端，實現(xiàn)與輸入信號的耦合;定向耦合器的信號輸出端接到RFID頻段的濾波器，經(jīng)過濾波器的信號接到RFID標(biāo)簽芯片的+管腳，將RFID標(biāo)簽芯片的一管腳接地；
[0006]其中定向親合器由一節(jié)特定波長的微帶線與一接地的50歐姆電阻實現(xiàn)，定向親合器實現(xiàn)，定向耦合器實現(xiàn)與輸入信號的耦合，耦合度為Cl，定向耦合器耦合到輸入信號后，將通過信號輸出端將信號接到RFID頻段的濾波器；
[0007]而其中的RFID頻段的濾波器只選擇RFID的工作頻段，排除其他信號的干擾；
[0008]定向耦合器的耦合部分的介質(zhì)為低成本的PCB印刷的微帶線，該微帶線與傳輸線形成側(cè)面耦合，方向性大于要求值。
[0009]定向耦合器與輸入信號形成一定的都合度，該耦合度為Cl，耦合輸入的激勵信號經(jīng)過濾波后進(jìn)入RFID標(biāo)簽芯片;在理想狀態(tài)下，在隔離端耦合不到輸入信號，此時定向性為無窮大。實際上定向耦合器會與反射信號形成微弱的耦合，該耦合度為C2;C2_C1的值即為耦合的方向性。在本方案中可以通過調(diào)整50歐姆電阻的位置來實現(xiàn)減少工作頻段對反射信號的親合。
[0010]本發(fā)明通過一個定向耦合器實現(xiàn)了 RFID標(biāo)簽的定向性，通過定向耦合器中的電阻調(diào)節(jié)，降低工作頻段對反射信號的耦合，滿足射頻器件和射頻系統(tǒng)對定向性的要求。使得該具備高度定向性的RFID標(biāo)簽適合使用在移動通信領(lǐng)域有線系統(tǒng)中?！尽靖綀D說明】】
[0011]圖1是本發(fā)明定向RFID標(biāo)簽實現(xiàn)方法的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；
【【具體實施方式】】
[0012]下面將結(jié)合本發(fā)明附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0013]請參考附圖1:其中示出了一種高方向性定向RFID標(biāo)簽的實現(xiàn)方法所用系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，該方法采用了介質(zhì)基板、定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片R1、RFID工作頻段的濾波器，還設(shè)有一個電阻。
[0014]其中介質(zhì)基板用于承載并固定定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器和電阻;定向耦合器連接信號輸入端，實現(xiàn)與輸入信號的耦合;定向耦合器的信號輸出端接到RFID頻段的濾波器，經(jīng)過濾波器的信號接到RFID標(biāo)簽芯片的+管腳，將RFID標(biāo)簽芯片的一管腳接地。
[0015]其中定向親合器由一節(jié)特定波長的微帶線與一接地的50歐姆電阻實現(xiàn)，定向親合器實現(xiàn)與輸入信號的耦合，耦合度為Cl，定向耦合器耦合到輸入信號后，將通過信號輸出端將信號接到RFID頻段的濾波器;該50歐姆電阻能夠起到承擔(dān)負(fù)載的作用。
[0016]而其中的RFID頻段的濾波器只選擇RFID的工作頻段，排除其他信號的干擾；
[0017]定向耦合器的耦合部分的介質(zhì)為低成本的PCB印刷的微帶線，該微帶線與傳輸桿形成側(cè)面親合，方向性大于設(shè)定值。
[0018]定向耦合器與輸入信號的耦合度為Cl，定向耦合器理論上與反射信號形成隔離，實際上定向耦合器會與反射信號形成微弱的耦合，耦合度為C2;C2-C1的值即為耦合的方向性;不同的射頻器件或者射頻系統(tǒng)對方向性的要求也不同，在設(shè)置時，根據(jù)系統(tǒng)的要求，使得C2-C1大于一設(shè)定值，是能否進(jìn)行定向檢測的關(guān)鍵。
[0019]一般的射頻器件或者射頻系統(tǒng)對方向性的要求C2-C1大于20以上。而普通側(cè)面耦合形式的定向耦合器方向性一般在12dB到15dB，也就是此時的C2-C1—般在12-15，可以采用調(diào)整50歐姆電阻位置的方法，調(diào)節(jié)耦合線在RFID頻段的反射系數(shù)，使得在RFID的工作頻段時的C2-C1達(dá)到20以上。
[0020]以上所述，僅是本發(fā)明較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許變更或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明技術(shù)是指對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種高方向性定向RFID標(biāo)簽的實現(xiàn)方法，其特征在于，該方法采用了介質(zhì)基板、定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器，其中介質(zhì)基板用于承載并固定定向耦合器、RFID標(biāo)簽芯片、RFID工作頻段的濾波器;定向耦合器連接信號輸入端，實現(xiàn)與輸入信號的耦合;定向耦合器的信號輸出端接到RFID頻段的濾波器，經(jīng)過濾波器的信號接到RFID標(biāo)簽芯片的+管腳，將RFID標(biāo)簽芯片的一管腳接地； 其中定向耦合器由一節(jié)特定波長的微帶線與一接地的50歐姆電阻實現(xiàn)，定向耦合器實現(xiàn)，定向耦合器實現(xiàn)與輸入信號的耦合，耦合度為Cl，定向耦合器耦合到輸入信號后，將通過信號輸出端將信號接到RFID頻段的濾波器； 而其中的RFID頻段的濾波器只選擇RFID的工作頻段，排除其他信號的干擾。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高方向性定向RFID標(biāo)簽的實現(xiàn)方法，其特征在于，定向耦合器的耦合部分的介質(zhì)為低成本的PCB印刷的微帶線，該微帶線與傳輸線形成側(cè)面耦合，方向性大于要求值。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述高方向性定向RFID標(biāo)簽的實現(xiàn)方法，其特征在于，定向耦合器與輸入信號的耦合度為Cl，定向耦合器理論上與反射信號形成隔離，實際上定向耦合器會與反射信號形成微弱的耦合，耦合度為C2;C2-C1的值即為耦合的方向性;在設(shè)置時，要求C2-Cl大于一設(shè)定值。
【文檔編號】G06K19/077GK105844322SQ201610185986
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月29日
【發(fā)明人】趙自平, 韓玉龍, 夏躍東, 張培境, 王橋飛
【申請人】深圳市中泰美奧電子技術(shù)研究院有限公司