陣列基板、制造方法以及顯示面板和電子裝置的制造方法
【專利摘要】陣列基板、制造方法以及顯示面板和電子裝置。該陣列基板包括：襯底基板、在所述襯底基板上形成的柵線、絕緣層、有源層和數(shù)據(jù)線，其中，所述絕緣層設(shè)置在所述柵線上，所述數(shù)據(jù)線隔著所述絕緣層設(shè)置在所述柵線上且和所述柵線交叉設(shè)置，所述有源層在垂直于所述襯底基板的方向上設(shè)置在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間，在所述柵線上隔著所述絕緣層設(shè)置有第一屏蔽層，所述第一屏蔽層在垂直于所述襯底基板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。
【專利說明】
陣列基板、制造方法以及顯示面板和電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例涉及陣列基板、該陣列基板的制造方法以及相應(yīng)的顯示面板和電 子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著觸控裝置的普及，觸控顯示面板也更為普及。在一種觸控顯示面板中，將公共 電極層切割為條狀，并且將條狀的公共電極用作觸控驅(qū)動(dòng)電極。然而，在此情況下，條狀的 公共電極之間的間隙下方的信號(hào)線無法被屏蔽，從而信號(hào)線上產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)對(duì)顯示面板的 顯示產(chǎn)生不利影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:襯底基板、在所述襯底基板上形成的柵 線、絕緣層、有源層和數(shù)據(jù)線，其中，所述絕緣層設(shè)置在所述柵線上，所述數(shù)據(jù)線隔著所述絕 緣層設(shè)置在所述柵線上且和所述柵線交叉設(shè)置，所述有源層在垂直于所述襯底基板的方向 上設(shè)置在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間，在所述柵線上隔著所述絕緣層設(shè)置有第一屏蔽層， 所述第一屏蔽層在垂直于所述襯底基板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述有 源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。
[0004] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種制造陣列基板的方法，所述陣列基板包括襯底基板和在 所述襯底基板上設(shè)置的柵線、絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線，所述制造方法包括:在所述襯底基板 上沿著遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次形成所述柵線、所述絕緣層、所述有源層、所述數(shù)據(jù) 線，以及在所述柵線上方隔著所述絕緣層形成第一屏蔽層，其中，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交 叉設(shè)置，所述第一屏蔽層在垂直于陣列基板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述 有源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。
[0005] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種具有上述陣列基板的顯示面板。
[0006] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種具有上述顯示面板的電子裝置。
【附圖說明】
[0007] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。
[0008] 圖la是一種示例性的觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009] 圖lb是一種示例性的TFT陣列的俯視圖；
[0010] 圖lc是圖示條狀公共子電極與柵線的位置關(guān)系的俯視圖；
[0011] 圖2a是本公開的一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖；
[0012]圖2b是圖2a陣列基板沿A-A'線的截面圖；
[0013] 圖2c是本公開的另一實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖；
[0014] 圖3a是本公開的又一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖；
[0015]圖3b是圖3a陣列基板沿B-B'線的截面圖；
[0016]圖3c是圖3a陣列基板沿C-C'線的截面圖；
[0017] 圖4是公開的又一實(shí)施例提供的陣列基板的截面圖；
[0018] 圖5a-5g是本公開的一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的示意圖；
[0019]圖6a_6g是本公開的另一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā) 明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0021] 圖la示出一種示例性的觸控顯示面板100的結(jié)構(gòu)。在該觸控顯示面板100中，在玻 璃基板101上設(shè)置陣列基板103,該陣列基板103進(jìn)一步包括TFT陣列1031和公共電極層 1032。由公共電源向公共電極層1032施加公共電壓V Ccm。例如，公共電源可以是在陣列基板 上與外部公共電源電連接的導(dǎo)電部件。在工作過程中，外部公共電源可以通過陣列基板上 的公共電源向陣列基板上的其他部件(例如，公共電極等)施加公共電壓。在該陣列基板103 上依次設(shè)置液晶層105、彩膜基板107和觸控感測(cè)層109。通過將陣列基板103上的公共電極 層1032切割為條狀，從而將條狀的公共電極用作觸控驅(qū)動(dòng)電極。也就說，公共電極層1032同 時(shí)還用作觸控驅(qū)動(dòng)電極層1032。觸摸的位置可以通過觸控感測(cè)電極和觸控驅(qū)動(dòng)電極來檢 測(cè) 。
[0022] 圖lb是圖示TFT陣列1031的示意圖。如圖lb所示，該TFT陣列1031通常包括多條柵 線102和多條數(shù)據(jù)線108。這些柵線102和數(shù)據(jù)線108彼此交叉由此限定了排列為矩陣的子像 素單元（圖lb中僅具體示出了一個(gè)子像素單元），每個(gè)子像素單元包括作為開關(guān)元件的薄膜 晶體管110和用于控制液晶的排列的像素電極104。通常，每個(gè)子像素單元還可以包括和像 素電極104配合以形成驅(qū)動(dòng)液晶分子的電場(chǎng)的公共電極層（圖lb中未示出）。該公共電極層 1032通常覆蓋在TFT陣列1031的上方，如圖la所示。例如，在每個(gè)子像素單元中，薄膜晶體管 110的柵極112與相應(yīng)的柵線102電連接(例如，二者一體形成），源極118與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線108 電連接（例如，二者一體形成），漏極119與相應(yīng)的像素電極104電連接（例如，二者一體形 成)。
[0023] 為了實(shí)現(xiàn)觸控顯示的功能，需要進(jìn)一步向觸控顯示面板100提供觸控驅(qū)動(dòng)電極和 觸控感測(cè)電極。在圖la的示例中，由于將陣列基板103上的公共電極層1032切割為條狀，并 將條狀的公共電極用作觸控驅(qū)動(dòng)電極。圖lc是圖示條狀公共子電極與柵線的位置關(guān)系的俯 視圖。如圖lc所示，一條柵線位于相鄰條狀公共子電極的間隙的投影處。也就是說，從與襯 底基板201垂直的方向看去，該柵線未被條狀公共子電極覆蓋。需要注意的是，在一個(gè)完整 的陣列基板103中，可以存在多條柵線位于多個(gè)相鄰相鄰條狀公共子電極的間隙的投影處， 也可以同時(shí)有一條或多條柵線被條狀公共子電極覆蓋。
[0024] 在本公開中，第一結(jié)構(gòu)覆蓋第二結(jié)構(gòu)意味著第一結(jié)構(gòu)在垂直方向上的投影覆蓋第 二結(jié)構(gòu)在垂直方向上的投影。
[0025] 在研究中，本申請(qǐng)的發(fā)明人注意到如下問題。由于柵線用于接收掃描信號(hào)，因此柵 線通常具有較高的電壓。在圖1c的結(jié)構(gòu)中，由于公共電極層1032被切割為條狀使得一條或 多條柵線未被條狀公共子電極覆蓋，所以條狀公共子電極無法屏蔽該一條或多條柵線產(chǎn)生 的相對(duì)強(qiáng)的電場(chǎng)。該柵線產(chǎn)生的電場(chǎng)使得液晶層中的取向電場(chǎng)異常，影響液晶分子的取向， 從而造成光強(qiáng)差異，并在顯示時(shí)產(chǎn)生黑色條紋。
[0026]本公開的實(shí)施例通過在條狀公共子電極的間隔處的柵線上方覆蓋屏蔽層，從而可 以削弱甚至屏蔽上述柵線產(chǎn)生的電場(chǎng)，從而消除以上顯示不良。需要注意的是，本公開的實(shí) 施例并不限于在條狀公共子電極的間隔處的柵線上方覆蓋屏蔽層。即使柵線上方覆蓋完整 的公共電極層，也可以采用本公開的實(shí)施例來進(jìn)一步屏蔽柵線產(chǎn)生的電場(chǎng)。
[0027]請(qǐng)參見圖2a和2b，圖2a和2b示出本公開的一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板200的示意 圖。該陣列基板200包括襯底基板201和設(shè)置在襯底基板201上的柵線202、設(shè)置在柵線202上 的絕緣層204(圖2a中未示出）、隔著絕緣層204設(shè)置在柵線202上且與柵線202相交的數(shù)據(jù)線 208、設(shè)置在柵線202上的有源層206以及與該數(shù)據(jù)線208同層設(shè)置的屏蔽層216。在本實(shí)施例 中，為了簡化工藝，該屏蔽層216可以采用與數(shù)據(jù)線208相同的材料，通過一次工藝與數(shù)據(jù)線 208同層設(shè)置。該屏蔽層216的厚度可以與數(shù)據(jù)線的厚度相同，例如，40CKK5000A。本領(lǐng)域 技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，該屏蔽層216的材料也可以是其他金屬或非金屬材料，只要該屏蔽層能 夠削弱或屏蔽電場(chǎng)。該屏蔽層216在垂直于陣列基板200的方向上覆蓋該柵線202,并且與該 柵線202、有源層206和數(shù)據(jù)線208電絕緣。屏蔽層的具體制造方法將在下文詳細(xì)描述。因?yàn)?由與數(shù)據(jù)線208相同的材料構(gòu)成的屏蔽層216具有導(dǎo)電能力，根據(jù)導(dǎo)體具有電場(chǎng)屏蔽能力的 原理，在柵線上產(chǎn)生的電場(chǎng)將被屏蔽層216所削弱甚至屏蔽，從而降低了柵線電場(chǎng)對(duì)于顯示 的影響。
[0028]圖2b示出了圖2a所示的陣列基板200沿CC線的截面圖。如圖2b所示，在襯底基板 201上設(shè)置柵極212和與該柵極212同層設(shè)置的柵線202,在該柵極212和柵線202上方設(shè)置絕 緣層204,并有源層206隔著絕緣層204設(shè)置在柵極212上方。數(shù)據(jù)線208(包含源極和漏極)設(shè) 置在絕緣層上方。陣列基板200還包括遮光層210,設(shè)置在襯底基板201和柵線202之間。屏蔽 層216在本實(shí)施例中與數(shù)據(jù)線208同層設(shè)置，并且在垂直于陣列基板200的方向上覆蓋柵線 202,并且與柵線202、有源層206和數(shù)據(jù)線208電絕緣。例如，絕緣層204設(shè)置在柵線202和屏 蔽層216之間，起到了將柵線202與屏蔽層216電絕緣的作用。此外，盡管在本實(shí)施例中屏蔽 層216采用與數(shù)據(jù)線208相同的材料制作，但是屏蔽層216和數(shù)據(jù)線208之間并不存在電連 接，從而防止數(shù)據(jù)線208的信號(hào)對(duì)屏蔽層216施加影響。類似地，屏蔽層216和有源層206之間 也不存在電連接。從圖2a和2b可以看到，額外設(shè)置的該屏蔽層216可以至少部分覆蓋柵線 202,從而屏蔽由掃描信號(hào)在柵線202上產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)液晶層的干擾。在本公開中記載的"覆 蓋"意指至少部分重疊。也就是說，該屏蔽層216可以在垂直于陣列基板的方向上與柵線202 至少部分重疊。換而言之，該屏蔽層216可以比柵線202更寬或更窄，但是必須覆蓋柵線202 的至少一部分。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道，盡管本實(shí)施例以柵線位于相鄰公共電極之間的 間隙處為例進(jìn)行說明，但是當(dāng)柵線被公共電極覆蓋時(shí)，也可以設(shè)置該屏蔽層來覆蓋柵線，從 而達(dá)到更好的電場(chǎng)屏蔽效果。
[0029]圖2c示出了根據(jù)本公開的另一實(shí)施例的陣列基板200'的示意圖。陣列基板200'相 比于陣列基板200的區(qū)別在于，陣列基板200'進(jìn)一步設(shè)置了通孔214。該通孔214與屏蔽層 216連接，以使得公共電源經(jīng)由該通孔214向屏蔽層216施加公共電壓V。?。在一個(gè)示例中，通 孔214經(jīng)過包括層間介質(zhì)層（inter-level dielectric，ILD)、多晶娃層、緩沖層的中間層 222(圖中未示出），并且最終連接到具有導(dǎo)電性的遮光層210(例如，由鉬金屬構(gòu)成）。公共電 源則連接到該遮光層，從而經(jīng)由該通孔214向屏蔽層216施加公共電壓V。?。在另一示例中， 如圖5g所示，通過刻蝕輔助層220(例如，包括鈍化層或平坦化層）以形成連接到屏蔽層216 的通孔214'。應(yīng)當(dāng)知道，經(jīng)由通孔施加公共電壓V。?的方式可以根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)計(jì)，并不 局限于以上示例。這樣，屏蔽層216可以具有與公共電極層相同的公共電壓，從而進(jìn)一步屏 蔽掃描信號(hào)電場(chǎng)對(duì)液晶層的干擾。同時(shí)，由于屏蔽層216僅接收公共電壓，因此，當(dāng)公共電極 層用作觸控驅(qū)動(dòng)電極層時(shí)，并不向屏蔽層216施加觸控驅(qū)動(dòng)電壓，從而避免屏蔽層216在觸 控階段對(duì)觸控操作造成干擾。
[0030] 圖3a示出了根據(jù)本公開的又一實(shí)施例的陣列基板300的示意圖。陣列基板300相比 于圖2b所示陣列基板200的區(qū)別在于，在陣列基板300中，屏蔽層218采用與有源層206相同 的材料制作，并且與有源層206同層設(shè)置。圖3b是圖3a中的陣列基板300沿B-B '線的截面圖。 如圖3b所示，屏蔽層218在垂直于陣列基板300的方向上覆蓋柵線202,并且與柵線202、有源 層206和數(shù)據(jù)線208電絕緣。由于有源層通常由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成，同樣可以起到屏蔽 或削弱電場(chǎng)的作用。屏蔽層也可以采用其他金屬或非金屬材料，只要該屏蔽層218能夠削弱 或屏蔽電場(chǎng)。陣列基板300同樣可以具有通孔214,從而使得公共電源可以經(jīng)由該通孔214向 屏蔽層218施加公共電壓V_。圖3c是圖3a中的陣列基板300沿C-C'線的截面圖。在一個(gè)示例 中，通孔214經(jīng)過包括層間介質(zhì)層（inter-level dielectric，ILD)、多晶娃層、緩沖層的中 間層222,并且最終連接到具有導(dǎo)電性的遮光層210(例如，由鉬金屬構(gòu)成）。公共電源則連接 到該遮光層，從而經(jīng)由該通孔214向屏蔽層218施加公共電壓V。?。公共電源連接到遮光層的 方式可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要進(jìn)行選擇，例如，采用墊片或?qū)Ь€。本公開在此不具體描述。同時(shí)，公 共電壓V。?也可以以其他方式施加到屏蔽層。例如，在另一示例中，如圖6g所示，通過刻蝕輔 助層220(例如，包括鈍化層或平坦化層）以形成連接到屏蔽層218的通孔214'，進(jìn)而可以經(jīng) 由該通孔214'向屏蔽層施加公共電壓V。?。
[0031] 圖4示出了根據(jù)本公開的又一實(shí)施例的陣列基板400的截面圖。陣列基板400相比 于圖2b所示陣列基板200的區(qū)別在于，在陣列基板400中，在提供屏蔽層216的基礎(chǔ)上，進(jìn)一 步提供與圖3a的實(shí)施例類似的屏蔽層218。因此，通過提供屏蔽層216和218兩者，可以有效 屏蔽電場(chǎng)。并且由于屏蔽層218由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成，通過提供屏蔽層216和218可以使 得屏蔽層216受到屏蔽層218的保護(hù)，避免氧化。與圖2和圖3的實(shí)施例類似，陣列基板400可 以具有通孔，從而使得公共電源可以經(jīng)由該通孔向屏蔽層216和218施加公共電壓V_。
[0032] 以上實(shí)施例中，屏蔽層采用與數(shù)據(jù)線或有源層相同的材料。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)當(dāng)知道，屏蔽層也可以采用能夠削弱或屏蔽電場(chǎng)的其他材料。并且上述實(shí)施例僅是屏蔽 層設(shè)置的示例，該屏蔽層也可以與數(shù)據(jù)線或有源層不同層設(shè)置。
[0033] 本公開的又一實(shí)施例提供一種制造陣列基板的方法，該陣列基板包括襯底基板和 在該襯底基板上設(shè)置的柵線、絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線，該制造方法包括:在該襯底基板上沿 著遠(yuǎn)離該襯底基板的方向依次形成該柵線、該絕緣層、該有源層、該數(shù)據(jù)線，以及在該柵線 上方隔著該絕緣層形成第一屏蔽層，其中，該柵線和該數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，該第一屏蔽層在垂 直于陣列基板的方向上覆蓋該柵線，并且與該柵線、該有源層和該數(shù)據(jù)線電絕緣。
[0034] 在該陣列基板的制造方法中，例如可以通過不同的構(gòu)圖工藝形成上述柵線、絕緣 層、有源層、數(shù)據(jù)線、公共電極層。在以下實(shí)施例中，以一種制造陣列基板200的制造方法為 例，該制造方法包括步驟S11-S14。
[0035] 步驟S11，如圖5a所示，通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板201上形成遮光層210以 及包括柵線202的柵金屬層。
[0036]例如，在襯底基板201(例如，玻璃基板、塑料基板或石英基板)上通過濺射工藝形 成柵金屬層薄膜;然后，采用掩膜版，通過例如一次曝光、顯影和濕法刻蝕工藝形成柵線。例 如，柵金屬層可采用Cr、Mo、Al和Cu等金屬中的至少一種或幾種的合金。
[0037]在該步驟中，柵金屬層中還可以形成柵極212。
[0038] 步驟S12:如圖5b所示，在柵線202上形成絕緣層204和有源層薄膜206 之后，如圖 5c所示，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層206。
[0039] 步驟S13:如圖5d所示，在有源層206上形成源漏金屬層薄膜208' ；之后，如圖5e所 示，通過第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線208(包括源極和漏極)和屏蔽層216。
[0040] 步驟S14:如圖5f所示，在數(shù)據(jù)線208(包括源極和漏極)和屏蔽層216上方進(jìn)一步形 成輔助層220,例如，包括鈍化層、層間介質(zhì)層、緩存層、平坦化層等。
[0041] 在本公開的另一實(shí)施例中提供的陣列基板200'的制造方法進(jìn)一步包括形成通孔 的步驟S15，如圖5g所示，在陣列基板200 '上形成通孔214'，穿過輔助層220，與屏蔽層216電 連接。這樣，公共電源可以經(jīng)由通孔214'向屏蔽層216施加公共電壓V。?，以進(jìn)一步屏蔽柵線 產(chǎn)生的電場(chǎng)。形成圖3b所示的通孔214的方法可以包括刻蝕中間層以使得通孔214接觸遮光 層的步驟。
[0042] 本公開的另一實(shí)施例中提供的陣列基板300的方法，該制造方法包括步驟S21-S24〇
[0043] 步驟S21，如圖6a所示，該步驟與步驟S11類似，故不再重復(fù)。
[0044] 步驟S22:如圖6b所示，在柵線202上形成絕緣層204和有源層薄膜206 之后，如圖 6c所示，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層206和屏蔽層218。屏蔽層218采用與有源層206相 同的材料制作，并且與有源層206同層設(shè)置，在垂直于陣列基板300的方向上覆蓋柵線202， 并且與柵線202、有源層206和數(shù)據(jù)線208電絕緣。
[0045]步驟S23:如圖6d所示，在有源層206和屏蔽層218上形成源漏金屬層薄膜208' ；之 后，如圖6e所示，通過第三次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線208(包括源極和漏極）。
[0046]步驟S24:如圖6f所示，在數(shù)據(jù)線208(包括源極和漏極）上方進(jìn)一步形成輔助層 220，例如，包括鈍化層、層間介質(zhì)層、緩存層等。
[0047]在本公開的實(shí)施例中提供的陣列基板300的制造方法還可以進(jìn)一步包括形成通孔 的步驟S25，如圖6g所示，在陣列基板300上形成通孔214'，穿過輔助層220，與屏蔽層218電 連接。這樣，公共電源可以經(jīng)由通孔214'向屏蔽層218施加公共電壓V。?，以進(jìn)一步屏蔽柵線 產(chǎn)生的電場(chǎng)。形成圖3b所示的通孔214的方法可以包括刻蝕中間層以使得通孔214接觸遮光 層的步驟。
[0048]本公開的實(shí)施例還提供一種陣列基板400的制造方法，該制造方法可以形成屏蔽 層216和218,以進(jìn)一步屏蔽柵線產(chǎn)生的電場(chǎng)。由于以上已經(jīng)詳細(xì)描述了如何形成屏蔽層216 和218,故在此不再重復(fù)。
[0049]本公開的又一實(shí)施例提供一種包括上述陣列基板的任一種的顯示面板。
[0050] 本公開的又一實(shí)施例提供一種包括上述顯示面板的電子裝置。例如，該電子裝置 可以包括:液晶面板、電子紙、0LED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼 相框、導(dǎo)航儀、手表等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0051] 通過在柵線上方設(shè)置相應(yīng)的屏蔽層，使得在柵線上產(chǎn)生的電場(chǎng)將被屏蔽層削弱甚 至屏蔽，從而降低了柵線電場(chǎng)對(duì)于顯示的影響。
[0052]以上所述僅是本公開的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本公開的保護(hù)范圍，本發(fā) 明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陣列基板，包括:襯底基板、在所述襯底基板上形成的柵線、絕緣層、有源層和數(shù) 據(jù)線， 其中，所述絕緣層設(shè)置在所述柵線上，所述數(shù)據(jù)線隔著所述絕緣層設(shè)置在所述柵線上 且和所述柵線交叉設(shè)置，所述有源層在垂直于所述襯底基板的方向上設(shè)置在所述柵線和所 述數(shù)據(jù)線之間， 在所述柵線上隔著所述絕緣層設(shè)置有第一屏蔽層，所述第一屏蔽層在垂直于所述襯底 基板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括公共電極層，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的遠(yuǎn)離所 述柵線的一側(cè)，所述公共電極層包括多個(gè)條狀公共子電極，相鄰的所述多個(gè)條狀公共子電 極之間具有間隔，由公共電源向所述多個(gè)條狀公共子電極施加公共電壓。3. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述間隔在與所述柵線延伸方向相同的方向上 延伸。4. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述柵線的至少一部分在垂直于所述襯底基板 的方向上與所述間隔相對(duì)。5. 如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述第一屏蔽層經(jīng)由通孔與所述公共電源電連 接。6. 如權(quán)利要求5所述的陣列基板，進(jìn)一步包括遮光層，設(shè)置在所述襯底基板和所述柵線 之間，并且電連接到所述公共電源，所述第一屏蔽層經(jīng)由所述通孔電連接到所述遮光層。7. 如權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中，所述第一屏蔽層與所述有源層同層 設(shè)置，并且所述第一屏蔽層由與所述有源層相同的材料構(gòu)成。8. 如權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中，所述第一屏蔽層與所述數(shù)據(jù)線同層 設(shè)置，并且所述第一屏蔽層由與所述數(shù)據(jù)線相同的材料構(gòu)成。9. 如權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的陣列基板，進(jìn)一步包括第二屏蔽層，所述第二屏蔽層 設(shè)置在所述柵線上方并且與所述第一屏蔽層不同層，所述第二屏蔽層在垂直于所述襯底基 板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。10. 如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，所述遮光層由鉬構(gòu)成。11. 一種制造陣列基板的方法，所述陣列基板包括襯底基板和在所述襯底基板上設(shè)置 的柵線、絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線，所述制造方法包括： 在所述襯底基板上沿著遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次形成所述柵線、所述絕緣層、所 述有源層、所述數(shù)據(jù)線，以及 在所述柵線上方隔著所述絕緣層形成第一屏蔽層， 其中， 所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置， 所述第一屏蔽層在垂直于陣列基板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述有 源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。12. 如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括在所述數(shù)據(jù)線的遠(yuǎn)離所述柵線的一側(cè)形成 公共電極層，將所述公共電極層分割為多個(gè)條狀公共子電極，以使得相鄰的所述多個(gè)條狀 公共子電極之間具有間隔，設(shè)置公共電源以向所述公共電極層施加公共電壓。13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述間隔形成為在與所述柵線延伸方向相同的方 向上延伸。14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述柵線的至少一部分在垂直于陣列基板的方向 上與所述間隔相對(duì)。15. 如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括形成通孔，所述第一屏蔽層經(jīng)由所述通孔與 所述公共電源電連接。16. 如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括形成遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述襯底基 板和所述柵線之間，并且電連接到所述公共電源，所述第一屏蔽層經(jīng)由所述通孔連接到所 述遮光層。17. 如權(quán)利要求11-16的任一項(xiàng)所述的方法，其中，形成所述第一屏蔽層與形成所述有 源層同步進(jìn)行，并且所述第一屏蔽層由與所述有源層相同的材料構(gòu)成。18. 如權(quán)利要求11-16的任一項(xiàng)所述的方法，其中，形成所述第一屏蔽層與形成所述數(shù) 據(jù)線同步進(jìn)行，并且所述第一屏蔽層由與所述數(shù)據(jù)線相同的材料構(gòu)成。19. 如權(quán)利要求11-16的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括形成第二屏蔽層，所述第二屏 蔽層設(shè)置在所述柵線上方并且與所述第一屏蔽層不同層，所述第二屏蔽層在垂直于所述襯 底基板的方向上覆蓋所述柵線，并且與所述柵線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線電絕緣。20. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述遮光層由鉬構(gòu)成。21. -種包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板的顯示面板。22. -種包括如權(quán)利要求21所述的顯示面板的電子裝置。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK105867692SQ201610232297
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年4月14日
【發(fā)明人】史大為
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司