電容提取的方法和裝置的制造方法【專利摘要】本發(fā)明提供一種方法，包括處理集成電路的布局，以確定集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性。方法還包括從與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)?；诎ㄔ诠に囄募械囊粋€或多個邏輯函數(shù)，從工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)。計(jì)算基于一種或多種屬性。方法還包括：基于包括在工藝文件中的一個或多個工藝參數(shù)和電容確定規(guī)則，計(jì)算集成電路的至少兩個部件之間的電容值。基于用戶輸入，可編輯一個或多個工藝參數(shù)、一個或多個邏輯函數(shù)和電容確定規(guī)則中的至少一個。本發(fā)明還提供了電容提取的方法和裝置?！緦＠f明】電容提取的方法和裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件的制造方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]半導(dǎo)體器件用于多種電子應(yīng)用，諸如個人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、其他電子設(shè)備或其他合適的器件。半導(dǎo)體器件包括集成電路(1C)，集成電路包括諸如晶體管、二極管、電阻器、電容器的部件或其他合適的電路部件。例如，一些晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)。隨著IC復(fù)雜性的增加，IC設(shè)計(jì)者和制造者面臨的挑戰(zhàn)是生產(chǎn)具有期望功能的1C?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種方法，包括:處理集成電路的布局，以確定所述集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性;從與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)，其中，基于一個或多個邏輯函數(shù)的計(jì)算，從所述工藝文件中提取所述一個或多個工藝參數(shù)，所述一個或多個邏輯函數(shù)中的至少一個包括在所述工藝文件中，并且所述計(jì)算基于所述一種或多種屬性；以及基于包括在所述工藝文件中的一個或多個工藝參數(shù)和電容確定規(guī)則，計(jì)算所述集成電路的至少兩個部件之間的電容值，其中，基于用戶輸入來編輯所述一個或多個工藝參數(shù)、所述一個或多個邏輯函數(shù)和所述電容確定規(guī)則中的至少一個，并且通過硬件計(jì)算機(jī)來實(shí)施上述步驟中的至少一個。[0004]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種生成描述集成電路的網(wǎng)表的方法，所述方法包括:處理集成電路的布局，以確定所述集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性;從與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取第一工藝參數(shù)，其中，基于包括在所述工藝文件中的第一邏輯函數(shù)的計(jì)算，從所述工藝文件中提取所述第一工藝參數(shù)，并且所述計(jì)算基于所述一種或多種屬性;執(zhí)行具有與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)的第二工藝參數(shù)的加密數(shù)據(jù)文件，其中，所述第二工藝參數(shù)是加密的；基于所述第二工藝參數(shù)，使用執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來計(jì)算所述集成電路的至少兩個部件之間的電容值；以及生成描述所述一個或多個部件之間的一個或多個連接的網(wǎng)表，其中，所述網(wǎng)表包括所述電容值，并且通過硬件計(jì)算機(jī)來實(shí)施上述步驟中的至少一個。[0005]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種生成電阻電容技術(shù)文件的方法，所述方法包括:處理集成電路的布局，以確定所述集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性;從與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取第一工藝參數(shù)，其中，基于包括在所述工藝文件中的第一邏輯函數(shù)的計(jì)算，從所述工藝文件中提取所述第一工藝參數(shù)，并且所述計(jì)算基于所述一種或多種屬性;通過用戶輸入的方式將第二工藝參數(shù)添加至所述工藝文件，其中，通過電阻電容工具來讀取所述第二工藝參數(shù);執(zhí)行具有與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)第三工藝參數(shù)的加密數(shù)據(jù)文件，其中，所述第三工藝參數(shù)是加密的;基于所述第三工藝參數(shù)和所述第一工藝參數(shù)，使用執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來計(jì)算所述集成電路的至少兩個部件之間的電容值；以及生成所述電阻電容技術(shù)文件，其中，所述電阻電容技術(shù)文件包括所述第一工藝參數(shù)、所述第二工藝參數(shù)、所述第三工藝參數(shù)和所述電容值，并且通過硬件計(jì)算機(jī)來實(shí)施上述步驟中的至少一個?！靖綀D說明】[0006]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。[0007]圖1是根據(jù)一個或多個實(shí)施例使用可編程電阻電容(RC)技術(shù)文件來提取所設(shè)計(jì)的集成電路(IC)的至少兩個部件之間的電容值的方法的流程圖。[0008]圖2是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的通過用戶接口的方式編輯的工藝文件的示圖。[0009]圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的由計(jì)算機(jī)通過應(yīng)用程序接口接收工藝文件的流程圖。[0010]圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的工藝文件的示圖。[0011]圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的通過用戶接口編輯的工藝文件的示圖。[0012]圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的用于執(zhí)行寬度表格(ToW)函數(shù)的計(jì)算機(jī)可用的表格。[0013]圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的RC工具可編程接口用于生成RC技術(shù)文件的表格的方法的流程圖。[0014]圖8是根據(jù)一些實(shí)施例的使用RC技術(shù)文件的表格來生成網(wǎng)表的方法的流程圖。[0015]圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的RC工具可編程接口用于生成RC技術(shù)文件的表格的方法的流程圖。[0016]圖10是根據(jù)一些實(shí)施例的使用RC技術(shù)文件的表格生成網(wǎng)表的方法的流程圖。[0017]圖11是在其上或通過其實(shí)施至少一個實(shí)施例的計(jì)算機(jī)或基于處理器的系統(tǒng)的功能框圖。【具體實(shí)施方式】[0018]以下公開內(nèi)容提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于?shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征。以下將描述部件和布置的特定實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。另外，本發(fā)明可以在多個實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。[0019]通常通過開始于電路功能的軟件描述(如，使用諸如C或VHDL的程序語言)的設(shè)計(jì)工藝來創(chuàng)建集成電路(1C)。然后，軟件描述綜合到互連的門級硬件元件。接下來，在幾何學(xué)上設(shè)計(jì)硬件元件和連接，被表示為在要在半導(dǎo)體晶圓上所制造的各個層上放置幾何形狀，這通常被稱為IC布局。通常通過在半導(dǎo)體晶圓上方沉積許多類型的薄膜材料在半導(dǎo)體晶圓上形成1C。圖案化薄膜以形成諸如晶體管、二極管、電阻器、電容器的IC部件，或其他合適的電路部件。通常，幾何形狀是具有各種尺寸的多邊形，代表IC位于半導(dǎo)體晶圓上方的不同層中的導(dǎo)電或非導(dǎo)電部件。然后，IC布局經(jīng)受設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)并且經(jīng)由布局與原理圖(LVS)檢查被驗(yàn)證為與期望的設(shè)計(jì)原理圖等效。[0020]隨著IC復(fù)雜性的增加和物理尺寸變得更小，IC部件相互靠的更近。通常與各個IC部件的相互接近有關(guān)的寄生電路元件會影響IC的性能。在DRC和LVS檢查之后，通常實(shí)施電阻和電容(RC)提取步驟(也稱為寄生提取)，以提取布局的電特性。RC提取步驟將布局轉(zhuǎn)變回代表性的電路元件，并且測量布局的多層中的實(shí)際形狀和間隔，以預(yù)測所制造芯片的最終電特性。通常從布局中所提取的電特性包括IC部件以及部件之間的各個互連(其通常被稱為“網(wǎng)”)的電容和電阻。該網(wǎng)電連接IC部件。[0021]電子設(shè)計(jì)自動化(“EDA”)工具通常用于IC設(shè)計(jì)工藝，以處理(handle)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并且用于實(shí)施DRC、LVS和RC提取。用于RC提取的一些EDA工具或RC提取工具具有精確度和速度的問題。一些EDA工具同樣具有處理FinFET設(shè)計(jì)的困難。RC提取工具通常與RC技術(shù)文件協(xié)作，以從IC布局中提取RC值。然后，實(shí)施布局后仿真以驗(yàn)證電路性能和/或功能。例如，一些布局后仿真對IC部件之間的寄生電容、電感和電阻(如，如IC的互連件所表示的)建模，使得能夠精確地評估諸如定時、噪聲和穩(wěn)定性的一些性能問題。布局后仿真的精確度取決于具有精確的RC技術(shù)文件。[0022]通?；趶腎C代工廠接收的集成電路通用模擬程序(SPICE)模擬文件由EDA工具生成RC技術(shù)文件。EDA工具通過場求解器來計(jì)算與每一個互連件有關(guān)的寄生電容值。場求解器的結(jié)果被保存為RC技術(shù)文件。[0023]RC技術(shù)文件的生成是耗時的。另外，對于IC代工廠來說，不同的客戶通常具有稍微不同的互連結(jié)構(gòu)。所以，即使一些互連結(jié)構(gòu)之間的差別極小，IC代工廠也通常致力于每一個互連結(jié)構(gòu)的一種RC技術(shù)文件。例如，在利用兩個或多個掩模來制造IC的層的多重圖案化技術(shù)中，一些工藝行為靈敏度(sensitivity)在不同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中是不同的。有時，通過由顏色A代表的掩模形成的金屬圖案和通過由顏色B代表的掩模形成的金屬圖案有時具有不同的金屬厚度，該不同的金屬厚度對RC模擬具有不同的靈敏度影響。因?yàn)闉镮C代工廠定制RC技術(shù)文件，并且單獨(dú)的RC技術(shù)文件專用于每一個互連結(jié)構(gòu)，所以通常針對諸如顏色A和/或顏色B金屬厚度的改變的新的工藝效果，生成新的RC技術(shù)文件。然而，生成新的RC技術(shù)文件所需要的時間拖慢了IC設(shè)計(jì)工藝以及IC生產(chǎn)周期。[0024]圖1是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的使用可編程RC技術(shù)文件來提取所設(shè)計(jì)的IC的至少兩個部件之間的電容值的方法100的流程圖。[0025]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的至少一個計(jì)算機(jī)來實(shí)施方法100。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)通過處理器被配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。[0026]方法100開始于步驟101，其中計(jì)算機(jī)處理IC布局，以確定一個或多個IC部件的一種或多種屬性。例如，這種部件包括晶體管、電容器、電阻器、二極管或IC的其他合適的電部件。IC布局限定IC部件的和/或其子部件(諸如，柵極、阱、擴(kuò)散區(qū)域、氧化區(qū)域、電容器、接觸件、通孔、鈍化開口、隔離區(qū)域、互連件和/或其他的器件元件)的具體尺寸。例如，布局通常將IC部件表示為由EDA工具創(chuàng)建的多邊形或其他幾何形狀。通過計(jì)算機(jī)所處理的IC布局是布局文件。[0027]—種或多種屬性包括一個或多個部件中的至少一個部件的布局尺寸。例如，布局尺寸是IC部件的長度、寬度或厚度、兩個IC部件之間的距離或間隔、IC部件在晶圓或襯底上的位置或與代表所設(shè)計(jì)的IC的布局相關(guān)聯(lián)的一些其他合適的尺寸。在一些實(shí)施例中，布局尺寸是IC部件的理想測量值、兩個IC部件之間的理想距離或IC部件的理想的位置描述。為了便于討論，在本文中通過符號“_id”來表示布局尺寸。例如，布局寬度在本文中被稱為“W_id”。在一些實(shí)施例中，通過不同的符號標(biāo)記來表不布局尺寸。[0028]在一些實(shí)施例中，一種或多種屬性包括可用于制造一個或多個IC部件的掩模圖案。例如，如果IC布局需要使用掩模A和掩模B中的一個或兩個掩模，則布局圖案或IC布局中的掩模A和掩模B的布置表示為AAA、BBB、ABA、BAB或掩模A和掩模B的一些其他合適的組合。[0029]在步驟103中，計(jì)算機(jī)從與制造IC相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)。工藝文件包括信息，諸如與基于IC布局、結(jié)構(gòu)輪廓、限定電容、電感和電阻的電路或器件制造IC相關(guān)聯(lián)的制造工藝；或其他合適的工藝參數(shù)信息，諸如制造工藝期間可用的工藝控制參數(shù)和工藝屬性;或制造IC所需要的任何其他合適的信息。[0030]在一些實(shí)施例中，工藝文件還包括一個或多個部件中的至少一個的工藝尺寸。例如，工藝尺寸是基于IC的物理制造的實(shí)際尺寸，諸如長度、寬度、厚度或兩個IC部件之間的距離或間隔。例如，基于所制造的IC的工藝尺寸是實(shí)際硅尺寸或與物理材料相關(guān)聯(lián)的其他尺寸，其中由該物理材料制造一個或多個IC部件。如此，在一些實(shí)施例中，一個或多個工藝參數(shù)包括諸如長度、寬度、厚度的工藝尺寸或諸如間隔的其他合適的尺寸，或諸如與制造一個或多個部件中的每一個相關(guān)聯(lián)的工藝變化信息的其他合適的工藝參數(shù)。[0031]在一些實(shí)施例中，工藝參數(shù)包括限定工藝尺寸(如，物理制造的IC部件的尺寸)如何不同于對應(yīng)的布局尺寸的工藝變化信息。例如，基于包括在工藝文件中的工藝變化信息，IC設(shè)計(jì)者能夠理解X的布局尺寸在代工廠是否被制造為X，或者代工廠是否制造尺寸為X+Y的部件，其中Y是由制造工藝引入的變化。當(dāng)從所設(shè)計(jì)的IC中提取電容值以在設(shè)計(jì)工藝中仿真電路性能時，該工藝變化信息是有用的。為了便于討論，本文中通過符號標(biāo)記“_si”來表示工藝尺寸。例如，工藝寬度在本文中被稱為“W_si”。在一些實(shí)施例中，通過不同的符號標(biāo)記來表示工藝尺寸。[0032]在一些實(shí)施例中，基于第一參數(shù)提取規(guī)則或第二參數(shù)提取規(guī)則來提取一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個工藝參數(shù)。第一參數(shù)提取規(guī)則命令計(jì)算機(jī)使用查找表格確定至少一個工藝參數(shù)。第二工藝參數(shù)提取規(guī)則命令計(jì)算機(jī)使用工藝參數(shù)確定函數(shù)來確定至少一個工藝參數(shù)。[0033]例如，查找表格包括與給定數(shù)據(jù)組相匹配的一組可搜索解。例如，工藝參數(shù)確定函數(shù)使用給定值作為輸入來計(jì)算輸出。例如，給定值是通過計(jì)算機(jī)通過IC布局所確定的IC中一個或多個電路部件的屬性。[0034]在一些實(shí)施例中，給定值基于用戶輸入。在一些實(shí)施例中，基于一個或多個邏輯函數(shù)，從工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)。一個或多個邏輯函數(shù)中的至少一個包括在工藝文件中。在一些實(shí)施例中，計(jì)算基于IC中的一個或多個部件的一種或多種屬性的至少一種。例如，用于確定工藝寬度W_si的一些示例性邏輯函數(shù)包括:[0035]Foff=ifwidthinreg1nl,thenff_si=Foff_l,elseFoff_2[0036]Foff_l=ifinx_direct1n,thenff_id+dff_sil,elseff_id,[0037]wheredff_sil=widthbiastable.[0038]在上述示例性邏輯函數(shù)中，F(xiàn)oW是可用于確定兩個示例性邏輯函數(shù)FoW_l和FoW_2中的哪一個可被計(jì)算機(jī)用于確定電路部件的工藝寬度W_si的寬度函數(shù)的邏輯函數(shù)。在上述示例性邏輯函數(shù)中，為了確定討論中的電路部件的工藝寬度W_si，計(jì)算機(jī)確定電路部件或至少電路部件的寬度是否在IC的第一區(qū)域(區(qū)域I)中。例如，區(qū)域I是半導(dǎo)體襯底的至少兩個區(qū)域中的一個，其中，IC布置在該半導(dǎo)體襯底上方。如果電路部件的寬度在該區(qū)域I中，則計(jì)算機(jī)使用邏輯函數(shù)FoW_l來確定工藝寬度胃_^。在該實(shí)例中，如果計(jì)算機(jī)確定部件寬度不在區(qū)域I中，則計(jì)算機(jī)使用不同的邏輯函數(shù)FoW_2(未示出其具體細(xì)節(jié))來確定工藝寬度評_Si。如果計(jì)算機(jī)確定:邏輯函數(shù)FoW_l可用于基于部件寬度在區(qū)域I中的判定，確定工藝寬度W_si，則計(jì)算機(jī)確定部件寬度是否在X方向上延伸。如果確定部件寬度在X方向上延伸，則計(jì)算機(jī)基于布局寬度W_id和從與用于制造電路部件的工藝相關(guān)聯(lián)的查找表格中所查詢到的工藝變量值dW_siI，來計(jì)算部件的工藝寬度胃_^。在該實(shí)例中，查找表格包括預(yù)定值，該預(yù)定值是如果電路部件寬度在IC的第一區(qū)域(區(qū)域I)中而被添加至布局寬度胃」(1的工藝變量。如果計(jì)算機(jī)確定部件寬度在與X方向不同的方向上延伸，則計(jì)算機(jī)確定工藝寬度W_si等于布局寬度W_id。[0039]在一些實(shí)施例中，工藝文件包括使用布局尺寸的指令，以用于提取一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個或用于計(jì)算IC中的至少兩個部件之間的電容值。如果工藝文件包括工藝尺寸，則工藝文件也包括使用工藝尺寸的指令，以用于提取一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個或用于計(jì)算電容值。在一些實(shí)施例中，使用工藝尺寸的指令選擇性地可用于替換使用布局尺寸的指令。例如，基于通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式接收的用戶輸入，選擇工藝尺寸或布局尺寸，以用于計(jì)算電容值。[0040]在一些實(shí)施例中，基于工藝變化信息和布局尺寸來計(jì)算工藝尺寸。在一些實(shí)施例中，如果工藝尺寸與對應(yīng)的布局尺寸不同，則使用工藝尺寸來計(jì)算電容值。[0041]在步驟105中，計(jì)算機(jī)確定工藝文件是否包括至少一個工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、指令、規(guī)則、表格，或者電容值的索引是否是加密格式的。如果不是，則工藝?yán)^續(xù)進(jìn)行至步驟107。如果是，則工藝?yán)^續(xù)進(jìn)行至步驟109。[0042]在步驟107中，計(jì)算機(jī)基于包括在工藝文件中的工藝參數(shù)和電容確定規(guī)則，來計(jì)算IC中的至少兩個部件之間的電容值。在一些實(shí)施例中，工藝文件包括電容確定函數(shù)和電容值的索引。用于確定電容值的電容確定規(guī)則是第一電容確定規(guī)則和第二電容確定規(guī)則中的一個。第一電容確定規(guī)則命令計(jì)算機(jī)使用電容確定函數(shù)來計(jì)算電容值。第二電容確定規(guī)則命令計(jì)算機(jī)基于電容值的索引來計(jì)算電容值。在一些實(shí)施例中，基于包括在工藝文件中的一個或多個邏輯函數(shù)的計(jì)算來應(yīng)用第一電容確定規(guī)則或第二電容確定規(guī)則。例如，電容值的索引包括與給定數(shù)據(jù)組相匹配的一組可搜索解。例如，工藝參數(shù)確定函數(shù)使用給定值作為輸入來計(jì)算輸出。[0043]在一些實(shí)施例中，為了確定用于搜索電容值的索引的給定數(shù)據(jù)組，計(jì)算機(jī)將掩模圖案與具有電容值的索引中的指定的電容值的掩模圖案進(jìn)行匹配?？蛇x地，計(jì)算機(jī)將基于布局文件或工藝文件的部件的布局或工藝尺寸與存儲在電容值的索引中的類似部件的布局或工藝尺寸進(jìn)行比較，以查找用于該給定數(shù)據(jù)組的可用尺寸。如果查找到類似的部件，則計(jì)算機(jī)可使用類似的部件的布局或工藝尺寸來確定IC中的部件的預(yù)計(jì)算的電容值。[0044]在一些實(shí)施例中，用于確定電容值的電容確定規(guī)則命令計(jì)算機(jī)來應(yīng)用電容確定方法，諸如一維(1D)方法、二維(2D)方法、三維(3D)方法、準(zhǔn)三維(2.5D)方法或其他合適的方法。ID電容確定方法基于在單一方向(如，長度方向)上的線性關(guān)系式來計(jì)算電容。2D電容確定方法基于部件的平面區(qū)域來計(jì)算電容，其中該方法是比ID方法更精確的幾何模擬技術(shù)和數(shù)字技術(shù)。2D方法忽略三維細(xì)節(jié)并且假定部件的幾何尺寸在一個維度上是統(tǒng)一的。2.5D電容提取方法基于2D掃描方法。在2.5D方法中，沿著掃描方向?qū)⑷S結(jié)構(gòu)切割為2D滑塊(slide)。一旦形成2D截面，就確定每一個截面上的2D電容。然后，基于2D截面電容信息來構(gòu)造對應(yīng)的2.5D或準(zhǔn)3D電容。3D電容確定方法基于積分方程式或微分方程式，例如，使用根據(jù)從布局文件或工藝文件中提取的屬性來描述IC的完整的三維幾何信息。[0045]工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)和電容確定規(guī)則中的一個或多個包括計(jì)算機(jī)可讀的計(jì)算機(jī)代碼和/或通過計(jì)算機(jī)所執(zhí)行的RC工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)外部的RC工具可以讀取計(jì)算機(jī)代碼。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)可讀代碼包括:+、_、*、/、'入中的一個或多個;諸如“IF”、“THEN”、“ELSEIF”、“AND”、“OR”的邏輯操作；或其他合適的運(yùn)算符或邏輯操作?；谕ㄟ^與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式所接收的用戶輸入，可以選擇性地編輯一個或多個工藝參數(shù)、一個或多個邏輯函數(shù)和電容確定規(guī)則中的至少一個。例如，用戶與用戶接口交互以通過編輯計(jì)算機(jī)可讀代碼的方式編輯工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)和電容確定規(guī)則中的一個或多個，使得基于IC布局和/或可編程的工藝文件來生成工藝文件和/或RC技術(shù)文件。[0046]如果在步驟105中，計(jì)算機(jī)確定工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、指令、規(guī)則、電容值的表格或索引中的至少一個是加密格式的，則方法100在步驟107之前進(jìn)行至步驟109。在一些實(shí)施例中，用于計(jì)算電容值的工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、指令和規(guī)則中的至少一個在用戶定義的文件中是加密格式的。在一些實(shí)施例中，用戶定義的文件是可執(zhí)行的文件，并且當(dāng)由計(jì)算機(jī)執(zhí)行時，輸出工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、指令、規(guī)則或計(jì)算機(jī)可以使用的一些其他的輸出結(jié)果，以提取工藝參數(shù)、計(jì)算電容值或生成網(wǎng)表。在一些實(shí)施例中，用戶定義的文件包括加密格式的電容值的索引，并且從加密的電容值的索引中提取計(jì)算的電容值。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)基于包括在用戶定義的文件中的工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、指令和/或規(guī)則來生成電容值的索引。[0047]在步驟109中，計(jì)算機(jī)基于至少一個加密的工藝參數(shù)和可執(zhí)行的文件的輸出結(jié)果來生成電容值的索引。因此，基于包括在用戶定義的文件中的電容值的索引，步驟107中用來確定電容值的電容確定規(guī)則命令計(jì)算機(jī)計(jì)算電容值。在一些實(shí)施例中，如果電容值的索引仍然保持加密格式并且基于可執(zhí)行的文件的輸出結(jié)果來計(jì)算電容值，則基于電容確定函數(shù)來計(jì)算電容值。[0048]在一些實(shí)施例中，用于提取一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個的至少一個邏輯函數(shù)是加密格式的。例如，如果一個或多個工藝參數(shù)或一個或多個邏輯函數(shù)是加密格式的，則IC設(shè)計(jì)者能夠保持特定工藝或IC設(shè)計(jì)信息對IC代工廠保密。可選地包括在用戶定義的文件中的一些示例性邏輯函數(shù)包括密度函數(shù)FoD的邏輯函數(shù)、厚度函數(shù)FoT的邏輯函數(shù)、厚度表格ToT的邏輯函數(shù)，其命令計(jì)算機(jī)使用查找表格，以用于確定ToT函數(shù)或其他合適的邏輯函數(shù)的輸出。[0049]—些示例性FoD邏輯函數(shù)包括:[0050]全局繪制密度:FoD_GiD=D_id[0051]全局娃密度:FoD_Gsi=D_id*(l+dW_sil+dff_siI'2)[0052]局部繪制密度:FoD_Lid=W_id/(W_id+S_id)[0053]局部硅密度$00_1^1=￥_81/(￥_1(1+5_1(1)[0054]一些FoT邏輯函數(shù)包括:[0055]全局繪制密度:FoD_GiD=D_id[0056]全局娃密度:FoD_Gsi=D_id*(l+dW_sil+dff_siI'2)[0057]局部繪制密度:FoD_Lid=W_id/(W_id+S_id)[0058]局部硅密度$00_1^1=￥_81/(￥_1(1+5_1(1)[0059]一些ToT邏輯函數(shù)包括:[0060]全局繪制密度:FoD_GiD=D_id[0061]全局娃密度:FoD_Gsi=D_id*(l+dW_sil+dff_siI'2)[0062]局部繪制密度:FoD_Lid=W_id/(W_id+S_id)[0063]局部硅密度$00_1^1=￥_81/(￥_1(1+5_1(1)[0064]在一些實(shí)施例中，被認(rèn)為包括在工藝文件或用戶定義的文件中的上述示例性邏輯函數(shù)中的一個或多個包括在非加密格式的工藝文件中。在一些實(shí)施例中，被認(rèn)為包括在工藝文件或用戶定義的文件中的上述示例性邏輯函數(shù)中的一個或多個包括在加密格式的用戶定義的文件中。在一些實(shí)施例中，作為默認(rèn)函數(shù)或基于用戶輸入，工藝文件和用戶定義的文件中的一個或多個包括不同的邏輯函數(shù)，其包括在工藝文件中或者包括在用戶定義的文件中。例如，在一些實(shí)施例中，不同的工藝參數(shù)是IC設(shè)計(jì)者的興趣，所IC設(shè)計(jì)者修改工藝文件以包括計(jì)算機(jī)可讀邏輯函數(shù)，該計(jì)算機(jī)可讀邏輯函數(shù)用于基于部件的工藝寬度、部件的位置、用于制作部件的掩模圖案和蝕刻深度來確定IC部件的厚度。如此，只要RC工具能夠讀取和處理所寫的邏輯函數(shù)，包括在工藝文件中的邏輯函數(shù)、規(guī)則和指令就能夠采取任何形式，獲得任何期望的結(jié)果并且基于任何輸入值以得到期望的結(jié)果。[0065]在步驟111中，基于從IC布局中提取的一種或多種屬性和/或從工藝參數(shù)中提取的一個或多個工藝參數(shù)，計(jì)算機(jī)生成RC技術(shù)文件。因?yàn)橥ㄟ^用戶輸入可以選擇性地編輯工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)和電容確定規(guī)則中的一個或多個，所以生成的RC技術(shù)文件是可編程的RC技術(shù)文件。生成的RC技術(shù)文件包括一個或多個工藝參數(shù)中的一個或多個工藝參數(shù)或計(jì)算的電容值。[0066]在步驟113中，計(jì)算機(jī)生成描述集成電路中的至少兩個部件之間的一個或多個連接的網(wǎng)表。生成的網(wǎng)表包括電容值。在一些實(shí)施例中，包括在網(wǎng)表中的電容值基于生成的RC技術(shù)文件。在一些實(shí)施例中，基于在步驟111中生成的RC技術(shù)文件來生成另一IC中部件的網(wǎng)表。除了其他的RC技術(shù)文件，在步驟111中生成的RC技術(shù)文件選擇性地存儲在與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的存儲器中。然后從存儲的RC技術(shù)文件中提取將要包括在步驟113中生成的網(wǎng)表中的電容值，以用于網(wǎng)表中的含有物。[0067]在一些實(shí)施例中，將計(jì)算機(jī)配置為基于在步驟113中生成的網(wǎng)表來生成可用于形成掩?；蛴糜谥圃霫C的指令。[0068]通過提供修改工藝文件的功能，基于工藝文件所生成的RC技術(shù)文件是可編程的。因此，可編程的RC技術(shù)文件更容易適應(yīng)于計(jì)算IC設(shè)計(jì)中的改變和/或通過代工廠傳遞至IC設(shè)計(jì)者的工藝的改變。這反而加速了RC技術(shù)文件的生成，加快了IC設(shè)計(jì)的進(jìn)展和生產(chǎn)周期。[0069]圖2是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式將工藝文件201a編輯成為工藝文件201b的示圖。[0070]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)的方式可以編輯工藝文件201a。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他的實(shí)施例中，通過處理器的方式，將計(jì)算機(jī)配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。[0071]工藝文件201a包括一組邏輯函數(shù)202a，該組邏輯函數(shù)包括可用于確定IC部件的工藝參數(shù)的邏輯函數(shù)203a至203d。邏輯函數(shù)203a至203d中的每一個都與工藝參數(shù)提取規(guī)則205a至205d相關(guān)聯(lián)。[0072]在該實(shí)例中，確定的工藝參數(shù)是IC中的部件的厚度。如此，包括在一組邏輯函數(shù)202a中的邏輯函數(shù)包括厚度函數(shù)(FoT)工藝參數(shù)提取規(guī)則。例如，F(xiàn)oT_AAA是與基于掩模圖案“AAA”來確定部件的厚度相關(guān)的工藝參數(shù)提取規(guī)則。類似地，工藝文件201a選擇性地包括一個或多個其他的邏輯函數(shù)或邏輯函數(shù)組，其涉及通過寬度函數(shù)(FoW)工藝參數(shù)提取規(guī)則來確定諸如部件的寬度的其他的工藝參數(shù)。例如，F(xiàn)oW_AAA是與基于掩模圖案“AAA”來確定部件的寬度相關(guān)的工藝參數(shù)提取規(guī)則。在一些實(shí)施例中，工藝文件201a包括:一個或多個邏輯函數(shù)，其用于確定其他的工藝參數(shù)，諸如長度、厚度、密度、位置或用于制造IC中的一個或多個部件的其他合適的參數(shù)。在一些實(shí)施例中，使用一個或多個邏輯函數(shù)，將一個或多個確定的工藝參數(shù)用于確定其他的工藝參數(shù)。例如，一些工藝文件201a被配置為:使用諸如厚度的確定的工藝參數(shù)，以利用一個或多個其他邏輯函數(shù)來確定其他的工藝參數(shù)。[0073]邏輯函數(shù)203a至203d是基于從IC布局中提取的確定的掩模圖案屬性而進(jìn)行計(jì)算的if/then語句。例如，如果用于制造所設(shè)計(jì)的IC的掩模圖案被確定為“AAA”，則通過計(jì)算機(jī)處理邏輯函數(shù)203a獲得:工藝參數(shù)提取規(guī)則205a(如，F(xiàn)oT_AAA)用于確定IC部件的厚度。[0074]在該實(shí)例中，工藝文件201a包括指令207a和207b，該指令命令計(jì)算機(jī)使用用于確定厚度的布局尺寸(如，W_id)還是工藝尺寸(如，W_si)。在工藝文件201a中，布局尺寸W_id和0_1(1等于工藝尺寸W_s0PD_si。因此，指令207a和207b命令計(jì)算機(jī)使用布局尺寸W_id和D_id來確定IC部件的厚度。[0075]FoT_AAA是工藝參數(shù)提取規(guī)則，該工藝參數(shù)提取規(guī)則命令計(jì)算機(jī)使用工藝參數(shù)確定函數(shù)209和布局參數(shù)」d的索引來確定IC部件的厚度。例如，布局尺寸的索引是包括厚度值的可搜索表格，該厚度值與工藝參數(shù)確定函數(shù)209的輸出以及布局尺寸W_ic^PD_id相對應(yīng)。即，計(jì)算機(jī)通過使用工藝參數(shù)確定函數(shù)209的輸出以及布局尺寸W_ic^PD_id作為搜索條件來確定IC部件的厚度。在一些實(shí)施例中，例如，基于使用從IC布局中提取的屬性和布局尺lW_ic^PD_id的運(yùn)算法則，將工藝參數(shù)提取規(guī)則FoT_AAA用于計(jì)算IC部件的厚度。在一些實(shí)施例中，工藝參數(shù)提取規(guī)則FoT_AAA的輸出基于布局尺寸W_id和D_id，并且工藝參數(shù)提取規(guī)則FoT_AAA的輸出用于搜索布局尺寸W_ic^PD_id的索引，以確定IC部件的厚度。[0076]在該實(shí)例中，工藝文件201b包括在工藝文件201a中所包含的所有特征，諸如包括邏輯函數(shù)203e至203h、工藝參數(shù)提取規(guī)則205e至205h以及指令207c和207d的一組邏輯函數(shù)202b。工藝文件201b與工藝文件201a的不同之處在于:將工藝參數(shù)提取規(guī)則205e至205h編輯為基于表格的而不是基于函數(shù)的。如此，在一組邏輯函數(shù)202b中所包括的邏輯函數(shù)包括厚度表格(ToT)工藝參數(shù)提取規(guī)則。例如，ToT_AAA是與基于掩模圖案“AAA”確定部件的厚度相關(guān)的工藝參數(shù)提取規(guī)則。類似地，工藝文件201b選擇性地包括一個或多個其他的邏輯函數(shù)或邏輯函數(shù)組，其涉及通過寬度表格(ToW)工藝參數(shù)提取規(guī)則來確定諸如部件的寬度的其他的工藝參數(shù)。例如，ToW_AAA是與基于掩模圖案“AAA”確定部件的寬度相關(guān)的工藝參數(shù)提取規(guī)則。[0077]在工藝文件201b中，使用掩模圖案AAA和布局尺寸W_ic^PD_id作為搜索條件，工藝參數(shù)提取規(guī)則205e命令計(jì)算機(jī)使用查找表格來確定IC部件的厚度，該查找表格使掩模圖案AAA與布局尺寸W_ic^PD_id相匹配。在一些實(shí)施例中，一些工藝文件201b被配置為:利用一個或多個其他的查找表格，使用諸如厚度的工藝參數(shù)來確定其他的工藝參數(shù)。[0078]在一些實(shí)施例中，例如，如果使用布局尺寸的指令207a和207b命令計(jì)算機(jī)使用工藝尺寸￥_^和0_81，則工藝參數(shù)提取規(guī)則205a至205h將使用工藝尺i_si的索引代替布局尺寸_id。[0079]根據(jù)各個實(shí)施例，通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式可編輯一個或多個邏輯函數(shù)203a至203h或其他的邏輯函數(shù)。在一些實(shí)施例中，通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式可以編輯一個或多個工藝參數(shù)提取規(guī)則205a至205h或其他的工藝參數(shù)提取規(guī)則。在一些實(shí)施例中，通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式可編輯使用布局尺寸」d或工藝尺寸_Si的一個或多個指令207a至207d。在一些實(shí)施例中，通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式可編輯一個或多個工藝參數(shù)確定函數(shù)209或其他的工藝參數(shù)確定函數(shù)。工藝文件201a或201b可以包括能夠被用戶編輯的任何數(shù)量的默認(rèn)邏輯函數(shù)、工藝參數(shù)提取規(guī)則、指令或其他的計(jì)算機(jī)可讀代碼。類似地，在一些實(shí)施例中，工藝文件201a或201b包括FoT邏輯函數(shù)和ToT邏輯函數(shù)的組合。[0080]圖3是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的示出通過EDA應(yīng)用程序接口(API)303的方式由諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)接收工藝文件301a或工藝文件301b的流程圖。處理接收的工藝文件301a或301b以生成包括IC中的至少兩個部件306a與306b之間的電容值C’的RC技術(shù)文件305。[0081]在該示例性實(shí)施例中，工藝文件301a包括一組邏輯函數(shù)307a，與工藝文件201a(圖2)的工藝參數(shù)提取規(guī)則205a至205d(圖2)類似地，該一組邏輯函數(shù)包括基于函數(shù)的工藝參數(shù)提取規(guī)則309a至309η。將包括在一組邏輯函數(shù)307a中的邏輯函數(shù)和工藝參數(shù)提取規(guī)則309a至309η用于基于第一確定的工藝參數(shù)確定一個或多個工藝參數(shù)，諸如，基于確定的掩模顏色圖案而確定的厚度。[0082]工藝文件301b包括一組邏輯函數(shù)307b，與工藝文件201b(圖2)的工藝參數(shù)提取規(guī)則205e至205h(圖2)類似地，該一組邏輯函數(shù)包括基于表格的工藝參數(shù)提取規(guī)則309w至309z。將包括在一組邏輯函數(shù)307b中的邏輯函數(shù)和工藝參數(shù)提取規(guī)則309w至309z用于基于第一確定的工藝參數(shù)確定一個或多個工藝參數(shù)，諸如IC部件的確定的厚度。[0083]例如，使用工藝文件201a(圖2)來確定導(dǎo)體Mll的厚度，并且厚度基于確定的掩模圖案AAA(見圖2)，然后基于確定的厚度，使用包括在工藝文件301a中的工藝參數(shù)提取規(guī)則309a至309η(其可以通過用戶輸入來選擇性地編輯)來確定諸如密度、寬度或基于多項(xiàng)式的厚度變量的其他的工藝參數(shù)?？蛇x地，如果使用工藝文件201b(圖2)來確定導(dǎo)體Mll的厚度，并且該厚度基于確定的掩模圖案AAA(見圖2)，則基于確定的厚度，使用包括在工藝文件301b中的工藝參數(shù)提取規(guī)則309w至309z(其可以通過用戶輸入來選擇性地編輯)來確定諸如密度、寬度或基于表格的厚度變量的其他的工藝參數(shù)。[0084]EDAAPI303被配置為接收工藝文件301a和/或201a(圖2)或工藝文件301b和/或201b(圖2)，并且使用包括在該接收的工藝文件中的邏輯函數(shù)、工藝參數(shù)提取規(guī)則、工藝參數(shù)和指令，以確定一個或多個工藝參數(shù)并且最終計(jì)算IC部件306a與306b之間的電容值C’。[0085]基于接收的工藝文件的處理，EDAAPI303生成RC技術(shù)文件305JC技術(shù)文件305至少包括IC的部件306a與306b之間的計(jì)算的電容值C’。在一些實(shí)施例中，RC技術(shù)文件305附加地包括一個或多個工藝參數(shù)，諸如IC的部件306a和306b的確定的寬度或確定的厚度。在該實(shí)例中，至少一些確定的工藝參數(shù)基于IC部件的確定的厚度，該厚度基于從IC布局中所提取的確定掩模圖案。如此，電容C’基于IC部件的確定的厚度，該厚度基于確定的掩模圖案。例如，如果使用掩模圖案AAA來形成部件，則使用FoT_AAA或ToT_AAA來計(jì)算部件的厚度，并且使用確定的部件厚度來計(jì)算電容C’。[0086]圖4是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的工藝文件401的示圖。工藝文件401包括一組邏輯函數(shù)402a，該一組邏輯函數(shù)包括用于確定IC部件的工藝參數(shù)的邏輯函數(shù)403a至430d。邏輯函數(shù)403a至403d中的每一個都與工藝參數(shù)提取規(guī)則405a至405d相關(guān)聯(lián)。在該實(shí)例中，基于確定的掩模圖案，可以將邏輯函數(shù)403a至403d用于確定IC部件的寬度。在該實(shí)例中，工藝參數(shù)提取規(guī)則405a至405d是與工藝參數(shù)提取規(guī)則205a至205d(圖2)類似的基于函數(shù)的規(guī)則。在該實(shí)例中，工藝參數(shù)提取規(guī)則405b包括子規(guī)則405ba和405bb，其獲得不同指令集合407aa/407ba和407ab/407bb，以用于使用布局尺寸_id或工藝尺寸_si。[0087]例如，如果計(jì)算機(jī)確定掩模圖案為“ΑΒΑ”，則邏輯函數(shù)403b獲得:工藝參數(shù)提取規(guī)則405b應(yīng)該被用于確定IC部件的寬度。然后，計(jì)算機(jī)確定如果部件在IC的第一區(qū)域I中，則命令進(jìn)入工藝參數(shù)提取規(guī)則FoW_ABA(即，工藝參數(shù)提取規(guī)則405b，通過參考標(biāo)號409指示其具體細(xì)節(jié))。如果從IC布局中提取的屬性指示部件在區(qū)域I中，則子規(guī)則405ba用于確定部件的寬度。如果從IC布局中確定的屬性指示部件不在區(qū)域I中，則子規(guī)則405bb用于確定部件的寬度。[0088]如果子規(guī)則405ba用于確定部件的寬度，則指令407aa指示工藝寬度W_si和布局寬度￥_丨(1相等，并且指令407ba指示工藝間隔S_si和布局間隔S_id不同。如此，指令407aa和407ba命令計(jì)算機(jī)在用于確定其他的工藝參數(shù)或電容值的隨后的操作中使用工藝尺i_Si。可選地，指令407ab和407bb命令計(jì)算機(jī)基于間隔5_&與5_丨(1之間的差值來修改布局尺寸_id，并且計(jì)算機(jī)在隨后的操作中使用布局尺寸」d。[0089]如果子規(guī)則405bb用于確定部件的寬度，則指令407ab和407bb指示工藝寬度W_si和布局寬度W_id相等，并且工藝間隔3_8丨和布局間隔S_id相等。如此，指令407ab和407bb命令計(jì)算機(jī)在隨后的操作中使用布局尺寸」d。[0090]基于用戶輸入，可以編輯一個或多個邏輯函數(shù)403a至403d、工藝參數(shù)提取規(guī)則405a至405d、子規(guī)則405aa至405ab、指令407aa至407ab或諸如工藝尺寸_8i的工藝參數(shù)。例如，如果改變IC設(shè)計(jì)，并且基于設(shè)計(jì)改變存在工藝變量，則選擇性地編輯工藝尺寸_si與布局尺寸」d之間的關(guān)系以提高布局尺寸」d與工藝尺寸_si之間的相關(guān)性，以用于增大電容值確定或其他的工藝參數(shù)確定的精確度。在一些實(shí)施例中，將工藝文件401編輯為包括諸如關(guān)于工藝文件201b(圖2)所討論的基于表格的邏輯函數(shù)，或工藝文件401包括作為默認(rèn)函數(shù)的基于表格的邏輯函數(shù)。[0091]在一些實(shí)施例中，基于根據(jù)IC部件確定的寬度而確定的一個或多個工藝參數(shù)來計(jì)算電容值C’(圖3)。例如，如果掩模顏色圖案為ABA并且確定部件在區(qū)域I中，則通過FoW_ABA_1或ToW_ABA_l(即，用于確定部件的寬度的基于表格的函數(shù))來計(jì)算部件厚。如此，在該實(shí)例中，如果諸如RC技術(shù)文件305(圖3)的RC技術(shù)文件包括基于確定的寬度的電容值C’，則使用部件寬度W_aba_l來計(jì)算電容值C’。[0092]圖5是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的將工藝文件501a編輯成為工藝文件501b的示圖。[0093]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)的方式來編輯工藝文件501a。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他實(shí)施例中，通過處理器的方式，將計(jì)算機(jī)配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。[0094]工藝文件501a包括邏輯函數(shù)503a，其是被計(jì)算機(jī)用來確定IC部件的寬度和IC的兩個部件之間的間隔的寬度函數(shù)FoW邏輯函數(shù)。工藝文件501a是默認(rèn)工藝文件。如果改變IC的設(shè)計(jì)規(guī)范，則通過用戶輸入的方式將工藝文件501a選擇性地編輯為包括考慮IC中是否存在特定層的邏輯函數(shù)。例如，工藝文件501b包括提供工藝參數(shù)確定規(guī)則505的邏輯函數(shù)503b，計(jì)算機(jī)使用該工藝參數(shù)確定規(guī)則來比較是否存在該層，并且基于比較結(jié)果，使用指令集合507aa/507ba或指令集合507ab/507bb來確定寬度和間隔。例如，如果存在相鄰的層，則計(jì)算機(jī)在隨后的操作中使用的寬度是W_id并且計(jì)算機(jī)在隨后的操作中使用的間隔是預(yù)定的間如果不存在相鄰的層，則寬度是布局寬度W_id并且間隔是布局間隔5_丨(1。在一些實(shí)施例中，編輯的邏輯函數(shù)503b包括指定在X方向和Y方向中的一個方向上應(yīng)用間隔S_Neighbor_Layer_id的指令。[0095]在一些實(shí)施例中，替換寬度函數(shù)FoW函數(shù)，工藝文件501b包括寬度表格ToW函數(shù)，諸如ToW(Neighbor_Layer=PO),計(jì)算機(jī)使用該函數(shù)在表格中搜索計(jì)算機(jī)在隨后的操作中使用的一個或多個寬度、間隔、或蝕刻值。[0096]圖6是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的如果確定存在相鄰層則通過執(zhí)行寬度表格ToW函數(shù)的計(jì)算機(jī)使用表格601。可以被諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)使用表格601ο表格601包括寬度值、間隔值和蝕刻值?；谑褂脤挾戎怠㈤g隔值和蝕刻值V中的兩個來搜索表格601，計(jì)算機(jī)使用包括在工藝文件(諸如工藝文件501b)(圖5)中的一個或多個邏輯函數(shù)，以確定寬度值、間隔值或蝕刻值V。例如，蝕刻值V是工藝參數(shù)，諸如IC的層中的蝕刻深度，或與用于制造IC的蝕刻工藝相關(guān)聯(lián)的時間。[0097]圖7是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行的方法700的流程圖，其中RC工具可編程接口711用于生成RC技術(shù)文件713的表格。[0098]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)來實(shí)施方法700。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他實(shí)施例中，通過處理器的方式，將計(jì)算機(jī)配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。[0099]RC工具可編程接口711與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)。RC工具可編程接口711被配置為接收用戶輸入，以編輯和/或完成通過RC工具可編程接口711所接收的工藝文件715a，并且生成完成的工藝文件715b。如此，在步驟S701中，基于通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式所接收的用戶輸入，RC工具可編程接口711生成完成的工藝文件715b。工藝文件715a與工藝文件201a(圖2)類似。[0100]在步驟S703中，然后，基于包括在完成的工藝文件715b中的邏輯函數(shù)、規(guī)則和指令，計(jì)算機(jī)生成RC技術(shù)文件717AC技術(shù)文件717與RC技術(shù)文件305(圖3)類似。[0101]計(jì)算機(jī)生成多個RC技術(shù)文件717，每一個RC技術(shù)文件都包括電容值，以用于布局尺寸、工藝尺寸、工藝參數(shù)和/或包括在工藝文件715a或完成的工藝文件715b中限定的索引中的諸如掩模圖案的其他的部件屬性的各個組合。多個RC技術(shù)文件717中的RC技術(shù)文件717存儲在RC技術(shù)文件713的表格中。在一些實(shí)施例中，在隨后的工藝中，通過計(jì)算機(jī)來提取包括在RC技術(shù)文件717中的電容值。[0102]在一些實(shí)施例中，一個或多個RC技術(shù)文件包括電容值，該電容值基于IC布局、工藝文件715a中提供的或通過用戶輸入的方式提供給RC工具可編程接口711的一種或多種屬性或工藝參數(shù)。[0103]圖8是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行的使用RC技術(shù)文件811的表格生成網(wǎng)表的方法800的流程圖。RC技術(shù)文件811的表格與圖7中生成的RC技術(shù)文件713的表格類似。[0104]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)來實(shí)施方法800。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他的實(shí)施例中，通過處理器的方式，將計(jì)算機(jī)配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。[0105]在步驟S801中，計(jì)算機(jī)處理IC布局文件813，以確定IC的部件817和819的一種或多種屬性815。處理布局文件813獲得屬性815，該屬性包括部件817的布局寬度wl、部件819的布局寬度w2和部件817與部件819之間的間隔S。[0106]在步驟S803中，計(jì)算機(jī)執(zhí)行RC工具可編程接口821來處理完成的工藝文件823，以基于包括在完成的工藝文件823中的邏輯函數(shù)、規(guī)則和指令，確定包括部件817的工藝寬度wl’、部件819的工藝寬度w2’和部件817與部件819之間的工藝間隔S’的一個或多個工藝參數(shù)825。完成的工藝文件823與圖7中生成的完成的工藝文件715b類似。[0107]在步驟S805中，基于工藝參數(shù)825，通過使用工藝參數(shù)825作為搜索條件，計(jì)算機(jī)搜索RC技術(shù)文件811的表格，以從RC技術(shù)文件811的表格中提取對應(yīng)的電容值。[0108]在步驟S807中，計(jì)算機(jī)生成描述部件817與部件819之間的一個或多個連接的網(wǎng)表827并且包括提取的電容值。[0109]在一些實(shí)施例中，基于在步驟S807中生成的網(wǎng)表827，計(jì)算機(jī)被配置為生成可用于形成掩?；蛴糜谥圃霫C的指令。[0110]圖9是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行的方法900的流程圖，其中RC工具可編程接口911用于生成RC技術(shù)文件913的表格。[0111]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)來執(zhí)行方法900。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他的實(shí)施例中，通過處理器的方式，將計(jì)算機(jī)配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。[0112]RC工具可編程接口911與圖7中討論的RC工具可編程接口711類似。RC工具可編程接口911被配置為接收用戶輸入，以編輯和/或完成通過RC工具可編程接口911接收的工藝文件915aa。在一些實(shí)施例中，RC工具可編程接口911被配置為接收和解密或執(zhí)行用戶定義的文件，該用戶定義的文件包括加密格式的一個或多個工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)或指令。在一些實(shí)施例中，RC工具可編程接口911被配置為基于工藝文件915aa和用戶定義的文件915ab生成完成的工藝文件915b。如此，在步驟901中，基于通過與計(jì)算機(jī)相關(guān)聯(lián)的用戶接口的方式接收的用戶輸入并且基于用戶定義的文件915ab的輸出，RC工具可編程接口911生成完成的工藝文件915b。工藝文件915aa與工藝文件201a(圖2)類似。[0113]在步驟S903中，然后，基于包括在完成的工藝文件915b中的工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、規(guī)則和指令，計(jì)算機(jī)生成RC技術(shù)文件917AC技術(shù)文件917與RC技術(shù)文件305(圖3)類似。[0114]計(jì)算機(jī)生成多個RC技術(shù)文件917，每一個RC技術(shù)文件都包括電容值，該電容值用于布局尺寸、工藝尺寸、工藝參數(shù)和/或包括在工藝文件915aa、用戶定義的文件915ab或完成的工藝文件915b中限定的索引中的諸如掩模圖案的其他的部件屬性的各個組合。多個RC技術(shù)文件917中的RC技術(shù)文件917存儲在RC技術(shù)文件913的表格中。在一些實(shí)施例中，在隨后的工藝中，通過計(jì)算機(jī)來提取包括在RC技術(shù)文件917中的電容值。[0115]在一些實(shí)施例中，一個或多個RC技術(shù)文件917包括電容值，該電容值基于IC布局、工藝文件915aa、用戶定義的文件915ab中提供的或通過用戶輸入的方式提供給RC工具可編程接口911的一種或多種屬性或工藝參數(shù)。[0116]圖10是根據(jù)一個或多個實(shí)施例的通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行的使用RC技術(shù)文件1011的表格生成網(wǎng)表的方法1000的流程圖。[0117]通過諸如基于處理器的系統(tǒng)1100(圖11)的計(jì)算機(jī)來實(shí)施方法1000。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是EDA工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)是RC工具。在其他的實(shí)施例中，通過處理器的方式，將計(jì)算機(jī)配置為執(zhí)行EDA工具和/或RC工具。RC技術(shù)文件1011的表格與圖9中生成的RC技術(shù)文件913的表格類似。[0118]在步驟S1001中，計(jì)算機(jī)處理IC的布局文件1013，以確定IC的部件1017和1019的一種或多種屬性1015。處理布局文件1013獲得包括部件1017的布局寬度wl、部件1019的布局寬度w2和部件1017與部件1019之間的間隔S的屬性1015。[0119]在步驟S1003中，計(jì)算機(jī)執(zhí)行RC工具可編程接口1021，以解密或執(zhí)行包括加密格式的一個或多個工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)或指令的用戶定義的文件1023a，并且基于用戶定義的文件1023a的輸出來修改完成的工藝文件1023b。用戶定義的文件1023a的輸出基于一種或多種屬性1015。完成的工藝文件1023b與圖9中生成的完成的工藝文件915b類似，但是將該完成的工藝文件修改為說明包括在用戶限定的文件1023a中的工藝參數(shù)、邏輯函數(shù)、指令或規(guī)貝1J。如此，在步驟S1003中，RC工具可編程接口1021執(zhí)行修改的完成的工藝文件1023b，以基于包括在完成的工藝文件1023b中的邏輯函數(shù)、規(guī)則和指令，確定包括部件1017的工藝寬度wl’、部件1019的工藝寬度w2’和部件1017與部件1019之間的工藝間隔S’的一個或多個工藝參數(shù)1025。[0120]在步驟S1005中，通過使用工藝參數(shù)1025作為搜索條件，計(jì)算機(jī)搜索RC技術(shù)文件1011的表格，以基于工藝參數(shù)1025從RC技術(shù)文件1011的表格中提取對應(yīng)的電容值。[0121]在步驟S1007中，計(jì)算機(jī)生成描述部件1017與部件1019之間的一個或多個連接的網(wǎng)表1027并且包括提取的電容值。[0122]在一些實(shí)施例中，基于在步驟S1007中生成的網(wǎng)表1027，將計(jì)算機(jī)配置為生成可用于形成掩?；蛴糜谥圃霫C的指令。[0123]圖11是根據(jù)或通過其實(shí)施實(shí)施例的計(jì)算機(jī)或基于處理器的系統(tǒng)1100的功能框圖。[0124]如本文所述，基于處理器的系統(tǒng)1100是可編程的，以生成可編程RC技術(shù)文件和/或基于可編程的RC技術(shù)文件來生成網(wǎng)表，并且例如，包括總線1101、處理器1103和存儲器1105部件。[0125]在一些實(shí)施例中，將基于處理器的系統(tǒng)實(shí)施為單個“芯片上系統(tǒng)”?；谔幚砥鞯南到y(tǒng)1100或其部分構(gòu)成用于設(shè)計(jì)存儲器電路的機(jī)制。在一些實(shí)施例中，基于處理器的系統(tǒng)1100包括諸如總線1101的通信機(jī)制，以用于在基于處理器的系統(tǒng)1101的部件之間傳輸信息和/或指令。處理器1103連接至總線1101，以得到例如存儲在存儲器1105中的用于執(zhí)行的指令和工藝信息。在一些實(shí)施例中，處理器1103還與一個或多個專用部件(諸如一個或多個數(shù)字信號處理器(DSP)、或一個或多個專用集成電路(ASIC))—起實(shí)施特定的處理功能和任務(wù)。DSP通常被配置為獨(dú)立于處理器1103實(shí)時處理真實(shí)信號(如，聲音)。類似地，將ASIC配置為實(shí)施難以通過更加通用的處理器實(shí)施的專用功能。幫助實(shí)施本文所描述的功能的其他專用部件選擇性地包括一個或多個現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、一個或多個控制器或一個或多個其他的專用計(jì)算機(jī)芯片。[0126]在一個或多個實(shí)施例中，處理器(或多個處理器)1103實(shí)施關(guān)于以下信息的一系列操作，即，通過存儲在存儲器1105中的與生成的可編程RC技術(shù)文件和/或基于該可編程RC技術(shù)文件生成網(wǎng)表相關(guān)的指令集合所指定的信息。指令的執(zhí)行使處理器實(shí)施特定的功能。[0127]將處理器1103和伴隨的部件經(jīng)由總線1101連接至存儲器1105。存儲器1105包括用于存儲可執(zhí)行的指令的一個或多個動態(tài)存儲器(如，RAM、磁盤、可寫光盤等)和靜態(tài)存儲器(如，R0M、CD-R0M等)，使得當(dāng)執(zhí)行該可執(zhí)行指令時，實(shí)施本文所述的以下步驟:生成可編程RC技術(shù)文件和/或基于可編程RC技術(shù)文件生成網(wǎng)表。存儲器1105還存儲與步驟的執(zhí)行相關(guān)的或通過步驟的執(zhí)行所生成的數(shù)據(jù)。[0128]在一個或多個實(shí)施例中，存儲器1105(諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM)或任何其他的動態(tài)存儲器件)存儲包括處理器指令的信息，該處理器指令用于生成可編程RC技術(shù)文件和/或基于可編程RC技術(shù)文件生成網(wǎng)表。動態(tài)存儲器允許改變存儲在其中的信息。RAM允許存儲在稱為存儲器地址的位置處的信息單元獨(dú)立于相鄰地址處的信息而被存儲和取回。在處理器指令的執(zhí)行期間，處理器1103還使用存儲器1105來存儲暫時值。在各個實(shí)施例中，存儲器1105是耦接至總線1101的只讀存儲器(ROM)或任何其他的靜態(tài)存儲器件以用于存儲不改變的包括指令的靜態(tài)信息。一些存儲器由易失性存儲器組成，當(dāng)失電時，存儲在該存儲器上的?目息失去。在一些實(shí)施例中，存儲器1105是非易失性(永久)存儲器件，諸如磁盤、光盤或閃存卡，以用于存儲包括指令的信息，即使當(dāng)斷開施加至存儲器1105的電源時，也能保持信息。[0129]本文所使用的術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”指涉及向處理器1103提供包括用于執(zhí)行的指令的信息的任何介質(zhì)。這種介質(zhì)采用多種形式，包括但不限于計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)(如，非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì))。例如，非易失性介質(zhì)包括光盤或磁盤。例如，易失性介質(zhì)包括動態(tài)存儲器。例如，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的共同形式包括軟盤、柔性盤、硬盤、磁帶、其他的磁性介質(zhì)、CD-ROM、CDRW、DVD、其他的光學(xué)介質(zhì)、穿孔卡片、紙質(zhì)磁帶、光學(xué)標(biāo)記表、具有孔的圖案或其他的光學(xué)可識別的標(biāo)記的其他物理介質(zhì)、RAM、PR0M、EPR0M、FLASH_EPR0M、EEPR0M、閃存器、其他的存儲器芯片或磁帶(cartridge)、或計(jì)算機(jī)可讀的其他的介質(zhì)。本文所使用的術(shù)語計(jì)算機(jī)可讀存儲器介質(zhì)指計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。[0130]本發(fā)明的一個方面涉及一種方法，包括處理集成電路的布局，以確定集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性。方法還包括從與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)。基于一個或多個邏輯函數(shù)的計(jì)算，從工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)。一個或多個邏輯函數(shù)中的至少一個包括在工藝文件中。計(jì)算基于一種或多種屬性。方法還包括:基于一個或多個工藝參數(shù)和包括在工藝文件中的電容確定規(guī)則，計(jì)算集成電路的至少兩個部件之間的電容值?；谟脩糨斎耄梢跃庉嬕粋€或多個工藝參數(shù)、一個或多個邏輯函數(shù)和電容確定規(guī)則中的至少一個。通過硬件計(jì)算機(jī)來實(shí)施上述步驟中的至少一個。[0131]優(yōu)選地，確定所述一種或多種屬性包括確定所述一個或多個部件中的至少一個的布局尺寸，并且提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括使用所述布局尺寸提取所述一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個或計(jì)算所述電容值。[0132]優(yōu)選地，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括:使用所述一個或多個部件中的至少一個的工藝尺寸，以提取所述一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個或計(jì)算所述電容值，其中，所述工藝尺寸包括在所述工藝文件中；以及選擇性地利用所述工藝尺寸來替換所述布局尺寸。[0133]優(yōu)選地，用于確定所述電容值的電容確定規(guī)則是第一電容確定規(guī)則和第二電容確定規(guī)則中的一個，并且計(jì)算所述電容值包括:使用所述第一電容確定規(guī)則以利用電容確定函數(shù)來計(jì)算所述電容值，或使用所述第二電容確定規(guī)則以基于電容值的索引來計(jì)算所述電容值。[0134]優(yōu)選地，該方法還包括:基于包括在所述工藝文件中的一個或多個邏輯函數(shù)的計(jì)算，應(yīng)用所述第一電容確定規(guī)則或所述第二電容確定規(guī)則。[0135]優(yōu)選地，確定所述一種或多種屬性包括使用用于制造所述一個或多個部件的掩模圖案。[0136]優(yōu)選地，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括提取所述一個或多個部件中的每一個部件的寬度。[0137]優(yōu)選地，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括提取所述一個或多個部件中的每一個部件的厚度。[0138]優(yōu)選地，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括:基于第一參數(shù)提取規(guī)則或第二參數(shù)提取規(guī)則來提取所述一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個工藝參數(shù)，所述第一參數(shù)提取規(guī)則命令至少一個硬件計(jì)算機(jī)使用查找表格來確定所述至少一個工藝參數(shù)，并且所述第二工藝參數(shù)提取規(guī)則命令所述至少一個硬件計(jì)算機(jī)使用工藝參數(shù)確定函數(shù)來確定所述至少一個工藝參數(shù)。[0139]優(yōu)選地，處理所述布局包括使用電阻電容工具作為所述至少一個硬件計(jì)算機(jī)，并且所述一個或多個工藝參數(shù)、所述一個或多個邏輯函數(shù)或所述電容確定規(guī)則包括通過所述電阻電容工具讀取的計(jì)算機(jī)代碼。[0140]優(yōu)選地，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括提取至少一個加密的工藝參數(shù)，并且所述方法還包括:基于所述至少一個加密的工藝參數(shù)，生成電容值的索引，其中，用于確定所述電容值的電容確定規(guī)則命令至少一個硬件計(jì)算機(jī)基于所述電容值的索引來計(jì)算所述電容值。[0141]優(yōu)選地，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括:使用至少一個加密的邏輯函數(shù)來提取所述一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個工藝參數(shù)。[0142]優(yōu)選地，該方法還包括:生成描述所述一個或多個部件之間的一個或多個連接的網(wǎng)表，其中，所述網(wǎng)表包括所述電容值。[0143]本發(fā)明的另一個方面涉及生成描述集成電路的網(wǎng)表的方法。方法包括處理集成電路的布局，以確定集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性。方法還包括從與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取第一工藝參數(shù)?；诎ㄔ诠に囄募械牡谝贿壿嫼瘮?shù)的計(jì)算，從工藝文件中提取第一工藝參數(shù)。計(jì)算基于一種或多種屬性。方法還包括執(zhí)行具有與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的第二工藝參數(shù)的加密數(shù)據(jù)文件。第二工藝參數(shù)是加密的。方法附加地包括:基于第二工藝參數(shù)，使用執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來計(jì)算集成電路的至少兩個部件之間的電容值。方法還包括生成描述一個或多個部件之間的一個或多個連接的網(wǎng)表。網(wǎng)表包括電容值。通過硬件計(jì)算機(jī)來實(shí)施上述步驟中的至少一個。[0144]優(yōu)選地，方法還包括:基于所述第二工藝參數(shù)，使用所述執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來生成電容值的索引，其中，基于所述電容值的索引和所述第一工藝參數(shù)來計(jì)算所述電容值。[0145]優(yōu)選地，執(zhí)行所述加密數(shù)據(jù)文件包括執(zhí)行包括第二邏輯函數(shù)的所述加密數(shù)據(jù)文件，并且所述方法還包括:執(zhí)行所述加密數(shù)據(jù)文件，以基于所述第二邏輯函數(shù)生成邏輯函數(shù)輸出，其中，所述第二工藝參數(shù)或第三工藝參數(shù)基于所述邏輯函數(shù)輸出。[0146]優(yōu)選地，確定所述一種或多種屬性包括基于掩模圖案來確定所述第一邏輯函數(shù)。[0147]優(yōu)選地，處理所述布局包括使用電阻電容工具作為至少一個硬件計(jì)算機(jī)，并且執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出包括通過所述電阻電容工具讀取的計(jì)算機(jī)代碼。[0148]優(yōu)選地，提取所述第一工藝參數(shù)包括提取選擇性地編輯的第一工藝參數(shù)，或使用選擇性地編輯的第一邏輯函數(shù)。[0149]本發(fā)明的又一方面涉及生成電阻電容技術(shù)文件的一種方法。方法包括處理集成電路的布局，以確定集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性。方法還包括從與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取第一工藝參數(shù)。基于包括在工藝文件中的第一邏輯函數(shù)的計(jì)算，從工藝文件中提取第一工藝參數(shù)。計(jì)算基于一種或多種屬性。方法還包括通過用戶輸入的方式將第二工藝參數(shù)添加至工藝文件。電阻電容工具可以讀取第二工藝參數(shù)。方法附加地包括執(zhí)行具有與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的第三工藝參數(shù)的加密數(shù)據(jù)文件。第三工藝參數(shù)是加密的。方法還包括:基于第三工藝參數(shù)和第一工藝參數(shù)，使用執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來計(jì)算集成電路的至少兩個部件之間的電容值。方法還包括生成電阻電容技術(shù)文件。電阻電容技術(shù)文件包括第一工藝參數(shù)、第二工藝參數(shù)、第三工藝參數(shù)和電容值。通過硬件計(jì)算機(jī)來實(shí)施上述步驟中的至少一個。[0150]上面論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的處理和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變?！局鳈?quán)項(xiàng)】1.一種方法，包括:處理集成電路的布局，以確定所述集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性；從與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取一個或多個工藝參數(shù)，其中，基于一個或多個邏輯函數(shù)的計(jì)算，從所述工藝文件中提取所述一個或多個工藝參數(shù)，所述一個或多個邏輯函數(shù)中的至少一個包括在所述工藝文件中，并且所述計(jì)算基于所述一種或多種屬性；以及基于包括在所述工藝文件中的一個或多個工藝參數(shù)和電容確定規(guī)則，計(jì)算所述集成電路的至少兩個部件之間的電容值，其中，基于用戶輸入來編輯所述一個或多個工藝參數(shù)、所述一個或多個邏輯函數(shù)和所述電容確定規(guī)則中的至少一個。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述一種或多種屬性包括確定所述一個或多個部件中的至少一個的布局尺寸，并且提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括使用所述布局尺寸提取所述一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個或計(jì)算所述電容值。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括:使用所述一個或多個部件中的至少一個的工藝尺寸，以提取所述一個或多個工藝參數(shù)中的至少一個或計(jì)算所述電容值，其中，所述工藝尺寸包括在所述工藝文件中；以及選擇性地利用所述工藝尺寸來替換所述布局尺寸。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，用于確定所述電容值的電容確定規(guī)則是第一電容確定規(guī)則和第二電容確定規(guī)則中的一個，并且計(jì)算所述電容值包括:使用所述第一電容確定規(guī)則以利用電容確定函數(shù)來計(jì)算所述電容值，或使用所述第二電容確定規(guī)則以基于電容值的索引來計(jì)算所述電容值。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括:基于包括在所述工藝文件中的一個或多個邏輯函數(shù)的計(jì)算，應(yīng)用所述第一電容確定規(guī)則或所述第二電容確定規(guī)則。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述一種或多種屬性包括使用用于制造所述一個或多個部件的掩模圖案。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括提取所述一個或多個部件中的每一個部件的寬度。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，提取所述一個或多個工藝參數(shù)包括提取所述一個或多個部件中的每一個部件的厚度。9.一種生成描述集成電路的網(wǎng)表的方法，所述方法包括:處理集成電路的布局，以確定所述集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性；從與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取第一工藝參數(shù)，其中，基于包括在所述工藝文件中的第一邏輯函數(shù)的計(jì)算，從所述工藝文件中提取所述第一工藝參數(shù)，并且所述計(jì)算基于所述一種或多種屬性；執(zhí)行具有與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)的第二工藝參數(shù)的加密數(shù)據(jù)文件，其中，所述第二工藝參數(shù)是加密的；基于所述第二工藝參數(shù)，使用執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來計(jì)算所述集成電路的至少兩個部件之間的電容值;以及生成描述所述一個或多個部件之間的一個或多個連接的網(wǎng)表，其中，所述網(wǎng)表包括所述電容值。10.—種生成電阻電容技術(shù)文件的方法，所述方法包括:處理集成電路的布局，以確定所述集成電路的一個或多個部件的一種或多種屬性；從與制造集成電路相關(guān)聯(lián)的工藝文件中提取第一工藝參數(shù)，其中，基于包括在所述工藝文件中的第一邏輯函數(shù)的計(jì)算，從所述工藝文件中提取所述第一工藝參數(shù)，并且所述計(jì)算基于所述一種或多種屬性；通過用戶輸入的方式將第二工藝參數(shù)添加至所述工藝文件，其中，通過電阻電容工具來讀取所述第二工藝參數(shù)；執(zhí)行具有與制造所述集成電路相關(guān)聯(lián)第三工藝參數(shù)的加密數(shù)據(jù)文件，其中，所述第三工藝參數(shù)是加密的；基于所述第三工藝參數(shù)和所述第一工藝參數(shù)，使用執(zhí)行的加密數(shù)據(jù)文件的輸出來計(jì)算所述集成電路的至少兩個部件之間的電容值;以及生成所述電阻電容技術(shù)文件，其中，所述電阻電容技術(shù)文件包括所述第一工藝參數(shù)、所述第二工藝參數(shù)、所述第三工藝參數(shù)和所述電容值?！疚臋n編號】G06F17/50GK105868437SQ201510985005【公開日】2016年8月17日【申請日】2015年12月24日【發(fā)明人】周志政,吳宗翰,蘇哿穎,李憲信,王中興【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司