存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法
【專(zhuān)利摘要】一種存儲(chǔ)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器件和控制器，存儲(chǔ)器件具有多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊，多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)包括多個(gè)頁(yè)，每個(gè)頁(yè)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中，從主機(jī)設(shè)備提供的數(shù)據(jù)被寫(xiě)到多個(gè)頁(yè)和與多個(gè)字線(xiàn)耦接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元上；控制器適于通過(guò)將多個(gè)字線(xiàn)以預(yù)定的數(shù)目進(jìn)行分組來(lái)設(shè)定字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行用于每個(gè)字線(xiàn)區(qū)中的存儲(chǔ)區(qū)塊的壞區(qū)塊管理。
【專(zhuān)利說(shuō)明】存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2014年9月17日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2014-0123647的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]示例性實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法，更具體而言，涉及一種用于管理存儲(chǔ)器件的壞區(qū)塊的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法。
【背景技術(shù)】
[0004]近來(lái)，用于計(jì)算機(jī)環(huán)境的范例已經(jīng)轉(zhuǎn)變成普適計(jì)算，使得計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以在任何時(shí)間和任何地方使用。由于這個(gè)事實(shí)，已經(jīng)快速地增加了諸如移動(dòng)電話(huà)、數(shù)碼照相機(jī)和筆記本型電腦之類(lèi)的便攜式電子設(shè)備的使用。通常，這樣的便攜式電子設(shè)備使用存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)系統(tǒng)使用存儲(chǔ)器件，即數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件用作便攜式電子設(shè)備的主存儲(chǔ)器件或輔助存儲(chǔ)器件。
[0005]利用存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件提供的優(yōu)點(diǎn)在于，沒(méi)有機(jī)械驅(qū)動(dòng)部分，穩(wěn)定性和耐久性?xún)?yōu)秀，信息存取速度高以及功耗小。具有這些優(yōu)點(diǎn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件的實(shí)例包括通用串行總線(xiàn)(USB)存儲(chǔ)器件、具有各種接口的存儲(chǔ)卡和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]示例性實(shí)施例針對(duì)用于有效地管理存儲(chǔ)器件的壞區(qū)塊的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法。
[0007]根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)包括:存儲(chǔ)器件，其包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊，其中，多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)包括多個(gè)頁(yè)，其中，多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，以及其中，多個(gè)存儲(chǔ)器單元與多個(gè)字線(xiàn)耦接；以及控制器，其適于將多個(gè)字線(xiàn)分組成N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)，其中，N是等于或大于2的整數(shù)，其中，字線(xiàn)區(qū)中的每個(gè)包括M數(shù)目個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中，M是等于或大于2的整數(shù)，以及其中，控制器逐字線(xiàn)區(qū)地執(zhí)行用于字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
[0008]控制器可以?xún)?chǔ)存具有用于N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的表，利用儲(chǔ)存在表中的位圖信息在N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)之中檢查是否存在壞字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行用于壞字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
[0009]控制器可以通過(guò)將應(yīng)寫(xiě)到壞字線(xiàn)區(qū)上的數(shù)據(jù)寫(xiě)到選自多個(gè)字線(xiàn)區(qū)的新字線(xiàn)區(qū)上來(lái)執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作。
[0010]基于由控制器執(zhí)行的檢查操作的次序，新字線(xiàn)區(qū)可以在壞字線(xiàn)區(qū)之后。
[0011]控制器可以檢查第一存儲(chǔ)器單元數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作是否失敗，以及將包括第一存儲(chǔ)器單元的第一字線(xiàn)區(qū)識(shí)別為壞字線(xiàn)區(qū)。
[0012]控制器可以執(zhí)行用于壞字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
[0013]控制器可以檢查第二存儲(chǔ)器單元在數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作中是否成功，以及將應(yīng)寫(xiě)到第一存儲(chǔ)器單元上的數(shù)據(jù)寫(xiě)到第二存儲(chǔ)器單元上，其中，第二存儲(chǔ)器單元包括在與第一字線(xiàn)區(qū)不同的第二字線(xiàn)區(qū)中。
[0014]基于由控制器執(zhí)行的檢查操作的次序，第二字線(xiàn)區(qū)可以在第一字線(xiàn)區(qū)之后。
[0015]存儲(chǔ)器件可以?xún)?chǔ)存包括針對(duì)在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中包括的字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的第一表，以及其中，控制器儲(chǔ)存包括針對(duì)在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的特定存儲(chǔ)區(qū)塊中包括的字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的第二表。
[0016]控制器可以從存儲(chǔ)器件獲取第一表的部分，并且將第一表的部分儲(chǔ)存為第二表。
[0017]控制器可以基于包括在第二表中的位圖信息在特定存儲(chǔ)區(qū)塊的字線(xiàn)區(qū)之中檢查是否存在壞字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行用于壞字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
[0018]根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法包括:提供包括多個(gè)字線(xiàn)的第一存儲(chǔ)區(qū)塊，將多個(gè)字線(xiàn)分組成N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)，其中，N是等于或大于2的整數(shù)，其中，多個(gè)存儲(chǔ)器單元與多個(gè)字線(xiàn)中的每個(gè)耦接；檢查選自N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第一字線(xiàn)區(qū)是否為壞字線(xiàn)區(qū)；以及執(zhí)行用于壞字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
[0019]檢查第一字線(xiàn)區(qū)可以包括:基于包括用于N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的表來(lái)檢查第一字線(xiàn)區(qū)。
[0020]執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作可以包括:將應(yīng)寫(xiě)到第一字線(xiàn)區(qū)上的第一數(shù)據(jù)寫(xiě)到第二字線(xiàn)區(qū)上，其中，第二字線(xiàn)區(qū)可以是正常字線(xiàn)區(qū)。
[0021]基于檢查操作的次序，第二字線(xiàn)區(qū)可以在第一字線(xiàn)區(qū)之后。
[0022]檢查第一字線(xiàn)區(qū)可以包括:檢查包括在第一字線(xiàn)區(qū)中的存儲(chǔ)器單元數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作是否失敗，以及將包括數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作失敗的存儲(chǔ)器單元的第一字線(xiàn)區(qū)識(shí)別為壞字線(xiàn)區(qū)。
[0023]執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作可以包括:檢查包括在第二字線(xiàn)區(qū)中的第二存儲(chǔ)器單元在數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作中是否成功，以及將應(yīng)寫(xiě)到包括在第一字線(xiàn)區(qū)中的第一存儲(chǔ)器單元上的第一數(shù)據(jù)寫(xiě)到包括在第二字線(xiàn)區(qū)的第二存儲(chǔ)器單元上。
[0024]基于檢查操作的次序，第二字線(xiàn)可以在壞字線(xiàn)區(qū)之后。
[0025]檢查第一字線(xiàn)區(qū)可以包括:將第一表儲(chǔ)存在存儲(chǔ)系統(tǒng)中，從存儲(chǔ)系統(tǒng)獲取第一表的部分，并且將獲取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存為第二表，以及基于包括在第二表中的位圖信息來(lái)檢查第一字線(xiàn)區(qū)是否為壞字線(xiàn)區(qū)。
[0026]第一表可以包括:針對(duì)包括在第一存儲(chǔ)區(qū)塊中的N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第一位圖信息，以及針對(duì)包括在第二存儲(chǔ)區(qū)塊中的L數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第二位圖信息，其中，L是等于或大于2的整數(shù)，以及其中，第二表可以包括第一位圖信息，但是不包括第二位圖信息。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是示意性地圖示包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的圖。
[0028]圖2是示意性地圖示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的圖。
[0029]圖3是示意性地圖示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)區(qū)塊的存儲(chǔ)器單元陣列電路的圖。
[0030]圖4至圖11是示意性地圖示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)的圖。
[0031]圖12至圖14是圖示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理操作的框圖。
[0032]圖15是圖示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理的過(guò)程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]以下將參照附圖更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。在本公開(kāi)中，同樣的附圖標(biāo)記在各種附圖和實(shí)施例中表不同樣的部分。
[0034]圖1是示意性地圖示包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的圖。
[0035]參見(jiàn)圖1，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100包括主機(jī)102和存儲(chǔ)系統(tǒng)110。
[0036]主機(jī)102例如包括諸如移動(dòng)電話(huà)、MP3播放器和膝上型電腦之類(lèi)的便攜式電子設(shè)備，或者諸如臺(tái)式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、TV和投影儀之類(lèi)的電子設(shè)備。
[0037]存儲(chǔ)系統(tǒng)110響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)操作，并且具體地，儲(chǔ)存要由主機(jī)102存取的數(shù)據(jù)。即，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以用作主機(jī)102的主存儲(chǔ)器件或者輔助存儲(chǔ)器件。存儲(chǔ)系統(tǒng)110根據(jù)與主機(jī)102電耦接的主機(jī)接口的協(xié)議可以是各種儲(chǔ)存器件中的任何一種。例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以是諸如下列各項(xiàng)之類(lèi)的儲(chǔ)存器件:固態(tài)驅(qū)動(dòng)器；以MMC、eMMC(嵌入式MMC)、RS-MMC (減小尺寸的MMC)和微型MMC形式的多媒體卡。在另一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以是以SD、迷你SD和微型SD形式的安全數(shù)字卡；通用串行總線(xiàn)(USB)儲(chǔ)存器件；通用快閃儲(chǔ)存(UFS)器件；緊湊型快閃(CF)卡；智能媒體卡；記憶棒等。
[0038]包括在存儲(chǔ)系統(tǒng)110中的儲(chǔ)存器件可以是易失性存儲(chǔ)器件，諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM);或者是非易失性存儲(chǔ)器件，諸如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、掩模ROM (MROM)、可編程ROM (PROM)、可擦除可編程ROM (EPROM)、電可擦除可編程ROM (EEPROM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、相變RAM (PRAM)、磁性RAM (MRAM)和阻變RAM(RRAM)。
[0039]存儲(chǔ)系統(tǒng)110包括存儲(chǔ)器件150，其儲(chǔ)存要被主機(jī)102存取的數(shù)據(jù)；以及控制器130，其控制存儲(chǔ)器件150中的數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存。
[0040]控制器130和存儲(chǔ)器件150可以被集成在一個(gè)半導(dǎo)體器件中。例如，控制器130和存儲(chǔ)器件150可以被集成在一個(gè)半導(dǎo)體器件中，并且配置固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。當(dāng)存儲(chǔ)系統(tǒng)110用作SSD時(shí)，與存儲(chǔ)系統(tǒng)110電耦接的主機(jī)102的操作速度可以得到顯著增加。
[0041]控制器130和存儲(chǔ)器件150可以被集成在一個(gè)半導(dǎo)體器件中，并且配置存儲(chǔ)卡。例如，控制器130和存儲(chǔ)卡150可以被集成在一個(gè)半導(dǎo)體器件中，并且配置諸如下列內(nèi)容之類(lèi)的存儲(chǔ)卡:個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)(PCMCIA)卡、緊湊型快閃(CF)卡、以SM和SMC形式的智能媒體卡、記憶棒、以MMC、RS-MMC和微型MMC形式的多媒體卡、以SD、迷你SD、微型SD、安全數(shù)字高容量(SDHC)形式的安全數(shù)字卡、以及通用快閃儲(chǔ)存(UFS)器件。
[0042]在另一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以配置計(jì)算機(jī)、超移動(dòng)PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)書(shū)寫(xiě)板、平板電腦、無(wú)線(xiàn)電話(huà)、移動(dòng)電話(huà)、智能電話(huà)、電子書(shū)、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航設(shè)備、黑盒子、數(shù)碼照相機(jī)、數(shù)字多媒體廣播(DMB)播放器、三維電視機(jī)、智能電視機(jī)、數(shù)字音頻記錄器、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖片記錄器、數(shù)字圖片播放器、數(shù)字視頻記錄器、數(shù)字視頻播放器、配置數(shù)據(jù)中心的儲(chǔ)存器、能夠在無(wú)線(xiàn)環(huán)境下傳送并接收信息的器件、配置家用網(wǎng)絡(luò)的各種電子器件之一、配置計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子器件之一、配置遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子器件之一、RFID器件、或者配置計(jì)算系統(tǒng)的各種組成元件之一。
[0043]存儲(chǔ)系統(tǒng)110的存儲(chǔ)器件150即使在功率中斷之后也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，經(jīng)由寫(xiě)入操作來(lái)儲(chǔ)存從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)，以及經(jīng)由讀取操作將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102。存儲(chǔ)器件150包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊152、154和156。存儲(chǔ)區(qū)塊152、154和156中的每個(gè)包括多個(gè)頁(yè)。每個(gè)頁(yè)包括與多個(gè)字線(xiàn)(WL)電耦接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器件150可以是非易失性存儲(chǔ)器件，例如，快閃存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器可以具有3D層疊結(jié)構(gòu)。隨后將參照?qǐng)D2至圖11描述存儲(chǔ)器件150的結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)器件150的3D層疊結(jié)構(gòu)。
[0044]存儲(chǔ)系統(tǒng)110的控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。例如，控制器130將從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102，以及將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中。因而，控制器130控制存儲(chǔ)器件150的操作，諸如讀取操作、寫(xiě)入操作、編程操作和擦除操作。
[0045]控制器130包括:主機(jī)接口單元(主機(jī)I/F) 132、處理器(Processor) 134、協(xié)議單元(協(xié)議)136、錯(cuò)誤校正碼(ECC)單元(ECC) 138、功率管理單元(PMU) 140、與非型(NAND)快閃存儲(chǔ)器控制器(NFC) 142以及存儲(chǔ)器144。
[0046]主機(jī)接口單元132處理主機(jī)102的命令和數(shù)據(jù)，并且可以被配置成經(jīng)由諸如如下的各種接口協(xié)議中的至少一種與主機(jī)102通信:通用串行總線(xiàn)(USB)、多媒體卡(MMC)、外圍組件互連-快速(PC1-E)、串行附接SCSI (SAS)、串行高級(jí)技術(shù)附件(PATA)、并行高級(jí)技術(shù)附件(PATA)、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、加強(qiáng)型小型盤(pán)接口(ESDI)、以及電子集成驅(qū)動(dòng)器(IDE)ο
[0047]ECC單元138在讀取儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中的數(shù)據(jù)時(shí)，檢測(cè)并校正包括在數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。即，在執(zhí)行用于從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤校正解碼之后，ECC單元138可以確定錯(cuò)誤校正解碼是否已經(jīng)成功，根據(jù)確定結(jié)果來(lái)輸出指示信號(hào)，以及通過(guò)利用在ECC編碼過(guò)程中產(chǎn)生的奇偶校驗(yàn)位來(lái)校正讀取數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤比特。如果錯(cuò)誤比特的數(shù)目等于或大于可校正的錯(cuò)誤比特的閾值數(shù)目，則ECC單元138不會(huì)校正錯(cuò)誤比特。在那種情況下，ECC單元138可以輸出表示不能校正錯(cuò)誤比特的錯(cuò)誤校正失敗信號(hào)。
[0048]ECC單元138可以通過(guò)利用，但不限制于下列內(nèi)容來(lái)執(zhí)行錯(cuò)誤校正:LDPC(低密度奇偶檢驗(yàn))碼、BCH(博斯-喬赫里-霍克文黑姆，Bose-Chaudhur1-Hocquenghem)碼、turbo (渦輪)碼、RS (里德-索羅門(mén)，Reed-Solomon)碼、卷積碼、RSC (遞歸系統(tǒng)碼)、TCM(網(wǎng)格編碼調(diào)制)、或者BCM(塊編碼調(diào)制)。ECC單元138可以包括用于錯(cuò)誤校正的所有電路、系統(tǒng)或設(shè)備。
[0049]協(xié)議單元136儲(chǔ)存并管理用于控制器130的協(xié)議，以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。PMU 140提供并管理用于控制器130的功率，即用于包括在控制器130中的組成元件的功率。
[0050]NFC 142作為存儲(chǔ)器接口執(zhí)行控制器130與存儲(chǔ)器件150之間的相互配合工作，以允許控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。NFC 142產(chǎn)生用于存儲(chǔ)器件150的控制信號(hào)，并且根據(jù)處理器134的控制處理數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器件150可以是快閃存儲(chǔ)器，具體地，與非型(NAND)快閃存儲(chǔ)器。
[0051]作為存儲(chǔ)系統(tǒng)110和控制器130的工作存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器144儲(chǔ)存用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)系統(tǒng)110和控制器130的數(shù)據(jù)?？刂破?30可以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。例如，控制器130可以將從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102，以及可以將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中。當(dāng)控制器130控制存儲(chǔ)器件150的操作，諸如讀取操作、寫(xiě)入操作、編程操作和擦除操作時(shí)，存儲(chǔ)器144儲(chǔ)存允許這樣的操作由存儲(chǔ)系統(tǒng)110執(zhí)行所需的數(shù)據(jù)，即在控制器130和存儲(chǔ)器件150之間的這樣的操作。
[0052]存儲(chǔ)器144可以是易失性存儲(chǔ)器。例如，存儲(chǔ)器144可以是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或者動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。如上所述，存儲(chǔ)器144儲(chǔ)存在主機(jī)102和存儲(chǔ)器件105之間執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作和寫(xiě)入操作所必要的數(shù)據(jù)，以及儲(chǔ)存從數(shù)據(jù)讀取操作和寫(xiě)入操作得到的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器144包括編程存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寫(xiě)入緩沖器、讀取緩沖器、映射緩沖器等。
[0053]處理器134控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110的總體操作，并且響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的寫(xiě)入請(qǐng)求或讀取請(qǐng)求來(lái)控制針于存儲(chǔ)器件150的寫(xiě)入操作或讀取操作。處理器134驅(qū)動(dòng)被稱(chēng)作為快閃轉(zhuǎn)化層(FTL)的固件，以控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110的總體操作。處理器134可以是微處理器或者中央處理單元(CPU)。
[0054]用于執(zhí)行存儲(chǔ)器件150的管理(例如，壞區(qū)塊管理)的管理單元(未示出)包括在處理器134中。管理單元在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中檢查是否包括壞區(qū)塊，如果有的話(huà)，則執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作以定位壞區(qū)塊。當(dāng)存儲(chǔ)器件150是快閃存儲(chǔ)器，例如NAND快閃存儲(chǔ)器時(shí)，由于NAND邏輯功能的特性的原因，在寫(xiě)入操作或編程操作期間可能發(fā)生編程失敗。該管理，即壞區(qū)塊管理，是識(shí)別發(fā)生編程失敗的存儲(chǔ)區(qū)塊，并且將識(shí)別出的存儲(chǔ)區(qū)塊標(biāo)記為壞存儲(chǔ)區(qū)塊，以及將寫(xiě)入在壞存儲(chǔ)區(qū)塊中的編程失敗的數(shù)據(jù)再次寫(xiě)入或者再次編程至新的存儲(chǔ)區(qū)塊中的過(guò)程。將參照?qǐng)D2至圖11詳細(xì)描述在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件。
[0055]圖2是示意性地圖示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的圖。圖3圖示了在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)區(qū)塊的存儲(chǔ)器單元陣列電路。圖4至圖11圖示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的三維非易失性存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)。
[0056]參見(jiàn)圖2，存儲(chǔ)器件150包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊，例如，第零區(qū)塊(BLOCKO) 210、第一區(qū)塊(BLOCKl) 220、第二區(qū)塊(BL0CK2) 230 和第 N-1 區(qū)塊(BL0CKN-1) 240 0 區(qū)塊 210、220、230和240中的每個(gè)包括多個(gè)頁(yè)。例如，每個(gè)區(qū)塊的頁(yè)數(shù)目可以是2M，即2M個(gè)頁(yè)。頁(yè)的數(shù)目不受限制。在另一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)可以包括M數(shù)目個(gè)頁(yè)，其中，M是整數(shù)。每個(gè)頁(yè)包括與多個(gè)字線(xiàn)(WL)電耦接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。
[0057]存儲(chǔ)區(qū)塊210、220、230和240中的每個(gè)經(jīng)由寫(xiě)入操作儲(chǔ)存從主機(jī)設(shè)備102提供的數(shù)據(jù)，并且經(jīng)由讀取操作將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102。
[0058]參見(jiàn)圖3，在存儲(chǔ)系統(tǒng)110中，存儲(chǔ)器件300中的存儲(chǔ)區(qū)塊330可以包括分別與位線(xiàn)BLO至BLm-1電耦接的多個(gè)單元存儲(chǔ)串340。每個(gè)列中的單元存儲(chǔ)串340可以包括至少一個(gè)漏極選擇晶體管DST和至少一個(gè)源極選擇晶體管SST。多個(gè)存儲(chǔ)器單元或者多個(gè)存儲(chǔ)器單元晶體管MCO至MCn-1可以串聯(lián)連接在選擇晶體管DST與SST之間。相應(yīng)的存儲(chǔ)器單元MCO至MCn-1可以被配置成多電平單元(MLC)，多電平單元(MLC)中的每個(gè)儲(chǔ)存多個(gè)比特的數(shù)據(jù)信息。存儲(chǔ)串340可以分別與對(duì)應(yīng)的位線(xiàn)BLO至BLm-1電耦接。
[0059]在圖3中，存儲(chǔ)區(qū)塊330由與非型(NAND)快閃存儲(chǔ)器單元來(lái)配置。然而，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件300中的存儲(chǔ)區(qū)塊330不限制于與非型(NAND)快閃存儲(chǔ)器，而可以是或非型(NOR)快閃存儲(chǔ)器、組合有至少兩種存儲(chǔ)器單元的混合快閃存儲(chǔ)器、或者存儲(chǔ)器芯片中內(nèi)置有控制器的一個(gè)NAND快閃存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體器件的操作特性可以通過(guò)利用快閃存儲(chǔ)器件或者電荷捕獲快閃存儲(chǔ)器(CTF)來(lái)獲得，在快閃存儲(chǔ)器件中電荷儲(chǔ)存層由導(dǎo)電浮柵來(lái)配置，在電荷捕獲快閃存儲(chǔ)器(CTF)中電荷儲(chǔ)存層由電介質(zhì)層來(lái)配置。
[0060]存儲(chǔ)器件300的電壓供應(yīng)塊310可以根據(jù)操作模式將字線(xiàn)電壓提供至相應(yīng)的字線(xiàn)，字線(xiàn)電壓例如編程電壓、讀取電壓和通過(guò)電壓。電壓供應(yīng)塊310可以將電壓提供至塊體，例如用存儲(chǔ)器單元形成的阱區(qū)。電壓供應(yīng)塊310的電壓發(fā)生操作可以在控制電路(未示出)的控制下執(zhí)行。電壓供應(yīng)塊310可以產(chǎn)生多個(gè)可變的讀取電壓，產(chǎn)生多個(gè)讀取數(shù)據(jù)，響應(yīng)于控制電路的控制來(lái)選擇存儲(chǔ)器單元陣列中的存儲(chǔ)區(qū)塊(或者扇區(qū))中的一個(gè)，選擇選中的存儲(chǔ)區(qū)塊的字線(xiàn)中的一個(gè)，以及將字線(xiàn)電壓提供至選中的字線(xiàn)和未選中的字線(xiàn)。
[0061]存儲(chǔ)器件300的讀/寫(xiě)電路320由控制電路控制，并且可以根據(jù)操作模式而作為感測(cè)放大器或者寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器來(lái)操作。例如，在驗(yàn)證/正常讀取操作模式下，讀/寫(xiě)電路320可以作為感測(cè)放大器來(lái)操作，用于從存儲(chǔ)器單元陣列讀取數(shù)據(jù)。此外，在編程操作模式下，讀/寫(xiě)電路320可以作為寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器來(lái)操作，其根據(jù)要儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元陣列中的數(shù)據(jù)來(lái)驅(qū)動(dòng)位線(xiàn)。讀/寫(xiě)電路320可以在編程操作模式下從緩沖器(未示出)接收要寫(xiě)入在存儲(chǔ)器單元陣列中的數(shù)據(jù)，并且可以根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)位線(xiàn)。為此，讀/寫(xiě)電路320可以包括分別與列或位線(xiàn)或者列對(duì)或者位線(xiàn)對(duì)相對(duì)應(yīng)的多個(gè)頁(yè)緩沖器(PB)322、324和326。多個(gè)鎖存器(未示出)可以包括在頁(yè)緩沖器322、324和326的每個(gè)中。將參照?qǐng)D4至圖11，對(duì)根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)110中的存儲(chǔ)器件進(jìn)行詳細(xì)描述。在圖4至圖11中，存儲(chǔ)器件是三維非易失性存儲(chǔ)器件。
[0062]參見(jiàn)圖4，如上所述，存儲(chǔ)器件150可以包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊BLKO至BLKN-1。圖4是圖示圖2中所示的存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)區(qū)塊的框圖。存儲(chǔ)區(qū)塊BLK中的每個(gè)可以是三維結(jié)構(gòu)或者垂直結(jié)構(gòu)。例如，相應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)塊BLK可以包括在第一方向至第三方向上延伸的結(jié)構(gòu)，例如，X軸方向、y軸方向和z軸方向。
[0063]相應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)塊BLK可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)與非型(NAND)存儲(chǔ)串NS。多個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS可以被提供在第一方向和第三方向上。每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS可以與位線(xiàn)BL、至少一個(gè)存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL、至少一個(gè)接地選擇線(xiàn)GSL、多個(gè)字線(xiàn)WL、至少一個(gè)虛設(shè)字線(xiàn)DWL和公共源極線(xiàn)CSL電耦接。相應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)塊可以與多個(gè)位線(xiàn)BL、多個(gè)存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL、多個(gè)接地選擇線(xiàn)GSL、多個(gè)字線(xiàn)WL、多個(gè)虛設(shè)字線(xiàn)DWL和多個(gè)公共源極線(xiàn)CSL電耦接。
[0064]參見(jiàn)圖5和圖6，在存儲(chǔ)器件150的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊之中的某存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi可以包括在第一方向至第三方向上延伸的結(jié)構(gòu)。圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件為三維非易失性存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖5中，存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi可以具有圖4的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊。圖6是沿著圖5中的線(xiàn)1-1’截取的截面圖。
[0065]可以提供襯底5111。例如，襯底5111可以包括摻雜有第一類(lèi)型的雜質(zhì)的硅材料。例如，襯底5111可以包括摻雜有P型雜質(zhì)的硅材料，或者可以是P型阱，例如袋(pocket)?阱，以及包括包圍P型阱的η型阱。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底5111是P型硅。然而，襯底5111并不限制于P型硅。
[0066]在第一方向上延伸的多個(gè)摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以被提供在襯底5111上。例如，多個(gè)摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以是與襯底5111不同的第二類(lèi)型的區(qū)域。例如，多個(gè)摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以摻雜有η型摻雜劑。在一個(gè)實(shí)施例中，第一摻雜區(qū)至第四摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314是η型摻雜區(qū)。然而，第一摻雜區(qū)至第四摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314并不限制于η型摻雜區(qū)。
[0067]在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的襯底5111上的區(qū)域中，在第一方向上延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112可以被順序地提供在第二方向上。例如，多個(gè)電介質(zhì)材料5112和襯底5111可以在第二方向上以預(yù)定的距離彼此分隔開(kāi)。例如，電介質(zhì)材料5112可以包括諸如氧化硅之類(lèi)的電介質(zhì)材料。
[0068]在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的襯底5111上的區(qū)域中，可以提供多個(gè)柱體5113，多個(gè)柱體5113被順序地設(shè)置在第一方向上，并且在第二方向上穿通電介質(zhì)材料5112。例如，多個(gè)柱體5113可以分別穿通電介質(zhì)材料5112，并且可以與襯底5111電耦接。例如，每個(gè)柱體5113可以由多種材料來(lái)配置。例如，每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括被摻雜成第一類(lèi)型的硅材料。例如，每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括被摻雜成與襯底5111相同類(lèi)型的硅材料。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)柱體5113的表面層5114包括ρ型硅。然而，每個(gè)柱體5113的表面層5114并不限制于ρ型硅。
[0069]每個(gè)柱體5113的內(nèi)部層5115可以由電介質(zhì)材料來(lái)配置。例如，每個(gè)柱體5113的內(nèi)部層5115可以由諸如氧化硅之類(lèi)的電介質(zhì)材料來(lái)填充。
[0070]在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的區(qū)域中，電介質(zhì)層5116可以被提供在電介質(zhì)材料5112、柱體5113和襯底5111的表面上。例如，電介質(zhì)層5116的厚度可以小于電介質(zhì)材料5112之間的距離的一半(1/2)。S卩，可以設(shè)置有除了電介質(zhì)材料5112和電介質(zhì)層5116之外的材料的區(qū)域可以被提供在(i)在電介質(zhì)材料5112之中的第一電介質(zhì)材料5112的底表面上提供的電介質(zhì)層5116與(ii)在電介質(zhì)材料5112之中的第二電介質(zhì)材料5112的頂表面上提供的電介質(zhì)層5116之間。第二電介質(zhì)材料5112位于第一電介質(zhì)材料5112之下。
[0071]在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的區(qū)域中，導(dǎo)電材料5211、5221、5231、5241、5251、5261、5271、5281和5291可以被提供在電介質(zhì)層5116的表面上。例如，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211可以被提供在與襯底5111相鄰的電介質(zhì)材料5112和襯底5111之間。具體地，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211可以被提供在(i)在與襯底5111相鄰的電介質(zhì)材料5112的底表面上的電介質(zhì)層5116與(ii)在襯底5111上的電介質(zhì)層5116之間。
[0072]在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料可以被提供在電介質(zhì)材料5112之中的某電介質(zhì)材料5112的頂表面上的電介質(zhì)層5116與電介質(zhì)材料5112之中設(shè)置在該某電介質(zhì)材料5112之上的另一電介質(zhì)材料5112的底表面上的電介質(zhì)材料5116之間。例如，在第一方向上延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料5221、5231、5241、5251、5261、5271和5281可以被提供在電介質(zhì)材料5112之間。在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5291可以被提供在最上面的電介質(zhì)材料5112之上。例如，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211、5221、5231、5241、5251、5261、5271、5281和5291可以是金屬材料。例如，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211、5221、5231、5241、5251、5261、5271、5281和5291可以是諸如多晶硅之類(lèi)的導(dǎo)電材料。
[0073]在第二摻雜區(qū)5312與第三摻雜區(qū)5313之間的區(qū)域中，可以提供與被提供在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第二摻雜區(qū)5312與第三摻雜區(qū)5313之間的區(qū)域中，可以提供:在第一方向上延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112、順序地設(shè)置在第一方向上并且在第二方向上穿通多個(gè)電介質(zhì)材料5112的多個(gè)柱體、被提供在多個(gè)電介質(zhì)材料5112和多個(gè)柱體5113的表面上的電介質(zhì)層5116、以及在第一方向上延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料 5212、5222、5232、5242、5252、5262、5272、5282 和 5292。
[0074]在第三摻雜區(qū)5313與第四摻雜區(qū)5314之間的區(qū)域中，可以提供與被提供在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第三摻雜區(qū)5313與第四摻雜區(qū)5314之間的區(qū)域中，可以提供:在第一方向上延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112、被順序地設(shè)置在第一方向上并且在第二方向上穿通多個(gè)電介質(zhì)材料5112的多個(gè)柱體5113、被提供在多個(gè)電介質(zhì)材料5112和多個(gè)柱體5113的表面上的電介質(zhì)層5116、以及在第一方向上延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料 5213、5223、5233、5243、5253、5263、5273、5283 和 5293。
[0075]漏極5320可以被分別提供在多個(gè)柱體5113上。例如，漏極5320可以是摻雜有第二類(lèi)型摻雜劑的硅材料。例如，漏極5320可以是摻雜有η型摻雜劑的硅材料。漏極5320可以包括η型硅，但是漏極5320并不限制于η型硅。例如，每個(gè)漏極5320的寬度可以大于每個(gè)對(duì)應(yīng)的柱體5113的寬度。例如，每個(gè)漏極5320可以以焊盤(pán)的形狀被提供在每個(gè)對(duì)應(yīng)的柱體5113的頂表面上。
[0076]在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以被提供在漏極5320上。導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以被順序地設(shè)置在第一方向上。在另一個(gè)實(shí)施例中，相應(yīng)的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以與對(duì)應(yīng)的區(qū)域的漏極5320電耦接。例如，漏極5320與在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以經(jīng)由接觸插塞彼此電耦接。例如，在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以是金屬材料。例如，在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以是諸如多晶硅之類(lèi)的導(dǎo)電材料。
[0077]在圖5和圖6中，相應(yīng)的柱體5113可以與在第一方向上延伸的電介質(zhì)層5116和多個(gè)導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293耦接，以形成存儲(chǔ)串。例如，相應(yīng)的柱體5113可以與在第一方向上延伸的電介質(zhì)層5116和多個(gè)導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293 —起形成NAND存儲(chǔ)串NS。每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。
[0078]參見(jiàn)圖7，其不出了圖6中所不的晶體管結(jié)構(gòu)TS，電介質(zhì)層5116可以包括第一子電介質(zhì)層至第三子電介質(zhì)層5117、5118和5119。圖7圖示了圖6中所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS的截面圖。
[0079]柱體5113的ρ型硅5114可以作為本體來(lái)操作。與柱體5113相鄰的第一子電介質(zhì)層5117可以作為隧穿電介質(zhì)層來(lái)操作，并且可以包括熱氧化物層。
[0080]第二子電介質(zhì)層5118可以作為電荷儲(chǔ)存層來(lái)操作。例如，第二子電介質(zhì)層5118可以作為電荷捕獲層來(lái)操作，并且可以包括氮化物層或者金屬氧化物層，例如，氧化鋁層、
氧化鉿層等。
[0081]與導(dǎo)電材料5233相鄰的第三子電介質(zhì)層5119可以作為阻擋電介質(zhì)層來(lái)操作。例如，與在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5233相鄰的第三子電介質(zhì)層5119可以被形成為單個(gè)層或多個(gè)層。第三子電介質(zhì)層5119可以是高k電介質(zhì)層，例如，氧化鋁層、氧化鉿層等，其具有比第一子電介質(zhì)層5117和第二子電介質(zhì)層5118高的介電常數(shù)。
[0082]導(dǎo)電材料5233可以作為柵極或控制柵來(lái)操作。S卩，柵極或控制柵5233、阻擋電介質(zhì)層5119、電荷儲(chǔ)存層5118、隧穿電介質(zhì)層5117和本體5114可以形成晶體管或者存儲(chǔ)器單元晶體管結(jié)構(gòu)。例如，第一子電介質(zhì)層至第三子電介質(zhì)層5117、5118和5119可以形成0N0(氧化物-氮化物-氧化物)結(jié)構(gòu)。在以下描述中，柱體5113的ρ型硅5114將被稱(chēng)為在第二方向上延伸的本體。
[0083]存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi可以包括多個(gè)柱體5113。S卩，存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi可以包括多個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS。存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi可以包括在第二方向或者與襯底5111垂直的方向上延伸的多個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS。
[0084]每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS可以包括被設(shè)置在第二方向上的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)可以作為存儲(chǔ)串選擇晶體管SST來(lái)操作。每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)可以作為接地選擇晶體管GST來(lái)操作。
[0085]柵極或控制柵可以與在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293相對(duì)應(yīng)。S卩，柵極或控制柵可以在第一方向上延伸，并且形成字線(xiàn)和至少兩個(gè)選擇線(xiàn)，例如，至少一個(gè)存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL和至少一個(gè)接地選擇線(xiàn)GSL。
[0086]在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以與NAND存儲(chǔ)串NS的一個(gè)端部電耦接。例如，在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331、5332和5333可以作為位線(xiàn)BL來(lái)操作。S卩，在一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi中，多個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS可以與一個(gè)位線(xiàn)BL電耦接。
[0087]在第一方向上延伸的第二類(lèi)型摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以與NAND存儲(chǔ)串NS的另一個(gè)端部耦接。在第一方向上延伸的第二類(lèi)型摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以作為公共源極線(xiàn)CSL來(lái)操作。
[0088]存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi可以包括在與襯底5111垂直的方向(S卩，第二方向)上延伸的多個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS，并且可以作為多個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS與一個(gè)位線(xiàn)BL電耦接的NAND快閃存儲(chǔ)區(qū)塊(例如，電荷捕獲型存儲(chǔ)器)來(lái)操作。
[0089]在圖5至圖7中，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292以及5213至5293被提供成9個(gè)層。然而，應(yīng)當(dāng)注意，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292以及5213至5293并不限制于9個(gè)層。例如，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料可以被提供成8個(gè)層、16個(gè)層或多個(gè)層。S卩，在一個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS中，晶體管的數(shù)目可以是
8、16或多個(gè)。
[0090]在圖5至圖7中，3個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS與一個(gè)位線(xiàn)BL電耦接。然而，應(yīng)當(dāng)注意，該實(shí)施例并不限制于3個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS與一個(gè)位線(xiàn)BL電耦接的結(jié)構(gòu)。在另一個(gè)實(shí)施例中，在存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi中，m數(shù)目個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS(其中，m是整數(shù))可以與一個(gè)位線(xiàn)BL電耦接。根據(jù)與一個(gè)位線(xiàn)BL電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS的數(shù)目，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211至529U5212至5292和5213至5293的數(shù)目和公共源極線(xiàn)5311、5312、5313和5314的數(shù)目也可以變化。
[0091]在圖5至圖7中，三個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS與在第一方向上延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料電耦接。然而，應(yīng)當(dāng)注意，該實(shí)施例并不限制于與在第一方向柵延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料電耦接的3個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS。在另一個(gè)實(shí)施例中，η數(shù)目個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS(其中，η是整數(shù))可以與在第一方向上延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料電耦接。根據(jù)與在第一方向上延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS的數(shù)目，位線(xiàn)5331、5332和5333的數(shù)目也可以變化。
[0092]參見(jiàn)圖8，在具有第一結(jié)構(gòu)的某區(qū)塊BLKi中，NAND存儲(chǔ)串NSll至NS31可以被提供在第一位線(xiàn)BLl與公共源極線(xiàn)CSL之間。圖8是圖示具有如上面參照?qǐng)D5至圖7秒述的第一結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)區(qū)塊BLKi的等同電路的電路圖。第一位線(xiàn)BLl可以與在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5331相對(duì)應(yīng)。NAND存儲(chǔ)串NS12至NS32可以被提供在第二位線(xiàn)BL2與公共源極線(xiàn)CSL之間。第二位線(xiàn)BL2可以與在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5332相對(duì)應(yīng)。NAND存儲(chǔ)串NS13至NS33可以被提供在第三位線(xiàn)BL3與公共源極線(xiàn)CSL之間。第三位線(xiàn)BL3可以與在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料5333相對(duì)應(yīng)。
[0093]每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS的存儲(chǔ)串選擇晶體管SST可以與對(duì)應(yīng)的位線(xiàn)BL電耦接。每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS的接地選擇晶體管GST可以與公共源極線(xiàn)CSL電耦接。存儲(chǔ)器單元MC可以被提供在每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS的存儲(chǔ)串選擇晶體管SST與接地選擇晶體管GST之間。
[0094]在一個(gè)實(shí)施例中，NAND存儲(chǔ)串NS可以通過(guò)行和列為單位來(lái)限定。共同與一個(gè)位線(xiàn)電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS可以形成一個(gè)列。例如，與第一位線(xiàn)BLl電耦接的NAND存儲(chǔ)串NSll至NS31可以對(duì)應(yīng)于第一列，與第二位線(xiàn)BL2電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS12至NS32可以對(duì)應(yīng)于第二列，以及與第三位線(xiàn)BL3電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS13至NS33可以對(duì)應(yīng)于第三列。與一個(gè)存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS可以形成一個(gè)行。例如，與第一存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSLl電耦接的NAND存儲(chǔ)串NSll至NS13可以形成第一行，與第二存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL2電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS21至NS23可以形成第二行，以及與第三存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL3電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS31至NS33可以形成第三行。
[0095]在每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS中，可以限定高度。例如，在每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS中，如果與接地選擇晶體管GST相鄰的存儲(chǔ)器單元MCl的高度被限定為值1，則與存儲(chǔ)串選擇晶體管SST相鄰的存儲(chǔ)器單元MC7的高度可以是存儲(chǔ)器單元MCl的7倍。在每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS中，自襯底5111測(cè)量的存儲(chǔ)器單元的高度可以隨著存儲(chǔ)器單元靠近存儲(chǔ)串選擇晶體管SST而增加。
[0096]相同行中的NAND存儲(chǔ)串NS的存儲(chǔ)串選擇晶體管SST可以共享相同存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL0不同行中的NAND存儲(chǔ)串NS的存儲(chǔ)串選擇晶體管SST可以分別電耦接彼此不同的存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)。
[0097]相同行的NAND存儲(chǔ)串NS中處于相同高度的存儲(chǔ)器單元可以共享字線(xiàn)WL。即，字線(xiàn)WL共同電耦接至在不同行、但在相同水平或相同高度的NAND存儲(chǔ)串NS的存儲(chǔ)器單元MC。NAND存儲(chǔ)串NS中在相同高度或相同水平處的虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC可以共享虛設(shè)字線(xiàn)DWL。S卩，在相同高度或水平處，與不同行的NAND存儲(chǔ)串NS的虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC電耦接的虛設(shè)字線(xiàn)DWL可以彼此共同電耦接。
[0098]例如，位于相同水平或高度或?qū)犹幍淖志€(xiàn)WL或虛設(shè)字線(xiàn)DWL可以彼此共同電耦接。被提供在給定水平或高度或?qū)犹幍膶?dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293可以經(jīng)由接觸部與上部層電耦接。在上部層處，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293可以彼此共同電耦接。NAND存儲(chǔ)串NS的接地選擇晶體管GST可以共享接地選擇線(xiàn)GSL。另外，在不同行中的NAND存儲(chǔ)串NS的接地選擇晶體管GST可以共享接地選擇線(xiàn)GSL。S卩，NAND存儲(chǔ)串NSll至NS13、NS21至NS23和NS31至NS33可以與接地選擇線(xiàn)GSL共同電耦接。
[0099]公共源極線(xiàn)CSL可以與NAND存儲(chǔ)串NS共同電耦接。例如，在襯底5111之上的有源區(qū)上，第一摻雜區(qū)至第四摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以彼此電耦接。例如，第一摻雜區(qū)至第四摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以經(jīng)由接觸部與上部層電耦接，并且在上部層處，第一摻雜區(qū)至第四摻雜區(qū)5311、5312、5313和5314可以彼此共同電耦接。
[0100]如圖8中所示，在相同水平或深度或?qū)犹幍淖志€(xiàn)可以彼此共同電耦接。因此，當(dāng)某字線(xiàn)WL被選中時(shí)，與該字線(xiàn)WL電耦接的所有NAND存儲(chǔ)串NS會(huì)都被選中。在不同行中的NAND存儲(chǔ)串NS可以與不同的存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSL電耦接。因此，通過(guò)選擇存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSLl至SSL3中的一個(gè)，在與相同字線(xiàn)WL電耦接的NAND存儲(chǔ)串NS之中的未被選中的行中的NAND存儲(chǔ)串NS可以與位線(xiàn)BLl至BL3去耦接。即，通過(guò)選擇存儲(chǔ)串選擇線(xiàn)SSLl至SSL3，可以選中特定行的NAND存儲(chǔ)串NS。此外，通過(guò)選擇位線(xiàn)BLl至BL3，可以在選中的行中選中特定NAND存儲(chǔ)串NS。
[0101]在每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS中，可以提供虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC。在圖8中，虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC被提供在每個(gè)NAND存儲(chǔ)串MS中的第三存儲(chǔ)器單元與第四存儲(chǔ)器單元之間。SP，第一存儲(chǔ)器單元MCl至第三存儲(chǔ)器單元MC3可以被提供在虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC與接地選擇晶體管GST之間。
[0102]第四存儲(chǔ)器單元MC4至第六存儲(chǔ)器單元MC6可以被提供在虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC與存儲(chǔ)串選擇晶體管SST之間。每個(gè)NAND存儲(chǔ)串NS的存儲(chǔ)器單元MC可以被虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC分成存儲(chǔ)器單元組。在所分的存儲(chǔ)器單元組中，與接地選擇晶體管GST相鄰的存儲(chǔ)器單元，例如MCl至MC3可以被稱(chēng)為下部存儲(chǔ)器單元組，而與存儲(chǔ)串選擇晶體管SST相鄰的存儲(chǔ)器單元，例如MC4至MC6可以被稱(chēng)為上部存儲(chǔ)器單元組。以下，將參照?qǐng)D9至圖11對(duì)根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件進(jìn)行詳細(xì)描述。在第二實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件包括三維非易失性存儲(chǔ)器件，并且具有從圖5至圖8中所示的第一結(jié)構(gòu)修改的結(jié)構(gòu)。
[0103]參見(jiàn)圖9和圖10，在存儲(chǔ)器件150的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊之中的某存儲(chǔ)區(qū)塊BLKj可以包括在第一方向至第三方向上延伸的結(jié)構(gòu)。圖9是根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的立體圖。存儲(chǔ)器件具有與圖5至圖8描述的第一結(jié)構(gòu)不同的三維結(jié)構(gòu)。在圖4中，某存儲(chǔ)區(qū)塊BLKj可以具有圖9至圖11中所示的第二結(jié)構(gòu)。圖10是沿著圖9中所示的線(xiàn)VI1-VII’截取的截面圖。
[0104]可以提供襯底6311。例如，襯底6311可以包括摻雜有第一類(lèi)型雜質(zhì)的硅材料。例如，襯底6311可以包括摻雜有ρ型雜質(zhì)的硅材料，或者可以是ρ型阱，例如袋ρ阱。以及包括包圍P型阱的η型阱。襯底6311可以是ρ型硅。然而，應(yīng)當(dāng)注意襯底6311并不限制于P型硅。
[0105]在X軸方向和y軸方向上延伸的第一導(dǎo)電材料至第四導(dǎo)電材料6321、6322、6323和6324被提供在襯底6311上。第一導(dǎo)電材料至第四導(dǎo)電材料6321、6322、6323和6324在z軸方向上以預(yù)定的距離分隔開(kāi)。
[0106]在X軸方向和J軸方向上延伸的第五導(dǎo)電材料至第八導(dǎo)電材料6325、6326、6327和6328被提供在襯底6311上。第五導(dǎo)電材料至第八導(dǎo)電材料6325、6326、6327和6328在z軸方向上以預(yù)定的距離分隔開(kāi)。第五導(dǎo)電材料至第八導(dǎo)電材料6325、6326、6327和6328在I軸方向上與第一導(dǎo)電材料至第四導(dǎo)電材料6321、6322、6323和6324分隔開(kāi)。
[0107]提供了穿通第一導(dǎo)電材料至第四導(dǎo)電材料6321、6322、6323和6324的多個(gè)下部柱體。每個(gè)下部柱體DP在z軸方向上延伸。此外，提供了穿通第五導(dǎo)電材料至第八導(dǎo)電材料6325、6326、6327和6328的多個(gè)上部柱體。每個(gè)上部柱體UP在z軸方向上延伸。
[0108]下部柱體DP和上部柱體UP中的每個(gè)包括內(nèi)部材料6361、中間層6362和表面層6363。如參照?qǐng)D5和圖6所述，中間層6362作為單元晶體管的溝道來(lái)操作。表面層6363包括阻擋電介質(zhì)層、電荷儲(chǔ)存層和隧穿電介質(zhì)層。
[0109]下部柱體DP和上部柱體UP經(jīng)由管道柵PG電耦接。管道柵PG可以被設(shè)置在襯底6311中。例如，管道柵PG可以包括與下部柱體DP和上部柱體UP相同的材料。
[0110]在X軸方向和y軸方向上延伸、被摻雜有第二類(lèi)型摻雜劑的摻雜材料6312被提供在下部柱體DP中。例如，摻雜有第二類(lèi)型摻雜劑的摻雜材料6312可以包括η型硅材料。摻雜有第二類(lèi)型摻雜劑的摻雜材料6312作為公共源極線(xiàn)CSL來(lái)操作。
[0111]漏極6340被提供在上部柱體UP上。例如，漏極6340可以包括η型硅材料。在y軸方向上延伸的第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352被提供在漏極6340上。
[0112]第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352被提供成彼此分開(kāi)，并且每個(gè)在X軸方向上延伸。例如，第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352可以由金屬形成。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352以及漏極6340可以經(jīng)由接觸插塞彼此電耦接。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352分別作為第一位線(xiàn)BLl和第二位線(xiàn)BL2來(lái)操作。
[0113]第一導(dǎo)電材料6321作為源極選擇線(xiàn)SSL來(lái)操作，第二導(dǎo)電材料6322作為第一虛設(shè)字線(xiàn)DWLl來(lái)操作，以及第三導(dǎo)電材料6323和第四導(dǎo)電材料6324分別作為第一主字線(xiàn)MffLl和第二主字線(xiàn)MWL2來(lái)操作。第五導(dǎo)電材料6325和第六導(dǎo)電材料6326分別作為第三主字線(xiàn)MWL3和第四主字線(xiàn)MWL4來(lái)操作，第七導(dǎo)電材料6327作為第二虛設(shè)字線(xiàn)DWL2來(lái)操作，以及第八導(dǎo)電材料6328作為漏極選擇線(xiàn)DSL來(lái)操作。
[0114]下部柱體DP和與下部柱體DP相鄰的第一導(dǎo)電材料至第四導(dǎo)電材料6321、6322、6323和6324形成下部存儲(chǔ)串。上部柱體UP和與上部柱體UP相鄰的第五導(dǎo)電材料至第八導(dǎo)電材料6325、6326、6327和6328形成上部存儲(chǔ)串。下部存儲(chǔ)串和上部存儲(chǔ)串經(jīng)由管道柵PG電耦接。下部存儲(chǔ)串的一個(gè)端部與作為公共源極線(xiàn)CSL進(jìn)行操作的第二類(lèi)型的摻雜材料6312電耦接。上部存儲(chǔ)串的一個(gè)端部經(jīng)由漏極6340與對(duì)應(yīng)的位線(xiàn)電耦接。一個(gè)下部存儲(chǔ)串和一個(gè)上部存儲(chǔ)串形成電耦接在第二類(lèi)型的摻雜材料6312與對(duì)應(yīng)的位線(xiàn)之間的一個(gè)單兀存儲(chǔ)串。
[0115]S卩，下部存儲(chǔ)串包括:源極選擇晶體管SST、第一虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMCl以及第一主存儲(chǔ)器單元MMCl和第二主存儲(chǔ)器單元MMC2。上部存儲(chǔ)串包括:第三主存儲(chǔ)器單元MMC3和第四主存儲(chǔ)器單元MMC4、第二虛設(shè)存儲(chǔ)器單元DMC2以及漏極選擇晶體管DST。
[0116]在圖9和圖10中，上部存儲(chǔ)串和下部存儲(chǔ)串可以形成NAND存儲(chǔ)串NS，以及NAND存儲(chǔ)串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。由于包括在圖9和圖10中的NAND存儲(chǔ)串NS中的晶體管結(jié)構(gòu)與以上參照?qǐng)D7所述的晶體管基本相同，所以本文中將省略其詳細(xì)描述。
[0117]參見(jiàn)圖11，在存儲(chǔ)器件150的多個(gè)區(qū)塊之中的具有第二結(jié)構(gòu)的某存儲(chǔ)區(qū)塊BLKj中，如參照?qǐng)D9和圖10所述的，單元存儲(chǔ)串可以被提供成每個(gè)單元存儲(chǔ)串包括經(jīng)由管道柵PG彼此電耦接的一個(gè)上部存儲(chǔ)串和一個(gè)下部存儲(chǔ)串的方式，以限定多個(gè)對(duì)。圖11是圖示圖9和圖10中描述的存儲(chǔ)區(qū)塊BLKj的等同電路的電路圖。為了方便圖9至圖10的描述，僅示出了在第二結(jié)構(gòu)的某存儲(chǔ)區(qū)塊BLKj中形成一對(duì)的第一存儲(chǔ)串和第二存儲(chǔ)串。
[0118]在具有第二結(jié)構(gòu)的某存儲(chǔ)區(qū)塊BLKj中，沿著第一溝道層疊的存儲(chǔ)器單元，例如至少一個(gè)源極選擇柵和至少一個(gè)漏極選擇柵，形成第一存儲(chǔ)串STl。沿著第二溝道層疊的存儲(chǔ)器單元，例如至少一個(gè)源極選擇柵和至少一個(gè)漏極選擇柵，形成第二存儲(chǔ)串ST2。
[0119]第一存儲(chǔ)串STl和第二存儲(chǔ)串ST2與相同漏極選擇線(xiàn)DSL和相同源極選擇線(xiàn)SSL電耦接。第一存儲(chǔ)串STl與第一位線(xiàn)BLl電耦接，以及第二存儲(chǔ)串ST2與第二位線(xiàn)BL2電耦接。
[0120]在圖11中描述了第一存儲(chǔ)串STI和第二存儲(chǔ)串ST2與相同漏極選擇線(xiàn)DSL和相同源極選擇線(xiàn)SSL電耦接。然而，在另一個(gè)實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)串STl和第二存儲(chǔ)串ST2與相同源極選擇線(xiàn)SSL和相同位線(xiàn)BL電耦接，以及第一存儲(chǔ)串STl與第一漏極選擇線(xiàn)DSLl電耦接，而第二存儲(chǔ)串ST2與第二漏極選擇線(xiàn)DSL2電耦接。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)串STl和第二存儲(chǔ)串ST2與相同漏極選擇線(xiàn)DSL和相同位線(xiàn)BL電耦接，以及第一存儲(chǔ)串STl與第一源極選擇線(xiàn)SSLl電耦接，以及第二存儲(chǔ)串ST2與第二源極選擇線(xiàn)SSL2電耦接。
[0121]在下文中，將參照?qǐng)D至圖15描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理操作。
[0122]圖12至圖14是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理操作的框圖。為了便于描述，將示例性地描述圖2中所示的存儲(chǔ)器件150中的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的壞區(qū)塊管理。另外，控制器130可以如上所述執(zhí)行存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理操作。然而，在另一個(gè)實(shí)施例中，處理器134或者包括在處理器134中的管理單元可以執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作。
[0123]參見(jiàn)圖12，控制器130通過(guò)將包括在存儲(chǔ)器件150的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的多個(gè)字線(xiàn)分組成預(yù)定數(shù)目個(gè)字線(xiàn)來(lái)設(shè)定字線(xiàn)區(qū)。如圖12中所示，在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊900可以包括多個(gè)頁(yè)。多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)包括與多個(gè)字線(xiàn)WLO至WL15耦接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。例如，控制器150將第一字線(xiàn)WLO至第四字線(xiàn)WL3設(shè)定成第一字線(xiàn)區(qū)902，將第五字線(xiàn)WL4至第八字線(xiàn)WL7設(shè)定成第二字線(xiàn)區(qū)904，將第九字線(xiàn)WL8至第十二字線(xiàn)WLll設(shè)定成第三字線(xiàn)區(qū)906，以及將第十三字線(xiàn)WL12至第十六字線(xiàn)WL15設(shè)定成第四字線(xiàn)區(qū)908。
[0124]控制器130儲(chǔ)存表930以執(zhí)行存儲(chǔ)器144中的壞區(qū)塊管理。表930可以是儲(chǔ)存有寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊900的字線(xiàn)區(qū)902、904、906和908的信息的壞字線(xiàn)區(qū)位圖表。寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊900可以包括字線(xiàn)區(qū)902、904、906和908中的每個(gè)的位圖信息932、934、936和938，并且執(zhí)行寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊900的字線(xiàn)區(qū)902、904、906和908的壞區(qū)塊管理?？刂破?50基于包括在表930中的位圖信息932、934、936和938，檢查字線(xiàn)區(qū)902、904、906和908中的每個(gè)的壞字線(xiàn)區(qū)。
[0125]S卩，控制器130(見(jiàn)圖1)基于第一位圖信息932來(lái)檢查第一字線(xiàn)區(qū)902是否為壞字線(xiàn)區(qū)，基于第二位圖信息934來(lái)檢查第二字線(xiàn)區(qū)904是否為壞字線(xiàn)區(qū)，基于第三位圖信息936來(lái)檢查第三字線(xiàn)區(qū)906是否為壞字線(xiàn)區(qū)，以及基于第四位圖信息938來(lái)檢查第四字線(xiàn)區(qū)908是否為壞字線(xiàn)區(qū)。然后，控制器130執(zhí)行壞區(qū)塊管理。
[0126]如圖14中所示，針對(duì)包括在存儲(chǔ)器件150的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的字線(xiàn)區(qū)的信息被儲(chǔ)存在第一表中。如果壞字線(xiàn)區(qū)的位圖表1160的總尺寸大，則位圖表1160可以被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中，例如NAND快閃存儲(chǔ)器中。參見(jiàn)圖1。
[0127]此外，控制器130將具有針對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的特定存儲(chǔ)區(qū)塊的字線(xiàn)區(qū)的信息的第二表1110儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器144中。參見(jiàn)圖1。例如，控制器130將壞字線(xiàn)區(qū)的位圖表1162儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器144(諸如，SRAM)上的第二表中，以在從NAND快閃存儲(chǔ)器1150中的位圖表1160獲取用于壞字線(xiàn)區(qū)的位圖信息之后執(zhí)行壞區(qū)塊管理?？刂破?30基于包括在第二表1110中的位圖信息，檢查多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的特定存儲(chǔ)區(qū)塊的字線(xiàn)區(qū)的壞字線(xiàn)區(qū)。
[0128]在下文中，將參照?qǐng)D13描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的與壞字線(xiàn)區(qū)和數(shù)據(jù)寫(xiě)入失敗相對(duì)應(yīng)的壞區(qū)塊管理操作。
[0129]參見(jiàn)圖13，如上所述，控制器130通過(guò)將包括在存儲(chǔ)器件150的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的多個(gè)字線(xiàn)分組成預(yù)定數(shù)目個(gè)字線(xiàn)來(lái)設(shè)定字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行壞區(qū)塊管理。在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000包括多個(gè)頁(yè)。多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)包括與多個(gè)字線(xiàn)WLO至WL15耦接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。為了執(zhí)行壞區(qū)塊管理，控制器130通過(guò)將多個(gè)字線(xiàn)分組來(lái)設(shè)定字線(xiàn)區(qū)。例如，控制器130將第一字線(xiàn)WLO至第四字線(xiàn)WL3設(shè)定成第一字線(xiàn)區(qū)1010，將第五字線(xiàn)WL4至第八字線(xiàn)WL7設(shè)定成第二字線(xiàn)區(qū)1020，將第九字線(xiàn)WL8至第十二字線(xiàn)WLll設(shè)定成第三字線(xiàn)區(qū)1030，以及將第十三字線(xiàn)WL12至第十六字線(xiàn)WL15設(shè)定成第四字線(xiàn)區(qū)1040。
[0130]當(dāng)?shù)谝蛔志€(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040處于寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000中時(shí)，對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元通過(guò)每個(gè)字線(xiàn)被包括在第一字線(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040中。例如，第一存儲(chǔ)器單元至第四存儲(chǔ)器單元1018、1016、1014和1012包括在第一字線(xiàn)區(qū)1010中，第五存儲(chǔ)器單元至第八存儲(chǔ)器單元1028、1026、1024和1022包括在第二字線(xiàn)區(qū)域1020中，第九存儲(chǔ)器單元至第十二存儲(chǔ)器單元1038、1036、1034和1032包括在第三字線(xiàn)區(qū)1030中，以及第十三存儲(chǔ)器單元至第十六存儲(chǔ)器單元1048、1046、1044和1042包括在第四字線(xiàn)區(qū)1040中。
[0131]控制器130將用于執(zhí)行壞區(qū)塊管理的表1050儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器144中。表1050可以是壞字線(xiàn)區(qū)的位圖表，其具有針對(duì)寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000的第一字線(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040的信息。第一字線(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040中的每個(gè)的位圖信息包括在表1050中，使得控制器130執(zhí)行用于寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000的第一字線(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040的壞區(qū)塊管理?？刂破?30基于包括在表1050中的位圖信息，檢查第一字線(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040中的每個(gè)的壞字線(xiàn)區(qū)。
[0132]S卩，控制器130基于第一位圖信息來(lái)檢查第一字線(xiàn)區(qū)1010是否為壞字線(xiàn)區(qū)，基于第二位圖信息來(lái)檢查第二字線(xiàn)區(qū)1020是否為壞字線(xiàn)區(qū)，基于第三位圖信息來(lái)檢查第三字線(xiàn)區(qū)1030是否為壞字線(xiàn)區(qū)，以及基于第四位圖信息來(lái)檢查第四字線(xiàn)區(qū)1040是否為壞字線(xiàn)區(qū)。
[0133]控制器130在基于包括在表1050中的位圖信息1052、1054、1056和1058檢查第一字線(xiàn)區(qū)至第四字線(xiàn)區(qū)1010、1020、1030和1040中的每個(gè)的壞字線(xiàn)區(qū)之后執(zhí)行壞區(qū)塊管理。
[0134]例如，如圖3中所示，由于第四字線(xiàn)區(qū)1040是正常字線(xiàn)區(qū)，所以控制器130檢查第四字線(xiàn)區(qū)1040是否為壞字線(xiàn)區(qū)，以及將數(shù)據(jù)寫(xiě)到第十三存儲(chǔ)器單元1048、第十四存儲(chǔ)器單元1046、第十五存儲(chǔ)器單元1044和第十六存儲(chǔ)器單元1042上。
[0135]控制器130基于第三位圖信息1056來(lái)檢查第三字線(xiàn)區(qū)1030是否為壞字線(xiàn)區(qū)，并且當(dāng)確定出第三字線(xiàn)區(qū)1030為壞字線(xiàn)區(qū)時(shí)執(zhí)行用于第三字線(xiàn)區(qū)1030的壞區(qū)塊管理。第三字線(xiàn)區(qū)為在第四字線(xiàn)區(qū)之后后續(xù)數(shù)據(jù)應(yīng)要寫(xiě)入的區(qū)。即，控制器130基于第二位圖信息1054來(lái)檢查第二字線(xiàn)區(qū)1020是否為壞字線(xiàn)區(qū)，以確定應(yīng)寫(xiě)入第三字線(xiàn)區(qū)1030中但是由于第三字線(xiàn)區(qū)1030被確定為壞字線(xiàn)區(qū)而未寫(xiě)入第三字線(xiàn)區(qū)1030中的數(shù)據(jù)，是否取而代之可以被寫(xiě)入第二字線(xiàn)區(qū)1020中。第二字線(xiàn)區(qū)是在第三字線(xiàn)區(qū)之后接下來(lái)的數(shù)據(jù)應(yīng)寫(xiě)入的區(qū)。由于第三字線(xiàn)區(qū)1030是壞字線(xiàn)區(qū)，所以可以示例性地描述包括在與第三字線(xiàn)區(qū)1030的存儲(chǔ)區(qū)塊相同的存儲(chǔ)區(qū)塊中的寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000的第二字線(xiàn)區(qū)1020。然而，要寫(xiě)入第三字線(xiàn)區(qū)1030中的數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)入包括在相同存儲(chǔ)區(qū)塊1000中的除了寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000的第三字線(xiàn)區(qū)1030之外的任何正常字線(xiàn)區(qū)中。因而，控制器130檢查包括在該存儲(chǔ)區(qū)塊中的除了寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000的第三字線(xiàn)區(qū)1030之外的字線(xiàn)區(qū)是否為壞字線(xiàn)區(qū)。如果包括在該存儲(chǔ)區(qū)塊中的字線(xiàn)區(qū)為正常字線(xiàn)區(qū)，則取而代之將應(yīng)寫(xiě)入第三字線(xiàn)區(qū)1030中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入包括在該存儲(chǔ)區(qū)塊1000中的正常字線(xiàn)區(qū)中。
[0136]當(dāng)?shù)诙志€(xiàn)區(qū)1030被確定為正常字線(xiàn)區(qū)時(shí)，控制器130將數(shù)據(jù)寫(xiě)到包括在第二字線(xiàn)區(qū)1020中的第五存儲(chǔ)器單元至第八存儲(chǔ)器單元1028、1026、1024和1022上。如果數(shù)據(jù)被成功地寫(xiě)入包括在第二字線(xiàn)區(qū)1020中的第六存儲(chǔ)器單元至第八存儲(chǔ)器單元1026、1024和1022中，而不是寫(xiě)入第五存儲(chǔ)器單元1028中，則控制器130對(duì)成功寫(xiě)入數(shù)據(jù)的第六存儲(chǔ)器單元至第八存儲(chǔ)器單元1026、1024和1022以及未寫(xiě)入數(shù)據(jù)的第五存儲(chǔ)器單元1028進(jìn)行檢查。然后，控制器130將具有發(fā)生數(shù)據(jù)寫(xiě)入失敗的存儲(chǔ)器單元的第二字線(xiàn)區(qū)1020標(biāo)記為壞字線(xiàn)區(qū)，并且執(zhí)行用于第二字線(xiàn)區(qū)1020的壞區(qū)塊管理。
[0137]因而，當(dāng)?shù)谌志€(xiàn)區(qū)1030被發(fā)現(xiàn)為壞字線(xiàn)區(qū)，并且第二字線(xiàn)區(qū)1020也被發(fā)現(xiàn)具有(多個(gè))壞的或缺陷字線(xiàn)時(shí)，控制器130基于第一位圖信息1052來(lái)檢查第一字線(xiàn)區(qū)1010是否為壞字線(xiàn)區(qū)。
[0138]如果第一字線(xiàn)區(qū)1010被發(fā)現(xiàn)為正常字線(xiàn)區(qū)，則控制器130可以將應(yīng)寫(xiě)入第三字線(xiàn)區(qū)1030中的數(shù)據(jù)寫(xiě)到包括在第一字線(xiàn)區(qū)1010中的第一存儲(chǔ)器單元至第四存儲(chǔ)器單元1018、1016、1014和1012上?？刂破?30將寫(xiě)入在第二字線(xiàn)區(qū)1020中的第六存儲(chǔ)器單元至第八存儲(chǔ)器單元1026、1024和1022中的數(shù)據(jù)移動(dòng)并重新寫(xiě)入第一字線(xiàn)區(qū)1010的存儲(chǔ)器單元。具體地，控制器130將寫(xiě)到第二字線(xiàn)區(qū)1020的第八存儲(chǔ)器單元1022上的數(shù)據(jù)移動(dòng)并重新寫(xiě)入第一字線(xiàn)區(qū)1010的第四存儲(chǔ)器單元1012，將寫(xiě)到第二字線(xiàn)區(qū)1020的第七存儲(chǔ)器單元1024上的數(shù)據(jù)移動(dòng)并重新寫(xiě)入第一字線(xiàn)區(qū)1010的第三存儲(chǔ)器單元1014，以及將寫(xiě)到第二字線(xiàn)區(qū)1020的第六存儲(chǔ)器單元1026上的數(shù)據(jù)移動(dòng)并重新寫(xiě)入第一字線(xiàn)區(qū)1010的第二存儲(chǔ)器單元1016。
[0139]為了便于描述，在以上實(shí)施例中，被發(fā)現(xiàn)為壞字線(xiàn)區(qū)的第二字線(xiàn)區(qū)1020，與被發(fā)現(xiàn)為正常字線(xiàn)區(qū)并且被選中作為替換字線(xiàn)區(qū)的第一字線(xiàn)區(qū)1010包括在相同存儲(chǔ)區(qū)塊1000中。然而，在另一個(gè)實(shí)施例中，替換字線(xiàn)區(qū)可以選自與壞的或缺陷的第二字線(xiàn)區(qū)1020所屬的存儲(chǔ)區(qū)塊1000不同的存儲(chǔ)區(qū)塊。因而，控制器130檢查包括在存儲(chǔ)區(qū)塊中的新字線(xiàn)區(qū)是否與寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000不同，以看出新字線(xiàn)區(qū)是否為壞字線(xiàn)區(qū)。如果包括在與寫(xiě)入?yún)^(qū)塊1000不同的存儲(chǔ)區(qū)塊中的字線(xiàn)區(qū)為正常字線(xiàn)區(qū)，則寫(xiě)入在第二字線(xiàn)區(qū)1020的第六存儲(chǔ)器單元至第八存儲(chǔ)器單元1026、1024和1022中的數(shù)據(jù)被移動(dòng)且再次寫(xiě)入包括在與寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)塊1000不同的存儲(chǔ)區(qū)塊中的新字線(xiàn)區(qū)中。
[0140]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)執(zhí)行把包括在多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)中的多個(gè)字線(xiàn)分組成字線(xiàn)區(qū)，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊包括在存儲(chǔ)器件150中。存儲(chǔ)系統(tǒng)針對(duì)字線(xiàn)區(qū)執(zhí)行壞區(qū)塊管理。即，存儲(chǔ)系統(tǒng)通過(guò)下面步驟來(lái)執(zhí)行壞區(qū)塊管理:基于壞字線(xiàn)的位圖表來(lái)從字線(xiàn)區(qū)中檢查壞字線(xiàn)區(qū)，在字線(xiàn)區(qū)的存儲(chǔ)器單元中檢查數(shù)據(jù)寫(xiě)入是否失敗，以及將應(yīng)寫(xiě)到壞字線(xiàn)區(qū)上的數(shù)據(jù)再次寫(xiě)入替換的正常字線(xiàn)區(qū)。
[0141]在下文中，將參照?qǐng)D15中的流程圖描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理的操作。
[0142]圖15是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的壞區(qū)塊管理的過(guò)程的流程圖。
[0143]參見(jiàn)圖15，在步驟S1210，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)通過(guò)將與包括在存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)頁(yè)的存儲(chǔ)器單元耦接的多個(gè)字線(xiàn)分組，來(lái)設(shè)定多個(gè)字線(xiàn)區(qū)。
[0144]在步驟S1220，基于與壞區(qū)塊管理相對(duì)應(yīng)的表的位圖信息來(lái)檢查字線(xiàn)區(qū)的壞字線(xiàn)區(qū)。
[0145]在步驟S1230，數(shù)據(jù)被寫(xiě)入正常字線(xiàn)區(qū)，而不是壞字線(xiàn)區(qū)。即，把應(yīng)寫(xiě)入壞字線(xiàn)區(qū)中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入正常字線(xiàn)區(qū)，而不是壞字線(xiàn)區(qū)。正常字線(xiàn)區(qū)選自在經(jīng)受壞區(qū)塊管理操作的次序中在壞字線(xiàn)區(qū)后面的字線(xiàn)區(qū)。通過(guò)把后續(xù)的正常字線(xiàn)區(qū)用作壞字線(xiàn)區(qū)的替換，來(lái)執(zhí)行壞字線(xiàn)區(qū)的過(guò)程，即壞字線(xiàn)區(qū)的壞管理或壞區(qū)塊管理。
[0146]在步驟S1240，確定在新選中的正常字線(xiàn)區(qū)中包括的任何存儲(chǔ)器單元中是否發(fā)生數(shù)據(jù)寫(xiě)入失敗。當(dāng)確定出字線(xiàn)區(qū)包括具有數(shù)據(jù)寫(xiě)入失敗的存儲(chǔ)器單元時(shí)，將字線(xiàn)區(qū)標(biāo)記為壞字線(xiàn)區(qū)。
[0147]在步驟S1250，包括具有數(shù)據(jù)寫(xiě)入失敗的存儲(chǔ)器單元的壞字線(xiàn)區(qū)被標(biāo)記為壞字線(xiàn)區(qū)，并且經(jīng)受壞字線(xiàn)區(qū)管理。即，應(yīng)被寫(xiě)入在壞字線(xiàn)區(qū)中的具有數(shù)據(jù)寫(xiě)入成功的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)，被寫(xiě)入新的正常字線(xiàn)區(qū)的存儲(chǔ)器單元中。新的正常字線(xiàn)區(qū)選自在經(jīng)受壞區(qū)塊管理操作的次序中在壞字線(xiàn)區(qū)后面的字線(xiàn)區(qū)。以這種方式，執(zhí)行用于包括具有數(shù)據(jù)寫(xiě)入失敗的存儲(chǔ)器單元的字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理。
[0148]通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例可以看出，本發(fā)明提供了下面技術(shù)方案:
[0149]1.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括:
[0150]存儲(chǔ)器件，其包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)包括多個(gè)頁(yè)，其中，所述多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，以及其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元與多個(gè)字線(xiàn)耦接；以及
[0151 ] 控制器，其適于將所述多個(gè)字線(xiàn)分組成N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)，其中，N是等于或大于2的整數(shù)，
[0152]其中，所述字線(xiàn)區(qū)中的每個(gè)包括M數(shù)目個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中，M是等于或大于2的整數(shù)，以及
[0153]其中，所述控制器逐字線(xiàn)區(qū)地執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作。
[0154]2.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器儲(chǔ)存具有針對(duì)所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的表，利用儲(chǔ)存在所述表中的所述位圖信息在所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)之中檢查是否存在壞字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的所述壞區(qū)塊管理操作。
[0155]3.如技術(shù)方案2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器通過(guò)將應(yīng)寫(xiě)到所述壞字線(xiàn)區(qū)上的數(shù)據(jù)寫(xiě)到選自所述多個(gè)字線(xiàn)區(qū)的新字線(xiàn)區(qū)上來(lái)執(zhí)行所述壞區(qū)塊管理操作。
[0156]4.如技術(shù)方案3所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，基于由所述控制器執(zhí)行的檢查操作的次序，所述新字線(xiàn)區(qū)在所述壞字線(xiàn)區(qū)之后。
[0157]5.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器檢查第一存儲(chǔ)器單元數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作是否失敗，以及將包括所述第一存儲(chǔ)器單元的第一字線(xiàn)區(qū)識(shí)別為所述壞字線(xiàn)區(qū)。
[0158]6.如技術(shù)方案5所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的所述壞區(qū)塊管理操作。
[0159]7.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器檢查第二存儲(chǔ)器單元在所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作中是否成功，并且將應(yīng)寫(xiě)到所述第一存儲(chǔ)器單元上的數(shù)據(jù)寫(xiě)到所述第二存儲(chǔ)器單元上，
[0160]其中，所述第二存儲(chǔ)器單元包括在與所述第一字線(xiàn)區(qū)不同的第二字線(xiàn)區(qū)中。
[0161]8.如技術(shù)方案7所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，基于由所述控制器執(zhí)行的檢查操作的次序，所述第二字線(xiàn)區(qū)在所述第一字線(xiàn)區(qū)之后。
[0162]9.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)器件儲(chǔ)存包括針對(duì)在所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中包括的字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的第一表，以及
[0163]其中，所述控制器儲(chǔ)存包括針對(duì)在所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的特定存儲(chǔ)區(qū)塊中包括的字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的第二表。
[0164]10.如技術(shù)方案9所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器從所述存儲(chǔ)器件獲取所述第一表的部分，并且將所述第一表的所述部分儲(chǔ)存為所述第二表。
[0165]11.如技術(shù)方案9所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器基于包括在所述第二表中的所述位圖信息來(lái)檢查在所述特定存儲(chǔ)區(qū)塊的字線(xiàn)區(qū)之中是否存在壞字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的所述壞區(qū)塊管理操作。
[0166]12.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，包括:
[0167]提供包括多個(gè)字線(xiàn)的第一存儲(chǔ)區(qū)塊，
[0168]將所述多個(gè)字線(xiàn)分組成N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)，其中，N是等于或大于2的整數(shù)，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元與所述多個(gè)字線(xiàn)中的每個(gè)耦接；
[0169]檢查選自所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第一字線(xiàn)區(qū)是否為壞字線(xiàn)區(qū)；以及
[0170]執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
[0171]13.如技術(shù)方案12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，檢查所述第一字線(xiàn)區(qū)包括:
[0172]基于包括針對(duì)所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的表來(lái)檢查所述第一字線(xiàn)區(qū)。
[0173]14.如技術(shù)方案13所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，執(zhí)行所述壞區(qū)塊管理操作包括:
[0174]將應(yīng)寫(xiě)到所述第一字線(xiàn)區(qū)上的第一數(shù)據(jù)寫(xiě)到第二字線(xiàn)區(qū)上，
[0175]其中，所述第二字線(xiàn)區(qū)是正常字線(xiàn)區(qū)。
[0176]15.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，基于所述檢查操作的次序，所述第二字線(xiàn)區(qū)在所述第一字線(xiàn)區(qū)之后。
[0177]16.如技術(shù)方案12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，檢查所述第一字線(xiàn)區(qū)包括:
[0178]檢查包括在所述第一字線(xiàn)區(qū)中的存儲(chǔ)器單元數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作是否失敗，以及
[0179]將包括所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作失敗的所述存儲(chǔ)器單元的所述第一字線(xiàn)區(qū)識(shí)別為所述壞字線(xiàn)區(qū)。
[0180]17.如技術(shù)方案12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，執(zhí)行所述壞區(qū)塊管理操作包括:
[0181]檢查包括在第二字線(xiàn)區(qū)中的第二存儲(chǔ)器單元在數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作中是否成功，以及
[0182]將應(yīng)寫(xiě)到包括在所述第一字線(xiàn)區(qū)中的第一存儲(chǔ)器單元上的第一數(shù)據(jù)，寫(xiě)到包括在所述第二字線(xiàn)區(qū)中的所述第二存儲(chǔ)器單元上。
[0183]18.如技術(shù)方案17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，基于所述檢查操作的次序，所述第二字線(xiàn)區(qū)在所述壞字線(xiàn)區(qū)之后。
[0184]19.如技術(shù)方案12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，檢查所述第一字線(xiàn)區(qū)包括:
[0185]將第一表儲(chǔ)存在所述存儲(chǔ)系統(tǒng)中，
[0186]從所述存儲(chǔ)系統(tǒng)獲取所述第一表的部分，并且將獲取的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存為第二表，以及
[0187]基于包括在所述第二表中的位圖信息來(lái)檢查所述第一字線(xiàn)區(qū)是否為所述壞字線(xiàn)區(qū)。
[0188]20.如技術(shù)方案19所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，其中，所述第一表包括:針對(duì)包括在所述第一存儲(chǔ)區(qū)塊中的所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第一位圖信息，以及針對(duì)包括在第二存儲(chǔ)區(qū)塊中的L數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第二位圖信息，其中，L是等于或大于2的整數(shù)，以及
[0189]其中，所述第二表包括所述第一位圖信息，但是不包括所述第二位圖信息。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括: 存儲(chǔ)器件，其包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的每個(gè)包括多個(gè)頁(yè)，其中，所述多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，以及其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元與多個(gè)字線(xiàn)耦接；以及 控制器，其適于將所述多個(gè)字線(xiàn)分組成N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)，其中，N是等于或大于2的整數(shù)， 其中，所述字線(xiàn)區(qū)中的每個(gè)包括M數(shù)目個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中，M是等于或大于2的整數(shù)，以及 其中，所述控制器逐字線(xiàn)區(qū)地執(zhí)行壞區(qū)塊管理操作。2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器儲(chǔ)存具有針對(duì)所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的表，利用儲(chǔ)存在所述表中的所述位圖信息在所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)之中檢查是否存在壞字線(xiàn)區(qū)，以及執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的所述壞區(qū)塊管理操作。3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器通過(guò)將應(yīng)寫(xiě)到所述壞字線(xiàn)區(qū)上的數(shù)據(jù)寫(xiě)到選自所述多個(gè)字線(xiàn)區(qū)的新字線(xiàn)區(qū)上來(lái)執(zhí)行所述壞區(qū)塊管理操作。4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，基于由所述控制器執(zhí)行的檢查操作的次序，所述新字線(xiàn)區(qū)在所述壞字線(xiàn)區(qū)之后。5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器檢查第一存儲(chǔ)器單元數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作是否失敗，以及將包括所述第一存儲(chǔ)器單元的第一字線(xiàn)區(qū)識(shí)別為所述壞字線(xiàn)區(qū)。6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的所述壞區(qū)塊管理操作。7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述控制器檢查第二存儲(chǔ)器單元在所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作中是否成功，并且將應(yīng)寫(xiě)到所述第一存儲(chǔ)器單元上的數(shù)據(jù)寫(xiě)到所述第二存儲(chǔ)器單元上， 其中，所述第二存儲(chǔ)器單元包括在與所述第一字線(xiàn)區(qū)不同的第二字線(xiàn)區(qū)中。8.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，基于由所述控制器執(zhí)行的檢查操作的次序，所述第二字線(xiàn)區(qū)在所述第一字線(xiàn)區(qū)之后。9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)器件儲(chǔ)存包括針對(duì)在所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中包括的字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的第一表，以及 其中，所述控制器儲(chǔ)存包括針對(duì)在所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中的特定存儲(chǔ)區(qū)塊中包括的字線(xiàn)區(qū)的位圖信息的第二表。10.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，包括: 提供包括多個(gè)字線(xiàn)的第一存儲(chǔ)區(qū)塊， 將所述多個(gè)字線(xiàn)分組成N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)，其中，N是等于或大于2的整數(shù)，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元與所述多個(gè)字線(xiàn)中的每個(gè)耦接； 檢查選自所述N數(shù)目個(gè)字線(xiàn)區(qū)的第一字線(xiàn)區(qū)是否為壞字線(xiàn)區(qū)；以及 執(zhí)行用于所述壞字線(xiàn)區(qū)的壞區(qū)塊管理操作。
【文檔編號(hào)】G06F11/22GK105988938SQ201510065525
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月9日
【發(fā)明人】邊諭俊
【申請(qǐng)人】愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司