光動能指紋識別模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光動能指紋識別模塊，其包括至少一發(fā)光單元以及半導(dǎo)體感光陣列。發(fā)光單元用以發(fā)出感測光束至手指，手指及指紋將感測光束反射為信號光束。半導(dǎo)體感光陣列包括多個排成陣列的半導(dǎo)體感光單元，這些半導(dǎo)體感光單元用以接收自手指反射回來的信號光束并產(chǎn)生多個電信號。每個半導(dǎo)體感光單元自靠近手指的一側(cè)依次包括有抗反射結(jié)構(gòu)、第一型摻雜半導(dǎo)體層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層。第一型摻雜半導(dǎo)體層堆疊于抗反射結(jié)構(gòu)及第二型摻雜半導(dǎo)體層之間。本發(fā)明提供的光動能指紋識別模塊具有簡單的構(gòu)造及較高的靈敏度。
【專利說明】
光動能指紋識別模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種指紋識別模塊，且特別是有關(guān)于一種光動能指紋識別模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]在以往的身份識別技術(shù)中，指紋識別的方法例如是利用將手指按壓墨水后轉(zhuǎn)印到紙張上形成指紋圖形，接著再利用光學(xué)掃描輸入電腦作建檔或比對。上述的指紋識別方法具有無法即時處理的缺點，也無法符合現(xiàn)今社會中對于即時身份認(rèn)證的需求。因此，電子指紋感應(yīng)裝置成為了目前科技發(fā)展的主流之一。
[0003]現(xiàn)有的電子指紋感應(yīng)裝置中，例如有電容式指紋感測裝置，其利用集成電路來感應(yīng)手指碰觸一感測區(qū)時，所述感測區(qū)的電容值差異，進(jìn)而通過電容值差異來輸出對應(yīng)的指紋信號。然而，上述電容式指紋感測裝置需要精準(zhǔn)控制感測區(qū)上每一點的電容值，因此感測區(qū)上例如是電極等電子元件的配置密度及精準(zhǔn)度也隨之提高，進(jìn)而提升了制作難度及成本。另一方面，為了要讓正負(fù)電極之間形成電容，電容式指紋感測裝置往往也需要額外增加正電極及負(fù)電極之間的間距，進(jìn)而增加了電容式指紋感測裝置的體積及厚度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種光動能指紋識別模塊，其具有簡單的構(gòu)造及較高的靈敏度。
[0005]本發(fā)明的實施例的用以檢測手指的指紋的光動能指紋識別模塊包括至少一發(fā)光單元以及半導(dǎo)體感光陣列。發(fā)光單元用以發(fā)出感測光束至手指，手指及指紋將感測光束反射為信號光束。半導(dǎo)體感光陣列包括多個排成陣列的半導(dǎo)體感光單元，這些半導(dǎo)體感光單元用以接收自手指反射回來的信號光束并產(chǎn)生多個電信號。每個半導(dǎo)體感光單元自靠近手指的一側(cè)依次包括有抗反射結(jié)構(gòu)、第一型摻雜半導(dǎo)體層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層。第一型摻雜半導(dǎo)體層堆疊于抗反射結(jié)構(gòu)及第二型摻雜半導(dǎo)體層之間。
[0006]在本發(fā)明的實施例中，上述的光動能指紋識別模塊還包括基板。發(fā)光單元及半導(dǎo)體感光陣列配置于基板的表面上，且半導(dǎo)體感光陣列位于手指及基板之間。
[0007]在本發(fā)明的實施例中，上述的基板的表面包括感測區(qū)域以及至少一發(fā)光區(qū)域，且至少一發(fā)光區(qū)域位于感測區(qū)域旁。這些半導(dǎo)體感光單元排列于感測區(qū)域中，發(fā)光單元配置于發(fā)光區(qū)域中。
[0008]在本發(fā)明的實施例中，上述的至少一發(fā)光區(qū)域為多個發(fā)光區(qū)域，至少一發(fā)光單元為多個發(fā)光單元。這些發(fā)光區(qū)域位于感測區(qū)域的周邊區(qū)域。
[0009]在本發(fā)明的實施例中，上述的感測區(qū)域具有矩形外型，且感測區(qū)域的每一邊長大于等于4毫米(millimeter ;簡稱mm)。
[0010]在本發(fā)明的實施例中，上述的發(fā)光單元沿著垂直于表面的方向發(fā)出光束。
[0011]在本發(fā)明的實施例中，上述的發(fā)光單元沿著傾斜于表面的方向發(fā)出光束。
[0012]在本發(fā)明的實施例中，上述的抗反射結(jié)構(gòu)為抗反射層，且感測面位于抗反射層背對基板的一側(cè)。
[0013]在本發(fā)明的實施例中，每個上述的半導(dǎo)體感光單元的抗反射結(jié)構(gòu)為至少一光學(xué)微結(jié)構(gòu)。
[0014]在本發(fā)明的實施例中，上述的發(fā)光單元與這些半導(dǎo)體感光單元的最短距離小于等于20毫米。
[0015]在本發(fā)明的實施例中，上述的半導(dǎo)體感光陣列還包括多個第一電極以及一第二電極。每個第一電極電性連接這些半導(dǎo)體感光單元的其中之一的第一型摻雜半導(dǎo)體層，第二電極電性連接這些第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中這些第一電極用以傳輸這些電信號。
[0016]在本發(fā)明的實施例中，上述的這些半導(dǎo)體感光單元適于感測目標(biāo)光束，目標(biāo)光束的波長位于特定波段，特定波段包括感測光束的波長。
[0017]在本發(fā)明的實施例中，上述的特定波段的波長大于等于300納米(nanometer ;簡稱nm)并小于等于3微米(micrometer ;簡稱μπι)。
[0018]在本發(fā)明的實施例中，上述的光動能指紋識別模塊還包括至少一處理單元。處理單元電性連接這些半導(dǎo)體感光單元，并且將這些電信號轉(zhuǎn)換為至少一數(shù)字信號。
[0019]基于上述，本發(fā)明的實施例的光動能指紋識別模塊通過發(fā)光元件來發(fā)出感測光束照射手指，并通過半導(dǎo)體感光陣列來接收手指被感測光束照射后所反射回來的信號光束，進(jìn)而輸出對應(yīng)到上述指紋的電信號。上述的光動能指紋識別模塊因為利用半導(dǎo)體感光陣列來形成，因此可以通過薄化半導(dǎo)體感光陣列來使光動能指紋識別模塊的整體體積縮小。另一方面，上述的半導(dǎo)體感光陣列的半導(dǎo)體感測單元包括鄰近手指配置的抗反射層，因此可以通過抗反射層來提高半導(dǎo)體感測單元的進(jìn)光量，也就是提升半導(dǎo)體感測陣列對信號光束接收效率及靈敏度。
[0020]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的第一實施例的一種光動能指紋識別模塊的局部剖面圖；
[0022]圖2是本發(fā)明的第二實施例的一種光動能指紋識別模塊的局部剖面圖；
[0023]圖3是本發(fā)明的第三實施例的一種光動能指紋識別模塊的俯視圖及局部放大圖；
[0024]圖4是本發(fā)明的第四實施例的一種光動能指紋識別模塊的俯視圖。
[0025]附圖標(biāo)記說明:
[0026]Α、B、C、D:區(qū)域；
[0027]dl:厚度；
[0028]d2、d3:距離；
[0029]d4、d5、d6:邊長；
[0030]L1、L3:感測光束；
[0031]L2、L4:信號光束；
[0032]S1:電信號；
[0033]50:手指；
[0034]52:指紋；
[0035]100、100A、100B、10C:光動能指紋識別模塊；
[0036]110、110A、110B、110C:發(fā)光單元；
[0037]111、IllA:發(fā)光面；
[0038]112:透光封裝；
[0039]120、120A、120B、120C:半導(dǎo)體感光陣列；
[0040]130、130A、130B:半導(dǎo)體感光單元；
[0041]132、132A:抗反射結(jié)構(gòu)；
[0042]134、134A:第一型摻雜半導(dǎo)體層；
[0043]136、136A:第二型摻雜半導(dǎo)體層；
[0044]140、140A、140B、140C:基板；
[0045]141、141A、141B、141C:表面；
[0046]151、151A:第一電極；
[0047]152、152A:第二電極；
[0048]160B、160C:處理單元。
【具體實施方式】
[0049]圖1是本發(fā)明的第一實施例的一種光動能指紋識別模塊的局部剖面圖。請參照圖1，在本發(fā)明的第一實施例中，用以檢測手指50的指紋52的光動能指紋識別模塊100包括至少一發(fā)光單元110以及半導(dǎo)體感光陣列120。發(fā)光單元110用以發(fā)出感測光束LI至手指50，手指50及指紋52將感測光束LI反射為信號光束L2。上述信號光束L2并不限于圖1所示出的來自手指50表面的反射光束，還包括穿透手指50表面后經(jīng)手指50內(nèi)組織所反射的光束，圖1僅是示例性的示出其中一光束，其并非用以限定本發(fā)明。
[0050]請參照圖1，在本實施例中，半導(dǎo)體感光陣列120包括多個排成陣列的半導(dǎo)體感光單元130。為了清楚說明上述各元件的配置關(guān)系，圖1所示出的是這些半導(dǎo)體感光單元130的其中之一和發(fā)光單元110的示意圖，其并非用以限定本發(fā)明。半導(dǎo)體感光單元130用以接收自手指50反射回來的信號光束L2并產(chǎn)生電信號SI。半導(dǎo)體感光單元130自靠近手指50的一側(cè)依次包括有抗反射結(jié)構(gòu)132、第一型摻雜半導(dǎo)體層134以及第二型摻雜半導(dǎo)體層136。第一型摻雜半導(dǎo)體層134堆疊于抗反射結(jié)構(gòu)132及第二型摻雜半導(dǎo)體層136之間。因此，這些半導(dǎo)體感光單元130可以感測多個反射自手指50的信號光束L2，且這些信號光束L2會依據(jù)手指50內(nèi)部及指紋52各位置不同的結(jié)構(gòu)而具有不同的光能量特性，進(jìn)而使這些半導(dǎo)體感光單元130所輸出的這些電信號SI也帶有手指50及指紋52的信息。另一方面，抗反射結(jié)構(gòu)132可以輔助信號光束L2進(jìn)入半導(dǎo)體感光單元130，因此本實施例的發(fā)光單元110及半導(dǎo)體感光陣列120可以提供良好的指紋識別效果。
[0051]在本實施例中，半導(dǎo)體感光單元130的第一型摻雜半導(dǎo)體層134例如是摻雜η型摻質(zhì)的半導(dǎo)體材料，第二型摻雜半導(dǎo)體層136例如是摻雜P型摻質(zhì)的半導(dǎo)體材料。第一型摻雜半導(dǎo)體層134及第二型摻雜半導(dǎo)體層136的半導(dǎo)體材料可包括硅、硫化鎘(CdS)、銅銦鎵二砸(CuInGaSe2 ;簡稱CIGS)、銅銦二砸(CuInSe2 ;簡稱CIS)、碲化鎘(CdTe)、半導(dǎo)體有機(jī)材料(organic material)或上述材料堆疊的多層結(jié)構(gòu)。上述的娃包括單晶娃(singlecrystal silicon)、多晶石圭(polycrystal silicon)、非晶石圭(amorphous silicon)或是微晶娃(microcrystal silicon)。摻雜于半導(dǎo)體材料中的η型摻質(zhì)可以是選自元素周期表中的第五族元素，例如磷(P)、砷(As)或是銻(Sb)等等。摻雜于半導(dǎo)體材料中的P型摻質(zhì)可以是選自元素周期表中三族元素的群組，例如是硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)等等，本發(fā)明不限于此。也就是說，本實施例的半導(dǎo)體感光單元130是當(dāng)信號光束L2照射到第一型摻雜半導(dǎo)體層134及第二型摻雜半導(dǎo)體層136時，通過信號光束L2所提供的能量來產(chǎn)生光電流并形成電信號SI，因此所形成電信號SI會根據(jù)例如是信號光束L2的強(qiáng)度而改變。
[0052]詳細(xì)來說，在本實施例中，半導(dǎo)體感光陣列120還包括多個第一電極151以及第二電極152。每個第一電極151電性連接這些半導(dǎo)體感光單元130的其中之一的第一型摻雜半導(dǎo)體層134，第二電極152電性連接這些第二型摻雜半導(dǎo)體層136，其中這些第一電極151用以傳輸這些電信號SI。具體來說，第二電極152例如是接地電極，而第一電極151配合第二電極152來輔助第一型摻雜半導(dǎo)體層134及第二型摻雜半導(dǎo)體層136中被激發(fā)出的電子電洞的移動，并傳輸所述電子電洞所形成的光電流。
[0053]請參照圖1，在本實施例中，光動能指紋識別模塊100還包括基板140。發(fā)光單元110及半導(dǎo)體感光陣列120配置于基板140的表面141上，且半導(dǎo)體感光陣列120位于手指50及基板140之間。也就是說，本實施例的發(fā)光單元110與半導(dǎo)體感光陣列120位于相同平面上，且半導(dǎo)體感光陣列120中的半導(dǎo)體感光單元130垂直于表面141的厚度dl例如小于5000微米。在本發(fā)明的實施例中，半導(dǎo)體感光單元的厚度例如小于200微米。
[0054]另一方面，本實施例的發(fā)光單元110與這些半導(dǎo)體感光單元130的最短距離d2小于等于20毫米。因此，手指50在半導(dǎo)體感光陣列120上可以充分的被發(fā)光單元110所照射，而手指50及指紋52所反射的信號光束L2可以帶有更完整的信號，同時可以減少整體光動能指紋識別模塊100的體積。
[0055]在本實施例中，發(fā)光單元110具有發(fā)光面111，發(fā)光面111平行于表面141。也就是發(fā)光單元I1往垂直于表面141的方向發(fā)出感測光束LI。詳細(xì)來說，本實施例的發(fā)光單元110外還可以具有透光封裝112，感測光束LI通過透光封裝112的折射來形成良好的光源，但本發(fā)明不限于此。圖2是本發(fā)明的第二實施例的一種光動能指紋識別模塊的局部剖面圖。請參照圖2，在本發(fā)明的第二實施例中，發(fā)光單元IlOA的發(fā)光面IllA還可以是傾斜于表面141A設(shè)置，其中發(fā)光面IllA和表面141A的角度端視半導(dǎo)體感光陣列120A的大小來設(shè)計，進(jìn)而使感測光束L3更容易傳遞至手指50并反射出信號光束L4。因此，光動能指紋識別模塊100A可以提供良好的指紋識別功能。另一方面，由于發(fā)光單元IlOA與半導(dǎo)體感光單元130A的最短距離d3小于等于20毫米，因此本實施例的發(fā)光單元IlOA不但可以作為良好的光源，還可以減少整體光動能指紋識別模塊100A的體積。
[0056]另一方面，請參照圖1，在本發(fā)明的第一實施例中，半導(dǎo)體感光單元130的抗反射結(jié)構(gòu)132例如是多個光學(xué)微結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步來說，在本發(fā)明的第一實施例中，半導(dǎo)體感光單元130的抗反射結(jié)構(gòu)132例如是通過粗糙化第一型摻雜半導(dǎo)體層134的表面來形成的多個光學(xué)微結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不限于此。
[0057]請參照圖2，在本發(fā)明的第二實施例中，半導(dǎo)體感光單元130A的抗反射結(jié)構(gòu)132A例如是抗反射層。詳細(xì)來說，本實施例的半導(dǎo)體感光單元130A例如是自基板140A的表面141A依次堆疊第二電極152A、第二型摻雜半導(dǎo)體層136A、第一型摻雜半導(dǎo)體層134A、第一電極151A及抗反射結(jié)構(gòu)132A (亦即抗反射層)而成，其中抗反射結(jié)構(gòu)132A (亦即抗反射層)例如是多層抗反射鍍膜，但本發(fā)明不限于此。另一方面，本實施例的抗反射結(jié)構(gòu)132A(亦即抗反射層)例如是各自配置于這些半導(dǎo)體感光單元130A的多個抗反射結(jié)構(gòu)132A(亦即抗反射層)，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實施例中，抗反射層還可以是覆蓋全部半導(dǎo)體感光陣列120A的抗反射層，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的實施例中，第一電極與抗反射層的配置并不限于上述第一電極151A及抗反射結(jié)構(gòu)132A(亦即抗反射層)的配置方式，在本發(fā)明的其他實施例中，抗反射層還可以配置于第一型摻雜半導(dǎo)體層及第一電極之間。
[0058]在本發(fā)明上述的實施例中，半導(dǎo)體感光單元130、130A例如適于感測目標(biāo)光束，目標(biāo)光束的波長位于特定波段，特定波段包括感測光束L1、L3的波長。進(jìn)一步來說，在本發(fā)明的實施例中，特定波段的波長大于等于300納米并小于等于3微米。也就是說，上述的半導(dǎo)體感光單元130、130A例如主要是用以感測位于特定波段中的波長的光束，因此半導(dǎo)體感光單元130、130A可以針對信號光束L2、L4作感測，進(jìn)而提供良好的指紋識別效果。上述的發(fā)光單元110、IlOA例如是發(fā)光二極管(Light Emitting D1de ;簡稱LED)、激光發(fā)光二極管(Laser D1de ;簡稱 LD)或有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de ;簡稱OLED)，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實施例中，發(fā)光單元還可以根據(jù)半導(dǎo)體感光單元所感測的主要波段來使用適當(dāng)?shù)陌l(fā)光光源。另一方面，在本發(fā)明的實施例中，發(fā)光單元發(fā)出的光束例如是可見光、不可見光或具有單一波長的光，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的較佳實施例中，半導(dǎo)體感光單元用以接收300納米至3微米的電磁波信號。
[0059]圖3是本發(fā)明的第三實施例的一種光動能指紋識別模塊的俯視圖及局部放大圖。請參照圖3，在本發(fā)明的第三實施例中，基板140B的表面141B包括感測區(qū)域A以及二發(fā)光區(qū)域B，且發(fā)光區(qū)域B位于感測區(qū)域A的周邊區(qū)域。這些半導(dǎo)體感光單元130B排列于感測區(qū)域A中，也就是半導(dǎo)體感光陣列120B配置于感測區(qū)域A，而發(fā)光單元110B配置于發(fā)光區(qū)域B中。詳細(xì)來說，在本實施例中，發(fā)光區(qū)域B位于感測區(qū)域A的兩側(cè)，且這些發(fā)光單元110B配置于感測區(qū)域A的兩側(cè)。因此，當(dāng)例如是上述的手指50按壓于感測區(qū)域A時，這些發(fā)光單元110B發(fā)出的光可以更均勻地對手指50照射，進(jìn)而使光動能指紋識別模塊100B提供良好的指紋識別效果。
[0060]圖4是本發(fā)明的第四實施例的一種光動能指紋識別模塊的俯視圖。本發(fā)明的實施例并不限于上述感測區(qū)域A及發(fā)光區(qū)域B的配置。在本發(fā)明的第四實施例中，基板140C的表面141C上的發(fā)光區(qū)域D還可以圍繞感測區(qū)域C，且這些發(fā)光單元110C圍繞感測區(qū)域C，進(jìn)而使手指靠近感測區(qū)域C時可以被這些發(fā)光單元110C更均勻的照射，因此光動能指紋識別模塊100C可以提供良好的指紋識別效果。另一方面，本發(fā)明的實施例中的發(fā)光單元并不限于上述發(fā)光單元110、110A的發(fā)光面是平行于基板表面或傾斜于基板表面，在本發(fā)明的第四實施例中，發(fā)光單元110C的發(fā)光面還可以垂直于基板140C的表面141C，也就是以水平的方式在半導(dǎo)體感光陣列120C上照射光束，本發(fā)明不限于此。
[0061]更詳細(xì)來說，上述的感測區(qū)域A及感測區(qū)域C例如具有矩形外型。請參照圖3及圖4，在本實施例中，感測區(qū)域A及感測區(qū)域C例如具有正方形外型，且感測區(qū)域A的邊長d4及感測區(qū)域C的邊長d5大于等于4毫米，且這些半導(dǎo)體感測單元130B平行于表面141C的表面例如具有矩形外型，其每一邊長d6(請參照圖3)例如大于等于10微米并小于等于50微米，因此再搭配上述發(fā)光區(qū)域B或發(fā)光區(qū)域D的設(shè)計，都可以對手指作良好的指紋識另IJ，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的實施例中，感測區(qū)域還可以具有例如是長方形的矩形外型。在本發(fā)明的實施例中，感測區(qū)域的矩形外型的每一邊長大于等于4毫米且小于等于50公分。
[0062]請參照圖3，在本發(fā)明的第二實施例中，光動能指紋識別模塊100B還包括處理單元160B。處理單元160B電性連接這些半導(dǎo)體感光單元130B，并且將這些半導(dǎo)體感光單元130B所產(chǎn)生的電信號轉(zhuǎn)換為至少一數(shù)字信號，但本發(fā)明不限于此。請參照圖4，光動能指紋識別模塊100C還可以包括多個處理單元160C，對半導(dǎo)體感光陣列120C的這些半導(dǎo)體感光單元作分組的信號處理或個別對每個半導(dǎo)體感光單元作信號處理，本發(fā)明不限于此。本發(fā)明的實施例中，上述的處理單元例如包括一模-數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog digital converter)，通過模-數(shù)轉(zhuǎn)換器來形成至少一數(shù)字信號，且所述數(shù)字信號因為包括有指紋的信息，因此可以讓指紋識別的后端信號處理更加便利。
[0063]綜上所述，本發(fā)明的實施例的光動能指紋識別模塊通過發(fā)光元件來發(fā)出感測光束照射手指，并通過半導(dǎo)體感光陣列中多個半導(dǎo)體感光單元接收手指被感測光束照射后所反射回來的多個信號光束，進(jìn)而輸出對應(yīng)到上述指紋的電信號。由于上述的光動能指紋識別模塊的厚度取決于這些半導(dǎo)體感光單元的厚度，因此可以通過薄化半導(dǎo)體感光陣列的這些半導(dǎo)體感光單元來使光動能指紋識別模塊的整體厚度減少。同時，這些半導(dǎo)體感光單元具有抗反射層來輔助接收信號光束，也就是通過抗反射層來提高半導(dǎo)體感測單元的進(jìn)光量，并提升半導(dǎo)體感測陣列對信號光束接收效率，因此本發(fā)明的實施例的光動能指紋識別模塊可以提供高靈敏度的指紋識別效果。
[0064]最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種光動能指紋識別模塊，用以檢測手指的指紋，其特征在于，所述光動能指紋識別模塊包括: 至少一發(fā)光單元，所述發(fā)光單元用以發(fā)出感測光束至所述手指，所述手指及所述指紋將所述感測光束反射為信號光束；以及 半導(dǎo)體感光陣列，包括多個排成陣列的半導(dǎo)體感光單元，該些半導(dǎo)體感光單元用以接收自所述手指反射回來的信號光束并產(chǎn)生多個電信號，每個所述半導(dǎo)體感光單元自靠近所述手指的一側(cè)依次包括有抗反射結(jié)構(gòu)、第一型摻雜半導(dǎo)體層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，所述第一型摻雜半導(dǎo)體層堆疊于所述抗反射結(jié)構(gòu)及所述第二型摻雜半導(dǎo)體層之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，還包括基板，所述至少一發(fā)光單元及所述半導(dǎo)體感光陣列配置于所述基板的表面上，且所述半導(dǎo)體感光陣列位于所述手指及所述基板之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述基板的所述表面包括感測區(qū)域以及至少一發(fā)光區(qū)域，所述至少一發(fā)光區(qū)域位于所述感測區(qū)域旁，該些半導(dǎo)體感光單元排列于所述感測區(qū)域中，所述發(fā)光單元配置于所述發(fā)光區(qū)域中。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述至少一發(fā)光區(qū)域為多個發(fā)光區(qū)域，所述至少一發(fā)光單元為多個發(fā)光單元，該些發(fā)光區(qū)域位于所述感測區(qū)域的周邊區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述感測區(qū)域具有矩形外型，且所述感測區(qū)域的每一邊長大于等于4毫米。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述至少一發(fā)光單元具有發(fā)光面，所述發(fā)光面平行于所述表面。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述至少一發(fā)光單元具有發(fā)光面，所述發(fā)光面傾斜于所述表面。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，該些抗反射結(jié)構(gòu)為抗反射層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，每個所述半導(dǎo)體感光單元的所述抗反射結(jié)構(gòu)為多個光學(xué)微結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述發(fā)光單元與該些半導(dǎo)體感光單元的最短距離小于等于20毫米。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體感光陣列還包括多個第一電極以及第二電極，每個所述第一電極電性連接該些半導(dǎo)體感光單元的其中之一的所述第一型摻雜半導(dǎo)體層，所述第二電極電性連接該些第二型摻雜半導(dǎo)體層，該些第一電極用以傳輸該些電信號。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，該些半導(dǎo)體感光單元適于感測目標(biāo)光束，所述目標(biāo)光束的波長位于特定波段，所述特定波段包括所述感測光束的波長。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，所述特定波段的波長大于等于300納米并小于等于3微米。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光動能指紋識別模塊，其特征在于，還包括至少一處理單元，所述至少一處理單元電性連接該些半導(dǎo)體感光單元，并且將該些電信號轉(zhuǎn)換為至少一數(shù)字信號。
【文檔編號】G06K9/00GK105989353SQ201510140443
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月27日
【發(fā)明人】巫仁杰, 洪浚郎
【申請人】金佶科技股份有限公司