一種雙面消影觸摸屏傳感器及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種雙面消影觸摸屏傳感器及其生產(chǎn)工藝，包含超薄玻璃基板，消影層，頂部ITO感應(yīng)層，底部ITO感應(yīng)層，玻璃蓋板，超薄玻璃基板上下雙面鍍有消影層，頂部ITO感應(yīng)層鍍在超薄玻璃基板上方消影層表面，底部ITO感應(yīng)層鍍在超薄玻璃基板下方消影層表面，超薄玻璃基板與玻璃蓋板通過OCA貼合。本發(fā)明優(yōu)化了觸摸屏傳感器結(jié)構(gòu)，增加了可見光透過率，節(jié)省了工藝成本。
【專利說明】一種雙面消影觸摸屏傳感器及其生產(chǎn)工藝
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及一種雙面消影觸摸屏傳感器及其生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0003]電容式觸摸屏是利用人體的電流感應(yīng)進行工作的。電容式觸摸屏是一塊四層復(fù)合玻璃屏，玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層ITO，最外層是一薄層矽土玻璃保護層，夾層ITO涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內(nèi)層ITO為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。觸摸點的位置就是觸摸屏傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計的核心。
[0004]觸摸屏傳感器結(jié)構(gòu)分為單面搭橋式、雙面方塊式，毛毛蟲式，斜三角式等。比較成熟的技術(shù)為“G+F+F”結(jié)構(gòu)式觸摸屏，即表面鋼化玻璃+ ITO薄膜+ITO薄膜結(jié)構(gòu)的觸摸屏?，F(xiàn)有設(shè)計的主要缺點在于，此種觸摸屏的ITO薄膜使用了兩片，即絲印耐酸(ΙΤ0圖形化)，絲印銀漿各使用了兩道工序，最后兩片ITO薄膜感應(yīng)層貼合與FOG各使用了 OCA，導(dǎo)致成本增加，毛利潤降低。且ITO薄膜的可見光透過率不及ITO玻璃。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是設(shè)計一種雙面消影觸摸屏傳感器，提供一種超薄雙面消影ITO玻璃基板替代兩片ITO薄膜感應(yīng)層。解決現(xiàn)有技術(shù)成本較高的問題，并改善可見光透過率。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題的技術(shù)方案為:
一種雙面消影觸摸屏傳感器，包含超薄玻璃基板，消影層，頂部ITO感應(yīng)層，底部ITO感應(yīng)層，玻璃蓋板，所述超薄玻璃基板上下雙面鍍有所述消影層，所述頂部ITO感應(yīng)層鍍在所述超薄玻璃基板上方消影層表面，所述底部ITO感應(yīng)層鍍在所述超薄玻璃基板下方消影層表面，所述超薄玻璃基板與所述玻璃蓋板通過OCA貼合。
[0007]所述超薄玻璃基板的厚度為0.2mm。
[0008]所述消影層包括雙層，分別為五氧化二鈮層和二氧化硅層。
[0009]所述消影層與所述頂部ITO感應(yīng)層以及所述底部ITO感應(yīng)層是通過雙面一次成型濺射鍍膜形成的。
[0010]所述頂部ITO感應(yīng)層和所述底部ITO感應(yīng)層通過雙面一次成型濺射鍍膜形成后，要經(jīng)過黃光工藝處理。
[0011]所述超薄玻璃基板的頂部ITO感應(yīng)層上表面與所述玻璃蓋板的下表面通過OCA貼口 O
[0012]所述雙面消影觸摸屏傳感器的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟:
a.清洗所述超薄玻璃基板；
b.雙面依次成型濺射鍍所述消影層和所述頂部ITO感應(yīng)層以及所述底部ITO感應(yīng)層；
c.對所述底部ITO感應(yīng)層光阻保護，對所述頂部ITO感應(yīng)層采用黃光工藝進行圖形化；
d.對所述頂部ITO感應(yīng)層光阻保護，對所述底部ITO感應(yīng)層采用黃光工藝進行圖形化；
e.雙面光阻脫膜；
f.將超薄玻璃基板與玻璃蓋板用OCA貼合。
[0013]本發(fā)明的有益效果在于優(yōu)化了觸摸屏傳感器結(jié)構(gòu)，增加了可見光透過率，節(jié)省了工藝成本。
【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做進一步闡明。
[0015]圖1為雙面消影觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]結(jié)合圖1，對本發(fā)明作出進一步的詳細說明。
[0017]—種雙面消影觸摸屏傳感器，包含超薄玻璃基板Usensor glass)，消影層，頂部ITO感應(yīng)層4(top ITO sensor)，底部ITO感應(yīng)層5(bottom ITO driver)，玻璃蓋板7(coverlens)，超薄玻璃基板I上下雙面鍍有消影層，頂部ITO感應(yīng)層4鍍在超薄玻璃基板I上方消影層表面，底部ITO感應(yīng)層5鍍在超薄玻璃基板I下方消影層表面，超薄玻璃基板I與玻璃蓋板7通過0CA6貼合。
[0018]如圖1所示，將頂部ITO感應(yīng)層4與底部ITO感應(yīng)層5集成到一片超薄玻璃基板I的上表面與下表面。超薄玻璃基板I為承載ITO感應(yīng)層的主體，在超薄玻璃基板I與兩個ITO感應(yīng)層之間都有著一層光學(xué)折射率匹配層即消影層，最后將集成ITO感應(yīng)層的超薄玻璃基板I與玻璃蓋板7通過0CA6貼合。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計以以超薄玻璃基板I替代兩片ITO fiIm，節(jié)省了一片ITO薄膜的成本。
[0019]超薄玻璃基板I的厚度為0.2mm。
[0020]玻璃基板可以高溫濺射ITO，ITO層為結(jié)晶態(tài)，與ITO薄膜相比，不需要老化處理，節(jié)約了工藝時間。
[0021]所述消影層包括雙層，分別為五氧化二鈮層2和二氧化硅層3。
[0022]消影層與頂部ITO感應(yīng)層4以及底部ITO感應(yīng)層5是通過雙面一次成型濺射鍍膜形成的。
[0023]依次雙面一次成型濺射鍍消影層的五氧化二鈮層2、消影層的二氧化硅層3、IT0感應(yīng)層(頂部ITO感應(yīng)層4和底部ITO感應(yīng)層5同時雙面一次成型濺射鍍)，通過增加消影層可以減少低阻值ITO帶來的蝕刻痕，同時也增加了整體ITO玻璃傳感器的可見光透過率。
[0024]頂部ITO感應(yīng)層4和底部ITO感應(yīng)層5通過雙面一次成型濺射鍍膜形成后，要經(jīng)過黃光工藝處理。
[0025]通過黃光工藝處理使ITO感應(yīng)層圖形化。
[0026]以低阻值的ITO完成了傳感器結(jié)構(gòu)及邊框走線，替代了兩次絲印銀漿工藝，也節(jié)約了銀漿成本。
[0027]超薄玻璃基板I的頂部ITO感應(yīng)層4上表面與玻璃蓋板7的下表面通過0CA6貼合。
[0028]雙面消影觸摸屏傳感器的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟:
a.清洗超薄玻璃基板I;
b.雙面依次成型濺射鍍消影層和頂部ITO感應(yīng)層4以及底部ITO感應(yīng)層5;
c.對底部ITO感應(yīng)層5光阻保護，對頂部ITO感應(yīng)層4采用黃光工藝進行圖形化；
d.對頂部ITO感應(yīng)層4光阻保護，對底部ITO感應(yīng)層5采用黃光工藝進行圖形化；
e.雙面光阻脫膜；
f.將超薄玻璃基板I與玻璃蓋板7用0CA6貼合。
[0029]首先在超薄玻璃基板I鍍膜前要對超薄玻璃基板I進行清洗，然后通過真空磁控濺射雙面一次成型鍍五氧化二鈮層2，使得超薄玻璃基板I上下表面都鍍有五氧化二鈮層2。再過真空磁控濺射雙面一次成型鍍二氧化硅層3，使得上下五氧化二鈮層2表面都鍍有二氧化硅層3。最后真空磁控濺射雙面一次成型鍍ITO感應(yīng)層，包括超薄玻璃基板I上表面的頂部ITO感應(yīng)層4和超薄玻璃基板I下表面的底部ITO感應(yīng)層5。
[0030]通過對底部ITO感應(yīng)層5光阻保護，對頂部ITO感應(yīng)層4采用黃光工藝進行圖形化處理。磁控濺射所生成的ITO層，可以理解為一些單個的原子或原子團經(jīng)氧化后堆積在一起所形成的薄膜，所以從宏觀上講，它可以理解為具有各向同性的特性，也就是在光、電、化學(xué)等性能上，各個方向基本上是一致的。這個特性可以讓ITO感應(yīng)層在進行化學(xué)蝕刻時，各個方向的化學(xué)反應(yīng)速度都一致，從而得到很好的圖形重現(xiàn)性。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在ITO感應(yīng)層表面刻蝕所需的電路圖形。圖形化之后，對雙面的光阻脫膜。
[0031]最后，通過0CA6將超薄玻璃基板I與玻璃蓋板7進行貼合。
[0032]在以上的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是以上描述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受上面公開的具體實施的限制。同時任何熟悉本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種雙面消影觸摸屏傳感器，其特征在于，包含超薄玻璃基板，消影層，頂部ITO感應(yīng)層，底部ITO感應(yīng)層，玻璃蓋板，所述超薄玻璃基板上下雙面鍍有所述消影層，所述頂部ITO感應(yīng)層鍍在所述超薄玻璃基板上方消影層表面，所述底部ITO感應(yīng)層鍍在所述超薄玻璃基板下方消影層表面，所述超薄玻璃基板與所述玻璃蓋板通過OCA貼合。2.如權(quán)利要求1所述的雙面消影觸摸屏傳感器，其特征在于，所述超薄玻璃基板的厚度為0.2mmο3.如權(quán)利要求1所述的雙面消影觸摸屏傳感器，其特征在于，所述消影層包括雙層，分別為五氧化二鈮層和二氧化硅層。4.如權(quán)利要求1所述的雙面消影觸摸屏傳感器，其特征在于，所述消影層與所述頂部ITO感應(yīng)層以及所述底部ITO感應(yīng)層是通過雙面一次成型濺射鍍膜形成的。5.如權(quán)利要求1所述的雙面消影觸摸屏傳感器，其特征在于，所述頂部ITO感應(yīng)層和所述底部ITO感應(yīng)層通過雙面一次成型濺射鍍膜形成后，要經(jīng)過黃光工藝處理。6.如權(quán)利要求1所述的雙面消影觸摸屏傳感器，其特征在于，所述超薄玻璃基板的頂部ITO感應(yīng)層上表面與所述玻璃蓋板的下表面通過OCA貼合。7.如權(quán)利要求1-6所述的雙面消影觸摸屏傳感器的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括如下步驟: a.清洗所述超薄玻璃基板； b.雙面依次成型濺射鍍所述消影層和所述頂部ITO感應(yīng)層以及所述底部ITO感應(yīng)層； c.對所述底部ITO感應(yīng)層光阻保護，對所述頂部ITO感應(yīng)層采用黃光工藝進行圖形化； d.對所述頂部ITO感應(yīng)層光阻保護，對所述底部ITO感應(yīng)層采用黃光工藝進行圖形化； e.雙面光阻脫膜； f.將超薄玻璃基板與玻璃蓋板用OCA貼合。
【文檔編號】G06F3/041GK106020560SQ201610611004
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月29日
【發(fā)明人】王進東
【申請人】江蘇宇天港玻新材料有限公司