觸控面板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，提供了觸控面板包含蓋板、遮蔽層以及第一感測(cè)結(jié)構(gòu)。蓋板具有可視區(qū)以及非可視區(qū)，其中非可視區(qū)圍繞于可視區(qū)的周圍。遮蔽層用以界定非可視區(qū)。第一感測(cè)結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第一感測(cè)電極，且多個(gè)第一感測(cè)電極位于可視區(qū)以及至少部分非可視區(qū)。任兩相鄰的第一感測(cè)電極之間在可視區(qū)內(nèi)具有第一間距，任兩相鄰的第一感測(cè)電極之間在可視區(qū)與非可視區(qū)的交界處具有第二間距，其中第二間距大于第一間距，以避免交界處的相鄰的第一感測(cè)電極短路。
【專利說明】
觸控面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明揭露涉及一種觸控技術(shù)，且特別系涉及一種觸控面板及其制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在現(xiàn)今各種消費(fèi)性產(chǎn)品的市場(chǎng)中，智能型手表、智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)等可攜式電子產(chǎn)品已廣泛地使用觸控面板(touch panel)作為人機(jī)介面。此外，由于目前電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)皆以輕、薄、短、小為方向，產(chǎn)品上容納傳統(tǒng)輸入裝置(如按鍵)的空間越來越小。因此，在講究人性化設(shè)計(jì)的平板電腦帶動(dòng)下，觸控面板已經(jīng)成為可攜式裝置中關(guān)鍵的零組件之一。
[0003]觸控面板大致上可分為可視區(qū)與非可視區(qū)，其中可視區(qū)設(shè)計(jì)有觸控功能來感測(cè)使用者的碰觸輸入，而非可視區(qū)則可提供設(shè)計(jì)周邊線路時(shí)所需的位置。非可視區(qū)通常是不透光的，以防使用者看到觸控面板的線路配置。因此，在非可視區(qū)通常設(shè)計(jì)有遮光結(jié)構(gòu)，而可視區(qū)則不需要有遮光結(jié)構(gòu)。如此一來，由于遮光結(jié)構(gòu)的關(guān)系，可視區(qū)與非可視區(qū)的交界處通常會(huì)有地形上的隆起。在圖案化制程的過程中，地形上的隆起容易有光阻堆積，使得尚未被圖案化的感測(cè)電極無法被有效的蝕刻，造成感測(cè)電極與感測(cè)電極之間短路，降低觸控面板的制造良率。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本揭露之一技術(shù)態(tài)樣是在提供一種觸控面板。
[0005]根據(jù)本揭露之一或多個(gè)實(shí)施方式，觸控面板可包含蓋板、遮蔽層以及第一感測(cè)結(jié)構(gòu)。蓋板具有可視區(qū)以及非可視區(qū)，其中非可視區(qū)圍繞於可視區(qū)的周圍。遮蔽層用以界定非可視區(qū)。第一感測(cè)結(jié)構(gòu)包含複數(shù)個(gè)第一感測(cè)電極，且複數(shù)個(gè)第一感測(cè)電極位於可視區(qū)以及至少部分非可視區(qū)。任兩相鄰的第一感測(cè)電極之間在可視區(qū)內(nèi)具有第一間距，任兩相鄰的第一感測(cè)電極之間在可視區(qū)與非可視區(qū)的交界處具有第二間距，其中第二間距大於第一間距。
[0006]本揭露的另一技術(shù)態(tài)樣是在提供一種觸控面板的制造方法。
[0007]觸控面板的制造方法包含提供蓋板；形成遮蔽層；以及形成圖案化的第一感測(cè)結(jié)構(gòu)。蓋板界定有可視區(qū)與非可視區(qū)，其中非可視區(qū)圍繞于可視區(qū)的周圍。遮蔽層形成于非可視區(qū)內(nèi)。圖案化的第一感測(cè)結(jié)構(gòu)形成于可視區(qū)以及至少部分非可視區(qū)，其中第一感測(cè)結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第一感測(cè)電極。任兩相鄰第一感測(cè)電極之間在可視區(qū)內(nèi)具有第一間距，且任兩相鄰第一感測(cè)電極之間在可視區(qū)與非可視區(qū)的交界處具有第二間距，第二間距大于第一間距。
[0008]由于在地形有隆起的變化處(如上述之交界處)可能會(huì)導(dǎo)致觸控面板的制造良率的下降。舉例而言，在形成圖案化的感測(cè)結(jié)構(gòu)(包含第一感測(cè)結(jié)構(gòu)和第二感測(cè)結(jié)構(gòu))的過程中，可視區(qū)與非可視區(qū)的交界處可能會(huì)有光阻堆積的問題，導(dǎo)致感測(cè)結(jié)構(gòu)無法被有效的蝕刻。因此，藉由將交界處的相鄰之感測(cè)電極(包含第一感測(cè)電極和第二感測(cè)電極)之間的距離設(shè)計(jì)的較其它位置大，可避免感測(cè)結(jié)構(gòu)蝕刻不凈所造成的感測(cè)電極與感測(cè)電極之間短路，進(jìn)而提升觸控面板的制造良率?！靖綀D說明】
[0009]圖1為本揭露一實(shí)施方式的觸控面板的正面俯視圖。
[0010]圖2為圖1的區(qū)域A的背面俯視圖。
[0011]圖3為圖2的線段3的剖面圖。
[0012]圖4為圖2的區(qū)域B的放大圖。
[0013]圖5為圖1的另一實(shí)施方式的區(qū)域A的背面俯視圖。
[0014]圖6為圖1的區(qū)域C的背面俯視圖。
[0015]圖7為圖6的線段7的放大圖。
[0016]圖8為圖6的區(qū)域D的放大圖。
[0017]圖9為本揭露另一實(shí)施方式的觸控面板的剖面圖，其剖面位置同圖3。
[0018]圖10至圖12為本揭露一或多個(gè)實(shí)施方式中，圖案化第一感測(cè)結(jié)構(gòu)的連續(xù)示意圖。
[0019]圖13為本揭露一或多個(gè)實(shí)施方式中，圖案化第二感測(cè)結(jié)構(gòu)的示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0020]以下將以圖式揭露本揭露之多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示之。
[0021]圖1為依照本揭露一實(shí)施方式之觸控面板10的正面俯視圖。如圖1所示，觸控面板10包含蓋板1〇〇。蓋板1〇〇可具有可視區(qū)VA以及非可視區(qū)NA。在圖1的實(shí)施方式中， 非可視區(qū)NA系設(shè)置于可視區(qū)VA的四邊，并且非可視區(qū)NA圍繞于可視區(qū)VA的周圍。更具體而言，觸控面板10可包含有遮蔽層130,遮蔽層130形成于蓋板100上。蓋板100可采用透明的材料所制成，例如玻璃、聚乙稀對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate, PET)、 聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚甲基丙稀酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)，或其它高分子材料等等。遮蔽層130可采用不透明的材料所制成，例如黑色光阻，藉以界定出蓋板100上的非可視區(qū)NA。也就是說，遮蔽層130系位于非可視區(qū)NA中，且光線無法通過遮蔽層130,因此觸控面板10之相關(guān)線路可設(shè)置在非可視區(qū)NA，以避免被使用者看見，而影響顯示器的外觀。遮蔽層130的邊界亦可用以界定非可視區(qū)NA與可視區(qū)VA。
[0022]圖2為圖1之區(qū)域A的背面俯視圖。如圖所示，觸控面板10包含第一感測(cè)結(jié)構(gòu) 110以及至少一導(dǎo)電線路170。導(dǎo)電線路170位于非可視區(qū)NA內(nèi)。第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110包含多個(gè)第一感測(cè)電極111，且多個(gè)第一感測(cè)電極111位于可視區(qū)VA以及至少部分非可視區(qū) NA。更具體而言，第一感測(cè)電極111可為透明的導(dǎo)電材料所制成，而可視區(qū)VA內(nèi)可布滿多個(gè)第一感測(cè)電極111，用以感測(cè)使用者的觸碰輸入。舉例來說，在部分實(shí)施方式中，多個(gè)第一感測(cè)電極111可用以接收來自導(dǎo)電線路170的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，或用以將所感測(cè)到的訊號(hào)傳送至導(dǎo)電線路170。在某些實(shí)施方式中，多個(gè)第一感測(cè)電極111可接收來自導(dǎo)電線路170的驅(qū)動(dòng)信號(hào)后，再將所感測(cè)到的信號(hào)傳送至導(dǎo)電線路170。同一軸向排列的多個(gè)第一感測(cè)電極111之其中之一者的一端，系橫跨可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA而電性連接至導(dǎo)電線路170。如圖2 的實(shí)施方式中，在同一軸向排列的多個(gè)第一感測(cè)電極111中，其中之一個(gè)第一感測(cè)電極111 之一端延伸入非可視區(qū)NA，并與導(dǎo)電線路170電性連接。如此一來，多個(gè)第一感測(cè)電極111 所感應(yīng)的感測(cè)訊號(hào)可藉由導(dǎo)電線路170傳送至處理單元(未繪示)，以計(jì)算出使用者的觸控位置。
[0023]圖3為圖2之線段3的剖面圖，其中圖3的剖面位置系橫跨可視區(qū)VA與非可視區(qū) NA。如圖3所不，蓋板100具有一下表面101，遮蔽層130覆蓋于下表面101，以形成蓋板 100之非可視區(qū)NA。第一感測(cè)電極111覆蓋蓋板100對(duì)應(yīng)可視區(qū)VA之下表面101，且同時(shí)第一感測(cè)電極111延伸至非可視區(qū)NA而覆蓋部分之遮蔽層130。換句話說，第一感測(cè)電極 111系橫跨了可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA，以確保觸控面板10在可視區(qū)VA的邊緣也可以感測(cè)使用者的觸碰輸入。因此，在圖3之實(shí)施方式中，因?yàn)檎诒螌?30位于非可視區(qū)NA，且遮蔽層130具有高度H1，所以當(dāng)?shù)谝桓袦y(cè)電極111橫跨了可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA時(shí)，會(huì)產(chǎn)生地形上的隆起。也就是說，第一感測(cè)電極111在可視區(qū)VA內(nèi)的表面與在非可視區(qū)NA內(nèi)的表面之間會(huì)具有高度差A(yù)H1。此高度差A(yù)H1容易導(dǎo)致觸控面板10的制造良率之下降。舉例而言，在觸控面板10的制造過程中，需進(jìn)行圖案化制程以形成多個(gè)第一感測(cè)電極111。而在圖案化制程的過程中，高度差A(yù)H1的位置容易有光阻堆積，使得尚未被圖案化的第一感測(cè)電極111無法被有效的蝕刻，導(dǎo)致圖案化制程失敗，降低觸控面板10的制造良率。
[0024]圖4為圖2之區(qū)域B的放大圖。如圖所示，在可視區(qū)VA與非可視區(qū)內(nèi)NA之間具有一交界處120。此交界處120大致為圖3中從無高度差A(yù) H1爬升至具有高度差A(yù) H1的區(qū)域，也就是所謂第一感測(cè)電極111之表面地形隆起的區(qū)域。若從蝕刻線(第一感測(cè)電極 111之間)來看，交界處120大致為遮蔽層130的邊界L1之位置。在某些實(shí)施方式中，交界處120的范圍，以遮蔽層130的邊界L1為中心線，往相對(duì)兩側(cè)(往蓋板100中央與蓋板 100邊界，即圖4中的X與-X方向)各延伸一預(yù)定距離(例如0.4、0.5或0.6厘米)之范圍。在圖4中，系繪示已完成圖案化制程的多個(gè)第一感測(cè)電極111，其中在可視區(qū)VA內(nèi)，任兩相鄰的第一感測(cè)電極111之間具有第一間距D1，并且在可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA內(nèi)的交界處120,任兩相鄰的第一感測(cè)電極111之間具有第二間距D2。在圖4之實(shí)施方式中，第二間距D2系大于第一間距D1。如此一來，藉由將第二間距D2設(shè)計(jì)的較第一間距D1大，可在圖案化多個(gè)第一感測(cè)電極111的過程中，避免蝕刻不完全的情形發(fā)生。
[0025]更詳細(xì)而言，在交界處120的位置，第二間距D2鄰接第一感測(cè)電極111的邊界處相較于第二間距D2的中央位置處，第二間距D2鄰接第一感測(cè)電極111的邊界處之光阻堆積的情況會(huì)更為嚴(yán)重。因此，在圖案化多個(gè)第一感測(cè)電極111的過程中，若將第二間距D2 設(shè)計(jì)的較第一間距D1大，可避免第二間距D2鄰接第一感測(cè)電極111的邊界處蝕刻不完全， 而導(dǎo)致兩個(gè)相鄰的第一感測(cè)電極111短路的情形發(fā)生。
[0026]圖5為圖1之另一實(shí)施方式之區(qū)域A的背面俯視圖，圖5與圖2相似，差別在于在非可視區(qū)NA中，遮蔽層130設(shè)置在蓋板100上，且在遮蔽層130上布置導(dǎo)電線路170,而在遮蔽層130中未布上導(dǎo)電線路170的區(qū)域設(shè)置絕緣層171，其中絕緣層171可為各種不導(dǎo)電材質(zhì)，例如聚亞酰胺P〇lyimide，PI)、氧化娃(Si02)、氮化娃(SiN)、氮氧化娃(SiCN)、碳化硅(SiC)，使得當(dāng)感測(cè)電極(例如第一感測(cè)電極111)被設(shè)置時(shí)，絕緣層171介于遮蔽層130 與第一感測(cè)電極111之間，且絕緣層171亦介于部分導(dǎo)電線路170與第一感測(cè)電極111之間，可避免感測(cè)電極直接接觸非對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路170。在此實(shí)施方式中，交界處120的范圍大致包含遮蔽層130的邊界至絕緣層170的邊界。在某些實(shí)施方式中，交界處120可以定義為從遮蔽層130的邊界L1之法線方向(如圖5中往蓋板100中心的X方向)延伸預(yù)定距離(例如〇.4、0.5或0.6厘米)，或者從絕緣層171的邊界L2 (在第一感測(cè)電極111范圍內(nèi)的邊界)之法線方向(如圖5中往蓋板100邊界的-X方向)延伸預(yù)定距離(例如0.4、 0.5或0.6厘米)之范圍內(nèi)。
[0027]接著，請(qǐng)回到圖1。在圖1之實(shí)施方式中，遮蔽層130可包含有至少一鏤空?qǐng)D案 135。如圖所示，鏤空?qǐng)D案135可例如為返回鍵的圖案或者是首頁鍵的圖案。在本實(shí)施方式中，鏤空?qǐng)D案135的位置處也具有感測(cè)電極。如此一來，應(yīng)用本實(shí)施方式之觸控面板10的電子裝置可完全去除掉傳統(tǒng)的實(shí)體按鍵結(jié)構(gòu)。
[0028]更詳細(xì)而言，請(qǐng)參考圖6,其系繪示圖1之區(qū)域C的背面俯視圖。如圖所示，觸控面板10可更包含第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140。第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140包含多個(gè)第二感測(cè)電極141。在圖6 的實(shí)施方式中，第二感測(cè)電極141可為透明的導(dǎo)電材料所制成，且第二感測(cè)電極141系位于非可視區(qū)NA內(nèi)。第二感測(cè)電極141至少部分覆蓋鏤空?qǐng)D案135。如此一來，當(dāng)使用者碰觸圖1中的鏤空?qǐng)D案135時(shí)，第二感測(cè)電極141可以感測(cè)使用者的觸碰輸入。
[0029]更具體而言，以圖6為例，多個(gè)第二感測(cè)電極141可區(qū)分為電極141a、電極141b以及電極141c，其中電極141a可接收來自導(dǎo)電線路170的驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，電極141b可將觸控面板 10被觸碰所產(chǎn)生的訊號(hào)傳遞至導(dǎo)電線路170 ;或者電極141b可接收來自導(dǎo)電線路170的驅(qū)動(dòng)訊號(hào)，電極141a可將觸控面板10被觸碰所產(chǎn)生的訊號(hào)傳遞至導(dǎo)電線路170。在某些實(shí)施方式中，電極141a和141b可各自接收來自導(dǎo)電線路170的驅(qū)動(dòng)訊號(hào)后將觸控面板10被觸碰所產(chǎn)生的訊號(hào)傳遞至導(dǎo)電線路170。電極141c為冗余電極(void electrode)，用以對(duì)電極141a和141b進(jìn)行光學(xué)匹配，使得電極141a、電極141b的線條不容易被肉眼所察覺。此夕卜，電極141c位于電極141a與電極141b之間，還可避免電極141a和141b相互干擾，影響觸控靈敏度。電極141a可藉由橋接線路180a沿著軸向A相互電性連接，電極141b可藉由橋接線路180b沿著軸向B相互電性連接，其中橋接線路180a以及橋接線路180b之間相互絕緣。應(yīng)了解的是，圖6之第二感測(cè)電極141之圖案只是舉例。在其它實(shí)施方式中，第二感測(cè)電極141可以是此技術(shù)領(lǐng)域中，具有通常知識(shí)者所熟知的任何圖案或結(jié)構(gòu)。
[0030]圖7為圖6之線段7的剖面圖。請(qǐng)一并參考圖6與圖7,由于在非可視區(qū)NA內(nèi)，鏤空?qǐng)D案135之位置處沒有遮蔽層130。因此，在非可視區(qū)NA內(nèi)，位在鏤空?qǐng)D案135內(nèi)的第二感測(cè)電極141之表面與位在鏤空?qǐng)D案135外的第二感測(cè)電極141之表面間會(huì)具有高度差 A H2。類似于圖3之高度差A(yù) H1容易導(dǎo)致第一感測(cè)電極111無法被有效的蝕刻，此高度差 AH2亦容易導(dǎo)致第二感測(cè)電極141無法被有效的蝕刻，進(jìn)而降低觸控面板10的制造良率。
[0031]圖8為圖6之區(qū)域D的放大圖，在圖8中，系繪示已完成圖案化制程的多個(gè)第二感測(cè)電極141。如圖所示，鏤空?qǐng)D案135具有一邊緣處190。此鏤空?qǐng)D案135之邊緣處190大致為圖7中從無高度差A(yù) H2爬升至有高度差A(yù) H2的區(qū)域，也就是所謂第二感測(cè)電極141 之表面地形隆起的區(qū)域。更具體而言，此邊緣處190的范圍大致為以遮蔽層130的邊界L1 為中心線，再往相對(duì)兩側(cè)延伸(往蓋板100中央與蓋板100邊界，即圖8中的X與-X方向) 預(yù)定距離(例如〇.4、0.5或0.6厘米)之范圍。在圖8之實(shí)施方式中，在鏤空?qǐng)D案135外， 任兩相鄰的第二感測(cè)電極141具有第三間距D3。而在鏤空?qǐng)D案135之邊緣處190,任兩相鄰的第二感測(cè)電極141具有第四間距D4,其中第四間距D4系大于第三間距D3。如此一來， 藉由將第四間距D4設(shè)計(jì)的較第三間距D3大，可在圖案化多個(gè)第二感測(cè)電極141的過程中， 避免蝕刻不完全的情形發(fā)生。
[0032]更詳細(xì)而言，在邊緣處190之位置，第四間距D4鄰接第二感測(cè)電極141的邊界處相較于第四間距D4的中央位置處，第四間距D4鄰接第二感測(cè)電極141的邊界處之光阻堆積的情況會(huì)更為嚴(yán)重。因此，在圖案化多個(gè)第二感測(cè)電極141的過程中，若將第四間距D4 設(shè)計(jì)的較第三間距D3大，可避免第四間距D4鄰接第二感測(cè)電極141的邊界處蝕刻不完全， 而導(dǎo)致兩個(gè)相鄰的第二感測(cè)電極141短路的情形發(fā)生。
[0033]請(qǐng)繼續(xù)參考圖8,在鏤空?qǐng)D案135內(nèi)，任兩相鄰之第二感測(cè)電極141具有第五間距 D5。在本揭露之多個(gè)實(shí)施方式中，鏤空?qǐng)D案135內(nèi)部的第二感測(cè)電極141因?yàn)檩^不具有地形上的隆起，且當(dāng)?shù)谖彘g距D5小于第四間距D4時(shí)，可減少蝕刻線被可視的機(jī)率，當(dāng)?shù)谖彘g距D5大于第三間距D3時(shí)，可以減少電極與電極之間短路的機(jī)率，所以鏤空?qǐng)D案135內(nèi)部第五間距D5可視產(chǎn)品的實(shí)際需求，設(shè)計(jì)成大于、等于第三間距D3,或設(shè)計(jì)成等于或小于第四間距D4,而不會(huì)影響第二感測(cè)電極141的圖案化結(jié)果。
[0034]在某些實(shí)施方式中，第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140上(第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140與背光模塊之間) 可設(shè)置油墨層(ink layer)，該油墨層(ink layer)具有色彩與透光度，使得鏤空?qǐng)D案135 可散發(fā)對(duì)應(yīng)的色彩。
[0035]圖9為本揭露另一實(shí)施方式之觸控面板20的剖面圖，其剖面位置同圖3。如圖所示，本實(shí)施方式與圖3之實(shí)施方式不同的地方在于，圖3之實(shí)施方式之第一感測(cè)電極111以及遮蔽層130皆設(shè)置于蓋板100上，而本實(shí)施方式之第一感測(cè)電極111以及遮蔽層130則與蓋板100分開設(shè)置。更具體而言，圖3之實(shí)施方式之觸控面板10可例如為單片式玻璃觸控面板(One Glass Solut1n, 0GS)，而圖9之實(shí)施方式之觸控面板10可例如為雙層玻璃之觸控面板20。
[0036]更詳細(xì)而言，在圖9之實(shí)施方式中，觸控面板20可更包含基板150?；?50可為透明或不透明的材料所制成，例如玻璃、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯 (polyethyleneterephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚甲基丙稀酸甲酯 (polymethylmethacrylate, PMMA)，或其它高分子材料等等。基板150可具有承載面151，其中承載面151面對(duì)蓋板100之下表面101。遮蔽層130設(shè)置于部分之承載面151上，以形成蓋板100之非可視區(qū)NA。第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110之第一感測(cè)電極111覆蓋部分之遮蔽層130以及對(duì)應(yīng)可視區(qū)VA之承載面151。由于第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110橫跨可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA，因此第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110在可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA的交界處會(huì)有地形上的隆起。有鑒于此， 類似于圖3所示，藉由將第二間距D2設(shè)計(jì)的較第一間距D1大，即可避免圖案化多個(gè)第一感測(cè)電極111的過程中，蝕刻不完全的情形發(fā)生。
[0037]類似地，在圖9之觸控面板20的架構(gòu)中，第二感測(cè)電極141也是形成于基板150 之承載面151上(未繪示)。同理，若第二感測(cè)電極141具有地形上的隆起，可能會(huì)導(dǎo)致蝕刻不完全時(shí)，可參照?qǐng)D8之結(jié)構(gòu)，在地形之隆起處(即圖8之邊緣處190)，將相鄰之第二感測(cè)電極141之間的距離設(shè)計(jì)的較平坦處(即圖8之鏤空?qǐng)D案135外)大，即可避免地形之隆起影響觸控面板20的制造良率。
[0038]為使更于理解，下述實(shí)施方式將更進(jìn)一步提供一種觸控面板的制造方法，其包含有以下步驟:
[0039]S1:提供蓋板；
[0040]S2:形成遮蔽層；以及
[0041]S3:形成圖案化之第一感測(cè)結(jié)構(gòu)。
[0042]請(qǐng)參考圖1，在步驟S1中，蓋板100可界定有可視區(qū)VA以及非可視區(qū)NA，其中非可視區(qū)NA圍繞于可視區(qū)VA的周圍。接著，在步驟S2中，遮蔽層130可形成于非可視區(qū)NA內(nèi)。 如圖3所示，若觸控面板10為0GS的架構(gòu)，遮蔽層130可形成于蓋板100之下表面101，且第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110可形成于部分之遮蔽層130以及蓋板100對(duì)應(yīng)可視區(qū)VA之下表面101。 又如圖9所示，若觸控面板20為雙層玻璃之架構(gòu)，則觸控面板20的制造方法可更包含提供基板150。此外，形成遮蔽層130之步驟可更包含將遮蔽層130形成于基板150之承載面 151上，且第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110可形成于部分之遮蔽層130以及基板150對(duì)應(yīng)可視區(qū)VA之承載面151。
[0043]在部分實(shí)施方式中，蓋板100可例如為透明的玻璃材料等，但本揭露不以此為限。 遮蔽層130可由不透明的材料所制成，如黑色光阻等，且遮蔽層130可藉由印刷或涂布等方式形成于非可視區(qū)NA中，但本揭露不以此為限。
[0044]請(qǐng)參考圖2,在步驟S3中，圖案化之第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110可形成于可視區(qū)VA以及至少部分非可視區(qū)NA中。更詳細(xì)而言，請(qǐng)一并參考圖10至圖12,其系繪示圖案化第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110之的連續(xù)示意圖，其中圖10至圖12所繪示的位置相當(dāng)于前述圖3與圖4之位置的制造過程。如圖所示，圖案化第一感測(cè)結(jié)構(gòu)110之步驟可更包含:
[0045]S3.1:形成第一感測(cè)電極層111a于可視區(qū)VA以及至少部分非可視區(qū)NA ;
[0046]S3.2:涂布光阻層160于第一感測(cè)電極層111a上；
[0047]S3.3:形成光阻層160之多個(gè)第一感測(cè)電極圖案160a于第一感測(cè)電極層111a上； 以及
[0048]S3.4:利用多個(gè)第一感測(cè)電極圖案160a蝕刻第一感測(cè)電極層111a。
[0049]如圖10所示，在步驟S3.1中，第一感測(cè)電極層111a覆蓋蓋板100對(duì)應(yīng)可視區(qū)VA 的表面(即圖3中的下表面101)，且同時(shí)至少部分覆蓋遮蔽層130。第一感測(cè)電極層111a 可為透明導(dǎo)電材料所制成，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide, IT0)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZ0)等。
[0050]接著，如圖11所示，在步驟S3.2中，光阻層160在可視區(qū)VA或非可視區(qū)NA之平坦處可具有高度H2。光阻層160在可視區(qū)VA與非可視區(qū)NA的交界處120具有高度H3。因?yàn)楣庾鑼?60會(huì)在地形有隆起變化的交界處120堆積，所以交界處120的高度H3大于平坦處的高度H2。因此，可能會(huì)導(dǎo)致后續(xù)顯影的過程中，交界處120的光阻層160顯影不凈，導(dǎo)致底下的第一感測(cè)電極層111a也蝕刻不凈。
[0051]接著，如圖12所示，在步驟S3.3中，可藉由例如曝光與顯影之過程圖案化光阻層 160,以形成多個(gè)第一感測(cè)電極圖案160a。如圖所示，在交界處120之第一感測(cè)電極圖案 16〇a之間具有第一蝕刻補(bǔ)償間距E1。更具體而言，第一蝕刻補(bǔ)償間距E1的大小為圖4中的第二間距D2的大小加上第一補(bǔ)償值。如圖12的區(qū)域E所示，由于交界處120之兩個(gè)相鄰的第一感測(cè)電極圖案160a之間可能會(huì)有殘余的光阻層160沒有完全被顯影掉(尤其是在第一蝕刻補(bǔ)償間距E1鄰接第一感測(cè)電極圖案160a的邊界處)，因此交界處120之第一感測(cè)電極層111a的蝕刻效果較差。故，在圖12的實(shí)施方式中，藉由加大在交界處120的兩個(gè)相鄰的第一感測(cè)電極圖案160a之間的距離，以避免后續(xù)蝕刻第一感測(cè)電極層111a時(shí)，蝕刻不凈而導(dǎo)致兩個(gè)相鄰的兩個(gè)第一感測(cè)電極111短路。
[0052]在部分實(shí)施方式中，在交界處120之位置，遮蔽層130之邊緣可具有一傾斜度。第一補(bǔ)償值之大小正比于遮蔽層130之邊緣的傾斜度。更詳細(xì)而言，遮蔽層130之邊緣指的是遮蔽層130鄰近可視區(qū)VA的斜坡，而遮蔽層130之邊緣的傾斜度指的是斜坡的斜率。也就是說，如果斜率越大，則遮蔽層130之邊緣的光阻層160堆積的情況就會(huì)越顯著，因此第一補(bǔ)償值之大小就會(huì)越大。在具體應(yīng)用時(shí)，第一蝕刻補(bǔ)償間距E1可約為34微米，其中第二間距D2之大小可約為30微米，第一補(bǔ)償值可約為4微米，但本揭露不以此為限。
[0053]接著，請(qǐng)一并參考圖3與圖12,在步驟S3.4中，圖案化的多個(gè)第一感測(cè)電極111可藉由光阻層160上對(duì)應(yīng)的第一感測(cè)電極圖案160a而形成。從圖12與圖4可知，由于光阻層160在交界處120堆積的緣故，在交界處120之兩相鄰的第一感測(cè)電極111之間的第二間距D2會(huì)小于第一蝕刻補(bǔ)償間距E1。
[0054]在某些實(shí)施方式中，如圖5所示，在非可視區(qū)NV中形成一絕緣層于第一感測(cè)結(jié)構(gòu) 110與遮蔽層130之間，其中交界處120的范圍更包括從遮蔽層130的邊界L1至絕緣層的邊界L2。
[0055]請(qǐng)參考圖1，形成遮蔽層130之步驟可更包含形成鏤空?qǐng)D案135。如圖1所示，鏤空?qǐng)D案135可例如為返回鍵的圖案或者是首頁鍵的圖案。在部分實(shí)施方式中，鏤空?qǐng)D案135 可藉由微影制程形成，但本揭露不以此為限。
[0056]接著，請(qǐng)參考圖6。如圖所示，在部分實(shí)施方式中，觸控面板10的制造方法可更包含:
[0057]S4:形成圖案化之第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140。
[0058]更詳細(xì)而言，請(qǐng)參考圖13,其系繪示圖案化第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140的示意圖。如圖所示，圖案化第二感測(cè)結(jié)構(gòu)140之步驟可更包含:
[0059]S4.1:形成第二感測(cè)電極層140a于非可視區(qū)NA ;
[0060]S4.2:涂布光阻層160’于第二感測(cè)電極層140a ;
[0061]S4.3:形成光阻層160’之多個(gè)第二感測(cè)電極圖案160a’于第二感測(cè)電極層140a 上；以及
[0062]S4.4:利用多個(gè)第二感測(cè)電極圖案160a’蝕刻第二感測(cè)電極層140a。
[0063]如圖13所示，在步驟S4.1中，第二感測(cè)電極層140a至少部分覆蓋鏤空?qǐng)D案135。 在部分實(shí)施方式中，第二感測(cè)電極層140a可為透明的導(dǎo)電材料所制成，如ITO、IZ0等，并且第二感測(cè)電極層140a與圖12中的第一感測(cè)電極層111a可為同一道制程所形成。
[0064]在步驟S4.2中，圖13的光阻層160’與圖11的光阻層160可為同一道制程所形成。如圖13所示，光阻層160’在鏤空?qǐng)D案135內(nèi)或鏤空?qǐng)D案135外的平坦處具有高度H4。 光阻層160’在鏤空?qǐng)D案135的邊緣處190可具有高度H5。因?yàn)楣庾鑼?60’會(huì)在地形有隆起變化的邊緣處190堆積的，所以邊緣處190的高度H5大于平坦處的高度H4。因此，可能會(huì)導(dǎo)致后續(xù)顯影的過程中，邊緣處190的光阻層160’顯影不凈，導(dǎo)致底下的第二感測(cè)電極層140a蝕刻不凈。
[0065]鑒此，在步驟S4.3中，第二感測(cè)電極圖案160a’之間可具有第二蝕刻補(bǔ)償間距E2。更具體而言，第二蝕刻補(bǔ)償間距E2的大小為圖8中的第四間距D4的大小加上第二補(bǔ)償值。 如圖13的區(qū)域F所示，由于邊緣處190之兩個(gè)相鄰的第二感測(cè)電極圖案160a’之間可能會(huì)有殘余的光阻層160’沒有完全被顯影掉(尤其是在第二蝕刻補(bǔ)償間距E2鄰接第二感測(cè)電極圖案160a’的邊界處)，因此第二感測(cè)電極圖案160a’之蝕刻效果較差。故，在圖13的實(shí)施方式中，藉由加大兩個(gè)相鄰的第二感測(cè)電極圖案160a’之間的距離，以避免后續(xù)蝕刻第二感測(cè)電極層140a時(shí)，蝕刻不凈而導(dǎo)致兩個(gè)相鄰的兩個(gè)第二感測(cè)電極141短路。
[0066]在部分實(shí)施方式中，在邊緣處190之位置，遮蔽層130之邊緣可具有一傾斜度。第二補(bǔ)償值之大小正比于遮蔽層130之邊緣之傾斜度。在具體應(yīng)用時(shí)，第二蝕刻補(bǔ)償間距E2 可約為34微米，其中第四間距D4之大小可約為30微米，第二補(bǔ)償值可約為4微米，但本揭露不以此為限。
[0067]接著，在步驟S4.4中，可藉由光阻層160’所對(duì)應(yīng)的第二感測(cè)電極圖案160a’形成圖案化的多個(gè)第二感測(cè)電極141。從圖13與圖8可知，由于光阻層160’在邊緣處190堆積的緣故，在邊緣處190之兩相鄰的第二感測(cè)電極141之間的第四間具D4會(huì)小于第二蝕刻補(bǔ)償間距E2。
[0068] 綜上所述，在地形有隆起的變化處(如交界處以及邊緣處)，可能會(huì)有光阻堆積的情形發(fā)生。因此，在本揭露之一或多個(gè)實(shí)施方式中，在地形有隆起的變化的地方，相鄰的兩個(gè)感測(cè)電極(如第一感測(cè)電極以及第二感測(cè)電極)之間的距離需至少大于地形平坦的地方，減少因蝕刻不凈而造成感測(cè)電極(如第一感測(cè)電極以及第二感測(cè)電極)之間短路的機(jī)率，藉此增加觸控面板的制造良率。
[0069]雖然本揭露已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本揭露之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種之更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本揭露之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種觸控面板，其特征在于，包含:一蓋板，具有一可視區(qū)以及一非可視區(qū)，其中該非可視區(qū)圍繞于該可視區(qū)的周圍；一遮蔽層，用以界定該非可視區(qū)；以及一第一感測(cè)結(jié)構(gòu)，包含多個(gè)第一感測(cè)電極，且該些第一感測(cè)電極位于該可視區(qū)以及至 少部分該非可視區(qū)，任兩相鄰該些第一感測(cè)電極之間在該可視區(qū)內(nèi)具有一第一間距，任兩 相鄰該些第一感測(cè)電極之間在該可視區(qū)與該非可視區(qū)之一交界處具有一第二間距，其中該 第二間距大于該第一間距。2.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，該些第一感測(cè)電極在該可視區(qū)內(nèi)之表 面與在該非可視區(qū)內(nèi)之表面之間具有一高度差。3.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，該遮蔽層包含一鏤空?qǐng)D案，該觸控面板 更包含一第二感測(cè)結(jié)構(gòu)，該第二感測(cè)結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第二感測(cè)電極，該些第二感測(cè)電極位于 該非可視區(qū)內(nèi)且至少部分覆蓋該鏤空?qǐng)D案，任兩相鄰該些第二感測(cè)電極在該鏤空?qǐng)D案外具 有一第三間距，任兩相鄰該些第二感測(cè)電極在該鏤空?qǐng)D案之邊緣處具有一第四間距，該第 四間距大于該第三間距。4.如權(quán)利要求3所述之觸控面板，其特征在于，該些第二感測(cè)電極在該鏤空?qǐng)D案內(nèi)之 表面與在該鏤空?qǐng)D案外之表面之間具有一高度差。5.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，該蓋板具有一下表面，該遮蔽層覆蓋部 分之該下表面，形成該蓋板之該非可視區(qū)，該些第一感測(cè)電極覆蓋部分之該遮蔽層以及對(duì) 應(yīng)該可視區(qū)之該下表面。6.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，更包含一基板，具有一承載面，該承載 面面對(duì)該蓋板之一下表面，其中該遮蔽層設(shè)置于部分之該承載面上，形成該蓋板之該非可 視區(qū)，該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)覆蓋部分的該遮蔽層以及對(duì)應(yīng)該可視區(qū)的該承載面。7.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，更包含至少一導(dǎo)電線路，位于該非可視 區(qū)內(nèi)，該些第一感測(cè)電極其中之一者之一端電性連接該導(dǎo)電線路。8.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，該交界處的范圍更包含以該遮蔽層的 邊界為中心線，往相對(duì)兩側(cè)各延伸一預(yù)定距離的范圍。9.如權(quán)利要求1所述之觸控面板，其特征在于，更包含一絕緣層，在該非可視區(qū)中，且 該絕緣層形成在該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)與該遮蔽層之間，其中該交界處的范圍更包含從該遮蔽層 的邊界至該絕緣層的邊界。10.如權(quán)利要求9所述之觸控面板，其特征在于，該交界處的范圍從該遮蔽層的邊界的 法線方向延伸一預(yù)定距離，或從該絕緣層的邊界的法線方向延伸該預(yù)定距離。11.一種觸控面板的制造方法，其特征在于，包含:提供一蓋板，該蓋板界定有一可視區(qū)以及一非可視區(qū)，其中該非可視區(qū)圍繞于該可視 區(qū)的周圍；形成一遮蔽層，以界定出該蓋板的該非可視區(qū)；以及形成圖案化的一第一感測(cè)結(jié)構(gòu)于該可視區(qū)以及至少部分該非可視區(qū)，其中該第一感 測(cè)結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第一感測(cè)電極，任兩相鄰該些第一感測(cè)電極之間在該可視區(qū)內(nèi)具有一第一 間距，任兩相鄰該些第一感測(cè)電極之間在該可視區(qū)與該非可視區(qū)之一交界處具有一第二間 距，且該第二間距大于該第一間距。12.如權(quán)利要求11所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，形成圖案化之該第一感 測(cè)結(jié)構(gòu)的步驟更包含:形成一第一感測(cè)電極層于該可視區(qū)以及至少部分該非可視區(qū)，其中該第一感測(cè)電極層 至少部分覆蓋該遮蔽層；涂布一光阻層于該第一感測(cè)電極層；形成該光阻層的多個(gè)第一感測(cè)電極圖案于該第一感測(cè)電極層上，其中該交界處的該些 第一感測(cè)電極圖案之間具有一第一蝕刻補(bǔ)償間距，該第一蝕刻補(bǔ)償間距的大小為該第二間 距的大小加上一第一補(bǔ)償值；以及利用該些第一感測(cè)電極圖案蝕刻該第一感測(cè)電極層，以形成圖案化的多個(gè)第一感測(cè)電極。13.如權(quán)利要求12所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，該第一補(bǔ)償值約為4微 米。14.如請(qǐng)求項(xiàng)12所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，在該交界處，該遮蔽層之邊 緣具有一傾斜度，該第一補(bǔ)償值的大小與該傾斜度成正比。15.如權(quán)利要求11所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，形成該遮蔽層之步驟更 包含:形成一鏤空?qǐng)D案；其中該觸控面板的制造方法更包含:形成圖案化的一第二感測(cè)結(jié)構(gòu)，該第二感測(cè)結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第二感測(cè)電極，該些第二感 測(cè)電極位于該非可視區(qū)內(nèi)且至少部分覆蓋該鏤空?qǐng)D案，任兩相鄰該些第二感測(cè)電極在該鏤 空?qǐng)D案外具有一第三間距，任兩相鄰該些第二感測(cè)電極在鏤空?qǐng)D案之邊緣處具有一第四間 距，該第四間距大于該第三間距。16.如權(quán)利要求15所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，形成圖案化之該第二感 測(cè)結(jié)構(gòu)之步驟更包含:形成一第二感測(cè)電極層于該非可視區(qū)，且該第二感測(cè)電極層至少部分覆蓋該鏤空?qǐng)D 案；涂布一光阻層于該第二感測(cè)電極層；形成該光阻層的多個(gè)第二感測(cè)電極圖案于該第二感測(cè)電極層上，其中橫跨該鏤空?qǐng)D案 的邊緣處的該些第二感測(cè)電極圖案之間具有一第二補(bǔ)償間距，該第二蝕刻補(bǔ)償間距的大小 為該第四間距之大小加上一第二補(bǔ)償值；以及利用該些第二感測(cè)電極圖案蝕刻該第二感測(cè)電極層，以形成圖案化的多個(gè)第二感測(cè)電極。17.如權(quán)利要求16所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，該第二補(bǔ)償值約為4微 米。18.如權(quán)利要求16所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，在該鏤空?qǐng)D案之邊緣處， 該遮蔽層之邊緣具有一傾斜度，該第二補(bǔ)償值的大小與該傾斜度成正比。19.如權(quán)利要求11所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，形成該遮蔽層的步驟更 包含:形成該遮蔽層於部分該蓋板的一下表面；其中形成圖案化的該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)的步驟更包含:形成該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)於部分的該遮蔽層以及該蓋板對(duì)應(yīng)該可視區(qū)的該下表面。20.如權(quán)利要求11所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，更包含:提供一基板，其中該基板具有一承載面，該承載面面對(duì)該蓋板的一下表面；其中形成該遮蔽層的步驟更包含:形成該遮蔽層于部分的該承載面上；其中形成圖案化的該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)的步驟更包含:形成該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)于部分的該遮蔽層以及該基板對(duì)應(yīng)該可視區(qū)的該承載面。21.如權(quán)利要求11所述之觸控面板的制造方法，其特征在于，更包含:在該非可視區(qū)中形成一絕緣層于該第一感測(cè)結(jié)構(gòu)與該遮蔽層之間，其中該交界處的范 圍更包括從該遮蔽層的邊界至該絕緣層的邊界。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK106033276SQ201510116749
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月18日
【發(fā)明人】林巖, 邱宗科, 蘇云聰, 張專元, 林雅璐
【申請(qǐng)人】宸鴻科技(廈門)有限公司