一種新型固態(tài)硬盤(pán)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種新型固態(tài)硬盤(pán)。
【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drive，SSD)主要包括Flash管理芯片和Flash芯片，與傳統(tǒng)硬盤(pán)相比其特別之處在于沒(méi)有機(jī)械結(jié)構(gòu)，具有低耗電、耐震、穩(wěn)定性高、耐低溫等優(yōu)點(diǎn)，目前現(xiàn)有的固態(tài)硬盤(pán)不足之處在于，傳輸速度不快，沒(méi)有數(shù)據(jù)保護(hù)功能，數(shù)據(jù)在傳輸過(guò)程中容易丟失，不僅制造成本高，系統(tǒng)資源占有率高，而且不支持TRM/UNMAP。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型固態(tài)硬盤(pán)，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種新型固態(tài)硬盤(pán)，包括核心主控，所述核心主控分別電性連接有掉電保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、擴(kuò)展接口、PCIe接口和通道主控，所述通道主控電性連接有flash芯片，所述flash芯片包括存儲(chǔ)flash和冗余flash。
[0005]優(yōu)選的，所述擴(kuò)展接口還與通道主控電性連接。
[0006]優(yōu)選的，所述通道主控?cái)?shù)量不少于四個(gè)，存儲(chǔ)flash數(shù)量不少于八個(gè)，冗余flash數(shù)量不少于兩個(gè)。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，最高數(shù)據(jù)傳輸速度為3400MB/S，512B連續(xù)1PS高達(dá)130萬(wàn)次；4KB隨機(jī)1PS高達(dá)55萬(wàn)次；具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)保護(hù)功能；支持TRIM/UNMAP ;系統(tǒng)資源占有率極低；低成本、高產(chǎn)出的MLC閃存方案。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中核心主控、2過(guò)載保護(hù)、3掉電保護(hù)、4擴(kuò)展接口、5通道主控、6存儲(chǔ)flash、7PCIe 接口、8 冗余 flash、9flash 芯片。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0011]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種新型固態(tài)硬盤(pán)，包括核心主控1，核心主控I分別電性連接有掉電保護(hù)3、過(guò)載保護(hù)2、擴(kuò)展接口 4、PCIe接口 7和通道主控5，通道主控5電性連接有flash芯片9，flash芯片9包括存儲(chǔ)flash6和冗余flash8，擴(kuò)展接口 4還與通道主控5電性連接，通道主控5數(shù)量不少于四個(gè)，存儲(chǔ)f lash6數(shù)量不少于八個(gè)，冗余f lash8數(shù)量不少于兩個(gè)。
[0012]工作原理:本實(shí)用新型通過(guò)核心主控進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)控制級(jí)校驗(yàn)，并且由掉電保護(hù)3和過(guò)載保護(hù)2實(shí)時(shí)判斷操作是否繼續(xù)，不能繼續(xù)采取相應(yīng)的保護(hù)措施，隨即發(fā)出中斷，不僅能有效防止在任何一條數(shù)據(jù)傳輸路徑上發(fā)生的數(shù)據(jù)損壞，而且能有效防止在主機(jī)突然掉電的情況下潛在的數(shù)據(jù)損壞和丟失的風(fēng)險(xiǎn)，使得該實(shí)用新型具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)保護(hù)功能，然后正常的數(shù)據(jù)通過(guò)核心主控I分配到不同的通道主控5中，由通道主控5進(jìn)行處理，并分發(fā)到Flash芯片9上，flash芯片9包括存儲(chǔ)flash6和冗余flash8，通道主控5有多個(gè)，多個(gè)通道并行計(jì)算，提高讀取了寫(xiě)入效率，通道主控5在校驗(yàn)過(guò)程中會(huì)發(fā)現(xiàn)Flash芯片9上的錯(cuò)誤，標(biāo)記出存儲(chǔ)f lash6的具體位置并從冗余FlashS中找到一個(gè)進(jìn)行替換，通過(guò)擴(kuò)展接口 4與通道主控5電性連接，組成8個(gè)并行的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)通道，不僅保持了寫(xiě)入性能的穩(wěn)定，而且提高了數(shù)據(jù)傳輸速度，所有的數(shù)據(jù)然后再通過(guò)PCIe接口 7傳輸出去，PCIe接口 7支持TRIM/UNMAP,本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，最高數(shù)據(jù)傳輸速度為3400MB/S，512B連續(xù)1PS高達(dá)130萬(wàn)次；4KB隨機(jī)1PS高達(dá)55萬(wàn)次；具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)保護(hù)功能；支持TRM/UNMAP ;系統(tǒng)資源占有率極低；低成本、高產(chǎn)出的MLC閃存方案。
[0013]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型固態(tài)硬盤(pán)，包括核心主控，其特征在于:所述核心主控分別電性連接有掉電保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、擴(kuò)展接口、PCIe接口和通道主控，所述通道主控電性連接有flash芯片，所述flash芯片包括存儲(chǔ)flash和冗余flash。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于:所述擴(kuò)展接口還與通道主控電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于:所述通道主控?cái)?shù)量不少于四個(gè)，存儲(chǔ)flash數(shù)量不少于八個(gè)，冗余flash數(shù)量不少于兩個(gè)。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型固態(tài)硬盤(pán)，包括核心主控，所述核心主控分別電性連接有掉電保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、擴(kuò)展接口、PCIe接口和通道主控，所述通道主控電性連接有flash芯片，所述flash芯片包括存儲(chǔ)flash和冗余flash。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，最高數(shù)據(jù)傳輸速度為3400MB/S，512B連續(xù)IOPS高達(dá)130萬(wàn)次；4KB隨機(jī)IOPS高達(dá)55萬(wàn)次；具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)保護(hù)功能；支持TRIM/UNMAP；系統(tǒng)資源占有率極低；低成本、高產(chǎn)出的MLC閃存方案。
【IPC分類(lèi)】G06F12-16, G06F11-16, G06F1-30
【公開(kāi)號(hào)】CN204331712
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420799223
【發(fā)明人】王璐
【申請(qǐng)人】北京兩條魚(yú)科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2014年12月18日