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      高散熱中央處理器的制造方法

      文檔序號:9139271閱讀:424來源:國知局
      高散熱中央處理器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型屬于電腦設(shè)備領(lǐng)域,具體地說是一種高散熱中央處理器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]中央處理器散熱一般采用風(fēng)冷散熱,這種方式散熱效率較低,熱傳遞速度較慢,長期使用容易導(dǎo)致熱量無法散出,出現(xiàn)故障。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0003]本實用新型提供一種高散熱中央處理器,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷。
      [0004]本實用新型通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn):
      [0005]高散熱中央處理器,包括CPU座,CPU座上安裝導(dǎo)熱塊,導(dǎo)熱塊和CPU座之間設(shè)置CPU,導(dǎo)熱塊外周設(shè)置密封殼,密封殼與導(dǎo)熱塊之間形成流動腔,導(dǎo)熱塊外周設(shè)置導(dǎo)熱塊凹槽,密封殼內(nèi)側(cè)設(shè)置密封殼凸環(huán),密封殼凸環(huán)與導(dǎo)熱塊凹槽配合,流動腔兩端設(shè)置循環(huán)管,循環(huán)管連接換熱盤管,流動腔、循環(huán)管和換熱盤管內(nèi)填充制冷液,循環(huán)管上安裝循環(huán)栗,換熱盤管上配合安裝換熱風(fēng)扇。
      [0006]如上所述的高散熱中央處理器,所述的密封殼內(nèi)側(cè)外周開設(shè)密封殼凹槽,導(dǎo)熱塊外周開設(shè)導(dǎo)熱塊凸環(huán),導(dǎo)熱塊凸環(huán)與密封殼凹槽配合。
      [0007]如上所述的高散熱中央處理器,所述的CPU與導(dǎo)熱塊之間設(shè)置導(dǎo)熱硅膠層。
      [0008]如上所述的高散熱中央處理器,所述的換熱風(fēng)扇和CPU座之間設(shè)置支撐架。
      [0009]本實用新型的優(yōu)點(diǎn)是:本實用新型中,CUP的熱量傳遞至導(dǎo)熱塊,導(dǎo)熱塊通過密封殼內(nèi)的流動的低溫的制冷液傳出,能夠提高散熱效率,保證中央處理器正常使用。本實用型新結(jié)構(gòu)簡單,造價成本低廉,能夠批量生產(chǎn)。
      【附圖說明】
      [0010]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
      [0011]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0012]附圖標(biāo)記:ICPU座,2CPU,3導(dǎo)熱塊,4導(dǎo)熱硅膠層,5流動腔,6導(dǎo)熱塊凹槽,7密封殼凸環(huán),8導(dǎo)熱塊凸環(huán),9密封殼凹槽,10循環(huán)管,11支撐架,12換熱盤管,13換熱風(fēng)扇,14密封殼15循環(huán)栗。
      【具體實施方式】
      [0013]為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
      [0014]高散熱中央處理器,如圖所示,包括CPU座1,CPU座I上安裝導(dǎo)熱塊3,導(dǎo)熱塊3和CPU座I之間設(shè)置CPU2,導(dǎo)熱塊3外周設(shè)置密封殼14,密封殼14與導(dǎo)熱塊3之間形成流動腔5,導(dǎo)熱塊3外周設(shè)置導(dǎo)熱塊凹槽6,密封殼14內(nèi)側(cè)設(shè)置密封殼凸環(huán)7,密封殼凸環(huán)7與導(dǎo)熱塊凹槽6配合,流動腔5兩端設(shè)置循環(huán)管10,循環(huán)管10連接換熱盤管12,流動腔5、循環(huán)管10和換熱盤管12內(nèi)填充制冷液,循環(huán)管10上安裝循環(huán)栗15,換熱盤管12上配合安裝換熱風(fēng)扇13。本實用新型中,CUP的熱量傳遞至導(dǎo)熱塊,導(dǎo)熱塊通過密封殼內(nèi)的流動的低溫的制冷液傳出,能夠提高散熱效率,保證中央處理器正常使用。本實用型新結(jié)構(gòu)簡單,造價成本低廉,能夠批量生產(chǎn)。
      [0015]具體而言,為了增加導(dǎo)熱塊3和密封殼14連接密閉性,本實施例所述的密封殼14內(nèi)側(cè)外周開設(shè)密封殼凹槽9,導(dǎo)熱塊3外周開設(shè)導(dǎo)熱塊凸環(huán)8,導(dǎo)熱塊凸環(huán)8與密封殼凹槽9配合。
      [0016]具體的,為了增加導(dǎo)熱性,本實施例所述的CPU2與導(dǎo)熱塊3之間設(shè)置導(dǎo)熱硅膠層4。通過導(dǎo)熱硅膠層4能夠?qū)崃勘M量多的傳遞至導(dǎo)熱塊3。
      [0017]進(jìn)一步的,為了方便安裝,本實施例所述的換熱風(fēng)扇13和CPU座I之間設(shè)置支撐架11。
      [0018]最后應(yīng)說明的是:以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案,而非對其限制;盡管參照前述實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
      【主權(quán)項】
      1.高散熱中央處理器,其特征在于:包括CPU座(I),CPU座(I)上安裝導(dǎo)熱塊(3),導(dǎo)熱塊⑶和CPU座⑴之間設(shè)置CPU (2),導(dǎo)熱塊(3)外周設(shè)置密封殼(14),密封殼(14)與導(dǎo)熱塊⑶之間形成流動腔(5),導(dǎo)熱塊(3)外周設(shè)置導(dǎo)熱塊凹槽(6),密封殼(14)內(nèi)側(cè)設(shè)置密封殼凸環(huán)(7),密封殼凸環(huán)(7)與導(dǎo)熱塊凹槽(6)配合,流動腔(5)兩端設(shè)置循環(huán)管(10),循環(huán)管(10)連接換熱盤管(12),流動腔(5)、循環(huán)管(10)和換熱盤管(12)內(nèi)填充制冷液,循環(huán)管(10)上安裝循環(huán)栗(15),換熱盤管(12)上配合安裝換熱風(fēng)扇(13)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高散熱中央處理器,其特征在于:所述的密封殼(14)內(nèi)側(cè)外周開設(shè)密封殼凹槽(9),導(dǎo)熱塊(3)外周開設(shè)導(dǎo)熱塊凸環(huán)(8),導(dǎo)熱塊凸環(huán)(8)與密封殼凹槽(9)配合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高散熱中央處理器,其特征在于:所述的CPU(2)與導(dǎo)熱塊(3)之間設(shè)置導(dǎo)熱硅膠層(4)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高散熱中央處理器,其特征在于:所述的換熱風(fēng)扇(13)和CPU座⑴之間設(shè)置支撐架(11)。
      【專利摘要】高散熱中央處理器,包括CPU座,CPU座上安裝導(dǎo)熱塊,導(dǎo)熱塊和CPU座之間設(shè)置CPU,導(dǎo)熱塊外周設(shè)置密封殼,密封殼與導(dǎo)熱塊之間形成流動腔,導(dǎo)熱塊外周設(shè)置導(dǎo)熱塊凹槽,密封殼內(nèi)側(cè)設(shè)置密封殼凸環(huán),密封殼凸環(huán)與導(dǎo)熱塊凹槽配合,流動腔兩端設(shè)置循環(huán)管,循環(huán)管連接換熱盤管,流動腔、循環(huán)管和換熱盤管內(nèi)填充制冷液,循環(huán)管上安裝循環(huán)泵,換熱盤管上配合安裝換熱風(fēng)扇。本實用新型中,CUP的熱量傳遞至導(dǎo)熱塊,導(dǎo)熱塊通過密封殼內(nèi)的流動的低溫的制冷液傳出,能夠提高散熱效率,保證中央處理器正常使用。本實用型新結(jié)構(gòu)簡單,造價成本低廉,能夠批量生產(chǎn)。
      【IPC分類】G06F1/20
      【公開號】CN204808186
      【申請?zhí)枴緾N201520521930
      【發(fā)明人】馮新玲, 王瑩莉
      【申請人】鄭州工業(yè)應(yīng)用技術(shù)學(xué)院
      【公開日】2015年11月25日
      【申請日】2015年7月20日
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