Ij，以判定MOSFET場效應(yīng)管T的導(dǎo)通或關(guān)斷，充電器的輸出端VBUS與USB Type C適配器 的5V輸出端是否由MOSFET場效應(yīng)管T連接或隔離，即電源是否給終端設(shè)備供電。
[0032] 第一 ESD防護電阻R7和第二ESD防護電阻R 14是昆山厚聲（Uniohm)電子工業(yè) 有限公司出品的IOOK Ω的ESD防護電阻。
[0033] 第一比較器IC-A和第二比較器IC-C、第三比較器IC-B和第四比較器IC-D是美國 得克薩斯儀器（Texas Instruments，縮略詞為TI)有限公司出品的型號為LM139的四合一 比較器。
[0034] 第一延時電容Cl和第二延時電容C2是介質(zhì)材料為X7R的溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器 和介質(zhì)材料為包括銣、釤的稀有金屬氧化物的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器中的一 種，以減少溫度對延時支路的影響。
[0035] 還設(shè)有控制第一比較器IC-A和第二比較器IC-C、第三比較器IC-B和第四比較器 IC-D的直流電源端的第三電子開關(guān)，用于降低靜態(tài)功耗，第三電子開關(guān)一端與USB Type C 適配器的5V輸出端連接，另一端與第一比較器IC-A和第二比較器IC-C、第三比較器IC-B 和第四比較器IC-D的直流電源端，以及第三分壓電阻R8的一端、第一比較器IC-A的第三 上拉電阻R9和第二比較器IC-C的第四上拉電阻Rll連接，第三電子開關(guān)的控制端通過由 第一隔離二極管D2和第五上拉電阻R3組成的輸入電路與終端設(shè)備的第一輸入端CCl連 接，接受終端設(shè)備的第一輸入端CCl的通信信號控制，還通過由第二隔離二極管Dl和第五 上拉電阻R3組成的輸入電路與終端設(shè)備的第二輸入端CC2連接，接受終端設(shè)備的第二輸入 端CC2的通信信號控制。
[0036] 第三電子開關(guān)是第二MOSFET場效應(yīng)管T2,以及P型開關(guān)三極管中的一種，第三電 子開關(guān)是樂山無線電股份有限公司（Leshan Radio Co.，Ltd.，縮略詞為LRC)出品的型號為 LNTK3043PT5G的第二MOSFET場效應(yīng)管T2,其漏極與GND之間連接有穩(wěn)壓電阻R10。
[0037] 還設(shè)有由穩(wěn)壓二極管WD、第一分壓電阻R12、第二分壓電阻R13,以及與第 三分壓電阻R8的另一端連接的臺灣興勤（THINKING)電子有限公司出品的型號為 TSM1A104J4103HZ的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻NTC組成的具有過溫保護功能的比較器第一基準(zhǔn) 電壓源IlN+和比較器第二基準(zhǔn)電壓源21N-，負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻NTC的一端與第一比較器 IC-A和第四比較器IC-D的比較器第一基準(zhǔn)電壓源IlN+連接，負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻NTC的 另一端與第二比較器IC-C和第三比較器IC-B的比較器第二基準(zhǔn)電壓源21N-連接，當(dāng)充電 器內(nèi)部溫度過高時，負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻NTC阻值降低，比較器參考電壓下降并使之輸出 為高，第一開關(guān)三極管TA和第二開關(guān)三極管TB保持關(guān)斷狀態(tài)，MOSFET場效應(yīng)管T關(guān)斷，由 此提供過溫保護。
[0038] 還設(shè)有用于在終端設(shè)備移除時為充電器的輸出端VBUS提供的放電支路，放電支 路連接在充電器的輸出端VBUS、GND之間，放電支路是由其柵極與雙基極開關(guān)三極管的集 電極連接的樂山無線電股份有限公司（Leshan Radio Co.，Ltd.，縮略詞為LRC)出品的型號 為LNTK3043PT5G的第三MOSFET場效應(yīng)管T3及其串接的昆山厚聲（Uniohm)電子工業(yè)有限 公司出品的10ΚΩ的漏極放電電阻組成。
[0039] 本【具體實施方式】一的識別工作過程如下：
[0040] 當(dāng)終端設(shè)備的第一輸入端CC1、終端設(shè)備的第二輸入端CC2同時無信號接入時，第 二MOSFET場效應(yīng)管T2處于關(guān)斷狀態(tài)，比較器IC-A、比較器IC-B、比較器IC-C和比較器IC-D 無工作用的直流電源，導(dǎo)致雙基極開關(guān)三極管、第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl處于關(guān)斷狀態(tài)，此 時充電器的輸出端VBUS與USB Type C適配器的5V輸出端由第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl隔 離，充電器的輸出端VBUS處于待機模式，降低待機功耗。
[0041] 當(dāng)終端設(shè)備的第一輸入端CCl或/和終端設(shè)備的第二輸入端CC2有0. 85V~2. 6V 電壓信號接入時，第二MOSFET場效應(yīng)管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，比較器IC-A、比較器IC-B、比較 器IC-C和比較器IC-D有工作用的直流電源，同時由于比較器IC-A、比較器IC-B、比較器 IC-C和比較器IC-D的輸入電壓范圍在比較器基準(zhǔn)范圍內(nèi)且延時電容Cl與ESD防護電阻 R7組成的延時支路、延時電容C2與ESD防護電阻R14組成的延時支路工作，雙基極開關(guān)三 極管在設(shè)定的延遲時間100毫秒至200毫秒內(nèi)導(dǎo)通，繼而第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl導(dǎo)通，此 時USB Type C適配器的5V輸出端通過第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl與充電器的輸出端VBUS 連接，充電器的輸出端VBUS通過C型USB向終端設(shè)備供電。
[0042] 當(dāng)終端設(shè)備第一輸入端CCl或/和終端設(shè)備的第二輸入端CC2的通信信號接入時 間小于設(shè)定延遲時間100毫秒至200毫秒，比較器IC-A、比較器IC-B、比較器IC-C和比較 器IC-D的輸出無法使雙基極開關(guān)三極管開通，第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl也無法開通，此時 充電器的輸出端VBUS與USB Type C適配器的5V輸出端由第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl隔離。
[0043] 當(dāng)終端設(shè)備的第一輸入端CCl和終端設(shè)備的第二輸入端CC2有同時小于0. 8V電 壓信號接入時，第二MOSFET場效應(yīng)管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，比較器IC-A、比較器IC-B、比較器 IC-C和比較器IC-D有工作用的直流電源，但由于比較器IC-A、比較器IC-B、比較器IC-C 和比較器IC-D的輸入電壓范圍不在比較器基準(zhǔn)范圍內(nèi)，導(dǎo)致雙基極開關(guān)三極管和第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl處于關(guān)斷狀態(tài)，此時充電器的輸出端VBUS與USB Type C適配器5V的 5V輸出端由第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl隔離。
[0044] 當(dāng)終端設(shè)備的第一輸入端CCl有小于0. 8V電壓信號接入，而終端設(shè)備的第二輸入 端CC2沒有電壓信號接入時，第二MOSFET場效應(yīng)管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，比較器IC-A、比較器 IC-B、比較器IC-C和比較器IC-D有工作用的直流電源，但由于比較器IC-A、比較器IC-B、 比較器IC-C和比較器IC-D的輸入電壓范圍不在比較器基準(zhǔn)范圍內(nèi)，導(dǎo)致雙基極開關(guān)三極 管和第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)終端設(shè)備第一輸入端CCl沒有電壓信號接 入，而終端設(shè)備的第二輸入端CC2有小于0. 8V電壓信號接入時，第二MOSFET場效應(yīng)管T2處 于導(dǎo)通狀態(tài)，比較器IC-A、比較器IC-B、比較器IC-C和比較器IC-D有工作用的直流電源， 但由于比較器IC-A、比較器IC-B、比較器IC-C和比較器IC-D的輸入電壓范圍不在比較器 基準(zhǔn)范圍內(nèi)，導(dǎo)致雙基極開關(guān)三極管和第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl處于關(guān)斷狀態(tài)，此時充電器 的輸出端VBUS與USB Type C適配器的5V輸出端由第一 MOSFET場效應(yīng)管Tl隔離。
[0045] 當(dāng)終端設(shè)備的第一輸入端CCl或/和終端設(shè)備的第二輸入端CC2有大于2. 75V 電壓信號接入時，第二MOSFET場效應(yīng)管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，比較器IC-A、比較器IC-B、比 較器IC-C和比較器IC-D有工作用的直流電源，但由于比較器IC-A、比較器IC-B