一種小型化的rfid標簽的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及射頻識別領域，尤其涉及UHF頻段的較小尺寸的標簽。
【背景技術】
[0002]RFID技術發(fā)展迅速，應用領域越來越廣，產品的尺寸愈來愈趨于小型化。近年來，已提出多種小型化電子標簽，多以環(huán)式或常規(guī)的對稱偶極子式的天線。環(huán)式的天線，屬于近場天線，雖然尺寸小了許多，能滿足小型化的標簽應用，但是因為讀寫距離很近，通常只有10公分左右，遠遠滿足不了常規(guī)的項目應用；小型環(huán)標簽因為電感環(huán)較小，造成阻抗匹配的虛部太小，難以滿足芯片的阻抗匹配而造成性能太差。另外常規(guī)的對稱偶極子天線，往往由于受到了天線臂長的限制，無法過多的減小產品尺寸，在實際應用過程中，無法縮小天線的設計尺寸。

【發(fā)明內容】

[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種小型RFID標簽，在保證較小尺寸的同時保證產品穩(wěn)定性和一致性。為此，本實用新型采用以下技術方案:
[0004]一種小型RFID標簽，其特征在于所述RFID標簽的天線采用雙層環(huán)結構，即在RFID電感環(huán)的下方增加一個新的回路環(huán)，下層回路環(huán)和上層回路環(huán)首尾相接，以增加整個標簽的感性。
[0005]進一步地，所述RFID標簽的芯片接入位置饋電區(qū)處于標簽的上層回路環(huán)。
[0006]進一步地，所述的下層回路環(huán)和上層回路環(huán)通過通孔方式導電連接。
[0007]進一步地，下層回路環(huán)和上層回路環(huán)附著于中間的介質層的兩面，通過介質層上的通孔導電連接。
[0008]進一步地，下層回路環(huán)兩側再衍生出天線臂，增加天線電長度和輻射面積。
[0009]由于采用本實用新型的技術方案，本實用新型通過對天線結構的改進，既使其符合小性RFID標簽的尺寸要求，又增加天線電長度和輻射面積，增加整個標簽的感性。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型所提供的實施例結構示意圖。
[0011 ] 圖2為圖1所示實施例的分解圖。
[0012]圖3為圖1所示實施例在介質層通孔處的剖視圖。
【具體實施方式】
[0013]參照附圖。本實用新型所提供的一種小型化的RFID標簽，其天線采用雙層環(huán)結構，即在RFID電感環(huán)(上層回路環(huán)I)的下方增加一個新的回路環(huán)(下層回路環(huán)2)，下層回路環(huán)2和上層回路環(huán)I首尾相接(相接處以附圖標記3表示)。
[0014]所述RFID標簽的芯片接入位置饋電區(qū)4處于標簽的上層回路環(huán)。
[0015]所述的下層回路環(huán)2和上層回路環(huán)I附著于中間的FR4介質層5的兩面，通過FR4介質層上的通孔50導電連接。
[0016]下層回路2環(huán)向兩側再衍生出天線臂20，增加天線電長度和輻射面積。
【主權項】
1.一種小型化的RFID標簽，其特征在于所述RFID標簽的天線采用雙層環(huán)結構，下層回路環(huán)和上層回路環(huán)首尾相接。2.如權利要求1所述的一種小型化的RFID標簽，其特征在于所述RFID標簽的芯片接入位置饋電區(qū)處于標簽的上層回路環(huán)。3.如權利要求1所述的一種小型化的RFID標簽，其特征在于所述的下層回路環(huán)和上層回路環(huán)通過通孔方式導電連接。4.如權利要求1所述的一種小型化的RFID標簽，其特征在于所述的下層回路環(huán)和上層回路環(huán)附著于中間的介質層的兩面，通過介質層上的通孔導電連接。5.如權利要求1、2、3或4所述的一種小型化的RFID標簽，其特征在于下層回路環(huán)向兩側再衍生出天線臂，增加天線電長度和輻射面積。
【專利摘要】本實用新型提供了一種小型化的RFID標簽，所述RFID標簽的天線采用雙層環(huán)結構，即在RFID電感環(huán)的下方增加一個新的回路環(huán)，下層回路環(huán)和上層回路環(huán)首尾相接，本實用新型通過對天線結構的改進，既使其符合小性RFID標簽的尺寸要求，又增加天線電長度和輻射面積，增加整個標簽的感性。
【IPC分類】G06K19/077
【公開號】CN204883771
【申請?zhí)枴緾N201520164156
【發(fā)明人】吳夏冰, 張策
【申請人】杭州思創(chuàng)匯聯(lián)科技有限公司, 杭州中瑞思創(chuàng)科技股份有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年3月23日