智能鑰匙終端裝置及其工作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置及其工作方法，根據(jù)本發(fā)明的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于：將智能鑰匙的發(fā)送頻率變化量管理在較窄的特定范圍，從而將智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶設(shè)定在較窄的特定范圍，因此能夠在智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶內(nèi)的強(qiáng)噪聲區(qū)域提高遙控鑰匙(RKE)的工作的成功概率。根據(jù)本發(fā)明，通過在智能鑰匙上添加晶體(crystal)溫度補(bǔ)償電路，設(shè)定較窄的智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶，從而能夠解決射頻強(qiáng)電場區(qū)域中由于使用頻帶內(nèi)的噪聲或者鄰近的噪聲而經(jīng)常引起智能鑰匙工作不正常的問題。
【專利說明】智能鑰匙終端裝置及其工作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端(FOB)裝置及其工作方法，尤其涉及在射頻(RF)噪聲區(qū)域用于提高智能鑰匙系統(tǒng)的工作性能的裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示,現(xiàn)有的智能鑰匙由微型計(jì)算機(jī)集成電路(Integrated Circuit ；IC)和射頻(Rad1 Frequency ;RF) IC 或表面聲波(Surface Acoustic Wave ；SAff)振蕩電路等構(gòu)成。
[0003]智能鑰匙的射頻特性取決于射頻IC或SAW振蕩電路的特性，由射頻IC構(gòu)成的電路的射頻特性取決于射頻IC和晶體(Crystal)、電容器(Capacitor)。
[0004]通過上述三個(gè)構(gòu)成要素，能夠在客戶要求的溫度規(guī)格(_20°C?60°C )和電源規(guī)格(+3.2V?2.5V)內(nèi)形成射頻目標(biāo)規(guī)格(頻率偏移、頻率偏差)。
[0005]—方面，圖2是頻移鍵控(Frequency Shift Keying ；FSK)方式的射頻發(fā)送輸出波形,其中上側(cè)頻率與下側(cè)頻率之差稱為頻率偏移，中心頻率(上/下側(cè)頻率的中心)移位程度稱為頻率偏差。
[0006]并且，智能鑰匙系統(tǒng)的射頻規(guī)格如圖3所示，接收器的接收頻帶是包含智能鑰匙部件的公差的發(fā)送頻帶中反映接收器部件的公差的頻帶。
[0007]現(xiàn)有規(guī)格是發(fā)送器中心頻率(f0)為433.92MHz，頻率偏移為±50kHz、頻率偏差為±50kHz，接收器的頻帶是發(fā)送器的使用頻帶(200kHz) +部件公差(20kHz)。
[0008]但是，現(xiàn)有智能鑰匙系統(tǒng)的射頻規(guī)格因考慮到基本構(gòu)成部件的基本特性和溫度特性，使用頻帶設(shè)置得比較寬，因此當(dāng)噪聲發(fā)生在使用頻帶內(nèi)時(shí)，遙控鑰匙(Remote KeylessEntry ；RKE)性能下降。
[0009]S卩，當(dāng)使用頻帶變寬時(shí)受帶寬內(nèi)預(yù)定級(jí)別以上噪聲的影響，RKE的工作性可能會(huì)下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]技術(shù)問題
[0011]為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種用于提高智能鑰匙系統(tǒng)的工作性能的智能鑰匙終端(FOB)裝置及其工作方法，其將智能鑰匙的發(fā)送頻率變化量管理在較窄的特定范圍，將智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶設(shè)定在較窄的特定范圍，從而能夠提高智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶內(nèi)強(qiáng)噪聲區(qū)域提高RKE工作的成功概率。
[0012]技術(shù)方案
[0013]為了達(dá)成上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于包括:微型計(jì)算機(jī)，其在用戶操作智能鑰匙工作按鍵時(shí)輸出啟動(dòng)(Enable)信號(hào)；無線頻率集成電路部，其在接收到所述啟動(dòng)信號(hào)時(shí)啟動(dòng)；溫度補(bǔ)償部，其在接收到所述啟動(dòng)信號(hào)時(shí)啟動(dòng)；以及晶體，其一側(cè)與所述無線頻率集成電路部串聯(lián)連接，另一側(cè)與所述溫度補(bǔ)償部串聯(lián)連接，當(dāng)從啟動(dòng)的所述無線頻率集成電路部接收到信號(hào)時(shí)輸出對(duì)應(yīng)于接收到的信號(hào)的信號(hào)，其中所述溫度補(bǔ)償部包括mpn型三極管TR1，其基極端與所述微型計(jì)算機(jī)串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓串聯(lián)連接；電阻R2，其一側(cè)與所述三極管TRl的發(fā)射極端串聯(lián)連接；熱敏電阻(Thermistor)!!，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接；電阻R1，其一側(cè)與所述熱敏電阻(Thermistor)Tl串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接；以及變?nèi)荻O管(Varactor D1de)D1，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接，在所述熱敏電阻Tl的一側(cè)與所述變?nèi)荻O管Dl的一側(cè)相并聯(lián)連接的連接點(diǎn)串聯(lián)連接有所述晶體的所述另一側(cè)，通過向該連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在所述無線頻率集成電路部啟動(dòng)時(shí)并聯(lián)連接于所述晶體的電容器Cl的值能夠變動(dòng)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面的一種用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置的工作方法，其特征在于包括:當(dāng)用戶操作智能鑰匙(FOB)工作按鍵時(shí)，微型計(jì)算機(jī)輸出用于啟動(dòng)無線頻率集成電路部和溫度補(bǔ)償部的啟動(dòng)(Enable)信號(hào)的步驟；以及啟動(dòng)的所述無線頻率集成電路部向位于其自身與所述溫度補(bǔ)償部之間的晶體輸出信號(hào)的步驟，其中所述溫度補(bǔ)償部包括:三極管TR1，其基極端與所述微型計(jì)算機(jī)串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓串聯(lián)連接，該三極管TRl為npn型；電阻R2，其一側(cè)與所述三極管TRl的發(fā)射極端串聯(lián)連接；熱敏電阻Thermistor) Tl，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接；電阻Rl，其一側(cè)與所述熱敏電阻(Thermistor)Tl串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接；以及變?nèi)荻O管D1，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接，并且其中，所述熱敏電阻Tl的一側(cè)與所述變?nèi)荻O管Dl的一側(cè)相并聯(lián)連接的連接點(diǎn)串聯(lián)連接有所述晶體的所述另一側(cè)，所述智能鑰匙終端裝置工作方法還包括通過向該連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在所述無線頻率集成電路部啟動(dòng)時(shí)并聯(lián)連接于所述晶體的電容器Cl的值能夠變動(dòng)的步驟。
[0015]技術(shù)效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，通過向智能鑰匙添加晶體(crystal)溫度補(bǔ)償電路，窄幅設(shè)定智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶，從而能夠解決射頻強(qiáng)電場區(qū)域中由于使用頻帶內(nèi)的噪聲或者鄰近的噪聲而經(jīng)常引起智能鑰匙(FOB)工作不正常的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1至圖3為說明現(xiàn)有技術(shù)的示意圖；
[0018]圖4為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置的示意圖；
[0019]圖5為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨溫度變化的晶體頻率變化的示意圖；
[0020]圖6為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨電容值變化的晶體頻率變化的示意圖；
[0021]圖7為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨溫度變化的熱敏電阻的電阻值變化的示意圖；
[0022]圖8為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨電壓值變化的變?nèi)荻O管的電容值變化的示意圖。
[0023]附圖標(biāo)記說明
[0024]110:微型計(jì)算機(jī) 120:無線頻率集成電路部
[0025]130:溫度補(bǔ)償部 140:晶體

【具體實(shí)施方式】
[0026]參照附圖及結(jié)合附圖詳細(xì)說明的下述實(shí)施例，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及特征、及其達(dá)成方法將會(huì)明確。但是本發(fā)明并非限定于以下公開的實(shí)施例，而是以互不相同的多種形態(tài)實(shí)現(xiàn)，本實(shí)施例僅使本發(fā)明的公開更加完整，是為了使本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員能夠容易理解本發(fā)明的范疇而提供的，本發(fā)明由本申請(qǐng)記載的技術(shù)方案的范疇所定義。另外，本說明書中使用的術(shù)語用于說明實(shí)施例，而并非限定本發(fā)明。本說明書中若句子中未特別言及，單數(shù)型也包括復(fù)數(shù)型。說明書中使用的“包括(comprises) ”或“包含的(comprising)”不排除言及的構(gòu)成要素、步驟、動(dòng)作及/或元件以外的一個(gè)以上的其他構(gòu)成要素、步驟、動(dòng)作及/或元件存在或添加。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于提高智能鑰匙(smart key)系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端(FOB)裝置，其特征在于包括:微型計(jì)算機(jī)，其在用戶操作智能鑰匙工作按鍵時(shí)輸出啟動(dòng)(Enable)信號(hào)；無線頻率集成電路部，其在接收到所述啟動(dòng)信號(hào)時(shí)啟動(dòng)；溫度補(bǔ)償部，其在接收到所述啟動(dòng)信號(hào)時(shí)啟動(dòng)；以及晶體，其一側(cè)與所述無線頻率集成電路部串聯(lián)連接，另一側(cè)與所述溫度補(bǔ)償部串聯(lián)連接，當(dāng)從啟動(dòng)的所述無線頻率集成電路部接收到信號(hào)時(shí)輸出對(duì)應(yīng)于接收到的信號(hào)的信號(hào)，其中所述溫度補(bǔ)償部包括:npn型三極管TR1，其基極端與所述微型計(jì)算機(jī)串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓串聯(lián)連接；電阻R2，其一側(cè)與所述三極管TRl的發(fā)射極端串聯(lián)連接；熱敏電阻(Thermistor) Tl，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接；電阻Rl，其一側(cè)與所述熱敏電阻(Thermistor)Tl串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接；以及變?nèi)荻O管D1，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接，所述熱敏電阻Tl的一側(cè)與所述變?nèi)荻O管Dl的一側(cè)相并聯(lián)連接的連接點(diǎn)串聯(lián)連接有所述晶體的所述另一側(cè)，通過向該連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在所述無線頻率集成電路部啟動(dòng)時(shí)并聯(lián)連接于所述晶體的電容器Cl的值能夠變動(dòng)。
[0028]本發(fā)明的另一特征在于:從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率隨所述晶體的溫度變化而變化，且隨與所述晶體并聯(lián)連接的電容器Cl的值而變化，其中從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化特性中隨溫度變化的特性與隨所述電容器Cl的值變化的特性互相相反，所述溫度補(bǔ)償部根據(jù)對(duì)應(yīng)于溫度變化的所述電容器Cl的值的變化抵消從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化，以防止所述晶體的頻率隨所述溫度變化而變動(dòng)。
[0029]本發(fā)明的另一特征在于:所述溫度補(bǔ)償部在被所述微型計(jì)算機(jī)啟動(dòng)(Enable)時(shí)，通過所述三極管TRl向所述連接點(diǎn)施加智能鑰匙的電池供應(yīng)的電源電壓，向所述連接點(diǎn)施加的所述電源電壓分配到所述電阻R2、所述熱敏電阻Tl及所述電阻R1。
[0030]本發(fā)明的另一特征在于:施加到所述變?nèi)荻O管Dl的電壓為所述連接點(diǎn)的電壓，所述連接點(diǎn)的電壓取決于所述熱敏電阻Tl的電阻和所述電阻Rl的電阻值。
[0031]本發(fā)明的另一特征在于:所述熱敏電阻Tl的電阻值在低溫時(shí)增大，在高溫時(shí)減小，所述變?nèi)荻O管Dl的電容值在施加的電壓增大時(shí)減小，在施加的電壓減小時(shí)增大。
[0032]本發(fā)明的另一特征在于:所述溫度補(bǔ)償部在低溫時(shí)利用所述熱敏電阻Tl的大電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓增大，使所述變?nèi)荻O管Dl的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓增大而減小，使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管Dl的電容值減小而增大，以彌補(bǔ)低溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率減小。
[0033]本發(fā)明的另一特征在于:所述溫度補(bǔ)償部在高溫時(shí)利用所述熱敏電阻Tl的小電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓減小，使所述變?nèi)荻O管Dl的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓減小而增大，使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管Dl的電容值增大而減小，以彌補(bǔ)高溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率增大。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置的工作方法，其特征在于包括:當(dāng)用戶操作智能鑰匙工作按鍵時(shí)，微型計(jì)算機(jī)輸出用于啟動(dòng)無線頻率集成電路部和溫度補(bǔ)償部的啟動(dòng)(Enable)信號(hào)的步驟；以及啟動(dòng)的所述無線頻率集成電路部向位于其自身與所述溫度補(bǔ)償部之間的晶體輸出信號(hào)的步驟，其中所述溫度補(bǔ)償部包括:npn型三極管TR1，其基極端與所述微型計(jì)算機(jī)串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓串聯(lián)連接；電阻R2，其一側(cè)與所述三極管TRl的發(fā)射極端串聯(lián)連接；熱敏電阻(Thermistor)Tl，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接；電阻R1，其一側(cè)與所述熱敏電阻(Thermistor)Tl串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接；以及變?nèi)荻O管D1，其一側(cè)與所述電阻R2串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接，并且其中，所述熱敏電阻Tl的一側(cè)與所述變?nèi)荻O管Dl的一側(cè)相并聯(lián)連接的連接點(diǎn)串聯(lián)連接有所述晶體的所述另一側(cè)，所述智能鑰匙終端裝置工作方法還包括通過向該連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在所述無線頻率集成電路部啟動(dòng)時(shí)并聯(lián)連接于所述晶體的電容器Cl的值能夠變動(dòng)的步驟。
[0035]本發(fā)明的另一特征在于:從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率隨所述晶體的溫度變化而變化，且隨與所述晶體并聯(lián)連接的電容器Cl的值而變化，其中從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化特性中隨溫度變化的特性與隨所述電容器Cl的值變化的特性互相相反，施加電源電壓的所述步驟包括:根據(jù)對(duì)應(yīng)于溫度變化的所述電容器Cl的值的變化抵消從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化，以防止所述晶體的頻率隨所述溫度變化而變動(dòng)的步驟。
[0036]本發(fā)明的另一特征在于，施加電源電壓的所述步驟包括:通過所述三極管TRl向所述連接點(diǎn)施加智能鑰匙的電池供應(yīng)的電源電壓的步驟；以及將向所述連接點(diǎn)施加的所述電源電壓分配到所述電阻R2、所述熱敏電阻Tl及所述點(diǎn)入Rl的步驟。
[0037]本發(fā)明的另一特征在于:施加到所述變?nèi)荻O管Dl的電壓為所述連接點(diǎn)的電壓，施加電源電壓的所述步驟包括:由所述熱敏電阻Tl的電阻和所述電阻Rl的電阻值確定所述連接點(diǎn)的電壓的步驟。
[0038]本發(fā)明的另一特征在于:所述熱敏電阻Tl的電阻的值在低溫時(shí)增大，在高溫時(shí)減小，所述變?nèi)荻O管Dl的電容值在施加的電壓增大時(shí)減小，在施加的電壓減小時(shí)增大。
[0039]本發(fā)明的另一特征在于，施加電源電壓的所述步驟包括:在低溫時(shí)利用所述熱敏電阻Tl的大電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓增大，以彌補(bǔ)低溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率減小的步驟；使所述變?nèi)荻O管Dl的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓增大而減小的步驟；以及使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管Dl的電容值減小而增大的步驟。
[0040]本發(fā)明的另一特征在于，施加電源電壓的所述步驟包括:在高溫時(shí)利用所述熱敏電阻Tl的小電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓減小，以彌補(bǔ)低溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率增大的步驟；使所述變?nèi)荻O管Dl的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓減小而增大的步驟；以及使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管Dl的電容值增大而減小的步驟。
[0041]本發(fā)明的另一特征在于:用于提高工作性能的所述智能鑰匙的射頻(RF)特性取決于所述無線頻率集成電路部的特性，所述無線頻率集成電路部的特性取決于所述晶體及所述電容器Cl。
[0042]以下參照?qǐng)D4至圖8說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)的工作性能的智能鑰匙終端裝置及其工作方法。圖4為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)的工作性能的智能鑰匙終端裝置的示意圖，圖5為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨溫度變化的晶體頻率變化的示意圖，圖6為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨電容值變化的晶體頻率變化的示意圖，圖7為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨溫度變化的熱敏電阻的電阻值變化的示意圖，圖8為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的隨電壓值變化的變?nèi)荻O管的電容值變化的示意圖。
[0043]本發(fā)明通過如下管理智能鑰匙的使用頻帶，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。
[0044]S卩，本發(fā)明縮小智能鑰匙的使用頻帶，將其設(shè)定成預(yù)先設(shè)定的頻帶，使智能鑰匙系統(tǒng)中使用的頻帶縮小至預(yù)先設(shè)定的頻帶，以防止智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶內(nèi)的噪聲降低遙控鑰匙的工作性能。
[0045]一方面，智能鑰匙的使用頻帶取決于晶體的頻率偏差(移位)，晶體的頻率偏差由初始偏差和溫度偏差構(gòu)成，大部分(預(yù)先設(shè)定的范圍以上)由溫度偏差構(gòu)成。
[0046]因此，當(dāng)將源于溫度變化的頻率偏差部分縮小至預(yù)先設(shè)定的范圍時(shí)，智能鑰匙的頻帶縮小至預(yù)先設(shè)定的范圍，從而能夠相應(yīng)地將智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶縮小至預(yù)先設(shè)定的范圍。
[0047]如圖4所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置包括微型計(jì)算機(jī)(MICOM) 110、無線頻率集成電路部120 (Rad1 FrequencyIntegrated Circuit ;RFIC)、溫度補(bǔ)償部 130 以及晶體 140。
[0048]如圖5所示，智能鑰匙的發(fā)送頻率，即晶體140的輸出頻率隨晶體140的溫度變化而變化。
[0049]并且，如圖6所示，晶體140的輸出頻率隨晶體140的負(fù)荷即并聯(lián)連接于晶體140的電容器Cl的值變化。
[0050]由圖5及圖6可知，基于溫度的晶體140的輸出頻率變化特性與基于電容器Cl的值的晶體140的輸出頻率變化特性互相相反。
[0051]因此，本發(fā)明根據(jù)對(duì)應(yīng)于溫度變化的電容器Cl的值的變化抵消因溫度變化而發(fā)生的晶體140的輸出頻率的變化，從而能夠防止晶體140的頻率隨溫度的變化而變動(dòng)。
[0052]為此，溫度補(bǔ)償部130包括三極管TR1、電阻R1、電阻R2、熱敏電阻(Thermistor)Tl以及變?nèi)荻O管Dl，向晶體140、熱敏電阻Tl及變?nèi)荻O管Dl之間的連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在射頻IC120啟動(dòng)時(shí)與晶體140并聯(lián)連接的電容器Cl的值能夠變動(dòng)。
[0053]例如，微型計(jì)算機(jī)110在用戶操作智能鑰匙的工作按鍵時(shí)啟動(dòng)(Enable)射頻IC120和溫度補(bǔ)償部130。
[0054]溫度補(bǔ)償部130包括三極管TR1、電阻R1、電阻R2、熱敏電阻Tl以及變?nèi)荻O管Dl0
[0055]三極管TRl是npn型三極管，其基極端與微型計(jì)算機(jī)110串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓VCC串聯(lián)連接，其中所述電源電壓VCC為3V;發(fā)射極端與電阻R2串聯(lián)連接。
[0056]電阻R2的一側(cè)與三極管TRl的發(fā)射極端串聯(lián)連接，另一側(cè)與熱敏電阻Tl的一側(cè)串聯(lián)連接。
[0057]熱敏電阻Tl的一側(cè)與電阻R2的一側(cè)串聯(lián)連接，另一側(cè)與電阻Rl的一側(cè)串聯(lián)連接。
[0058]電阻Rl的一側(cè)與熱敏電阻Tl的一側(cè)串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接。
[0059]變?nèi)荻O管Dl的一側(cè)與熱敏電阻Tl的一側(cè)并聯(lián)連接，與電阻R2的一側(cè)串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接。
[0060]溫度補(bǔ)償部130在被微型計(jì)算機(jī)110啟動(dòng)(Enable)時(shí)，通過三極管TRl向連接點(diǎn)施加智能鑰匙的電池供應(yīng)的電源電壓VCC (3V)。
[0061]施加到連接點(diǎn)的電源電壓VCC (3V)分配到電阻R2和熱敏電阻Tl+電阻Rl。
[0062]施加到變?nèi)荻O管Dl的電壓，即連接點(diǎn)的電壓取決于熱敏電阻Tl的電阻和電阻Rl的電阻值。
[0063]如圖7所示，熱敏電阻Tl的電阻值隨溫度變化而變化。即，熱敏電阻Tl的特點(diǎn)是其電阻值在低溫時(shí)增大、在高溫時(shí)減小。
[0064]如圖8所示，變?nèi)荻O管Dl的電容值隨施加的電壓值變化。
[0065]上述的部分進(jìn)一步說明如下:在低溫時(shí)熱敏電阻Tl具有大的電阻值，因此連接點(diǎn)的電壓增大時(shí)變?nèi)荻O管Dl的電容值減小，當(dāng)變?nèi)荻O管Dl的電容值如上減小時(shí)頻率增大，從而可以彌補(bǔ)單晶體140的輸出頻率在低溫時(shí)降低的特性。
[0066]并且，在高溫時(shí)熱敏電阻Tl具有小的電阻值，因此連接點(diǎn)的電壓減小時(shí)變?nèi)荻O管Dl的電容值增大，當(dāng)變?nèi)荻O管Dl的電容值如上增大時(shí)頻率減小，從而可以彌補(bǔ)單晶體140的頻率在高溫時(shí)增大的特性。
[0067]上述的內(nèi)容簡要概括如下:
[0068]本發(fā)明可以彌補(bǔ)因智能鑰匙的溫度變化而發(fā)生移位的輸出頻率，因此可以縮小使用頻帶，使得能夠在窄于現(xiàn)有設(shè)定頻帶的頻帶工作。
[0069]S卩，現(xiàn)有智能鑰匙系統(tǒng)由于接收IC的特性，因此無法將使用頻帶縮小至現(xiàn)有設(shè)定頻帶以內(nèi)使用，，因此通過設(shè)定較寬的頻率偏移來提高接收IC的接收性能，直接適用現(xiàn)有使用頻帶220kHz。
[0070]現(xiàn)有智能鑰匙由于晶體的溫度特性(±50ppm)，因此輸出頻率發(fā)生2L 7kHz程度的移位，本發(fā)明通過添加溫度補(bǔ)償電路來彌補(bǔ)溫度引起的頻率移位，能夠?qū)㈩l率移位彌補(bǔ)到5kHz以內(nèi)。
[0071]如上所述，本發(fā)明降低溫度引起的智能鑰匙的輸出頻率移位幅度，因此能夠縮小智能鑰匙系統(tǒng)的使用頻帶，使用頻帶變窄時(shí)較少受到噪聲影響，從而能夠提高RKE的工作距離性能。
[0072]以上參照優(yōu)選實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的構(gòu)成，但這些僅僅是舉例說明，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以進(jìn)行多種變形。因此本發(fā)明的范圍并不限定于以上說明的實(shí)施例，與上述技術(shù)方案均等的范圍均屬于本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于，包括: 微型計(jì)算機(jī)，其在用戶操作智能鑰匙工作按鍵時(shí)輸出啟動(dòng)信號(hào)； 無線頻率集成電路部，其在接收到所述啟動(dòng)信號(hào)時(shí)啟動(dòng)； 溫度補(bǔ)償部，其在接收到所述啟動(dòng)信號(hào)時(shí)啟動(dòng)；以及 晶體，其一側(cè)與所述無線頻率集成電路部串聯(lián)連接，另一側(cè)與所述溫度補(bǔ)償部串聯(lián)連接，當(dāng)從啟動(dòng)的所述無線頻率集成電路部接收到信號(hào)時(shí)輸出對(duì)應(yīng)于接收到的信號(hào)的信號(hào)，其中，所述溫度補(bǔ)償部包括: npn型三極管(TRl)，其基極端與所述微型計(jì)算機(jī)串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓(VCC)串聯(lián)連接； 電阻(R2)，其一側(cè)與所述三極管(TRl)的發(fā)射極端串聯(lián)連接； 熱敏電阻(Tl)，其一側(cè)與所述電阻(R2)串聯(lián)連接； 電阻(Rl)，其一側(cè)與所述熱敏電阻(Tl)串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接；以及 變?nèi)荻O管(Dl)，其一側(cè)與所述電阻(R2)串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接， 并且其中，所述熱敏電阻(Tl)的一側(cè)與所述變?nèi)荻O管(Dl)的一側(cè)相并聯(lián)連接的連接點(diǎn)串聯(lián)連接有所述晶體的所述另一側(cè)，所述溫度補(bǔ)償部通過向該連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在所述無線頻率集成電路部啟動(dòng)時(shí)并聯(lián)連接于所述晶體的電容器(Cl)的值能夠變動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于: 從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率隨所述晶體的溫度變化而變化，且隨與所述晶體并聯(lián)連接的電容器(Cl)的值而變化， 其中，從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化特性中隨溫度變化的特性與隨所述電容器(Cl)的值變化的特性互相相反， 所述溫度補(bǔ)償部根據(jù)對(duì)應(yīng)于溫度變化的所述電容器(Cl)的值的變化抵消從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化，以防止所述晶體的頻率隨所述溫度變化而變動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于: 所述溫度補(bǔ)償部在被所述微型計(jì)算機(jī)啟動(dòng)時(shí)，通過所述三極管(TRl)向所述連接點(diǎn)施加智能鑰匙的電池供應(yīng)的電源電壓(VCC)， 向所述連接點(diǎn)施加的所述電源電壓(VCC)分配到所述電阻(R2)、所述熱敏電阻(Tl)及所述電阻(Rl)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于: 施加到所述變?nèi)荻O管(Dl)的電壓為所述連接點(diǎn)的電壓，所述連接點(diǎn)的電壓取決于所述熱敏電阻(Tl)的電阻和所述電阻(Rl)的電阻值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于: 所述熱敏電阻(Tl)的電阻的值在低溫時(shí)增大，在高溫時(shí)減小， 所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值在施加的電壓增大時(shí)減小，在施加的電壓減小時(shí)增大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于: 所述溫度補(bǔ)償部在低溫時(shí)利用所述熱敏電阻(Tl)的大電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓增大，使所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓增大而減小，使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值減小而增大，以彌補(bǔ)低溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置，其特征在于: 所述溫度補(bǔ)償部在高溫時(shí)利用所述熱敏電阻(Tl)的小電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓減小，使所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓減小而增大，使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值增大而減小，以彌補(bǔ)高溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率增大。
8.一種用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于，包括: 當(dāng)用戶操作智能鑰匙工作按鍵時(shí)，微型計(jì)算機(jī)輸出用于啟動(dòng)無線頻率集成電路部和溫度補(bǔ)償部的啟動(dòng)信號(hào)的步驟；以及 啟動(dòng)的所述無線頻率集成電路部向位于其自身與所述溫度補(bǔ)償部之間的晶體輸出信號(hào)的步驟， 其中，所述溫度補(bǔ)償部包括:ηρη型三極管(TRl)，其基極端與所述微型計(jì)算機(jī)串聯(lián)連接，集電極端與電源電壓串聯(lián)連接；電阻(R2)，其一側(cè)與所述三極管(TRl)的發(fā)射極端串聯(lián)連接；熱敏電阻(Tl)，其一側(cè)與所述電阻(R2)串聯(lián)連接；電阻(Rl)，其一側(cè)與所述熱敏電阻(Tl)串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接；以及變?nèi)荻O管(Dl)，其一側(cè)與所述電阻(R2)串聯(lián)連接，另一側(cè)與接地串聯(lián)連接， 并且其中，所述熱敏電阻(Tl)的一側(cè)與所述變?nèi)荻O管(Dl)的一側(cè)相并聯(lián)連接的連接點(diǎn)串聯(lián)連接有所述晶體的所述另一側(cè)， 所述智能鑰匙終端裝置工作方法還包括通過向該連接點(diǎn)施加電源電壓，使得在所述無線頻率集成電路部啟動(dòng)時(shí)并聯(lián)連接于所述晶體的電容器(Cl)的值能夠變動(dòng)的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于: 從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率隨所述晶體的溫度變化而變化，且隨與所述晶體并聯(lián)連接的電容器(Cl)的值而變化， 其中，從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化特性中隨溫度變化的特性與隨所述電容器(Cl)的值變化的特性互相相反， 施加電源電壓的所述步驟包括: 根據(jù)對(duì)應(yīng)于溫度變化的所述電容器(Cl)的值的變化抵消從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率變化，以防止所述晶體的頻率隨所述溫度變化而變動(dòng)的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于，施加電源電壓的所述步驟包括: 通過所述三極管(TRl)向所述連接點(diǎn)施加智能鑰匙的電池供應(yīng)的電源電壓(VCC)的步驟；以及 將向所述連接點(diǎn)施加的所述電源電壓(VCC)分配到所述電阻(R2)、所述熱敏電阻(Tl)及所述電阻(Rl)的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于: 施加到所述變?nèi)荻O管(Dl)的電壓為所述連接點(diǎn)的電壓， 施加電源電壓的所述步驟包括: 由所述熱敏電阻(Tl)的電阻和所述電阻(Rl)的電阻值確定所述連接點(diǎn)的電壓的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于: 所述熱敏電阻(Tl)的電阻的值在低溫時(shí)增大，在高溫時(shí)減小， 所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值在施加的電壓增大時(shí)減小，在施加的電壓減小時(shí)增大。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于，施加電源電壓的所述步驟包括: 在低溫時(shí)利用所述熱敏電阻(Tl)的大電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓增大，以彌補(bǔ)低溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率減小的步驟； 使所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓增大而減小的步驟；以及 使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值減小而增大的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于，施加電源電壓的所述步驟包括: 在高溫時(shí)利用所述熱敏電阻(Tl)的小電阻值使所述連接點(diǎn)的電壓減小，以彌補(bǔ)低溫時(shí)從所述晶體輸出的信號(hào)的頻率增大的步驟； 使所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值隨所述連接點(diǎn)的電壓減小而增大的步驟；以及 使輸出的所述信號(hào)的頻率隨所述變?nèi)荻O管(Dl)的電容值增大而減小的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于提高智能鑰匙系統(tǒng)工作性能的智能鑰匙終端裝置工作方法，其特征在于: 用于提高工作性能的所述智能鑰匙的射頻特性取決于所述無線頻率集成電路部的特性，所述無線頻率集成電路部的特性取決于所述晶體及所述電容器(Cl)。
【文檔編號(hào)】G07C9/00GK104464041SQ201410429318
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月16日
【發(fā)明者】樸用熙 申請(qǐng)人:現(xiàn)代摩比斯株式會(huì)社