專利名稱：具有多個(gè)電容器的監(jiān)視裝置的制作方法
具有多個(gè)電容器的監(jiān)視裝置
相關(guān)申請(qǐng)
本申請(qǐng)要求分別于2008年5月15日和2008年5月洲日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?61/127,899和61/056,804 (代理人案號(hào)分別為IDR1831和IDR1811)的優(yōu)先權(quán)。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體上涉及監(jiān)視和/或識(shí)別標(biāo)簽和裝置領(lǐng)域。更具體地說，本發(fā)明的實(shí) 施方式涉及具有并聯(lián)或串聯(lián)的多個(gè)電容器的無線(例如，EAS、RF、RFID, HF、VHF、 UHF等)標(biāo)簽/裝置、用于制造和/或生產(chǎn)它們的結(jié)構(gòu)和方法以及使用這種標(biāo)簽和/或裝 置的方法。
背景技術(shù)：
一般利用電容器和/或二極管來制造諸如電子產(chǎn)品監(jiān)視(EAS)裝置或標(biāo)簽之類 的監(jiān)視裝置，所述電容器和/或二極管被永久地改變以便去諧或去活監(jiān)視裝置。制造具 有低擊穿電壓從而具有相對(duì)薄的電介質(zhì)的電容器并且同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度電容是很困難的。 如果電容器包括無機(jī)電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)，那么更是如此。另外，很難以高精度來制造 非常小尺寸的電容器。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽和裝置。更具體地說，本發(fā)明的實(shí)施方 式涉及無線(EAS、RF、RFID, HF、VHF禾Π /或UHF)裝置、其組件(例如，電容器、 天線、電感器等)和用于制造和使用它們的方法。本發(fā)明的多個(gè)方面通過提供具有并聯(lián) 電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置來實(shí)現(xiàn)高精度電容和低擊穿電壓以易于去活以及提供用于 形成和使用這種裝置的方法來解決與常規(guī)的無線裝置相關(guān)聯(lián)的難題。本發(fā)明的附加方面 通過提供具有串聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置以便增加小型電容器的橫向尺寸，由此 更易于使用只有相對(duì)有限分辨能力的技術(shù)制造所述電容器，以解決與常規(guī)的無線裝置相 關(guān)聯(lián)的難題。
本發(fā)明的第一方面涉及用于制作具有多個(gè)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的方 法。在一些實(shí)施方式中，所述電容器可以是并聯(lián)的。制作具有并聯(lián)電容器的裝置可以實(shí) 現(xiàn)高精度電容和低擊穿電壓以易于去活監(jiān)視標(biāo)簽。例如在本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，通 常在監(jiān)視和/或識(shí)別裝置中使用的單個(gè)電容器被替換為多個(gè)并聯(lián)的電容器。在其它實(shí)施 方式中，所述電容器可以是串聯(lián)的。制作具有串聯(lián)電容器的裝置有效地增加了小型電容 器的橫向尺寸。此配置使得更易于使用可具有相對(duì)有限分辨能力的技術(shù)來制造所述電容 器。例如在本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，通常在監(jiān)視和/或識(shí)別裝置中使用的單個(gè)電容器 被替換為多個(gè)串聯(lián)的電容器。
在第一示例性實(shí)施方式中，可以通過如下步驟制作具有多個(gè)并聯(lián)電容器的無線 監(jiān)視和/或識(shí)別裝置(a)在襯底上或上方形成導(dǎo)電帶和下電容器電極；(b)在所述襯底上以及在所述導(dǎo)電帶的一部分上或上方形成第一電介質(zhì)膜，所述第一電介質(zhì)膜暴露所述 導(dǎo)電帶的一部分并且具有在所述下電容器電極的一部分上的開口 ；(C)形成在所述開口中 的電容器電介質(zhì)膜，所述電容器電介質(zhì)膜比所述第一電介質(zhì)膜具有明顯更小的厚度；(d) 形成在所述第一電介質(zhì)膜和所述電容器電介質(zhì)膜上的上電容器電極，使得所述上電容器 電極被電容耦合到所述下電容器電極；以及(e)在所述上電容器電極和所述導(dǎo)電帶上形 成天線和/或電感器，或者把所述天線和/或電感器附著到所述上電容器電極和所述導(dǎo)電 市上O
在用于制作具有并聯(lián)電容器的裝置的示例性實(shí)施方式中，在單個(gè)處理序列中 (例如，通過印刷)來形成導(dǎo)電帶和下電容器電極，并且所述下電容器電極由并聯(lián)電容器 共享。與常規(guī)的包層沉積、光刻和蝕刻處理相比，印刷處理可能是優(yōu)選的，這是因?yàn)橛?刷減少了處理步驟的數(shù)目、制造過程的時(shí)間長(zhǎng)度和/或用于制造電容器和/或監(jiān)視/識(shí)別 裝置的材料成本。
在第二示例性實(shí)施方式中，可以通過如下步驟制作具有并聯(lián)電容器的無線監(jiān)視 和/或識(shí)別裝置(a)在襯底上形成天線和/或電感器并且形成與所述天線/電感器的第 一端電通信的下電容器電極；(b)在所述下電容器電極的至少第一部分上形成相對(duì)薄的 電容器電介質(zhì)膜；(c)在所述下電容器電極的第二部分上或上方形成相對(duì)厚的電容器電介 質(zhì)，所述下電容器電極的第二部分不與其第一部分重疊；(d)在所述相對(duì)薄的電容器電 介質(zhì)膜和相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜上形成上電容器電極，該上電容器電極被電容耦合到 所述下電容器電極；以及(e)形成導(dǎo)電帶，該導(dǎo)電帶被配置為提供在所述上電容器電極 與所述天線/電感器的第二端之間的電通信。依照這種方案形成裝置的結(jié)構(gòu)和/或?qū)?例 如，形成下電容器電極、相對(duì)薄和相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜以及上電容器電極)，允許使 用相同的步驟序列并且在印刷而無需光刻的情況下在受控和可再現(xiàn)的條件下形成具有不 同厚度電介質(zhì)膜的并聯(lián)電容器。
依照第三示例性實(shí)施方式，通過如下步驟制作具有串聯(lián)電容器的無線監(jiān)視和/ 或識(shí)別裝置(a)在導(dǎo)電(例如電氣功能)襯底上形成第一電介質(zhì)膜；(b)在所述第一電 介質(zhì)膜上形成多個(gè)電容器電極，所述電容器電極被電容耦合到所述襯底并且在物理上彼 此隔離；(c)在所述電容器電極上或上方形成第二電介質(zhì)膜，所述第二電介質(zhì)膜中具有便 于電連接到所述電容器電極的多個(gè)孔；以及(d)形成電連接到每個(gè)所述電容器電極的電 感器或天線。在這種實(shí)施方式中，串聯(lián)電容器優(yōu)選共享導(dǎo)電襯底作為共用的下電容器電 極。
本發(fā)明的第二方面涉及具有多個(gè)電容器(例如，并聯(lián)的電容器和/或串聯(lián)的電容 器)的監(jiān)視/識(shí)別裝置。在第一大致實(shí)施方式中，一種具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí) 別裝置包括(1)在襯底上的導(dǎo)電帶；( 在所述襯底上或上方的下電容器電極，該下電 容器電極電連接到所述導(dǎo)電帶；( 在所述襯底上以及在所述導(dǎo)電帶的一部分上或上方 的第一電介質(zhì)膜，所述第一電介質(zhì)膜暴露所述導(dǎo)電帶的一部分并且具有在所述下電容器 電極的一部分上的開口 ；(4)在所述開口中的所述下電容器電極上的電容器電介質(zhì)膜， 所述電容器電介質(zhì)膜比所述第一電介質(zhì)膜具有明顯更小的厚度；( 在所述第一電介質(zhì) 膜和所述電容器電介質(zhì)膜上的上電容器電極，所述上電容器電極被電容耦合到所述下電 容器電極；和(6)電連接到所述上電容器電極和所述導(dǎo)電帶的天線和/或電感器。
在第二大致實(shí)施方式中，一種具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置包括(1) 在襯底上的天線和/或電感器；( 在所述襯底上或上方并且與所述天線和/或電感器電 接觸的下電容器電極；( 在所述天線和/或電感器以及所述下電容器電極上或上方的第 一電介質(zhì)膜，所述第一電介質(zhì)膜中具有用于暴露所述天線和/或電感器的一部分的孔以 及具有在所述下電容器電極上的開口 ；(4)在所述下電容器電極上相對(duì)薄的電容器電介 質(zhì)膜，該電容器電介質(zhì)膜處于所述第一電介質(zhì)膜的開口中并且具有明顯小于所述第一電 介質(zhì)膜的厚度；( 上電容器電極，該上電容器電極被電容耦合到所述下電容器電極； 和(6)導(dǎo)電帶，該導(dǎo)電帶被配置為提供在所述上電容器電極與所述天線和/或電感器之間 的電通信。
在第三大致實(shí)施方式中，一種具有串聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置大致包 括(1)導(dǎo)電襯底；( 在所述導(dǎo)電襯底上的第一電介質(zhì)膜；( 在所述第一電介質(zhì)膜 上的多個(gè)電容器電極，所述多個(gè)電容器電極被電容耦合到所述襯底并且在物理上彼此隔 離；(4)在所述電容器電極上或上方的第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層中具有一個(gè)或 多個(gè)孔；和( 通過所述孔電連接到所述多個(gè)電容器電極的電感器。
本發(fā)明的第三方面涉及一種利用本發(fā)明的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置來檢測(cè)物品的方 法。通常，可以通過在監(jiān)視/識(shí)別裝置中導(dǎo)致或引發(fā)足以使裝置輻射、反射、吸收或反 向散射可檢測(cè)的電磁輻射的電流，檢測(cè)所述可檢測(cè)的電磁輻射，并且可選地，選擇性地 去活所述裝置或指示所述裝置執(zhí)行動(dòng)作來檢測(cè)監(jiān)視/識(shí)別裝置。
這里描述的實(shí)施方式提供了監(jiān)視標(biāo)簽和/或裝置，其具有高精度電容和低擊穿 電壓以便提供相對(duì)可靠的標(biāo)簽去活和/或能夠高精度印刷具有微小尺寸的電容器。根據(jù) 下面優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，本發(fā)明的這些及其它優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。


圖1是依照本發(fā)明示出具有并聯(lián)電容器的無線監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的電路圖。
圖2是依照本發(fā)明示出具有串聯(lián)電容器的無線監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的電路圖。
圖3A-3B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了在制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或 識(shí)別裝置的第一示例性方法中的示例性中間體(intermediate)的俯視圖和剖面圖。
圖3C依照本發(fā)明實(shí)施方式示出了示例性的多層襯底的剖面圖。
圖4A-4B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了在制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或 識(shí)別裝置的第一示例性方法中的另一示例性中間體的俯視圖和剖面圖。
圖5A-5B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了具有并聯(lián)電容器的示例性監(jiān)視和/或 識(shí)別裝置的俯視圖和剖面圖。
圖6A-6B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了在制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或 識(shí)別裝置的第二示例性方法中的示例性中間體的俯視圖和剖面圖。
圖6C示出了其上形成有第一電介質(zhì)膜的圖6B的裝置的剖面圖。
圖6D示出了在第一電介質(zhì)膜中形成有接觸孔的圖6C的裝置的剖面圖。
圖7A-7B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了在制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或 識(shí)別裝置的第二示例性方法中的另一示例性中間體的俯視圖和剖面圖。
圖7C示出了其上形成有相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜的圖7B的裝置的剖面圖。
圖7D示出了其上形成有相對(duì)厚的電介質(zhì)膜的圖7C的裝置的剖面圖。
圖8A-8B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了在制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或 識(shí)別裝置的第二示例性方法中的另一示例性中間體的俯視圖和剖面圖。
圖8C示出了在第一電介質(zhì)層中形成有用于暴露一部分天線和/或電感器的接觸 孔的圖8B的裝置的剖面圖。
圖9A-9B依照本發(fā)明實(shí)施方式分別示出了具有并聯(lián)電容器的第二示例性的監(jiān)視 和/或識(shí)別裝置的俯視圖和剖面圖。
圖10A-10B依照本發(fā)明實(shí)施方式示出了具有并聯(lián)電容器的示例性監(jiān)視和/或識(shí) 別裝置的剖面圖。
圖11依照本發(fā)明實(shí)施方式示出了具有串聯(lián)電容器的示例性監(jiān)視和/或識(shí)別裝置 的剖面圖。
圖12示出了圖11的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的俯視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在詳細(xì)地參考本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行描述，在附圖中圖示了多個(gè)例子。雖然 結(jié)合各個(gè)實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，它們并不意在把本發(fā)明限制為這些實(shí) 施方式。相反，本發(fā)明意在覆蓋由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍內(nèi)包括的替代、修 改和等效物。此外，在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，闡明了許多具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā) 明徹底的了解。然而，對(duì)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，可以在沒有這些具體細(xì) 節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明。在其它實(shí)例中，沒有詳細(xì)描述公知的方法、過程、組件和電路 以免不必要地模糊本發(fā)明的特征。另外應(yīng)當(dāng)理解，這里描述的可能的排列和組合并不意 在限制本發(fā)明。特別地是，可以按要求需要混合和匹配不矛盾的改變。
為了簡(jiǎn)明起見，除非上下文另外表明，否則術(shù)語“耦合到”、“連接到”和 “與...通信”意指直接或間接耦合、連接或通信。在這里這些術(shù)語通常可交換地使用，但是通常它們具有所屬領(lǐng)域所公認(rèn)的意義。為簡(jiǎn)明起見，還可以相對(duì)于裝置和/或標(biāo)簽 所需的用途和/或功能可交換地使用術(shù)語“監(jiān)視”、“識(shí)別”、“EAS”、“RF”和 “RFID”，并且術(shù)語“EAS標(biāo)簽”或“EAS裝置”這里可以被用來指代任何EAS和/ 或監(jiān)視標(biāo)簽和/或裝置。另外，術(shù)語“物品”、“物體”和“產(chǎn)品”可交換地使用， 并且只要使用了這種術(shù)語之一，也包含其它術(shù)語。此外，可交換地使用術(shù)語“電容器電 極”和“電容器板”。術(shù)語“特征”、“形狀”、“線路”和“圖案”也可以交換地 使用，并且通常指代半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。術(shù)語“(半)導(dǎo)體”、“(半)導(dǎo)電”及 其語法等效物指代導(dǎo)電和/或半導(dǎo)電的材料、前體、層、特征或其它種類或結(jié)構(gòu)。
在本申請(qǐng)中，術(shù)語“沉積”(及其語法變化)意在包含所有沉積形式，包括包層 沉積(例如，CVD、ALD和PVD)、(旋轉(zhuǎn))涂覆和印刷。通常，“涂覆”指的是其中基 本上在整個(gè)襯底或表面上沉積油墨或其它材料的過程，而“印刷”通常指的是其中在襯 底或表面的某些區(qū)域依照預(yù)定圖案沉積油墨或其它材料的過程。在各個(gè)實(shí)施方式中，涂 覆可以包括旋轉(zhuǎn)涂覆、噴射涂覆、狹縫涂覆、擠壓涂覆和/或筆涂覆。在其它實(shí)施方式 中，印刷可以包括噴墨印刷、凹版印刷、橡皮版印刷、苯胺印刷、絲網(wǎng)印刷、微黑子、 漏印板、沖壓、注射分配、泵分配、激光正向轉(zhuǎn)印、局部激光CVD和/或筆涂覆。
根據(jù)這里使用的上下文，除非另有說明，術(shù)語“已知”、“固定”、“給 定”、“確定”和“預(yù)定”通常指代值、量、參數(shù)、限制、條件、狀態(tài)、處理、過程、 方法、實(shí)踐或其組合，在理論上其是變量但是一般在使用時(shí)被預(yù)先設(shè)置并且此后在使用 時(shí)并不改變。另外，術(shù)語“摻雜”指的是摻雜有基本上可控制劑量(例如，輕摻雜、重 摻雜或者以其間的任何摻雜級(jí)摻雜)的任何摻雜物的材料。
在本公開內(nèi)容中，短語“基本上由IVA族元素組成”并不排除有意添加的摻雜 物，這可能向IVA族元素給予某些想要(并且可能是完全不同的)電屬性。術(shù)語“(聚) 硅烷”指的是化合物或化合物的混合物，其基本上由以下元素組成(1)硅和/或鍺和(2) 氫，并且主要包含至少具有10-15個(gè)硅和/或鍺原子的核素。這種核素可以是線性、分 支或交叉鏈接的，并且可以包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)。術(shù)語“(環(huán))硅烷”指的是化合物或化 合物的混合物，其基本上由以下元素組成(1)硅和/或鍺和( 氫，并且可以包含一個(gè)或 多個(gè)環(huán)以及少于10-15個(gè)硅和/或鍺原子。在優(yōu)選實(shí)施方式中，硅烷具有化學(xué)式SixPiy, 其中χ從3到大約200，并且y從乂到0計(jì)2)，其中χ可以根據(jù)硅烷的平均分子量導(dǎo)出。 術(shù)語“異相(環(huán))硅烷”指的是化合物或化合物的混合物，其基本上由(1)硅和/或鍺， (2)氫，和(3)摻雜原子(諸如B、P、As或Sb)組成，其可以由常規(guī)的碳?xì)浠衔?、?烷或鍺烷取代基代替并且可以包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)。
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式涉及包括多個(gè)并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別標(biāo)簽或裝置 以及用于形成這種標(biāo)簽或裝置的方法。本發(fā)明的其它實(shí)施方式涉及包括多個(gè)串聯(lián)電容器 的監(jiān)視和/或識(shí)別標(biāo)簽或裝置以及用于形成它們的方法。本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施方式涉及 使用這里描述的各個(gè)監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽來檢測(cè)物品的方法。
下面結(jié)合示例性實(shí)施方式更詳細(xì)地解釋本發(fā)明的各個(gè)方面。雖然實(shí)施方式主要 涉及監(jiān)視和/或安全標(biāo)簽/裝置，不過本發(fā)明的方法和結(jié)構(gòu)在包括一個(gè)或多個(gè)天線和/或 電感器、電容器及它們之間的連接的識(shí)別和其它無線設(shè)備中也是有用的。
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依照本發(fā)明的實(shí)施方式，裝置可以具有或者制造有多個(gè)并聯(lián)電容器和/或多個(gè) 串聯(lián)電容器。圖1依照本發(fā)明示出了利用并聯(lián)電容器制造的示例性裝置的電路圖。如圖 1所示，兩個(gè)電容器Cl和C2是并聯(lián)的，并且Cl可以大于C2。在示例性實(shí)施方式中， Cl基本上大于C2。不管Cl和C2的相對(duì)電容，可以利用更厚的電介質(zhì)來制造更大的電 容器Cl，這使電容器Cl基本上比電容器C2具有更大的面積。這種大面積電容器可以被 制造為具有高精度的電容(例如，精確地控制總電容)，這是因?yàn)榇髱缀翁卣魈幱谟糜谙?定電容器的印刷或圖案化處理的容限內(nèi)。大面積電容器Cl的相對(duì)厚的電介質(zhì)膜與非常薄 的電介質(zhì)膜通常所允許的情況相比能夠把厚度控制到更精細(xì)的精度。相比之下，利用薄 得多的電介質(zhì)制造更小的電容器C2，這允許此更小的電容器在相對(duì)較低的電壓被擊穿。 通常，相對(duì)較低、可控制的電容器擊穿電壓在監(jiān)視或安全標(biāo)簽去活中是有用的。此外， C2的電容比Cl的電容小得多，使得與Cl相比，可以以相對(duì)較差的精度來制造C2，并且 仍然對(duì)凈電容C1+C2的整個(gè)精度只有相對(duì)很小的影響。
圖2依照本發(fā)明示出了利用串聯(lián)電容器制造的示例性裝置的電路圖。如圖2的 例子所示，兩個(gè)電容器Cl和C2是串聯(lián)的，并且它們共享公共電極(在圖2中被標(biāo)記為“箔”)。在此實(shí)施方式中，如以下公式所示，電容串聯(lián)增加到CT的有效電容1/CT=1/C1+1/C2。如果Cl = C2，那么Cl和C2是凈電容CT的二倍，由此可能是其電容 為CT的單個(gè)電容器的二倍那么大(面積)。從而，這可以增加可以用來限定電容器面積 的任何印刷或圖案化步驟的尺寸(從而增加制造余量)。
絲 申ι龍白備_ /艦···丨細(xì)去
這里討論了用于制造具有并聯(lián)和串聯(lián)電容器的裝置的示例性實(shí)施方式。另外， 這里還提供了關(guān)于可以用來形成在各個(gè)實(shí)施方式中描述的任何裝置以及這種裝置的各自 結(jié)構(gòu)的大致方法的詳細(xì)描述。
龍·胃白魄一劍列細(xì)去
這里結(jié)合圖3A-5B討論用于制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的第一 大致方法。圖3A示出了其上或上方形成有導(dǎo)電帶120(例如“特征”、“線路”、“圖 案”和/或“形狀”)和下電容器電極122的襯底110的俯視圖。圖3A中形成方形或 矩形的虛線表示用于分隔襯底陣列的線，每個(gè)襯底上形成有集成電路。這些線可以表示 聚合片或網(wǎng)中的穿孔、在半導(dǎo)體晶片中或在玻璃片或滑片上的劃線、或者用于切斷金屬 片或箔的線，或者這些線把各自的集成電路彼此分隔。圖3B示出了圖3A沿著A-A’軸 的剖面圖。在襯底上形成導(dǎo)電帶120以便在上電容器電極和天線/電感器之間提供電通 信，上電容器電極和天線/電感器隨后如這里討論的圖4A-5B中所示來形成。
i.制備襯底
通常，用于制造無線標(biāo)簽或裝置的襯底可以包括導(dǎo)電、半導(dǎo)電或絕緣材料，這 在某種程度上取決于制作裝置的方法。在第一示例性方法的優(yōu)選變型中，襯底包括絕緣 材料。然而，如圖3C所示，襯底還可以包括其上具有一個(gè)或多個(gè)絕緣層的導(dǎo)電或半導(dǎo)電 材料。參照?qǐng)D3C，襯底110可以包括分層結(jié)構(gòu)。例如，襯底110可以包括其上具有一個(gè) 或多個(gè)絕緣層(例如，層l(Ma和/或104b)的金屬(例如，鋁、不銹鋼、銅等)箔或片 102(或其它導(dǎo)電/半導(dǎo)電材料)。在這種實(shí)施方式中，絕緣層104a可以是金屬襯底中的 金屬氧化物(例如，氧化鋁)，或作為選擇，可以是包層沉積或涂覆的絕緣體層(例如， 陶瓷或玻璃，諸如二氧化硅、聚合物、無機(jī)絕緣體、有機(jī)絕緣體等)。當(dāng)存在第二層時(shí)， 第二層104b也可以是襯底的一部分，并且在一個(gè)實(shí)施方式中，第二層104b包括與第一絕 緣層l(Ma相同的材料。
這里結(jié)合具有多個(gè)電容器的示例性監(jiān)視/識(shí)別裝置和/或其形成方法描述其 它適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電、半導(dǎo)電和絕緣材料。在包括導(dǎo)電襯底的實(shí)施中，可以至少部分地根據(jù) 金屬被陽極化為有效電介質(zhì)的能力來選擇導(dǎo)電襯底的金屬。在示例性實(shí)施方式中，襯 底可以具有從1-200 μ m的標(biāo)稱厚度(在諸如某些EAS和/或監(jiān)視裝置的那些實(shí)施方 式中優(yōu)選20-100μιη，在這些實(shí)施方式中高Q是有益的)。此外，導(dǎo)電襯底可以具有 0.1-100 μ ohm-cm(優(yōu)選為0.5-80 μ ohm-cm)或者其中的任何數(shù)值范圍的電阻率。另 外，在隨后處理之前，導(dǎo)電襯底可以被常規(guī)地清理并平坦化。此表面制備可以通過化學(xué) 拋光、電拋光和/或氧化物剝離來實(shí)現(xiàn)以便降低表面粗糙度并且去除低質(zhì)量的天然氧化 物。在 P.G.Sheasby 和 R.Pinner 的 ASM International,第 6 版，2001 年的 “The Surface Treatment and Finishing of Aluminum and Its Alloys” 中給出 了這些處理的描述。作為選 擇，可以通過在襯底上旋轉(zhuǎn)涂覆或浸漬涂覆液相絕緣體前體溶液(例如，旋轉(zhuǎn)涂布玻璃 [SOG]制劑)來形成絕緣層104a-b中的之一或兩者。在一些實(shí)施方式中，可以使用如這里所描述的包層沉積處理(例如，CVD、PVD, ALD等)來形成絕緣層104a。在一些 變型中，通常在制造標(biāo)簽的其余部分之后，可以把粘結(jié)層(例如，圖3C中的104b)添加 到襯底的正面(例如，和與天線和/或電感器或其它電路元件的接口相對(duì))以便把裝置附 著到物品上。
ii.形成導(dǎo)電帶
再次參照?qǐng)D3B，在襯底110上形成導(dǎo)電帶120。通常，可以借助在所屬領(lǐng)域中 已知的任何適當(dāng)方法來形成導(dǎo)電帶120。例如在示例性實(shí)施方式中，可以通過諸如噴墨 印刷、微黑子、漏印、沖壓、注射分配、泵分配、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、橡皮版印刷、 苯胺印刷、激光正向轉(zhuǎn)印和/或局部激光CVD之類的印刷處理來形成導(dǎo)電帶120。在這 種印刷處理中，可以通過在襯底上選擇性地印刷導(dǎo)體油墨(例如，金屬油墨、金屬前體 油墨等)來形成導(dǎo)電帶120和下電容器電極122。這里詳細(xì)地討論示例性的導(dǎo)體油墨和 油墨制劑。在包括導(dǎo)電襯底110的實(shí)施方式中，可以使用在所屬領(lǐng)域中已知的任何適當(dāng) 方法(例如參見本文標(biāo)題為“形成電介質(zhì)膜層”的章節(jié))來在襯底上預(yù)先沉積的絕緣層 (例如，圖3C中的104a)上印刷導(dǎo)電帶120。
在其它實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電帶可以包括在襯底110上(或者在導(dǎo)電襯底的 絕緣層104a上)沉積導(dǎo)電材料，然后蝕刻所述導(dǎo)電材料以便形成想要的圖案(例如， 120/12 。例如，可以在襯底110上包層沉積或涂覆導(dǎo)電材料。然后，選擇性地蝕刻未 被掩模覆蓋的導(dǎo)電材料部分(例如，導(dǎo)電材料的未被遮蔽的區(qū)域)。作為選擇，可以通過 印刷導(dǎo)電種子層然后在其上電鍍或無電鍍塊導(dǎo)體來形成導(dǎo)電帶120。
可以使用如這里討論的任何導(dǎo)電材料/金屬來形成導(dǎo)電帶120。在一些實(shí)施方式 中，在單個(gè)處理序列或步驟中同時(shí)形成導(dǎo)電帶120和下電容器電極(例如，圖3A的結(jié)構(gòu) 122)。在這種實(shí)施方式中，下電容器電極122可以被并聯(lián)電容器共享(或共用)。在這 種實(shí)施方式中，導(dǎo)電帶120和下電容器電極122可以包括銀、金、銅、鈀、鋁、鎢、鈦、 其多層疊片或其導(dǎo)電合金或者基本上由上述材料組成。在示例性實(shí)施方式中，可以使用 與一個(gè)或多個(gè)隨后形成的上電容器電極和/或天線/電感器相同的材料來形成導(dǎo)電帶120 和下電容器電極122。然而，本發(fā)明并不限于此，并且可以使用不同于上/下電容器電極 和/或天線/電感器的材料來制作導(dǎo)電帶120和下電容器電極122。
iii.形成電容器電介質(zhì)膜
參照?qǐng)D3B，本發(fā)明的方法進(jìn)一步包括在襯底110的至少一部分上以及在導(dǎo)電帶 120和下電容器電極122的一部分上或上方沉積或形成第一(電容器)電介質(zhì)膜130/132 的步驟。在一些實(shí)施方式中，第一電介質(zhì)膜130/132可以包括層間電介質(zhì)膜(ILD)。由 此，在示例性實(shí)施方式中，可以將電介質(zhì)膜130/132形成為其厚度在2,000到20,OOOA或 其中的任何數(shù)值范圍。在某些實(shí)施方式中，電介質(zhì)膜130/132可以具有從3,000到5,OOOA 的厚度。
在示例性實(shí)施方式中，第一電介質(zhì)膜130/132暴露導(dǎo)電帶120的一部分(例如， 預(yù)定區(qū)域)，并且形成用于暴露下電容器電極122的一部分(例如，預(yù)定區(qū)域)的接觸 孔或開口?？梢允褂眠@里詳細(xì)描述的任何方法(例如，包層沉積、光刻和蝕刻、借助 印刷的選擇性沉積等)來形成其中具有接觸孔的第一電介質(zhì)膜130/132。第一電介質(zhì)層 130/132在隨后形成的天線和/或電感器與導(dǎo)電帶120之間提供了電氣分隔(例如，在泄漏和電容方面)。
接下來，在包括如這里所描述由第一電介質(zhì)膜130中的開口所暴露的區(qū)域的導(dǎo) 電帶120上形成電容器電介質(zhì)膜140。電容器電介質(zhì)膜140通常具有比第一電介質(zhì)膜 130/132明顯更小的厚度。在一些替代實(shí)施方式中，可以使用這里描述的任何方法在形成 第一電介質(zhì)膜130/132之前依照預(yù)定圖案在導(dǎo)電帶120和下電容器電極122上形成相對(duì)薄 的電容器電介質(zhì)膜140。在一些變型中，通常在遮蔽接觸孔中的部分140以便把它留作薄 電容器電介質(zhì)(例如，用于圖1中的電容器C2)之后，可以通過選擇性地蝕刻以根據(jù)需要 去除在導(dǎo)電帶120上形成的電容器電介質(zhì)膜的一些部分(例如，圖3B的結(jié)構(gòu)142)，以暴 露導(dǎo)電帶120的一部分以便電連接到隨后形成的電感器和/或天線。
通常，可以使用在所屬領(lǐng)域中已知的技術(shù)和材料來制作電介質(zhì)膜層(例如，層 間電介質(zhì)和/或相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)層130/132、相對(duì)薄的電介質(zhì)層140等)以及其中 形成的接觸孔。例如在一些實(shí)施方式中，借助在所屬領(lǐng)域中已知的包層沉積技術(shù)來在整 個(gè)裝置上涂覆或沉積電介質(zhì)膜。例如，可以通過擠壓涂覆、刮刀涂覆、浸漬涂覆、線性 涂覆、旋轉(zhuǎn)涂覆或其它涂覆技術(shù)或者替代方式，借助諸如印刷或分配之類的局部沉積技 術(shù)來完成電介質(zhì)膜層的包層沉積。(例如，借助常規(guī)的光刻和蝕刻)去除選擇的電介質(zhì)膜 部分以便在基礎(chǔ)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所需區(qū)域(例如，電容器電極122、導(dǎo)電帶120等)上形成接 觸孔或開口(或者暴露所述區(qū)域)。
在一些實(shí)施方式中，電介質(zhì)膜130/132和/或140/142可以借助真空沉積方法 (例如，化學(xué)氣相沉積[CVD]、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積[PECVD]、低壓化學(xué)氣相沉積 [LPCVD],濺射沉積等)來進(jìn)行沉積。用于形成薄電介質(zhì)140/142的另一方法使用陽極 化來形成MOS電介質(zhì)和/或去活電介質(zhì)。
在替代實(shí)施方式中，可以通過沉積電介質(zhì)前體材料(例如，通過印刷或化學(xué)浴 沉積處理)然后(例如，借助干燥、固化和/或退火)把所述前體轉(zhuǎn)換為電介質(zhì)膜來形成 電介質(zhì)膜130/132和/或140/142。然而，如果導(dǎo)電襯底是無法在高溫(例如，在200°C 以上，250°C以上、550°C以上、600°C以上或200°C以上的任何其它溫度)處理的襯底， 那么諸如印刷或氣相沉積(例如，CVD，物理氣相沉積[PVD]等)之類的方法是優(yōu)選的。 電介質(zhì)前體材料可以包括液相電介質(zhì)前體油墨。在一個(gè)實(shí)施方式中，液相電介質(zhì)前體油 墨可以包括化學(xué)式為AnPiy的化合物，其中η從3到12，每個(gè)A獨(dú)立地是硅或鍺，并且y 是從η到2n+2的偶數(shù)，并且優(yōu)選化學(xué)式為(AHz)n的化合物，其中η從5到10，每個(gè)A 獨(dú)立地是硅或鍺，并且ζ的11個(gè)實(shí)例中的每個(gè)獨(dú)立地是1或2?？梢匀邕@里所描述通過固 化前體膜來形成相應(yīng)的硅和/或鍺氧化膜。在前體材料已經(jīng)被轉(zhuǎn)換為電介質(zhì)膜之后，可 以在所述電介質(zhì)膜上沉積附加的金屬氧化物(例如，Ti02、Zr02、HfO2等)或其它電介 質(zhì)(例如氮化硅、氮氧化硅、氮氧化鋁、鋁硅酸鹽等)。從而在一些變型中，電介質(zhì)膜可 以包括多個(gè)層。
在印刷的情況下，處理還可以用于圖案化電介質(zhì)膜的目的?？梢酝ㄟ^直接印刷 一種或多種電介質(zhì)前體材料(例如，通過噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、苯胺印刷、 激光正向轉(zhuǎn)印等)或者間接圖案化(諸如利用通過光掩模、熱或激光圖案化暴露和顯影的 光和/或熱可圖案化前體材料，或者非固有地經(jīng)由諸如常規(guī)的光刻、蝕刻、壓花或類似 技術(shù)之類的圖案化處理)來完成電介質(zhì)膜的圖案化。在一些實(shí)施方式中，蝕刻處理可以包括在所屬領(lǐng)域中已知的激光消融、機(jī)械穿透或其它蝕刻或電介質(zhì)去除技術(shù)。
在替代實(shí)施方式中，可以在上述結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定部分(例如，襯底、導(dǎo) 電帶和/或下電極)上選擇性地沉積電介質(zhì)膜130/132和/或140/142以便形成想要的圖 案。在優(yōu)選實(shí)施方式中，可以使用這里討論的各種印刷處理和技術(shù)中的任何一個(gè)來實(shí)現(xiàn) 選擇性沉積。特別地是，在一些實(shí)施方式中，可以通過(i)依照預(yù)定圖案并且以特有的 分辨率(例如，最小布局尺寸、間隔、對(duì)準(zhǔn)誤差余量或其任何組合)至少在裝置的預(yù)定部 分上印刷液相成分(例如，包含電介質(zhì)前體的溶液、懸浮液、乳液、油墨等)，并且(ii) 干燥和/或固化(例如，通過退火)所述電介質(zhì)成分來形成電介質(zhì)膜，形成電介質(zhì)膜層。 在這種實(shí)施方式中，可以根據(jù)需要在裝置上選擇性地印刷諸如旋轉(zhuǎn)涂布玻璃和/或氮化 硼之類的材料。這里詳細(xì)描述其它適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料和電介質(zhì)前體油墨。
在優(yōu)選的變型中，可以在上述結(jié)構(gòu)上選擇性地印刷液相電介質(zhì)材料(例如，如 這里所描述的電介質(zhì)前體油墨)以形成接觸孔或開口以便根據(jù)需要暴露下導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例 如，120和/或12 的一個(gè)或多個(gè)部分。在替代方式中，電介質(zhì)膜/層可以被印刷為覆 蓋整個(gè)襯底，然后使用隨后形成的結(jié)構(gòu)作為掩模蝕刻電介質(zhì)膜/層以便形成想要的電介 質(zhì)膜圖案。
在示例性實(shí)施方式中，可以借助熱和/或化學(xué)氧化處理來形成電介質(zhì)膜130/132 和/或140/142。在一些實(shí)施方式中，可以通過氧化和/或氮化導(dǎo)電膜、襯底或其它結(jié) 構(gòu)(諸如液氧/氮前體)來形成(例如，生長(zhǎng))電介質(zhì)膜。通常，這可以在氧化和/或 氮化氣氛中進(jìn)行。例如，可以通過氧化被印刷到上述結(jié)構(gòu)上的液體硅烷或者通過利用可 被氧化或氮化的另一導(dǎo)電材料(例如，硅、鋁、鉻、鉿等)涂覆該結(jié)構(gòu)來形成電介質(zhì)膜。 在替代方式中，可以通過沉積(例如，通過印刷液相或化學(xué)浴沉積處理)電介質(zhì)前體材料 (例如，諸如四烷硅氧烷(tetraalkylsiloxane)或四烷氧硅烷(tetraalkoxysilane)之類的SiO2 前體)并且隨后(例如，借助干燥、固化和/或退火)把所述前體轉(zhuǎn)換為電介質(zhì)膜來形成 電介質(zhì)膜。在一個(gè)實(shí)施方式中，借助如這里所描述的陽極化或者作為選擇，通過化學(xué)或 熱氧化和/或氮化導(dǎo)電帶和下電極120/122來在導(dǎo)電帶120和下電容器電極122上生長(zhǎng)相 對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜140，并且借助如這里所描述的包層沉積或印刷處理來在襯底上沉 積相對(duì)厚的電介質(zhì)膜130/132。在一些替代實(shí)施方式中，可以借助原子層沉積(ALD)來 形成電介質(zhì)膜130/132和/或電介質(zhì)膜140/142。
在上述印刷和/或涂覆處理中使用的液相電介質(zhì)前體油墨可以包括如這里所描 述的玻璃形成制劑、有機(jī)電介質(zhì)、氧化硅前體或基于分子和/或納米粒子的硅制劑?？?以通過在300°C、350°C或400°C或更高溫度下(但是在包括導(dǎo)電襯底的實(shí)施方式中該溫度 要小于襯底的熔化溫度)，在氧化氣氛中固化前體膜(例如，IVA族元素前體膜)來形成 相應(yīng)的電介質(zhì)膜?？梢栽诖嬖谘?、臭氧、N2CK NO2或其它氧化氣體的情況下進(jìn)行固化， 所述氣體可以在諸如氮?dú)?、氬氣或氦氣之類的惰性載氣中被稀釋。在替代方式中，可以 通過印刷或其它常規(guī)的涂覆步驟來應(yīng)用其它基于溶液的電介質(zhì)(例如，有機(jī)電介質(zhì))。
可以使用如這里所討論的任何適當(dāng)?shù)碾娊^緣的電介質(zhì)材料來形成電介質(zhì)膜。在 各個(gè)實(shí)施方式中，形成相對(duì)薄的電介質(zhì)膜(例如，圖3B的結(jié)構(gòu)140)，以使其厚度從50 到500人和/或使其根據(jù)諸如Q、電介質(zhì)膜厚度等因素具有從大約5V到小于50V，優(yōu)選從 4V到15V的擊穿電壓。有益地是，通過熱和/或化學(xué)氧化來形成這種薄膜。然而，可以按照需要調(diào)整每個(gè)電介質(zhì)膜(例如，第一電介質(zhì)膜、電容器電介質(zhì)膜、ILD等)的厚度 以便控制電容和/或控制電介質(zhì)膜會(huì)斷裂的電壓。
iv.形成(一個(gè)或多個(gè))上電容器電極
圖4A示出了在第一電介質(zhì)膜130/132和相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜140上形成的 上電容器電極160的俯視圖。圖4B示出了圖4A沿著A-A’軸的剖面圖。通常，上 電容器電極160被電容耦合到下電容器電極122，并且形成并聯(lián)的第一和第二電容器。 在示例性實(shí)施方式中，第二電容器包括相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜(例如，第一電介質(zhì)膜 130/132)并且具有比跨接電容器電介質(zhì)膜140形成的第一電容器大得多的面積。從而， 第二電容器具有比第一電容器更大的電容。
通常，可以使用在所屬領(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)(例如，包層沉積、光刻 和蝕刻、印刷等)來形成各個(gè)實(shí)施方式的電容器電極(例如，上和/或下電容器電極)。 例如在各個(gè)實(shí)施方式中，通過旋轉(zhuǎn)涂覆包含導(dǎo)電材料(例如，金屬化合物和/或納米粒 子，諸如有機(jī)金屬前體和/或金屬納米粒子)的油墨(例如導(dǎo)體油墨、金屬前體油墨、半 導(dǎo)體油墨等)來包層沉積導(dǎo)電材料，并且隨后固化或退火所述油墨。在優(yōu)選的替代實(shí)施 方式中，通過印刷油墨來選擇性地沉積金屬油墨，并且隨后對(duì)其進(jìn)行干燥、固化和/或 退火，其中所印刷的油墨在溶劑中包括所需的金屬(例如，硅化物形成金屬)的前體。
可以使用這里描述的任何技術(shù)來印刷導(dǎo)電(例如，含金屬)材料。印刷處理允 許更好地控制印刷金屬層的厚度，從而更好地控制上電極的厚度。例如，如果需要較厚 的上電極，那么可以增加點(diǎn)滴次數(shù)、點(diǎn)滴體積或油墨體積。還可以通過在所需較厚電極 (例如，具有較低電阻)的區(qū)域中減小點(diǎn)滴之間的節(jié)距來實(shí)現(xiàn)較厚的電極(例如，金屬 層)。此外，印刷處理允許局部改變印刷油墨的接觸角。為了例示說明，可以執(zhí)行適合 于局部改變襯底表面能的預(yù)印步驟，使得可以利用單個(gè)印刷步驟來實(shí)現(xiàn)不同的金屬高度/ 厚度和/或線寬度。例如，可以在選擇性地沉積金屬前體油墨之前，在包括含水HF的蝕 刻溶液中蝕刻將要印刷導(dǎo)電材料的表面。優(yōu)選地是，蝕刻溶液包括稀釋的含水HF，或者 在替代方式中，包括緩沖的氧化物蝕刻溶液(例如，含水HF/NH4F)。在第二例子中， 可以借助使用碳氟化合物(例如，CF4、CVF6等)和含氧氣體(例如，02、03、NO2)組 合的等離子體處理，并將該處理進(jìn)行例如足以選擇性地改變一個(gè)暴露表面相對(duì)于另一暴 露表面(例如，硅相對(duì)于氧化物)的表面能的時(shí)間長(zhǎng)度來修改印刷表面。
在各種實(shí)施方式中，導(dǎo)體油墨可以包括這里描述的任何基本金屬(例如，鈦、 鎢、鎳、鈀、鉬等)的前體。另外或作為替代，導(dǎo)體油墨可以包括這種基本金屬的常規(guī) 合金，諸如鋁銅合金、鋁硅合金、鋁銅硅合金、鈦鎢合金、鉬鎢合金、鋁鈦合金等。在 其它實(shí)施方式中，在導(dǎo)體油墨制劑中可以使用導(dǎo)電金屬化合物，諸如基本金屬的氮化和/ 或硅化物(例如，氮化鈦、硅化鈦、TiSiN、氮化鉭、硅化鈷、硅化鉬、硅化鎢、WN、 WSiN、硅化鉬等)?？梢酝ㄟ^組合一個(gè)或多個(gè)族4、5、6、7、8、9、10、11或12金屬 鹽和/或金屬絡(luò)合物和一種或多種溶劑并且在所述溶劑中溶解所述金屬鹽和/或金屬絡(luò)合 物來形成制劑，以制作這種可印刷的硅化物形成前體制劑。在示例性實(shí)施方式中，制劑 中的溶劑適合于便于涂覆和/或印刷制劑，并且當(dāng)把金屬鹽和/或金屬絡(luò)合物還原到基本 金屬或其合金時(shí)，所述制劑包括用于生成氣態(tài)或揮發(fā)性副產(chǎn)物的成分或基本上由該成分 組成。
在其它實(shí)施方式中，金屬/導(dǎo)體油墨在其中可溶解金屬前體的溶劑中包括從由 金屬納米粒子、有機(jī)金屬化合物和金屬鹽組成的集合中所選擇的一種或多種金屬前體。 在示例性的實(shí)施方式中，導(dǎo)體油墨的金屬能夠抵抗高溫處理，諸如大于660°C、800°C, 9001,000°C的溫度或者大于660°C的任何溫度。一些例子包括鉻、鉬、鎢、鎳、鈀、 鉬及其常規(guī)的金屬合金(例如，鎳鉻合金、鈦鎢合金、鉬鎢合金等)。
在一些變型中，電容器電極的油墨前體可以包括納米粒子和/或分子、低聚物 和/或聚合硅化合物、硅化物形成金屬(例如，Ni、Co、Pd、Pt、Ti、W和/或Mo)、 高熔點(diǎn)金屬(例如，Pd、Mo和/或W)或其組合。油墨制劑中的納米粒子或納米晶體 可以被鈍化或不被鈍化。
在示例性實(shí)施方式中，含金屬油墨可以包括金屬前體(例如含金屬材料)和其中 可溶解所述含金屬材料的溶劑，或基本上由所述金屬前體和溶劑組成，其中所述金屬前 體的量為油墨的1到50重量百分比(或其中的任何數(shù)值范圍)。在示例性實(shí)施方式中， 金屬油墨包括這里描述的任何基本金屬(例如，鋁、鎳、金、鈀、鉬等)或其合金。
在一些實(shí)施方式中，油墨制劑可以基本上由一個(gè)或多個(gè)族4、5、6、7、8、9、 10、11或12金屬鹽和/或金屬絡(luò)合物、適合于便于涂覆和/或印刷所述制劑的一種或多 種溶劑組成?？蛇x地，所述制劑可以包括一種或多種添加劑，用于當(dāng)把金屬鹽或金屬絡(luò) 合物還原為基本金屬或其合金時(shí)形成氣態(tài)或揮發(fā)性副產(chǎn)品。在進(jìn)一步實(shí)施方式中，油墨 制劑還可基本上由陰離子源組成(或者所述添加劑可以包括所述陰離子源)，其適合于便 于把金屬鹽或金屬絡(luò)合物溶解在溶劑中。
在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)體油墨包括半導(dǎo)體。在各個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體可以是 重?fù)诫s的。在硅或硅鍺的情況下，一般依照常規(guī)的濃度(例如，從1017到1021、IO18到 1021、IO19到IO21個(gè)原子/平方厘米或其中的任何數(shù)值范圍)，可以從由硼、磷和砷組成的 集合中選擇摻雜物。適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體油墨可以進(jìn)一步包括液相(聚)和/或(環(huán))硅烷。 液相半導(dǎo)體油墨可以進(jìn)一步包括半導(dǎo)體納米粒子(諸如鈍化的&、Ge或SGe納米粒子) 和/或溶劑(例如，有機(jī)溶劑或其混合物、NH3、H2CK C1-Cltl乙醇、環(huán)烷等)。這種制 劑的納米粒子或納米晶體通常可以利用一種或多種表面活性劑或表面配體來鈍化，所述 表面活性劑或表面配體諸如烷基、芳烷基、乙醇、烷氧基、硫醇、烷硫基(alkylthio)、羧 酸和/或羧化物族。在替代方式中，納米粒子/納米晶體可以不被鈍化。
在其它實(shí)施方式中，半導(dǎo)體油墨可以包括一種或多種半導(dǎo)體化合物(例如，[摻 雜的]IV族化合物(諸如SGe或，III-B族化合物(諸如GaAs)，硫族化物半導(dǎo)體 (諸如CdS、ZnO和ZnS)、有機(jī)半導(dǎo)體等)和/或一種或多種半導(dǎo)體納米粒子(例如， Si、Ge、SiGe等)以及其中可溶解或可懸浮納米粒子/化合物的溶劑(例如，可以用一 種或多種鹵素代替的C6-C4分支或無支鏈烷，諸如環(huán)己烷、環(huán)辛烷或萘烷之類的C5-CA 環(huán)烷，諸如甲苯、二甲苯、四氫萘之類的C6-Cltl芳族溶劑，具有總共至少4個(gè)碳原子的二 C1-C10烷基醚和/或諸如四氫呋喃或二氧六環(huán)之類的C4-Cltl環(huán)烷基醚等)。油墨制劑還 可以包括表面張力還原劑、表面活性劑、粘合劑和/或增稠劑。然而，可以省略這種添 加劑或試劑。
在一些實(shí)施方式中，(上)電容器電極160可以作為兩種或更多種金屬前體的混 合物來印刷，或者替代地，作為一種或多種金屬前體和一種或多種半導(dǎo)體前體的混合物來印刷。在其它實(shí)施方式中，可以連續(xù)地印刷并干燥兩種或更多種金屬油墨作為疊層。 混合層和/或疊層在形成期間或之后可選地加熱或另外進(jìn)行反應(yīng)以便形成(半)導(dǎo)電層 160。
可以通過在一溫度下加熱襯底并且加熱足以去除油墨中的任何溶劑的時(shí)間長(zhǎng)度 來干燥印刷的含金屬/前體油墨。用于去除溶劑的溫度從大約80°C到大約150°C，或者 其中的任何溫度范圍(例如，從大約100°C到大約120°C)。用于在這些溫度范圍內(nèi)從印 刷油墨中去除溶劑的時(shí)間長(zhǎng)度從大約1秒到大約10分鐘、從10秒到大約5分鐘或者其中 的任何其它時(shí)間范圍(例如，從大約30秒到大約5分鐘或者從大約1分鐘到3分鐘等)。 可以在常規(guī)的熱板上或在常規(guī)的加熱爐或烤箱中進(jìn)行加熱?？蛇x地，可以在惰性氣氛諸 如空氣、02、臭氧、N2O或蒸汽或其組合中進(jìn)行加熱。
在已經(jīng)干燥含金屬油墨以去除溶劑之后，可以在一溫度下使其余材料經(jīng)受退火 處理(例如，固化)并且進(jìn)行該處理足以獲得所需的電氣和/或物理屬性以及與基礎(chǔ)電介 質(zhì)層的適當(dāng)附著力的時(shí)間長(zhǎng)度。退火溫度從大約100°c到大約300°C，或者其中的任何溫 度范圍(例如，從大約150°C到大約250°C等)。退火時(shí)間通常從大約1分鐘到大約2小 時(shí)。在優(yōu)選實(shí)施方式中，從大約10分鐘到大約1小時(shí)或者其中任何數(shù)值范圍(例如，從 大約10到大約30分鐘等)退火含金屬膜。
在各個(gè)實(shí)施方式中，如這里所描述，在加熱爐或烤箱中，并且可選地在惰性或 還原氣氛中進(jìn)行退火。例如，含金屬前體膜可以暴露于還原劑，并且取決于襯底在從大 于環(huán)境溫度到大約200-400°C的溫度下加熱。此處理尤其在相對(duì)較高溫度下不能處理襯 底的實(shí)施方式中(例如，鋁箔、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酯、聚酰亞胺等)具有優(yōu)勢(shì)。 配置有真空源和還原/惰性氣體源的可密封烤箱、加熱爐或迅速熱退火加熱爐可以用于 提供用于多相還原的還原氣氛和熱量(熱能)。在其它實(shí)施方式中，可以在其中能夠細(xì)致 地控制氣氛的設(shè)備(例如，手套箱或干燥箱)中使用熱源(例如，熱板)把金屬前體膜熱 分解為基本金屬。
在一些實(shí)施方式中，形成電容器電極可以包括以從50到200nm的厚度沉積半導(dǎo) 體層/成分(例如，包括一種或多種[摻雜]IVA族元素(諸如硅和/或鍺)、“III-V” 材料(諸如GaAs)和/或有機(jī)或聚合半導(dǎo)體的元素前體油墨)。這里討論適當(dāng)?shù)囊合郔VA 族元素前體油墨。
在一些實(shí)施方式中，可以借助(無)電鍍處理來形成(半)導(dǎo)電層。在這些實(shí)施 方式中，印刷的金屬層(例如，Pd、Pt、Co等)可以充當(dāng)用于無電鍍沉積或電鍍其它金 屬(例如，Ag、Cu、Ni等)和/或(如果需要的話)形成金屬硅化物的種子層。導(dǎo)電 金屬(例如，塊導(dǎo)電金屬)可以被鍍到金屬種子層上和/或金屬硅化物上。隨后可以退 火所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)以便改進(jìn)在硅化物和所鍍的金屬之間的電接觸。可以向電介質(zhì)層應(yīng)用清 潔和/或表面粗糙化步驟，和/或可以在印刷金屬油墨之前蝕刻電介質(zhì)層以便改進(jìn)所鍍金 屬對(duì)電介質(zhì)層的附著力。鍍導(dǎo)電金屬可以包括化學(xué)鍍(無電鍍)或電鍍。在這些實(shí)施方 式中，用于形成金屬種子層的油墨可以是在諸如包含PdCl2的油墨中基于納米粒子和/或 化合物的金屬。在其它實(shí)施方式中，種子層可以包括金屬納米粒子，包括鈷、鎳、鉬、 鈀、鈦、鎢或鉬。然而在優(yōu)選實(shí)施方式中，種子層包括鈀。導(dǎo)電金屬可以包括Al、Ag、 Au、Cu、Pd、Pt、Ni、Cr、Mo、W、Ru、Rh及其合金和/或其混合物?？蛇x地，可以進(jìn)一步退火塊導(dǎo)電金屬以便改進(jìn)一個(gè)或多個(gè)物理和/或電特性。
通常希望增大在監(jiān)視/識(shí)別裝置中使用的電容器(例如，MOS電容器電路)的 頻率響應(yīng)，并且向所述裝置中的電路提供低串聯(lián)電阻。這能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率操作(例如在 125KHz及以上范圍內(nèi)，例如包括8.2MHz或13.56MHz)。為了充分地實(shí)現(xiàn)低串聯(lián)電阻 和/或增大的頻率響應(yīng)，用于形成上電容器電極的材料可以被重新結(jié)晶。重結(jié)晶處理可 以改進(jìn)導(dǎo)電層/電極的載體遷移率和/或摻雜劑激活率。對(duì)于低耗散和/或有效的高Q 來說，可能需要接近IOcm2ZVs和更高的遷移率。低耗散通常需要低串聯(lián)電阻，優(yōu)選整個(gè) 電路小于5歐姆，以及(通常由低泄漏電介質(zhì)提供的)至少IO4歐姆的大并聯(lián)電阻，優(yōu)選 MO5歐姆，最優(yōu)選的是> IO6歐姆。有效的高Q在MHz范圍頻率或更高頻率內(nèi)提供了低 場(chǎng)和/或高讀取范圍操作。
一些實(shí)施方式可以包括通過印刷可能被輕或重?fù)诫s的半導(dǎo)體層來形成電容器電 極。重?fù)诫s或替代地，硅化半導(dǎo)體材料還可以增大監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽的MOS電容器電路 的頻率響應(yīng)，從而減小串聯(lián)電阻?？梢酝ㄟ^常規(guī)地注入常規(guī)的半導(dǎo)體摻雜劑、從固體或 蒸氣摻雜劑源把所述摻雜劑擴(kuò)散到半導(dǎo)體材料中，通過印刷摻雜的半導(dǎo)體或半導(dǎo)體前體 (諸如含B或P的(環(huán))硅烷)和/或通過激光正向轉(zhuǎn)印摻雜的半導(dǎo)體層或摻雜劑擴(kuò)散源 層來形成摻雜的半導(dǎo)體層。
在其它實(shí)施方式中，可能希望在有源半導(dǎo)體層的塊中提供相對(duì)較低水平的摻雜 (濃度<5X IO18cm 3的電有源摻雜劑原子)以便控制監(jiān)視/識(shí)別裝置的CV斜度，同時(shí)減 小半導(dǎo)體組件的串聯(lián)電阻。這可以產(chǎn)生更高Q和/或更高頻率的操作。
v.形成天線和/或電感器
依照本發(fā)明方法的實(shí)施方式，天線和/或電感器可以在上述結(jié)構(gòu)上形成并且與 電容器(例如，下電容器電極和/或上電容器電極)和導(dǎo)電帶耦合或電連接以便形成監(jiān)視 和/或識(shí)別標(biāo)簽或裝置。天線和/或電感器可以包括天線、電感器或同時(shí)包括這兩者。 在第一大致方法中，如圖5A-5B所示，天線和/或電感器170(其可以包括接觸焊盤區(qū)域 172和174)在上電容器電極160和導(dǎo)電帶120上形成并且電連接所述上電容器電極160和 導(dǎo)電帶120。圖5B示出了沿著圖5A的A-A’軸在上電容器電極和導(dǎo)電帶上形成的天線 的剖面圖。在示例性實(shí)施方式中，在天線/電感器上形成第一互連/接觸焊盤172(如圖 5A和5B所示的“外部接觸焊盤”)以便在導(dǎo)電帶120的未被第一電介質(zhì)膜132覆蓋的 地方電接觸所述導(dǎo)電帶120。類似地，還可以在天線/電感器上形成第二互連/接觸焊盤 174(如圖5A和5B所示的“內(nèi)部接觸焊盤”)以便與上電容器電極160電接觸。在示例 性實(shí)施方式中，互連/接觸焊盤172/174可以包括金屬凸起或各向異性的導(dǎo)電膏(ACP)。
通常，可以使用這里描述的任何方法來形成天線/電感器?？梢岳眠m于布置 在標(biāo)簽或裝置上的任何形狀和大小來形成天線/電感器，并且可以使用這里描述的任何 導(dǎo)電材料來制作所述天線/電感器。例如，可以利用厚度從1到ΙΟΟμιη并且電阻率從 0.1到100 μ ohm-cm(或者其中的任何數(shù)值范圍)來形成天線和/或電感器，并且可以利 用適于裝配在標(biāo)簽/裝置上的任何形狀和/或大小(例如，線圈或螺旋形狀等)來形成電 感器/天線。
可以借助如在所屬領(lǐng)域中已知的包層沉積、光刻掩模和蝕刻處理來形成天線/ 電感器。在一個(gè)實(shí)施方式中，天線/電感器的金屬/導(dǎo)體被印刷或包層沉積到諸如聚合物之類的絕緣材料的片、膜或網(wǎng)上。如果通過包層沉積到聚合物片、光刻掩模和蝕刻提 供了支撐的天線，其可以借助輥到輥(roll-to-roll)處理被容易地應(yīng)用于圖4A_B的并聯(lián)電 容器結(jié)構(gòu)。然后可以使用各種相對(duì)廉價(jià)的技術(shù)和/或機(jī)構(gòu)來電連接天線170-174，諸如在 天線和裝置之間使用導(dǎo)電或不導(dǎo)電的粘合劑或超聲波或摩擦結(jié)合劑接合。例如在一些實(shí) 施方式中，可以通過向天線/電 感器(和/或上電容器電極160和導(dǎo)電帶120)施加導(dǎo)電 或不導(dǎo)電粘合劑，然后向所述天線和/或電感器和襯底施加壓力以便附著天線，來把天 線和/或電感器附著到電容器122/160和/或?qū)щ妿?20。
在一些變型中，天線/電感器可以在第二襯底、敷貼片(applicator sheet)或其它 襯墊上形成，并且隨后使用被應(yīng)用于裝置和/或天線/電感器的導(dǎo)電粘合劑被轉(zhuǎn)印或附著 到第一襯底(例如，其上具有電容器電極和導(dǎo)電帶的襯底)。在替代實(shí)施方式中，附著 處理可以包括各種物接合技術(shù)(諸如膠合)，以及經(jīng)由絲焊、各向異性的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂接 合、超聲波、輥到輥附著、凸起接合或倒裝芯片法來建立電互連。此附著處理常常涉及 使用熱、時(shí)間、摩擦或超聲波能(例如在電感器的接觸焊盤和電容器電極之間)和/或 UV曝光。通常，利用小于200°C (例如，小于150°C，諸如90-120°C )的溫度或者小于 200°C的任何其它數(shù)值范圍的溫度。其上具有天線/電感器的襯墊或第二襯底然后被面向 下放到裝置上并且向第二襯底的背面施加足夠壓力以便在不破壞裝置結(jié)構(gòu)的情況下使所 述天線/電感器粘附到所述裝置?？梢愿鶕?jù)需要保留或去除第二襯底。然后在第一和第 二電容器和導(dǎo)電帶之間電連接天線/電感器。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，可以通過使用這里描述的任何印刷處理印刷(例如，噴墨 印刷、凹版印刷、絲網(wǎng)印刷等)金屬或?qū)w油墨來形成天線和/或電感器170-174?？梢?進(jìn)一步干燥和/或固化(例如，通過退火)油墨制劑來形成天線/電感器170-174。這里 詳細(xì)描述適當(dāng)?shù)慕饘儆湍?前體油墨。在一些實(shí)施方式中，可以在上電容器電極160和 導(dǎo)電帶120上依照連續(xù)圖案(例如，一體結(jié)構(gòu))來印刷天線和/或電感器170-174。然 而，本發(fā)明的方法并不限于此。相反，天線/電感器170-174可以包括多線圈結(jié)構(gòu)(例 如，2、3或更多線圈)。
在進(jìn)一步實(shí)施方式中，特別是在隨后的處理步驟期間，可以把附加支撐或襯墊 層添加到天線/電感器170-174的表面以便向裝置提供附加的機(jī)械支撐、穩(wěn)定性和/或保 護(hù)?？梢酝ㄟ^借助于熱和/或粘合劑層壓到紙張或柔性聚合材料(例如，聚乙烯、聚丙 烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚碳酸酯、電絕緣聚酰亞胺、聚苯乙烯、其共聚物等)來 添加這種襯墊層。在襯墊包括有機(jī)聚合物的情況下，還可以通過浸漬涂覆、擠壓涂覆或 其它厚膜涂覆技術(shù)來應(yīng)用涂覆來自液體前體的襯墊層。除向裝置提供機(jī)械支撐之外，支 撐和/或襯墊層還可以提供粘合表面以便隨后把監(jiān)視/識(shí)別裝置附著或布置到要跟蹤或監(jiān) 視的產(chǎn)品上。
vi.形成鈍化層
盡管在圖3A-5B中并未示出，不過在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法可以進(jìn)一 步包括在襯底上的結(jié)構(gòu)(例如，天線/電感器、電容器電極、導(dǎo)電帶等)上形成鈍化層。 形成鈍化層可以抑制或防止水、氧氣和/或可能會(huì)導(dǎo)致集成電路/裝置的退化或故障的其 它核素的進(jìn)入。結(jié)合具有多個(gè)電容器的示例性裝置詳細(xì)描述用于形成鈍化層的適當(dāng)材料 以及示例性的特征(例如，長(zhǎng)度、寬度、厚度等)(例如參見這里標(biāo)題為“鈍化層”的章節(jié))。可 以通過利用一個(gè)或多個(gè)無機(jī)阻擋層和/或一個(gè)或多個(gè)有機(jī)阻擋層涂覆上述結(jié) 構(gòu)的上表面來形成鈍化層，所述無機(jī)阻擋層諸如聚硅氧烷和/或硅和/或鋁的氮化物、氧 化物和/或氮氧化物，所述有機(jī)阻擋層諸如聚對(duì)亞苯基二甲基、氟化有機(jī)聚合物或在所 屬領(lǐng)域中已知的其它阻擋材料。在一些變型中，鈍化層可以包括基礎(chǔ)電介質(zhì)層，其可以 使用這里描述的任何方法形成?；A(chǔ)電介質(zhì)層可以由具有比上覆的鈍化層更低應(yīng)力的材 料形成。為了示例說明，基礎(chǔ)電介質(zhì)層可以包括氧化物(例如，Si02、TEOS>無摻雜硅 酸鹽玻璃[USG]、氟硅酸鹽玻璃[FSG]、硼磷硅酸鹽玻璃[BPSG]等)，并且鈍化層可以包 括氮化硅或氮氧化硅。在一些實(shí)施方式中，鈍化層的厚度可以比用于分隔電路的各個(gè)有 源組件的電介質(zhì)層(例如，電介質(zhì)層130/132)的厚度略大。二應(yīng)細(xì)去這里結(jié)合圖6A-9B討論用于制作具有并聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的第二 大致方法。圖6A和6B分別示出了其上形成有天線和/或電感器270的襯底210的俯視 圖和剖面圖。特別地是，圖6B示出了圖6A沿著A-A’軸的剖面圖。就像第一示例性 方法一樣，用于制作具有并聯(lián)電容器的裝置的第二示例性方法也可以包括導(dǎo)電襯底、半 導(dǎo)電襯底或絕緣襯底。然而在各個(gè)實(shí)施方式中，絕緣襯底是優(yōu)選的。在包括導(dǎo)電襯底的 一些實(shí)施方式中，所述襯底上可以具有一個(gè)或多個(gè)絕緣層，如這里所描述并且如圖3C所示。i.形成天線和/或電感器如圖6A-B所示，在第二示例性方法中，在襯底210上形成天線和/或電感器 270。天線/電感器可以包括這里描述的任何導(dǎo)電材料并且依照這里公開的任何方法形成 以便形成圖案化的層或特征。在示例性實(shí)施方式中，可以在天線/電感器270的一端形 成互連焊盤和/或接觸焊盤272以便為隨后形成的導(dǎo)電帶(例如，圖9A的結(jié)構(gòu)220)提 供互連點(diǎn)，由此把電感器/天線270電連接到上電容器電極(例如，圖9A的結(jié)構(gòu)260)。 另外，還可以在天線的一端形成第二互連焊盤和/或接觸焊盤274以便電接觸隨后形成的 下電容器電極(圖7B的結(jié)構(gòu)250)。盡管在圖6A-9B中并未示出，不過在一些變型中，第二互連/接觸焊盤274也 可以充當(dāng)下電容器電極。在這種實(shí)施方式中，不必(例如，通過印刷)在襯底上形成天 線。相反在一些實(shí)施方式中，所述襯底包括導(dǎo)電襯底，并且在所述襯底上形成其它結(jié)構(gòu) (例如，電介質(zhì)膜、電容器電極、導(dǎo)電帶等)之后，天線和接觸焊盤(包括接觸焊盤/下 電容器電極274)可以從導(dǎo)電襯底中圖案化并蝕刻出。例如，可以利用標(biāo)準(zhǔn)的濕(例如， 酸的水溶液)或干(例如，氯，三氯化硼)蝕刻來蝕刻導(dǎo)電襯底以便形成天線和/或電感 器?？梢栽跓?、光或電方面輔助圖案化和/或蝕刻步驟。在替代實(shí)施方式中，導(dǎo)電襯底 也可以借助諸如碾壓、激光切割、沖壓或沖切之類的直接手段來圖案化。ii.形成層間電介質(zhì)膜現(xiàn)在參照?qǐng)D6C，可以在天線/電感器270和襯底210上形成層間電介質(zhì)膜 230 (ILD)。如圖6D所示在電介質(zhì)膜中(例如，在接觸焊盤274上)形成至少一個(gè)接觸 孔234以便于與隨后形成的第一和第二并聯(lián)電容器電連接。在圖6D中示出了產(chǎn)生的ILD 圖案232。在連接焊盤274充當(dāng)下電容器電極的實(shí)施方式中，電介質(zhì)膜中的接觸孔或開口(例如，圖6D的結(jié)構(gòu)234)可以相對(duì)較小?？梢允褂眠@里描述的任何技術(shù)來形成電介質(zhì) 膜230/232和接觸孔234以便形成層間電介質(zhì)(例如，圖3B-5B中的電介質(zhì)層130/132) 和開口(例如，在圖3B-5B中在電介質(zhì)層部分130和132之間形成電容器電介質(zhì)層140的 空間)。例如，可以使用這里描述的任何技術(shù)在如圖6C所示的整個(gè)結(jié)構(gòu)上包層沉積或涂 覆電介質(zhì)層230。然后，可以隨后蝕刻電介質(zhì)膜230以便形成用于暴露接觸焊盤274的接 觸孔234，如圖6D所示。作為選擇，在示例性的實(shí)施方式中，電介質(zhì)層232可以依照預(yù) 定圖案被選擇性地印刷到在圖6B中所示出的結(jié)構(gòu)上，使得其中包括接觸孔234。iii.形成下電容器電極圖7A示出了在襯底上形成的下電容器電極250的俯視圖。圖7B示出了圖7A 沿著A-A，軸的剖面圖。通常，在天線/電感器270的連接或互連焊盤274上在接觸孔 (例如，圖6D的結(jié)構(gòu)234)中形成下電容器電極250。還可以在焊盤274附近的層間電介 質(zhì)膜232的多個(gè)部分上形成下電容器電極250。下電極可以包括這里描述的任何導(dǎo)電材料 并且使用這里描述的用于形成導(dǎo)電材料的任何技術(shù)形成。在天線的接觸焊盤274充當(dāng)下 電容器電極的變型中，形成下電容器電極的步驟可以被消除或與形成天線的步驟組合。其中接觸焊盤274充當(dāng)下電容器電極的實(shí)施方式可能是有益的，這是因?yàn)榇朔?法消除了印刷步驟(例如，分開地形成下電容器電極)并且通常產(chǎn)生更薄的裝置或標(biāo)簽。 另一方面，其中在天線/接觸焊盤274上形成下電容器電極270的實(shí)施方式可能是有益 的，這是因?yàn)樵趩为?dú)的步驟中形成下電容器電極對(duì)電極的大小、形狀和特性從而對(duì)Cl到 C2的電容比提供了更好的控制(參見圖1)。例如當(dāng)印刷下電容器電極時(shí)，所述下電容器 電極相對(duì)于接觸焊盤274的面積可以具有更大的面積。另外，可以使用不同于用于形成 天線/接觸焊盤274的材料來(例如，通過印刷)形成下電容器電極。這允許在電容器 的特性方面的更大的靈活性，并且允許為特定目的定制標(biāo)簽或裝置。iv.形成電容器電介質(zhì)膜層現(xiàn)在參照?qǐng)D7C和7D，在下電容器電極250的至少一部分上形成相對(duì)薄的電介質(zhì) 膜240，并且在薄電介質(zhì)膜240上和層間電介質(zhì)膜232的多個(gè)部分上形成相對(duì)厚的電介質(zhì) 膜280。如圖7D所示，厚電介質(zhì)膜280中形成有至少一個(gè)孔以便暴露基礎(chǔ)的薄電介質(zhì)膜 240的一部分。可以使用這里描述的任何生長(zhǎng)或沉積技術(shù)(例如，熱或化學(xué)氧化和/或氮 化、包層沉積、涂覆、印刷等)來形成薄電介質(zhì)膜240?？梢酝ㄟ^包層沉積電介質(zhì)材料 然后蝕刻電介質(zhì)以便形成用于暴露薄電介質(zhì)膜240的接觸孔來形成厚電介質(zhì)膜280及其中 的接觸孔。在其它實(shí)施方式中，通過選擇性地印刷電介質(zhì)材料(例如，依照預(yù)定圖案印 刷電介質(zhì)前體油墨并且固化等)來形成厚電介質(zhì)膜280，使得在其中形成接觸孔。在一 個(gè)實(shí)施方式中，(例如，通過熱或化學(xué)氧化、陽極化等)在下電極250上生長(zhǎng)薄電介質(zhì)膜 240，并且(例如，通過涂覆、包層沉積、印刷等)在上述結(jié)構(gòu)上沉積厚電介質(zhì)膜280。 這里詳細(xì)地討論適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料。v.形成上電容器電極 圖8A分別示出了在薄和厚電容器電介質(zhì)膜240和280上或上方形成的上電容器 電極260的俯視圖。圖8B示出了圖8A沿著A-A’軸的剖面圖。通常，可以通過印刷 或這里描述的用于形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的任何其它技術(shù)來形成上電容器電極260。上電容器電極 260通過薄電介質(zhì)膜240和厚電介質(zhì)膜280被電容耦合到下電容器電極250，由此形成并聯(lián)的第一和第二電容器Cl和C2。通常，第二電容器包括厚電容器電介質(zhì)膜280，并且 比(由厚電容器電介質(zhì)膜280中的開口和/或只通過薄電介質(zhì)膜240的電容耦合限定的) 第一電容器具有更大的電容。在優(yōu)選實(shí)施方式中，形成薄電介質(zhì)膜240，使其厚度為從20到Ι,ΟΟΟΑ，或者其 中的任何數(shù)值范圍。相比之下，優(yōu)選形成厚電介質(zhì)膜280，以使其厚度為從2,000到 20,000Α，或者其中的任何數(shù)值范圍。在某些實(shí)施方式中，厚電介質(zhì)膜280可以具有從 3,000到5,000人的厚度。此外，在下電容器電極250上形成的厚電介質(zhì)膜280中的開口 被形成為其尺寸不大于在上和下電容器電極之間的包含厚電介質(zhì)膜280的面積的20%。 優(yōu)選地是，所述開口不大于在上和下電容器電極250/260之間面積的5%，不過在各個(gè)實(shí) 施方式中在5% 和20%之間的任何百分比也是可接受的。優(yōu)選設(shè)計(jì)并制造相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)240，以使得通過應(yīng)用去活射頻電磁場(chǎng)在 跨接電介質(zhì)層的電容器中引發(fā)電壓差，這將去活標(biāo)簽/裝置。在許多實(shí)施方式中，大約 4到大約50V，優(yōu)選大約5到小于30V，更優(yōu)選大約4到15V或其中任何想要端點(diǎn)范圍的 電壓差足以使電介質(zhì)層擊穿為短路狀態(tài)(或者改變電容，以致標(biāo)簽電路不再以想要的頻 率諧振)。從而在，示例性實(shí)施方式中，(取決于Q，電介質(zhì)膜厚度等)相對(duì)薄的電容器 電介質(zhì)膜240被形成為(i)從50到400Α的厚度和/或(ii)從大約4到大約15V的擊穿電 壓。vi.形成導(dǎo)電帶如圖8C所示，(例如，通過光刻掩模和蝕刻，通過使用微型注射器選擇性地布 置一滴或多滴濕蝕刻劑等)在層間電介質(zhì)膜232中形成接觸孔275以便暴露天線/電感 器270的第二互連/接觸焊盤272，以使電介質(zhì)材料的多個(gè)部分覆蓋和/或保留在天線 270/272和/或襯底210 (例如參見圖8C的電介質(zhì)膜234)上。在橫截面中示出了產(chǎn)生的 電介質(zhì)圖案作為圖8C中的結(jié)構(gòu)234和232。如圖9A所示，在上述裝置上形成導(dǎo)電帶220以便在電容器(例如，上電極260) 和天線/電感器270的暴露的互連/接觸焊盤272之間提供電通信。圖9B示出了圖9A 沿著A-A’軸的剖面圖?？梢允褂眠@里描述的用于形成導(dǎo)電特征的任何技術(shù)來形成導(dǎo)電 帶220。在互連焊盤274充當(dāng)通過掩模和蝕刻形成的層間電介質(zhì)膜232中的下電容器電極 和接觸孔的實(shí)施方式中，可以與上電容器電極260同時(shí)形成導(dǎo)電帶220。vii.形成鈍化層盡管在圖6A-9B中并未示出，不過就像第一示例性方法一樣，在一些變型中， 第二示例性方法可以進(jìn)一步包括在如這里所描述的襯底的結(jié)構(gòu)(例如，電容器電極、電 容器電介質(zhì)層、導(dǎo)電帶等)上形成鈍化層。在圖10A和10B中示出了用于制作具有并聯(lián)電容器的裝置的第三示例性方法。 此實(shí)施方式基本上與在圖6A-9B中所示出的方法類似，略微修改之處主要在于用于形成 相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜(例如，結(jié)構(gòu)340)的步驟和用于形成導(dǎo)電帶的步驟。從而，在 第三示例性方法中，使用如這里所描述的任何方法來在襯底上形成天線/電感器310、層 間電介質(zhì)層332和下電容器電極350。i.形成相對(duì)厚和相對(duì)薄的電介質(zhì)層
如圖IOA所示，在示例性實(shí)施方式中，在層間電介質(zhì)膜332上和下電容器電極350的多個(gè)部分上形成相對(duì)厚的電介質(zhì)膜380。通過印刷包括開口的圖案化電介質(zhì)膜380 或者通過借助光刻和蝕刻形成所述開口來在相對(duì)厚的電介質(zhì)膜380中形成孔或開口，以 便暴露下電容器電極350的一部分。接下來，只在厚電介質(zhì)層380的開口中在下電容器 電極350上(例如，通過熱生長(zhǎng))選擇性地形成相對(duì)薄的電介質(zhì)膜340。然后如這里所描 述，在相對(duì)厚的電介質(zhì)膜380和相對(duì)薄的電介質(zhì)膜340上形成上電容器電極360。ii.形成裝置再次參照?qǐng)D10A，依照與在圖8C和9A-B中所示出的實(shí)施方式描述的相同方式 形成在天線焊盤372和導(dǎo)電帶320上的電介質(zhì)層332/334中的開口。作為選擇，導(dǎo)電帶 320可以(例如，通過包層沉積和光刻掩模/蝕刻、切割或這里討論的任何印刷處理)在 敷貼片或其它襯墊上形成，并且隨后(例如通過輥到輥附著處理、拾置操作等)被轉(zhuǎn)印 和/或附著到標(biāo)簽電路。在這些實(shí)施方式中，附著處理可以包括各種物理接合技術(shù)(諸 如膠合)，以及經(jīng)由各向異性的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂接合、超聲波、凸起接合或倒裝芯片法來建 立電互連。此附著處理可以涉及使用熱、時(shí)間、摩擦或超聲波能(例如在電感器的接觸 焊盤和電容器電極之間)和/或UV曝光。通常，利用小于200°C (例如，小于150°C， 90-120或者小于200°C的任何其它數(shù)值范圍)的溫度。導(dǎo)電帶被面向下放置在裝置 上，并且向襯底310的背面施加足夠的壓力以便使所述導(dǎo)電帶粘附到所述裝置?？梢愿?據(jù)需要保留或去除襯墊層390。然后導(dǎo)電帶被電連接在第一和第二電容器(例如，圖1的 Cl和C2)和天線/電感器(例如，在接觸焊盤372處)之間。用于IfeIK乍H有串聯(lián)申,容器的裝I1的示仿I卜件方法本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于制作具有串聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的方 法。參照?qǐng)D11和12描述示例性實(shí)施方式。特別地是，圖12示出了具有串聯(lián)電容器的 示例性裝置的俯視圖，并且圖11示出了所述裝置沿著圖12的A-A’軸的剖面圖。i.制備襯底如圖11所示，在襯底510上形成第一電介質(zhì)膜或?qū)?40。盡管襯底可以包括這 里描述的任何材料，不過所述襯底510優(yōu)選包括如這里詳細(xì)描述的導(dǎo)電襯底(例如，金屬 片或箔)。例如在各個(gè)實(shí)施方式中，襯底的金屬可以包括鋁、鈦、銅、銀、鉻、鉬、鎢、 鎳、金、鈀、鉬、鋅、鐵、鋼(例如，不銹鋼)或其任何合金。在這種實(shí)施方式中，導(dǎo) 電襯底的金屬可以至少部分地根據(jù)其被陽極化以形成有效電容器電介質(zhì)的能力來選擇。 在示例性實(shí)施方式中，襯底可以具有從5-200 μ m的標(biāo)稱厚度(在高Q是有益的那些實(shí)施 方式中優(yōu)選20-100 μ m)和/或0.1-100 μ ohm-cm的電阻率(優(yōu)選為0.5-80 μ ohm-cm)。 另外在隨后處理之前，如這里所描述，導(dǎo)電襯底可以被常規(guī)地清潔和/或平坦化。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，串聯(lián)電容器共享導(dǎo)電襯底(例如，金屬片或金屬箔)作為 公共的下電容器電極。然而在一個(gè)替代實(shí)施方式(并未在圖11-12中示出)中，可以在 不導(dǎo)電的襯底上形成下電容器電極，并且可以使用這里描述的任何方法在下電容器電極 上形成第一電介質(zhì)膜540。然而在此替代實(shí)施方式中，還在下電容器電極之間形成導(dǎo)電互 連。ii.形成第一電介質(zhì)膜層再次參照?qǐng)D11，在(導(dǎo)電)襯底510上形成第一電介質(zhì)膜或?qū)?40。通常，串聯(lián)電容器共享第一電介質(zhì)膜作為電容器電介質(zhì)。在示例性實(shí)施方式中，如這里所描述， 通過氧化和/或氮化導(dǎo)電襯底(例如，通過陽極化導(dǎo)電襯底510或通過在導(dǎo)電襯底510上 沉積液體氧化物/氮化物前體并且固化所述前體)來形成第一電介質(zhì)膜540。然而在替代 實(shí)施方式中，如這里所描述，可以通過印刷或者通過包層沉積或涂覆然后光刻并且蝕刻 來形成第一電介質(zhì)膜540。盡管在圖11中并未示出，不過在一些變型中，可選地，可以 選擇性地沉積或蝕刻電介質(zhì)層540以便暴露導(dǎo)電襯底510的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域。iii.形成上電容器電極 仍然參照?qǐng)D11，在第一電介質(zhì)膜540上形成多個(gè)電容器電極(例如，分別為El 和E2，結(jié)構(gòu)535和530)。通常，可以通過使用這里描述的任何方法在相對(duì)厚的電介質(zhì)膜 580的接觸孔或開口中沉積導(dǎo)電材料(例如，金屬或其它導(dǎo)電油墨，半導(dǎo)體油墨等)來形 成上電容器電極530/535。在優(yōu)選實(shí)施方式中，并且如圖11所示，電容器電極被電容耦 合到導(dǎo)電襯底，并且在物理上彼此隔離。在示例性實(shí)施方式中，電容器電極530/535在/ 或由相同的制造工藝形成，并且可以被形成為厚度為30nm到5,000nm，或者其中的任何 數(shù)值范圍。iv.形成相對(duì)厚的電介質(zhì)膜在示例性的變型中，可選地，可以使用這里描述的任何技術(shù)(例如，包層沉積 或涂覆，選擇性印刷等)在形成電容器電極530/535之前在第一電介質(zhì)膜540上形成相對(duì) 厚的電介質(zhì)膜580。通常，相對(duì)厚的電介質(zhì)膜580比第一電介質(zhì)膜540具有更大的厚度， 并且其中形成有用于電容器電極530/535的多個(gè)接觸孔或開口。如果相對(duì)厚的電介質(zhì)膜 580足夠厚，那么在上電容器電極的多個(gè)部分(例如，Pl和P2)和襯底510之間的額外 電容可以被很好地保持在Cl和C2電容以下。在一些實(shí)施方式中，可以在形成相對(duì)厚的 電介質(zhì)膜580之前(或者在不形成相對(duì)厚的電介質(zhì)膜580的情況下)直接在電介質(zhì)膜Cl/ C2上選擇性地印刷電容器電極(例如，El和E2)。然而，在形成電容器電極530/535之 前形成相對(duì)厚的電介質(zhì)膜580是優(yōu)選的。在示例性實(shí)施方式中，所述電極在相對(duì)厚的電 介質(zhì)膜580的一部分上形成有接觸焊盤Pl和P2，以便連接到隨后形成的電感器和/或天 線。v.形成層間電介質(zhì)膜如圖11所示，在示例性實(shí)施方式中，在上電容器電極530/535和相對(duì)厚的電介 質(zhì)膜580上沉積和/或圖案化第二電介質(zhì)膜(例如，層間電介質(zhì)膜[ILD]560)，以在上電容 器電極530/535的接觸焊盤Pl和P2上形成接觸孔或連接開口?？梢允褂眠@里描述的用 于形成相對(duì)厚的電介質(zhì)層的任何方法(例如，涂覆和光刻蝕刻、選擇性印刷等)形成ILD 560和其中的接觸孔。形成ILD 560允許在不需要與導(dǎo)電襯底510的任何直接電連接的 情況下利用接觸焊盤Pl和P2的電接觸把裝置組裝到天線和/或電感器上。通常，以比 第一電介質(zhì)膜540更大的厚度形成ILD 560。當(dāng)(例如，通過印刷等)形成ILD 560時(shí)， ILD 560的靠近接觸焊盤Pl和P2暴露部分的厚度可以相對(duì)較小。這可以進(jìn)一步有助于天 線的附著。Vi.形成天線和/或電感器如圖11和12所示，天線和/或電感器570在裝置上形成并且(例如，經(jīng)由在Pl 和P2連接的結(jié)構(gòu)575)電連接到每個(gè)電容器電極。可以使用這里描述的任何方法和/或材料在ILD 560和上電容器電極530/535的多個(gè)部分上或上方形成天線/電感器570/575。 應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)本公開內(nèi)容，許多其它實(shí)施方式和/或變型對(duì)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說是 顯而易見的。從而，本發(fā)明不限于這里描述的實(shí)施方式。例如，用于形成電路結(jié)構(gòu)的步 驟順序可以顛倒，電路元件可以橫向形成等，而不是使用在以上示例性實(shí)施方式中公開 的步驟次序?！z 申梟··丨十?！龊炭?/艦另丨牒胃如先前結(jié)合制作裝置的示例性方法所討論那樣，本發(fā)明的監(jiān)視/識(shí)別裝置可以具有多個(gè)并聯(lián)的電容器(例如參見圖1的電路圖)和/或所述裝置可以具有多個(gè)串聯(lián)的電 容器(例如參見圖2的電路圖)。下面討論這種裝置的示例性實(shí)施方式和變型?！队|龍白魄一細(xì)?！ず炭?/艦另丨牒胃在圖5A和5B中示出了具有并聯(lián)電容器的第一示例性監(jiān)視和/或識(shí)別標(biāo)簽 100 (分別為俯視圖和剖面圖)。i.襯底在此實(shí)施方式中，監(jiān)視和/或識(shí)別裝置100包括在襯底110上的導(dǎo)電帶或部件 120。通常，襯底110可以包括在所屬領(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)?shù)慕^緣、導(dǎo)電或半導(dǎo)電材 料。例如，襯底可以包括半導(dǎo)體(例如硅)晶片、板、盤、片和/或箔、玻璃、陶瓷、 電介質(zhì)、塑料和/或金屬、優(yōu)選地選自由硅晶片、玻璃板、陶瓷板或盤、塑料片或盤、 金屬箔、金屬片或盤及其層疊或分層組合所組成的集合。盡管用于此實(shí)施方式的適當(dāng)襯 底包括導(dǎo)電和半導(dǎo)電襯底，不過在優(yōu)選實(shí)施方式中，襯底包括絕緣材料(例如，塑料片 或網(wǎng)等)。在一些變型中，襯底上可以進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)、緩沖、平坦化、鈍 化、絕緣和/或機(jī)械支撐層(諸如聚酰亞胺或其它聚合物，硅和/或鋁氧化物等)。這種 層可以自身圖案化和/或其上具有圖案化的半導(dǎo)體、導(dǎo)體和/或電介質(zhì)特征。在一些實(shí) 施方式中，塑料和金屬襯底上可以進(jìn)一步包含平坦化層以便減少襯底的表面粗糙度。另 夕卜，導(dǎo)電襯底(例如，包括金屬或基本上由金屬組成)通常在其上具有絕緣體層(例如， 相應(yīng)的金屬氧化物層)和/或基本上非晶的導(dǎo)電層(例如，過渡金屬氮化物，諸如氮化 鈦、氮化鉭或氮化鎢)。在進(jìn)一步實(shí)施方式中，襯底可以是裝置電路的一部分，從而其中可以包括導(dǎo)電 材料(例如參見圖3C)。如圖3C所示，襯底110可以包括多層結(jié)構(gòu)，包括其上具有相應(yīng) 的氧化物或包層沉積/涂覆的絕緣體104a的金屬或其它導(dǎo)電材料102。可選地，襯底可 以包括金屬層102上的襯墊層104b，其可以包括與絕緣層104a相同的材料。在優(yōu)選實(shí)施 方式中，金屬層102包括其上沉積或涂覆有SiO2的鋁或不銹鋼箔(例如，在層102上的 層104a)。在其它實(shí)施方式中，金屬層102可以包括其上具有陽極化的Al2O3的鋁箔(例 如，層 104a 和 104b)。ii.導(dǎo)電帶具有并聯(lián)電容器的示例性監(jiān)視/識(shí)別裝置進(jìn)一步包括導(dǎo)電帶或其它導(dǎo)電部件， 用于在裝置的電容器和電感器/天線之間提供電通信。如圖5B所示，在一些優(yōu)選實(shí)施 方式中，在襯底110上形成導(dǎo)電帶120，并且并聯(lián)的電容器共享導(dǎo)電帶作為下電容器電極 (例如，如圖5A和5B中的標(biāo)號(hào)122所示)。如在圖5A/5B的實(shí)施方式中所進(jìn)一步示出的，導(dǎo)電帶120可以電連接到下電容器電極122和電感器/天線170(例如，在連接焊 盤172處)。在一些變型中，導(dǎo)電帶120和下電容器電極122可以是一體結(jié)構(gòu)(例如， 在相同的處理步驟中制作，例如通過印刷；或者依照步驟序列制作，例如通過濺射和光 亥IJ)，并且整個(gè)結(jié)構(gòu)中可以具有相同的金屬(或其它導(dǎo)電材料)。通常，導(dǎo)電帶120可以包括任 何導(dǎo)電材料。例如在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)電帶可 以包括金屬，諸如鋁、鈦、銅、銀、鉻、鉬、鎢、鎳、金、鈀、鉬、鋅、鐵或其合金， 諸如不銹鋼、TiW合金、NiCr合金等。在示例性實(shí)施方式中，導(dǎo)電帶基本上由銀、金、 銅或鋁(或其導(dǎo)電合金)組成。在各個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電帶可以包括與電感器和/或上 和/或下電容器電極相同的材料。然而，所述裝置并不限于此。在替代實(shí)施方式中，導(dǎo) 電帶、電感器和電容器電極均可以包括不同的材料。在一些實(shí)施方式中，在導(dǎo)電帶中可 以包括摻雜物、硅化物成分或其它功函調(diào)節(jié)試劑和/或隧穿阻擋材料。這種材料的包括 可以減少串聯(lián)電阻，增加Q，并且改進(jìn)監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的整體性能。導(dǎo)電帶120可以具有允許布置在裝置或標(biāo)簽上的任何適當(dāng)?shù)拇笮『托螤?例如， 方形、矩形、圓形等)。在各個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電帶可以具有30nm到5,OOOnm的厚度， 優(yōu)選50nm到2,000nm，并且更優(yōu)選80nm到500nm(或其中的任何其它數(shù)值范圍)。iii.示例性的電介質(zhì)膜層在圖5B中所示出的裝置包括在襯底110上以及在導(dǎo)電帶120的一部分上或上方 的第一電介質(zhì)膜130(例如參見圖5B的結(jié)構(gòu)132)。在這種實(shí)施方式中，第一電介質(zhì)膜 130/132暴露導(dǎo)電帶120的一部分并且在下電容器電極122的一部分上具有開口。另外， 圖5B的實(shí)施方式進(jìn)一步包括在第一電介質(zhì)膜130/132的開口中在下電容器電極122上的 電容器電介質(zhì)膜140。通常，第一電介質(zhì)膜130/132是一體的，并且除(i)用于形成與天 線/電感器線圈170的焊盤172的電連接或歐姆接觸的導(dǎo)電帶120的端部和(ii)在形成有 薄電介質(zhì)膜140的第一電介質(zhì)膜130/132中相對(duì)較小通常為圓形或方形開口之外，完全覆 蓋導(dǎo)電帶120和下電容器電極122。在圖5B的實(shí)施方式(及其變型)中，電容器電介質(zhì)140比第一電介質(zhì)膜130具 有明顯更小的厚度。例如，電容器電介質(zhì)膜140優(yōu)選具有從20到1,OOOA的厚度。相比 之下，第一電介質(zhì)膜130/132優(yōu)選具有從2,000到20,OOOA的厚度。在示例性實(shí)施方式 中，第一電介質(zhì)膜130/132具有從3,000到5,OOOA的厚度。通常，在下電容器電極122 上的第一電介質(zhì)膜130/132中的開口不大于在上和下電容器電極之間包含所述第一電介 質(zhì)膜130/132的面積的20%。優(yōu)選地是，所述開口不大于在上和下電容器電極之間面積 的5%。相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)140優(yōu)選具有足夠厚度和/或擊穿電壓，以使得施加去活 射頻電磁場(chǎng)會(huì)引發(fā)在跨接電介質(zhì)層的電容器中的電壓差，這將去活標(biāo)簽/裝置(例如，大 約4到大約50V的電壓差，優(yōu)選大約5到小于30V，更優(yōu)選大約4到15V，或其中任何想 要的端點(diǎn)范圍)，使得電介質(zhì)層被擊穿為短路狀態(tài)或電容改變，以致標(biāo)簽電路不再以想要 的頻率諧振。從而在某些實(shí)施方式中，相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)層具有(i)從50到400A 的厚度和/或(ii)從大約4到大約15V的擊穿電壓。通常，電介質(zhì)膜可以包括任何電絕緣的電介質(zhì)材料，諸如金屬或硅氧化物和/ 或氮化物或其它陶瓷或玻璃(例如，二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鋯等)，諸如聚硅氧烷、聚對(duì)亞苯基二甲基、聚乙烯、聚丙烯、未摻雜的聚酰亞胺、 聚碳酸酯、聚酰胺、聚醚、其共聚物之類的聚合物，或者其氟化衍生物等。在優(yōu)選實(shí)施 方式中，電介質(zhì)膜包括氧化鋁、二氧化硅和/或用于制造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(諸如下電容器電極和 /或?qū)щ妿?的金屬的相應(yīng)氧化物等，或者基本上由上述材料組成。 在一些實(shí)施方式中，電介質(zhì)膜可以包括無機(jī)絕緣體。例如，電介質(zhì)膜可以包括 化學(xué)式SMxOyNz的金屬氧化和/或氮化物，其中M是硅或者從由鋁、鈦、鋯、鉭、鉿、 釩、鉻、鉬、鎢、銠、錸、鐵、釕、銅、鋅、銦、錫、鑭系金屬、錒系元素、多種金屬 及其混合物組成的集合中選擇的金屬。在進(jìn)一步實(shí)施方式中，無機(jī)絕緣體可以包括硅酸 鹽、鋁酸鹽和/或這種金屬和混合物的鋁硅酸鹽，其中y/2+z/3等于M的χ個(gè)實(shí)例的組 合氧化態(tài)。在示例性實(shí)施方式中，電介質(zhì)膜可以包括或形成自一種或多種旋轉(zhuǎn)涂布玻璃 (其可以是可光限定或不可光限定的，在后一種情況通過直接印刷或后沉積光刻法來圖案 化)；聚酰亞胺(其可以是可光限定和/或熱敏的以用于熱激光圖案化，或不可光限定以 用于通過直接印刷或后沉積光刻法圖案化)；BCB或其它有機(jī)電介質(zhì)(諸如SiLK 電介質(zhì) 材料(SiLK是Dow化學(xué)公司的注冊(cè)商標(biāo)，中部，密歇根州))；由溶膠-凝膠技術(shù)形成的 低k層間電介質(zhì)；等離子體增強(qiáng)(PE)TEOS(即，由正硅酸乙酯的等離子體增強(qiáng)CVD形 成的Si02)；和諸如聚乙烯、聚酯或高溫聚合物之類的層疊高分子膜，所述高溫聚合物 諸如PES、聚酰亞胺或與隨后的高溫處理相容的其它物質(zhì)。在示例性實(shí)施方式中，電介質(zhì)膜可以包括IVA族元素的氧化和/或氮化物，其 可以進(jìn)一步包含常規(guī)量的常規(guī)硼和/或磷氧化物調(diào)節(jié)劑。從而，IVA族元素可以包括硅 或基本上由硅組成，在這種情況下電介質(zhì)膜可以包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼 硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃或硼磷硅酸鹽玻璃(優(yōu)選為二氧化硅)或基本上由上述材料組 成。iv.示例性的電容器電極仍然參照?qǐng)D5B的裝置，如這里所討論，下電容器電極122電連接到導(dǎo)電帶 120。優(yōu)選地是，并聯(lián)電容器共享導(dǎo)電帶120作為下電容器電極122。從而，下電容器電 極通常包括與這里關(guān)于導(dǎo)電帶所討論的材料和/或特性相同的材料和/或特性。另外， 圖5B的裝置包括在第一電介質(zhì)膜130和電容器電介質(zhì)膜140上的上電容器電極160。上 電容器電極160電容耦合到下電容器電極122以便形成并聯(lián)電容器(例如，圖1的Cl和 C2)。通常，并聯(lián)的第一電容器包括相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)層140，并且第二電容器包括 相對(duì)厚的第一電介質(zhì)膜130。第二電容器比第一電容器具有大得多的面積，從而比第一電 容器具有更大的電容。在一些實(shí)施方式中，可以直接在電容器電介質(zhì)層140上方形成上 電容器電極160，以使上電容器電極160完全覆蓋電介質(zhì)層140。通常，電容器電極(例如，下和上電極122/160)可以包括如這里所描述的任何 適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，諸如金屬、兩種或更多種金屬的合金、或者導(dǎo)電化合物(例如，耐火 金屬氮化物和/或硅化物，其中所述耐火金屬可以包括Ti、Zn、Ta、Hf、Cr、Mo、W、 Re、Rh、Co、Ni、Pd、Pt等)。在示例性實(shí)施方式中，電容器電極包括金屬。例如， 上和/或下電容器電極可以包括鋁、鈦、銅、銀、鉻、鉬、鎢、鎳、金、鈀、鉬、鋅、 鐵或其任何合金(例如，不銹鋼等)。在一些實(shí)施方式中，電容器電極可以包括導(dǎo)電聚合物，諸如摻雜的聚噻吩、聚酰亞胺、多聚乙炔、多環(huán)丁二烯(polycyclo-butadiene)和/或 多環(huán)辛四烯(polycyclooctatetraene)；導(dǎo)電無機(jī)化合物膜，諸如氮化鈦、氮化鉭、氧化銦
錫等；和/或摻雜的半導(dǎo)體，諸如摻雜的硅、摻雜的鍺、摻雜的硅鍺、摻雜的砷化鎵、 摻雜的(包括自摻雜的)氧化鋅、硫化鋅、硫化鎘等。在一些實(shí)施方式中，上和下電容器電極160/122可以包括相同的金屬。在這種 實(shí)施方式中，相同的金屬優(yōu)選包括鋁、銀、金、鈀或鎳，或者基本上由上述材料組成。 然而本發(fā)明并不限于此，上和下電容器電極也可以包括不同的金屬。在又一進(jìn)一步的實(shí) 施方式中，上和/或下電容器電極可以包括與導(dǎo)電帶和/或天線/電感器相同的金屬(其 也可以選自這里描述的金屬)。在示例性實(shí)施方式中，上和/或下電容器電極可以具有從30nm到2,OOOnm(例 如，從50到2,000nm，從200到l,000nm，或者其中的任何其它數(shù)值范圍)的標(biāo)稱厚度和 /或Ο.Ι-ΙΟμ ohm-cm (優(yōu)選從0.5到Syohm-Cm,或者其中的任何其它數(shù)值范圍，并且在 一個(gè)實(shí)施方式中，大約為3 μ ohm-cm)的電阻率。雖然電容器電極可以基本上位于裝置 的中心(例如參見圖5A/5B的122/160)，但是依照設(shè)計(jì)選擇和/或偏好，它們也可以位 于裝置的任何區(qū)域。電容器電極也可以具有任何想要的形狀，諸如圓形、方形、矩形、 三角形等，并且近似具有允許電極裝配在監(jiān)視/識(shí)別裝置中和/或監(jiān)視/識(shí)別裝置上的任 何尺寸。在優(yōu)選實(shí)施方式中，至少一個(gè)電容器電極(例如，上電容器電極160)具有圓頂 形輪廊。優(yōu)選地是，電容器電極具有如下尺寸(i)寬度、長(zhǎng)度和厚度，或者(ii)半徑和厚 度，其中厚度基本上小于其它尺寸。例如，下電容器電極可以具有從25到10,000 μ m(優(yōu) 選50到5,000μιη，100到2,500 μ m，或者其中的任何數(shù)值范圍)的半徑，或者50到 20,000 μ m，100到10,000 μ m，250到5,000 μ m，或者其中的任何數(shù)值范圍的寬度和/或 長(zhǎng)度。類似地，上電容器電極可以具有從20到10,000 μ m(優(yōu)選40到5,000 μ m，80至Ij 2,500 μ m，或者其中的任何數(shù)值范圍)的半徑，或者40到20,000 μ m，80到10,000 μ m， 150到5,000 μ m,或者其中的任何數(shù)值范圍的寬度和/或長(zhǎng)度。v.天線和/或電感器如圖5A和5B所示，天線和/或電感器170電連接到上電容器電極160和導(dǎo)電帶120，所述天線和/或電感器170可以進(jìn)一步包括接觸焊盤172/174。從而在此實(shí)施方 式中，優(yōu)選在電路或裝置中的其它結(jié)構(gòu)上或上方形成天線/電感器(例如參見圖5B)。通常，天線和/或電感器可以包括在所屬領(lǐng)域中已知的任何導(dǎo)電材料。然而在 優(yōu)選實(shí)施方式中，天線/電感器包括金屬。所述金屬可以是商業(yè)可獲得的金屬(例如， 鋁、銅或其任何其它合金，諸如不銹鋼等)，并且通?？梢园ㄟ@里關(guān)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例 如，電容器電極、導(dǎo)電帶、導(dǎo)電襯底等)和/或形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法所描述的任何金 屬。例如在示例性實(shí)施方式中，天線/電感器包括鋁、銀或基礎(chǔ)鈀層以及其上鍍有的上 覆(overlying)塊導(dǎo)體(例如，銅、銀等)，或者基本上由上述材料組成。在示例性實(shí)施方式中，天線/電感器可以進(jìn)一步包括用于把電感器/天線連接到 電容器電極(例如，接觸焊盤區(qū)域174)和/或?qū)щ妿?例如，接觸焊盤區(qū)域172)的一個(gè) 或多個(gè)接觸/互連焊盤區(qū)域。在示例性實(shí)施方式中，接觸焊盤包括金屬凸起或各向異性 的導(dǎo)電膏(ACP)。天線/電感器的接觸焊盤可以借助粘合劑被附著和/或貼到電容器電極和/或?qū)щ妿В稣澈蟿┛梢允菍?dǎo)電或不導(dǎo)電的。天線/電感器可以包括連續(xù)結(jié)構(gòu)， 或者可以是不連續(xù)的，包括耦合到一個(gè)電容器電極的第一(外部)電感器和耦合到第二電 容器電極的第二(內(nèi)部)電感器。在各個(gè)實(shí)施方式中，襯墊和/或支撐層可以被附著到 電感器。支撐和/或襯墊層可以提供粘合表面以便把監(jiān)視/識(shí)別裝置附著或布置到要跟 蹤或監(jiān)視的產(chǎn)品上。在示例性實(shí)施方式中，電感器/天線包括具有多個(gè)回路或環(huán)的線圈。為了清楚 和說明性的目的，在圖5A和5B中所示出的電感器具有兩個(gè)回路、環(huán)或線圈。然而，取 決于應(yīng)用需要和設(shè)計(jì)選擇/偏好，可以采用任何適當(dāng)數(shù)目的回路、環(huán)或線圈。通常，在 設(shè)計(jì)規(guī)則和制造容限內(nèi)可以盡可能多地裝配。天線和/或電感器可以采取常規(guī)用于這種 電感器的形式和/或形狀，但是優(yōu)選它具有線圈或同心螺旋環(huán)路形式。為了便于制造和 /或提高裝置面積效率，線圈回路通常具有方形或矩形形狀，但是依照應(yīng)用和/或設(shè)計(jì)選 擇和/或偏好，它們也可以具有八角形、環(huán)形、圓形或橢圓形狀、一些其它多邊形形狀 或其任何組合，和/或它們可以具有一個(gè)或多個(gè)截平的拐角，只要每個(gè)連續(xù)回路基本上 完全位于前一回路與標(biāo)簽/裝置的最外圍之間即可。參照?qǐng)D5A，天線/電感器線圈170的同心回路或環(huán)可以具有任何適當(dāng)?shù)膶挾群?節(jié)距(即，環(huán)間間距)，并且從回路到回路或者從環(huán)到環(huán)之間的寬度和/或節(jié)距可以不 同。然而在某些實(shí)施方式中，每個(gè)回路中(或者在每個(gè)回路或環(huán)的每端中)的線路可以獨(dú) 立地具有從2到2,000 μ m(優(yōu)選從5到1000 μ m，10到500 μ m，10到100 μ m或其中的 任何數(shù)值范圍)的寬度或厚度以及100到50,000 μ m、250到25,000 μ m、500到20,000 μ m 或其中的任何數(shù)值范圍的長(zhǎng)度(只要電感器線路區(qū)段的長(zhǎng)度不超過監(jiān)視/識(shí)別裝置的尺寸 即可 )。作為選擇，電感器中每個(gè)線路回路或環(huán)的半徑可以是從250到25,000 μ m(優(yōu)選 為500到20,000 μ m)。類似地，在電感器的鄰近同心回路或環(huán)中的線路之間的節(jié)距可以 是從2至Ij 1,000 μ m、3至Ij 500 μ m、5至Ij 250 μ m、10到200 μ m或其中的任何數(shù)值范圍。 此外，寬度與節(jié)距的比率可以從大約1 10、1 5、1 3、1 2或1 1的下限值直 到大約1 2、1 1、2 1、4 1或6 1的上限值，或者其中的任何端點(diǎn)范圍。在 優(yōu)選實(shí)施方式中，天線和/或電感器具有從0.1到100 μ ohm-cm的電阻率。類似地，接觸/互連焊盤172/174通常被配置為提供與電容器電極的電通信和/ 或物理接觸和/或與導(dǎo)電帶的接觸，其可以具有任何想要的形狀，諸如圓形、方形、矩 形、三角形等。此外，互連/接觸焊盤可以近似具有允許把它們裝配在監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽 或裝置中和/或監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽或裝置上的任何尺寸，并且提供與電容器電極和/或?qū)щ?帶的電通信和/或物理接觸。優(yōu)選地是，互連焊盤172/174具有如下尺寸(i)寬度、長(zhǎng) 度和厚度，或者Gi)半徑和厚度，其中厚度基本上小于其它尺寸。例如，考慮到天線中 的線圈數(shù)和/或所述天線需要的集成電路或標(biāo)簽面積的比例(例如，百分比)，互連焊盤 172/174可以具有從25 μ m的半徑或?qū)挾戎钡綐?biāo)簽允許的任何半徑或?qū)挾取亩?，面積尺 寸(例如，寬度和/或長(zhǎng)度)可以從50到5,000 μ m、100到2,000 μ m、200到1,000 μ m 或其中的任何數(shù)值范圍。vi.鈍化層盡管在圖5A和5B中并未示出，不過在一些實(shí)施方式中，裝置在上述結(jié)構(gòu)上或 上方可以進(jìn)一步包括鈍化層。例如，所述裝置可以具有在上電容器電極和天線/電感器(或者在襯底上形成的其它結(jié)構(gòu))上或上方的鈍化層。鈍化層可以抑制或防止水、氧氣和 /或可能會(huì)導(dǎo)致集成電路/裝置的退化或故障的其它核素的進(jìn)入。此外，鈍化層可以向裝 置提供一些機(jī)械支撐，特別是在隨后的處理步驟期間。鈍化層通常是常規(guī)的，并且可以 包括有機(jī)聚合物，諸如聚對(duì)亞苯基二甲基、聚乙烯、聚丙烯、聚酰亞胺、其共聚物、氟 化有機(jī)聚合物或任何其它阻擋材料。在其它實(shí)施方式中，鈍化層可以包括無機(jī)電介質(zhì)， 諸如氧化鋁、二氧化硅(例如，其可以被常規(guī)地?fù)诫s和/或可以包括旋轉(zhuǎn)涂布玻璃、氮化 硅、氮氧化硅、聚硅氧烷或其組合作為混合物或多層結(jié)構(gòu))。
在一些變型中，鈍化層可以進(jìn)一步包括基礎(chǔ)電介質(zhì)層，其可以包括比上覆鈍化 層具有更低應(yīng)力的材料。例如，電介質(zhì)層可以包括氧化物，諸如Si02(例如，TEOS、 USG、FSG、BPSG等)，并且鈍化層可以包括氮化硅或氮氧化硅。在這種實(shí)施方式中， 鈍化層可以比基礎(chǔ)電介質(zhì)層具有略大的厚度。在示例性實(shí)施方式中，鈍化層通常具有與監(jiān)視/識(shí)別裝置相同的寬度和長(zhǎng)度尺 寸。鈍化層也可以具有適于這種監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽或裝置的任何厚度。例如，鈍化層可以 具有從0.5到100 μ m、從3到50 μ m、10到25 μ m或其中的任何數(shù)值范圍的厚度。本發(fā)明的裝置還可以進(jìn)一步包括在電感器表面上的支撐和/或襯墊層(未在圖 5B中示出)。支撐和/或襯墊層是常規(guī)的，并且在監(jiān)視/識(shí)別裝置領(lǐng)域中是公知的。通 常，這種支撐和/或襯墊層提供了(1)用于隨后附著或放置到在要跟蹤或監(jiān)視的產(chǎn)品上的 粘合表面，和/或(2)用于監(jiān)視/識(shí)別裝置自身的機(jī)械支撐。例如，本發(fā)明的標(biāo)簽/裝 置可以被貼到價(jià)格或產(chǎn)品識(shí)別標(biāo)記以及粘合劑的背面，以便形成適于在常規(guī)的監(jiān)視/識(shí) 別標(biāo)簽/裝置系統(tǒng)中使用的價(jià)格或產(chǎn)品識(shí)別標(biāo)記，其中所述粘合劑被涂覆或布置在標(biāo)簽 的相對(duì)表面上(可選地被常規(guī)的防粘膜覆蓋直到準(zhǔn)備使用標(biāo)簽時(shí)才揭下)。作為選擇， 本發(fā)明的裝置可以在把所述裝置粘附或不粘附到產(chǎn)品或物品的情況下被布置到要識(shí)別和/ 或跟蹤的產(chǎn)品或物品內(nèi)(為了安全目的)。H有并聯(lián)申,容器的Il二示鋼卜件監(jiān)視Jn / aKiP^H^l1在圖9A和9B中示出了具有并聯(lián)電容器的第二示例性監(jiān)視裝置200 (分別為俯視 圖和剖面圖)。i.襯底在圖9B所示出的實(shí)施方式中，監(jiān)視和/或識(shí)別裝置200包括在襯底210上的天 線和/或電感器270。如這里所討論，在此實(shí)施方式中的襯底可以包括任何適當(dāng)?shù)慕^緣、 導(dǎo)電或半導(dǎo)電材料(例如，塑料片或網(wǎng)、玻璃、晶片、金屬箔等)。然而，包括絕緣材料 的襯底是優(yōu)選的。此外，在圖9A和9B的裝置中的襯底可以具有這里結(jié)合示例性襯底所 描述的任何特性。ii.天線和/或電感器如圖9B所示，此實(shí)施方式的天線和/或電感器270在襯底210上。另外，天 線/電感器可以進(jìn)一步包括用于連接到導(dǎo)電帶(例如，接觸焊盤272)和/或電容器電極 (例如，接觸焊盤274)的一個(gè)或多個(gè)接觸/互連焊盤區(qū)域。在一些實(shí)施方式中，接觸焊 盤274還可以充當(dāng)下電容器電極。在一個(gè)替代變型中，天線/電感器可以由如這里所描 述的導(dǎo)電襯底(例如，通過光刻圖案化和蝕刻等)形成。通常，如這里所描述，天線/電感器270 (和接觸焊盤區(qū)域272/274)可以具有適于放置在襯底上和/或連接到襯底上的任何形狀、大小和/或尺寸。此外，在圖9B的實(shí) 施方式中的天線/電感器270可以包括這里討論的任何導(dǎo)電材料，并且優(yōu)選地是，所述天 線/電感器包括金屬。然而在其中天線由導(dǎo)電襯底形成的實(shí)施方式中，電感器包括與襯 底和/或下電容器電極相同的材料。iii.示例性的電介質(zhì)膜 具有并聯(lián)電容器的示例性裝置通常包括多個(gè)電介質(zhì)膜層。例如如圖9B所示，所 述裝置包括層間電介質(zhì)膜232、第一電介質(zhì)膜280和相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜240。如圖9B所示，層間電介質(zhì)膜232在襯底和/或天線/電感器的多個(gè)部分上或上 方，并且通常其中形成有一個(gè)或多個(gè)接觸孔以便于從所述天線/電感器到并聯(lián)電容器的 電連接。例如，在層間電介質(zhì)膜232中存在用于暴露天線焊盤274的第一接觸孔，并且 在層間電介質(zhì)膜232中存在用于暴露天線焊盤272的第二接觸孔。第一電介質(zhì)膜280可以包括相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜，其形成在下電容器電極 250、薄電容器電介質(zhì)膜240的一些或全部上、以及可選地形成在層間電介質(zhì)膜232的多 個(gè)部分上。第一電介質(zhì)膜280中具有(例如，在接觸焊盤272)暴露天線和/或電感器 270的至少一部分的至少一個(gè)接觸孔和/或在下電容器電極250上的開口。相對(duì)薄的電容 器電介質(zhì)膜240在下電容器電極250上并且在第一電介質(zhì)膜280的開口中。薄電容器電 介質(zhì)膜240的厚度明顯小于第一電介質(zhì)膜280的厚度。此外在示例性實(shí)施方式中，層間 電介質(zhì)膜232也具有比相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜240的厚度更大的厚度。圖9B的實(shí)施方式的電介質(zhì)膜可以包括這里關(guān)于電介質(zhì)膜所討論的任何材料(例 如，金屬氧化物、硅氧化物、陶瓷、玻璃等)。此外，電介質(zhì)膜可以具有這里描述的任何 尺寸和/或特性。例如，薄電容器電介質(zhì)膜240可以具有從20到1,OOOA (例如，50到 400A，或其中的任何其它數(shù)值范圍)的厚度和/或從大約4到大約15V的擊穿電壓，并且 第一電介質(zhì)膜280可以具有從2,000到20,OOOA例如，3,000到5,OOOA，或其中的任何其它 數(shù)值范圍)的厚度。iv.示例性的電容器電極如圖9B的裝置所示，下電容器電極250在襯底上或上方并且(例如，在接觸焊 盤274)與天線和/或電感器270電接觸。上電容器電極260通過薄電介質(zhì)膜240并且分 開地通過厚電介質(zhì)膜280電容耦合到下電容器電極250以便形成并聯(lián)的電容器。就像在 圖5B中所示出的第一示例性裝置一樣，第一電容器在相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜240的一 部分(優(yōu)選，大部分)之下，并且第二(較大的)電容器在相對(duì)厚的電介質(zhì)膜280之上。 導(dǎo)電帶220被配置為(例如，在接觸焊盤272)提供在上電容器電極260與天線和/或電 感器270之間的電通信。在圖9B所示出的實(shí)施方式中，上電容器電極260沒有完全覆蓋 電容器電介質(zhì)層240，從而可以暴露電容器電介質(zhì)層240的一個(gè)或多個(gè)部分。電容器電極250/260可以獨(dú)立地包括任何導(dǎo)電材料和/或由如這里所描述的油墨 制劑(例如，金屬前體油墨、金屬納米粒子、金屬鹽和/或金屬絡(luò)合物、摻雜或未摻雜的 半導(dǎo)體、導(dǎo)電聚合物等)形成。例如，電極可以包括這里描述的任何金屬(例如，鋁、 銅、銀等)或其合金(例如，不銹鋼)。另外，電容器電極250/260可以具有如這里所描 述的任何特性、形狀或其它尺寸。v.導(dǎo)電帶
如圖9A和9B所示，依照第二實(shí)施方式的示例性裝置包括在上電容器電極250 上的導(dǎo)電帶220、電介質(zhì)層(例如，圖9B的240、280和234)和天線/電感器270/272。 通常，導(dǎo)電帶220被配置為(例如，在連接焊盤272)提供在上電容器電極260和電感器/ 天線270之間的電通信。導(dǎo)電帶220可以包括這里描述的任何導(dǎo)電材料(例如，優(yōu)選為 金屬)并且可以具有這里描述的任何大小和/或形狀。在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)電帶220 與上電容器電極(例如，260)和/或天線/電感器(例如，焊盤272)直接接觸。作為 選擇，可以使用導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘合劑把導(dǎo)電帶220連接到電容器電極260和/或天線/電 感器焊盤272。另外，導(dǎo)電帶220可以具有用于連接到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，電容器電極260 和/或天線/電感器270/272)的一個(gè)或多個(gè)互連/接觸焊盤(例如，焊盤部分)。具有并聯(lián)電容器的第三示例性監(jiān)視和/或識(shí)別裝置在圖IOA和IOB中示出了具有并聯(lián)電容器的第三示例性監(jiān)視裝置300。圖IOA 和IOB的實(shí)施方式基本上類似于圖9Α和9Β的實(shí)施方式。例如，如圖IOA所示，所述裝 置包括在襯底(優(yōu)選包括絕緣材料)上的天線/電感器370。天線/電感器還可以包括接 觸焊盤372和374。層間電介質(zhì)層332處于在天線/電感器370上，并且具有用于暴露天 線接觸焊盤372/374的接觸孔。下電容器電極350處于層間電介質(zhì)膜332上并且處于在 接觸焊盤374上的接觸孔中。第一電介質(zhì)膜380處于天線和/或電感器370和下電容器 電極350上或上方并且其中具有用于暴露接觸焊盤372和下電容器電極350的一部分的接 觸孔。與圖9Α和9Β的裝置對(duì)比，圖IOA的裝置只在第一電介質(zhì)膜380中的用于暴露 下電容器電極350的接觸孔中的下電容器電極350上而不是在整個(gè)下電容器電極上包括相 對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜340，如圖9Β所示。然而，如先前結(jié)合具有并聯(lián)電容器的第一和 第二示例性裝置所討論的，圖IOA的裝置的相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜340也具有明顯小于 第一電介質(zhì)膜380以及層間電介質(zhì)膜332的厚度。例如在一些示例性實(shí)施方式中，第一 電介質(zhì)膜(例如，結(jié)構(gòu)380)的厚度可以是相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜(例如，結(jié)構(gòu)340)的 厚度的至少5倍。上電容器電極360在裝置上形成并且電容耦合到下電容器電極350以 便形成并聯(lián)的電容器。導(dǎo)電帶320在接觸焊盤372連接上電容器電極360和天線/電感
ο通常，圖IOA中的裝置的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，天線/電感器370/372/374、上和下 電容器電極350/360以及導(dǎo)電帶320)可以包括這里描述的任何導(dǎo)電材料。類似地，電介 質(zhì)膜(例如，層間電介質(zhì)膜332、相對(duì)厚的電介質(zhì)膜380和相對(duì)薄的電介質(zhì)膜340)可以 包括這里描述的任何絕緣材料。此外，圖IOA的裝置的各個(gè)結(jié)構(gòu)(例如，襯底、電介質(zhì) 膜、電容器電極、導(dǎo)電帶和/或天線)可以具有如這里關(guān)于該結(jié)構(gòu)所描述的任何大小、形 狀和/或特性。在一些實(shí)施方式中，如這里所描述，圖IOA的裝置還可以包括在導(dǎo)電帶 和上電容器電極上的鈍化層。如圖IOB所示，在一些變型中，可能希望(或要求)襯墊和/或支撐層390在 稍后操縱和/或處理期間向裝置提供機(jī)械穩(wěn)定性和/或保護(hù)。這種襯墊層可以被層疊到 紙張或柔性聚合材料(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚碳酸酯、電 絕緣聚酰亞胺、聚苯乙烯、其共聚物等)。除了向裝置提供機(jī)械支撐之外，這種支撐和 /或襯墊層還可以提供粘合表面以便隨后把監(jiān)視/識(shí)別裝置附著或布置到要跟蹤或監(jiān)視的廣品上。肺雜申梟··丨十牛■禾口 /艦另丨牒胃在圖11和12中示出了具有多個(gè)串聯(lián)電容器的示例性監(jiān)視和/或識(shí)別裝置500(分 別為剖面圖和俯視圖)。i.襯底 如圖11所示，具有串聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或識(shí)別裝置包括襯底510及其上的第 一電介質(zhì)膜540。在示例性實(shí)施方式中，襯底包括如這里所描述的導(dǎo)電(例如，電氣功 能)材料。在示例性實(shí)施方式中，導(dǎo)電襯底包括鋁或者基本上由鋁組成。在一些實(shí)施方 式中，導(dǎo)電襯底的金屬可以至少部分地根據(jù)其被陽極化為有效電介質(zhì)膜的能力來選擇。 在優(yōu)選實(shí)施方式中，電容器共享導(dǎo)電襯底(例如，金屬片、金屬箔等)510作為公共的下 電容器電極(例如參見圖2中的節(jié)點(diǎn)“箔”)。然而，所述裝置不限于導(dǎo)電襯底。相反，在一些變型中，所述裝置可以包括如 本文前面所描述的絕緣襯底(例如，玻璃、陶瓷、塑料等)。在包括絕緣襯底的實(shí)施方式 中，在絕緣襯底(未在圖11中示出)上存在導(dǎo)電層(例如，下電容器電極)，并且在示例 性實(shí)施方式中，電容器可以共享所述導(dǎo)電層作為公共的下電容器電極。此外在一些實(shí)施 方式中，所述裝置可以在(導(dǎo)電)襯底上進(jìn)一步包括導(dǎo)電或不導(dǎo)電的粘合劑以便把所述裝 置/標(biāo)簽附著到物品(未示出)上。在示例性實(shí)施方式中，導(dǎo)電襯底可以具有從1到300 μ m(例如從3到200 μ m、5 至IJ100 μ m或其中的任何其它數(shù)值范圍)的標(biāo)稱厚度。優(yōu)選地是，襯底具有從1到100 μ m 或其中的任何其它數(shù)值范圍的厚度。此外，導(dǎo)電襯底可以具有0.1到100μ ohm-cm(優(yōu)選 為0.5到5μ ohm-cm)或者其中的任何其它數(shù)值范圍的電阻率。ii.示例性的電容器電極如圖11所示，多個(gè)電容器電極530/535處于第一電介質(zhì)膜540上，并且所述電 容器電極被電容耦合到襯底510。從而，導(dǎo)電襯底510、第一電介質(zhì)膜540和多個(gè)電容器 電極535/530形成串聯(lián)的電容器Cl和C2(參見圖2)。在示例性實(shí)施方式中，上電容器電極包括接觸焊盤(例如，圖11和12的Pl和 P2),用于把電容器與天線和/或電感器(例如，圖11和12的結(jié)構(gòu)570和575)電連接。 作為選擇，上電容器電極可以電連接到接觸焊盤。另外，上電容器電極530和535可以 并排形成，但是通常在物理上相互隔離。例如，電容器電極可以被第一電介質(zhì)膜540上 相對(duì)厚的電介質(zhì)膜580在物理上隔離或分隔，所述相對(duì)厚的電介質(zhì)膜580具有用于形成電 極530/535的開口。電容器電極可以包括這里關(guān)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和/或用于形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法所描述 的任何導(dǎo)電材料(例如，金屬、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電無機(jī)化合物、摻雜的半導(dǎo)體等)。在一 些實(shí)施方式中，上和下電容器電極可以包括相同的材料，或作為選擇它們可以包括不同 的材料。例如在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)電襯底(或?qū)щ妼?包括第一金屬并且上電容器電 極包括第二金屬。如先前所討論，在優(yōu)選實(shí)施方式中，串聯(lián)電容器共享導(dǎo)電襯底(或絕緣襯底上 的導(dǎo)電層)作為下電容器電極。從而，下電容器電極具有與關(guān)于示例性襯底所描述的相 同特性。上電容器電極可以具有任何想要的形狀(例如圓形、方形、矩形、三角形、圓頂形等)、特性、大小和近似允許把它裝配在如這里所討論的監(jiān)視/識(shí)別裝置中和/或上 的任何尺寸。iii.示例性 的電介質(zhì)膜層再次參照?qǐng)D11，本發(fā)明的實(shí)施方式包括多個(gè)電介質(zhì)膜層(例如，電容器電介質(zhì) 膜540、厚電介質(zhì)層580和/或上電容器電介質(zhì)層560)。電容器電介質(zhì)膜540在導(dǎo)電襯 底510的一些或全部上形成，并且把導(dǎo)電襯底(例如，下電容器電極)與上電容器電極 530/535分隔。通常，電容器電介質(zhì)膜540可以具有從50到400A或其中的任何數(shù)值范 圍的厚度。相對(duì)厚的電介質(zhì)膜580可以在電容器電介質(zhì)膜540的多個(gè)部分上形成，并且 通常其中具有一個(gè)或多個(gè)接觸孔/電容器電極開口。在優(yōu)選實(shí)施方式中，厚電介質(zhì)膜580 具有足夠厚度來保持在厚電介質(zhì)膜580上的上電容器電極530/535的多個(gè)部分(例如，在 接觸焊盤Pl和P2)與襯底510之間的電容為明顯小于在第一電介質(zhì)層540上的多個(gè)電容 器(例如，Cl和C2)的電容的值。如圖11所示，所述裝置還包括在上電容器電極530/535上或上方的電介質(zhì)層 (例如，層間電介質(zhì)層560)。電介質(zhì)層560中具有用于例如在接觸焊盤Pl和P2暴露頂 部電極一部分的接觸孔或連接開口。這種結(jié)構(gòu)允許在不需要與導(dǎo)電襯底510的直接電連 接的情況下利用在接觸焊盤Pl和P2的電接觸部575把裝置組裝到天線和/或電感器570 上。在一些實(shí)施方式中，上電極上的電介質(zhì)層(例如，ILD 560)比襯底510上的電容器 電介質(zhì)膜540具有更大的厚度。通常，電介質(zhì)膜可以包括如這里討論的任何電絕緣的電介質(zhì)材料(例如，無機(jī) 絕緣體、液相電介質(zhì)前體油墨等)，并且可以具有如這里討論的相同或類似的特性。iv.天線和/或電感器如圖11和12所示，具有串聯(lián)電容器的示例性裝置包括(例如，在接觸焊盤Pl 和P2)電接觸上電容器電極的天線和/或電感器(例如，570/575)。具有串聯(lián)電容器的 裝置的天線和/或電感器可以具有與這里詳細(xì)描述的那些相同或類似的特性。然而，與 具有并聯(lián)電容器的裝置相比，具有串聯(lián)電容器的裝置通常不包括導(dǎo)電帶。因此，在圖11 和12的裝置中所示出的天線/電感器電連接上電容器板，并且沒有把上電容器電極連接 到導(dǎo)電帶。通常，天線/電感器可以包括如這里所描述的任何導(dǎo)電材料，并且優(yōu)選所述天 線/電感器包括金屬(例如，鋁、銅、其合金等)。在一些實(shí)施方式中，所述天線可以包 括用于把所述天線連接到上電容器電極的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤區(qū)域。天線/電感器可以 借助導(dǎo)電或不導(dǎo)電的粘合劑被附著到電容器電極，并且可以進(jìn)一步包括襯墊和/或支撐 層，用于把裝置/標(biāo)簽附著或布置到產(chǎn)品或商品上。然而，襯墊和/或支撐層可以交替 地位于如這里所描述的鈍化層上，或者位于襯底上(例如參見圖3C中的層104b)。天線/電感器可以包括如這里所描述的具有多個(gè)回路或環(huán)的線圈，并且可以采 取適于這種天線和/或電感器的任何形式和/或形狀。例如，本發(fā)明的裝置的天線(以 及可選地接觸/互連焊盤)可以具有這里描述的任何形狀、尺寸或設(shè)計(jì)。此外，本發(fā)明 的裝置還可以包括與這里描述的相同或類似的鈍化層或其它附加襯墊或支撐層。使用本發(fā)明的監(jiān)視和/或識(shí)別標(biāo)簽/裝置來檢測(cè)物品的示例性方法本發(fā)明進(jìn)一步涉及用于在檢測(cè)區(qū)域中檢測(cè)物品或物體的方法，包括如下步驟(a)在本發(fā)明的裝置中產(chǎn)生或引發(fā)足以使所述裝置輻射、反射、反向散射或吸收可檢測(cè)的 電磁輻射的電流(優(yōu)選地以所施加電磁場(chǎng)的整數(shù)倍或整數(shù)因子的頻率)，(b)檢測(cè)所述可 檢測(cè)的電磁輻射，并且可選地，(c)選擇性地去活所述裝置和/或使所述裝置采取動(dòng)作。 通常，當(dāng)本發(fā)明的裝置處于包括振蕩電磁場(chǎng)的檢測(cè)區(qū)域中時(shí)，在所述裝置中引發(fā)足以使 所述裝置輻射、反射、反向散射或吸收可檢測(cè)的電磁輻射的電流和電壓。此振蕩電磁場(chǎng) 由常規(guī)的監(jiān)視/識(shí)別探測(cè)設(shè)備和/或系統(tǒng)生成或產(chǎn)生。使用 本發(fā)明的方法可以進(jìn)一步包括在要檢測(cè)的物體或產(chǎn)品上或其中附著、貼附 或包括本發(fā)明的裝置。此外，依照本發(fā)明的裝置的優(yōu)點(diǎn)，可以通過響應(yīng)于施加的具有足 夠強(qiáng)度和有效振蕩頻率的電磁場(chǎng)非易失性地變換裝置的閾值(即，CV曲線特征相對(duì)于電 壓的位置)或電容以在所述裝置中引發(fā)電流、電壓和/或諧振，由此去活標(biāo)簽或裝置。典 型情況下，當(dāng)不檢測(cè)或不知道在檢測(cè)區(qū)域中物體或產(chǎn)品的存在時(shí)會(huì)去活所述裝置。使用電子和/或無線識(shí)別和安全系統(tǒng)來檢測(cè)和/或防止從零售店和/或其它設(shè) 施(例如，圖書館等)中盜竊或未經(jīng)授權(quán)地拿走產(chǎn)品或貨物已經(jīng)變得非常廣泛。通常， 監(jiān)視/識(shí)別裝置系統(tǒng)采用標(biāo)記或安全標(biāo)簽/裝置(例如，EAS、RF、RFID等)，其被貼 至IJ、放置到、關(guān)聯(lián)到或固定到要檢測(cè)(例如，受保護(hù))的產(chǎn)品或物品或者物品包裝。取 決于使用的特定系統(tǒng)類型、產(chǎn)品的類型和大小等，監(jiān)視/識(shí)別標(biāo)簽可以具有許多不同的 大小、形狀和形式。通常，當(dāng)安全標(biāo)簽和貼有(或內(nèi)部放置有)該標(biāo)簽的受保護(hù)產(chǎn)品通 過安全或監(jiān)視區(qū)域或者路過或接近安全檢查點(diǎn)或監(jiān)視站時(shí)，采用這種系統(tǒng)以檢測(cè)有效安 全標(biāo)簽的存在或不存在。然而，本發(fā)明不限于安全領(lǐng)域。例如，本發(fā)明的監(jiān)視/識(shí)別裝 置可以進(jìn)一步包括邏輯電路，用于當(dāng)在檢測(cè)區(qū)域中檢測(cè)時(shí)使裝置執(zhí)行動(dòng)作。本發(fā)明的標(biāo)簽被設(shè)計(jì)為至少部分地與電子安全系統(tǒng)一起工作，所述電子安全系 統(tǒng)用于感測(cè)射頻(RF)電磁場(chǎng)中的干擾。這種電子安全系統(tǒng)通常在由入口限定的受控區(qū)域 內(nèi)建立電磁場(chǎng)，產(chǎn)品必須通過所述入口才能離開受控制的房屋(例如，零售店)。具有諧 振電路的標(biāo)簽/裝置被附著到每個(gè)產(chǎn)品，并且在受控區(qū)域中標(biāo)簽電路的存在由接收系統(tǒng) 感測(cè)以便標(biāo)示并沒有授權(quán)拿走產(chǎn)品。標(biāo)簽電路可以被授權(quán)人員從任何授權(quán)離開房屋的產(chǎn) 品中去活、去諧或去除從而允許該產(chǎn)品通過裝備有警告激活的受控區(qū)域。根據(jù)此原理操 作的大部分標(biāo)簽是一次使用或一次性的標(biāo)簽，因此被設(shè)計(jì)成用于以巨大量低成本生產(chǎn)。可以在任何商業(yè)應(yīng)用以及基本上在這種應(yīng)用的任何頻率范圍內(nèi)使用(并且如果 想要和/或可用的話，重新使用)本發(fā)明的標(biāo)簽。例如，本發(fā)明的標(biāo)簽可以用于在下表 中描述的頻率、場(chǎng)和/或范圍內(nèi)
權(quán)利要求
1.一種監(jiān)視和/或識(shí)別裝置，包括a)在襯底上的導(dǎo)電帶；b)在所述襯底上或上方的下電容器電極，該下電容器電極電連接到所述導(dǎo)電帶；c)在所述襯底上以及在所述導(dǎo)電帶的一部分上或上方的第一電介質(zhì)膜，所述第一電 介質(zhì)膜暴露所述導(dǎo)電帶的一部分并且具有在所述下電容器電極的一部分上的開口；d)在所述開口中的所述下電容器電極上的電容器電介質(zhì)膜，所述電容器電介質(zhì)膜比 所述第一電介質(zhì)膜具有明顯更小的厚度；e)在所述第一電介質(zhì)膜和所述電容器電介質(zhì)膜上的上電容器電極，所述上電容器電 極被電容耦合到所述下電容器電極；和f)電連接到所述上電容器電極和所述導(dǎo)電帶的天線和/或電感器。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述導(dǎo)電帶和所述下電容器電極包括相同的材料。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電容器電介質(zhì)膜具有從20到1000入的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)膜具有從5000到20,OOOA的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述第一電介質(zhì)膜中的開口的面積不大于在上和 下電容器電極之間包含所述第一電介質(zhì)膜的面積的20%。
6.一種用于制作監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的方法，包括如下步驟a)在襯底上或上方形成導(dǎo)電帶和下電容器電極；b)在所述襯底上以及在所述導(dǎo)電帶的一部分上或上方形成第一電介質(zhì)膜，所述第一 電介質(zhì)膜暴露所述導(dǎo)電帶的一部分并且具有在所述下電容器電極的一部分上的開口；c)形成在所述開口中的電容器電介質(zhì)膜，所述電容器電介質(zhì)膜比所述第一電介質(zhì)膜 具有明顯更小的厚度；d)形成在所述第一電介質(zhì)膜和所述電容器電介質(zhì)膜上的上電容器電極，使得所述上 電容器電極被電容耦合到所述下電容器電極；以及e)在所述上電容器電極和所述導(dǎo)電帶上形成天線和/或電感器，或者把所述天線和/ 或電感器附著到所述上電容器電極和所述導(dǎo)電帶上。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述導(dǎo)電帶包括在所述襯底上印刷導(dǎo)體油墨。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述第一電介質(zhì)膜包括在所述導(dǎo)電帶和下電極 上選擇性地沉積第一電介質(zhì)材料，以暴露所述導(dǎo)電帶和下電極的預(yù)定區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述第一電介質(zhì)膜包括印刷電介質(zhì)前體油墨。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述下電容器電極包括在所述電容器電介質(zhì) 膜和第一電介質(zhì)膜上印刷金屬油墨。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述天線和/或電感器包括在所述上電容器 電極和所述導(dǎo)電帶上印刷連續(xù)的金屬/導(dǎo)體油墨圖案。
12.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述第一電介質(zhì)膜包括如下步驟(i)沉積液 相電介質(zhì)前體油墨，和Gi)干燥和/或固化所述電介質(zhì)前體以形成所述電介質(zhì)膜。
13.—種監(jiān)視和/或識(shí)別裝置，包括a)在襯底上的天線和/或電感器；b)在所述襯底上或上方并且與所述天線和/或電感器電接觸的下電容器電極；C)在所述天線和/或電感器以及所述下電容器電極上或上方的第一電介質(zhì)膜，所述 第一電介質(zhì)膜中具有用于暴露所述天線和/或電感器的一部分的孔以及具有在所述下電 容器電極上的開口；d)在所述下電容器電極上相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜，該電容器電介質(zhì)膜處于所述第 一電介質(zhì)膜的開口中并且具有明顯小于所述第一電介質(zhì)膜的厚度；e)上電容器電極，該上電容器電極被電容耦合到所述下電容器電極；和f)導(dǎo)電帶，該導(dǎo)電帶被配置為提供在所述上電容器電極與所述天線和/或電感器之間 的電通信。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜包括用于形成所述 下電容器電極的金屬的相應(yīng)氧化物。
15.一種用于制作監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的方法，包括如下步驟a)在襯底上形成天線和/或電感器并且形成與所述天線/電感器的第一端電通信的下 電容器電極；b)在所述下電容器電極的至少第一部分上形成相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜；c)在所述下電容器電極的第二部分上或上方形成相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)，所述下電 容器電極的第二部分不與其第一部分重疊；d)在所述相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜和相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜上形成上電容器電 極，該上電容器電極被電容耦合到所述下電容器電極；以及e)形成導(dǎo)電帶，該導(dǎo)電帶被配置為提供在所述上電容器電極與所述天線/電感器的 第二端之間的電通信。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述下電容器電極之前在所述天線 /電感器上形成第一電介質(zhì)膜，其中所述第一電介質(zhì)膜中具有用于暴露所述天線/電感器 的一部分的接觸孔。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)膜包括熱和/或 化學(xué)氧化所述下電容器電極的暴露表面。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜包括在所述下 電容器電極的一部分上選擇性地沉積電介質(zhì)材料。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)膜包括印刷電介 質(zhì)前體油墨，并且干燥和固化所述電介質(zhì)前體油墨。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述下電容器電極包括在所述第一電介質(zhì)膜 中的用于暴露所述天線/電感器的第一端的開口中印刷金屬油墨。
21.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述天線和/或電感器包括印刷金屬/導(dǎo)體 油墨。
22.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述相對(duì)厚的電介質(zhì)膜包括如下步驟(i) 沉積液相電介質(zhì)前體油墨，和Gi)干燥和/或固化所述電介質(zhì)前體。
23.—種用于檢測(cè)物品的方法，包括如下步驟a)在如權(quán)利要求1所述的裝置中導(dǎo)致或引發(fā)足以使所述裝置輻射、吸收或反向散射 可檢測(cè)的電磁輻射的電流；b)檢測(cè)所述可檢測(cè)的電磁輻射；以及C)可選地，選擇性地去活所述裝置。
24.一種用于制作監(jiān)視和/或識(shí)別裝置的方法，包括如下步驟a)在電氣功能襯底上形成第一電介質(zhì)膜；b)在所述第一電介質(zhì)膜上形成多個(gè)電容器電極，所述電容器電極被電容耦合到所述 襯底并且在物理上彼此隔離；c)在所述電容器電極上或上方形成第二電介質(zhì)膜，所述第二電介質(zhì)膜中具有便于電 連接到所述電容器電極的多個(gè)孔；以及d)形成電連接到每個(gè)所述電容器電極的電感器。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述襯底、第一電介質(zhì)膜和多個(gè)電容器電極形成 多個(gè)串聯(lián)的電容器。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一電介質(zhì)膜上形成第三電介質(zhì) 膜，在該第三電介質(zhì)膜中具有用于形成所述電容器電極的多個(gè)開口。
27.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第二電介質(zhì)膜比所述第一電介質(zhì)膜更厚。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其中形成所述電容器電極包括將金屬油墨印刷到所述 第三電介質(zhì)膜的開口中。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，包括通過在所述襯底上的選擇性沉積形成所述第二電 介質(zhì)膜，使得在其中形成多個(gè)開口。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中形成所述第二電介質(zhì)膜包括印刷電介質(zhì)前體油墨。
31.如權(quán)利要求26所述的方法，其中形成所述第三電介質(zhì)膜包括印刷電介質(zhì)前體油 墨。
32.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述電氣功能襯底包括金屬片或金屬箔。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中所述電容器電極共享所述金屬片或金屬箔作為公 共電極。
34.如權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述電容器電極包括將金屬/導(dǎo)體沉積到所 述第一電介質(zhì)膜的至少一部分上并且蝕刻所述金屬/導(dǎo)體。
35.如權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述第二電介質(zhì)膜包括如下步驟(i)沉積 液相電介質(zhì)前體油墨，和Gi)干燥和/或固化所述電介質(zhì)前體以形成所述第二電介質(zhì)膜。
36.—種監(jiān)視和/或識(shí)別裝置，包括a)導(dǎo)電襯底；b)在所述導(dǎo)電襯底上的第一電介質(zhì)膜；c)在所述第一電介質(zhì)膜上的多個(gè)電容器電極，所述多個(gè)電容器電極被電容耦合到所 述襯底并且在物理上彼此隔離；d)在所述電容器電極上或上方的第二電介質(zhì)膜，所述第二電介質(zhì)膜中具有多個(gè)孔；和e)通過所述多個(gè)孔電連接到所述多個(gè)電容器電極的電感器。
37.如權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述襯底、第一電介質(zhì)膜和多個(gè)電容器電極形成 多個(gè)串聯(lián)的電容器。
38.如權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述第二電介質(zhì)膜比所述第一電介質(zhì)膜更厚。
39.如權(quán)利要求36所述的裝置，進(jìn)一步包括在所述第一電介質(zhì)膜上的第三電介質(zhì)膜， 該第三電介質(zhì)膜中具有用于形成所述電容器電極的多個(gè)開口。
40.如權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述第一電介質(zhì)膜包括用于形成所述電感器的金 屬的相應(yīng)氧化物。
41.如權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述第二電介質(zhì)膜包括第二IVA族元素的氧化物 和/或氮化物。
42.如權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述電氣功能襯底包括金屬片或金屬箔。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中所述電容器電極共享所述金屬片或金屬箔作為公 共電極。
44.一種用于檢測(cè)物品的方法，包括如下步驟a)在如權(quán)利要求36所述的裝置中導(dǎo)致或引發(fā)足以使所述裝置輻射、吸收或反向散射 可檢測(cè)的電磁輻射的電流；b)檢測(cè)所述可檢測(cè)的電磁輻射；并且c)可選地，選擇性地去活所述裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有并聯(lián)或串聯(lián)電容器的監(jiān)視和/或標(biāo)識(shí)裝置，以及用于制作和使用這種裝置的方法。具有并聯(lián)電容器的裝置實(shí)現(xiàn)了高精度電容和低擊穿電壓以便相對(duì)容易地去活監(jiān)視標(biāo)簽，其中利用相對(duì)厚的電容器電介質(zhì)制造一個(gè)電容器并且利用相對(duì)薄的電容器電介質(zhì)制造另一個(gè)電容器。具有串聯(lián)電容器的裝置實(shí)現(xiàn)了小型電容器的橫向尺寸的增加。這使得更易于使用只有相對(duì)有限分辨能力的技術(shù)來制造電容器。
文檔編號(hào)G08B13/08GK102027515SQ200980117247
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月15日
發(fā)明者克里斯韋爾·崔, 史蒂文·莫萊薩, 帕特里克·史密斯, 維韋克·薩伯拉曼尼安, 詹姆斯·蒙塔古·克利夫斯, 阿爾文·卡馬斯 申請(qǐng)人:科維奧有限公司