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本申請涉及測試，尤其涉及一種vpx陣列存儲卡轉(zhuǎn)接測試裝置、方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)。、vpx陣列存儲卡是一種高性能的數(shù)據(jù)存儲解決方案，主要應(yīng)用于對存儲容量、讀寫速度和穩(wěn)定性有較高要求的場景，如工業(yè)電子、國防軍工等領(lǐng)域。vpx陣列存儲卡具有高性能、大容量、高穩(wěn)定性和可擴展性等特點。、由于vpx陣...

本申請的實施例涉及存儲器中計算系統(tǒng)和電路及其操作方法。、集成電路(ic)可以包含各種硬件電路器件或邏輯類型，包括fpga、專用集成電路(asic)、邏輯門、寄存器或晶體管，以及電路器件之間的各種互連。ic可以使用半導體材料制造或由半導體材料組成，例如，作為電子設(shè)備(諸如計算機、便攜式設(shè)備、...

本公開涉及存儲器，具體而言，涉及一種片上終端控制電路以及應(yīng)用該片上終端控制電路的存儲器。、片上終端(on-die?termination，odt)技術(shù)用于將dram信號的終端阻抗匹配到內(nèi)存存儲器的輸出阻抗，以消除由信號反射引起的干擾和失真，為高速內(nèi)存系統(tǒng)提供了更好的信號完整性和可靠性。、在...

本申請涉及存儲，具體涉及一種閃存測試方法、裝置、存儲介質(zhì)及計算機設(shè)備。、在存儲的制作流程中，一塊晶圓可得到多個閃存顆粒（存儲芯片）。這些閃存顆粒的顆粒受限于制程、工藝等緣故會出現(xiàn)不同的die?之間的質(zhì)量參差不一，存儲性能之間可能存在較大差異。、目前，存儲需求存在不同的級別區(qū)分，包括...

本技術(shù)屬于服務(wù)器，具體涉及一種存儲器的適配能力測試裝置。、存儲器根據(jù)斷電后是否保留存儲的信息可分為易失性存儲器和非易失性存儲器，其中只讀存儲器（rom）是主要的非易失性存儲器，其特點是一旦在其體內(nèi)存儲了資料就無法再被改寫或刪除，但其存儲過的內(nèi)容也不會因為電源關(guān)閉而丟失。、作為一種電可擦除可...

本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤，具體公開一種固態(tài)硬盤的電源監(jiān)控設(shè)備及方法。、企業(yè)級固態(tài)硬盤應(yīng)用于服務(wù)器時，注重數(shù)據(jù)的完整性，也就是對數(shù)據(jù)的安全性有苛刻的要求。在實際研發(fā)及測試中，需要對大批量固態(tài)硬盤進行穩(wěn)定性測試，一部分固態(tài)硬盤在工程師手中進行這些測試，一部分固態(tài)硬盤需要自動化進入服務(wù)器、可靠性和耐久...

本申請的實施例涉及存儲器系統(tǒng)、存儲器器件及其形成方法。、集成電路(ic)有時包括一次性可編程(otp)存儲器以提供非易失性存儲器(nvm)，其中當ic斷電時數(shù)據(jù)不會丟失。一種類型的otp器件包括反熔絲存儲器。反熔絲存儲器包括多個反熔絲存儲器單元(或位單元)，它們的端子在編程之前斷開，并且在...

本發(fā)明涉及mram存儲器，特別是涉及一種磁存儲單元以及一種sot-mram存儲器。、sot-mtj(spin-orbit?torque?magnetic?tunnel?junction，自旋軌道矩磁隧道結(jié))器件是mram(magnetoresistive?random?access?mem...

本申請涉及存儲領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲裝置。、在存儲領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，計算密度持續(xù)增長，對內(nèi)存容量需求越來越大，相應(yīng)的散熱要求也越高。、在存儲裝置中的電路板上的空間已經(jīng)被盡可能利用的情況下，為了使得服務(wù)器性能能夠得到進一步的提升，人們通?？紤]對存儲顆粒本身的容量進行擴容，然而，對于...

本技術(shù)涉及計算機硬件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種計算機硬盤加固裝置。、計算機，是現(xiàn)代一種用于高速計算的電子計算機器，可以進行數(shù)值計算，又可以進行邏輯計算，還具有存儲記憶功能。是能夠按照程序運行，自動、高速處理海量數(shù)據(jù)的現(xiàn)代化智能電子設(shè)備，隨著科技的不斷發(fā)展，計算機已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ?、工作中不?..

本技術(shù)涉及藍光光盤庫語音，具體為具有語音功能的藍光光盤庫。、藍光光盤庫是一種帶有自動換盤機構(gòu)(機械手)的光盤網(wǎng)絡(luò)共享設(shè)備。光盤庫一般由放置光盤的光盤架、自動換盤機構(gòu)(機械手)和驅(qū)動器三部分組成。近年來，由于單張光盤的存儲容量大大增加，光盤庫相較于常見的存儲設(shè)備如磁盤陣例、磁帶庫等價格性能優(yōu)...

本發(fā)明涉及微納電子器件，特別是一種基于光電憶阻器的小規(guī)模儲備池計算方法及系統(tǒng)。、基于傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的光學處理系統(tǒng)是傳感器、存儲器與處理器分置的架構(gòu)，信號采集過程需要經(jīng)過模數(shù)轉(zhuǎn)換、編碼、傳輸與存儲等諸多中間過程，并且計算過程數(shù)據(jù)需在存儲器與處理器之間頻繁交換，造成功耗墻與存儲墻的產(chǎn)生。隨著...

本申請涉及計算設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種硬盤模組和計算設(shè)備。、隨著大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能(artificial?intelligence，簡稱ai)的興起，對計算設(shè)備的存儲能力要求越來約大。、隨著對計算設(shè)備的存儲能力的要求的提高，計算設(shè)備中硬盤模組的數(shù)量也越來越多。硬盤模組包括硬盤安裝支架和...

本公開涉及存儲器裝置及操作存儲器裝置的方法。、隨著移動系統(tǒng)和各種應(yīng)用的發(fā)展，對具有高集成度的nand型閃存裝置和用于控制閃存的儲存裝置的需求已經(jīng)不斷增加。閃存裝置具有能夠存儲大量數(shù)據(jù)信息的能力，但缺點在于數(shù)據(jù)讀取和寫入時間比ram的數(shù)據(jù)讀取和寫入時間稍長。包括這種閃存裝置的系統(tǒng)的性能受到閃...

本公開涉及非線性光吸收材料、記錄介質(zhì)、信息的記錄方法和信息的讀取方法。、在光吸收材料等光學材料中，具有非線性光學(non-linear?optical)效果的材料被稱為非線性光學材料。非線性光學效應(yīng)意指在對物質(zhì)照射激光等強光的情況下在該物質(zhì)中發(fā)生與照射光的電場的平方或更高次方成比例的光學現(xiàn)...

本發(fā)明涉及芯片，特別是涉及一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。、目前的行車記錄儀產(chǎn)品銷售的區(qū)域覆蓋國內(nèi)外，由于各地溫度差異較大會出現(xiàn)一些開機不良的現(xiàn)象，即在對行車記錄儀產(chǎn)品中的芯片進行高低溫測試時，出現(xiàn)測試不穩(wěn)定的情況，從而導致開機不良，主要是和芯片內(nèi)部的ddr的穩(wěn)定度有關(guān)系...

、本公開涉及相變存儲(phase-change?memory，pcm)器件及其制造方法。、通過改進工藝技術(shù)、電路設(shè)計、編程算法和制造工藝，平面存儲單元被縮放到更小的尺寸。然而，隨著存儲單元的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。結(jié)果，平面存儲單元的存儲密度接近上限。...

本發(fā)明涉及一種近存計算與存內(nèi)計算混合架構(gòu)及計算方法，特別是一種基于edram的高密度近存計算與存內(nèi)計算混合架構(gòu)及計算方法。、本部分提供的僅僅是與本公開相關(guān)的背景信息，其并不必然是現(xiàn)有技術(shù)。、近年來隨著深度學習算法的快速發(fā)展，其計算量與參數(shù)量每年以指數(shù)級增長；許多內(nèi)存密集型應(yīng)用，如自然語言模...

本發(fā)明屬于存儲模塊性能測試，涉及存儲模塊的高溫測試技術(shù)，具體為存儲模塊溫度控制系統(tǒng)及方法。、存儲模塊是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件，其是許多存儲單元的集合，各存儲單元按照順序排列，每個存儲單元由若干二進制位構(gòu)成，以表示存儲單元中存放的數(shù)據(jù)。、存儲模塊在生產(chǎn)完成后要對其進行性能測試，...

本發(fā)明屬于芯片電路設(shè)計，尤其涉及一種新型的讀取電路。、目前，存儲芯片一般分為三部分，字線選擇器，位線選擇器，存儲陣列，讀取電路和寄存器，如圖所示。、字線選擇器，一般通過譯碼器來完成，用于尋址，產(chǎn)生字線wl；位線選擇器，一般與位線結(jié)合定義存儲陣列的存儲單元。存儲陣列是用于存儲數(shù)據(jù)，存儲陣列的...