專利名稱:雙軸取向聚酯薄膜、其制造方法和磁記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種雙軸取向聚酯薄膜及其制造方法。特別地,涉及一種適用于高密度磁記錄媒體用帶基薄膜的雙軸取向聚酯薄膜及其制造方法。
背景技術(shù):
眾所周知,雙軸取向聚酯薄膜由于其優(yōu)良的熱性能、尺寸穩(wěn)定性和機(jī)械特性,被用于各種用途中,特別是作為磁帶用等的帶基薄膜很有用。近年來,為了機(jī)械材料的輕量化、小型化和長(zhǎng)時(shí)間記錄化,要求磁帶的帶基薄膜進(jìn)一步薄膜化和高密度記錄化。但是,如果薄膜化,則機(jī)械強(qiáng)度不足,薄膜的硬挺度變差,而且容易伸長(zhǎng),因此存在著例如在磁帶用途中,容易引起記錄磁道的偏移,而且磁頭接觸惡化,電磁變換特性降低等問題。因此,更加強(qiáng)烈地要求改善張力造成的磁帶伸長(zhǎng)變形、磁帶使用環(huán)境下的尺寸穩(wěn)定性、運(yùn)行耐久性以及保存穩(wěn)定性等特性。
作為按上述要求得到的帶基薄膜,從強(qiáng)度、尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,過去一直使用芳族聚酰胺薄膜。由于芳族聚酰胺薄膜價(jià)格高,在成本上不利,但目前由于沒有代用品而一直被使用。
另一方面,采用現(xiàn)有技術(shù)獲得的高強(qiáng)度化聚酯薄膜(例如,特公昭42-9270號(hào)公報(bào)、特公昭43-3040號(hào)公報(bào)、特公昭46-1119號(hào)公報(bào)、特公昭46-1120號(hào)公報(bào)、特開昭50-133276號(hào)公報(bào)、USP4226826號(hào)等的薄膜)尚遺留有以下許多課題(1)使用時(shí)磁帶斷裂、(2)橫向的剛性不足使邊緣發(fā)生損壞、(3)記錄磁道發(fā)生偏移,記錄再現(xiàn)時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤、(4)強(qiáng)度不夠,薄膜難以適用,得不到所希望的電磁變換特性。在適用于大容量的高密度磁記錄用磁帶時(shí),特別是(3)課題被視為最重要。
發(fā)明的公開本發(fā)明是將解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題作為課題進(jìn)行研究,最終完成的。
即,本發(fā)明的目的在于,提供一種磁道偏移小、運(yùn)行耐久性和保存穩(wěn)定性優(yōu)良、適用于高密度磁記錄媒體用帶基薄膜的雙軸取向聚酯薄膜及其制造方法。
本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述課題進(jìn)行了深入的研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),在設(shè)定雙軸取向聚酯薄膜磁帶使用環(huán)境的張力、溫度、濕度條件下,使橫向尺寸變化率的值處于特定的范圍,可以降低使用雙軸取向聚酯薄膜的磁帶的記錄磁道偏移,改良運(yùn)行耐久性和保存穩(wěn)定性,至此完成本發(fā)明。
即,本發(fā)明的目的是通過以下構(gòu)成來達(dá)成。
(1)一種雙軸取向聚酯薄膜,在49℃、90%RH的條件下,在縱向施加32MPa荷重的狀態(tài)下放置72小時(shí)時(shí)的橫向尺寸變化率(A)在-0.3~0%的范圍內(nèi)。
(2)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其在(1)條件下的橫向尺寸變化率(A)與縱向尺寸變化率(B)的絕對(duì)值之比(|A|/|B|)在0.1~1.0的范圍內(nèi)。
(3)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其橫向的100℃熱收縮率在0~0.5%以下的范圍內(nèi)。
(4)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其縱向與橫向的彈性模量之和在9~30GPa的范圍內(nèi)。
(5)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其縱向厚度不勻在5%以下。
(6)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中含有聚醚酰亞胺。
(7)(6)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中,聚醚酰亞胺的重量百分率為5~30重量%。
(8)(7)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其具有單一的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
(9)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中,聚酯為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯或它們的共聚物或改性物。
(10)(1)中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中,利用廣角X射線衍射儀法的結(jié)晶取向解析中,以其法線為軸旋轉(zhuǎn)該聚酯薄膜時(shí)獲得的、聚酯主鏈方向的結(jié)晶面的解析峰的圓周方向的半值寬度在55~85度的范圍內(nèi)。
(11)一種雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,該方法是將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,再次進(jìn)行縱向和/或橫向的拉伸,然后進(jìn)行熱定形處理和松弛處理的聚酯薄膜的制造方法,其中,松弛處理在2階段以上的多階段中進(jìn)行,合計(jì)的松弛率為5~10%。
(12)一種雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,該方法是將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)~Tg+50的溫度下,以1.01~1.3倍的倍率在橫向上進(jìn)行微拉伸,然后再次在縱向和/或橫向上進(jìn)行拉伸。
(13)一種雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,該方法是將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)~Tg+50的溫度下,以1.01~1.3倍的倍率在橫向上進(jìn)行微拉伸,并再次在縱向和/或橫向上進(jìn)行拉伸,然后進(jìn)行熱定形處理和松弛處理的方法,該方法中,松弛處理在2階段以上的多階段中進(jìn)行,合計(jì)的松弛率為5~10%。
(14)(11)~(13)任一項(xiàng)中記載的雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,其中,將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸時(shí),在縱向和/或橫向上在2階段以上的多階段中進(jìn)行拉伸。
(15)一種磁記錄媒體,是將(1)~(10)任一項(xiàng)中記載的雙軸取向聚酯薄膜用作帶基薄膜。
實(shí)施發(fā)明的最佳方案以下詳細(xì)地說明本發(fā)明。
本發(fā)明中使用的聚酯,是以芳香族二元羧酸、脂環(huán)族二元羧酸或脂肪族二元羧酸與二醇為主要構(gòu)成成分的聚酯。
作為芳香族二元羧酸成分,可以使用例如對(duì)苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二甲酸、1,5-萘二甲酸、2,6-萘二甲酸、4,4'-二苯基二甲酸、4,4'-二苯醚二甲酸、4,4'-二苯砜二甲酸等,其中優(yōu)選使用對(duì)苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二甲酸。作為脂環(huán)族二元羧酸成分,可以使用例如環(huán)己烷二甲酸等。作為脂肪族二元羧酸成分,可以使用例如己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸(ドデカンヅオン)等。這些酸成分可以只使用一種,也可以兩種以上合并使用,進(jìn)一步地,還可以共聚一部分羥乙氧基安息香酸等羥基酸等。
另外,作為二醇成分,可以使用例如乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、新戊二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,2-環(huán)己二甲醇、1,3-環(huán)己二甲醇、1,4-環(huán)己二甲醇、二乙二醇、三乙二醇、聚亞烷基二醇、2,2'-二(4'-β-羥乙氧基苯基)丙烷等。其中優(yōu)選為乙二醇、1,4-丁二醇、1,4-環(huán)己二甲醇、二乙二醇等,特別優(yōu)選為乙二醇。這些二醇成分可以只使用一種,也可以兩種以上合并使用。
另外,聚酯中,偏苯三酸、均苯四酸、丙三醇、季戊四醇、2,4-二羥基安息香酸、月桂醇、異氰酸苯酯等其他的化合物,也可以在聚合物實(shí)際上處于線型的范圍內(nèi)共聚。作為本發(fā)明的聚酯,特別優(yōu)選聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(以后簡(jiǎn)稱為PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯(以后簡(jiǎn)稱為PEN)、或者它們的共聚物和改性物。
本發(fā)明中使用的聚酯的特性粘度,從薄膜的尺寸穩(wěn)定性、制膜穩(wěn)定性和與聚醚酰亞胺(以后簡(jiǎn)稱為PEI)易混煉性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選為0.55~2.0dl/g,較優(yōu)選為0.58~1.40dl/g,更優(yōu)選為0.60~0.85dl/g。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜,優(yōu)選含有惰性粒子。作為惰性粒子,可以舉出例如,粘土、云母、氧化鈦、碳酸鈣、高嶺土、滑石、濕式或干式二氧化硅、膠體二氧化硅、磷酸鈣、硫酸鋇、硅酸鋁、氧化鋁和氧化鋯等無機(jī)粒子;以丙烯酸、苯乙烯等為構(gòu)成成分的有機(jī)粒子;經(jīng)聚酯聚合反應(yīng)時(shí)添加催化劑等而析出的所謂內(nèi)部粒子等。其中,特別優(yōu)選高分子交聯(lián)粒子、氧化鋁、球形二氧化硅、硅酸鋁。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜,可以在不阻礙本發(fā)明的范圍內(nèi)添加其他各種添加劑,例如熱穩(wěn)定劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、阻燃劑、顏料、染料、脂肪酸酯、石蠟等有機(jī)潤(rùn)滑劑等。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜中含有的惰性粒子的平均粒徑優(yōu)選為0.001~2μm,較優(yōu)選為0.005~1μm,更優(yōu)選為0.01~0.5μm。小于0.001μm時(shí),不能起到作為薄膜表面突起的作用,因此是不優(yōu)選的,而大于2μm時(shí),粗大突起容易脫落,因此也是不優(yōu)選的。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜中含有的惰性粒子的含量?jī)?yōu)選為0.01~3重量%,較優(yōu)選為0.02~1重量%,更優(yōu)選為0.05~0.5重量%。少于0.01重量%時(shí),對(duì)薄膜的運(yùn)行特性等無效,因此是不優(yōu)選的,而多于3重量%時(shí),由于凝聚形成粗大突起,容易脫落,因此也是不優(yōu)選的。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜可以是單層的,也可以是2層以上的疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中,特別優(yōu)選在薄膜基層部分的一側(cè)疊層具有優(yōu)化薄膜的運(yùn)行性能和操作性作用的薄膜層而形成的2層結(jié)構(gòu)。應(yīng)予說明,基層部分是層厚度最厚的那一層,此外的為疊層部分。在磁材料用途中很重要的彈性模量和尺寸穩(wěn)定性等物性,主要由基層部的物性決定。
本發(fā)明的薄膜層的疊層部分,其惰性粒子的平均粒徑d(nm)與疊層厚度t(nm)的關(guān)系為0.2d≤t≤10d時(shí),由于可以獲得均一高度的突起,是優(yōu)選的。
本發(fā)明的聚酯薄膜的特征是,在溫度49℃、濕度90%RH的條件下,處于在縱向施加32MPa荷重的狀態(tài)下放置72小時(shí)時(shí),橫向的尺寸變化率(A)在-0.3~0%的范圍內(nèi)。此處,負(fù)號(hào)表示收縮。較優(yōu)選在-0.25~0%的范圍,更優(yōu)選在-0.2~0%的范圍。
最近的數(shù)據(jù)記錄用磁帶中,特別是在磁帶使用環(huán)境下的橫向尺寸變化引起磁道偏移已成問題。在磁帶使用環(huán)境下,與磁頭的摩擦熱等使溫度上升。過去的聚酯薄膜的尺寸變化率(A)小于-0.3%,但一旦尺寸變化率(A)小于-0.3%,則此時(shí)向橫向收縮,引起磁道偏移。另外,作為磁帶使用時(shí)的運(yùn)行耐久性惡化,而且多發(fā)生噪聲,數(shù)據(jù)的保存穩(wěn)定性惡化。另外,如果尺寸變化率(A)大于0%,則磁帶加工時(shí)發(fā)生褶皺。
本發(fā)明的聚酯薄膜中,上述條件下的橫向尺寸變化率(A)與縱向尺寸變化率(B)的絕對(duì)值之比(|A|/|B|),從抑制張力產(chǎn)生的磁帶伸長(zhǎng)變形和運(yùn)行耐久性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在0.1以上,從噪聲等的數(shù)據(jù)保存穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在1.0以下。較優(yōu)選在0.2~0.9的范圍,更優(yōu)選在0.3~0.8的范圍。
本發(fā)明的聚酯薄膜中,橫向的100℃熱收縮率,從抑制磁帶加工時(shí)發(fā)生褶皺的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在0%以上,從數(shù)據(jù)保存穩(wěn)定性等觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在0.5%以下。較優(yōu)選在0~0.4%的范圍,更優(yōu)選在0~0.3%的范圍。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜,從運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、抑制磁道偏移的觀點(diǎn)考慮,縱向和橫向的彈性模量之和優(yōu)選在9GPa以上,從抑制磁帶斷裂的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在30GPa以下。較優(yōu)選在10~27GPa的范圍內(nèi),更優(yōu)選在11~24GPa的范圍內(nèi)。另外,橫向的彈性模量,從抑制縱向張力引起橫向收縮的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在4.5GPa以上,從不抑制縱向強(qiáng)度的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在13GPa以下。較優(yōu)選在5~12GPa的范圍內(nèi)。
聚酯薄膜在最近的用途中,由于硬件的高性能化,特別地要求厚度具有高度的均勻性。從減小物性不均勻的觀點(diǎn)考慮,聚酯薄膜的縱向厚度不均,即薄膜的厚部分與薄部分的厚度差,優(yōu)選在5%以下。較優(yōu)選在4%以下,更優(yōu)選在2%以下。例如,在磁材料用途中,從提高運(yùn)行耐久性、抑制伸長(zhǎng)、在薄膜上涂布等的加工處理、或者在進(jìn)行諸如分割成一定寬度之類的二次加工時(shí)防止曲折運(yùn)行和纏繞亂卷等麻煩的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選縱向厚度不均小。
使本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜中含有PEI,這由于薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度上升,高溫下的尺寸穩(wěn)定性提高,因此是優(yōu)選的。特別地,雙軸取向聚酯薄膜中含有的PEI的重量百分率在5~30重量%的范圍內(nèi),可以容易地使橫向尺寸變化率處于本發(fā)明的范圍,因此是優(yōu)選的。較優(yōu)選在10~25重量%的范圍。另外,如果PEI的含量在上述的范圍內(nèi),則由于拉伸可提高強(qiáng)度,是優(yōu)選的。特別地,PEI的含量在30重量%以下時(shí),薄膜的結(jié)晶性增大,是優(yōu)選的。
含有PEI的雙軸取向聚酯薄膜,優(yōu)選具有單一的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。薄膜是否具有單一的Tg,可以采用示差掃描熱分析、動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定等各種分析適宜地進(jìn)行判斷。只采用利用固體物性的方法難以判斷的場(chǎng)合下,也可以并用顯微鏡觀察等形態(tài)學(xué)的方法。另外,采用示差掃描熱分析判斷Tg的場(chǎng)合下,使用調(diào)溫法和高靈敏度法是有效的。應(yīng)予說明,本發(fā)明中,示差掃描熱分析測(cè)定的可逆的比熱變化在5mJ/g/℃以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以忽略不計(jì)。該判斷中,薄膜具有單一的Tg時(shí),薄膜的拉伸性大幅度提高,薄膜斷裂的頻度降低,而且均一拉伸性大幅度提高等,可以容易地獲得高品質(zhì)的薄膜。另外,從高溫下尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,該單一的Tg優(yōu)選在110℃以上。從制膜穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,Tg優(yōu)選在140℃以下。Tg較優(yōu)選在113~137℃的范圍內(nèi),更優(yōu)選在116~134℃的范圍內(nèi)。
作為本發(fā)明中使用的PEI,是含有以脂肪族、脂環(huán)族或芳香族系的醚單元與環(huán)狀酰亞胺基團(tuán)作為重復(fù)單元的聚合物,只要是具有熔融成型性的聚合物,則沒有特別的限定。例如,美國(guó)專利No.4141927號(hào)中記載的聚合物。只要在不阻礙本發(fā)明效果的范圍內(nèi),PEI的主鏈上就可以含有環(huán)狀酰亞胺、醚單元以外的結(jié)構(gòu)單元,例如芳香族、脂肪族、脂環(huán)族酯單元、羥基羰基單元等。
作為具體的PEI,可以舉出下述通式所示的聚合物。 (其中,上述式中R1為具有6~30個(gè)碳原子的2價(jià)芳香族或脂肪族殘基,R2為選自具有6~30個(gè)碳原子的2價(jià)芳香族殘基、具有2~20個(gè)碳原子的亞烷基、具有2~20個(gè)碳原子的亞環(huán)烷基以及被具有2~8個(gè)碳原子的亞烷基鏈終止的聚二有機(jī)硅氧烷基中的2價(jià)有機(jī)基團(tuán)。)作為上述的R1、R2,可以舉出例如下述一組結(jié)構(gòu)式所示的芳香族殘基等。 本發(fā)明中,從與聚酯的相溶性、成本、熔融成型性等觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在350℃以下,更優(yōu)選在250℃以下的PEI,優(yōu)選具有下述式所示結(jié)構(gòu)單元的、2,2-二[4-(2,3-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐與間苯二胺或?qū)Ρ蕉返目s合物。該P(yáng)EI可以以“Ultem”(注冊(cè)商標(biāo))的商標(biāo)名,由通用電氣公司購(gòu)得。 或 本發(fā)明的聚酯薄膜,采用廣角X射線衍射儀法的結(jié)晶取向解析,以其法線為軸使該聚酯薄膜旋轉(zhuǎn)時(shí)獲得的、聚酯主鏈方向的結(jié)晶面的衍射峰的圓周方向的半值寬度優(yōu)選為55~85度的范圍。聚酯主鏈方向的結(jié)晶面的衍射峰的圓周方向的半值寬度表示聚酯薄膜的結(jié)晶取向方向的分布寬度,從引起薄膜的抗撕裂傳播變小、防止磁帶斷裂的觀點(diǎn)考慮,半值寬度優(yōu)選在55度以上,而且,從獲得薄膜面內(nèi)的全方位皆為高強(qiáng)度的薄膜的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在85度以下。此處,聚酯主鏈方向的結(jié)晶面,是作為采用廣角X射線衍射儀法測(cè)定的衍射峰測(cè)定的結(jié)晶面中,其法線是在聚酯主鏈方向上最近的結(jié)晶面,PET中為(-105)面。上述半值寬度較優(yōu)選在60~83度的范圍內(nèi),更優(yōu)選在65~80度的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的聚酯薄膜,薄膜的厚度方向的折射率(nZD)優(yōu)選在1.47~1.485的范圍內(nèi),面取向系數(shù)(fn)優(yōu)選在0.175~0.195的范圍內(nèi)。本發(fā)明的厚度方向的折射率(nZD)超過1.485、面取向系數(shù)(fn)不足0.175的場(chǎng)合下,磁帶運(yùn)行時(shí),施加到磁帶上的應(yīng)力容易引起伸長(zhǎng)變形,容易引起磁道偏移。而且,厚度方向的折射率(nZD)不足1.47、面取向系數(shù)(fn)超過0.195的場(chǎng)合下,薄膜的抗撕裂傳播減小,容易發(fā)生磁帶斷裂,因此應(yīng)特別注意。較優(yōu)選地,本發(fā)明的薄膜在厚度方向上的折射率(nZD)在1.473~1.482的范圍,面取向系數(shù)(fn)在0.18~0.193的范圍。
本發(fā)明的聚酯薄膜的密度,從結(jié)構(gòu)充分固定、磁帶的保存穩(wěn)定性良好的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在1.39g/cm3以上,另外,從維持薄膜的抗撕裂傳播、抑制磁帶斷裂的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在1.405g/cm3以下。
本發(fā)明的聚酯薄膜,從溫濕度條件下的尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,溫度膨脹系數(shù)(α)優(yōu)選處于-5×10-6~15×10-6(/℃)的范圍。此處-(負(fù)號(hào))表示收縮。較優(yōu)選是-4×10-6~13×10-6(/℃)的范圍,更優(yōu)選是-3×10-6~11×10-6(/℃)的范圍。
另外,與溫度膨脹系數(shù)相同,從溫濕度條件下的尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,濕度膨脹系數(shù)(β)優(yōu)選處于-2×10-6(/%RH)~15×10-6(/%RH)的范圍。較優(yōu)選是-1×10-6(/%RH)~13×10-6(/%RH)的范圍,更優(yōu)選是1×10-6(/%RH)~10×10-6(/%RH)的范圍。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜,其一側(cè)薄膜表面(A面)的表面粗糙度RaA,從減輕與磁頭摩擦的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在3nm以上,從電磁變換特性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在10nm以下。另外,A面相反側(cè)的薄膜表面(B面)的表面粗糙度RaB,從加工工序中的操作性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在5nm以上,從減輕作為磁帶在卷繞時(shí)擠壓力造成轉(zhuǎn)印的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在17nm以下。較優(yōu)選RaA為3~9nm、RaB為6~16nm,更優(yōu)選RaA為4~8nm、RaB為7~15nm。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜,在溫度50℃、荷重28MPa的條件下經(jīng)過30分鐘后的蠕變?nèi)崃績(jī)?yōu)選為0.11~0.45GPa-1。本發(fā)明的蠕變?nèi)崃?,從抑制磁帶運(yùn)行時(shí)或保存時(shí)由張力引起的磁帶伸長(zhǎng)變形和抑制記錄再現(xiàn)時(shí)磁道偏移的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在0.45GPa-1以下。另外,從抑制磁帶斷裂的觀點(diǎn)考慮,蠕變?nèi)崃績(jī)?yōu)選在0.11GPa-1以上。蠕變?nèi)崃扛鼉?yōu)選為0.13~0.37GPa-1,最優(yōu)選為0.15~0.30GPa-1。此處,蠕變是在一定應(yīng)力基礎(chǔ)上應(yīng)變與時(shí)間共同增大的現(xiàn)象,蠕變?nèi)崃渴窃搼?yīng)變與一定應(yīng)力之比。
將本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜加工成1/2英寸寬的磁帶,在后述的條件下測(cè)定的橫向磁道偏移,從磁帶的卷繞形態(tài)、抑制噪聲的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選為0~1μm的范圍。另外,該磁帶的最大尺寸變化幅度,從磁帶的運(yùn)行耐久性和數(shù)據(jù)保存穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選為0~3μm。對(duì)于磁道偏移,更優(yōu)選為0~0.8μm,最優(yōu)選為0~0.5μm。對(duì)于最大尺寸變化幅度,更優(yōu)選為0~2μm,最優(yōu)選為0~1.5μm。
本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜,優(yōu)選用于記錄磁帶用、コンデンサ用、熱敏轉(zhuǎn)印帶用、熱敏孔板印刷原紙用等。特別優(yōu)選的用途是需要均勻微細(xì)表面形態(tài)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用等的高密度磁記錄媒體,作為其數(shù)據(jù)記錄容量,優(yōu)選在30GB(千兆字節(jié))以上,較優(yōu)選在70GB以上,更優(yōu)選在100GB以上。另外,該高密度磁記錄媒體用帶基薄膜的厚度優(yōu)選為3~7μm。較優(yōu)選為3.5~6.5μm,更優(yōu)選為4~6μm。
作為磁帶的磁性層,優(yōu)選的例子可以舉出強(qiáng)磁性金屬薄膜和強(qiáng)磁性金屬細(xì)粉分散于結(jié)合劑中形成的磁性層和涂布金屬氧化物而成的磁性層等。作為上述強(qiáng)磁性金屬薄膜,優(yōu)選鐵、鈷、鎳和其他合金等。另外,作為上述強(qiáng)磁性金屬細(xì)粉,優(yōu)選強(qiáng)磁性六方晶鐵氧體細(xì)粉和鐵、鈷、鎳和其他合金等。作為上述結(jié)合劑,優(yōu)選熱塑性樹脂、熱固性樹脂、反應(yīng)型樹脂和它們的混合物等。
磁性層的形成方法,可以采用涂布法、干式法任一種方式。涂布法是將磁性粉末與熱塑性、熱固性或放射線固化性等的結(jié)合劑進(jìn)行混煉,涂布并干燥的方法。干式法是采用蒸鍍法、噴濺法、離子預(yù)涂法等在基材薄膜上直接形成磁性金屬薄膜層的方法。
本發(fā)明的磁記錄媒體中,可以在強(qiáng)磁性金屬薄膜上設(shè)置一層保護(hù)膜,該保護(hù)膜可以進(jìn)一步改善運(yùn)行耐久性和耐腐蝕性。作為保護(hù)膜,可以舉出二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈷、氧化鎳等氧化物保護(hù)膜、氮化鈦、氮化硅、氮化硼等氮化物保護(hù)膜、碳化硅、碳化鉻、碳化硼等碳化物保護(hù)膜、石墨、無定型碳等的碳構(gòu)成的碳保護(hù)膜。
上述碳保護(hù)膜,是采用等離子體CVD法、噴濺法等制成的具有無定形結(jié)構(gòu)、石墨結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)、或者是它們的混合物構(gòu)成的碳膜,特別優(yōu)選是一般稱之為金剛石狀碳的硬質(zhì)碳膜。
另外,為了進(jìn)一步提高該硬質(zhì)碳保護(hù)膜與其上涂布的潤(rùn)滑劑的密合,可以采用氧化性或惰性氣體的等離子體對(duì)硬質(zhì)碳保護(hù)膜表面進(jìn)行表面處理。
本發(fā)明中,為了改善磁記錄媒體的運(yùn)行耐久性和耐腐蝕性,優(yōu)選在上述磁性膜或保護(hù)膜上涂布潤(rùn)滑劑和防銹劑。
本發(fā)明的聚酯薄膜是將聚酯樹脂熔融成型的未拉伸薄膜采用逐次雙軸拉伸和/或同時(shí)雙軸拉伸的方法,在縱向和橫向上進(jìn)行高度拉伸取向而成的薄膜。作為用于獲得本發(fā)明聚酯薄膜的優(yōu)選制造方法,有以下2種方法。
1.將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,再次在縱向和/或橫向上進(jìn)行拉伸,然后進(jìn)行熱定形處理和松弛處理的方法,該松弛處理以2階段以上的多階段進(jìn)行,合計(jì)松弛率為5~10%的范圍。
對(duì)聚酯薄膜進(jìn)行上述那樣的熱定形處理,在松弛下均勻地緩慢冷卻后,冷卻到室溫,并卷繞。熱定形處理的溫度優(yōu)選為190℃~220℃,更優(yōu)選為205℃~220℃。熱定形處理是將被拉伸的薄膜在高于拉伸溫度而低于薄膜熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行熱處理,使薄膜結(jié)晶。通過熱定形處理,賦予薄膜平面性和熱尺寸穩(wěn)定性。應(yīng)予說明,熱定形處理優(yōu)選將薄膜的寬度保持一定地進(jìn)行,但也可以一邊在橫向上使其松弛一邊進(jìn)行,由此同時(shí)進(jìn)行熱定形處理和松弛處理。
進(jìn)一步地,優(yōu)選將該薄膜在40~180℃的溫度下,在橫向上一邊松弛一邊冷卻。
使橫向的合計(jì)松弛率為5%以上,可以使橫向的尺寸變化率處于本發(fā)明的范圍內(nèi),是優(yōu)選的。從抑制膨脹產(chǎn)生的褶皺和厚度不勻的觀點(diǎn)考慮,橫向合計(jì)松弛率優(yōu)選在10%以下。較優(yōu)選為6~9%的范圍內(nèi)。另外,上述多階段的松弛處理的溫度,優(yōu)選第1階段為120~180℃的范圍,第2階段以后為100~140℃的范圍,較優(yōu)選第1階段為125~160℃的范圍,第2階段以后為110~130℃的范圍。松弛率優(yōu)選為(第1階段的松弛率)>(第2階段以后的松弛率),第1段優(yōu)選為3~7%的范圍,第2段以后優(yōu)選為1~4%的范圍。通過在這種條件下進(jìn)行松弛處理,可以減輕薄膜的殘留應(yīng)力,進(jìn)一步抑制尺寸變化。此處所說的松弛率,第1段、第2段以后,皆是與最終拉伸后薄膜寬度的比值,總松弛率由第1段與第2段以后的松弛率之和求出。
2.將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,在聚酯的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)~Tg+50℃的溫度下,以1.01~1.3倍的倍率在橫向上進(jìn)行微拉伸,然后再次在縱向和/或橫向上進(jìn)行拉伸。通過在橫向上進(jìn)行微拉伸,然后再進(jìn)行拉伸,可以容易地在橫向上達(dá)到取向,使橫向尺寸變化率處于本發(fā)明的范圍內(nèi)。拉伸溫度較優(yōu)選為Tg+5~Tg+45℃的范圍,更優(yōu)選為Tg+10~Tg+40℃的范圍。另外,拉伸倍率較優(yōu)選為1.05~1.25倍的范圍,更優(yōu)選在1.1~1.2倍的范圍。
另外,如果在上述2條件下拉伸后,再在上述1條件下進(jìn)行熱定形處理和松弛處理,則容易獲得本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜的物性,因此是較優(yōu)選的。
進(jìn)一步地,在上述1.或2.的方法中,將未拉伸薄膜在縱向和橫向進(jìn)行拉伸時(shí),優(yōu)選在縱向和/或橫向上以2階段以上的多階段進(jìn)行拉伸。優(yōu)選使第1段的拉伸溫度(T1)為Tg~Tg+60℃的范圍,以1.2~3.0倍的拉伸倍率進(jìn)行拉伸,將第2段以后的拉伸溫度冷卻到先前的拉伸溫度(T1)-10~T1-50℃的范圍,以1.2~4.0倍的拉伸倍率進(jìn)行。通過使第2段的拉伸溫度(T2)低于第1段的拉伸溫度,由此可以減小薄膜的縱向和橫向的取向分布,因此是優(yōu)選的。
進(jìn)一步地,優(yōu)選除去所獲薄膜的邊緣,卷繞到卷芯上,將該卷狀薄膜在加熱了的熱風(fēng)烘箱內(nèi)進(jìn)行熱處理。熱處理溫度為Tg-10~Tg-60℃的范圍,較優(yōu)選在Tg-15~Tg-55℃的范圍,更優(yōu)選為Tg-20~Tg-50℃的范圍,熱處理時(shí)間為24~360小時(shí)的范圍,較優(yōu)選為48~240小時(shí)的范圍,更優(yōu)選為72~168小時(shí)的范圍。
以下,以PET薄膜的逐次雙軸拉伸的場(chǎng)合作為實(shí)例說明具體的制造方法。但本發(fā)明不受以下說明的限定。
首先,按照常規(guī)方法,使對(duì)苯二甲酸與乙二醇進(jìn)行酯化,或者,使對(duì)苯二甲酸二甲酯與乙二醇進(jìn)行酯交換,獲得對(duì)苯二甲酸二-β-羥乙基酯(BHT)。接著,將該BHT轉(zhuǎn)移到聚合釜內(nèi),在真空下加熱至280℃,進(jìn)行聚合反應(yīng)。此時(shí),獲得特性粘度在0.5左右的聚酯。將獲得的聚酯制成顆粒狀,在減壓下進(jìn)行固相聚合。固相聚合的場(chǎng)合,預(yù)先在180℃以下的溫度下使其預(yù)結(jié)晶后,在190~250℃下,在1mmHg的減壓下,使其固相聚合10~50小時(shí)。另外,為了使聚酯中含有粒子,優(yōu)選在上述聚合時(shí),以所定比例,以漿液的形式使粒子分散于乙二醇中,使該乙二醇與對(duì)苯二甲酸聚合的方法。添加粒子時(shí),例如,不使粒子合成時(shí)獲得的水溶膠或醇溶膠干燥地添加,則粒子的分散性好。另外,將粒子的水漿液與聚酯顆?;旌?,用排氣式雙螺桿混煉擠出機(jī)摻混到聚酯中的方法也是有效的。作為調(diào)整粒子的含量、個(gè)數(shù)的方法,采用上述方法制作高濃度的母粒,將其用制膜時(shí)實(shí)際上不含粒子的聚酯或其他熱塑性樹脂或它們的混合物稀釋,由此來調(diào)整粒子含量的這樣一種方法是有效的。將含有高濃度惰性粒子的聚酯顆粒,與實(shí)際上不含粒子的聚酯顆?;旌?,在180℃下真空充分干燥3小時(shí)以上,然后供給到加熱至270~300℃溫度的擠出機(jī)中使其熔融,使其通過纖維燒結(jié)不銹金屬濾網(wǎng)后,由T型口模擠出成片狀。將該熔融的片材以靜電力緊貼到表面溫度冷卻至10~40℃的轉(zhuǎn)鼓上并冷卻固化,獲得實(shí)際上無取向狀態(tài)的未拉伸聚酯薄膜。
接著,在下述(1)或(2)的條件下對(duì)該未拉伸聚酯薄膜進(jìn)行拉伸、熱定形處理和松弛處理等。
(1)使未拉伸聚酯薄膜通過被加熱的數(shù)根轉(zhuǎn)輥,充分加熱后,利用轉(zhuǎn)輥的周速差,在縱向上進(jìn)行拉伸。拉伸溫度優(yōu)選為聚酯的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)+30~Tg+70℃的范圍,較優(yōu)選為Tg+35~Tg+65℃的范圍。拉伸倍率優(yōu)選為3~7倍,較優(yōu)選為3.5~6倍的范圍。從進(jìn)行高倍率拉伸的觀點(diǎn)考慮,拉伸溫度優(yōu)選在Tg+30℃以上,而從使分子有效取向獲得高彈性薄膜的觀點(diǎn)考慮,拉伸溫度優(yōu)選在Tg+70℃以下。
接著,將獲得的縱拉伸后的薄膜在橫向上進(jìn)行拉伸。作為橫向拉伸的方法,可以使用拉幅機(jī)等來進(jìn)行。拉伸溫度優(yōu)選為Tg+10~Tg+50℃的范圍,較優(yōu)選為Tg+15~Tg+45℃的范圍。拉伸倍率優(yōu)選為3~7倍,較優(yōu)選為3~6.5倍。橫向拉伸條件與縱向拉伸條件相同,從進(jìn)行高倍率拉伸的觀點(diǎn)考慮,拉伸溫度優(yōu)選在Tg+10℃以上,而從使分子有效取向的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在Tg+50℃以下。
進(jìn)一步地,在同一拉幅機(jī)內(nèi)進(jìn)行橫向微拉伸。拉伸溫度優(yōu)選為Tg~Tg+50℃的范圍,較優(yōu)選在Tg+10~Tg+40℃的范圍。拉伸倍率優(yōu)選為1.01~1.3倍,較優(yōu)選為1.05~1.25倍。另外,該微拉伸也可以在上述溫度范圍內(nèi)和拉伸倍率范圍內(nèi),一邊階段性地升溫一邊以2階段以上的多階段進(jìn)行。然后,還可以進(jìn)行再縱拉伸和/或再橫拉伸。熱定形溫度優(yōu)選為190℃~250℃,較優(yōu)選為200℃~240℃。熱定形工序中,也可以在1個(gè)區(qū)域以上進(jìn)行1~2倍拉伸。
進(jìn)一步地,優(yōu)選將該薄膜在40~180℃的溫度區(qū)域內(nèi),一邊在橫向上進(jìn)行松弛一邊冷卻。該場(chǎng)合下,松弛率優(yōu)選為3~7%,更優(yōu)選為3.5~6.5%。從尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,熱定形溫度優(yōu)選在205℃以上,松弛率優(yōu)選在3%以上。然后,除去薄膜的邊緣,卷繞到卷芯上。
(2)首先將未拉伸聚酯薄膜在縱向上進(jìn)行拉伸。使聚酯薄膜通過被充分加熱的數(shù)根轉(zhuǎn)輥,充分加熱后,利用轉(zhuǎn)輥的周速差在縱向上進(jìn)行拉伸。優(yōu)選拉伸溫度為Tg~Tg+60℃的范圍,拉伸倍率在1.2倍~3倍的范圍,較優(yōu)選拉伸溫度為Tg+15~Tg+45℃的范圍,拉伸倍率在1.5倍~2.5倍的范圍。
將獲得的縱拉伸后的薄膜接著在橫向上進(jìn)行拉伸。作為橫向拉伸方法,可以使用拉幅機(jī)進(jìn)行。優(yōu)選拉伸溫度(T1)與原先的縱向拉伸溫度相同,在Tg~Tg+60℃的范圍,拉伸倍率在1.2~3倍的范圍內(nèi)進(jìn)行拉伸,較優(yōu)選拉伸溫度在Tg+15~Tg+45℃的范圍,拉伸倍率在1.5~2.5倍的范圍內(nèi)。
這樣獲得的縱橫雙軸拉伸薄膜的雙折射(Δn)為0~0.02,優(yōu)選為0~0.01。雙折射處于上述范圍內(nèi)的場(chǎng)合下,可以獲得在薄膜縱向和橫向上取得平衡的機(jī)械強(qiáng)度和具有優(yōu)良熱收縮特性的薄膜。
將上述那樣獲得的雙軸拉伸薄膜在同一拉幅機(jī)內(nèi)在橫向上進(jìn)行再橫拉伸。再拉伸溫度(T2)為前面的橫向拉伸溫度(T1)-10~T1-50℃的范圍,拉伸倍率為1.2~4倍的范圍,通過在該條件下進(jìn)行再拉伸,可以在橫向上不過度地拉伸,可以提高橫向的機(jī)械強(qiáng)度,而且,橫向拉伸后進(jìn)行再縱拉伸、再再橫拉伸的場(chǎng)合,拉伸性也變得良好,因此是優(yōu)選的。較優(yōu)選地,拉伸溫度為T1-20℃~T1-40℃的范圍,拉伸倍率在2~3倍的范圍。另外,橫拉伸后,還可以根據(jù)需要進(jìn)行熱定形處理。進(jìn)一步地,對(duì)上述那樣獲得的薄膜進(jìn)行再縱拉伸。拉伸溫度(T3)為前面的再橫拉伸溫度(T2)~T2+60℃的范圍,拉伸倍率在1.2~6倍的范圍內(nèi),通過在該條件下進(jìn)行拉伸,可以在縱向上賦予適宜的取向,獲得縱橫特性取得平衡的薄膜,因此是優(yōu)選的。較優(yōu)選地,拉伸溫度為原先的再橫拉伸溫度(T2)+5~T2+55℃的范圍,拉伸倍率為2~5倍的范圍。另外,進(jìn)行再縱拉伸時(shí),如果是上述拉伸溫度、倍率的范圍,可以以1階段進(jìn)行拉伸,也可以進(jìn)行2階段以上的附加溫度梯度的多段拉伸。另外,本發(fā)明中,進(jìn)行再縱拉伸后,還可以進(jìn)行再再橫拉伸。再再橫拉伸優(yōu)選在拉伸溫度為前面的再縱拉伸溫度(T3)~聚酯的熔融溫度(Tm)-20℃的范圍,拉伸倍率為1.05~3倍的條件下進(jìn)行。
為了賦予這樣獲得的聚酯薄膜平面性和熱尺寸穩(wěn)定性,在松弛下進(jìn)行熱定形處理,均勻慢冷卻后,冷卻至室溫,卷繞。熱定形溫度優(yōu)選為190℃~220℃,更優(yōu)選為205℃~220℃。進(jìn)一步地,優(yōu)選將該薄膜在40~180℃的溫度區(qū)域內(nèi),一邊在橫向上進(jìn)行松弛一邊冷卻。本發(fā)明中,松弛率優(yōu)選為5~10%,更優(yōu)選為6~9%。從尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮,熱定形溫度優(yōu)選為205℃以上,松弛率優(yōu)選為5%以上。然后,除去薄膜邊緣,卷繞到卷芯上。<物性值的評(píng)價(jià)方法>(1)尺寸變化率(A)、(B)(%)樣品尺寸縱向100mm,橫向30mm將上述樣品在23℃、65%RH、無荷重的條件下,調(diào)濕調(diào)溫24小時(shí)后,利用靜電使樣品貼到大日本印刷(株)制鉻掩模上,用光學(xué)顯微鏡測(cè)定縱向的長(zhǎng)度(L0L)和橫向的長(zhǎng)度(L0W)。然后,在49℃、90%RH的條件下,在縱向上施加32MPa的荷重,以此狀態(tài)放置72小時(shí)。72小時(shí)后,釋放荷重,在23℃、65%RH、無荷重的條件下調(diào)濕調(diào)溫24小時(shí)后,測(cè)定縱向的長(zhǎng)度(L1L)和橫向的長(zhǎng)度(L1W)。用下述公式求出橫向(TD)和縱向(MD)的尺寸變化率。
橫向尺寸變化率(A)(%)=[(L1W-L0W)/L0W]×100縱向尺寸變化率(A)(%)=[(L1L-L0L)/L0L]×100尺寸變化率比=|A|/|B|(2)熱收縮率按照J(rèn)IS-C2318進(jìn)行測(cè)定。
試樣尺寸寬10mm,標(biāo)線間隔150mm。
測(cè)定條件溫度100℃,處理時(shí)間30分鐘,無荷重狀態(tài)按下式求出100℃熱收縮率。
熱收縮率(%)=[(L0-L)/L0]×100L0加熱處理前的標(biāo)線間隔L加熱處理后的標(biāo)線間隔(3)彈性模量按照ASTM-D882規(guī)定的方法,使用萬能拉伸(Instron)型拉伸試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件如下。
測(cè)定裝置オリ工ンテツク(株)制薄膜強(qiáng)伸度自動(dòng)測(cè)定裝置“テンシ口ン AMF/RTA-100”
試樣尺寸寬10mm×試樣長(zhǎng)100mm拉伸速度200mm/分測(cè)定環(huán)境溫度23℃,濕度65%RH(4)縱向厚度不勻(%)使用アンリツ株式會(huì)社制的薄膜測(cè)厚儀KG601A和電子測(cè)微計(jì)K306C,在薄膜的縱向上連續(xù)地測(cè)定寬30mm、連續(xù)取樣的長(zhǎng)2m的薄膜厚度。薄膜樣品的厚度不勻是在最初被拉伸的方向進(jìn)行測(cè)定。薄膜的輸送速度為3m/分。由2m長(zhǎng)度中的厚度最大值Tmax(μm)、最小值Tmin(μm)求出R:
R=Tmax-Tmin由R與2m長(zhǎng)的平均厚度Tave(μm)求出厚度不勻厚度不勻(%)=(R/Tave)×100。(5)廣角X射線衍射法測(cè)定的薄膜結(jié)晶面衍射峰的圓周方向的半值寬度使用X射線衍射裝置((株)理學(xué)電機(jī)社制4036A2型(管球型)),在下述條件下,采用衍射儀法進(jìn)行測(cè)定。
X射線衍射裝置 (株)理學(xué)電機(jī)社制4036A2型(管球型)X射線源CuKα線(使用Ni過濾器)輸出40kV 20mA測(cè)角器(株)理學(xué)電機(jī)社制狹縫2mmφ-1°-1°檢測(cè)器閃爍計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)記錄裝置 (株)理學(xué)電機(jī)社制RAD-C型在以2θ/θ掃描獲得的結(jié)晶面的衍射峰位置上,截出2cm×2cm,將方向一致而重合的試樣和計(jì)數(shù)器固定,使試樣在面內(nèi)旋轉(zhuǎn),由此獲得圓周方向的分布圖(β掃描)。以β掃描獲得的峰分布圖中,將峰兩邊的谷底部分作為背景(background),計(jì)算峰的半值寬度(deg)。(6)溫度膨脹系數(shù)(/℃)將薄膜制成寬4mm的樣品,安放到真空理工(株)制TMA TM-3000和加熱控制部TA-1500上,使試樣長(zhǎng)為15mm。在15%RH的條件下,將0.5g的荷重施加到薄膜上,一旦使溫度由室溫(23℃)上升至50℃后,再使溫度返回室溫。然后,再次使溫度由室溫上升至50℃。此時(shí),測(cè)定薄膜從30℃~40℃的位移量(ΔLμm),由下式計(jì)算出溫度膨脹系數(shù)。
溫度膨脹系數(shù)(/℃)=(ΔL/15×103)/(40-30)(7)濕度膨脹系數(shù)(/%RH)將薄膜制成寬10mm的樣品,安放到大倉(cāng)ィンダストリ-制的磁帶伸長(zhǎng)試驗(yàn)器上,使試樣長(zhǎng)為200mm,在溫度30℃下,使?jié)穸扔?0%RH改變至80%RH,測(cè)定位移量(ΔLmm),由下式計(jì)算出濕度膨脹系數(shù)。
濕度膨脹系數(shù)(/%RH)=(ΔL/200)/(80-40)(8)密度(g/cm3)采用JIS-K7112的密度梯度管法,使用溴化鈉水溶液測(cè)定薄膜的密度。(9)折射率和面取向系數(shù)(fn)折射率按照J(rèn)IS-K7105規(guī)定的方法,以鈉D線作為光源,使用(株)アタゴ制的阿貝折射計(jì)4型進(jìn)行測(cè)定。應(yīng)予說明,固定液使用二碘甲烷,在23℃、65%RH下進(jìn)行測(cè)定。
面取向系數(shù)(fn)使用所測(cè)定的各折射率,由下式求出。
面取向系數(shù)(fn)=(nMD+nTD)/2-nZDnMD縱向折射率nTD橫向折射率nZD厚度方向的折射率(10)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、熔融溫度Tm采用擬等溫法,用下述裝置,在下述條件下進(jìn)行比熱測(cè)定,按照J(rèn)ISK7121進(jìn)行測(cè)定。
裝置TA Instrument公司生產(chǎn)的調(diào)溫DSC測(cè)定條件加熱溫度270~570K(RCS冷卻法)溫度校正高純度銦和錫的熔點(diǎn)調(diào)溫振幅±1℃調(diào)溫周期60秒升溫階梯5K試樣重量5mg
試樣容器鋁制開放型容器(22mg)參照容器鋁制開放型容器(18mg)應(yīng)予說明,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度由下式計(jì)算出。
玻璃化轉(zhuǎn)變溫度=(外推玻璃化轉(zhuǎn)變開始溫度+外推玻璃化轉(zhuǎn)變終止溫度)/2(11)特性粘度使用由鄰氯酚中25℃下測(cè)定的溶液粘度按下式計(jì)算出的值。即,ηsp/C=[η]+K[η]2·C此處,ηsp=(溶液粘度/溶劑粘度)-1,C為每100ml溶劑中溶解的聚合物重量(g/100ml,通常為1.2),K為哈金斯(Huggin's)常數(shù)(取0.343)。另外,溶液粘度、溶劑粘度使用奧斯特瓦爾德粘度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。單位為dl/g。(12)蠕變?nèi)崃繉⒈∧ぶ瞥蓪?mm的樣品,安放到真空理工(株)制TMA TM-3000和加熱控制部TA-1500上,使試樣長(zhǎng)為15mm。在50℃下將28MPa的荷重施加到薄膜上,保持30分鐘,測(cè)定此時(shí)的薄膜位移量(ΔLμm),由下式計(jì)算出蠕變?nèi)崃俊?br>
蠕變?nèi)崃?GPa-1)=(ΔL/15×103)/(28×10-3)(13)磁帶的運(yùn)行耐久性和保存穩(wěn)定性在本發(fā)明的聚酯薄膜表面上,涂布下述組成的磁性涂料,使涂布厚度為2.0μm,進(jìn)行磁取向,使其干燥。接著,在相反面上涂布下述組成的底涂層,進(jìn)行壓延處理后,在60℃下進(jìn)行48小時(shí)固化。將上述磁帶原材料分割成1/2英寸寬,制成磁帶,將長(zhǎng)670m部分組裝入磁帶盒中,制成盒式磁帶。(磁性涂料的組成)·強(qiáng)磁性金屬粉末 100重量份·改性氯乙烯共聚物 10重量份·改性聚氨酯 10重量份·多異氰酸酯 5重量份·硬脂酸 1.5重量份·油酸 1重量份·碳黑 1重量份
·氧化鋁10重量份·甲基乙基酮75重量份·環(huán)酮 75重量份·甲苯 75重量份(底涂層的組成)·碳黑(平均粒徑20nm)95重量份·碳黑(平均粒徑280nm) 10重量份·α氧化鋁 0.1重量份·改性聚氨酯20重量份·改性氯乙烯共聚物 30重量份·環(huán)己酮200重量份·甲基乙基酮300重量份·甲苯 100重量份使用Quantum公司生產(chǎn)的DLTIV Drive,使制成的盒式磁帶運(yùn)行100小時(shí),以下述基準(zhǔn)評(píng)價(jià)磁帶的運(yùn)行耐久性。
○磁帶端面沒有伸長(zhǎng)、折曲,看不到劃痕。
△磁帶端面沒有伸長(zhǎng)、折曲,可看到部分劃痕。
×磁帶端面的一部分伸長(zhǎng),可看到裙帶菜狀變形,可看到劃痕。
另外,將上述制成的盒式磁帶在Quantum公司生產(chǎn)的DLTIV Drive中讀取數(shù)據(jù)后,將盒式磁帶在49℃、90%RH的環(huán)境氣氛中保存100小時(shí)后,再現(xiàn)數(shù)據(jù),按以下基準(zhǔn)評(píng)價(jià)磁帶的保存穩(wěn)定性。
○無磁道偏移,可以正常再現(xiàn)。
△磁帶寬度無異常,但發(fā)現(xiàn)部分?jǐn)?shù)據(jù)不能讀取。
×磁帶寬度有變化,發(fā)現(xiàn)不能讀取數(shù)據(jù)。(14)磁道偏移、最大尺寸變化幅度輪流按下述1~5的條件使上述制成的盒式磁帶運(yùn)行時(shí),經(jīng)常讀取橫向尺寸變化,求出如下的最大尺寸變化幅度和運(yùn)行前后的磁道偏移。橫向尺寸變化,以伺服機(jī)構(gòu)到磁帶的距離(約1.5mm)的變化進(jìn)行測(cè)定。將20℃、50%RH條件下伺服機(jī)構(gòu)到磁帶的距離的初期值作為L(zhǎng)0(μm),將按下述條件3運(yùn)行后的伺服機(jī)構(gòu)到磁帶的距離作為L(zhǎng)1(μm),將按下述條件5運(yùn)行后的伺服機(jī)構(gòu)到磁帶的距離作為L(zhǎng)2(μm)。
磁道偏移(μm)=|L0-L2|
最大尺寸變化幅度(μm)=|L0-L1|條件120℃、50%RH、張力85g、運(yùn)行次數(shù)3次條件220℃、50%RH、張力140g、運(yùn)行次數(shù)3次條件340℃、60%RH、張力140g、運(yùn)行次數(shù)100次條件420℃、50%RH、張力140g、運(yùn)行次數(shù)3次條件520℃、50%RH、張力85g、運(yùn)行次數(shù)3次(15)薄膜的加工適性將按500mm寬卷繞的薄膜一邊用退繞機(jī)退卷,一邊以20m/分的輸送速度供給到井上金屬工業(yè)株式會(huì)社制的烘箱處理裝置中,進(jìn)行180℃的熱處理,以100m的長(zhǎng)度卷繞。此時(shí),因曲折運(yùn)行等使卷繞的薄膜端部超出10mm而突出、從而變得參差不齊的為“×”,端部突出在5mm以上、10mm以下的或不足5mm但加工中觀察到褶皺的為“△”,端部突出不足5mm,且加工中未觀察到褶皺的為“○”。(16)電磁變換特性(C/N)用擠涂機(jī)將下述組成的磁性涂料和非磁性涂料兩層涂布到薄膜表面上(上層為磁性涂料,涂布厚度0.1μm,非磁性下層的厚度適宜地改變。),進(jìn)行磁取向,使其干燥。接著,在相反面上涂布下述組成的底涂層后,用小型試驗(yàn)壓延裝置(鋼/尼龍輥,5段),在溫度85℃下,以線壓200kg/cm進(jìn)行壓延處理后,在60℃下固化48小時(shí)。將上述磁帶原材料分割成8mm寬,卷成盤形。接著,從該盤形卷兒截取長(zhǎng)200m部分組裝入磁帶盒中,制成盒式磁帶。(磁性涂料的組成)·強(qiáng)磁性金屬粉末 100重量份·磺酸Na改性氯乙烯共聚物 10重量份·磺酸Na改性聚氨酯 10重量份·多異氰酸酯 5重量份·硬脂酸 1.5重量份·油酸 1重量份·碳黑 1重量份·氧化鋁 10重量份·甲基乙基酮 75重量份·環(huán)己烷 75重量份
·甲苯75重量份(非磁性下層涂料的組成)·氧化鈦 100重量份·碳黑10重量份·磺酸Na改性氯乙烯共聚物10重量份·磺酸Na改性聚氨酯 10重量份·甲基乙基酮 30重量份·甲基異丁基酮30重量份·甲苯30重量份(底涂層的組成)·碳黑(平均粒徑20nm) 95重量份·碳黑(平均粒徑280nm) 10重量份·α氧化鋁0.1重量份·氧化鋅 0.3重量份·磺酸Na改性氯乙烯共聚物30重量份·磺酸Na改性聚氨酯 20重量份·環(huán)己酮 200重量份·甲基乙基酮 300重量份·甲苯100重量份使用市售的Hi8用VTR(SONY公司制EV-BS3000),對(duì)該磁帶進(jìn)行7MHz+1MHz的C/N測(cè)定。將該C/N與市售的Hi8用MP錄像磁帶相比,規(guī)定如下等級(jí)。
+3dB以上的◎+1dB以上、+3dB以下的○不足+1dB的×以下,用實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。如表3所示,所獲薄膜的運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、蠕變?nèi)崃?、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例1除了改變熱定形處理和松弛處理?xiàng)l件以外,與實(shí)施例1同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。由于熱定形處理和松弛處理不充分,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。如表3所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例2、3比較例2只改變熱定形處理和松弛處理?xiàng)l件,比較例3不進(jìn)行MD拉伸2和TD拉伸2,并改變拉伸、熱定形處理和松弛處理?xiàng)l件,除此之外,與實(shí)施例2同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。
由于熱定形處理和松弛處理不充分,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。如表3所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例4、5除了改變熱定形溫度和松弛處理?xiàng)l件以外,比較例4與實(shí)施例4同樣進(jìn)行、比較例5與實(shí)施例5同樣地進(jìn)行,獲得雙軸取向聚酯薄膜。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。
由于熱定形處理和松弛處理不充分,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。實(shí)施例6與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行,獲得疊層未拉伸薄膜。將該未拉伸薄膜的兩端用夾鉗夾持,導(dǎo)入同時(shí)雙軸拉伸拉幅機(jī)中,按表1所示條件進(jìn)行同時(shí)雙軸拉伸。首先,在110℃的溫度段中,在縱向和橫向上進(jìn)行同時(shí)雙軸拉伸(MD拉伸1×TD拉伸1-1),接著,在冷卻到75℃的溫度段中,在縱向和橫向上進(jìn)行同時(shí)雙軸拉伸(MD拉伸2×TD拉伸1-2)。然后再在155℃的溫度段中,在縱向和橫向上進(jìn)行同時(shí)雙軸拉伸(MD拉伸2-2×TD拉伸2-1),最后在190℃的溫度段中,只在橫向上進(jìn)行拉伸(TD拉伸2-2)。以后與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行,獲得膜厚4.3μm的雙軸取向聚酯薄膜。
表1示出薄膜的制造條件,表2和表3示出所獲薄膜的特性。如表3所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。
表1
注)MD縱向TD橫向同時(shí)雙軸拉伸拉伸溫度MD拉伸倍率×TD拉伸倍率表2
表3
實(shí)施例7、8與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行,獲得疊層未拉伸薄膜。將該疊層未拉伸薄膜在表4所示條件下進(jìn)行拉伸。首先,用加熱輥組(表面材質(zhì)硅橡膠)加熱該未拉伸薄膜,在縱向上進(jìn)行2階段拉伸(MD拉伸1-1、1-2)后,冷卻。將該薄膜的兩端部用夾鉗夾持,導(dǎo)入拉幅機(jī)中,在橫向上進(jìn)行拉伸(TD拉伸1-1),再在橫向上進(jìn)行微拉伸(TD拉伸1-2)。然后再用縱拉伸機(jī)在縱向上進(jìn)行拉伸(MD拉伸2),用拉幅機(jī)在橫向上進(jìn)行拉伸(TD拉伸2),進(jìn)行熱定形處理、松弛處理。以后與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行,獲得膜厚4.5μm的雙軸取向聚酯薄膜。
表4示出薄膜的制造條件,表5和表6示出所獲薄膜的特性。如表6所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃俊⑦\(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例6在第1階段橫向拉伸(TD拉伸1-1)后不進(jìn)行橫向的微拉伸(TD拉伸1-2),除此之外,與實(shí)施例7同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。
表4示出薄膜的制造條件,表5和表6示出所獲薄膜的特性。
獲得的薄膜由于橫向的微拉伸不足,松弛處理不充分,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性等性能差。
表4示出薄膜的制造條件,表5和表6示出所獲薄膜的特性。如表6所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。
表4示出薄膜的制造條件,表5和表6示出所獲薄膜的特性。如表6所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例7在第1階段的同時(shí)雙軸拉伸(MD拉伸1×TD拉伸1-1)后不進(jìn)行橫向的微拉伸(TD拉伸1-2),除此之外,與實(shí)施例11同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。
表4示出薄膜的制造條件,表5和表6示出所獲薄膜的特性。
由于未進(jìn)行橫向的微拉伸,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。
表4
注)MD縱向TD橫向同時(shí)雙軸拉伸拉伸溫度MD拉伸倍率×TD拉伸倍率表5
表6
實(shí)施例12將PET-Ⅲ(特性粘度0.85)顆粒(50重量%)與PEI顆粒(“Ultem”1010(通用電氣公司注冊(cè)商標(biāo)))(50重量%)供給到加熱至280℃的排氣式雙螺桿混煉擠出機(jī)中,在剪切速度100sec-1、停留時(shí)間1分鐘條件下進(jìn)行熔融擠出,獲得含50重量%PEI的顆粒。將獲得的含PEI顆粒與PET-Ⅳ(特性粘度0.62,配合0.4重量%的平均粒徑0.3μm的球形交聯(lián)聚苯乙烯粒子)顆粒按20∶80的比例干混。在180℃下真空干燥3小時(shí),然后投料到擠出機(jī)中,在280℃下進(jìn)行熔融擠出,使其以剪切速度10sec-1通過纖維燒結(jié)不銹鋼金屬濾網(wǎng)(10μm粒級(jí)),然后由T型口模擠出成片狀。再采用使用帶狀電極(厚0.04mm,寬7.2mm)的外加靜電法,使該片材貼到表面溫度25℃的冷卻鼓上,使其冷卻固化,獲得含10重量%PEI的未拉伸薄膜。將該未拉伸薄膜按表7所示條件進(jìn)行拉伸。首先,使用配置有數(shù)根輥的縱拉伸機(jī),利用轉(zhuǎn)輥的周速差在縱向上進(jìn)行拉伸(MD拉伸1),接著用拉幅機(jī)在橫向上進(jìn)行拉伸(TD拉伸1)。再用輥式縱拉伸機(jī)進(jìn)行再縱拉伸(MD拉伸2)后,用拉幅機(jī)進(jìn)行再橫拉伸(TD拉伸2)。接著,在210℃的溫度下進(jìn)行熱定形處理后,在120℃的冷卻段中,在橫向上以2.2%的松弛率進(jìn)行松弛處理,再在100℃的溫度段中,在橫向上以1.0%的松弛率進(jìn)行松弛處理,然后將薄膜慢冷卻至室溫,卷繞。調(diào)節(jié)擠出量,使薄膜厚度為5.5μm。獲得的薄膜具有單一的Tg。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例8~11比較例8除了改變含PEI顆粒與PET-Ⅳ的干混比例,使PEI含量為3%以外,與實(shí)施例12同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。另外,比較例9除了改變含PEI顆粒與PET-Ⅳ的干混比例,使PEI含量為40%以外,與實(shí)施例12同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。比較例10在采用外加靜電法使片材貼到冷卻鼓上時(shí),不使用帶狀電極,而使用金屬絲電極(直徑0.20mmφ),除此之外,與實(shí)施例12同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。另外,比較例11除了不進(jìn)行松弛處理以外,與實(shí)施例12同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。獲得的薄膜皆具有單一的Tg。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。任一比較例皆得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性等性能差。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。實(shí)施例16使用A、B兩臺(tái)擠出機(jī)。將PET顆粒與PEN-Ⅲ顆粒按15∶85的比例干混,真空干燥后,供給到擠出機(jī)A中,將PEI顆粒與PEN-Ⅳ(特性粘度0.67,配合1.0重量%的平均粒徑0.3μm的球形交聯(lián)聚苯乙烯粒子和0.1重量%的平均粒徑0.8μm的球形交聯(lián)聚苯乙烯粒子)顆粒按15∶85的比例干混,真空干燥后,供給到擠出機(jī)B中,制成含15重量%PEI的疊層未拉伸薄膜。除此之外,與實(shí)施例15同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。獲得的薄膜具有單一的Tg。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃俊⑦\(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。比較例12按表7那樣改變拉伸條件,不進(jìn)行熱定形處理和松弛處理,除此之外,與實(shí)施例17同樣地制造雙軸取向聚酯薄膜。獲得的薄膜具有單一的Tg。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。由于熱定形處理和松弛處理不足,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃俊⑦\(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。
表7示出薄膜的制造條件,表8和表9示出所獲薄膜的特性。如表9所示,所獲薄膜的蠕變?nèi)崃?、運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能優(yōu)良。
表7
注)MD縱向TD橫向同時(shí)雙軸拉伸拉伸溫度MD拉伸倍率×TD拉伸倍率表8
表9
比較例13將PET-Ⅶ(特性粘度0.56dl/g,配合0.01重量%的平均粒徑0.6μm的交聯(lián)硅樹脂粒子和0.3重量%的平均粒徑0.1μm的氧化鋁粒子)在170℃下干燥3小時(shí),然后在300℃下進(jìn)行熔融擠出,使其在溫度保持在25℃的流延鼓上急冷固化,獲得未拉伸薄膜。將該未拉伸薄膜預(yù)熱至75℃,再在低速、高速轉(zhuǎn)輥之間,用表面溫度為830℃的IR加熱器從14mm高的上方加熱,在縱向上拉伸2.25倍,急冷,接著供給到拉幅機(jī)中,在110℃下在橫向上拉伸3.6倍。再接著預(yù)熱至110℃,在低速、高速轉(zhuǎn)輥之間,在縱向上拉伸2.5倍,再供給到拉幅機(jī)中,在240℃下進(jìn)行2秒鐘熱定形處理,獲得厚6.0μm的薄膜。
表10和表11中示出所獲薄膜的特性。由于未進(jìn)行松弛處理,橫向的熱收縮率大,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。比較例14將PEN-Ⅴ(特性粘度0.63dl/g,配合0.2重量%的平均粒徑0.1μm的單分散二氧化硅粒子和0.0151重量%的平均粒徑0.6μm的碳酸鈣粒子)在180℃下干燥5小時(shí),然后在300℃下進(jìn)行熔融擠出,使其在溫度保持在60℃的流延鼓上急冷固化,獲得未拉伸薄膜。將該未拉伸薄膜在具有速度差的2根轉(zhuǎn)輥之間,在120℃的溫度下縱拉伸5.2倍,再用拉幅機(jī)在橫向上拉伸4.3倍,然后在220℃下熱處理15秒鐘。這樣,就獲得厚6μm的雙軸取向薄膜,卷繞。
表10和表11中示出所獲薄膜的特性。由于未進(jìn)行松弛處理,橫向的熱收縮率大,得不到本發(fā)明的薄膜,運(yùn)行耐久性、保存穩(wěn)定性、磁道偏移、最大尺寸變化幅度、加工適性、電磁變換特性等性能差。
表10
表11
產(chǎn)業(yè)上的利用可能型本發(fā)明的聚酯薄膜,磁道偏移小,運(yùn)行耐久性和保存穩(wěn)定性優(yōu)良,其工業(yè)價(jià)值極高。
權(quán)利要求
1.一種雙軸取向聚酯薄膜,它在49℃、90%RH的條件下,在縱向施加32 MPa荷重的狀態(tài)下放置72小時(shí)時(shí)的橫向尺寸變化率(A)在-0.3~0%的范圍內(nèi)。
2.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其在權(quán)利要求1的條件下的橫向尺寸變化率(A)與縱向尺寸變化率(B)的絕對(duì)值之比(|A|/|B|)在0.1~1.0的范圍內(nèi)。
3.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其橫向的100℃熱收縮率在0~0.5%以下的范圍內(nèi)。
4.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其縱向與橫向的彈性模量之和在9~30GPa的范圍內(nèi)。
5.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其縱向厚度不勻在5%以下。
6.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中含有聚醚酰亞胺。
7.權(quán)利要求6中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中,聚醚酰亞胺的重量百分率為5~30重量%。
8.權(quán)利要求7中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其具有單一的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
9.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中,聚酯為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯或它們的共聚物或改性物。
10.權(quán)利要求1中記載的雙軸取向聚酯薄膜,其中,利用廣角X射線衍射儀法的結(jié)晶取向解析中,以其法線為軸旋轉(zhuǎn)該聚酯薄膜時(shí)獲得的、聚酯主鏈方向的結(jié)晶面的解析峰的圓周方向的半值寬度在55~85度的范圍內(nèi)。
11.一種雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,該方法是將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,再次進(jìn)行縱向和/或橫向的拉伸,然后進(jìn)行熱定形處理和松弛處理的聚酯薄膜的制造方法,其中,松弛處理在2階段以上的多階段中進(jìn)行,合計(jì)的松弛率為5~10%。
12.一種雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,該方法是將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)~Tg+50的溫度下,以1.01~1.3倍的倍率在橫向上進(jìn)行微拉伸,然后再次在縱向和/或橫向上進(jìn)行拉伸。
13.一種雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,該方法是將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸后,在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)~Tg+50的溫度下,以1.01~1.3倍的倍率在橫向上進(jìn)行微拉伸,然后再次在縱向和/或橫向上進(jìn)行拉伸,然后進(jìn)行熱定形處理和松弛處理的聚酯薄膜的制造方法,該方法中,松弛處理在2階段以上的多階段中進(jìn)行,合計(jì)的松弛率為5~10%。
14.權(quán)利要求11~13任一項(xiàng)中記載的雙軸取向聚酯薄膜的制造方法,其中,將未拉伸薄膜在縱向和橫向上拉伸時(shí),在縱向和/或橫向上在2階段以上的多階段中進(jìn)行拉伸。
15.一種磁記錄媒體,是將權(quán)利要求1~10任一項(xiàng)中記載的雙軸取向聚酯薄膜用作帶基薄膜。
全文摘要
提供一種磁道偏移小、運(yùn)行耐久性和保存穩(wěn)定性優(yōu)良的、適用于作為高密度磁記錄媒體用帶基薄膜的雙軸取向聚酯薄膜及其制造方法。本發(fā)明的目的是通過在49℃、90%RH的條件下,在縱向施加32MPa荷重的狀態(tài)下放置72小時(shí)時(shí)的橫向尺寸變化率(A)在-0.3~0%的范圍內(nèi)來達(dá)成的。
文檔編號(hào)G11B5/84GK1314839SQ00801146
公開日2001年9月26日 申請(qǐng)日期2000年4月18日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月19日
發(fā)明者杉井光, 琴浦正晃, 細(xì)川博文, 恒川哲也 申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社