專利名稱：基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的制作方法
與目前用于生產(chǎn)光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的聚碳酸酯相比，具有滿意的機(jī)械性能的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物在同樣的溫度下、寬的低剪切速率范圍中具有較高的粘度。
與EP-A 317 263和US 4,911,966所述的那些相比更小和彼此排列更緊密的凹點(diǎn)(pit)的精密模塑以及現(xiàn)今可能的凹槽(groove)的精密模塑，對(duì)于＞5Gbytes、尤其＞10Gbytes的高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是必要的。
描述于EP-A 317 263的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的制備方法及其作為光盤基質(zhì)的應(yīng)用，導(dǎo)致分子量與能夠在操作上保證其可靠生產(chǎn)的相比太低(對(duì)比例1)。其中描述的均聚物的機(jī)械性能不很適于生產(chǎn)光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
US 4,911,966描述的方法僅能產(chǎn)生部分氫化的產(chǎn)物(＜97％)，而且大部分實(shí)施例中的氫化度＜86％。根據(jù)該現(xiàn)有技術(shù)，部分氫化的體系展示不充分的透明度(DE-AS 11 31 885(＝GB 933596))。所公開的部分氫化的體系是不透明的，因此不適于用作激光束透過的光學(xué)基質(zhì)。部分氫化的體系還有其玻璃化溫度依賴于氫化度的缺點(diǎn)。在工業(yè)過程中，氫化度的調(diào)節(jié)和因此光學(xué)基質(zhì)熱性能的調(diào)節(jié)，只能通過大大增加工程工作和費(fèi)用來重現(xiàn)地實(shí)施。
此外，對(duì)于大部分在US 4,911,966中所述的部分氫化的產(chǎn)品，其分子量對(duì)于操作上可靠的、用于光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的基質(zhì)的生產(chǎn)來說是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。
前述各專利說明書都沒有提及使用所述基質(zhì)的凹點(diǎn)和凹槽結(jié)構(gòu)的模塑質(zhì)量或它們?cè)瓌t上是否存在。
優(yōu)化的分子量和分子量分布對(duì)于滿意的機(jī)械性能而言是必要的，同時(shí)，好的熔體流動(dòng)性能對(duì)于高密度光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的凹點(diǎn)和凹槽結(jié)構(gòu)的模塑是必要的。
可能太高的分子量能導(dǎo)致與凹點(diǎn)和凹槽的模塑相關(guān)的問題，因?yàn)檎扯忍摺?br> 包含具有窄分子量分布的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物或其與低分子量組分的混合物的本發(fā)明基質(zhì)的區(qū)別特征在于好的機(jī)械性能和好的熔體流動(dòng)性能。
借此可以以操作上可靠的方式通過注塑生產(chǎn)光盤，并且該光盤可以進(jìn)行后續(xù)處理，而不會(huì)彎曲或破裂。
能夠生產(chǎn)層厚度小于1.1mm、例如厚度為0.6mm的同時(shí)展示滿意的機(jī)械性能的較薄基質(zhì)。
根據(jù)這些性能，所述材料可以非常滿意地用作光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的基質(zhì)。
對(duì)于不需要例如凹點(diǎn)和凹槽形式的機(jī)械壓痕的其它光學(xué)基質(zhì)，滿意的機(jī)械性能也是需要的，包括低水平的雙折射性、低慣性矩、高水平的熱尺寸穩(wěn)定性、高彈性模量、低水吸收性和低密度。本發(fā)明的基質(zhì)也滿足這些要求。
本發(fā)明涉及絕對(duì)分子量Mw為100,000-450,000g/mol的乙烯基環(huán)己烷聚合物或其與絕對(duì)分子量為1000至低于100,000g/mol的低分子量組分的混合物，其中分子量分布的特征是多分散性指數(shù)(PDI＝Mw/Mn)為1-3，在300℃和1000s-1的剪切速率下測(cè)定的最大熔體粘度為1000Pa.s。
在多分散性指數(shù)的計(jì)算中，沒有考慮任何可能存在的分子量Mw最高為3000g/mol的低聚物級(jí)分。
任何可能存在的分子量最高為3000g/mol的低聚物級(jí)分的量占聚合物重量的5％以下。
高分子量聚合物(均聚物)的分子量Mw優(yōu)選為200,000-450,000gmol-1、尤其為200,000-400,000gmol-1。
高分子量共聚物或嵌段聚合物的分子量Mw優(yōu)選為100,000-400,000gmol-1、尤其為100,000-250,000gmol-1。
低分子量組分的分子量Mw通常為1000-100,000gmol-1、優(yōu)選為7000-90,000gmol-1、尤其優(yōu)選為10,000-90,000gmol-1。
各組分的分子量分布的特征是多分散性指數(shù)(PDI＝Mw/Mn)為1-3。
對(duì)于混合物的情況，低分子量組分占高分子量和低分子量聚合物混合物重量的比例一般為最多70重量％、優(yōu)選5-60重量％、尤其優(yōu)選10-50重量％。
包含式(I)的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物對(duì)于高分子量和低分子量組分都是優(yōu)選的 其中R1和R2相互獨(dú)立地代表氫或C1-C6烷基、優(yōu)選C1-C4烷基，R3和R4相互獨(dú)立地代表氫或C1-C6烷基、優(yōu)選C1-C4烷基、尤其甲基和/或乙基，或者R3和R4一起代表亞烷基、優(yōu)選C3或C4亞烷基(構(gòu)成稠合的5-或6-元環(huán)脂族環(huán))，R5代表氫或C1-C6烷基、優(yōu)選C1-C4烷基，R1、R2和R5相互獨(dú)立地尤其代表氫或甲基。
除了有規(guī)立構(gòu)的頭-尾鍵接，上述結(jié)構(gòu)單元的鏈接可以包含小部分的頭-頭鍵接。該基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物可以是從中心支化的，并且可以具有例如星型結(jié)構(gòu)。
可以包含共聚單體，基于最終聚合物，其量通常為0-80重量％、優(yōu)選0-60重量％、尤其優(yōu)選0-40重量％。包含式(I)重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和由一種單體或單體混合物形成的聚合物是優(yōu)選的。
下述物質(zhì)在起始聚合物(任選地取代的聚苯乙烯)的聚合過程中可以優(yōu)選地被用作共聚單體并引入到聚合物中通常具有2-10個(gè)碳原子的烯烴例如乙烯、丙烯、異戊二烯、異丁烯或丁二烯，丙烯酸或甲基丙烯酸的C1-C8、優(yōu)選C1-C4烷基酯，不飽和的環(huán)脂族烴例如環(huán)戊二烯、環(huán)己烯、環(huán)己二烯、任選地被取代的降冰片烯、二環(huán)戊二烯、二氫環(huán)戊二烯、任選地被取代的四環(huán)十二烯，環(huán)被烷基化的苯乙烯類，α-甲基苯乙烯，二乙烯基苯，乙烯基酯類，乙烯基酸類，乙烯基醚類，醋酸乙烯酯，乙烯基氰化物類如丙烯腈或甲基丙烯腈，馬來酸酐，以及這些單體的混合物。
所述聚合物可以具有線性鏈結(jié)構(gòu)，或者也可以包含源于共聚-單元(例如接枝共聚物)的支化位。支化中心可以包含星型聚合物或支化的聚合物。本發(fā)明的聚合物可以包括其它形式的一級(jí)、二級(jí)、三級(jí)或任選地四級(jí)聚合物結(jié)構(gòu)例如螺旋形、雙螺旋形、疊層片形等或這些結(jié)構(gòu)的混合物。
由式(I)的單體形成的均聚物是尤其優(yōu)選的。
對(duì)于高分子量組分，尤其優(yōu)選的聚合物包括相應(yīng)于式(I)的單體的均聚物、最優(yōu)選氫化的苯乙烯-異戊二烯聚合物、特別是嵌段共聚物，并且可以單獨(dú)或混合使用。
對(duì)于低分子量組分，尤其優(yōu)選的聚合物包括相應(yīng)于式(I)的單體的均聚物、(嵌段)共聚物、最優(yōu)選氫化的苯乙烯-異戊二烯聚合物、特別是具有3-8、優(yōu)選3-5臂(radial members)的氫化的苯乙烯-異戊二烯聚合物。所述低分子量組分可以以一種聚合物或所述聚合物的混合物形式存在。
基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物可以具有無規(guī)立構(gòu)的、主要地為間同立構(gòu)的或主要地為全同立構(gòu)的構(gòu)型。
包含主要地為間同立構(gòu)構(gòu)型的乙烯基環(huán)己烷單元并且其特征在于二單元組(diad)的量大于50.1％和小于74％、最優(yōu)選大于52％和小于70％的無定形基質(zhì)也是優(yōu)選的。
借助聚合物主鏈的亞甲基碳原子的13C-1H相關(guān)光譜闡述微觀結(jié)構(gòu)的方法通常是已知的，并例如在(A.M.P.Ros，O.Sudmeijer，Int.J.Polym.Anal.Charakt.(1997)，4，39)中所描述。
結(jié)晶全同立構(gòu)和間同立構(gòu)聚乙烯基環(huán)己烷的信號(hào)是通過二維NMR光譜法測(cè)定的。在2 D CH相關(guān)光譜中，全同立構(gòu)聚乙烯基環(huán)己烷的亞甲基碳原子(在聚合物主鏈中)分裂為兩個(gè)分離的質(zhì)子信號(hào)，并表示純的全同立構(gòu)二單元組構(gòu)型。另一方面，間同立構(gòu)的聚乙烯基環(huán)己烷在2 D CH相關(guān)光譜中對(duì)于C1原子只顯示一個(gè)信號(hào)。本發(fā)明的無定形富含間同立構(gòu)的聚乙烯基環(huán)己烷顯示出間同立構(gòu)二單元組與全同立構(gòu)二單元組構(gòu)型相比強(qiáng)度的總體超出(integral excess)。
VCH聚合物的制備，是通過苯乙烯的衍生物與相應(yīng)單體按照自由基、陰離子或陽(yáng)離子機(jī)理或借助金屬配合物引發(fā)劑或催化劑進(jìn)行聚合，然后完全地或部分地氫化不飽和的芳香鍵進(jìn)行的(參見，例如，WO94/21694，EP-A 322 731)。
基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的制備，尤其是通過氫化按照陰離子或自由基機(jī)理聚合的苯乙烯衍生物進(jìn)行的。本發(fā)明的聚合物在所考慮的多分散性范圍內(nèi)可以包括雙峰型或任選地多峰型分布。
陰離子和自由基聚合領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，預(yù)聚物的多分散性可以在1-3之間調(diào)節(jié)(Braun，D.，Praktikum der makromolekularenorganischen Chemie，修訂、擴(kuò)充版，Heidelberg，Huethig 1979)。
氫化產(chǎn)物的絕對(duì)(重均)分子量Mw是通過光散射法測(cè)定的。絕對(duì)(數(shù)均)分子量Mn是通過膜滲透法(蒸汽壓滲透)測(cè)定的。以多分散性表征分子量分布的另一種方法是通過凝膠滲透色譜法測(cè)定相對(duì)分子量Mw和Mn。
本發(fā)明方法一般導(dǎo)致芳香族單元的實(shí)際上完全的氫化。通常，氫化度≥80％、優(yōu)選≥90％、最優(yōu)選＞99％-100％。氫化度可以通過例如NMR或UV光譜法測(cè)定。
熔體粘度是用振蕩法借助平板和錐體結(jié)構(gòu)的熔體粘度儀測(cè)定的。粘度依賴于剪切速率(角頻率)，本發(fā)明的聚合物或混合物在300℃和1000s-1下的粘度通常為最高1000Pa.s、優(yōu)選5-500Pa.s、最優(yōu)選10-200Pa.s。
起始聚合物通常是已知的(例如WO 94/21 694)。
聚合可以連續(xù)地、半連續(xù)地或間歇地進(jìn)行。
用于氫化的催化劑的量依賴于采用的方法；后者可以連續(xù)地、半連續(xù)地或間歇地進(jìn)行。
在間歇方法中，催化劑對(duì)聚合物的比例通常為0.3-0.001、優(yōu)選0.2-0.005、最優(yōu)選0.15-0.01。
相對(duì)于溶劑和聚合物的總重量的聚合物濃度通常為80-1、優(yōu)選50-10、尤其是40-15重量％。
起始聚合物的氫化是采用通常已知的方法(例如WO 94/21 694、WO96/34 895、EP-A-322 731)。大量已知的氫化催化劑可以用作催化劑。優(yōu)選的金屬催化劑的例子在WO 94/21 694或WO 96/34 896中給出?？梢允褂萌魏我阎糜跉浠磻?yīng)的催化劑。適合的催化劑包括具有大的表面積(例如100-600m2/g)和小的平均孔徑(例如20-500)的那些。其它適合的催化劑包括具有小的表面積(例如≥10m2/g)和大的平均孔徑的那些，其特征在于98％的孔體積由孔徑大于600(例如約1000-4000)的孔構(gòu)成(參見，例如，US-A 5,654,253、US-A5,612,422、JP-A 03076706)。阮內(nèi)鎳、在二氧化硅或二氧化硅/氧化鋁上的鎳、在作為載體的碳上的鎳、和/或貴金屬催化劑例如Pt、Ru、Rh、Pd是尤其被使用的。
反應(yīng)通常在0-500℃、優(yōu)選20-250℃、尤其60-200℃的溫度下進(jìn)行。
通常用于氫化反應(yīng)的溶劑描述于例如DE-A 1 131 885(見上文)。
反應(yīng)通常在1-1000巴、優(yōu)選20-300巴、尤其40-200巴的壓力下進(jìn)行。
本發(fā)明的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物或共聚物非常適合于生產(chǎn)光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)、優(yōu)選是對(duì)于120mm直徑的盤具有＞5Gbyte、尤其＞10Gbyte的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的那些。
添加劑，例如穩(wěn)定劑和脫模劑，可以加入到基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物或(嵌段)共聚物中。
光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的例子包括-磁-光盤(MO盤)-微-盤(MD)-ASMO(MO-7)(“高級(jí)存儲(chǔ)磁-鏡(optic)”)-DVR(12Gbyte盤)-MAMMOS(“磁放大磁-光系統(tǒng)”)-SIL和MSR(“固體浸入透鏡”和“磁超-分辨”)-CD-ROM(只讀記憶)-CD、CD-R(可記錄的)、CD-RW(可重寫的)、CD-I(交互的)、光電-CD-高級(jí)音頻CD-DVD、DVD-R(可記錄的)、DVD-RAM(隨機(jī)存取記憶)-DVD＝數(shù)字式多用盤-DVD-RW(可重寫的)-PC+RW(相變和可重寫的)-MMVF(多媒體圖像文件系統(tǒng))。
此外，由于其突出的光學(xué)性能，本發(fā)明的聚合物尤其適合于生產(chǎn)光學(xué)材料，例如用于透鏡、棱鏡、反射鏡、濾光鏡等，也適合作為全息圖像的介質(zhì)(例如用于支票卡、信用卡、鑰匙，以及用于三維全息圖像)。該材料可以被用作透明介質(zhì)，在其上可以刻畫三維結(jié)構(gòu)，例如源于聚焦的相干輻射(LASER)的三維結(jié)構(gòu)，并且可以尤其用作三維數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)或用于物體的三維成像。
實(shí)施例制備實(shí)施例1-4氫化的聚苯乙烯(h-PS)將40升高壓釜用惰性氣體(氮?dú)?吹掃。加入聚合物溶液和催化劑(表1)。關(guān)閉該高壓釜，用惰性氣體反復(fù)加壓，然后用氫氣加壓。釋放壓力之后，設(shè)定各自的氫氣壓力，并在攪拌下將物料加熱到相應(yīng)的反應(yīng)溫度。在氫氣的吸收開始之后，保持反應(yīng)壓力恒定。反應(yīng)時(shí)間定義為從加熱物料到氫原子達(dá)到其飽和值時(shí)的時(shí)間。
反應(yīng)結(jié)束后，將聚合物溶液過濾。加入穩(wěn)定劑，產(chǎn)品在240℃脫除溶劑，然后進(jìn)一步加工成粒料(實(shí)施例1-4，表1)。
表2中所列的分子量可以通過所用的反應(yīng)條件、尤其是溫度(表1)和后續(xù)的后處理?xiàng)l件(溶劑蒸發(fā)的溫度、穩(wěn)定劑類型及其濃度)達(dá)到。
實(shí)施例5聚(苯乙烯-嵌段-共聚-異戊二烯)的制備這些合成采用標(biāo)準(zhǔn)惰性氣體技術(shù)進(jìn)行。將138kg無水環(huán)己烷置于250升反應(yīng)器中。在室溫將6.3kg無水苯乙烯引入到該反應(yīng)器。升溫至55℃，向反應(yīng)器中引入102ml(0.255mol)正丁基鋰(在環(huán)己烷中的23％溶液)。將反應(yīng)混合物加熱到70℃并攪拌30分鐘。
將1.4kg無水異戊二烯和6.3kg無水苯乙烯同時(shí)引入到該反應(yīng)器?；旌衔镌?0℃保持2小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻到室溫，將10g的2-丙醇在500g環(huán)己烷中的溶液加入。于40-45℃在真空下將該聚合物溶液濃縮至16.6重量％。
實(shí)施例6氫化的聚(苯乙烯-嵌段-共聚-異戊二烯)的制備將22kg聚合物溶液(實(shí)施例5)在氮?dú)庀罗D(zhuǎn)移到40升高壓釜中。在加入421.5g的Ni 5136 P(Engelhard)之后，將高壓釜用氮?dú)夂蜌錃庵貜?fù)加壓。在100巴將反應(yīng)溶液加熱至170℃。在升溫過程之后，借助自動(dòng)壓力設(shè)備控制，使反應(yīng)在150巴進(jìn)行，直至達(dá)到恒壓，再將物料攪拌另外2小時(shí)。
將催化劑從聚合物溶液中濾出。該聚合物溶液用4000ppm IrganoxXP 420 FF穩(wěn)定，在240℃脫除溶劑，并進(jìn)一步加工成粒料。
實(shí)施例7星型聚(苯乙烯-嵌段-共聚-異戊二烯)的制備將1200g環(huán)己烷、800g甲基叔丁基醚和苯乙烯(350g，3.37mol)轉(zhuǎn)移到5升鋼制高壓釜中。在攪拌下于室溫(25℃)將丁基鋰(1.24g，19.3mmol)加入到該溶液。聚合在該溫度下進(jìn)行1.5小時(shí)。此后，將異戊二烯(53g，0.77mmol)加入到聚合物溶液。在1.5小時(shí)之后，將四甲氧基硅烷(0.61g，4mmol)以在環(huán)己烷中的7.5重量％的溶液形式加入到嵌段共聚物溶液。鏈接成星型聚合物是在80℃經(jīng)過3小時(shí)完成。然后加入5ml異丙醇。
實(shí)施例8氫化的星型聚(苯乙烯-嵌段-共聚-異戊二烯)的制備將負(fù)載在二氧化硅/氧化鋁上的鎳(Aldrich)加入聚合物溶液(實(shí)施例7)，然后轉(zhuǎn)移到5升高壓釜中。后者反復(fù)用氮?dú)舛杌＝祲汉?，將氫氣壓力設(shè)置為100巴，將物料加熱至180℃并在此溫度保持6小時(shí)。每次當(dāng)壓力降低至80巴時(shí)，再重新增壓至100巴。反應(yīng)結(jié)束后，將物料冷卻至室溫，通過過濾從聚合物溶液分離出催化劑，并在真空下干燥聚合物。
實(shí)施例9氫化的聚苯乙烯和氫化的星型聚(苯乙烯-嵌段-共聚-異戊二烯)的共混物的制備將溶解在比例為2/1的環(huán)己烷/甲基叔丁基醚中形成20％溶液的聚合物(實(shí)施例8)用穩(wěn)定劑Irganox XP 420 FF處理，然后與氫化的聚苯乙烯(實(shí)施例4)的溶液混合，聚合物的比率為50/50。在真空下除去溶劑，干燥的聚合物在擠出機(jī)中加工成粒料。
通過CD注射模塑方法(表4)將上述粒料加工成模塑料坯。
表1聚苯乙烯的氫化實(shí)施例 聚合物溶劑催化劑反應(yīng)氫氣 反應(yīng)氫化度1)穩(wěn)定劑編號(hào)重量2)重量 溫度壓力 時(shí)間 (％)(kg) (升) (g) (℃)(巴)(小時(shí)) (ppm)1 5.0 15升 6253)180 100 9.7 100 2500環(huán)己烷 Irganox*10升 B561甲基-叔丁基醚2 5.0 15升 6253)160 100 16.5 100 2500環(huán)己烷 Irganox*10升 B561甲基-叔丁基醚3 4.8 15升 6254)160 100 17.5 100 4000環(huán)己烷 Irganox*9.1升 XP420甲基- FF叔丁基醚4 4.8 15升 6254)160 100 191004000環(huán)己烷 Irganox*9.1升 XP420甲基- FF叔丁基醚1)通過1H NMP光譜法測(cè)定2)158 k 型聚苯乙烯，透明，Mw 280,000g/mol，BASF AG，Ludwigshafen，德國(guó)3)Ni/SiO2/Al2O3，64-67％鎳，Aldrich
4)Ni/SiO2/Al2O3，Ni-5136 P，Engelhard，De Meern，荷蘭*穩(wěn)定劑為市售產(chǎn)品，來自Ciba，Basle，瑞士。
表2分子量Mn，Mw；PDI；和同時(shí)符合CD注射模塑的機(jī)械要求的凹點(diǎn)或凹槽模塑
A＝標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字多用途盤模頭，用Nestal Disjet 600制備的基材B＝標(biāo)準(zhǔn)壓縮盤模頭，用Nestal Disjet 600制備的基材C＝高密度數(shù)字多用途模頭，具有93mm的測(cè)定的凹點(diǎn)深度PDI＝多分散性1)絕對(duì)分子量Mn，由測(cè)得的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的
GPC值與用膜滲透法測(cè)定的分子量的關(guān)聯(lián)得到2)絕對(duì)分子量Mw，由測(cè)得的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的GPC值與用光散射法測(cè)定的分子量的關(guān)聯(lián)得到3)由掃描力顯微鏡法(AFM)測(cè)定4)預(yù)聚物的分子量Mn和Mw由GPC測(cè)定5)50/50的共混物根據(jù)所用模頭的凹點(diǎn)和凹槽的深度，可以在注射模塑或注射壓花方法中獲得各種凹點(diǎn)深度。通過調(diào)節(jié)設(shè)備、模具溫度和聚合物熔融溫度，可以改變凹點(diǎn)或凹槽的深度。
實(shí)施例1A(表2)說明了基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的好的凹點(diǎn)模塑性。然而，通過注射模塑制備的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的基質(zhì)含有豁裂(即裂紋或微裂紋)。在實(shí)施例2B和3A中表征的材料在制備時(shí)可以不出現(xiàn)裂紋或微裂紋。本發(fā)明的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物構(gòu)成了理想的光學(xué)基質(zhì)，同時(shí)使在低的模頭溫度下易于進(jìn)行好的凹點(diǎn)或凹槽模塑，而不出現(xiàn)裂紋。
實(shí)施例4C(均聚物)和實(shí)施例6C(共聚物)均說明了在低的模塑溫度下的好的凹點(diǎn)復(fù)制(75nm/80nm)，而不形成裂紋。此外，實(shí)施例6C(共聚物)說明了在低的加工和模頭溫度下的優(yōu)異的凹點(diǎn)復(fù)制。
實(shí)施例9A(高分子量聚合物與低分子量組分的共混物)也說明了不形成裂紋的優(yōu)異的凹點(diǎn)復(fù)制。
本發(fā)明的CD基質(zhì)可以在沒有裂紋的條件下被制備，具有與實(shí)施例1A相比提高的操作可靠性。
權(quán)利要求
1.絕對(duì)分子量Mw為100,000至450,000g/mol的乙烯基環(huán)己烷聚合物或其與絕對(duì)分子量為1000至低于100,000g/mol的低分子量組分的混合物，其中分子量分布的特征是多分散性指數(shù)為1-3，并且在300℃和1000s-1的剪切速率下測(cè)定的最大熔體粘度為1000Pa.s。
2.權(quán)利要求1的聚合物，其含有作為基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物的、包含式(I)重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的聚合物 其中R1和R2相互獨(dú)立地代表氫或C1-C6烷基，R3和R4相互獨(dú)立地代表氫或C1-C6烷基，或一起代表亞烷基，和R5代表氫或C1-C6烷基，和任選地含有至少一種選自下述單體的共聚單體具有2-10個(gè)碳原子的烯烴類、丙烯酸C1-C4烷基酯類、甲基丙烯酸C1-C4烷基酯類、不飽和環(huán)脂族烴類、任選地被取代的四環(huán)十二烯類、二乙烯基苯、乙烯基酯類、乙烯基酸類、乙烯基醚類、醋酸乙烯酯和乙烯基氰化物。
3.權(quán)利要求1或2的聚合物，其特征在于，它們作為均聚物、共聚物或嵌段共聚物存在。
4.權(quán)利要求1-3的聚合物，其中在包含低分子量組分的混合物的情況下，低分子量組分占高和低分子量聚合物的混合物重量的比例為最高70重量％。
5.將權(quán)利要求1-4的聚合物用于制備模塑制品和光學(xué)材料的用途。
6.將權(quán)利要求1-4的聚合物用于制備光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的用途。
7.由權(quán)利要求1-5的聚合物可獲得的模塑制品。
8.包含權(quán)利要求1-4的聚合物的光學(xué)基質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及絕對(duì)分子量Mw為100000至450000g/mol的基于乙烯基環(huán)己烷的聚合物或其與絕對(duì)分子量為1000至低于100000g/mol的低分子組分的混合物,其中分子量分布的特征是多分散性指數(shù)為1－3,在300℃和1000s
文檔編號(hào)G11B7/2533GK1350551SQ00807453
公開日2002年5月22日 申請(qǐng)日期2000年5月2日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月12日
發(fā)明者V·維格, F·-K·布魯?shù)聽? K·杜茲納斯, 陳耘 申請(qǐng)人:拜爾公司, 帝人株式會(huì)社