專利名稱：磁復(fù)錄方法和磁復(fù)錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁復(fù)錄方法和磁復(fù)錄裝置。
隨著數(shù)字圖像應(yīng)用的進(jìn)展，以電腦處理情報(bào)數(shù)量也氣速地增加。由于情報(bào)量的增加，所以要求一種以大容量記錄情報(bào)、謙價(jià)，而且能在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行復(fù)錄，讀取的磁性復(fù)錄介質(zhì)。
硬盤等高密度復(fù)錄介質(zhì)和以ZIP(阿依可麥卡公司)為代表的高密度軟盤型磁復(fù)錄介質(zhì)，與一般的軟盤比較，情報(bào)復(fù)錄區(qū)域是由狹窄的磁道構(gòu)成，為了使磁頭準(zhǔn)確地掃描狹窄的磁道寬度，以很高的S/N比進(jìn)行信號(hào)的復(fù)錄和再生，需要使用跟蹤伺服(tracking Servo)技術(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確掃描。
因此，在硬盤，リム-バル型磁性復(fù)錄介質(zhì)一類的大容量磁復(fù)錄介質(zhì)上，在盤中以1周的間隔復(fù)錄著跟蹤用的伺服信號(hào)，地址情報(bào)信號(hào)和再生時(shí)鐘信號(hào)等，形成所謂的予格式化。
磁頭可讀取這種予格式化的信號(hào)，并對(duì)自己的位置進(jìn)行修正，準(zhǔn)確地在磁道上移動(dòng)。
現(xiàn)在的予格式化是使用專用的伺服復(fù)錄裝置，每次一張，每次1個(gè)磁道進(jìn)行復(fù)錄，以此制作盤。存在的問(wèn)題是伺服復(fù)錄裝置價(jià)格昂貴，由于予格式制作需要很長(zhǎng)的時(shí)間，所以制造也就需要很長(zhǎng)時(shí)間，而且也影響到制造費(fèi)用。
而且，還提出了不是每次1個(gè)磁道進(jìn)行予格式化，而是以磁復(fù)錄進(jìn)行的方式。例如，特開(kāi)昭63-18362號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-40544號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平10-269566號(hào)公報(bào)中介紹的復(fù)錄技術(shù)。然而，該磁復(fù)錄方法中，主要是復(fù)錄時(shí)施加磁場(chǎng)的條件以及形成該磁碭的具體裝置，但實(shí)際上所提方案沒(méi)有執(zhí)行。
作為解決這種老問(wèn)題的記錄方法，也有提案，例如在特開(kāi)昭63-1833623號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平10-40544號(hào)公報(bào)中提出一種復(fù)錄方法，即，在基體表面上形成與情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的凹凸形狀，使凹凸形狀中，至少是凸部表面形成強(qiáng)磁性薄膜的磁復(fù)錄用主載體表面，與形成強(qiáng)磁性薄膜或強(qiáng)磁性粉涂布層的片狀或盤狀磁復(fù)錄介質(zhì)的表面接觸，或者進(jìn)一步施加交流偏置磁場(chǎng)，或直流磁場(chǎng)，對(duì)構(gòu)成凸部表面的強(qiáng)磁性材料進(jìn)行激磁，將與凹凸形狀相對(duì)應(yīng)的磁化圖形復(fù)錄在磁復(fù)錄介質(zhì)上。
在該方法中，是將磁復(fù)錄用主載體的凸部表面全部形成予格式化的磁復(fù)錄介質(zhì)，即，通過(guò)與從屬介質(zhì)緊密接觸同時(shí)對(duì)構(gòu)成凸部的強(qiáng)磁性材料進(jìn)行激磁，在從屬介質(zhì)上形成規(guī)定予格式化的復(fù)錄方法，具有的特征是磁復(fù)錄主載體的從屬介質(zhì)的相對(duì)位置不發(fā)生變化，可靜止進(jìn)行復(fù)錄，可復(fù)錄下準(zhǔn)確的予格式，而且還具有復(fù)錄所用時(shí)間極短的特征。即，上述利用磁頭進(jìn)行復(fù)錄的方法，存在的問(wèn)題是通常需要數(shù)分鐘到數(shù)十分鐘，而且以復(fù)錄容量進(jìn)行比較，復(fù)錄所用時(shí)間更長(zhǎng)。但是，這種磁復(fù)錄方法，所具有的特征，可以說(shuō)是，與復(fù)錄容量和復(fù)錄密度無(wú)關(guān)，僅在1秒內(nèi)就可完成復(fù)錄。
參照

圖1，對(duì)磁復(fù)錄用主載體中予格式化用的圖形復(fù)錄進(jìn)行說(shuō)明。圖1(A)是以模式說(shuō)明磁復(fù)錄用主載體磁性層面的平面圖，圖1(B)是說(shuō)明復(fù)錄過(guò)程的斷面圖。
在磁復(fù)錄用主載體1的磁道規(guī)定區(qū)域內(nèi)，形成予格式化的區(qū)域2和數(shù)據(jù)區(qū)域3，而在予格式化區(qū)域2中全部復(fù)錄形成跟蹤用的伺服信號(hào)和地址信號(hào)的圖形，由于將磁復(fù)錄用主載體1和從屬介質(zhì)4緊密接觸，通過(guò)施加磁道方向5的復(fù)錄用外部磁場(chǎng)6，使予格式化情報(bào)以復(fù)錄情報(bào)7可復(fù)錄在從屬介質(zhì)一側(cè)上，所以能夠高效率地制作從屬介質(zhì)。
但是，在利用這種方法進(jìn)行復(fù)錄時(shí)，有時(shí)使情報(bào)信號(hào)品位產(chǎn)生惡化，有時(shí)產(chǎn)生伺服工作不準(zhǔn)確的現(xiàn)象，這種狀況目前尚不明確。
本發(fā)明的目的在于提供一種穩(wěn)定的復(fù)錄方法和裝置，能夠防止在通過(guò)將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸，施加外部磁場(chǎng)復(fù)錄予格式化圖形制作的從屬介質(zhì)中伺服工作不準(zhǔn)確的現(xiàn)象。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明采用以下設(shè)計(jì)本發(fā)明的磁復(fù)錄方法是，在將與基板表面的情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄方法中，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，夾持著從屬介質(zhì)，使同極之間相對(duì)，使如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以二對(duì)鄰接配置，并使鄰接磁鐵的極性不同，使從屬介質(zhì)或二對(duì)永久磁鐵沿磁道方向旋轉(zhuǎn)，通過(guò)在從屬介質(zhì)面的磁道方向上施加磁場(chǎng)，予先，使從屬介質(zhì)磁化，沿磁道方向形成初期直流磁化后，再使磁復(fù)錄主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿著和從屬介質(zhì)面的初期直流磁化方向相反方向的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)，進(jìn)行磁復(fù)錄。
本發(fā)明的磁復(fù)錄方法是，在將與基板表面的情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸施加復(fù)錄用磁場(chǎng)磁復(fù)錄方法中，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)，予先使從屬介質(zhì)載體磁化，沿磁道方向形成初期直流磁化后，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸體的面，以?shī)A持緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，將如此配置的一對(duì)永久磁鐵，相鄰接地配設(shè)二對(duì)，并使鄰接磁鐵的極性不同，沿著磁道方向旋轉(zhuǎn)二對(duì)永久磁鐵或磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的緊密接觸體，在和初期直流磁化方向相反向的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)，進(jìn)行磁復(fù)錄。
上述的磁復(fù)錄方法是，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的緊密接觸體的面，并夾持緊密接觸體，同極之間彼此相對(duì)，將如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵的極性不同方式，相鄰接配設(shè)二對(duì)時(shí)，產(chǎn)生磁場(chǎng)在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，是在磁道方向位置上至少具有1處以上在從屬介質(zhì)保磁力Hcs以上的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分。
在上述的磁復(fù)錄方法中，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，使同極彼此相對(duì)，將如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配設(shè)二對(duì)時(shí)，產(chǎn)生磁場(chǎng)在磁道方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在磁道方向位置上，僅在一個(gè)方向上具有在從屬介質(zhì)保磁力Hcs以上磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，反方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
上述的磁得錄方法中，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁及軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，使同極彼此相對(duì)，將如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配設(shè)二對(duì)時(shí)，產(chǎn)生磁場(chǎng)在磁道方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在任何一個(gè)磁道方向位置上不存在超過(guò)最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍最大值的磁場(chǎng)強(qiáng)度，但在一個(gè)磁道方向上，至少存在1處以上形成最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，與此反向的磁道方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度都低于最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)范圍的最小值。
在上述磁復(fù)錄方法中，相對(duì)于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs，最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.6xHcs~1.3xHcs。
一種磁復(fù)錄裝置，是在將與基板表面情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄裝置中，包括如下裝置，即，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此設(shè)置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式鄰接配設(shè)二對(duì)，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或二對(duì)永久磁鐵，通過(guò)在從屬介質(zhì)面的磁道方向上施加磁場(chǎng)，予先使從屬介質(zhì)磁化，在磁道方向上形成初期直流磁化的初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，和在與從屬介質(zhì)面的初期直流磁化方向相反向的磁道方向上施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的復(fù)錄磁場(chǎng)施加裝置。
一種磁復(fù)錄裝置，是在將與基板表面情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄裝置中，包括如下裝置，即，沿著從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)，予先使從屬介質(zhì)磁化，在磁道方向上形成初期直流磁化的初期直流磁化裝置，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸裝置，和將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或二對(duì)永久磁鐵，在和初期直流磁化方向相反向的磁道方向上施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄裝置。
上述的磁復(fù)錄裝置，在將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵極性不同的方式相鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，是在磁道方向位置上至少有1處以上在從屬介質(zhì)保磁力Hcs以上的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分。
上述的磁復(fù)錄裝置，是在將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)，并夾持著從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在磁道方向位置上，僅在一個(gè)方向上具有在從屬介質(zhì)保磁力Hcs以上的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，反方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
上述磁復(fù)錄裝置，是在將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，使磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在任何一個(gè)磁道方向位置上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在任何一個(gè)磁道方向位置上都不存在超過(guò)最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍最大值的磁場(chǎng)強(qiáng)度，但在一個(gè)磁道方向上至少存在一處以上形成最大適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，與此反向的磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度，在任何一個(gè)磁道方向位置上，都低于最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍的最水值。
上述磁復(fù)錄裝置，相對(duì)于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs，最適宜復(fù)錄的磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.6xHcx~1.3xHcs。
本發(fā)明由于采用以上設(shè)計(jì)，其具以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)了在將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸，從外部施加復(fù)錄用磁場(chǎng)時(shí)，因復(fù)錄不穩(wěn)定產(chǎn)生信號(hào)品位降低部分的原因，是因?yàn)閺?fù)錄時(shí)施加磁場(chǎng)不當(dāng)，造成信號(hào)品位降低，并至此想到了本發(fā)明。
在從磁復(fù)錄用主載體向從屬載體進(jìn)行磁復(fù)錄中，一般認(rèn)為，當(dāng)施加比從屬介質(zhì)保磁力Hcs高的外部磁場(chǎng)時(shí)，從屬介質(zhì)的磁化狀態(tài)是在施加方向上全部被磁化，因此無(wú)法進(jìn)行原本復(fù)錄全部圖形的復(fù)錄，例如，在特開(kāi)平10-40544號(hào)公報(bào)中段落0064記載的，最好是在和磁復(fù)錄介質(zhì)保持力同等程度以下。
因此，根據(jù)本發(fā)明者們的研究，清楚地了解到，本方式中的磁復(fù)錄原理，如圖1所示，在磁復(fù)錄用主載體1實(shí)際與從屬介質(zhì)4接觸的凸形磁性層部分的復(fù)錄用外部磁場(chǎng)6，形成向該凸形部分吸收的磁場(chǎng)6a，在相接觸的從屬介質(zhì)4的磁性層上沒(méi)有形成可復(fù)錄的磁場(chǎng)強(qiáng)度，但在磁復(fù)錄用主載體1沒(méi)有與從屬介質(zhì)4接觸的凹形部分相對(duì)應(yīng)的從屬介質(zhì)4的磁性層上，形成可復(fù)錄的磁場(chǎng)強(qiáng)度，如圖中7所示，沿復(fù)錄用外部磁場(chǎng)6的方向進(jìn)行磁化，磁復(fù)錄用主載體1的予格式化用圖形以復(fù)錄情報(bào)7復(fù)錄到從屬介質(zhì)4上。
從而，在從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)復(fù)錄時(shí)，可認(rèn)為與從屬介質(zhì)接觸部分，由于磁復(fù)錄用主載體的圖形部分進(jìn)入大量的磁場(chǎng)，所以，對(duì)于從屬介質(zhì)，即使施加比保磁力Hcs高的復(fù)錄磁場(chǎng)也不會(huì)進(jìn)行顛倒。和從屬介質(zhì)保磁力Hcs比較，通過(guò)使用具有特定關(guān)系強(qiáng)度的復(fù)錄用磁場(chǎng)，可得到信號(hào)品位很高的從屬介質(zhì)。
為了無(wú)論是什么樣的圖形都能實(shí)現(xiàn)明了的復(fù)錄，予先用高于保磁力Hcs，最好用高于1.2倍Hcs的強(qiáng)大磁場(chǎng)在一個(gè)方向上對(duì)從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化，然后再施加特定強(qiáng)度的復(fù)錄磁場(chǎng)，即最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍的磁場(chǎng)，最好的復(fù)錄用磁場(chǎng)為0.6xHcs¨Q復(fù)錄用磁場(chǎng)¨Q1.3xHcs，施加方向，與初期直流磁化方向相反的方向。
復(fù)錄用磁場(chǎng)更好為0.8~1.2Hcs，尤其好為1~1.1Hcs。
伺服用的進(jìn)行予格式化的磁復(fù)錄介質(zhì)是圓盤狀的復(fù)錄介質(zhì)，從旋轉(zhuǎn)中心開(kāi)始，沿以同心圓狀描繪的磁道進(jìn)行復(fù)錄情報(bào)，對(duì)這樣的圓盤狀磁復(fù)錄介質(zhì)施加放射狀圖形磁場(chǎng)方法，是沿從屬介質(zhì)面的磁道方向，即在任意的磁道方向位置上沿圓弧的切線方向施加磁場(chǎng)，予先沿磁道方向?qū)膶俳橘|(zhì)進(jìn)行初期直流磁化。
接著，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)進(jìn)行磁復(fù)錄，予先在從屬介質(zhì)上施加磁道方向磁場(chǎng)進(jìn)行初期直流磁化的方向和為進(jìn)行磁復(fù)錄而施加的復(fù)錄用磁場(chǎng)的方向，在從屬介質(zhì)面上必須是反向的。
因此，為了在整個(gè)圓盤狀介質(zhì)面上以上述施加磁場(chǎng)條件施加磁場(chǎng)，必須在磁道方向的一部分上產(chǎn)生像在磁道方向位置上至少具有1處以上高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分那樣的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)，通過(guò)使從屬介質(zhì)或磁場(chǎng)沿磁道方向旋轉(zhuǎn)1周，可實(shí)現(xiàn)初期直流磁化。
在磁道方向位置上僅一個(gè)方向上具有高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在磁道方向的一部分上產(chǎn)生像在任何磁道方向位置上反向磁場(chǎng)強(qiáng)度低于從屬介質(zhì)保磁力Hcs那樣的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)，通過(guò)使從屬介質(zhì)或磁場(chǎng)沿磁道方向旋轉(zhuǎn)1周，可沿磁道方向施加予先使從屬介質(zhì)磁化的初期直流磁化磁場(chǎng)。
在任何一個(gè)磁道方向位置上不存在超過(guò)最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍最大值的磁場(chǎng)強(qiáng)度，在一個(gè)磁道方向上至少存在一處以上形成最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在磁道方向的一部分上產(chǎn)生像在任何磁道方向位置上與此反向的磁道方向磁場(chǎng)強(qiáng)度低于最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍最小值那樣的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)，通過(guò)在使磁復(fù)錄用主載體和初期直流化的從屬載體緊密接觸的狀態(tài)下沿磁道方向旋轉(zhuǎn)或使磁場(chǎng)沿磁道方向旋轉(zhuǎn)，也可以實(shí)現(xiàn)在從屬介質(zhì)面的磁道方向上施加復(fù)錄用磁場(chǎng)。
在初期直流磁化和磁復(fù)錄中使用的永久磁鐵，最好是和從從屬介質(zhì)一端的磁道到另一端磁道的距離同等大小，或比該距離大的永久磁鐵，更好是和圓盤狀從屬介質(zhì)中從從屬介質(zhì)最外周磁道到最內(nèi)周磁道的半徑方向距離同等大小，或比該距離大的永久磁鐵。通過(guò)使用如此大小的永久磁鐵，就能使從屬介質(zhì)，從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體，和永久磁鐵中的任何一個(gè)，在全長(zhǎng)的磁道中，沿一個(gè)方向移動(dòng)或僅旋轉(zhuǎn)1周，就能在從屬介質(zhì)面上付與均勻的磁場(chǎng)。
用永久磁鐵施加的磁場(chǎng)強(qiáng)度，要求在整個(gè)磁道位置上必須均勻，在整個(gè)磁道位置上，磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小偏差最好在±0.5％以內(nèi)，更好在±2.5％以內(nèi)。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1是在磁復(fù)錄用主載體中予格式化用的圖形復(fù)錄進(jìn)行說(shuō)明2是說(shuō)明使用以垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)的方式相鄰接配置的二對(duì)永久磁鐵施加磁場(chǎng)方法的3是從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)進(jìn)行復(fù)方法的說(shuō)明圖如圖2所示，圖2(A)為一配置實(shí)例，即在從屬介質(zhì)4的上面和下面，使同種磁極相對(duì)，配置具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的一對(duì)永久磁鐵8a，8b，進(jìn)而以相反極性，與其相鄰接配置一對(duì)永久磁鐵8c、8d，在如此配置狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)4。
由于在從屬介質(zhì)4的上面和下面，使單一永久磁鐵8a和8b同極彼此相對(duì)進(jìn)行設(shè)置，所以如圖2(B)所示，8a和8b的磁場(chǎng)相互間形成排斥，永久磁鐵8a的磁場(chǎng)逆向于相鄰接的一對(duì)永久磁鐵中的永久磁鐵8c，而永久磁鐵8b的磁場(chǎng)逆向于相鄰接的一對(duì)永久磁鐵中的永久磁鐵8d，形成磁場(chǎng)，對(duì)從屬介質(zhì)4的面付與磁場(chǎng)9。
圖2(C)是付與從屬介質(zhì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度示意圖。在付與從屬介質(zhì)的磁場(chǎng)中存在超過(guò)從屬介質(zhì)保磁力Hcs的峰值10，因此通過(guò)旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或旋轉(zhuǎn)磁鐵，可對(duì)從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化。
相鄰接相對(duì)配置的磁鐵間距離，最好的配置距離是由鄰接磁鐵形成的磁場(chǎng)，對(duì)于從屬載體能夠付與高于從屬載體保磁力的強(qiáng)度磁場(chǎng)。
圖3是從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)進(jìn)行復(fù)錄方法的說(shuō)明圖。
圖3(A)是向從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體施加磁場(chǎng)的說(shuō)明圖，圖3(B)是圖3(A)施加磁場(chǎng)付與磁場(chǎng)強(qiáng)度的說(shuō)明圖。
圖3又為示例，在使從屬介質(zhì)4與磁復(fù)錄用主載體1緊密接觸形成緊密接觸體11的上面和下面，以同種磁極相對(duì)，配置具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的一對(duì)永久磁鐵8a，8b，進(jìn)而與真相鄰接以相反極性，鄰接配置永久磁鐵8c、8d，在如此配置狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)緊密接觸體11。
設(shè)置在緊密接觸體11上面和下面的單一永久磁鐵8a和8b的磁場(chǎng)彼此相斥，永久磁鐵8a的磁場(chǎng)逆向于相鄰接一對(duì)永久磁鐵中的永久磁鐵8c，而永久磁鐵8b的磁場(chǎng)則逆向于相鄰接一對(duì)永久磁鐵中的永久磁鐵8d，形成磁場(chǎng)，對(duì)緊密接觸體11付與復(fù)錄磁場(chǎng)12。
圖3(B)是付與和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸的從屬介質(zhì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度示意圖。
付與從屬介質(zhì)的磁場(chǎng)中，強(qiáng)度小的峰值13，由于遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度的范圍，所以在從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)復(fù)錄圖形時(shí)，不會(huì)付與任何影響，僅由強(qiáng)度大的峰值14付與磁復(fù)錄，通過(guò)強(qiáng)度大的峰值14付與在從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)最適宜復(fù)錄的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)的磁場(chǎng)，所以與圖形的形狀沒(méi)有任何關(guān)系，可形成良好的圖形。
在圖2和圖3所示磁復(fù)錄方法中使用的裝置，設(shè)有可任意調(diào)整從屬介質(zhì)面和永久磁鐵距離，和鄰接一對(duì)永久磁鐵間距離的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，通過(guò)調(diào)整從屬介質(zhì)和永久磁鐵之間的距離，一對(duì)永久磁鐵之間的距離，就可以在從屬介質(zhì)面上獲得所要求的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
對(duì)本發(fā)明磁復(fù)錄中使用的磁復(fù)錄用主載體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
作為磁復(fù)錄用主載體的基板，可以使用硅、石英板、玻璃、鋁等非磁性金屬，陶瓷、合成樹脂等表面光滑的板狀體，在腐蝕、成膜工序中對(duì)溫度等處理環(huán)境具有耐性的材料。
在表面光滑的基板上涂布光致抗蝕膜，根據(jù)予格式化的圖形，使用光致掩模(photomask)進(jìn)行曝光、現(xiàn)像、或者通過(guò)直接對(duì)光致抗蝕膜進(jìn)行畫線等方法，在光致抗蝕膜上形成與予格式化情報(bào)相對(duì)應(yīng)的圖形。
接著，在腐蝕工序中，使用氬等離了體的物理腐蝕，使用液體的腐蝕等與基板相對(duì)應(yīng)的腐蝕方法，根據(jù)圖形進(jìn)行基板腐蝕。
利用腐蝕形成的穴深度，雖然形成相當(dāng)于作為復(fù)錄情報(bào)復(fù)錄部分形成磁性層厚度的深度，但最好是20nm以上，1000nm以下，厚度過(guò)厚時(shí)，由于磁場(chǎng)寬擴(kuò)幅度很大，所以很不理想。
形成的穴最好是在底面與基板表面相平行的平面上形成深度均等的穴。
穴的形狀最好是垂直于面的磁道方向的斷面為長(zhǎng)方形的形狀。
接著，利用磁性材料，以真空蒸鍍法、噴濺法、離子鍍敷法等真空成膜裝置，以與電鍍法形成穴相對(duì)應(yīng)的厚度，直到基板表面，形成磁性材料膜。復(fù)錄情報(bào)的復(fù)錄部分磁特性，抗磁力(Hc)在199KA/(2500 Oe)以下，最好為0.4~119KA/m(5~1500 Oe)，作為飽和磁束密度在0.3T(特斯拉)以上，最好在0.5T以上。
接著，用起飛法(1ift-off)法除去光致抗蝕膜，將表面進(jìn)行研磨，存在毛刺時(shí)應(yīng)除去，形成光滑表面。
在以上說(shuō)明中，雖然對(duì)在基板上形成穴，在形成穴中形成磁性材料膜的方法作了講述，但也可以利用光制作法，在基板上的規(guī)定部位形成磁性材料膜，在形成復(fù)錄情報(bào)的復(fù)錄部分的凸形部分后，在凸形部分之間形成非磁性材料膜或進(jìn)行填充，使復(fù)錄情報(bào)的復(fù)錄部分和非磁性材料的表面形成同一的平面。
作為可用于磁性層的磁性材料，可使用磁束密度大的鈷、鐵或它們的合金。具體可舉出有Co、CoPtCr、CoCr、CoPtCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi、Fe、FeCo、FePt等。
作為磁性層的厚度為20~1000nm，最好為30~500nm。太厚時(shí)，會(huì)降低復(fù)錄分解能力。
為了進(jìn)行明了的復(fù)錄，最好使用磁束密度大的，和從屬介質(zhì)同方向，例如面內(nèi)復(fù)錄時(shí)，面內(nèi)方向，垂直復(fù)錄時(shí)，垂直方向上，具有磁異向性的磁性材料，從能夠形成銳利的邊緣考慮，最好使用具有細(xì)微磁粒子或非晶形結(jié)構(gòu)的磁性材料。
為了在磁材料中形成磁異向性，最好設(shè)置非磁性的底層，必須使用結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶格常數(shù)和磁性層相同的材料。具體講，作為這種底層，可以利用噴濺法，將Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru等形成膜。
在磁性層的上面也可以設(shè)置金剛石狀碳膜等保護(hù)膜，也可以設(shè)置潤(rùn)滑劑。作為保護(hù)膜，最好存在5~30nm的金剛石狀碳膜和潤(rùn)滑劑。在其上設(shè)置潤(rùn)滑劑的必要理由是在修正與從屬介質(zhì)接觸過(guò)程中產(chǎn)生偏離時(shí)，會(huì)產(chǎn)生摩擦，當(dāng)不存在潤(rùn)滑劑層時(shí)，耐久性很低。
本發(fā)明的磁復(fù)錄用主載體，不僅可以對(duì)硬盤、大容量型磁復(fù)錄介質(zhì)等盤型磁復(fù)錄介質(zhì)進(jìn)行復(fù)錄磁復(fù)錄情報(bào)，而且也可以對(duì)磁卡型磁復(fù)錄介質(zhì)，磁帶型磁復(fù)錄介質(zhì)進(jìn)行復(fù)錄磁復(fù)錄情報(bào)。
以下示出實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明。
實(shí)施例1和比較例1(磁復(fù)錄用主載體的制作)在真空成膜裝置中，室溫下減壓到1.33×10-5Pa(10-7モ)后，通氬入氣，在形成0.4Pa(3×10-3モ)的條件下，在硅基板上形成200nm厚的FeCo膜，制成3.5型圓盤狀磁復(fù)錄用主載體。
保磁力Hc為8KA/m(100 Oe)，磁束密度Ms為28.9T(23000Gauss)。
將圓盤狀圖形形成圓盤中心到半徑方向20~40mm的位置，寬10μm等間隔的放射狀線，線間隔在半徑方向20mm的最內(nèi)周位置為10μm間隔。
(從屬介質(zhì)的制作)在真空成膜裝置中，室溫下減壓到1.33×10-5Pa(10-7モ)后，通入氬氣，在形成0.4Pa(3×10-3モ)的條件下，將玻璃加熱到200℃，制成CoCrPt25nm，MS5.7T(4500Gauss)、保磁力199KA/m(2500 Oe)的3.5型圓盤狀磁復(fù)錄介質(zhì)。
(初期直流磁化方法)如圖2所示配置永久磁鐵，在從屬介質(zhì)的表面上形成2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs為388KA/m(5000 Oe)的峰值磁場(chǎng)強(qiáng)度，對(duì)從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化。
(磁復(fù)錄試驗(yàn)方法)將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，如圖3(A)所示，使用兩面具有永久磁鐵的裝置，以和從屬介質(zhì)的磁化相反的方向施加磁場(chǎng)進(jìn)行磁復(fù)錄。磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的緊密接觸是用橡膠板夾持住從鋁板上進(jìn)行加壓力。
(電磁變換特性的評(píng)價(jià)方法)利用電磁變換特性測(cè)定裝置(協(xié)同電子制SS-6o)對(duì)從屬介質(zhì)的復(fù)錄信號(hào)進(jìn)行評(píng)價(jià)。磁頭，使用再生磁頭間隙0.32μm，再生磁道寬3.0μm，復(fù)錄磁頭間隙0.4μm，復(fù)錄磁道寬4.0μm的MR磁頭。
對(duì)讀取信號(hào)用光譜分析儀進(jìn)行頻率分解，測(cè)定1次信號(hào)的峰強(qiáng)度(C)和外推介質(zhì)噪音(N)的差值(C/N)。在各磁場(chǎng)強(qiáng)度下的C/N中，將最大值取為0dB，以相對(duì)值(ΔC/N)進(jìn)行評(píng)價(jià)，示于表1中。C/N值在-20dB以下時(shí)，由于磁復(fù)錄的信號(hào)品位不具有實(shí)用水平，以*表示。
表1從屬介質(zhì)的Hcs為199KA/m復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度KA/m和Hcs的比ΔC/N(dB)59.7 0.3 *99.5 0.5 -10.2119 0.6 -3.2159 0.8 -1.3179 0.9 -1.1199 1.0 0.0219 1.1 -0.2239 1.2 -2.4259 1.3 -6.2279 1.4 -10.5298 1.5 -16.0318 1.6 *398 2.0 *實(shí)施例2和比較例2對(duì)保磁力Hcs為199KA/m(2500 Oe)的從屬介質(zhì)，以峰值強(qiáng)度為239KA/m(3000 Oe)，即1.2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)行從屬介質(zhì)的初期直流磁，接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體進(jìn)行緊密接觸，進(jìn)行磁復(fù)錄，除此之外，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄后，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果示于表2。復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰強(qiáng)度為圖3中所示磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的峰值。
表2從屬介質(zhì)的Hcs為199KA/m復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度KA/m和Hcs比 ΔC/N(dB)59.7 0.3 *99.5 0.5 -9.21190.6 -1.91590.8 -1.21790.90.01991.00.12191.1 -0.32391.2 -1.42591.3 -2.52791.4 -10.12981.5 -16.13181.6 *3982.0 *比較例3對(duì)保磁力Hcs為199KA/m(2500 Oe)的從屬介質(zhì)，以峰磁場(chǎng)強(qiáng)度為159KA/m(2000 Oe)即0.8倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)行從屬介質(zhì)的初期直流磁化，接著，將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體進(jìn)行緊密接觸，并進(jìn)行磁復(fù)錄，除此之外，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄后，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果示于表3。復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度為圖3所示磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的峰值。
實(shí)施例3和比較例4對(duì)和實(shí)施例1一樣制作的保磁力Hcs為59KA/m(2000 Oe)的從屬介質(zhì)，以峰磁場(chǎng)強(qiáng)度為318KA/m(4000 Oe)，即2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行從屬介質(zhì)的初期直流磁化，接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，使用圖3所示裝置進(jìn)行磁復(fù)錄，除此之外，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄后，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果示于表4，復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度為圖3所示磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的峰值。
表3從屬介質(zhì)的Hcs為199KA/m復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度Oe和Hcs的比 Δc/N(dB)59.7 0.3 *99.5 0.5 *119 0.6 *159 0.8 *179 0.9 *199 1.0 *219 1.1 *239 1.2 *259 1.3 *279 1.4 *298 1.5 *318 1.6 *398 2.0 *表4從屬介質(zhì)的Hcs為159KA/m復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度Oe 與Hcs的比 Δc/N(dB)47.7 0.3*79.6 0.5 -10.695.5 0.6 -3.21270.8 -3.21430.9 -0.51591.0 -0.21751.1 0.01911.2 -0.82071.3 -1.22231.4 -6.32391.5 -12.52551.6*3182.0*實(shí)施例4和比較例5
對(duì)保磁力Hcs為159KA/m(2000 Oe)的從屬介質(zhì)，以峰磁場(chǎng)強(qiáng)度為191KA/m(2400 Oe)，即1.2倍從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁強(qiáng)度進(jìn)行從屬介質(zhì)的初期直流磁化，除此之外，和實(shí)施例4一樣，將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸進(jìn)行磁復(fù)錄后，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果示于表5。復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度為圖3所示磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的峰值。
表5從屬介質(zhì)的Hcs為159KA/m復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度Oe和Hcs的比Δc/N(dB)47.7 0.3 *79.6 0.5 -11.095.5 0.6 -2.5127 0.8 -0.6143 0.9 -0.1159 1.0 0.0175 1.1 -0.7191 1.2 -1.2207 1.3 -2.2223 1.4 -6.9239 1.5 -15.2255 1.6 *318 2.0 *比較例6對(duì)和實(shí)施例1一樣制作的保磁力Hcs為59KA/m(2000 Oe)的從屬介質(zhì)，以峰磁場(chǎng)強(qiáng)度為127KA/m(1600 Oe)，即0.8倍從屬介質(zhì)磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行從屬介質(zhì)的初期直流磁化，接著將初期直流磁化的從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體緊密接觸，使用圖3所示裝置進(jìn)行磁復(fù)錄，除此之外，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄后，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果示于表6。復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度為圖3所示磁場(chǎng)強(qiáng)度分布的峰值。
表6從屬介質(zhì)的Hcs為159KA/m復(fù)錄用磁場(chǎng)的峰值強(qiáng)度Oe和Hcs的比Δc/N(dB)47.7 0.3 *79.6 0.5 *95.5 0.6 *127 0.8 *143 0.9 *159 1.0 *175 1.1 *191 1.2 *207 1.3 *223 1.4 *239 1.5 *255 1.6 *318 2.0 *在從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)錄中，相對(duì)于從屬介質(zhì)的Hcs，付與特定強(qiáng)度的復(fù)錄磁場(chǎng)，不管圖形的位置和形狀如何，都能獲得具有高品位復(fù)錄圖形的從屬介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種磁復(fù)錄方法，其特征在于在將與基板表面情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)進(jìn)行緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄方法中，包括將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或二對(duì)永久磁鐵，沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)，沿磁道方向予先使從屬介質(zhì)形成初期直流磁化后，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，再沿與從屬介質(zhì)面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)，進(jìn)行磁復(fù)錄。
2.一種磁復(fù)錄方法，其特征在于在將與基板表面情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄方法中，包括沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)，沿磁道方向，予先將從屬介質(zhì)載體形成初期直流磁化后，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸的緊密接觸體面，并夾持著緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，鄰接配置二對(duì)，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)二對(duì)永久磁鐵或磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的緊密接觸體，沿與初期直流磁化方向相反的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)，并進(jìn)行磁復(fù)錄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)錄方法，其特征在于將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的緊密接觸體面，并夾持著緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)，在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在磁道方向位置上，至少具有1處以上高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)錄方法，其特征在于將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)，在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在磁道方向位置上僅在一個(gè)方向上具有高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，反方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度都低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁復(fù)錄方法，其特征在于將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)，在磁道方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布中，在任何一個(gè)磁道方向位置上都不存在超過(guò)最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍最大值的磁場(chǎng)強(qiáng)度，而在一個(gè)磁道方向上，至少存在1處以上形成最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)磁場(chǎng)強(qiáng)度的部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，與其相反磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度都低于最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍的最小值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁復(fù)錄方法，其特征在于相對(duì)于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs，最適宜復(fù)錄的磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.6xHcs~1.3xHcs。
7.一種磁復(fù)錄裝置，其特征在于在將與基板表面情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄裝置中，包括，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，鄰接配置二對(duì)，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或二對(duì)永久磁鐵，通過(guò)沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)，沿磁道方向，予先將從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化的初期直流磁化裝置，將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)進(jìn)行緊密接觸的緊密接觸裝置，沿與從屬介質(zhì)面的初期直流磁化方向相反的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的復(fù)錄磁場(chǎng)施加裝置。
8.一種磁復(fù)錄裝置，其特征在于在將與基板表面情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)部分形成磁性層的磁復(fù)錄用主載體和由接受復(fù)錄的磁復(fù)錄介質(zhì)形成的從屬介質(zhì)進(jìn)行緊密接觸，施加復(fù)錄用磁場(chǎng)的磁復(fù)錄裝置中，包括沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)，沿磁道方向，予先將從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化的初期直流磁化裝置、將磁復(fù)錄用主載體和上述初期直流磁化的從屬介質(zhì)進(jìn)行緊密接觸的緊密接觸裝置，將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，鄰接配置二對(duì)，沿磁道方向旋轉(zhuǎn)從屬介質(zhì)或二對(duì)永久磁鐵，沿與初期直流磁化方向相反的磁道方向施加復(fù)錄用磁界的磁復(fù)錄裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁復(fù)錄裝置，其特征在于將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)，在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在磁道方向位置上，至少有1處以上高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁復(fù)錄裝置，其特征在于將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)和磁復(fù)錄用主載體的緊密接觸體，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布，在磁道方向位置上僅在一個(gè)方向上具有高于從屬介質(zhì)保磁力Hcs的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，反方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度都低于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁復(fù)錄裝置，其特征在于將具有與磁極軸對(duì)稱磁場(chǎng)的單一永久磁鐵，以磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面，并夾持著從屬介質(zhì)，同極彼此相對(duì)，如此配置的一對(duì)永久磁鐵，以相鄰接磁鐵極性不同的方式，相鄰接配置二對(duì)，此時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)，在磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布中，在任何一個(gè)磁道方向上位置上，都不存在超過(guò)最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍最大值的磁場(chǎng)強(qiáng)度，而在一個(gè)磁道方向上至少存在1處以上形成最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分，在任何一個(gè)磁道方向位置上，與其相反的磁道方向上的磁場(chǎng)強(qiáng)度都低于最適宜復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍的最小值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁復(fù)錄裝置，其特征在于相對(duì)于從屬介質(zhì)的保磁力Hcs，最適宜復(fù)錄的磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.6xHcs~1.3xHcs。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁復(fù)錄方法和磁復(fù)錄裝置,磁復(fù)錄方法包括單一永久磁鐵,磁極軸垂直于從屬介質(zhì)面并夾持著從屬介質(zhì),通過(guò)將從屬介質(zhì)旋轉(zhuǎn),沿從屬介質(zhì)面的磁道方向施加磁場(chǎng)并預(yù)先將從屬介質(zhì)形成初期直流磁化,將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)進(jìn)行緊密接觸,沿與從屬介質(zhì)初期直流磁化方向相反的磁道方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng)進(jìn)行磁復(fù)錄。利用磁復(fù)錄,不管磁圖形的位置如何,都可以從磁復(fù)錄用主載體向從屬介質(zhì)復(fù)錄高品位的復(fù)錄圖形。
文檔編號(hào)G11B5/00GK1362705SQ01100140
公開(kāi)日2002年8月7日 申請(qǐng)日期2001年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月8日
發(fā)明者小松和則, 長(zhǎng)尾信, 西川正一 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社