專(zhuān)利名稱(chēng)：用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的銅合金箔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性的銅合金箔，更為具體地說(shuō)涉及一種用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件上的導(dǎo)體，即能通過(guò)它來(lái)高速傳輸信號(hào)的銅合金箔。
硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器用作計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)設(shè)備。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括讀取記錄于磁盤(pán)上信息的磁頭和在該元件前端用于支持該磁頭的支架元件。該支架元件由不銹鋼片制成并在它的后端圍繞一根軸可旋轉(zhuǎn)地被懸掛，下文稱(chēng)其為懸掛元件。當(dāng)用磁頭讀取磁盤(pán)上的信息和寫(xiě)入信息時(shí)，該懸掛元件圍繞該軸旋轉(zhuǎn)，并朝預(yù)定的點(diǎn)移動(dòng)。如此進(jìn)行信號(hào)的輸入和輸出。最近為使計(jì)算機(jī)小型化和增加可靠性，要求擴(kuò)充硬盤(pán)的容量和加大信號(hào)的傳輸速度。因此，要求包括懸掛元件和磁頭的系統(tǒng)提高導(dǎo)體的排列密度、定位的精確性、導(dǎo)電性等。目前硬盤(pán)的磁道寬度為2μm，而磁頭的定位精確性為0.2μm或更小。
參照

圖1，顯示了硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件前端的平面圖。通制將金屬線用作導(dǎo)體，將其排列在支持硬盤(pán)磁頭的懸掛元件上。但是，銅合金箔1可以獲得高度的尺寸精確性，而且導(dǎo)體間的連接與操作是容易的。此外，與這些金屬線相比其生產(chǎn)成本是低的。因此，目前比常規(guī)的金屬線更為經(jīng)常使用的導(dǎo)體為18μm厚的通過(guò)樹(shù)脂3如聚酰亞胺粘結(jié)在懸掛元件2上的銅合金箔。
通過(guò)以下方法生產(chǎn)該懸掛元件。首先，通過(guò)聚酰亞胺將銅箔和襯底如約0.020mm厚的不銹鋼片(SUS 304等)熱粘結(jié)以形成三層疊層板結(jié)構(gòu)。然后將該疊層板結(jié)構(gòu)進(jìn)行蝕刻以去除銅箔、不銹鋼片襯底等和聚酰亞胺的特定部位。結(jié)果提供了具有預(yù)定形狀的懸掛元件和導(dǎo)體。該蝕刻是由該銅合金箔和不銹鋼片襯底的雙面進(jìn)行的。不含有經(jīng)蝕刻除去的不銹鋼片襯底的銅箔與聚酰亞胺的雙層疊層板、不含有經(jīng)蝕刻除去銅合金箔的聚酰亞胺樹(shù)脂與不銹鋼襯底的雙層疊層板，和銅合金箔、聚酰亞胺與不銹鋼襯底的三層層疊板共存于蝕刻后的元件中。
用作導(dǎo)體的銅合金箔要求以下的性能。首先要求高的強(qiáng)度，以使該箔在疊層片生產(chǎn)過(guò)程和磁頭組配過(guò)程中不發(fā)生變形或斷裂。該銅合金箔在該疊層板生產(chǎn)過(guò)程的熱粘結(jié)和片疊層期間發(fā)生熱膨脹和收縮。如果這種熱膨脹和收縮與聚酰亞胺和不銹鋼片的尺寸變化不匹配，貝銅合金箔在片疊層過(guò)程中或在其后的蝕刻過(guò)程之后發(fā)生撓曲。在這種情況下，不利于提供該硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的懸掛元件的尺寸精確性。
將Cu-Ni-Si合金用于電或電子部件是已知的。在日本專(zhuān)利No.2,651,122中提出的用于電或電子部件的Cu-Ni-Si合金的生產(chǎn)方法涉及一種銅合金的生產(chǎn)，該合金含有4.1-10wt％的Ni、1.0-1.5wt％的Si、0.2wt％或更少的Mn、和1.0wt％或更少的Zn，其S含量為15ppm或更少，其余為Cu和不可避免的雜質(zhì)。在950-1000℃下保持1分鐘或更長(zhǎng)時(shí)間的條件下對(duì)該合金進(jìn)行固溶熱處理，然后將其至少保持在300-600℃的范圍內(nèi)以10℃/秒或更快的冷卻速度冷卻。隨后以50％或更高的加工度冷軋。再在450-550℃下進(jìn)行熱處理1-30分鐘。接著以30-80％的加工度進(jìn)行冷軋。然后在380-440℃下熱處理5-180分鐘。在該方法中進(jìn)行兩個(gè)階段的熱處理。先在450-550℃下進(jìn)行熱處理和隨后在380-440℃下進(jìn)行熱處理是基于以下的原因。在在先的熱處理中促進(jìn)了沉淀和誘導(dǎo)了再結(jié)晶。在隨后的熱處理中形成了細(xì)沉淀物以提高強(qiáng)度和導(dǎo)電性。在各熱處理之前進(jìn)行冷加工是基于以下原因。在第一次熱處理之前的冷加工的目的在于促進(jìn)第一次熱處理中的再結(jié)晶。在第二次熱處理之前的冷加工的目的在于誘導(dǎo)加工硬化和促進(jìn)第二次熱處理中的再結(jié)晶。日本專(zhuān)利No.2,651,122所述的性能為抗拉強(qiáng)度、延展性和導(dǎo)電性。在該日本專(zhuān)利中既未描述熱膨脹系數(shù)也未描述熱膨脹和收縮。
本發(fā)明者進(jìn)行研究，確定了銅合金、不銹鋼襯底和聚酰亞胺在熱處理的作用下是如何膨脹和收縮的。其結(jié)果是，已發(fā)現(xiàn)該銅合金箔和不銹鋼襯底的熱膨脹和收縮是不可逆的。也就是說(shuō)，當(dāng)對(duì)這些材料進(jìn)行熱和冷周期并回復(fù)到最初的溫度時(shí)，這些材料的尺寸不會(huì)回復(fù)到熱周期之前的狀態(tài)。因此與最初的尺寸相比，這些材料可以偶爾發(fā)生膨脹和收縮。進(jìn)一步研究的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)了銅合金的這種不可逆的尺寸變化與由于使軋制引起的晶格缺陷減少的過(guò)程有關(guān)。也就是說(shuō)，在由于加熱使晶格缺陷減少時(shí)，發(fā)生了尺寸變化。
理想的懸掛元件組成元件，即銅合金箔、不銹鋼襯底和聚酰亞胺應(yīng)具有相同的熱膨脹和收縮特性。其次不出現(xiàn)撓曲。實(shí)際上，這些材料的熱膨脹和收縮特性彼此不同。因此，如果這些材料的應(yīng)變?cè)谌龑盈B層板結(jié)構(gòu)中是平衡的，則不存在撓曲。即使這些材料的應(yīng)變?cè)谶@種狀態(tài)下平衡，但當(dāng)三層疊層板被被蝕刻時(shí)，其應(yīng)變變得不平衡，以致會(huì)發(fā)生縱向撓曲。在目前的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的懸掛元件的情況下，即使小的撓曲也造成了磁道性能的喪失，這是因?yàn)橐笤摯蓬^具有高度尺寸精確性。因此，為了獲得高度尺寸精確性，必須嚴(yán)格控制該銅合金箔的熱膨脹和收縮以配合這些不銹鋼和聚酰亞胺。
在大部分的情況下，根據(jù)生產(chǎn)率將該懸掛元件的縱向設(shè)成與軋制方向垂直。因此時(shí)常不能滿(mǎn)意地控制只在與軋制方向平行的方向上的尺寸變化。這些懸掛元件可能時(shí)常發(fā)生撓曲，除非與軋制方向垂直方向上的熱膨脹和收縮同時(shí)受到了控制。
本發(fā)明者進(jìn)行了廣泛的研究實(shí)現(xiàn)了上述的目的，并對(duì)具有高強(qiáng)度的銅合金予以關(guān)注。當(dāng)將本發(fā)明者提供的銅合金箔用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時(shí)，可以在不損及高強(qiáng)度的情況下嚴(yán)格控制這種尺寸變化。其蝕刻性能也得到了改善。本發(fā)明的中心點(diǎn)Cu-Ni-Si合金作為沉淀型高強(qiáng)度銅合金是已知的。本發(fā)明者研究了這種合金并獲得以下認(rèn)識(shí)。
本發(fā)明涉及(1)用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的銅合金箔，其組成為質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1-4.8％的Ni、0.2-1.4％的Si,Ni的含量相對(duì)于Si的含量的比率調(diào)節(jié)至2-8，其余基本是銅和不可避免的雜質(zhì)，具有650Mpa或更高的抗拉強(qiáng)度，包含不超過(guò)10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上每mm2箔橫截面含有50或更少的5-10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上測(cè)得其表現(xiàn)出-0.1至+0.1％的以下的熱膨脹和收縮比率，該比率是在330℃加熱2小時(shí)之前和之后發(fā)生的，其對(duì)應(yīng)的加熱條件是采用聚酰亞胺對(duì)該箔進(jìn)行熱壓粘結(jié)。
Δ(％)=(l-l0)l0×100l0加熱前樣品的長(zhǎng)度l加熱后樣品的長(zhǎng)度本發(fā)明還涉及(2)用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的銅合金箔，其組成為質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1-4.8％的Ni、0.2-1.4％的Si、總共為0.005-2％的至少一種選自以下的元素Mg、Zn、Sn、Fe、Ti、Zr、Gr、Al、Mn、Ag和Be,Ni的含量相對(duì)于Si的含量的比率調(diào)節(jié)至2-8，其余基本上是銅和不可避免的雜質(zhì)，具有650Mpa或更大的抗拉強(qiáng)度，包含不超過(guò)10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上每mm2箔橫截面含有50或更少的5-10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上測(cè)得其表現(xiàn)出-0.1至+0.1％的以下的熱膨脹和收縮比率，該比率是在330℃加熱2小時(shí)之前和之后發(fā)生的，其對(duì)應(yīng)的加熱條件是采用聚酰亞胺對(duì)該箔進(jìn)行熱壓粘結(jié)。
Δ(％)=(l-l0)l0×100l0加熱前樣品的長(zhǎng)度l加熱后樣品的長(zhǎng)度除上述的范圍之外，優(yōu)選在330℃加熱2小時(shí)之前和之后，在與軋制方向垂直的方向上的熱膨脹和收縮比率Δ為-0.02至+0.04％，其對(duì)應(yīng)的加熱條件為采用聚酰亞胺安對(duì)該箔進(jìn)行熱壓粘結(jié)。
操作模式(熱膨脹和收縮比率)如上所述，在該材料軋制期間發(fā)生變形時(shí)，向其引入晶格缺陷，當(dāng)該材料被加熱時(shí)這些晶格缺陷減少。當(dāng)該銅合金箔被加熱或冷卻時(shí)發(fā)生不可逆的熱膨脹和收縮。這種不可逆的變化歸因于晶格缺陷的減少過(guò)程。此外，該銅合金箔的尺寸變化應(yīng)該與該層疊板的其它組成材料即聚酰亞胺和不銹鋼的膨脹和收縮相匹配。這樣可以改進(jìn)懸掛元件的形狀。具體地說(shuō)，如果在330℃加熱2小時(shí)，對(duì)應(yīng)于在用聚酰亞胺進(jìn)行熱壓粘結(jié)中進(jìn)行加熱，則沿與軋制方向平行的方向上測(cè)定加熱前后箔的尺寸變化。該尺寸變化由以下的熱膨脹和收縮比率Δ(％)表示，并且其范圍為-0.1至+0.1％。
Δ(％)=(l-l0)/l0×100l0加熱前樣品的長(zhǎng)度l加熱后樣品的長(zhǎng)度當(dāng)該尺寸變化Δ(％)小于-0.1％時(shí)，該銅合金箔收縮至相當(dāng)程度以致于銅合金的后冷卻中產(chǎn)生張應(yīng)力，而在該不銹鋼和聚酰亞胺中則產(chǎn)生壓應(yīng)力。即使在這種條件下，如果該應(yīng)力于層疊板內(nèi)平衡，則該三層層疊板仍不撓曲。但是，當(dāng)通過(guò)上述的蝕刻除去任何層時(shí)則可能發(fā)生撓曲。另一方面，如果該尺寸變化Δ(％)大于+0.1％，則產(chǎn)生與上述相反的應(yīng)力。蝕刻后也可能發(fā)生撓曲。因此該尺寸變化Δ(％)應(yīng)該控制在-0.1至+0.1％的范圍。
由于由軋制引起的材料的晶格缺陷定位于某個(gè)方向，因此該尺寸變化行為取決于與軋制方向平行和垂直的方向。與軋制方向垂直的尺寸變化Δ(％)應(yīng)該控在-0.02至+0.04％的范圍。
上述的尺寸變化的特征是在特定的加工程度下最后的軋制和隨后的在特定的條件下消除應(yīng)力退火的結(jié)果。當(dāng)該最后冷軋的加工程度非常高時(shí)，在該材料中引起大量的晶格缺陷，以致于即使進(jìn)行消除應(yīng)力退火也會(huì)發(fā)生尺寸變化。該尺寸變化不能控制在所要求的范圍內(nèi)。為獲得改進(jìn)的尺寸變化的加工程度為95％或更小。此外，在最后軋制之后進(jìn)行的消除應(yīng)力退火應(yīng)該在200-400℃，優(yōu)選在250-350℃下進(jìn)行30分鐘到5小時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行1-4小時(shí)。
(合金組分-Ni和Si)Ni和Si為合金中的溶質(zhì)元素并有效加強(qiáng)該合金。Ni和Si的顯著效果在于它們互相形成組成為Ni2Si的沉淀物，因而大大地加強(qiáng)了合金和極大地提高了導(dǎo)電性。但是，當(dāng)Ni含量小于1％(除非特指，表示該組分的百分?jǐn)?shù)為質(zhì)量％)，或當(dāng)該Si含量小于0.2％時(shí)，不管是否加入另外的元素以獲得配合物加入效應(yīng)，結(jié)果的強(qiáng)度不能達(dá)到理想的水平。如果該Ni含量大于4.8％或Si的含量大于1.4％，則其導(dǎo)電性會(huì)嚴(yán)重地降低。此外，在該材料中形成了無(wú)助于強(qiáng)度的粗Ni-Si顆粒，致使該材料在軋制后發(fā)生斷裂，產(chǎn)生針孔等等。其結(jié)果是生產(chǎn)率降低。因此，將Ni含量設(shè)定于1-4.8％，而將Si含量設(shè)定于0.2-1.4％。此外，為了進(jìn)一步提高時(shí)效處理后的導(dǎo)電性，應(yīng)選擇該材料中的Ni和Si原子含量比接近于化學(xué)計(jì)算組成為Ni2Si的比率。Ni含量相對(duì)于Si含量(Ni含量/Si含量)的比率優(yōu)選為2-8，最優(yōu)選為4，以進(jìn)一步提高導(dǎo)電性。
(合金組分-Mg、Zn、Sn、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、Mn、Ag或Be)這些組分的每一種都有效地改進(jìn)了基于Ni-Si的銅合金的強(qiáng)度。其中，Zn有效地改進(jìn)了焊接點(diǎn)的熱耐受性，而Fe有效地改進(jìn)了其組織。此外，Mg、Ti、Zr、Al和Mn有效地改進(jìn)了熱軋的可加工性，因?yàn)檫@些元素具有與S很強(qiáng)的親合力并形成硫化合物，借此減少硫在鋼錠晶界中的偏析并因此防止在熱軋期間裂痕的發(fā)生。當(dāng)Mg、Zn、Sn、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、Mn、Ag和Be的總含量小于0.005％時(shí)，可獲得上述效果。另一方面，當(dāng)該總含量大于2％時(shí)，其導(dǎo)電性會(huì)嚴(yán)重降低。因此將這些含量設(shè)定在0.005-2％的范圍內(nèi)。
(抗拉強(qiáng)度)其抗拉強(qiáng)度必須為650Mpa或更大以不產(chǎn)生箔的撓曲或變形。該抗拉強(qiáng)度基本上不具有方向性并應(yīng)符合上述的在與樣品軋制方向平行和垂直的任何方向的值。
(夾雜物)本文的術(shù)語(yǔ)“夾雜物”指的是通過(guò)基體的SEM觀察而觀察到的某些顆粒。這些顆?？梢允窃谀踢^(guò)程之后由于在固相基體上的沉淀反應(yīng)而形成的沉淀物。當(dāng)該Cu-Ni-Si合金為鑄件時(shí)，在凝固后將其冷卻，并且可以發(fā)生沉淀反應(yīng)。在熱軋之后的冷卻處理期間和在時(shí)效期間可形成沉淀物。一般該顆粒也可以是在鑄件的凝固過(guò)程中的偏析而形成的粗晶粒。該顆粒可以進(jìn)一步為如氧化物或硫化物之類(lèi)的雜質(zhì)，它們是由于在熔化時(shí)在熔體中的反應(yīng)形成的。本文的“夾雜物的尺寸”是通過(guò)該夾雜物的SEM觀察而測(cè)得的，并且表示包含各夾雜物的最小圓周直徑。本文的“夾雜物數(shù)量”是通過(guò)在與軋制方向平行的橫截面上對(duì)該材料進(jìn)行SEM觀察并實(shí)際計(jì)算夾雜物數(shù)量而確定的。這種數(shù)量以每mm2表示。
該夾雜物必須小以提供必需的強(qiáng)度。大于10μm尺寸的粗夾雜物不僅無(wú)助于強(qiáng)化，而且特別大的夾雜物會(huì)損及蝕刻性能。該粗夾雜物可以進(jìn)一步造成在軋制加工中發(fā)生斷裂和產(chǎn)生針孔，由此嚴(yán)重地?fù)p及生產(chǎn)率。為了不招致這些缺陷，該粗夾雜物的尺寸必須最大為10μm，尺寸為5-10μm的夾雜物的數(shù)量必須為50/mm2或更少。
下文對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。將如表1所示的具有各種組成的銅合金高頻熔爐中熔煉，并將其鑄造成20mm厚的鑄塊。然后在800-950℃下熱軋這些鑄塊以將厚度減少到8mm。將熱軋板修整以除去其表面的氧化鐵皮，然后將其冷軋以得到1mm厚的板。隨后在800-950℃下進(jìn)行固溶熱處理10分鐘。接著進(jìn)行冷軋以將厚度減少至預(yù)設(shè)的厚度，以便能夠調(diào)整最終冷軋的加工程度。然后在400-600℃下進(jìn)行時(shí)效5小時(shí)。接著進(jìn)行最終冷軋以得到0.018mm厚的箔。在150-500℃下對(duì)該箔進(jìn)行消除應(yīng)力退火1小時(shí)。
關(guān)于各合金箔，評(píng)價(jià)其“強(qiáng)度”、“導(dǎo)電性能”、“尺寸變化”和“夾雜物”。在抗拉強(qiáng)度方面通過(guò)抗拉試驗(yàn)評(píng)價(jià)其“強(qiáng)度”。在導(dǎo)電性方面評(píng)價(jià)其“導(dǎo)電性能”。關(guān)于其“熱膨脹和收縮”，沿與軋制方向平行和垂直方向切下尺寸為150×12.7mm的樣品。在樣品與與軋制方向平行情況下該樣品的垂直方向等同于軋制方向，而在樣品垂直于軋制方向的情況下該樣品的垂直方向垂直于軋制方向。通過(guò)三維坐標(biāo)數(shù)字轉(zhuǎn)換器測(cè)定預(yù)設(shè)位置的點(diǎn)距。在最低溫度300℃處和最高溫度330℃加熱最短1小時(shí)和最長(zhǎng)2小時(shí)之后再次測(cè)定這些點(diǎn)距。在這些溫度和時(shí)間范圍內(nèi)的測(cè)量值的偏差落在測(cè)量的誤差范圍內(nèi)。加熱前后尺寸的測(cè)量值提供了尺寸變化。關(guān)于該“夾雜物”，將樣品的表面鏡面拋光，然后采用5000放大倍率的SEM測(cè)定。在5μm或更大尺寸內(nèi)計(jì)算每mm2的夾雜物的數(shù)量。
生產(chǎn)厚度為0.018mm、寬度為450mm和長(zhǎng)度為5000m的箔。在軋制加工和在最終的箔中產(chǎn)生針孔的期間觀察斷裂的出現(xiàn)以評(píng)價(jià)“生產(chǎn)率”。在不發(fā)生斷裂的情況下，將評(píng)價(jià)標(biāo)記為o，而在發(fā)生斷裂的情況下，將評(píng)價(jià)標(biāo)記為×。關(guān)于該“針孔”，在每1000m的箔上計(jì)算所產(chǎn)生的尺寸為0.5mm或更大的針眼的數(shù)目。
表1發(fā)明和對(duì)比合金
表2發(fā)明和對(duì)比合金的評(píng)價(jià)結(jié)果
評(píng)價(jià)的結(jié)果如表2所示。如果將對(duì)比合金1與發(fā)明合金相比，則前者的強(qiáng)度劣于后者的強(qiáng)度，其原因在于低Ni含量。由于對(duì)比合金2具有高Si含量，因此其導(dǎo)電性劣于發(fā)明合金的導(dǎo)電性。由于對(duì)比合金3中輔助元素成分超過(guò)了本發(fā)明的范圍，因此其導(dǎo)電性劣于本發(fā)明的導(dǎo)電性。由于對(duì)比合金4是在高溫下進(jìn)行消除應(yīng)力退火的，因此其強(qiáng)度劣于發(fā)明合金的強(qiáng)度。由于對(duì)比合金5是在低溫下進(jìn)行消除應(yīng)力退火的，因而由加熱引起的尺寸變化是巨大的。在對(duì)比合金2、4和5中，由于夾雜物的數(shù)量多，在生產(chǎn)過(guò)程中較多發(fā)生斷裂和產(chǎn)生較多針孔數(shù)。在對(duì)比比合金6中，由于最終軋制的加工程度大于本發(fā)明值的加工程度，因而在與軋制方向垂直的方向上的尺寸變化增大。在對(duì)比合金7中，由于Ni含量超過(guò)了適宜的范圍，其導(dǎo)電性低而夾雜物的數(shù)量增大。結(jié)果招致了斷裂和增加了針眼的產(chǎn)生。在對(duì)比實(shí)施例8中，由于Si含量低因而其強(qiáng)度低。
如上所述，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的銅合金箔具有高強(qiáng)度與高導(dǎo)電性，且由加熱引起的尺寸變化小。此外，其成形性亦不受這些夾雜物的減損。因此本發(fā)明的銅合金箔適宜作為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的導(dǎo)體。
該圖為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的平面圖。
權(quán)利要求
1．用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的銅合金箔，其組成為質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1-4.8％的Ni、0.2-1.4％的Si,Ni的含量相對(duì)于Si的含量的比率調(diào)節(jié)至2-8，其余基本上是銅和不可避免的雜質(zhì)，具有650Mpa或更大的抗拉強(qiáng)度，包含不超過(guò)10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上的每mm2箔橫截面含有50或更少的5-10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上測(cè)得其表現(xiàn)出-0.1至+0.1％的以下的熱膨脹和收縮比率，該比率是在330℃加熱2小時(shí)之前和之后發(fā)生的，其對(duì)應(yīng)的加熱條件是采用聚酰亞胺對(duì)該箔進(jìn)行熱壓粘結(jié)。Δ(％)=(l-l0)/l0×100l0加熱前樣品的長(zhǎng)度l加熱后樣品的長(zhǎng)度
2．用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的銅合金箔，其組成為質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1-4.8％的Ni、0.2-1.4％的Si、總共為0.005-2％的至少一種選自以下的元素Mg、Zn、Sn、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、Mn、Ag和Be,Ni的含量相對(duì)于Si的含量的比率調(diào)節(jié)至2-8，其余基本上是銅和不可避免的雜質(zhì)，具有650Mpa或更大的抗拉強(qiáng)度，包含不超過(guò)10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上的每mm2箔橫截面含有50或更少的5-10μm尺寸的夾雜物，在與軋制方向平行的方向上測(cè)得其表現(xiàn)出-0.1至+0.1％的以下的熱膨脹和收縮比率，該比率是在330℃加熱2小時(shí)之前和之后發(fā)生的，其對(duì)應(yīng)的加熱條件是采用聚酰亞胺對(duì)該箔進(jìn)行熱壓粘結(jié)。Δ(％)=(l-l0)/l0×100l0加熱前樣品的長(zhǎng)度l加熱后樣品的長(zhǎng)度
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2的用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛元件的銅合金箔，其中除上述的范圍之外，在330℃下加熱2小時(shí)之前和之后，在與軋制方向垂直的方向上的熱膨脹和收縮比率Δ為-0.02至+0.04％，其對(duì)應(yīng)的加熱條件為采用聚酰亞胺對(duì)該箔進(jìn)行熱壓粘結(jié)。
全文摘要
在采用聚酰亞胺粘合劑對(duì)襯底進(jìn)行疊層加工期間,使在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛物的懸掛元件上形成的導(dǎo)體發(fā)生熱膨脹和收縮。該熱膨脹和收縮作用于該懸掛元件的磁道寬度。該銅合金的組成為:質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1－4.8%的Ni、0.2－1.4%的Si,Ni的含量相對(duì)于Si的含量的比率調(diào)節(jié)至2－8,其余基本上是銅和不可避免的雜質(zhì),抗拉強(qiáng)度為650MPa或更大。其夾雜物的尺寸為不大于10μm,在與軋制方向平行的方向上每mm
文檔編號(hào)G11B5/48GK1321982SQ0111623
公開(kāi)日2001年11月14日 申請(qǐng)日期2001年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月14日
發(fā)明者富岡靖夫, 牧哲生 申請(qǐng)人:日礦金屬株式會(huì)社