專利名稱：具有平面發(fā)射區(qū)和聚焦結(jié)構(gòu)的電子源的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明總體說來涉及電子源。更具體而言，本發(fā)明涉及基于半導(dǎo)體的電子源。
基于半導(dǎo)體的產(chǎn)生聚焦電子束的電子源可以用于信息存儲器件、光刻應(yīng)用。以及其它采用這種聚焦電子束的裝置。請考慮存儲器件的實例。幾十年來，研究人員一直在不斷努力提高存儲密度和降低信息存儲器件，例如磁硬盤驅(qū)動器、光驅(qū)動器、和半導(dǎo)體隨機存取存儲器的存儲成本。但是，由于常規(guī)技術(shù)顯示出正在接近基礎(chǔ)存儲密度的極限，存儲密度的提高正在變得越來越困難。例如，基于常規(guī)磁記錄的信息存儲正在迅速接近基礎(chǔ)物理極限例如超順磁極限，在此極限下室溫時的磁位不穩(wěn)定。
不會面臨這些基礎(chǔ)極限的存儲器件正在得到研究。在美國專利5,557,596中對這種信息存儲器件的實例進行了描述。該器件包括多個具有電子發(fā)射表面的電子源，該表面緊貼存儲介質(zhì)。在進行寫操作時，電子源以相對高的密度的電子束轟擊存儲介質(zhì)。在進行讀操作期間，電子源以相對低的密度的電子束轟擊存儲介質(zhì)。
可以通過降低電子束的直徑減小該器件中的存儲位的尺寸。減小存儲位的尺寸也就提高了存儲密度和容量并且降低了存儲成本。
一種在顯示器中采用的電子源包括許多“Spindt”發(fā)射器。Spindt發(fā)射器可用來產(chǎn)生聚焦電子束，該電子束可用于數(shù)據(jù)存儲器件、光刻應(yīng)用、和其它采用這種聚焦電子束的應(yīng)用。Spindt發(fā)射器具有圓錐形狀，它在其圓錐頂端發(fā)射電子束。該圓錐頂被加工成盡可能地尖以減小工作電壓并且獲得小的束流直徑。
但是，Spindt發(fā)射器存在問題。制造尖的發(fā)射器頂是困難的并且費用昂貴。從Spindt發(fā)射器頂對電子束以時間和空間上穩(wěn)定的方式進行聚焦是困難的。提供這種聚焦的光學(xué)系統(tǒng)會變得復(fù)雜。另外，在真空不好的條件下，Spindt發(fā)射器不能良好地工作。當(dāng)電子束直徑降低到100納米以下時，這些問題變得尤其顯著。
不論單發(fā)射器還是多發(fā)射器，人們期望降低制造成本并且改進穩(wěn)定性和對電子源的可操作性。人們還期望減小電子束直徑。
發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明的一個方面，電子源包括一個平面發(fā)射區(qū)；和一個用于發(fā)射區(qū)的聚焦結(jié)構(gòu)。通過下面的以實例方式說明本發(fā)明原理的詳細描述，并結(jié)合附圖使得本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點將會變得明顯。
附圖簡述

圖1是根據(jù)本發(fā)明的電子源的示意圖。
圖2是圖1所示電子源的制造方法的流程圖。
圖3是在襯底的上表面沉積掩膜堆垛后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4a是在掩膜堆垛形成圖案并且被刻蝕暴露出臺面結(jié)構(gòu)之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4b是掩膜堆垛的圖案排列的俯視圖。
圖4c是掩膜堆垛的另一種圖案排列的俯視圖。
圖5是生長氧化物區(qū)之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是平整化后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是在平整化結(jié)構(gòu)上沉積半導(dǎo)體層之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是在半導(dǎo)體層上沉積發(fā)射極后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9是在發(fā)射極上沉積氧化物層之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10是在氧化物層上沉積透鏡電極后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖11是在透鏡電極上刻蝕光闌(aperture)后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖12是在氧化物層中形成暗挖槽之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖13是在發(fā)射極中刻蝕光闌之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖14是在曝露的半導(dǎo)體層中形成多孔區(qū)之后的結(jié)構(gòu)示意15是根據(jù)本發(fā)明的另一種電子源示意圖。
圖16是根據(jù)本發(fā)明的再另外一種電子源示意圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明的電子源的另一種聚焦結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖18和19是根據(jù)本發(fā)明的其它電子源示意圖。
發(fā)明詳述參照圖1，電子源102包括可以用硅制成的襯底104。將襯底104的一部分刻蝕掉，留下一個“活性”區(qū)106?；钚詤^(qū)106呈火山形狀、漏斗形狀或噴嘴幾何形狀底部寬并且迅速變窄成為頸部。
該活性區(qū)106由一個隔離區(qū)108環(huán)繞。隔離區(qū)108對活性區(qū)106給出特定的幾何形狀。隔離區(qū)108也可以將活性區(qū)106與近鄰的活性區(qū)隔離開。但是，相互鄰近的電子源102的活性區(qū)的底部可能會連在一起。
在襯底104的頂部形成半導(dǎo)體層110。半導(dǎo)體層110可以由材料如多晶硅或碳化硅(SiC)制成。半導(dǎo)體層110的上表面為平面狀。
半導(dǎo)體層110的112區(qū)是多孔的區(qū)域。多孔區(qū)112與火山形狀的活性區(qū)106的頸部對齊并且終止在半導(dǎo)體層110的平面表面以便在平面表面限定一個發(fā)射區(qū)114。所以，發(fā)射區(qū)114也是平面狀。將發(fā)射區(qū)114制成平面狀允許對電子束進行更好地聚焦。通過如下所述的對發(fā)射區(qū)114面積的限制由于增加了熱能耗散，所以允許更高的電流密度。可以將發(fā)射區(qū)的面積限制為小于可獲得的發(fā)射總面積的1％。
電子源102還包括在半導(dǎo)體層110上的發(fā)射極116、在發(fā)射極116上的絕緣層118以及在絕緣層118上的透鏡電極120。絕緣層118將發(fā)射極116與透鏡電極120隔離開。開孔122延伸貫穿透鏡電極120、絕緣層118和發(fā)射極116并將發(fā)射區(qū)114暴露。發(fā)射區(qū)114不超過開孔122尺寸的95％。并且，開孔122可以采用寬范圍尺寸。
可以用導(dǎo)電層124覆蓋發(fā)射區(qū)114的部分區(qū)域、發(fā)射電極114，以及透鏡電極120。導(dǎo)電層124的第一部分124a覆蓋發(fā)射區(qū)114和發(fā)射極116的部分區(qū)域，并且導(dǎo)電層124的第二部分124b覆蓋透鏡電極120。因為多孔硅區(qū)112的導(dǎo)電性不強，所以第一部分124a提供對整個發(fā)射區(qū)114的連接并且允許在發(fā)射區(qū)114上施加電場?？梢圆捎玫谝徊糠?24a與透鏡電極120之間的大范圍的間隙。
導(dǎo)電層124可以是在表面不能形成絕緣的氧化物或氮化物的合金。導(dǎo)電層124可以是由薄金屬或?qū)щ姴牧先缃?、?例如石墨或?qū)щ娊饎偸蚱浣M合)、鉑、銥、銠、氮化硼或者其它導(dǎo)體或半導(dǎo)體制成。原子序數(shù)充分地低于金的原子序數(shù)的材料也可以用作導(dǎo)電層124。作為低原子序數(shù)的元素，碳顯示出非常低的電子散射幾率，此性質(zhì)可以提高電子發(fā)射效率并且減小發(fā)射電子的能量發(fā)散。
導(dǎo)電層124可以是多孔或半致密使得所有的導(dǎo)電區(qū)域為電連接。例如，導(dǎo)電層124可以包括相互電連接的導(dǎo)電島，相互連接的燈絲構(gòu)成的網(wǎng)，或者二者的組合。
在襯底104的另一邊可以形成后觸點126。后觸點126為半導(dǎo)體襯底104和多孔硅區(qū)112中的內(nèi)場建立了一個等勢表面。如果襯底104是高摻雜的，可以省略后觸點126，在該情況下襯底104通過前觸點進行連接。
在運行時，在襯底104、發(fā)射極116、透鏡電極120和后觸點126上施加不同的電位勢。由此產(chǎn)生的發(fā)射極電壓引起電子從襯底104注入到多孔區(qū)112并且從發(fā)射區(qū)114及經(jīng)過導(dǎo)電層124的第一部分124a被發(fā)射。由位于開孔122處的電子透鏡電壓產(chǎn)生的電場使得該發(fā)射電子被聚焦成電子束128。通過改變施加在透鏡電極120上的電位勢可以調(diào)整對電子束128的聚焦。電子束128可以在靶12(例如，存儲介質(zhì))上聚焦成非常小的點(例如，直徑小于一個納米)。
在襯底104以及電極116和102上施加電位勢的驅(qū)動電源可以是在芯片上(on-chip)的和離開芯片的(off-chip)。
圖2總結(jié)了一種制造電子源102的可能的方法。通過在襯底104表面沉積一層襯墊氧化物層以及在該襯墊氧化物層上沉積鉻層使得在襯底104表面頂部形成掩膜堆垛(步驟162)。
將該鉻層圖案化并且對該襯底進行刻蝕形成活性區(qū)106(步驟164)。生長絕緣層以便對活性區(qū)106進行隔離(步驟166)并且對由此產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)進行平面化(步驟168)。
在平整化表面沉積半導(dǎo)體層(170)。所以半導(dǎo)體層也呈平面狀。
在半導(dǎo)體層110頂部形成發(fā)射電極116(步驟172)。例如，可以通過將鉻(Cr)層沉積在半導(dǎo)體110上形成發(fā)射電極116。
在發(fā)射電極116的頂部形成絕緣層118(步驟174)。絕緣層118可以是氧化物層。
在絕緣層118的頂部形成透鏡電極120(步驟176)。例如，可以通過在絕緣層118上沉積鉻(Cr)層來形成透鏡電極120。
在透鏡電板120、絕緣層118和發(fā)射電極116中形成開孔122(步驟178)。可以將絕緣層118凹進以避免干擾電子束。開孔122延伸到半導(dǎo)體層110。所以，光闌將發(fā)射區(qū)114暴露。
可以通過某種工藝，例如陽極氧化工藝將半導(dǎo)體層110的112區(qū)制成多孔的(步驟180)。那么在發(fā)射區(qū)114以及電極116和120上形成了導(dǎo)電層124(步驟182)。
可以對多孔區(qū)12圖案化以形成多個獨立的發(fā)射區(qū)。在運行期間，可以同時或者有選擇地對這些發(fā)射區(qū)進行尋址。
圖3至圖14展示出在示例的制造工藝的各階段的電子源102。圖3展示了硅襯底104和在襯底104表面頂部形成掩膜堆垛202。襯底104可以是n++型的硅襯底其電阻率范圍小于0.01歐姆-厘米。掩膜堆垛202可以包括襯墊氧化物層204和掩膜材料層206?？梢酝ㄟ^采用濕法或者干法氧化技術(shù)在襯底表面上生長硅氧化物層來形成襯墊氧化物層204。
參照圖4a，可以采用常規(guī)的光刻技術(shù)對掩膜堆垛202圖案化，并且可以根據(jù)圖案化的掩膜堆垛202所限定的尺寸和位置在襯底104上刻蝕出具有臺面形狀的活性器件區(qū)208?？梢圆捎酶煞涛g技術(shù)形成活性器件區(qū)208?；钚詤^(qū)208可以是如圖4b所示的圓柱形狀。這樣的活性區(qū)208的直徑可以是幾微米或者優(yōu)選地一至二微米。
活性區(qū)208不限于圓柱形狀。例如，該活性區(qū)可以具有如圖4c所示的中空的圓形。圖4b和圖4c也展示出可以在單一襯底上同時制造的多個電子源(每一個電子源可以被單獨尋址)。
參照圖5，可以通過將襯底104暴露于濕法氧化(例如，水蒸汽)或干法氧化(例如，氧氣)中來進行二氧化硅隔離區(qū)108的熱生長。在完成氧化物的生長時，產(chǎn)生的隔離區(qū)108填充到襯底104的被刻蝕掉的部分。作為各種影響氧化物生長率的因素的結(jié)果，襯底沒有被掩膜覆蓋的部分被刻蝕掉，導(dǎo)致表面210和側(cè)壁212在某種程度上變圓。
另外參照圖6，在隔離區(qū)108生長完成后，對隔離區(qū)108和活性區(qū)106進行平面化。可以采用化學(xué)機械拋光工藝(CMP)清除活性區(qū)106和隔離區(qū)108的一些部分214。CMP工藝產(chǎn)生一個基本平整的表面216。在該工藝階段，活性區(qū)106具有火山形狀的幾何形狀。所以，活性器件區(qū)具有寬的底部并在平表面216處迅速變窄形成頸部。
參照圖7，在平整化的結(jié)構(gòu)頂部采用化學(xué)汽相沉積(CVD)工藝形成多晶硅層110。多晶硅層110的厚度可以是約0.01到2微米。
參照圖8，通過沉積，例如，厚度范圍約為0.1到1微米的鉻層，可以在半導(dǎo)體層110上形成發(fā)射電極116。
參照圖9，通過例如，CVD TEOS(四乙氧基硅烷)氧化物沉積，在發(fā)射電極116上形成硅氧化物(SiOx)絕緣層118。在沉積上絕緣層118之后，可以通過CMP將絕緣層118進行平整化到約0.01到2微米的厚度。
參照圖10，通過沉積，例如，厚度范圍約為0.01到1微米，并且優(yōu)選地0.1微米的鉻層，在絕緣層118上形成透鏡電極120。
參照圖11至圖13，通過刻蝕貫穿透鏡電極120、絕緣層118以及發(fā)射電極116形成開孔122，首先可以在透鏡電極120上圖案化并將其刻蝕形成第一開孔122A(圖11)。干法刻蝕工藝如離子束銑削可以用來刻蝕透鏡電極120。第一開孔122A的直徑可以是幾個微米并且優(yōu)選地2微米。
可以采用二步刻蝕工藝在絕緣層118(圖12)中形成第二開孔122B。二步刻蝕工藝可以包括干法刻蝕步驟以及緊跟的濕法刻蝕步驟。例如，在干法刻蝕步驟中通過采用CHF3刻蝕劑的RIE刻蝕來形成側(cè)壁218(以虛線示出)該側(cè)壁與第一開孔122A對齊并且基本上與發(fā)射電極118垂直。對側(cè)壁218采用濕法刻蝕工藝進行刻蝕并且將絕緣層118橫向凹進。結(jié)果形成絕緣層118的潛挖的側(cè)壁220。可以采用基于氫氟酸的緩沖氧化物刻蝕劑進行濕法刻蝕。
然后對發(fā)射電極116進行刻蝕形成第三開孔122C并且因而暴露了半導(dǎo)體層110的222區(qū)(圖13)。第三開孔122C的直徑可以大到幾微米并且它基本上與第一開孔122A對齊。可以采用干法刻蝕工藝對發(fā)射電極116進行刻蝕。可以對半導(dǎo)體層110的暴露區(qū)222進行輕微地刻蝕以確保完全暴露出半導(dǎo)體層110。
圖12和圖13所示的步驟可以顛倒，由此在潛挖壁220之前形成開孔122C。
現(xiàn)在參照圖14，在半導(dǎo)體層110中形成多孔區(qū)112。可以采用陽極處理工藝在半導(dǎo)體層110中生成多孔，該工藝在Xia Sheng、HidekiKoyama、和Nobuyoshi Koshida的“基于電致發(fā)光多孔硅二極管的冷陰極的有效表面發(fā)射”，真空科技雜志B卷15(2)期，1998年，3/4月，793頁至795頁(”Efficient surface-emitting cold cathodes based onelectro luminescent porous silicon diode”，J.Vaccum Science TechnologyB15(2))一文中進行了描述。通過控制電流密度和陽極氧化時間，可以控制多孔區(qū)112中的多孔率。
形成多孔區(qū)112之后，可以增加導(dǎo)電層124。導(dǎo)電層124可以相似地覆蓋發(fā)射區(qū)114和發(fā)射電極116以及透鏡電極120。采用碳制成的導(dǎo)電層的厚度可以為約10納米。與圖1相一致，導(dǎo)電層124的第一部分124a覆蓋發(fā)射區(qū)114和發(fā)射電極116的一部分，并且導(dǎo)電層124的第二部分124b覆蓋透鏡電極120。
圖15展示了第二種(另一種)電子源302。第二種電子源302也包括襯底104、活性區(qū)106、絕緣區(qū)108、半導(dǎo)體層110、多孔區(qū)112、發(fā)射區(qū)114和發(fā)射電極116。第二種電子源302還包括第一絕緣層118、第一透鏡電極120、在第一透鏡電極120上的第二絕緣層304以及在第二絕緣層304上的第二透鏡電極306。
光闌308將發(fā)射區(qū)114暴露出來。將第一和第二絕緣層118和304凹進以避免與從電子源302發(fā)射出的電子束309發(fā)生接觸。可以用導(dǎo)電涂層將發(fā)射區(qū)114和電極116、120、和306覆蓋。對于圖15所示的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電涂層的第一部分310a覆蓋了發(fā)射區(qū)114和發(fā)射電極116的一部分、導(dǎo)電涂層的第二部分310b覆蓋了第一透鏡電極120并且導(dǎo)電涂層的第三部分310c覆蓋了第二透鏡電極306。
通過對電極120和306施加不同的工作電位勢可以有利地對電子束309進行控制或聚焦。
所以與Spindt發(fā)射器相比，所公開的電子源102和302制造起來更容易和更便宜。電子源102和302能夠以在時間和空間上的穩(wěn)定方式聚焦，并且它們可以在真空不好的條件下運行。該薄導(dǎo)電層還可以減少散射由此減小了能量發(fā)散并提高了效率。
該電子源的襯底并不局限于硅。也可以采用其它半導(dǎo)體材料。甚至可以采用金屬材料，由此在金屬襯底上形成半導(dǎo)體層。
該電子源的外形尺寸依具體器件而定。對電極所施加的電壓也是依具體器件而定。
該電子源的制造并不局限于圖3至14所描述的步驟?？梢圆捎闷渌夹g(shù)進行沉積、平整化等等。電極、導(dǎo)電體、絕緣體等也可以采用其它材料。
發(fā)射區(qū)可以采用除了形成寬的底部活性區(qū)并變窄形成頸部，并在頸部處形成多孔區(qū)的方法之外的其它方法來圖案化。然而，這種圖案化方法提供了某些優(yōu)點。寬的底部耗散熱量以進行較好的熱管理。
圖16展示了另一種圖案。在活性n++襯底404的頂部形成了多晶硅層402，絕緣層406生長在襯底404上，并且圖案化的掩膜408在多晶硅層402和絕緣層406的表面頂部形成。多孔區(qū)410位于多晶硅層412，在圖案化的掩膜408中的開孔限定了發(fā)射區(qū)412并且發(fā)射電極(未示出)覆蓋形成圖案掩膜408。圖案化的掩膜408可以由金屬或介電材料制成。
該聚焦結(jié)構(gòu)不局限于由絕緣層隔離開的堆垛電極。例如，圖17展示了一種聚焦結(jié)構(gòu)502包括多晶硅層504上的發(fā)射電極506和透鏡電極508。透鏡電極508環(huán)繞發(fā)射電極506，并且發(fā)射電極506中的開孔將發(fā)射區(qū)510暴露出來。
電子源不局限與上述的電子發(fā)射結(jié)構(gòu)。通過許多技術(shù)可以從平表面獲得發(fā)射電子。該電子源可以包括通過加熱表面來發(fā)射熱電子的發(fā)射結(jié)構(gòu)。另一種方法，可以在室溫或低于室溫條件下，電子從金屬-絕緣體-金屬(MIM)以及金屬-絕緣體-氧化物(MIS)結(jié)構(gòu)的表面發(fā)射出來。這種電子發(fā)射類型在以下文獻中進行了描述Wande&J Briggs“隧道陰極的低噪音束流”，應(yīng)用物理雜志33卷3期，836頁至840頁，1962年(“Low noise Beams from TunnelCathodes”，Journal of Applied Physics 33，No3，pp836-840，1962)；Julius Cohen“至真空的隧道發(fā)射”，應(yīng)用物理快報1卷，3期，61頁-62頁，1962年(”Tunnel Emission into Vacuum”Applied PhysicsLetters1，No3，pp61-62，1962)；和Yokoo等“金屬-氧化物-半導(dǎo)體電子隧道陰極的發(fā)射特性”，真空科技雜志，429頁至432頁，1993年(“Emission characteristics of metal-oxide-semiconductor electrontunneling cathode”，Journal of Vacuum Science and Technology，pp.429-432，1993)。電子從MIM和MIS結(jié)構(gòu)以小發(fā)散角發(fā)射到真空中，如在R.Hrach，薄固體膜15卷15頁，1973年的文獻(Thin Solid Film15，p.15，1973)中進行了描述的。小的發(fā)散角允許發(fā)射的電子被聚焦成小直徑的電子束。
圖18展示出的電子源602包括基于金屬-絕緣體-金屬(MIM)的電子發(fā)射結(jié)構(gòu)。在絕緣體610與活性區(qū)606之間是薄金屬層612。所以，該金屬-絕緣體-金屬對應(yīng)于電極124a、絕緣體610和薄金屬層612。
圖19展示出的電子源702包括基于金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)的電子發(fā)射結(jié)構(gòu)。該活性區(qū)延伸到絕緣體710。所以，該金屬-絕緣體-半導(dǎo)體對應(yīng)于電極124a、絕緣體710和活性區(qū)706。
上述段落對單個電子源的結(jié)構(gòu)和制造進行了描述。但是。需要理解的是在單個芯片上可以同時制造多個電子源并且在單個晶片上可以同時制造多個芯片。
電子源102和302可以有很多應(yīng)用。應(yīng)用實例包括數(shù)據(jù)信息存儲器件、電子束檢驗工具(例如掃描電子顯微鏡)，光刻和成像顯示。這些電子源可以在信息存儲器件中產(chǎn)生超小的存儲位、產(chǎn)生超細的光刻線、在陰極射線管或光柵顯示器中產(chǎn)生超小像素。
盡管對本發(fā)明具體的實施例進行了描述和展示，本發(fā)明不局限于所述和所展示的部件的形式與布置安排。而是，本發(fā)明根據(jù)以下權(quán)利要求進行解釋。
權(quán)利要求
1.一種電子源(102)包括平面電子發(fā)射區(qū)(114)；以及用于該發(fā)射區(qū)的聚焦結(jié)構(gòu)(118，120)
2.權(quán)利要求1的電子源，其中該平面電子發(fā)射區(qū)(114)是一個多孔區(qū)。
3.權(quán)利要求2的電子源，其中的多孔區(qū)位于在活性襯底上的一層中；以及其中在該層表面有形成圖案的掩膜，在該圖案化的掩膜中的開孔限定了發(fā)射區(qū)。
4.權(quán)利要求2的電子源其中的電子源(102)還包括具有與多孔區(qū)對齊的活性區(qū)(106)的襯底(104)。
5.權(quán)利要求1的電子源，其中的聚焦結(jié)構(gòu)(118，120)包括光闌(122)電子束通過該光闌被聚焦；以及其中該發(fā)射區(qū)(114)的尺寸小于聚焦結(jié)構(gòu)的光闌(122)的尺寸。
6.權(quán)利要求5的電子源，其中發(fā)射區(qū)(114)不大于聚焦結(jié)構(gòu)光闌(122)尺寸的95％。
7.權(quán)利要求1的電子源，還包括在發(fā)射區(qū)(114)上的導(dǎo)電層(124)。
8.權(quán)利要求1的電子源，其中的發(fā)射區(qū)(114)被局限于小于可以獲得的發(fā)射總面積的1％的面積之內(nèi)。
9.權(quán)利要求1的電子源，其中的聚焦結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體層上的第一電極(116)、第一電極(116)上的絕緣層(118)，以及絕緣層上的第二電極(120)；延伸貫穿電極(116，120)和絕緣層(120)的開孔(122)，該開孔暴露出發(fā)射區(qū)(114)。
10.權(quán)利要求9的電子源，其中的聚焦結(jié)構(gòu)還包括在第二電極(120)上的第二絕緣層(304)以及在第二絕緣層(304)上的第三電極(306)，開孔(308)延伸貫穿第二絕緣層(304)和第三電極(306)。
全文摘要
電子源(102)包括用于進行電子發(fā)射的平面發(fā)射區(qū)(114),以及將電子發(fā)射聚焦成為電子束的聚焦結(jié)構(gòu)(118,120)。
文檔編號G11B9/00GK1372290SQ01139500
公開日2002年10月2日 申請日期2001年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月27日
發(fā)明者H·P·顧, H·比雷基, S·T·林, S·L·納伯惠斯 申請人:惠普公司