專利名稱：磁光記錄介質(zhì)及其再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種作為與磁光記錄/再現(xiàn)設(shè)備一起使用的磁光盤、磁光帶、磁光卡等實施的磁光記錄介質(zhì)、和再現(xiàn)它的方法。
背景技術(shù)：
在最近幾年，磁光記錄介質(zhì)作為用于計算機的外部記錄裝置已經(jīng)引人注目。這樣一種磁光記錄介質(zhì)，適于通過外部磁場和激光束的施加在其上形成亞微米的記錄位，具有比諸如軟盤和硬盤之類的常規(guī)類型外部記錄介質(zhì)大的記錄容量。
當前適用的3.5英寸磁光記錄介質(zhì)例如具有設(shè)置在其限定在24mm半徑與40mm半徑同心圓之間的面積上的1.1μm節(jié)距軌道，并且適于在圓周上寫64μm最小尺寸的標記以在其每側(cè)上提供約640MB的記錄容量。磁光記錄介質(zhì)是一種具有非常高記錄密度的可重寫介質(zhì)。
然而，記錄容量應(yīng)該進一步增大以對于即將到來的多媒體時代記錄巨量數(shù)據(jù)和動態(tài)畫面。為了記錄容量的增大，更大量的記錄標記應(yīng)該形成在介質(zhì)上。因此，具有較小長度的標記應(yīng)該以比當前采用的標記小的間隔排列。為了借助于這種排列的更高密度記錄，應(yīng)用于介質(zhì)的激光束應(yīng)該具有小于780nm或680nm的波長。考慮到實用性，標記長度的減小比激光束波長的減小更有效。
對于由具有比激光束直徑小的尺寸的標記的數(shù)據(jù)再現(xiàn)已經(jīng)得出了各種方法。
日本未審查專利出版物No.HEI 1(1989)-143041例如提出了一種叫做“FAD(Front Aperture Detection(前孔徑探測))方法”(第一先有技術(shù))，這種方法適于讀在激光斑點內(nèi)在低溫區(qū)域中的記錄標記，同時把高溫區(qū)域用作掩模區(qū)域。
日本未審查專利出版物No.HEI 3(1991)-93056和No.HEI3(1991)-93058提出了一種叫做“RAD(Rear Aperture Detection(后孔徑探測))方法”(第二先有技術(shù))，這種方法適于讀在激光斑點內(nèi)在高溫區(qū)域中的記錄標記，同時把低溫區(qū)域用作掩模區(qū)域。
日本未審查專利出版物No.HEI 4(1992)-271039提出了一種叫做“RAD雙掩模方法”(第三先有技術(shù))，這種方法適于讀在激光斑點內(nèi)在低溫區(qū)域與高溫區(qū)域之間的中間區(qū)域中的記錄標記，同時把低溫區(qū)域和高溫區(qū)域用作掩模區(qū)域。
日本未審查專利出版物No.HEI 5(1993)-12731提出了一種叫做“CAD(Center Aperture Detection(中心孔徑探測))方法”(第四先有技術(shù))。
上述先有技術(shù)方法能在具有尺寸比在再現(xiàn)激光束的斑點直徑小的區(qū)域中讀標記，并且提供基本上等效于通過借助于使用直徑比再現(xiàn)激光束的斑點小的光斑的再現(xiàn)提供的分辨率。
然而，上述先有技術(shù)方法具有如下缺點。
適用于在低溫區(qū)域中的再現(xiàn)的第一先有技術(shù)方法，允許整個系統(tǒng)的尺寸減小而不需要提供初始化磁鐵，但對于交擾的防止不是很有效，因為可能探測在相鄰軌道中的記錄標記而影響再現(xiàn)。
適用于在高溫區(qū)域中的再現(xiàn)的第二先有技術(shù)方法，對于交擾的防止是有效的，但不允許系統(tǒng)的尺寸減小，需要提供初始化磁鐵。
第三先有技術(shù)對于交擾的防止也是有效的，并且允許再現(xiàn)輸出的提高。然而，像在第二先有技術(shù)方法中那樣，通過提供初始化磁鐵不可能減小系統(tǒng)尺寸。
第四先有技術(shù)方法不需要初始化磁鐵，但不能提供較高再現(xiàn)輸出，因為有一個其中再現(xiàn)層的磁化方位從平面內(nèi)方向向一個垂直方向移動的較大過渡區(qū)域。
由于先有技術(shù)方法具有上述缺陷，本發(fā)明的發(fā)明者已經(jīng)在日本未審查專利公開No.HEI 7(1995)-244877中提出了一種磁光記錄介質(zhì)(第五先有技術(shù))，這種磁光記錄介質(zhì)能夠提供一個磁性超級分辨率(MSR)和一個較高再現(xiàn)輸出，而不需要提供初始化磁鐵。下文對于根據(jù)第五先有技術(shù)的磁光記錄介質(zhì)將給出解釋。
如圖10中所示，磁光記錄介質(zhì)包括按下述順序重疊在一個基片(未表示)上的一個再現(xiàn)層4、一個中間層5及一個記錄層6。再現(xiàn)層4由諸如GdFeCo之類的稀土過渡金屬非晶合金組成，并且具有垂直于其延伸的一個易磁化方向。中間層5由諸如GdFeCo之類的稀土過渡金屬非晶合金組成，并且具有一個易磁化方向，該易磁化方向在室溫下在平面內(nèi)方向上延伸，但當該層通過再現(xiàn)光束的施加加熱到預(yù)定溫度時從平面內(nèi)方向移動到垂直方向。記錄層6由諸如TbFeCo之類的稀土過渡金屬非晶合金組成，并且具有垂直于其延伸的一個易磁化方向。再現(xiàn)層4、中間層5和記錄層6分別具有滿足關(guān)系Tc2＞Tc1和Tc2＜Tc3的居里溫度Tc1、Tc2和Tc3。而且，再現(xiàn)層4和記錄層6分別具有在室溫下滿足關(guān)系Hc3＞Hc1的矯頑力Hc1和Hc3。
再現(xiàn)層4用作一個用來讀信號或用來提供一個磁性超級分辨率的掩模。中間層5在室溫下具有平面內(nèi)磁化性質(zhì)，并且當加熱該層時，交換耦合到記錄層6上，由此把其磁化方向拷貝到再現(xiàn)層4上。記錄層6適于熱磁記錄，它借助于記錄磁場的施加通過把該層加熱到接近其居里溫度的溫度實現(xiàn)，以便顛倒磁化方向。
為了再現(xiàn)記錄在記錄層6中的數(shù)據(jù)，通過利用在介質(zhì)上在一個激光斑點內(nèi)產(chǎn)生溫度梯度準確地讀較小尺寸標記。
參照圖10至13將解釋在磁光記錄介質(zhì)上進行的擦除、記錄和再現(xiàn)操作。這里假定為了記錄數(shù)據(jù)施加一個向上偏移磁場而為了再現(xiàn)和擦除數(shù)據(jù)施加一個向下偏移磁場。對于再現(xiàn)層4和記錄層6富有過渡金屬(TM富有的)而中間層5富有稀土元素(RE富有的)給出解釋。
如圖10中所示，磁光記錄介質(zhì)用具有向下施加的偏移磁場(擦除磁場16)的擦除激光束18照射，從而在比其居里溫度高的溫度下加熱記錄層6，由此向下磁化。當把記錄介質(zhì)帶離激光束時，把它冷卻到室溫。在室溫下，中間層5在平面磁化層中，從而再現(xiàn)層4和記錄層6不會彼此磁性地耦合。
因此，通過施加等效于擦除偏移磁場的較低強度的磁場，把再現(xiàn)層4均勻地向下磁化。一個箭頭A指示介質(zhì)的運動方向。
如圖11中所示，只有記錄介質(zhì)的一個記錄部位用具有向上施加的偏移磁場(記錄磁場17)的高強度激光束照射，由此僅向上磁化數(shù)據(jù)記錄部位。當把記錄介質(zhì)帶離激光束時，把它冷卻到室溫。在室溫下，中間層5在平面磁化層中，從而再現(xiàn)層4和記錄層6不會彼此磁性地耦合。因此，通過施加具有等效于偏移磁場的較低強度的磁場，把再現(xiàn)層4均勻地向下磁化。
其次，對再現(xiàn)操作給出解釋。在對其施加一個再現(xiàn)磁場14的區(qū)域20內(nèi)的激光斑點的低溫區(qū)域中，在中間層5與記錄層6之間的交換耦合力較弱，從而中間層5的磁化在再現(xiàn)磁場的方向上定向，而再現(xiàn)層4的磁化由一個交換耦合力(前掩模13a)向上定向，與中間層5的磁化方向相反，如圖12中所示。另一方面，在高溫區(qū)域中，中間層5和記錄層6彼此交換耦合，而中間層5和再現(xiàn)層4彼此交換耦合。因此，把記錄層6的磁化方向拷貝到再現(xiàn)層4上，從而能讀在記錄層6中的數(shù)據(jù)。這種再現(xiàn)過程稱作“單掩模再現(xiàn)”。
在高溫區(qū)域中，把記錄介質(zhì)加熱到比中間層5的居里溫度高，從而在偏移磁場的方向上把再現(xiàn)層4均勻地向下磁化，如圖13中所示。因此，再現(xiàn)層4用作一個掩模(后掩模13b)。這種再現(xiàn)過程稱作“雙掩模再現(xiàn)”。
當差動探測磁光輸出時，在低溫區(qū)域中和在高溫區(qū)域中都不能讀磁光信號，而是僅在中間溫度區(qū)域中，因為低溫區(qū)域和高溫區(qū)域用作在激光斑點內(nèi)的掩模。這允許超級分辨率再現(xiàn)并且提供一個較高再現(xiàn)輸出而不用提供初始化磁鐵，從而能從具有尺寸比激光束波長的衍射極限小的標記準確地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。在圖10至13中，標號A指示介質(zhì)的運動方向，標號12和18分別指示一個孔徑和一個光束斑點。
然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，例如，在對于較高密度記錄希望使用具有較小軌道節(jié)距的凸臺/凹槽基片的場合，先有技術(shù)方法存在來自相鄰軌道的交擾問題。這歸因于這樣的事實對于比光束斑點的直徑小的軌道節(jié)距，熱量到達相鄰軌道，由此把在相鄰軌道上的記錄標記也帶到磁化拷貝狀態(tài)中。
例如，在激光束具有660nm波長而物鏡具有0.55的NA的場合，光束斑點具有約1μm的直徑。當在這種情況下采用具有0.6μm軌道節(jié)距的凸臺/凹槽基片時，約40％的光束施加到相鄰軌道上，甚至對于磁性超級分辨率也引起交擾。
用于磁性超級分辨率的介質(zhì)具有較高圓周分辨率使得有可能讀較小標記。為了減小軌道寬度以便增大記錄介質(zhì)的密度，必須增大徑向分辨率。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明旨在一種高度抗交擾并且允許具較窄軌道的凸臺/凹槽基片的使用以便提高記錄密度的磁光記錄介質(zhì)。
按照本發(fā)明，提供有一種磁光記錄介質(zhì)，它包括一個記錄層、一個中間層及一個再現(xiàn)層，其中把數(shù)據(jù)從記錄層轉(zhuǎn)移到沿再現(xiàn)層掃描方向通過經(jīng)光束斑點掃描的溫度分布而產(chǎn)生的兩個掩模區(qū)域之間的一個孔徑上，由此讀出數(shù)據(jù)，其中一個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向的掩模層形成在再現(xiàn)層上，掩模層在由光束斑點給出的溫度分布下，具有用來控制在沿掃描方向前后產(chǎn)生的兩個掩模區(qū)域之間的孔徑的橫向的膨脹的磁性性質(zhì)。
而且，根據(jù)本發(fā)明提供有一種磁光記錄介質(zhì)，它包括至少一個記錄層、一個中間層及一個再現(xiàn)層并且在磁性超級分辨率模式中再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中一個按照由在再現(xiàn)期間照射的光束給出的溫度分布出現(xiàn)的掩模區(qū)域、和一個用來控制由掩模區(qū)域限定的一個再現(xiàn)孔徑的膨脹的掩模層形成在再現(xiàn)層上。
更進一步，根據(jù)本發(fā)明提供有一種磁光記錄介質(zhì)，它包括
一個記錄層，由TbFeCo制成，具有在垂直于層的方向上延伸的一個易磁化方向，并且表現(xiàn)出過渡金屬富磁化；一個中間層，由GdFeCo、GdFeCoSi或GdFe制成，在室溫下具有一個在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向，并且表現(xiàn)出稀土元素富磁化；一個再現(xiàn)層，由GdFeCo或GdDyFeCo制成，具有在垂直于層的方向上延伸的一個易磁化方向，并且表現(xiàn)出過渡金屬富磁化；各層以這種順序重疊，其中一個由GdFeCo制成、形成在再現(xiàn)層上的掩模層，在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向，表現(xiàn)一種稀土元素富磁化，及呈現(xiàn)一個比所述層高的居里溫度。
按照本發(fā)明，提供有一種用于磁光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)方法，磁光記錄介質(zhì)是一種多層結(jié)構(gòu)的磁性超級分辨率型磁光記錄盤，包括以如下順序重疊的至少一個記錄層、一個中間層、一個再現(xiàn)層及一個掩模層，并且?guī)в性趶较蛞灶A(yù)定軌道節(jié)距排列的多個記錄軌道，該再現(xiàn)方法把磁性記錄在每條軌道的記錄層中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)層，由此再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中在與盤表面垂直的方向上施加一個再現(xiàn)磁場的狀態(tài)下，用具有比軌道節(jié)距大的斑點直徑的光束掃描要讀的軌道，從而在要讀的軌道中的數(shù)據(jù)交換耦合到在兩個掩模區(qū)域之間限定的一個第一再現(xiàn)孔徑上，所述兩個掩模區(qū)域是在沿軌道方向上通過光束照射的溫度分布在再現(xiàn)層上前后產(chǎn)生的，并且數(shù)據(jù)通過在用于在磁盤徑向上控制第一再現(xiàn)孔徑的膨脹的掩模層中產(chǎn)生的一個第二再現(xiàn)孔徑，由此再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
而且，根據(jù)本發(fā)明提供有一種用于磁光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)設(shè)備，磁光記錄介質(zhì)是一種多層結(jié)構(gòu)的磁性超級分辨率型磁光記錄盤，包括以如下順序重疊的至少一個記錄層、一個中間層、一個再現(xiàn)層及一個掩模層，并且?guī)в性趶较蛞灶A(yù)定軌道節(jié)距排列的多個記錄軌道，該再現(xiàn)設(shè)備用來把磁性記錄在每條軌道的記錄層中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)層，由此再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中再現(xiàn)設(shè)備包括一個安裝裝置，與一個驅(qū)動機構(gòu)相連接，并且可旋轉(zhuǎn)地安裝磁光盤；一個磁場發(fā)生裝置，用來在一個在與安裝盤的表面垂直的方向上施加一個再現(xiàn)磁場；一個光學(xué)系統(tǒng)，用來把具有比軌道節(jié)距大的斑點直徑的再現(xiàn)光束照射到盤的掩模層側(cè)；及一個信號處理裝置，用來探測來自盤的再現(xiàn)光束的反射，并且把它調(diào)制成一個電信號，再現(xiàn)設(shè)備這樣再現(xiàn)數(shù)據(jù)，通過在與盤表面垂直的方向上施加一個再現(xiàn)磁場的狀態(tài)下，用具有比軌道節(jié)距大的斑點直徑的光束掃描要讀的軌道，從而把在要讀的軌道中的數(shù)據(jù)交換耦合到在兩個掩模區(qū)域之間限定的一個第一再現(xiàn)孔徑上，所述兩個掩模區(qū)域是在沿軌道方向上通過光束照射的溫度分布在再現(xiàn)層上前后產(chǎn)生的并且使數(shù)據(jù)通過為了在磁盤徑向控制第一再現(xiàn)孔徑的膨脹在掩模層中產(chǎn)生的一個第二再現(xiàn)孔徑。
又進一步，根據(jù)本發(fā)明提供有一種包括四個磁性層的磁光記錄介質(zhì)，這四個層包括一個掩模層、一個再現(xiàn)層、一個中間層及一個記錄層，其中再現(xiàn)層和記錄層每個在室溫下具有在層重疊方向上延伸的易磁化方向，掩模層和中間層每個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的一個易磁化方向，掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層分別具有居里溫度Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，它們滿足Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1的關(guān)系，并且中間層由表現(xiàn)出稀土元素富磁化的稀土過渡金屬制成，而掩模層在一定溫度下具有由在平面內(nèi)方向上的磁化的區(qū)域包圍的垂直方向上的磁化區(qū)域。


圖1是根據(jù)例1的一種介質(zhì)的示意剖視圖；圖2是根據(jù)例2的一種介質(zhì)的示意剖視圖；
圖3是根據(jù)例3的一種介質(zhì)的示意剖視圖；圖4是示意圖，表明在再現(xiàn)狀態(tài)下例1的介質(zhì)；圖5是示意圖，表明在再現(xiàn)狀態(tài)下例2的介質(zhì)；圖6是示意圖，表明在再現(xiàn)狀態(tài)下根據(jù)第五先有技術(shù)的一種介質(zhì)；圖7是曲線圖，表明在第五先有技術(shù)的介質(zhì)中發(fā)生的交擾的軌道節(jié)距依賴性；圖8是曲線圖，表明在本發(fā)明的介質(zhì)中發(fā)生的交擾的軌道節(jié)距依賴性；圖9是根據(jù)例4的一種介質(zhì)的示意剖視圖；圖10是示意圖，用來解釋在第五先有技術(shù)的介質(zhì)上進行的擦除操作的原理；圖11是示意圖，用來解釋在第五先有技術(shù)的介質(zhì)上進行的記錄操作的原理；圖12是示意圖，用來解釋在第五先有技術(shù)的介質(zhì)上進行的再現(xiàn)操作的原理；圖13是示意圖，用來解釋在第五先有技術(shù)的介質(zhì)上進行的再現(xiàn)操作的原理；圖14是解釋下軌(detrack)裕度的曲線圖；圖15是曲線圖，表明下軌裕度對于在掩模層中的Gd濃度的依賴性；圖16是曲線圖，表明CNR對于在掩模層中的Gd濃度的依賴性；圖17是曲線圖，表明CNR和下軌裕度對于在掩模層中的Gd濃度的依賴性；圖18是曲線圖，表明CNR和下軌裕度對于掩模層厚度的依賴性；圖19是曲線圖，表明當掩模層是單層時的磁性性質(zhì)；及圖20用來解釋根據(jù)本發(fā)明用于從磁光記錄介質(zhì)數(shù)據(jù)擦除和在其中數(shù)據(jù)記錄與再現(xiàn)的一種設(shè)備的一種結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
按照本發(fā)明，一種磁光記錄介質(zhì)包括一個掩模層、一個再現(xiàn)層、一個中間層及一個記錄層。再現(xiàn)層和記錄層每個在室溫下具有一個在層重疊的方向上延伸的易磁化方向，而掩模層和中間層每個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向。掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層分別具有居里溫度Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，它們滿足Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1的關(guān)系。
掩模層在轉(zhuǎn)移溫度區(qū)域中具有在與層垂直的方向上延伸的易磁化方向。易磁化方向在比轉(zhuǎn)移溫度區(qū)域低或高的溫度區(qū)域中改變到在平面內(nèi)方向上延伸。
在滿足上述關(guān)系的場合，有可能在再現(xiàn)期間適當?shù)乜刂蒲剀壍缹挾人鶞y到的(或者在介質(zhì)具有盤形的場合徑向測到的)一個孔徑的尺寸。因此，記錄介質(zhì)比具有三層結(jié)構(gòu)的第五先有技術(shù)更抗交擾，并且用于具有較小軌道節(jié)距的用途。因而，發(fā)明的記錄介質(zhì)與先有技術(shù)記錄介質(zhì)相比允許更高的密度記錄。
包括掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層的本發(fā)明磁光記錄介質(zhì)的四個磁性層最好每個由稀土過渡金屬合金組成。稀土過渡金屬合金的特定例子包括TbFeCo、GdFeCo、TbDyFeCo、TbGdFeCo、DyGdFeCo及GdFeCoSi。特別是最好各層是非晶合金層。根據(jù)各層居里溫度、各層厚度、及希望給與磁光記錄介質(zhì)特性的關(guān)系，可以適當?shù)卮_定在這些磁性層每一個中的稀土元素和過渡金屬的比例。
包括掩模層、再現(xiàn)層和中間層的三個磁性層每個最好由包含Gd的磁性材料組成。記錄層最好由包含Tb的磁性材料組成。
而且，包括掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層的四個磁性層可以按這種順序彼此交換耦合。要不然，包括再現(xiàn)層、中間層及記錄層的三個磁性層可以按這種順序彼此交換耦合，并且掩模層和再現(xiàn)層可以彼此磁性地耦合。在后一種情況下，一個非磁性層可以插入在掩模層與再現(xiàn)層之間以便靜磁耦合。非磁性層可以由在該技術(shù)中已知的材料，如SiN、SiO2、AlN、C或ZnS-SiO2組成。用于非磁性層的其它示范材料包括非磁性金屬和半導(dǎo)體，如Al、Al合金(AlTi、AlCr)、Pt、Au、Ag、Si和Ge。
可以提供一個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向的另外磁性層，以便交換耦合到掩模層上。磁性層的提供使得控制靠近平面內(nèi)方向的掩模層磁化的定向更容易。磁性層最好布置在再現(xiàn)層與掩模層之間。磁性層可以具有與再現(xiàn)層相同的成分，并且特別是最好包含Gd。
掩模層、再現(xiàn)層、中間層、記錄層、非磁性層及交換耦合到掩模層上的磁性層，每個通過諸如濺射方法之類的已知方法能形成具有一個預(yù)定厚度。
本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)包括一個典型用在這種技術(shù)中的基片，如塑料基片、玻璃基片或硅基片。相鄰掩模層或記錄層可以設(shè)置基片。在基片與掩模層之間可以設(shè)置一個諸如SiN、SiO2、AlN、SiAlO2或ZnS-SiO2之類的介電層。在與中間層相反的記錄層的一側(cè)上可以設(shè)置諸如SiN、SiO2、AlN、SiAlO2或ZnS-SiO2之類的另一個介電層，并且在介電層上可以設(shè)置諸如Al、AlCr、AlTi、Au、Ag或AgPdCu之類的散熱層。
下文參照附圖將解釋本發(fā)明的例子。
例1圖1是根據(jù)例1的一種磁光記錄介質(zhì)的示意剖視圖。如圖1中所示，記錄介質(zhì)的四個磁性層彼此交換耦合。更具體地說，記錄介質(zhì)包括一個聚碳酸酯基片1、及一個介電層(SiN層)2、一個掩模層3、一個再現(xiàn)層4、一個中間層5、一個記錄層6、一個介電層(SiN層)7和一個散熱層(AlTi層)8，這些層按這種順序疊置在基片1上。掩模層是一個15-nm厚的Gd28Fe48Co24層(設(shè)置在各元素后的數(shù)字每個指示一個原子百分比，并且這種定義在下文是相同的)，而再現(xiàn)層是一個30-nm厚的Gd25Fe62Co13層。中間層是一個40-nm厚的Gd31Fe69層，而記錄層是一個50-nm厚的Tb22Fe60Co18層。上述的掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層分別具有400℃、280℃、220℃及270℃的居里溫度。
具有上述構(gòu)造的介質(zhì)以如下方式生產(chǎn)。在濺射設(shè)備的一個腔室中設(shè)置SiN、GdFeCo、GdFe、TbFeCo及AlTi的靶。然后，在濺射設(shè)備中設(shè)置一個帶有以相同節(jié)距排列的凸臺和凹槽的1.2mm厚凸臺-凹槽基片。把在濺射設(shè)備中的腔室抽空到1×10-5Pa。同樣，把氬氣和氮氣引入到腔室中，從而以3∶2的部分壓力比值保持在0.4Pa的氣體壓力下。介電層(SiN層)2在上述條件下通過DC濺射方法形成為在基片1上具有70nm的厚度。
在把腔室再次抽空到1×10-5Pa之后，把氬氣引入到腔室中以便保持在0.8Pa下。然后，磁性層3至6通過DC濺射方法分別形成在生成基片上。
隨后，把腔室再次抽空到1×10-5Pa，并且然后把氬氣和氮氣引入到腔室中，從而以3∶2的部分壓力比值保持在0.4Pa的氣體壓力下。然后，介電層(SiN層)7通過DC濺射方法形成為在生成基片上具有30nm的厚度。
在把腔室再次抽空到1×10-5Pa之后，把氬氣引入到腔室中以便保持在0.8Pa下，并且散熱層(AlTi層)8通過DC濺射方法形成在生成基片上。
因而，得到圖1中所示的磁光記錄介質(zhì)。
例2圖2是根據(jù)例2的一種磁光記錄介質(zhì)的示意剖視圖。如圖2中所示，除掩模層之外的記錄介質(zhì)的三個磁性層彼此交換耦合，并且掩模層磁性耦合到一個再現(xiàn)層上。更具體地說，記錄介質(zhì)包括一個聚碳酸酯基片1、及一個介電層(SiN層)2、一個掩模層3、一個非磁性層(SiN層)9、一個再現(xiàn)層4、一個中間層5、一個記錄層6、一個介電層(SiN層)7和一個散熱層(AlTi層)8，這些層按這種順序疊置在基片1上。掩模層是一個20-nm厚的Gd28Fe47Co25層，而再現(xiàn)層是一個30-nm厚的Gd12Dy12Fe61Co15層。中間層是一個40-nm厚的(Gd30Fe67Co3)92Si8層，而記錄層是一個50-nm厚的Tb22Fe60Co18層。
對于具有上述構(gòu)造的介質(zhì)的生產(chǎn)，以與例1相同的方式形成除磁性層9之外的各層。非磁性層(SiN層)9的形成以如下方式實現(xiàn)。在把腔室抽空到1×10-5Pa之后，把氬氣和氮氣引入到腔室中，從而以3∶2的部分壓力比值保持在0.4Pa的氣體壓力下。然后，非磁性層通過DC濺射方法形成為具有3nm的厚度。
例3圖3是根據(jù)例3的一種磁光記錄介質(zhì)的示意剖視圖。如圖3中所示，記錄介質(zhì)具有與圖2中所示基本相同的構(gòu)造，但另外包括一個設(shè)置在掩模層3與非磁性層9之間要交換耦合到掩模層3上的磁性層10。更具體地說，記錄介質(zhì)包括一個聚碳酸酯基片1、及一個介電層(SiN層)2、一個掩模層3、一個磁性層10、一個非磁性層(Si層)9、一個再現(xiàn)層4、一個中間層5、一個記錄層6、一個介電層(SiN層)7和一個散熱層(AlTi層)8，這些層按這種順序疊置在基片1上。掩模層是一個20-nm厚的Gd30Fe45Co25層，而磁性層是一個10-nm厚的Gd15Fe85層。再現(xiàn)層是一個30-nm厚的Gd24Fe61Co15層。中間層是一個40-nm厚的(Gd30Fe67Co3)92Si8層，而記錄層是一個50-nm厚的Tb22Fe60Co18層。
對于具有上述構(gòu)造的介質(zhì)的生產(chǎn)，除了非磁性層具有5nm的厚度之外，以與例1和例2基本相同的方式形成除磁性層10之外的各層。除把GdFe用作靶之外，以與其它磁性層的形成基本相同的方式形成磁性層10。
在擦除、記錄及再現(xiàn)操作中例1至3的磁光記錄介質(zhì)的評價以上述方式生產(chǎn)的磁光記錄介質(zhì)的擦除、記錄及再現(xiàn)操作基本上以與在第五先有技術(shù)方法中相同的方式進行。在再現(xiàn)狀態(tài)下例1和2的磁光記錄介質(zhì)分別示意表示在圖4和5中。在再現(xiàn)狀態(tài)的第五先有技術(shù)記錄介質(zhì)示意表示在圖6中。在圖4至6中，平面圖表示在上側(cè)，而剖視圖表示在下側(cè)。標號12指示一個孔徑，而標號13、13a和13b分別指示一個掩模、一個前掩模及一個后掩模。標號15和A分別指示一個界面磁性壁和介質(zhì)運動方向。標號14指示一個再現(xiàn)磁場，該磁場這里在允許記錄的方向上施加。在圖4至6中，沒有表明基片、介電層及散熱層。
如能從圖4和5看到的那樣，本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)的掩模層3帶有一個借助于徑向變窄的孔徑斜向磁化的區(qū)域。與圖6中表示的沒有這種區(qū)域的第五先有技術(shù)記錄介質(zhì)相比，發(fā)明的記錄介質(zhì)抑制歸因于這個區(qū)域的磁化狀態(tài)的交擾，并且對于徑向交擾特別有抵抗力。對于交換耦合結(jié)構(gòu)(圖1)以及對于靜磁耦合結(jié)構(gòu)(圖2和3)已經(jīng)證實這種結(jié)果。
已經(jīng)證實，掩模層具有提供增強效應(yīng)的較大Kerr轉(zhuǎn)動角度，因為掩模層比再現(xiàn)層Co豐富。
在第五先有技術(shù)中，當激光束具有較低強度時，在再現(xiàn)激光束中的孔徑較小。因此，探測不到在相鄰軌道上的記錄標記，因為它們不處于磁化拷貝狀態(tài)。然而，當再現(xiàn)激光束具有較高強度時，在相鄰軌道上的記錄標記處于圖6中所示的磁化拷貝狀態(tài)，由此作為交擾探測。
而且，已經(jīng)證實，即使介電層不包括SiN，而只包括SiO2、AlN、C或ZnS-SiO2、或諸如Al、Al合金(AlTi、AlCr)、Pt、Au、Si或Ge之類的非磁性金屬或半導(dǎo)體，靜磁耦合結(jié)構(gòu)也提供上述效果。已經(jīng)證實，即使布置在掩模層與非磁性層之間的磁性層及中間層具有相同的成分，也能提供上述效果。而且，已經(jīng)證實，磁性層的使用使得控制上述區(qū)域的斜向磁化較容易，以提供用于介質(zhì)再現(xiàn)的較寬邊界。
在上述介質(zhì)上進行交擾的測量。結(jié)果表示在圖7和8中及表1中。在對于再現(xiàn)操作采用的測量儀器中，半導(dǎo)體激光束具有660nm的波長，而物鏡具有0.55的NA。光束斑點是具有1.0μm直徑的一般圓形，并且介質(zhì)以8m/s的圓周速度運動。以如下方式進行交擾的測量。沒有數(shù)據(jù)記錄在所研究的軌道上，而長標記數(shù)據(jù)記錄在與軌道相鄰的軌道上。為了測量交擾，確定從相鄰軌道泄漏到所研究軌道的信號(載波)和來自相鄰軌道的信號之間的差。信號由一個光譜分析儀器測量。
在第五先有技術(shù)的介質(zhì)中，不形成掩模層，而是通過使用與在例1中采用的相同的膜材料、成分和厚度構(gòu)造除掩模層之外的其它層。
對于第五先有技術(shù)介質(zhì)的測量結(jié)果表示在圖7中，其中把再現(xiàn)功率畫作橫坐標。如能看到的那樣，當增大再現(xiàn)功率時，由光束產(chǎn)生的熱量影響相鄰軌道而增加交擾。這里假定交擾的閾值-30dB。對于0.7μm的軌道節(jié)距Tp，允許再現(xiàn)的再現(xiàn)功率范圍是從其下開始再現(xiàn)的3.2mW到4.7mW，具有±18％的裕度。然而，對于0.6μm的軌道節(jié)距Tp，裕度非常小(±4％)。
在本發(fā)明的例1的介質(zhì)上以相同方式進行的測量結(jié)果表示在圖8中。即使對于0.6μm的軌道節(jié)距，也提供大于先有技術(shù)中的足夠裕度(±13％)。在具有不同軌道節(jié)距的例1至3的介質(zhì)上以相同方式進行的測量結(jié)果表示在表1中。
表1

根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)在任何條件下都提供比先有技術(shù)的介質(zhì)好的結(jié)果。
例4圖9是根據(jù)例4的磁光記錄介質(zhì)的示意剖視圖。如圖9中所示，記錄介質(zhì)基本上具有表示在圖1中的相同構(gòu)造，但另外包括設(shè)置在掩模層3與要交換耦合到掩模層3上的再現(xiàn)層4之間的一個磁性層10。更具體地說，記錄介質(zhì)包括一個聚碳酸酯基片1、及以下述順序重疊在基片1上的一個介電層(SiN層)2、一個掩模層3、一個磁性層10、一個再現(xiàn)層4、一個中間層5、一個記錄層6、一個介電層(SiN層)7和一個散熱層(AlTi層)8。掩模層是一個20-nm厚的Gd30Fe45Co25層，而磁性層是一個10-nm厚的Gd15Fe85層。再現(xiàn)層是一個30-nm厚的Gd24Fe61Co15層。中間層是一個40-nm厚的(Gd30Fe67Co3)92Si8層，而記錄層是一個50-nm厚的Tb22Fe60Co18層。
對于具有上述構(gòu)造的記錄介質(zhì)的生產(chǎn)，以與例1中相同的方式形成除磁性層10之外的各層。以與例3中相同的方式形成磁性層10。
確定如此得到的介質(zhì)的交擾特性。結(jié)果，介質(zhì)基本上具有與在例3中的相同的交擾特性。磁性層10可以由除GdFe之外的其它材料形成，例如諸如Gd、Fe、Co或Ni之類的鐵磁材料、或用于磁光用途的諸如TbFe、DyFe、TbFeCo、DyFeCo或GdFeCo之類的磁性材料。這樣的材料也能呈現(xiàn)與上述相同的效果。
例5為了定義在掩模層中Gd的最佳成分，進行如下測試。構(gòu)造每種具有在例1中采用的相同膜結(jié)構(gòu)的磁光記錄介質(zhì)，但通過使用各種靶執(zhí)行用來形成掩模層的濺射，從而改變在掩模層中的Gd成分。
介質(zhì)每種具有0.65μm的軌道節(jié)距，并且把在掩模層中的Co量固定到23.5原子％(下文僅稱作％)。激光斑點直徑是1μm。
圖15表示下軌裕度對于在掩模層中的Gd濃度的依賴性。圖16表示CNR(載波/噪聲比)對于在掩模層中的Gd濃度的依賴性。
圖14是用來解釋上述下軌裕度的曲線圖，表示發(fā)生在根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)中的交擾的下軌依賴性。下軌量(μm)畫在x軸上，而交擾量(dB)畫在y軸上。
下軌意味著激光斑點與軌道中心的位置偏差。沒有標記記錄在中心軌道中(要測量的軌道)，而在與所研究的軌道相鄰的軌道中記錄8T標記和8T空隙的序列信號(1.2μm的標記長度)。當把激光斑點照射到中心軌道上時，從相鄰軌道測量交擾。因而，如果激光斑點在軌道寬度的方向上移動，則交擾量逐漸增大，并且然后當它超過一定極限時，急劇升高。在中心軌道中，下軌量是0μm。
關(guān)于CNR，在中心軌道(要測量的)記錄2T標記和2T空隙的序列信號(0.3μm的標記長度)，而在與中心軌道相鄰的軌道中沒有記錄標記，及然后把激光斑點照射到用于CNR測量的中心軌道上。
在圖15中，x軸指示在掩模層中的Gd量，而y軸指示下軌裕度(±μm)。下軌裕度表示為+與-值之間的平均值。從其中沒有形成掩模層的上述第五先有技術(shù)介質(zhì)導(dǎo)出位于在±0.08μm下軌裕度處的橫向線RAD。在另一方面，從其中改變在掩模層中的Gd量的例5的介質(zhì)導(dǎo)出一條曲線MRAD，這指示當Gd量升高到25.7％或更大時，下軌裕度增大。因而，呈現(xiàn)掩模層的效果。
在圖16中，位于在44.5dB的CNR處的橫向線RAD指示第五先有技術(shù)介質(zhì)的特性，而曲線MRAD表示從根據(jù)例5的介質(zhì)所得到的。
由下軌裕度和CNR的測量結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在掩模層中Gd的最佳成分范圍是25.7％或更大至29.7％或更小。
例6形成介質(zhì)，使得在掩模層中的Gd量固定到27.5％，而改變在掩模層中的Co量。然后，測量在掩模層中Co的最佳成分范圍。
在圖17中，x軸指示Co量(％)，而y軸指示下軌裕度(±μm)和CNR(dB)。
位于在±0.08μm下軌裕度處的橫向線RAD指示第五先有技術(shù)介質(zhì)的特性，而曲線MRAD表示從根據(jù)例6的介質(zhì)得到的。如在圖中看到的那樣，根據(jù)例6的介質(zhì)具有與先有技術(shù)介質(zhì)兩倍大的裕度。
而且，關(guān)于CNR，位于在44.5dB的CNR處的橫向線RAD表示第五先有技術(shù)介質(zhì)的特性，而曲線MRAD表示從根據(jù)例6的介質(zhì)所得到的。當Co量減小到約20％時，CNR變壞。
由這些特性，發(fā)現(xiàn)Co的最佳成分范圍是20％或更大至30％或更小。
例7在具有各種厚度的掩模層的介質(zhì)上進行對于掩模層最佳厚度的研究。以與例1中相同的方式形成除掩模層之外的其它層。因而，把再現(xiàn)層的厚度固定到30nm。
在圖18中，把掩模層的厚度(nm)畫在x軸上，而把下軌裕度(±μm)畫在y軸上。
根據(jù)圖18，由第五先有技術(shù)介質(zhì)導(dǎo)出水平線RAD，而曲線MRDA表示根據(jù)例7的介質(zhì)的特性。
當掩模層的厚度增大時，改進下軌裕度和CNR特性，但當厚度成為21nm或更大時，CNR特性變壞。
由以上結(jié)果，發(fā)現(xiàn)掩模層的最佳厚度是1nm或更大至21nm或更小，或者是再現(xiàn)層厚度的3-67％。
圖19表示具有單層掩模層的介質(zhì)的磁性質(zhì)，其中把Kerr轉(zhuǎn)動角度(°)畫在y軸上，而把施加的磁場H(kOe)畫在x軸上。
在圖19中，虛線、實線及雙點劃線分別表示在30℃、150℃和250℃下的特性。
圖19指示在低和高溫(30℃和250℃)下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向的掩模層，而把易磁化方向變成在150℃下的垂直方向上延伸150℃是在過渡溫度區(qū)域周圍的一個溫度。
關(guān)于在根據(jù)本發(fā)明的磁性超級分辨率介質(zhì)中除掩模層之外的其它層，可以使用如下材料。
再現(xiàn)層可以是表現(xiàn)出過渡金屬富磁化的一層GdFeCo或GdDyFeCo膜，并且具有在垂直方向上延伸的易磁化方向。中間層可以是表現(xiàn)稀有元素富磁化的一層GdFe、GdFeCo或GdFeCo(Si)膜，并且在室溫(10℃-35℃)下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向。記錄層可以是表現(xiàn)出過渡金屬富磁化的一層TbFeCo膜，并且具有在垂直方向上延伸的易磁化方向。
再現(xiàn)層、中間層及記錄層在室溫下分別具有8-100emu/cc、140-250emu/cc和50-150emu/cc的飽和磁化。
而且，再現(xiàn)層、中間層和記錄層分別具有240-350℃、160-270℃和240-350℃的居里溫度。
圖20表示用來記錄、再現(xiàn)和擦除在根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)的一個例子。
圖20表明一種磁光記錄/再現(xiàn)設(shè)備30，其中由一個主軸電機31在恒轉(zhuǎn)動速度下轉(zhuǎn)動根據(jù)以上例子的記錄介質(zhì)32。向介質(zhì)32上，從一個激光二極管33照射激光束。激光束由一個準直透鏡34轉(zhuǎn)換成平行光束，透過一個半反射鏡35，由一個物鏡36收集，及然后控制成聚焦在記錄層上。激光二極管33由在一個激光驅(qū)動裝置37中的脈沖調(diào)制裝置調(diào)節(jié)，從而得到高和低電平的輸出。借助于這種裝置，按照要記錄的數(shù)據(jù)把激光束調(diào)制成脈沖。然后，一個偏置磁場施加裝置37′把一個預(yù)定值的向上直流磁場施加到包括光束斑點的記錄介質(zhì)的一個區(qū)域上，由此記錄數(shù)據(jù)。通過施加一個向下磁場和照射一個預(yù)定輸出的激光能擦除數(shù)據(jù)。一個控制器38控制磁場施加和激光輸出。
對于數(shù)據(jù)再現(xiàn)，按照來自控制器38的指令由來自激光驅(qū)動裝置37的直流驅(qū)動激光二極管33，由此照射激光束，并且施加一個具有與用于記錄的磁場方向相同的再現(xiàn)磁場。
通過激光束的照射，由溫度分布產(chǎn)生一個掩模區(qū)域13和一個孔徑12，如以上參照圖4解釋的那樣。從這些區(qū)域反射的光的路徑由半反射鏡35偏置，并且然后由一個透鏡39收集以進入一個光電探測器40。來自光電探測器40的信號由控制器38處理，由此再現(xiàn)具有合適CNR的記錄數(shù)據(jù)。
在以上描述中，給出對光調(diào)制模式的數(shù)據(jù)記錄/擦除/再現(xiàn)的解釋。然而，本發(fā)明不限于此。例如，有可能保持激光輸出恒定和由裝在偏置磁場施加裝置中的脈沖調(diào)制裝置進行磁場的脈沖調(diào)制。
盡管在以上例子中激光入射在基片1上，但本發(fā)明不限于此，并且基片1可以形成在散熱層8上，從而激光束進入掩模層側(cè)。
按照本發(fā)明，在再現(xiàn)期間能適當?shù)乜刂蒲剀壍缹挾人鶞y量的孔徑的尺寸。因此，發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)比具有一種三層結(jié)構(gòu)的第五先有技術(shù)的記錄介質(zhì)對交擾更有抵抗力，并且用于具有較小軌道節(jié)距的用途。因而，發(fā)明的記錄介質(zhì)允許用于比先有技術(shù)記錄介質(zhì)高的密度。
權(quán)利要求
1.一種磁光記錄介質(zhì)，它包括一個記錄層、一個中間層及一個再現(xiàn)層，其中把數(shù)據(jù)從記錄層轉(zhuǎn)移到沿再現(xiàn)層掃描方向通過經(jīng)光束斑點掃描的溫度分布而產(chǎn)生的兩個掩模區(qū)域之間的一個孔徑上，由此讀出數(shù)據(jù)，其中一個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向的掩模層形成在再現(xiàn)層上，掩模層在由光束斑點給出的溫度分布下，具有用來控制在沿掃描方向前后產(chǎn)生的兩個掩模區(qū)域之間的孔徑的橫向膨脹的磁性性質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中掩模層表現(xiàn)出在由光束斑點照射給出的預(yù)定再現(xiàn)溫度區(qū)域中在垂直于層的方向上延伸的易磁化方向，并且表現(xiàn)出在比再現(xiàn)溫度區(qū)域低或高的溫度區(qū)域中的平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向。
3.一種磁光記錄介質(zhì)，包括至少一個記錄層、一個中間層及一個再現(xiàn)層并且在磁性超級分辨率模式中再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中一個按照由在再現(xiàn)期間照射的光束給出的溫度分布出現(xiàn)的掩模區(qū)域、和一個用來控制由掩模區(qū)域限定的一個再現(xiàn)孔徑的膨脹的掩模層形成在再現(xiàn)層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁光記錄介質(zhì)，其中掩模層由具有在室溫下在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向的稀土過渡金屬GdFeCo制成，其中以26≤Gd≤30的原子百分比包含Gd并且以20≤Co≤30的原子百分比包含Co。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁光記錄介質(zhì)，其中掩模層具有比記錄層、中間層及再現(xiàn)層高的居里溫度，在由光束給出的再現(xiàn)溫度區(qū)域中表現(xiàn)出幾乎垂直的磁滯特性，并且在比再現(xiàn)溫度區(qū)域低和高的溫度區(qū)域中呈現(xiàn)出傾斜磁滯特性。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項所述的磁光記錄介質(zhì)，其中掩模層的厚度在再現(xiàn)層厚度的3至67％的范圍內(nèi)。
7.一種磁光記錄介質(zhì)，它包括一個記錄層，由TbFeCo制成，具有在垂直于層的方向上延伸的一個易磁化方向，并且表現(xiàn)出過渡金屬富磁化；一個中間層，由GdFeCo、GdFeCoSi或GdFe制成，在室溫下具有一個在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向，并且表現(xiàn)出稀土元素富磁化；一個再現(xiàn)層，由GdFeCo或GdDyFeCo制成，具有在垂直于層的方向上延伸的一個易磁化方向，并且表現(xiàn)出過渡金屬富磁化；各層以這種順序重疊，其中一個由GdFeCo制成、形成在再現(xiàn)層上的掩模層，在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向，表現(xiàn)出一種稀土元素富磁化，及呈現(xiàn)一個比所述層高的居里溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁光記錄介質(zhì)，其中構(gòu)成掩模層的GdFeCo包含原子百分比范圍為26至30原子％的Gd，并且具有在室溫與居里溫度之間的補償溫度。
9.一種用于磁光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)方法，磁光記錄介質(zhì)是一種多層結(jié)構(gòu)的磁性超級分辨率型磁光記錄盤，包括以如下順序重疊的至少一個記錄層、一個中間層、一個再現(xiàn)層及一個掩模層，并且?guī)в性趶较蛞灶A(yù)定軌道節(jié)距排列的多個記錄軌道，該再現(xiàn)方法把磁性記錄在每條軌道的記錄層中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)層，由此再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中在與盤表面垂直的方向上施加一個再現(xiàn)磁場的狀態(tài)下，用具有比軌道節(jié)距大的斑點直徑的光束掃描要讀的軌道，從而在要讀的軌道中的數(shù)據(jù)被交換耦合到在兩個掩模區(qū)域之間限定的一個第一再現(xiàn)孔徑上，所述兩個掩模區(qū)域是在沿軌道方向通過光束照射的溫度分布在再現(xiàn)層上前后產(chǎn)生的，并且數(shù)據(jù)通過在用于在磁盤徑向上控制第一再現(xiàn)孔徑的膨脹的掩模層中產(chǎn)生的一個第二再現(xiàn)孔徑，由此再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
10.一種用于磁光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)設(shè)備，磁光記錄介質(zhì)是一種多層結(jié)構(gòu)的磁性超級分辨率型磁光記錄盤，包括以如下順序重疊的至少一個記錄層、一個中間層、一個再現(xiàn)層及一個掩模層，并且?guī)в性趶较蛞灶A(yù)定軌道節(jié)距排列的多個記錄軌道，該再現(xiàn)設(shè)備用來把磁性記錄在每條軌道的記錄層中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)層，由此再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中再現(xiàn)設(shè)備包括一個安裝裝置，與一個驅(qū)動機構(gòu)相連接，并且可旋轉(zhuǎn)地安裝磁光盤；一個磁場發(fā)生裝置，用來在一個在與安裝盤的表面垂直的方向上施加一個再現(xiàn)磁場；一個光學(xué)系統(tǒng)，用來把具有比軌道節(jié)距大的斑點直徑的再現(xiàn)光束照射到盤的掩模層側(cè)；及一個信號處理裝置，用來探測來自盤的再現(xiàn)光束的反射，并且把它調(diào)制成一個電信號，再現(xiàn)設(shè)備這樣再現(xiàn)數(shù)據(jù)，通過在與盤表面垂直的方向上施加一個再現(xiàn)磁場的狀態(tài)下，用具有比軌道節(jié)距大的斑點直徑的光束掃描要讀的軌道，從而把在要讀的軌道中的數(shù)據(jù)交換耦合到在兩個掩模區(qū)域之間限定的一個第一再現(xiàn)孔徑上，所述兩個掩模區(qū)域是在沿軌道方向上通過光束照射的溫度分布在再現(xiàn)層上前后產(chǎn)生的，并且使數(shù)據(jù)通過在用于在磁盤徑向控制第一再現(xiàn)孔徑的膨脹的掩模層中產(chǎn)生的一個第二再現(xiàn)孔徑。
11.一種包括四個磁性層的磁光記錄介質(zhì)，這四個層包括一個掩模層、一個再現(xiàn)層、一個中間層及一個記錄層，其中再現(xiàn)層和記錄層每個在室溫下具有在層重疊方向上延伸的易磁化方向，掩模層和中間層每個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的一個易磁化方向，掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層分別具有居里溫度Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，它們滿足Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1的關(guān)系，并且中間層由表現(xiàn)出稀土元素富磁化的稀土過渡金屬制成，而掩模層在一定溫度下具有由在平面內(nèi)方向上的磁化區(qū)域包圍的垂直方向上的磁化區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁光記錄介質(zhì)，其中掩模層由其中包含原子百分比范圍為26至30原子％的Gd和原子百分比范圍為20≤Co≤30原子％的Co的GdFeCo制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的磁光記錄介質(zhì)，進一步包括在掩模層與中間層之間設(shè)置的非磁性層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁光記錄介質(zhì)，其中非磁性層由從包括SiN、SiO2、AlN、C、ZnS-SiO2、Al、AlTi、AlCr、Pt、Au、Ag、Si和Ge的組選擇的一種材料組成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項所述的磁光記錄介質(zhì)，進一步包括在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的易磁化方向并且交換耦合到掩模層上的一個磁性層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁光記錄介質(zhì)，其中磁性層包含Gd。
17.根據(jù)權(quán)利要求11至16任一項所述的磁光記錄介質(zhì)，其中包括掩模層、再現(xiàn)層及中間層的三個磁性層每個包含Gd。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁光記錄介質(zhì)及其再現(xiàn)方法，所述磁光記錄介質(zhì)能夠抵抗交擾和實現(xiàn)能夠進行小節(jié)距應(yīng)用的高密度記錄。磁光記錄介質(zhì)包括一種磁性4層結(jié)構(gòu)，一個掩模層、一個再現(xiàn)層、一個中間層及一個記錄層，其特征在于，再現(xiàn)層和記錄層在室溫下具有在層疊方向上延伸的易磁化軸，掩模層和中間層每個在室溫下具有在平面內(nèi)方向上延伸的一個易磁化軸，當掩模層、再現(xiàn)層、中間層及記錄層的居里溫度分別是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，滿足關(guān)系Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1，并且中間層是一個稀土為主的磁性層。
文檔編號G11B11/105GK1462436SQ01816046
公開日2003年12月17日 申請日期2001年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月26日
發(fā)明者田中努, 三原基伸, 玉野井健 申請人:富士通株式會社