專利名稱：光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用激光可進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)與記錄的光盤。
傳統(tǒng)的以大容量化為目標(biāo)的光盤結(jié)構(gòu)，例如規(guī)定為DVD-RAM標(biāo)準(zhǔn)(ecma-272)。DVD-RAM標(biāo)準(zhǔn)中，作為不可重寫的ROM(readonly memory)區(qū)域的讀入?yún)^(qū)和可寫入的RAM(random-accessmemory)區(qū)域的軌道間距均為0.74μm，和DVD-ROM標(biāo)準(zhǔn)(ecma-267)相同。在讀入?yún)^(qū)中所有的軌道上都記錄有數(shù)據(jù)。
如此，設(shè)定ROM區(qū)和RAM區(qū)的軌道間距相同，可使跟蹤控制的控制方法相同。
另一方面，這樣ROM區(qū)的軌道間距和RAM區(qū)的軌道間距相同，且在所有軌道上都記錄有數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)中會產(chǎn)生以下的問題。
例如，存在這樣的問題即使通過記錄膜材料的改良或記錄方法的改善有可能使RAM區(qū)記錄密度的高密度化、窄軌化，由于受到ROM區(qū)的可讀取的軌道間距限制，也不能使RAM區(qū)的軌道間距變窄。
并且，如果為了提高RAM區(qū)的記錄密度，而只縮小RAM區(qū)的軌道間距，就會發(fā)生RAM區(qū)和ROM區(qū)的軌道間距的差別，產(chǎn)生不能使跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一的問題。
本發(fā)明的目的是克服傳統(tǒng)技術(shù)中的不足，提供一種即使當(dāng)RAM區(qū)的記錄密度被高密度化且窄化軌道的場合，也可以使ROM區(qū)和RAM區(qū)的軌道間距保持相同，可統(tǒng)一兩個(gè)區(qū)域的跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
為達(dá)到所述目的，本發(fā)明的光盤是含有不可重寫的ROM區(qū)和可寫入的RAM區(qū)的光盤，其特征在于，ROM區(qū)的軌道間距和RAM區(qū)的軌道間距實(shí)質(zhì)上相同，且ROM區(qū)的數(shù)據(jù)是每隔一個(gè)軌道寫入。再有，軌道間距實(shí)質(zhì)相同是指ROM區(qū)和RAM區(qū)的軌道間距相同，或者ROM區(qū)和RAM區(qū)的軌道間距即使有差異，而該差異也在單一的跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)的容許范圍內(nèi)的狀態(tài)。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，即使進(jìn)行RAM區(qū)的軌道窄化，ROM區(qū)的數(shù)據(jù)的實(shí)質(zhì)軌道間距還是成為RAM區(qū)的軌道間距的兩倍，在能可靠讀出數(shù)據(jù)的同時(shí)，可以使ROM區(qū)和RAM區(qū)的跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)相同。
圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光盤的伺服區(qū)的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的光盤的伺服區(qū)的從反射光得到的信號波形圖。
圖4(a)表示本發(fā)明實(shí)施例2的光盤的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖4(b)是表示實(shí)施例2的光盤的軌道結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖5(a)是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光盤的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖5(b)是表示實(shí)施例3的光盤的軌道結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖6(a)是表示本發(fā)明實(shí)施例4的光盤的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖6(b)是表示實(shí)施例4的光盤的軌道結(jié)構(gòu)的說明圖。
本發(fā)明的理想的實(shí)施方式中，作為含有不可重寫的ROM區(qū)和可寫入的RAM區(qū)的光盤，ROM區(qū)的軌道間距和RAM區(qū)的軌道間距實(shí)質(zhì)上相同，且ROM區(qū)的數(shù)據(jù)在每隔一個(gè)軌道寫入的同時(shí)，可以在ROM區(qū)的軌道上的指定位置設(shè)置用以向相鄰軌道轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移區(qū)。如此，即使進(jìn)行軌道窄化也可以可靠地讀出ROM區(qū)的數(shù)據(jù)，同時(shí)可以使跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)在ROM區(qū)和RAM區(qū)相同。并且，由于在指定位置上重復(fù)轉(zhuǎn)移動(dòng)作，可避免無謂地跟蹤ROM區(qū)的無記錄軌道。
并且，在本發(fā)明的另一理想實(shí)施方式中，作為含有不可重寫的ROM區(qū)和可寫入?yún)^(qū)的RAM區(qū)的光盤，ROM區(qū)的軌道間距和RAM區(qū)的軌道間距實(shí)質(zhì)上相同，且ROM區(qū)的數(shù)據(jù)每隔一個(gè)軌道寫入，同時(shí)可以使ROM區(qū)的軌道形成雙重螺旋結(jié)構(gòu)。如此，即使進(jìn)行軌道窄化也可以可靠地讀出ROM區(qū)的數(shù)據(jù)，同時(shí)，可以使跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)在ROM區(qū)和RAM區(qū)相同。并且，通過ROM區(qū)的雙重螺旋結(jié)構(gòu)可連續(xù)讀取數(shù)據(jù)。
另外，本發(fā)明的另一理想實(shí)施方式中，作為含有不可重寫的ROM區(qū)和可寫入?yún)^(qū)的RAM區(qū)的光盤，ROM區(qū)的軌道間距和RAM區(qū)的軌道間距實(shí)質(zhì)上相同，且ROM區(qū)的數(shù)據(jù)每隔一個(gè)軌道寫入，同時(shí)可以使所有軌道形成為雙重螺旋結(jié)構(gòu)。如此，即使進(jìn)行軌道窄化也能可靠地讀出ROM區(qū)的數(shù)據(jù)，同時(shí)可以使跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)在ROM區(qū)和RAM區(qū)相同。而且，由于ROM區(qū)的雙重螺旋結(jié)構(gòu)，可以連續(xù)讀取每隔一個(gè)軌道的數(shù)據(jù)；同時(shí)由于RAM區(qū)也是雙重螺旋結(jié)構(gòu)，可以使ROM區(qū)和RAM區(qū)的連接點(diǎn)的軌道連續(xù)形成，且可在區(qū)域間平滑地移動(dòng)。
下面結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1(a)與圖1(b)表示本發(fā)明的光盤的實(shí)施例1。圖1(a)中，1表示光盤，該存儲面是沿徑向改變距離分為讀入?yún)^(qū)11和RAM區(qū)10。4表示光盤1上沿徑向排列的伺服區(qū)，根據(jù)該伺服區(qū)可檢測出跟蹤誤差信號，其詳細(xì)情況在后面用圖2與圖3說明。
如圖1(b)所示，光盤1上的軌道成為跟蹤誤差信號的極性相互不同的A軌道2A與B軌道2B以AB軌道轉(zhuǎn)換位置5作為連接點(diǎn)交互連接的螺旋狀結(jié)構(gòu)。該軌道結(jié)構(gòu)與軌道間距在讀入?yún)^(qū)11和RAM區(qū)10中相同。而且在讀入?yún)^(qū)11中，數(shù)據(jù)(讀入數(shù)據(jù)3)只記錄在A軌道2A上，B軌道2B由于有在伺服區(qū)4，所以不記錄數(shù)據(jù)。
再有，最好使讀入?yún)^(qū)11和RAM區(qū)10的軌道間距相等，但讀入?yún)^(qū)11和RAM區(qū)10的軌道間距即使有差異，只要該差異在單一的跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)的容許范圍內(nèi)即可。例如，讀入?yún)^(qū)11和RAM區(qū)10的軌道間距對標(biāo)準(zhǔn)的軌道間距在約5％以內(nèi)的誤差范圍即可。但是，該數(shù)值說到底只是一個(gè)實(shí)施例，并不限定本發(fā)明。例如在RAM區(qū)的記錄密度被高密度化、進(jìn)而被窄軌化的光盤的場合，使讀入?yún)^(qū)11和RAM區(qū)10的軌道間距在單一的跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)的容許范圍內(nèi)的條件下，可以規(guī)定為任意數(shù)值范圍。
圖2表示構(gòu)成伺服區(qū)4的結(jié)構(gòu)圖，圖3是伺服區(qū)中再現(xiàn)信號的波形。如圖2所示，在沿著光盤1上的徑向形成的伺服區(qū)4上形成用以生成時(shí)鐘信號的時(shí)標(biāo)坑40和用以生成跟蹤誤差信號的第一與第二偏擺坑41、42。時(shí)標(biāo)坑40配置在所有軌道的中間，而第一與第二偏擺坑41、42則是交互地配置在徑向上A軌道2A和B軌道2B的分界線上。照射在光盤1的光束，沿圖2的箭頭所示的方向移動(dòng)的場合，由反射光檢測出的信號為圖3所示的波形。從時(shí)標(biāo)坑40的定時(shí)檢測出第一與第二偏擺坑41、42的末端值(W1，W2)，并將其差值作為跟蹤誤差信號。但是，追蹤A軌道2A的場合和追蹤B軌道2B的場合之間的跟蹤誤差信號(TE)成為互逆極性(TEA和TEB)。
如對如上所述結(jié)構(gòu)的光盤1進(jìn)行再現(xiàn)，則在讀入?yún)^(qū)11中讀入數(shù)據(jù)3的輸出為每隔一轉(zhuǎn)進(jìn)行，但是由于與讀入數(shù)據(jù)3被記錄的軌道(A軌道2A)相鄰的軌道(B軌道2B)上沒有數(shù)據(jù)記錄，讀入數(shù)據(jù)3的軌道間距成為兩倍，可大幅減少串音(crosstalk)。并且，由于在RAM區(qū)10和讀入?yún)^(qū)11中跟蹤誤差信號的形成方法與軌道間距相同，能夠以完全相同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行跟蹤控制。
總之，根據(jù)本實(shí)施例，可提高RAM區(qū)10的記錄密度，并且即使在進(jìn)行大幅窄化軌道的場合，也可使光盤1上所有區(qū)域的軌道間距相同，且通過采用光盤1上徑向排列的伺服區(qū)4進(jìn)行跟蹤誤差的檢測，可使RAM區(qū)10和讀入?yún)^(qū)11的跟蹤控制完全相同。
并且，根據(jù)在讀入?yún)^(qū)11中每隔一個(gè)軌道記錄讀入數(shù)據(jù)3的結(jié)構(gòu)，可大幅減少讀入?yún)^(qū)11再現(xiàn)時(shí)的串音。
圖4表示本發(fā)明的光盤的實(shí)施例2。如圖4(a)所示，本實(shí)施例相關(guān)的光盤1在讀入?yún)^(qū)12的一部分上有再現(xiàn)時(shí)用以從B軌道2B向A軌道2A轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移區(qū)7。如圖4(b)中放大所示，轉(zhuǎn)移區(qū)7緊接設(shè)于AB軌道轉(zhuǎn)換位置5之后。該轉(zhuǎn)移區(qū)7中，在B軌道2B上完全沒有記錄數(shù)據(jù)，在A軌道2A上沒有記錄必須讀出的數(shù)據(jù)。除轉(zhuǎn)移區(qū)7以外的結(jié)構(gòu)部分和圖1所示的實(shí)施例1相同，不再重復(fù)說明。
如果對如上所述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的光盤1進(jìn)行再現(xiàn)，則當(dāng)讀入?yún)^(qū)12中記錄數(shù)據(jù)的A軌道2A(例如2AL0)一結(jié)束，并進(jìn)入B軌道2B(2BL1)時(shí)，則立刻檢測AB軌道轉(zhuǎn)換位置5的通過并在該時(shí)刻向光盤1的外側(cè)開始一條軌道的轉(zhuǎn)移動(dòng)作，移動(dòng)到下一條A軌道2A(例如2AL1)。如上所述，由于在轉(zhuǎn)移區(qū)7的區(qū)間中A軌道2A上沒有記錄讀入數(shù)據(jù)3，只要適當(dāng)設(shè)置轉(zhuǎn)移區(qū)7的長度，以使轉(zhuǎn)移動(dòng)作約束在該轉(zhuǎn)移區(qū)7內(nèi)，就可從最前面再現(xiàn)轉(zhuǎn)移后的A軌道2A中記錄的讀入數(shù)據(jù)3，從而不會發(fā)生數(shù)據(jù)的跳讀。而且，和實(shí)施例1一樣，再現(xiàn)數(shù)據(jù)的軌道間距成為兩倍，可大幅減少串音，同時(shí)由于RAM區(qū)10和讀入?yún)^(qū)12中跟蹤誤差信號的形成方法與軌道間距相同，能夠以完全相同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行跟蹤控制。
總之，根據(jù)本實(shí)施例，可提高RAM區(qū)10的記錄密度，并且即使在進(jìn)行大幅窄化軌道的場合，也可使光盤1上所有區(qū)域的軌道間距相同，且通過采用光盤1上徑向排列的伺服區(qū)4進(jìn)行跟蹤誤差的檢測，可使RAM區(qū)10和讀入?yún)^(qū)12的跟蹤控制完全相同。
并且，通過每隔一個(gè)軌道記錄讀入?yún)^(qū)12的讀入數(shù)據(jù)3的結(jié)構(gòu)，可大幅減少讀入?yún)^(qū)12再現(xiàn)時(shí)的串音。
而且，通過在讀入?yún)^(qū)12上設(shè)置轉(zhuǎn)移區(qū)7，可有效地讀取記錄讀入數(shù)據(jù)3的A軌道2A，而無跳讀現(xiàn)象。
再說明本發(fā)明的光盤的實(shí)施例3。本實(shí)施例相關(guān)的光盤1如圖5(a)與圖5(b)所示，RAM區(qū)10的軌道結(jié)構(gòu)和圖1所示的實(shí)施例1相同，但是讀入?yún)^(qū)13沒有AB軌道轉(zhuǎn)換位置5，形成記錄讀入數(shù)據(jù)3的A軌道6A和沒有記錄數(shù)據(jù)的B軌道6B分別連續(xù)連接的雙重螺旋結(jié)構(gòu)。除讀入?yún)^(qū)13的軌道結(jié)構(gòu)以外的結(jié)構(gòu)部分和圖1所示的實(shí)施例1相同，不再重復(fù)說明。
如果對如上所述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的光盤1進(jìn)行再現(xiàn)，如在讀入?yún)^(qū)13中對記錄了數(shù)據(jù)的A軌道6A進(jìn)行跟蹤，可連續(xù)地讀出數(shù)據(jù)，且不會發(fā)生在無記錄部分的等待狀態(tài)或向相鄰軌道的轉(zhuǎn)移動(dòng)作，可高速穩(wěn)定地讀出數(shù)據(jù)。并且，和實(shí)施例1一樣，再現(xiàn)數(shù)據(jù)的軌道間距成為兩倍，可大幅減少串音，同時(shí)由于RAM區(qū)10和讀入?yún)^(qū)13中跟蹤誤差信號的形成方法與軌道間距相同，能夠以完全相同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行跟蹤控制。
總之，根據(jù)本實(shí)施例，可提高RAM區(qū)10的記錄密度，并且即使在進(jìn)行大幅窄化軌道的場合，也可使光盤1上所有區(qū)域的軌道間距相同，且通過采用光盤1上徑向排列的伺服區(qū)4進(jìn)行跟蹤誤差的檢測，可使RAM區(qū)10和讀入?yún)^(qū)13的跟蹤控制完全相同。
并且，根據(jù)每隔一個(gè)軌道記錄讀入?yún)^(qū)13的讀入數(shù)據(jù)3的結(jié)構(gòu)，可大幅減少讀入?yún)^(qū)13再現(xiàn)時(shí)的串音。
而且，通過使讀入?yún)^(qū)13的軌道結(jié)構(gòu)成為A軌道與B軌道的雙重螺旋結(jié)構(gòu)，可連續(xù)讀出數(shù)據(jù)。
再說明本發(fā)明的光盤的實(shí)施例4。在圖6(a)與圖6(b)中，讀入?yún)^(qū)13的軌道結(jié)構(gòu)和圖5(a)與圖5(b)所示的實(shí)施例3相同，RAM區(qū)14和讀入?yún)^(qū)13同樣沒有AB軌道轉(zhuǎn)換位置5，形成跟蹤誤差信號的極性相互不同的A軌道6A和B軌道6B分別連續(xù)連接的雙重螺旋結(jié)構(gòu)。除RAM區(qū)14的軌道結(jié)構(gòu)以外的結(jié)構(gòu)部分和圖5(a)與圖5(b)所示的實(shí)施例3相同，不再重復(fù)說明。
如果對上所述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的光盤1進(jìn)行再現(xiàn)，和實(shí)施例3一樣，當(dāng)在讀入?yún)^(qū)13中記錄數(shù)據(jù)的A軌道6A上正在跟蹤的情況下，可連續(xù)地讀出數(shù)據(jù)，且不會發(fā)生對無記錄部分的等待狀態(tài)或向相鄰軌道的轉(zhuǎn)移動(dòng)作，可高速穩(wěn)定地讀出數(shù)據(jù)。并且，由于RAM區(qū)14的軌道6A、6B也構(gòu)成雙重螺旋結(jié)構(gòu)，因此，讀入?yún)^(qū)13和RAM區(qū)14的連接點(diǎn)的軌道結(jié)構(gòu)成為連續(xù)的，可在區(qū)域間的平滑移動(dòng)。而且，和實(shí)施例1一樣，再現(xiàn)數(shù)據(jù)的軌道間距成為兩倍，可大幅減少串音，同時(shí)由于RAM區(qū)14和讀入?yún)^(qū)13中跟蹤誤差信號的形成方法與軌道間距相同，能夠以完全相同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行跟蹤控制。
總之，根據(jù)本實(shí)施例，可提高RAM區(qū)14的記錄密度，并且即使在進(jìn)行大幅窄化軌道的場合，也可使光盤1上所有區(qū)域的軌道間距相同，且通過采用光盤1上徑向排列的伺服區(qū)4進(jìn)行跟蹤誤差的檢測，可使RAM區(qū)14和讀入?yún)^(qū)13的跟蹤控制完全相同。
并且，根據(jù)每隔一個(gè)軌道記錄讀入?yún)^(qū)13的讀入數(shù)據(jù)3的結(jié)構(gòu)，可大幅減少讀入?yún)^(qū)13再現(xiàn)時(shí)的串音。
而且，通過使讀入?yún)^(qū)13的軌道結(jié)構(gòu)成為A軌道與B軌道的雙重螺旋結(jié)構(gòu)，可連續(xù)讀出數(shù)據(jù)。
再有，通過使RAM區(qū)14的軌道結(jié)構(gòu)也成為A軌道與B軌道的雙重螺旋結(jié)構(gòu)，區(qū)域間連接點(diǎn)的軌道結(jié)構(gòu)連續(xù)并可在區(qū)域間平滑移動(dòng)。
在以上所述的四個(gè)實(shí)施例中，伺服區(qū)4在光盤1上的所有區(qū)域中都相同，但也可以在RAM區(qū)10、14和讀入?yún)^(qū)11～13中形成不同結(jié)構(gòu)，本發(fā)明并不對這種結(jié)構(gòu)加以限定。例如，也可以在RAM區(qū)10中用溝痕進(jìn)行跟蹤誤差的檢測，而在讀入?yún)^(qū)13中通過坑痕進(jìn)行跟蹤誤差的檢測。
并且，在所述的四個(gè)實(shí)施例中，讀入?yún)^(qū)11～13在比RAM區(qū)10、14更內(nèi)側(cè)的位置形成，但也可以把讀入?yún)^(qū)11～13形成于最外邊，或形成于RAM區(qū)10、14的中間位置，本發(fā)明并不對這種結(jié)構(gòu)加以限定。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明，可提供一種即使在提高了光盤上RAM區(qū)的記錄密度的場合，也能使讀入?yún)^(qū)和RAM區(qū)的軌道間距保持相同，進(jìn)而使跟蹤控制相同，并大幅減少讀入?yún)^(qū)再現(xiàn)時(shí)的串音的光盤。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)有不可重寫的ROM區(qū)和可寫入的RAM區(qū)的光盤，其特征在于所述ROM區(qū)的軌道間距和所述RAM區(qū)的軌道間距實(shí)質(zhì)上相同；所述ROM區(qū)的數(shù)據(jù)每隔一個(gè)軌道寫入。
2.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于所述光盤上的軌道中，跟蹤誤差信號的極性不同的A軌道與B軌道以規(guī)定的半徑位置作為連接點(diǎn)相互連接。
3.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于所述ROM區(qū)的軌道上還設(shè)有用以沿徑向向相鄰的軌道轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的光盤，其特征是，所述轉(zhuǎn)移區(qū)中A軌道與B軌道均未寫入有效的數(shù)據(jù)。
5.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于所述ROM區(qū)的軌道為雙重螺旋結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的光盤，其特征在于所述RAM區(qū)的軌道也是雙重螺旋結(jié)構(gòu)。
全文摘要
在含有可寫入的RAM區(qū)(10)和不可重寫的讀入?yún)^(qū)(11)的光盤(1)中，讀入?yún)^(qū)(11)的軌道間距和RAM區(qū)域(10)的軌道間距實(shí)質(zhì)上相同，在該讀入?yún)^(qū)(11)中跟蹤誤差信號的極性相互不同的A軌道(2A)與B軌道(2B)之中，由于僅在A軌道(2A)上形成讀入數(shù)據(jù)(3)可寫入的結(jié)構(gòu)，從而大幅改善讀入?yún)^(qū)(11)的串音，并使RAM區(qū)域(10)和讀入?yún)^(qū)(11)的跟蹤控制標(biāo)準(zhǔn)相同。
文檔編號G11B7/007GK1466753SQ01816299
公開日2004年1月7日 申請日期2001年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月27日
發(fā)明者吉川昭, 井上貴司, 司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社