專利名稱：磁盤及磁錄放裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤和磁錄放裝置，更具體地說，涉及以高錄制密度為特征的磁盤和磁錄放裝置。
背景技術(shù)：
硬質(zhì)型磁錄放裝置現(xiàn)正追隨減小磁盤直徑、減少錄放裝置的尺寸和重量、增大錄制密度的趨向。磁盤的錄制密度變得愈大，磁盤與磁頭之間的距離(或浮動間隙)就會變得愈小?？梢灶A(yù)期，在最近的將來，錄放將在磁頭與磁盤完全接觸的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)。那時(shí)，磁盤將會承受嚴(yán)格得多的滑動條件。另一方面，增大錄制密度要求更小的浮動間隙和更光滑的磁盤表面(對穩(wěn)定浮動而言)。其后果是，磁頭滑動器(支托著磁頭)在磁盤上滑動(保持與之接觸)的時(shí)間較以前為長(以下將這種狀態(tài)下的滑動稱之為接觸滑動)，在啟動時(shí)磁盤會承受較以前為大的動摩擦和磨耗，并在磁頭和磁盤之間產(chǎn)生出極限靜摩擦(以下稱為靜摩擦力)。由于接觸滑動引起的動摩擦力增大的結(jié)果是偶爾會發(fā)生磁盤破碎和磁頭磨損，這時(shí)就不能錄放。更有甚者，很大的靜摩擦?xí)勾疟P不能啟動并使磁盤頭損壞。
為了解決上述問題，已經(jīng)開發(fā)出了一種具有兩個(gè)分開的區(qū)域的新型磁盤，其中一個(gè)區(qū)域是當(dāng)磁盤靜止時(shí)停放磁頭滑動器的，當(dāng)磁盤開停時(shí)，它又經(jīng)受接觸開機(jī)和接觸停機(jī)；其中另一個(gè)區(qū)域是當(dāng)磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)由磁頭實(shí)現(xiàn)錄放的。(前一區(qū)域稱為接觸開停(CSS)區(qū)，后一區(qū)域稱為信息區(qū)。)通常把CSS區(qū)做在磁盤的內(nèi)圈，并把它的表面弄粗糙，以防止靜摩擦。與此相反，信息區(qū)的表面則被弄平滑，以確保磁頭的平穩(wěn)浮動。具有CSS區(qū)和信息區(qū)的磁盤需要有特殊的潤滑膜和潤滑技術(shù)工藝。例如日本專利公開No.36277/1994就公開了一種防止靜摩擦的方法，它是借助于在CSS區(qū)內(nèi)滑動器軌面上做成突起部(約5nm高)的辦法來實(shí)現(xiàn)的。另外，日本專利公開No.111292/1994還公開了在CSS區(qū)使用液態(tài)潤滑劑和在信息區(qū)使用固態(tài)潤滑劑的方法。這些現(xiàn)有技術(shù)工藝涉及做成CSS區(qū)和信息區(qū)的磁盤上所采用的潤滑膜，而潤滑膜則在某種程度上可實(shí)現(xiàn)對CSS區(qū)和信息區(qū)所要求的滑動特性。CSS區(qū)的潤滑膜與信息區(qū)的潤滑膜之間在要求上有明顯的區(qū)別，這是因?yàn)樵谶@兩個(gè)區(qū)域中磁頭-磁盤滑動的狀態(tài)是不相同的。在CSS區(qū)，借助于把磁盤表面弄粗糙有可能稍微減小靜摩擦，但由于磁盤啟動和停止時(shí)會發(fā)生接觸滑動，因此需有非常耐久的潤滑膜。而在信息區(qū)，磁盤的表面必須是粗糙度很小，而且潤滑膜的靜摩擦應(yīng)當(dāng)很低。其理由是當(dāng)磁頭滑動器位于信息區(qū)而磁盤突然停止時(shí)(由于某種意外情況)，磁頭滑動器可能會與信息區(qū)接觸(引起強(qiáng)烈的靜摩擦)。因此CSS區(qū)潤滑膜在潤滑性能上必須與信息區(qū)的潤滑膜相區(qū)別。
現(xiàn)在磁盤使用的潤滑劑是含有能吸附到磁盤表面上去的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物。這種潤滑劑導(dǎo)致形成一層潤滑膜，該膜系由牢固地吸附到磁盤表面的膜層和吸附得很弱或不吸附到磁盤表面的膜層構(gòu)成。牢固吸附的潤滑層當(dāng)磁盤被用全氟化碳溶劑沖洗時(shí)是不會從磁盤上分離開的。但另一方面，吸附得很弱的潤滑層卻可用沖洗的辦法很容易地從磁盤上分離開來。但是，該吸附得很弱的潤滑層在需要有良好耐久性的CSS區(qū)起著重要的作用，因?yàn)闉榱私⑵鸱€(wěn)定的摩擦狀態(tài)，在滑動時(shí)需要有一部分潤滑劑轉(zhuǎn)移到磁頭滑動器的滑動面上去。在CSS區(qū)如果沒有這層吸附得很弱的潤滑層，就不可能保持滿意的可靠性。與此相反，信息區(qū)卻要求很低的靜摩擦，因?yàn)樵谝馔馔煌Ｖ写蓬^與信息區(qū)接觸時(shí)必須避免潤滑劑粘著在磁頭與磁盤的間隙中，同時(shí)還必須避免磁頭在搜索時(shí)過分擦傷潤滑劑。因此，易于在磁盤表面移動的弱吸附層就對靜摩擦起反作用，不利于耐久性?；谶@一理由，弱吸附層必須盡可能地小。如果在磁盤的整個(gè)表面上使用普通吸附型的潤滑劑，而單獨(dú)把信息區(qū)進(jìn)行沖洗以除去弱吸附層，則隨之而來的必定是信息區(qū)的潤滑膜厚度減小。現(xiàn)在，在信息區(qū)發(fā)生接觸滑動的機(jī)會要遠(yuǎn)小于CSS區(qū)；但是，在磁頭浮動間隙更減小的將來的磁盤裝置上，即使在信息區(qū)也會有更多的機(jī)會在磁頭與磁盤之間發(fā)生接觸滑動。因此，不久的將來，就會要求信息區(qū)具有很好的耐久性。這意味著，信息區(qū)的潤滑膜必須有足夠的厚度，以承受偶爾發(fā)生的接觸滑動。
以上所述的現(xiàn)有技術(shù)工藝并未完全解決這些技術(shù)問題。日本專利公開No.111292/1994所公開的工藝是借助于在CSS區(qū)加涂液態(tài)潤滑劑，而在信息區(qū)加涂固態(tài)潤滑劑的辦法來使兩個(gè)區(qū)域都各自達(dá)到要求的潤滑特性。這項(xiàng)工藝由于形成潤滑劑膜需要復(fù)雜的方法而深受困擾。日本專利公開No.53027/1992所公開的工藝借助于把信息區(qū)的潤滑膜做得比CSS區(qū)的潤滑膜薄來保證信息區(qū)具有低的靜摩擦和CSS區(qū)具有很好的耐久性。但是，這項(xiàng)工藝并不令人滿意，因?yàn)樾畔^(qū)的潤滑膜必須保持一定的厚度才能保證良好的耐久性?，F(xiàn)在，還沒有有效的手段來保證做成CSS區(qū)和信息區(qū)的磁盤具有令人滿意的滑動可靠性。
本發(fā)明完全解決了現(xiàn)有技術(shù)工藝中存在的上述問題。本發(fā)明的目的是提供有效的方法來保證做成CSS區(qū)和信息區(qū)的磁盤具有令人滿意的滑動可靠性。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供使用該首創(chuàng)方法制造出的高性能的磁盤和磁錄放裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的磁盤的特征是以下述的獨(dú)特方法在其上面形成的潤滑層。在磁盤的信息區(qū)內(nèi)，弱吸附的潤滑層做得盡可能小，以保證低的靜摩擦，但潤滑膜卻做得足夠厚，以承受(磁頭與磁盤之間)偶爾可能發(fā)生的接觸滑動。這項(xiàng)目的是借助于使用能強(qiáng)烈吸附于磁盤表面的潤滑劑或者在隨后處理所涂的潤滑劑的辦法來達(dá)到的。在磁盤的CSS區(qū)內(nèi)形成不易導(dǎo)致靜摩擦的弱吸附潤滑層，以保證滿意的耐久性，并考慮到潤滑劑能容易移動到磁頭滑動器上這一事實(shí)。本發(fā)明公開了下述的磁盤、生產(chǎn)磁盤的方法、以及磁錄放裝置。
本發(fā)明的第一內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑膜，該膜含有選自下述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物R1-X-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-X-R2(I)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-X-R3(II)F-(CF(CF3)-CF2-O)n-CF(CF3)-X-R4(III)(式中m和n為整數(shù)；R1、R2、R3和R4為烴鏈；X為二價(jià)結(jié)合基)該潤滑膜是由一種能牢固固結(jié)到保護(hù)膜表面上的潤滑劑和另一種在保護(hù)膜表面上固結(jié)得很弱的潤滑劑組成，在CSS區(qū)形成的潤滑膜中所含有的弱固結(jié)潤滑劑的量不少于CSS區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％，在信息區(qū)形成的潤滑膜中所含有的弱固結(jié)潤滑劑的量則少于信息區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％。
本發(fā)明的第二內(nèi)容涉及上述第一內(nèi)容中所定義的磁盤，該磁盤的特征在于，潤滑膜是由一種能牢固固結(jié)到保護(hù)膜表面上的潤滑劑和另一種在保護(hù)膜表面固結(jié)得很弱的潤滑劑組成，前者是不會被全氟化碳溶劑沖洗掉，后者是能被全氟化碳溶劑沖洗掉。
本發(fā)明的第三內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上，整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)表面或信息區(qū)用紫外線照射，隨后CSS區(qū)用全氟化碳溶劑沖洗，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第四內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上，整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)表面或信息區(qū)用紫外線照射；整個(gè)磁盤表面用全氟化碳溶劑沖洗；隨后CSS區(qū)用選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟化碳化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第五內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上；整個(gè)磁盤表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)表面或信息區(qū)用紫外線照射；整個(gè)磁盤表面被用全氟化碳溶劑沖洗；隨后信息區(qū)用選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能與該保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟化碳化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第六內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物，該種化合物中含有能與保護(hù)膜表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)；該潤滑劑涂覆在整個(gè)磁盤的表面上；整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)表面或信息區(qū)用紫外線照射；整個(gè)磁盤的表面用全氟化碳溶液沖洗；隨后信息區(qū)用選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能與該保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟化碳化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第七內(nèi)容涉及一種制造磁盤的方法，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層、保護(hù)層和潤滑層，該方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層的CSS區(qū)，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層的信息區(qū)，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；在整個(gè)磁盤的保護(hù)層表面上加涂一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；把整個(gè)磁盤的表面加熱到高于80℃或者用紫外線照射整個(gè)磁盤的表面或信息區(qū)；以及用全氟化碳溶劑沖洗CSS區(qū)，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第八內(nèi)容涉及一種制造如第七內(nèi)容所定義的磁盤的方法，其中還包括在用全氟化碳溶劑沖洗整個(gè)磁盤表面后，還用選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的并含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆CSS區(qū)，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第九內(nèi)容涉及一種制造如第七內(nèi)容所定義的磁盤的方法，其中還包括在用全氟化碳溶劑沖洗整個(gè)磁盤的表面以后，還涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的并含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第十內(nèi)容涉及一種制造如第七方面所定義的磁盤的方法，其中還包括在把整個(gè)磁盤表面加溫到高于80℃或用紫外線照射后，還在整個(gè)磁盤的表面上涂覆含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物，該化合物是選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物；另外，在用全氟化碳溶劑沖洗信息區(qū)后，還涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第十一內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑膜，膜中含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；該潤滑膜是由一種能牢固固結(jié)到保護(hù)膜表面上的潤滑劑和另一種與保護(hù)膜表面固結(jié)得很弱的潤滑劑組成；在CSS區(qū)形成的潤滑膜中所含的弱固結(jié)潤滑劑的量不少于CSS區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％，在信息區(qū)形成的潤滑膜中所含的弱固結(jié)潤滑劑的量則少于信息區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％，這樣，就使得在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第十二內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑膜，膜中含有選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上；整個(gè)磁盤的表面都被加熱到高于80℃或者整個(gè)表面或信息區(qū)用紫外線照射；CSS區(qū)隨后用全氟化碳溶劑沖洗，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，而在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第十三內(nèi)容涉及一種如第十二內(nèi)容所定義的磁錄放裝置，其特征在于，磁盤的信息區(qū)在用全氟化碳溶劑沖洗后，被涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第十四內(nèi)容涉及一種如第十二內(nèi)容所定義的磁錄放裝置，其特征在于，在磁盤的信息區(qū)被用全氟化碳溶劑沖洗后，整個(gè)磁盤表面被涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第十五內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；在整個(gè)磁盤的保護(hù)膜表面涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物以后，把整個(gè)磁盤的表面加熱到高于80℃或者用紫外線照射整個(gè)磁盤表面或信息區(qū)；在整個(gè)磁盤表面上涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物；并且在用全氟化碳溶劑沖洗信息區(qū)以后，涂覆選自上述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物的含有能起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm；并使在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦力和動摩擦力分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第十六內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該整個(gè)磁盤表面的保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自下述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中至少一種化合物；
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)F(CF(CF3)-CF2O)n-CF(CF3)-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(V)(C2H5O)3Si-C3H6-NHCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(VI)C6H5-O-C6H4-H3N+-OCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(VII)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-CH2OH (VIII)HO-CH2-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CH2OH (IX)HO-(CH2CH2-O)p-CH2CF2-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-OCF2CH2(O-CH2CH2)q-OH (X)F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XI)F(CF(CF3)-CF2O)n-CF(CF3)-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XII) (式中m、n、p和q為整數(shù))，整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或信息區(qū)用紫外線照射；隨后CSS區(qū)用全氟化碳溶劑沖洗，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第十七內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該整個(gè)磁盤表面的保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中至少一種化合物；整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或信息區(qū)用紫外線照射；整個(gè)磁盤的表面用全氟化碳溶劑沖洗；而CSS區(qū)用選自上述以化學(xué)式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于1nm。
本發(fā)明的第十八內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(VIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上；整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)磁盤表面或信息區(qū)用紫外線照射；隨后信息區(qū)用全氟化碳溶劑沖洗，并將信息區(qū)用選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第十九內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物，該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上；整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)磁盤表面或信息區(qū)用紫外線照射；整個(gè)磁盤的保護(hù)膜表面用選自上述以化學(xué)式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆；隨后信息區(qū)用全氟化碳溶劑沖洗，并將信息區(qū)用選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物進(jìn)行涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第二十內(nèi)容涉及一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物，該潤滑劑被涂覆在整個(gè)磁盤的表面上；整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)磁盤表面或信息區(qū)用紫外線照射，隨后CSS區(qū)用全氟化碳溶劑沖洗，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第二十一內(nèi)容涉及一種制造磁盤的方法，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層、保護(hù)層和潤滑層，該方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層的CSS區(qū)，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層的信息區(qū)，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；在整個(gè)磁盤的保護(hù)層表面上加涂一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；將整個(gè)磁盤的表面加熱到高于80℃或者用紫外線照射整個(gè)磁盤的表面或信息區(qū)，并用全氟化碳溶劑沖洗整個(gè)磁盤的表面；以及用選自上述以化學(xué)式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆CSS區(qū)，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第二十二內(nèi)容涉及一種制造磁盤的方法，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層、保護(hù)層和潤滑層，該方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層的CSS區(qū)，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層的信息區(qū)，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；在整個(gè)磁盤的保護(hù)層表面上加涂一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；將整個(gè)磁盤的表面加熱到高于80℃或者用紫外線照射整個(gè)磁盤的表面或信息區(qū)；并用全氟化碳溶劑沖洗整個(gè)磁盤的表面；以及用選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)層表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆信息區(qū)，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第二十三內(nèi)容涉及一種制造磁盤的方法，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層、保護(hù)層和潤滑層，該方法包括制成具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層的CSS區(qū)，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；制成具有表面粗糙度小于或等于Ra 3nm的保護(hù)層的信息區(qū)，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；在整個(gè)磁盤的保護(hù)層表面上加涂一層潤滑劑，該潤滑劑含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的化合物；將整個(gè)磁盤的表面加熱到高于80℃或者用紫外線照射整個(gè)磁盤的表面；用選自以化學(xué)式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆整個(gè)磁盤的表面；以及用全氟化碳溶劑沖洗信息區(qū)，并用選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物加以涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm。
本發(fā)明的第二十四內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra 3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂過一層潤滑膜，膜中含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；隨后整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)磁盤的表面或信息區(qū)用紫外線照射，并用全氟聚醚溶劑沖洗信息區(qū)，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，而在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第二十五內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層加涂有一層潤滑膜，膜中含有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；隨后整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)磁盤表面或信息區(qū)用紫外線照射；并用全氟化碳溶劑沖洗整個(gè)磁盤表面，CSS區(qū)則用選自上述以化學(xué)式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，而在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第二十六內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；整個(gè)磁盤的保護(hù)層加涂有選自上述以化學(xué)式(IV)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；隨后整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者整個(gè)磁盤表面或信息區(qū)用紫外線照射；并用全氟化碳溶劑沖洗信息區(qū)；信息區(qū)還用選自上述以化學(xué)式(VI)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于1nm，并使在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，而在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第二十七內(nèi)容涉及一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的晶種層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度大于或等于Ra10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度小于或等于Ra3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；整個(gè)磁盤的保護(hù)層加涂有選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種含有能與保護(hù)層起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的化合物；隨后整個(gè)磁盤的表面被加熱到高于80℃或者用紫外線照射；整個(gè)磁盤的表面用選自上述以化學(xué)式(VII)至(XIII)表示的全氟聚醚化合物的含有吸附性官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆；并用全氟化碳溶劑沖洗信息區(qū)；信息區(qū)用選自上述以化學(xué)式(IV)至(VI)表示的全氟聚醚化合物的含有能與保護(hù)膜表面起化學(xué)反應(yīng)的官能團(tuán)的全氟聚醚化合物涂覆，以使在CSS區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1.5nm，在信息區(qū)形成的潤滑膜的厚度大于或等于1nm，并使在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，而在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
本發(fā)明的第二十八內(nèi)容涉及一種如第一內(nèi)容所定義的磁盤，其直徑為小于或等于88.9mm。
本發(fā)明的第二十九內(nèi)容涉及一種如第七內(nèi)容所定義的磁盤，其直徑為小于或等于88.9mm。
本發(fā)明的第三十內(nèi)容涉及一種如第十一內(nèi)容所定義的磁盤，其直徑為小于或等于88.9mm。
按照本發(fā)明，CSS區(qū)有潤滑層，它是由牢固固結(jié)的潤滑劑和固結(jié)得很弱的潤滑劑組成，以便保證良好的耐久性，而信息區(qū)也有潤滑層，它主要是由牢固固結(jié)的潤滑劑組成，以便降低靜摩擦。信息區(qū)的(弱固結(jié)潤滑劑)潤滑層需有一定的厚度，以使能耐受接觸滑動，這是由于近來減小了浮動間隙，在信息區(qū)也是可能偶然發(fā)生接觸滑動的。為此，不僅必須選用含有能起化學(xué)反應(yīng)的或吸附性的官能團(tuán)的潤滑劑，或者借助于加熱或紫外線處理來增加能牢固固結(jié)的潤滑劑的潤滑層厚度，而且還要在信息區(qū)涂覆兩次。相反，在CSS區(qū)如果弱固結(jié)潤滑劑數(shù)量很少的話，也可用潤滑劑涂覆兩次。這樣結(jié)構(gòu)的潤滑層可使信息區(qū)和CSS區(qū)展現(xiàn)出可靠的磁盤和磁盤裝置所要求的滿意滑動性能。
附圖簡述

圖1示出本發(fā)明實(shí)施例1所制造的磁盤的透視圖以及CSS區(qū)和信息區(qū)之間的邊界的斷面圖。
圖2為做CSS試驗(yàn)和靜摩擦試驗(yàn)的設(shè)備簡圖。
圖3為本發(fā)明實(shí)施方案的磁錄放裝置的斷面圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳模式下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作更詳細(xì)的描述，這些實(shí)施例不應(yīng)限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1在表面鏡面拋光的鋁合金基片(直徑3.5英寸)上依次地用噴射法涂上NiP晶種層(厚10μm)、Cr層(厚0.5μm)、Co-Cr-Pt層(厚60nm)和碳保護(hù)層(厚20nm)以制備成磁盤。該磁盤的一個(gè)區(qū)域(半徑15-20mm)上用靜電涂覆了一層氟化樹脂顆粒(粒徑0.5μm)。磁盤的整個(gè)表面用氧進(jìn)行了蝕刻(10nm深)。用水沖洗除去氟化樹脂顆粒。用這樣的方法就在覆蓋半徑15至20mm的區(qū)域內(nèi)形成均勻的圓柱形突出物(直徑0.5μm)。在該區(qū)域形成了CSS區(qū)，其中心線平均粗糙度為Ra15nm，并在另外的區(qū)域形成了光滑的信息區(qū)，其中心線平均粗糙度為Ra1.2nm。
然后，磁盤被浸入(為了涂覆)溶液(1)中，該溶液(1)是在含氟化物溶劑(“PF5052”，Sumitomo 3M有限公司生產(chǎn))中溶入0.01％(重量)的以下述化學(xué)式(IV)表示的全氟聚醚化合物而形成F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)
浸漬涂覆的條件如下浸入溶液的速度10mm/s在溶液中的停留時(shí)間180s從溶液取出的速度2.5mm/s在被涂覆的磁盤完全干燥后，就被在100℃下加熱2小時(shí)。這一熱處理會引起全氟聚醚化合物(IV)與保護(hù)層的表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因此牢固地固結(jié)到磁盤的表面上。隨后，磁盤被浸入(為了以上述同樣方法進(jìn)行涂覆)溶液(2)中，溶液(2)是在含氟化物溶劑(“PF5052”，Sumitomo 3M有限公司生產(chǎn))中溶入0.001％(重量)的以下述化學(xué)式(XI)表示的全氟聚醚化合物而形成F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XI)在涂覆過的磁盤完全干燥后，其信息區(qū)用上述的全氟化碳溶劑沖洗。沖洗是用旋轉(zhuǎn)器旋轉(zhuǎn)磁盤(1000轉(zhuǎn)/分)，同時(shí)向信息區(qū)噴射溶劑(50ml/分)來完成。(另一種沖洗方法是把信息區(qū)浸入溶劑中而旋轉(zhuǎn)磁盤。)這樣獲得的磁盤，其CSS區(qū)具有與磁盤表面起過化學(xué)反應(yīng)的潤滑層。該潤滑層是由牢固固結(jié)層和全氟聚醚化合物(XI)的弱固結(jié)層組成。此外，磁盤的信息區(qū)具有幾乎全部由全氟聚醚化合物(IV)構(gòu)成的牢固固結(jié)潤滑層。信息區(qū)和CSS區(qū)的潤滑層厚度分別為2.2nm和2.7nm。圖1示出本實(shí)施例所制備出的磁盤的外貌。圖3為顯示CSS區(qū)和信息區(qū)之間的邊界3的斷面圖。
噴射過的磁盤在下列條件下經(jīng)過了用圖2所示的裝置進(jìn)行的接觸開停(CSS)試驗(yàn)和靜摩擦試驗(yàn)。
被測試的磁盤7被套在(并用磁盤壓緊器9固定)心軸8上，心軸直接與該裝置底部的電動機(jī)連接。磁頭滑動器12是一字排列式(in linetypc)(用Al2O3TiC制造的20T型)，它的滑軌表面是在磁盤的轉(zhuǎn)動方向上與磁盤接觸。磁頭滑動器12固定在支撐臂13上，支撐臂則與測力傳感器10連接。測力傳感器10固定在臺架11上，臺架11能沿徑向移動，因此就有可能對每個(gè)音軌進(jìn)行測試。測力傳感器10可測出磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)在磁頭滑動器12與磁盤之間發(fā)生的摩擦力。
在測試CSS區(qū)時(shí)，磁盤以很短的間隔時(shí)間重復(fù)啟動和停止(達(dá)100,000次)。在CSS循環(huán)次數(shù)為1、50、100、500、1000、5000、10000和10000的整倍數(shù)以后，都把磁盤停下，讓磁頭與磁盤接觸2秒鐘，而磁盤則以10轉(zhuǎn)/分的速度轉(zhuǎn)動。測定在此時(shí)間內(nèi)的最大動摩擦力。同時(shí)，記下發(fā)生磁盤劃損的CSS循環(huán)次數(shù)。所謂磁盤劃損是指碳保護(hù)層(作為潤滑層的襯底)完全損壞、磁性層暴露的狀態(tài)。磁盤劃損會現(xiàn)出可見的磨損裂痕。當(dāng)磁盤劃損出現(xiàn)時(shí)，試驗(yàn)就暫停。在磁盤劃損出現(xiàn)在10000次循環(huán)以內(nèi)的情況下，最大動摩擦力即以磁盤劃損前的CSS循環(huán)數(shù)下測得的最大動摩擦系數(shù)表示。磁盤的最大轉(zhuǎn)速為5400轉(zhuǎn)/分，磁頭載荷為3.0g。磁盤在磁頭浮動下(因?yàn)榇蓬^在信息區(qū)通常是處于浮動狀態(tài))運(yùn)轉(zhuǎn)20小時(shí)。為了預(yù)期磁盤的意外突停，還使磁盤按一定間隔停轉(zhuǎn)(在試驗(yàn)開始后4、8、12、16和20小時(shí))。就象在CSS區(qū)的測試一樣，把磁頭放到接觸位置2秒鐘，然后磁盤在10轉(zhuǎn)/分的速度下運(yùn)轉(zhuǎn)，這時(shí)就可測出最大動摩擦力。磁盤的表面應(yīng)經(jīng)常檢查磨損裂痕，一旦發(fā)生劃損，試驗(yàn)應(yīng)立即暫停。
靜摩擦可用以下方法測量。把磁頭滑動器保持與磁盤接觸12小時(shí)，磁盤被慢速轉(zhuǎn)動。在剛開始轉(zhuǎn)動時(shí)所發(fā)生的極限靜摩擦力即可被測出。在測量時(shí)，CSS區(qū)和信息區(qū)都用的是負(fù)載3g和磁盤轉(zhuǎn)速1轉(zhuǎn)/分。測量結(jié)果示于表1中。
表1

比較例1展示出磁盤單獨(dú)涂覆全氟聚醚化合物(IV)的效果。實(shí)施例1的信息區(qū)和CSS區(qū)都給出了滿意的CSS試驗(yàn)和靜摩擦試驗(yàn)結(jié)果，而比較例1的信息區(qū)靜摩擦偏低、CSS區(qū)在接觸開停試驗(yàn)中發(fā)生了磁盤劃損。比較例2展示出在依次涂覆了全氟聚醚化合物(IV)和全氟聚醚化合物(XI)后信息區(qū)未進(jìn)行沖洗的影響。在此情況下，CSS區(qū)是滿意的，但信息區(qū)經(jīng)受到強(qiáng)的靜摩擦。
實(shí)施例2重復(fù)實(shí)施例1用噴射方法制備磁盤。磁盤在與實(shí)施例1相同條件下被浸入溶液，該溶液是在與實(shí)施例1相同的含氟化物溶劑中溶入0.005％(重量)的以下述化學(xué)式(VI)表示的全氟聚醚化合物(VI)而形成。浸涂后即在120℃下進(jìn)行熱處理10分鐘，并用上述同樣的含氟化物溶劑沖洗整個(gè)磁盤的表面。潤滑層的厚度為0.75nm。
(C2H5O)3Si-C3H6-NHCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(VI)
以下述化學(xué)式(VIII)表示的氟基潤滑劑(VIII)被溶在上述含氟化物溶劑中而形成0.007％(重量)的溶液。
F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-CH2OH(VIII)按實(shí)施例1同樣的方法用該溶液進(jìn)行涂覆，并如上述那樣用同一種含氟化物溶劑單獨(dú)只沖洗信息區(qū)。使用旋轉(zhuǎn)器再次在信息區(qū)涂覆一層上述0.005％(重量)的全氟聚醚化合物(VI)溶液。信息區(qū)和CSS區(qū)潤滑層的厚度分別為1.96nm和1.84nm。
該實(shí)施例所形成的潤滑層在與實(shí)施例1相同的條件下測試了CSS性能和靜摩擦性能。測試結(jié)果示于表1中。該實(shí)施例的CSS特性和靜摩擦特性都優(yōu)于比較例3，在比較例3中未再次涂覆全氟聚醚化合物(VI)。對比之下，比較例3雖然CSS區(qū)的試驗(yàn)結(jié)果與本實(shí)施例一致，但其信息區(qū)卻出現(xiàn)了磨損裂痕。這很可能是因?yàn)榇蓬^在磁盤轉(zhuǎn)動的情況下在信息區(qū)浮動時(shí)與磁盤相接觸(因?yàn)楦娱g隙很小)。比較例3的不良結(jié)果是由于信息區(qū)的潤滑層的厚度不足以保持足夠的耐久性。
實(shí)施例3重復(fù)實(shí)施例1用噴射方法制備磁盤。磁盤在與實(shí)施例1同樣條件下被浸入溶液，該溶液是在與實(shí)施例1相同的含氟化物溶劑中溶入0.005％(重量)的以下述化學(xué)式(XIII)表示的全氟聚醚化合物(XIII)而形成。浸涂后即在110℃下進(jìn)行熱處理2小時(shí)，并用上述同樣的含氟化物溶劑沖洗整個(gè)磁盤的表面。潤滑層的厚度為0.8nm。
將以下述化學(xué)式(VII)表示的全氟聚醚化合物(VII)溶入上述含氟化物溶劑中配成0.007％(重量)的溶液。
C6H5-O-C6H4-H3N+-OCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(VII)按實(shí)施例1同樣的方法用該溶液進(jìn)行浸涂，并只單獨(dú)把信息區(qū)加熱到110℃持續(xù)2小時(shí)，然后用上述同樣的含氟化物溶劑沖洗。信息區(qū)和CSS區(qū)的潤滑層厚度分別為1.85和2.31nm。本實(shí)施例所形成的潤滑層按實(shí)施例1的同樣方法測試CSS性能和靜摩擦性能。測試結(jié)果示于表1中。本實(shí)施例的CSS性能和靜摩擦性能都優(yōu)于比較例4，比較例4在涂覆全氟聚醚化合物后沒有沖洗信息區(qū)。對比之下，比較例4的CSS區(qū)與本實(shí)施例一致，但信息區(qū)卻發(fā)生了很強(qiáng)的靜摩擦。
實(shí)施例4實(shí)施例1中所制備的磁盤安裝到圖3所示的磁錄放裝置(3.5英寸磁盤適用)上。在運(yùn)行中切斷該裝置的電源，以使磁頭停止在信息區(qū)內(nèi)，并讓該裝置停放24小時(shí)。在重新啟動時(shí)，磁盤仍可正常錄放。用比較例5中所制備的磁盤也進(jìn)行了上述同樣的試驗(yàn)。但此時(shí)因磁頭滑動器與磁盤信息區(qū)之間具有強(qiáng)的靜摩擦而不能重新啟動。
比較例1按實(shí)施例1用噴射方法制備磁盤。磁盤在與實(shí)施例1同樣條件下被浸入溶液，該溶液是在含氟化物溶劑(“PF 5052”，Sumitomo 3M有限公司生產(chǎn))中溶入0.01％(重量)的以下述化學(xué)式(IV)表示的全氟聚醚化合物(IV)而形成。
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)浸涂后經(jīng)完全干燥，并在110℃下進(jìn)行2小時(shí)熱處理。潤滑層的厚度為1.3nm。該磁盤按實(shí)施例1的同樣方法測試CSS特性和靜摩擦特性。試驗(yàn)結(jié)果示于表1中。
比較例2按實(shí)施例1用噴射方法制備磁盤。磁盤在與實(shí)施例1同樣條件下被浸入溶液，該溶液是在含氟化物溶劑(“PF 5052”，Sumitomo 3M有限公司生產(chǎn))中溶入0.01％(重量)的以下述化學(xué)式(IV)表示的全氟聚醚化合物(IV)而成。
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(IV)浸涂后經(jīng)完全干燥，并在100℃下進(jìn)行2小時(shí)熱處理。該磁盤在與實(shí)施例1相同條件下被涂覆(按實(shí)施例1同樣方法浸涂)一種溶液，該溶液是在含氟化物溶劑(“PF5052”，Sumitomo 3M有限公司生產(chǎn))中溶入0.001％(重量)的以下述化學(xué)式(XI)表示的全氟聚醚化合物(XI)而形成。
F(CF2CF2CF2O)n-C2F4-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(XI)信息區(qū)和CSS區(qū)潤滑層的厚度均為2.7nm。該磁盤按實(shí)施例1同樣方法測試CSS特性和靜摩擦特性。測試結(jié)果示于表1中。
實(shí)施例3按實(shí)施例1用噴射方法制備磁盤。磁盤在與實(shí)施例1同樣條件下被浸入溶液，該溶液是在與實(shí)施例1所用相同的含氟化物溶劑中溶入0.005％(重量)的以下述化學(xué)式(VI)表示的全氟聚醚化合物(VI)(與實(shí)施例1所用的相同)而形成。
(C2H5O)3Si-C3H6-NHCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CONH-C3H6-Si(OC2H5)3(VI)浸涂后即在110℃下進(jìn)行2小時(shí)熱處理。整個(gè)磁盤的表面被用上述同樣的含氟化物溶劑沖洗。然后，磁盤在與實(shí)施例1相同條件下被涂覆(按實(shí)施例1同樣方法浸涂)一種溶液，該溶液是在上述含氟化物溶劑中溶入0.007％(重量)的以下述化學(xué)式(VIII)表示的全氟聚醚化合物(VIII)而形成。
F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-CH2OH(VIII)用上述同樣的含氟化物溶劑只沖洗信息區(qū)。信息區(qū)和CSS區(qū)的潤滑層厚度分別為0.75nm和1.84nm。該磁盤按實(shí)施例1相同方法測試CSS特性和靜摩擦特性。測試結(jié)果示于表1中。
比較例4按實(shí)施例1用噴射方法制備磁盤。磁盤在與實(shí)施例1同樣條件下被浸入溶液，該溶液是在與實(shí)施例1所用相同的含氟化物溶劑中溶入0.005％(重量)的以下述化學(xué)式(XIII)表示的全氟聚醚化合物(XIII)(與實(shí)施例3所用的相同)而形成。
浸涂后即在110℃下進(jìn)行2小時(shí)熱處理。用上述同樣的含氟化物溶劑沖洗整個(gè)磁盤的表面。然后，該磁盤在與實(shí)施例3相向的條件下被涂覆(按實(shí)施例3同樣方法浸涂)一種溶液，該溶液是在上述含氟化物溶劑中溶入0.007％(重量)的以下述化學(xué)式(VII)表示的全氟聚醚化合物(VII)而形成。
C6H5-O-C6H4-H3N+-OCO-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-COO-+NH3-C6H4-O-C6H5(VII)信息區(qū)和CSS區(qū)的潤滑層厚度均為2.31nm。磁盤按實(shí)施例1相同方法測試CSS特性與靜摩擦特性。測試結(jié)果示于表1中。
比較例5比較例2所制備的磁盤被安裝到與實(shí)施例1所用的相同的磁錄放裝置上。該裝置在運(yùn)行中被切斷電源，并讓該裝置停放24小時(shí)。由于在信息區(qū)內(nèi)存在著大量的弱吸附潤滑劑，在磁頭滑動器與磁盤之間有著強(qiáng)的靜摩擦，因此磁盤不能重新啟動。
權(quán)利要求
1.一種磁盤，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的籽晶層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度Ra大于或等于10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度Ra小于或等于3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層涂有一層潤滑膜，膜中含有選自下述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物，R1-X-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-X-R2(I)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-X-R3(II)F-(CF(CF3)-CF2-O)n-CF(CF3)-X-R4(III)式中，m和n為整數(shù)；R1、R2、R3和R4為烴鏈；X為二價(jià)結(jié)合基，該潤滑膜是由一種牢固固結(jié)在保護(hù)膜表面上的潤滑劑和另一種弱固結(jié)在保護(hù)膜表面上的潤滑劑組成，在CSS區(qū)形成的潤滑膜中所含有的弱固結(jié)潤滑劑的量不少于CSS區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％，在信息區(qū)形成的潤滑膜中所含有的弱固結(jié)潤滑劑的量則少于信息區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤，其中該磁盤的特征在于，所述潤滑膜是由一種能牢固固結(jié)在保護(hù)膜表面上的潤滑劑和另一種弱固結(jié)在保護(hù)膜表面上的潤滑劑組成，前者不會被全氟化碳溶劑沖洗掉，后者會被全氟化碳溶劑沖洗掉。
3.一種磁錄放裝置，該裝置由磁頭、支托磁頭的磁頭滑動器和磁盤組成，該磁盤具有依次層壓在非磁性基片上的籽晶層、磁性層和保護(hù)層，其特征在于，該磁盤具有CSS區(qū)和信息區(qū)，該CSS區(qū)具有表面粗糙度Ra大于或等于10nm的保護(hù)層，CSS區(qū)位于磁盤開始和停止轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該信息區(qū)具有表面粗糙度Ra小于或等于3nm的保護(hù)層，信息區(qū)位于磁盤轉(zhuǎn)動時(shí)放置磁頭滑動器的地方；該保護(hù)層涂有一層潤滑膜，膜中含有選自下述以化學(xué)式(I)至(III)表示的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物；R1-X-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-X-R2(I)F(CF2CF2CF2-O)n-C2F4-X-R3(II)F-(CF(CF3)-CF2-O)n-CF(CF2)-X-R4(III)式中，m和n為整數(shù)；R1、R2、R3和R4為烴鏈；X為二價(jià)結(jié)合基，該潤滑膜是由一種能牢固固結(jié)在保護(hù)膜表面上的潤滑劑和另一種弱固結(jié)在保護(hù)膜表面上的潤滑劑組成；在CSS區(qū)形成的潤滑膜中所含的弱固結(jié)潤滑劑的量不少于CSS區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％，在信息區(qū)內(nèi)形成的潤滑膜中所含的弱固結(jié)潤滑劑的量則小于信息區(qū)內(nèi)潤滑劑總量的10％，在信息區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.5和1.0，而在CSS區(qū)內(nèi)發(fā)生的在磁頭滑動器與磁盤之間的極限靜摩擦和動摩擦分別小于或等于1.0和0.5。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所定述的磁錄放裝置，其中，所述磁盤的直徑小于或等于88.9mm。
全文摘要
磁盤及磁錄放裝置。該磁盤包括在非磁性基片上依次迭置有籽晶層、磁性層和保護(hù)層。磁盤上有CSS區(qū)和信息區(qū)。CSS區(qū)有表面粗糙度Ra≥10nm的保護(hù)層。信息區(qū)有表面粗糙度Ra≥3nm的保護(hù)層。保護(hù)層涂有潤滑膜，它含式(I)至(III)的全氟聚醚化合物中的至少一種化合物。潤滑膜由牢固固結(jié)在保護(hù)膜表面的潤滑劑和弱固結(jié)在保護(hù)膜表面的潤滑劑組成。CSS區(qū)中弱固結(jié)潤滑劑量不少于該區(qū)潤滑劑總量的10％。信息區(qū)的弱固結(jié)潤滑劑量則少于該區(qū)潤滑劑部量的10％。式中m和n為整數(shù)。RRF(CFF－(CF(CF
文檔編號G11B5/725GK1492399SQ02140639
公開日2004年4月28日 申請日期1995年10月18日 優(yōu)先權(quán)日1995年10月18日
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