專利名稱：光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在光記錄介質(zhì)上使用光學(xué)頭進(jìn)行光學(xué)記錄和播放的光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法，具體涉及使用具有ROM(只讀存儲器Read Only Memory)和RAM(隨機(jī)存取存儲器Random AccessMemory)兩種功能的光記錄介質(zhì)進(jìn)行邊播放邊記錄的光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法。
背景技術(shù)：
信息記錄領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展很快，關(guān)于利用光的光學(xué)存儲器，例如光磁盤存儲器，在高密度記錄、播放和高速存取方面，正在積極進(jìn)行研究開發(fā)。發(fā)揮這種光盤存儲器的特征的研究開發(fā)正在進(jìn)展，例如，在特開平6-202820號公報或電視學(xué)會志論文(テレビジヨン學(xué)會誌論文)Vol.46，No.10，pp1319～1324(1992)中揭示了一種可實(shí)現(xiàn)ROM(Read OnlyMemory)-RAM(Random Access Memory)的同時播放的并行ROM-RAM光盤(以下稱為光信息記錄介質(zhì))。
這種可實(shí)現(xiàn)ROM-RAM的同時播放的光信息記錄介質(zhì)，除了可獲得普通光盤存儲器的2倍存儲容量的特征以外，還具有可實(shí)現(xiàn)磁盤不可能實(shí)現(xiàn)的ROM-RAM同時播放的特征。
例如，在前述的以往技術(shù)中，使用在以螺旋狀或同心圓狀形成有相位凹坑(pit)的光學(xué)的大致透明的基板上形成了光磁記錄膜的光信息記錄介質(zhì)。而且，從光拾取器把光聚光到大致衍射界限，向光信息記錄介質(zhì)照射，把來自該光信息記錄介質(zhì)的返回的光用相位凹坑調(diào)制后的光強(qiáng)度作為ROM信號進(jìn)行播放，同時，把返回光用光磁記錄膜調(diào)制后的偏振光方向分量的差動振幅作為RAM信號進(jìn)行播放。
并且，把向該光信息記錄介質(zhì)施加磁場的磁頭設(shè)置在光拾取器上，使來自光拾取器的聚光的光和磁場中的至少一方發(fā)生變化，把RAM信號記錄在光磁記錄膜上。
在該以往的技術(shù)中，在原理上，ROM和RAM的同時播放可使用1個光拾取器來實(shí)現(xiàn)，并且可在播放ROM的同時記錄在RAM上。然而，實(shí)際上，為了發(fā)揮這種優(yōu)良功能，存在種種應(yīng)改善的方面。
例如，需要如下的利用方法，例如使用把音樂和視頻信息等流式信息記錄為ROM信息的介質(zhì)，在僅播放ROM信息或播放ROM及RAM信息的同時，把順序輸入的用戶數(shù)據(jù)記錄在RAM內(nèi)。即，考慮以下情況在順暢地播放CD(小型磁盤Compact Disk)類的作為ROM信息記錄的音樂、視頻(風(fēng)景、地圖等)的同時，把歌聲和解說記錄在RAM上的情況；以及在順暢地播放作為ROM信息和RAM信息記錄的音樂、視頻(風(fēng)景、地圖等)的同時，把樂器的演奏聲、新版地圖、道路信息記錄在RAM上的情況。
在這種情況下，雖然僅使用以往的技術(shù)也能在播放ROM的同時記錄在RAM上，但是很難按照把所播放的ROM信息和所記錄的RAM信息相鏈接的規(guī)定關(guān)系來記錄RAM信息。
而且，雖然使用以往的技術(shù)也能同時播放ROM和RAM，然而，產(chǎn)生了在該同時播放時不能記錄到RAM上的問題。這樣，對用戶來說，希望在播放ROM信息或已記錄的RAM信息的同時，可以順暢地輸入信息并記錄在光信息記錄介質(zhì)內(nèi)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法，用于在連續(xù)播放光存儲介質(zhì)的ROM信息的同時，把與ROM信息相關(guān)連的新信息RAM記錄在光存儲介質(zhì)的與ROM信息鏈接的位置。
而且，本發(fā)明的另一目的是提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法，用于在連續(xù)播放光存儲介質(zhì)的ROM信息和RAM信息的同時，把新信息RAM記錄在光存儲介質(zhì)上。
并且，本發(fā)明的又一目的是提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法，用于在連續(xù)播放光存儲介質(zhì)的流式信息的同時，把新流式信息RAM記錄在光存儲介質(zhì)上。
為了解決上述問題，本發(fā)明的光學(xué)存儲裝置具有光學(xué)頭，其向在形成有相位凹坑的基板上形成了光磁記錄膜的光信息記錄介質(zhì)照射光，并且從來自前述光信息記錄介質(zhì)的返回光中，檢測出用前述相位凹坑調(diào)制后的光強(qiáng)度作為ROM信號，同時，檢測出前述返回光被前述光磁記錄膜調(diào)制后的偏振光方向分量的差動振幅作為RAM信號；磁場施加單元，其為了記錄到前述光磁記錄膜上，向信息記錄介質(zhì)施加磁場；以及尋道致動器(track actuator)，其用于使至少前述光學(xué)頭存取前述光信息記錄介質(zhì)的期望位置。并且，存儲裝置具有讀取用緩沖存儲器，其存儲至少前述所檢測的ROM信號；寫入用緩沖存儲器，其存儲應(yīng)寫入到前述光磁記錄膜上的輸入信號；以及控制器，其用于相對于成為基準(zhǔn)的信息播放速度V，把至少前述ROM信號以n(n＞2)倍速讀出，并存儲在前述讀取用緩沖存儲器內(nèi)，之后把前述所存儲的信息以前述信息播放速度V的速度輸出，并把前述所輸入的信息存儲在前述寫入用緩沖存儲器內(nèi)，之后在從前述讀取用緩沖存儲器輸出期間，使前述光學(xué)頭存取以與前述輸出信息和前述輸入信息的時間關(guān)系鏈接的方式所管理的地址位置，以前述n倍速把來自前述寫入用緩沖存儲器的信息作為RAM信號進(jìn)行記錄。
而且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，前述讀取用緩沖存儲器由存儲前述ROM信號的ROM信號讀取用緩沖存儲器和存儲前述RAM信號的RAM信號讀取用緩沖存儲器構(gòu)成；還具有對來自前述兩讀取用緩沖存儲器的信息進(jìn)行運(yùn)算的運(yùn)算器。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，前述ROM信號讀取用緩沖存儲器和RAM信號寫入用緩沖存儲器中的至少1個以上(包括1個)的緩沖存儲器由2個內(nèi)部緩沖存儲器和開關(guān)構(gòu)成；前述控制器在一個內(nèi)部緩沖存儲器的存儲量達(dá)到基準(zhǔn)量時，切換前述開關(guān)，存儲在另一個內(nèi)部緩沖存儲器內(nèi)。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，前述磁場施加單元由磁頭構(gòu)成，該磁頭與前述光學(xué)頭一起移動，向前述光學(xué)頭將光聚光后的位置施加調(diào)制磁場，進(jìn)行改寫(overwrite)記錄。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，以n≥4進(jìn)行前述信息的讀出和前述信息的記錄。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，前述控制器對前述光學(xué)頭的照射功率進(jìn)行調(diào)制并進(jìn)行改寫記錄。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，前述控制器采用與根據(jù)前述光信息記錄介質(zhì)的前述相位凹坑的ROM格式相同的前述光磁記錄膜的RAM格式，進(jìn)行前述光磁記錄膜的讀出和寫入控制。
在本發(fā)明中，將ROM信號和RAM信號同時高速讀出，把該讀出的信息存儲在緩沖存儲器內(nèi)，并以基準(zhǔn)速度播放來自緩沖存儲器的信息。而且，把ROM信息和來自鏈接用戶的輸入信息存儲在緩沖存儲器內(nèi)，并高速記錄為RAM信號。
更具體地說，可以通過在設(shè)定成n＞2的正數(shù)時，以n倍速讀出前述ROM信號和RAM信號，并以n倍速記錄前述RAM信號來解決。在讀出ROM和RAM信號、記錄RAM信號之前，實(shí)際上，必須使光拾取器存取期望的位置，通過設(shè)定n≥4，不增大緩沖存儲器就能解決問題。
并且，在本發(fā)明中，通過在照射恒定平均功率的光的同時，以磁場調(diào)制方式直接記錄RAM信號而不進(jìn)行擦除動作，可實(shí)現(xiàn)順利的信息記錄播放。并且，通過把RAM的光磁記錄膜用于光調(diào)制改寫，即使在光盤介質(zhì)最上面形成具有凹凸的標(biāo)簽的盤中，也能進(jìn)行信息記錄。


圖1是示出在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中使用的作為光信息記錄介質(zhì)的一例的光磁盤的平面圖。
圖2是圖1所示的ROM-RAM光磁盤存儲器的截面結(jié)構(gòu)圖。
圖3是對圖2的結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)中的ROM信息和RAM信息的記錄狀態(tài)進(jìn)行說明的平面圖。
圖4是對圖2的結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)中的ROM信息和RAM信息的記錄狀態(tài)進(jìn)行說明的立體圖。
圖5是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的光信息記錄介質(zhì)的截面結(jié)構(gòu)圖。
圖6是本發(fā)明的光學(xué)存儲裝置的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的整體方框圖。
圖7是圖6的光拾取器的光學(xué)系統(tǒng)的詳細(xì)圖。
圖8是圖6的局部詳細(xì)方框圖。
圖9是圖7和圖8的光檢測器的配置圖。
圖10是對圖9的光檢測器的輸出與基于該輸出的聚焦錯誤(FES)檢測、尋道錯誤(TES)檢測、MO信號和LD反饋信號的關(guān)系進(jìn)行說明的圖。
圖11是示出圖6和圖8的主控制器中的播放、記錄各模式下的ROM和RAM的檢測組合的圖。
圖12是圖6的讀出/寫入系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
圖13是圖12的讀出/寫入動作的時序圖。
圖14是圖12的盤的簇配置圖。
圖15是示出圖12的RAM和ROM信號的調(diào)制方式的圖。
圖16是對圖12的記錄中的磁場調(diào)制記錄方式進(jìn)行說明的圖。
圖17是圖12的盤的另一簇配置圖。
圖18是圖12的另一記錄中的光調(diào)制改寫記錄方式的說明圖。
圖19是本發(fā)明的讀出/寫入系統(tǒng)的另一實(shí)施方式的方框圖。
圖20是用于對圖19的動作進(jìn)行說明的CD用Q通道的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)圖。
圖21是圖19的Q通道數(shù)據(jù)的讀出/寫入流程的說明圖。
具體實(shí)施例方式
以下，按照ROM-RAM光盤、光盤驅(qū)動器、讀出/寫入控制機(jī)構(gòu)、另一實(shí)施方式的順序?qū)Ρ景l(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施方式中的ROM-RAM光記錄介質(zhì)的平面圖，圖2是其截面圖，圖3是其用戶區(qū)域的正面圖，圖4是其ROM信號和RAM信號的關(guān)系圖，圖5是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的ROM-RAM光記錄介質(zhì)的截面圖。
在圖1以下的說明中，作為ROM-RAM光記錄介質(zhì)，以ROM-RAM光磁盤(MO)為例進(jìn)行說明。如圖1所示，ISO標(biāo)準(zhǔn)的光磁盤4形成圓盤形狀，在最內(nèi)周設(shè)置有讀入?yún)^(qū)域1，在最外周設(shè)置有讀出區(qū)域2，其間設(shè)置有用戶區(qū)域3。
讀入?yún)^(qū)域1和讀出區(qū)域2記錄有由在聚碳酸酯基板上通過盤的凹凸形成的相位凹坑構(gòu)成的作為ROM信息的盤規(guī)格等信息。通過讀取該信息來控制記錄播放的條件。成為該ROM信息的相位凹坑的光學(xué)深度(凹坑深度)被設(shè)定成使播放時的光強(qiáng)度調(diào)制為最大的狀態(tài)。一般設(shè)定成大于等于70％的調(diào)制度(相位凹坑部的光強(qiáng)度相對平坦部光強(qiáng)度的變化比例)。
在讀入?yún)^(qū)域1和讀出區(qū)域2之間設(shè)置有用濺射裝置成膜的光磁記錄膜的用戶區(qū)域3。在該用戶區(qū)域3，用戶可自由地記錄/播放信息。
使該用戶區(qū)域3具有ROM和RAM功能的光磁盤4的一般結(jié)構(gòu)如下在聚碳酸酯基板4A上，形成以氮化硅、氧化鉭等為材料的第1電介體層4B、由TbFeCo等稀土類和遷移金屬的非晶合金形成的光磁記錄層4C、由與第1電介體層4B相同的材料形成的第2電介體層4D、由AlTi、Au等金屬形成的反射層4E以及使用紫外線硬化型樹脂的保護(hù)涂層4F。
如圖2和圖3所示，使用在盤4上形成為凸凹的相位凹坑PP來賦予ROM功能，使用光磁記錄層4C來賦予RAM功能。向光磁記錄層4C上的記錄是對光磁記錄層4C進(jìn)行激光加熱，協(xié)助磁化反轉(zhuǎn)，與信號磁場對應(yīng)來使磁化方向反轉(zhuǎn)，進(jìn)行光磁信號OMM的記錄。這樣，可進(jìn)行RAM信息的記錄。
光磁記錄層4C的記錄信息的讀出是通過向記錄層4C照射弱激光，使激光的偏振光面根據(jù)記錄層4C的磁化方向通過極化效應(yīng)而改變，并根據(jù)此時的反射光的偏振光分量的強(qiáng)弱，判斷有無信號。這樣，可進(jìn)行RAM信息的讀出。在該讀出中，由于反射光被構(gòu)成ROM的相位凹坑PP調(diào)制，因而也能同時進(jìn)行ROM信息的讀出。
在該結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)中，如圖3和圖4所示，ROM信息通過在平坦基板上形成的凸凹的相位凹坑PP被固定記錄，RAM信息作為MO信號OMM被記錄在光磁記錄層上的相位凹坑PP列上。另外，圖3中的半徑方向的A-B線方向的截面與圖2一致。
即，使用1個光拾取器，可實(shí)現(xiàn)ROM和RAM的同時播放，并且如果采用磁場調(diào)制方式的光磁記錄，則可同時實(shí)現(xiàn)向RAM的寫入和ROM的播放。
圖5是適用于光調(diào)制記錄的另一光磁盤的截面圖。與圖2的光磁盤的截面結(jié)構(gòu)相比，在最上面設(shè)置有標(biāo)簽層4G，光磁記錄層4由初始化層4C1、開關(guān)層4C2、記錄層4C3、中間層4C4以及播放層4C5構(gòu)成。
在圖2的一個實(shí)施方式中，采用磁場調(diào)制記錄方式，通過直接改寫進(jìn)行RAM信息的記錄。另一方面，在圖5的實(shí)施方式中，采用光調(diào)制記錄方式進(jìn)行RAM信息的記錄。在民用的光信息記錄介質(zhì)中，如圖5所示，大多印刷有用于顯示與商品名稱、內(nèi)容相關(guān)聯(lián)的信息的標(biāo)簽4G。該標(biāo)簽4G一般有數(shù)十μm的凹凸，在進(jìn)行磁場調(diào)制記錄時，與磁頭的間隔成為問題。因此，使用圖5所示的光調(diào)制改寫用的介質(zhì)進(jìn)行記錄。
下面，對根據(jù)本發(fā)明的光盤驅(qū)動器進(jìn)行說明。圖6是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的光盤驅(qū)動器的整體方框圖，圖7是圖6的驅(qū)動器的光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖，圖8是圖6的驅(qū)動器的信號處理系統(tǒng)的方框圖，圖9是圖7和圖8的檢測器的配置圖，圖10是檢測器的輸出和生成信號的關(guān)系圖，圖11是光盤驅(qū)動器的各模式的說明圖。
如圖6所示，電動機(jī)18使光信息記錄介質(zhì)(MO盤)4旋轉(zhuǎn)。通常，MO盤4是可移動介質(zhì)，從未作圖示的驅(qū)動器的插入口插入。光拾取器5具有夾著該光信息記錄介質(zhì)4配置的磁頭35和光學(xué)頭7。
光拾取器5通過圓頭螺栓進(jìn)給機(jī)構(gòu)等尋道致動器6來移動，可存取光信息記錄介質(zhì)4的半徑方向的任意位置。而且，設(shè)置有驅(qū)動光學(xué)頭7的激光二極管LD的LD驅(qū)動器31，以及驅(qū)動光拾取器5的磁頭35的磁頭驅(qū)動器34。存取用伺服控制器15-2根據(jù)來自光學(xué)頭7的輸出，對尋道致動器6、電動機(jī)18和光學(xué)頭7的聚焦致動器19進(jìn)行伺服控制。控制器15-1使LD驅(qū)動器31、磁頭驅(qū)動器34和存取用伺服控制器15-2工作，進(jìn)行信息的記錄播放。
使用圖7對光學(xué)頭7進(jìn)行詳細(xì)說明。來自激光二極管LD的漫射光經(jīng)由3光束尋道用衍射光柵10和光束分裂器11，由準(zhǔn)直透鏡39形成為平行光，由反射鏡40反射后，由物鏡16在光信息記錄介質(zhì)4上聚光到大致衍射界限。
入射到該光束分裂器11上的光的一部分由光束分裂器11反射，經(jīng)由聚光透鏡12被聚光到APC(自動功率控制Auto Power Control)檢測器13。
而且，從光信息記錄介質(zhì)4反射的光再次經(jīng)由物鏡16，由反射鏡40反射后，由準(zhǔn)直透鏡39形成為會聚光，并再次入射到光束分裂器11上。再次入射到光束分裂器11上的光的一部分返回到激光二極管LD側(cè)，其余的光由光束分裂器11反射，經(jīng)由3光束渥拉斯頓棱鏡26和圓筒面透鏡21被聚光在反射光檢測器25上。
對反射光檢測器25的形狀和配置進(jìn)行說明。由于入射光是3光束，因而反射光檢測器25，如圖9所示，由4分割檢測器22-1、在其上下配置的MO信號檢測器20、以及在其左右配置的尋道錯誤檢測用檢測器22-2、22-3構(gòu)成。
使用圖8和圖10對播放信號進(jìn)行說明。如圖8所示，F(xiàn)ES(聚焦錯誤信號Focus Error Signal)播放電路23根據(jù)光電轉(zhuǎn)換后的4分割光電檢測器22的輸出A、B、C、D，進(jìn)行圖10所示的使用象散法的聚焦錯誤檢測(FES)。即，F(xiàn)ES＝(A+C)-(B+D)/(A+B+C+D)同時，在使用推挽法的TES生成電路24中，根據(jù)尋道錯誤檢測檢測器22-2、22-3的輸出E、F，使用圖10的運(yùn)算式進(jìn)行尋道錯誤檢測(TES)。
TES＝(E-F)/(E+F)通過這些計(jì)算所求出的聚焦錯誤信號(FES)和尋道錯誤信號(TES)，作為聚焦方向和尋道方向的位置錯誤信號被輸入到主控制器15(在圖6中，是存取用伺服控制器15-2)。而且，在圖8中，把存取用伺服控制器15-2和控制器15-1用一體的主控制器15示出。
另一方面，在記錄信息檢測系統(tǒng)中，隨著光信息記錄介質(zhì)4上的光磁記錄的磁化方向而變化的反射激光的偏振光特性被轉(zhuǎn)換成光強(qiáng)度。即，在3光束渥拉斯頓棱鏡26中，通過偏振光檢波分離成偏振光方向相互正交的二個光束，通過圓筒面透鏡21入射到2分割光電檢測器20上，分別進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。
用2分割光電檢測器20進(jìn)行了光電轉(zhuǎn)換的2個電信號G、H，根據(jù)圖10的運(yùn)算式，在加法放大器29進(jìn)行加法運(yùn)算，成為第1ROM信號(ROM1＝G+H)，同時，在減法放大器30進(jìn)行減法運(yùn)算，成為RAM讀出(MO)信號(RAM＝G-H)，分別被輸入到主控制器15。
在圖8中，入射到APC用光電檢測器13上的半導(dǎo)體激光二極管LD的反射光被進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，通過放大器14作為第2ROM信號(ROM2)輸入到主控制器15。
而且，如上所述，向主控制器15輸入作為加法放大器29的輸出的第1ROM信號(ROM1)；作為差動放大器30的輸出的RAM信號(RAM)，來自FES生成電路23的聚焦錯誤信號(FES)；以及來自TES生成電路24的尋道錯誤信號(TES)。
并且，主控制器15與數(shù)據(jù)源32之間通過接口電路33輸入輸出記錄用數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)。
輸入到主控制器15的第1ROM信號(ROM1＝G+H)、第2ROM信號(ROM2＝I)以及RAM信號(RAM＝G-H)，對應(yīng)于各模式，即ROM和RAM同時播放時、僅ROM播放時以及磁場調(diào)制和光調(diào)制RAM記錄(WRITE)時，被進(jìn)行檢測和使用。
圖11是示出各模式下的上述ROM1(＝G+H)、ROM2(＝I)以及RAM(G-H)的檢測組合的圖。主控制器15根據(jù)各模式，在LD驅(qū)動器31內(nèi)生成指令信號。LD驅(qū)動器31按照指令信號，在ROM和RAM播放時，根據(jù)第1ROM信號(ROM1＝G+H)，對半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光功率進(jìn)行負(fù)反饋控制，在RAM記錄時，根據(jù)第2ROM信號(ROM2＝I)，對半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光功率進(jìn)行負(fù)反饋控制。
在光磁(RAM)記錄時，來自數(shù)據(jù)源32的數(shù)據(jù)通過接口電路33被輸入到主控制器15(參照圖8)。主控制器15在使用磁場調(diào)制記錄方式的情況下，把該輸入數(shù)據(jù)供給磁頭驅(qū)動器34。磁頭驅(qū)動器34驅(qū)動磁頭35，并根據(jù)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行磁場調(diào)制。此時，在主控制器15中，指示記錄時間的信號被傳送到LD驅(qū)動器31，LD驅(qū)動器31根據(jù)第2ROM信號(ROM2＝I)，對半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光進(jìn)行負(fù)反饋控制，以達(dá)到最適于記錄的激光功率。
而且，在使用光調(diào)制記錄方式的情況下，把該輸入數(shù)據(jù)傳送到LD驅(qū)動器31，對激光二極管LD進(jìn)行光調(diào)制驅(qū)動。此時，在主控制器15中，指示記錄時間的信號被傳送到LD驅(qū)動器31，LD驅(qū)動器31根據(jù)第2ROM信號(ROM2＝I)，對半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光進(jìn)行負(fù)反饋控制，以達(dá)到最適于記錄的激光功率。
而且，對聚焦錯誤信號采用象散法來檢測、對尋道錯誤信號采用3光束法來檢測、對根據(jù)偏振光分量的差動檢測信號來檢測MO信號的例子作了說明，然而前述光學(xué)系統(tǒng)是在本發(fā)明的實(shí)施例中使用，作為聚焦錯誤檢測方法，采用刀刃法、光斑大小位置檢測法等也沒有任何問題。并且，尋道錯誤檢測法采用推挽法、相位差法等也沒有任何問題。
而且，主控制器15(在圖6中，是伺服控制器15-2)根據(jù)所檢測的聚焦錯誤信號FES，驅(qū)動聚焦致動器19，對光束進(jìn)行聚焦點(diǎn)控制。主控制器15(在圖6中，是伺服控制器15-2)根據(jù)檢測出的尋道錯誤信號TES，驅(qū)動尋道致動器6，對光束進(jìn)行搜索和軌道追隨控制。
此處，激光功率調(diào)整中使用檢測器25的G+H或檢測器13的I信號。如圖11所示，在將ROM信號和RAM信號同時播放的情況下，控制激光功率使G+H信號恒定，以使RAM讀出信號(＝G-H)不會接受來自前述光信息記錄介質(zhì)4的相位凹坑調(diào)制的串?dāng)_。在光調(diào)制記錄時，不進(jìn)行ROM的檢測。
除了上述基本的ROM-RAM同時讀出機(jī)構(gòu)以外，在本發(fā)明中，還設(shè)置有與ROM/RAM播放相鏈接的RAM記錄機(jī)構(gòu)。
圖12是本發(fā)明的讀出/寫入機(jī)構(gòu)的方框圖，圖13是其記錄/播放處理的說明圖，圖14是盤中的ROM和RAM的簇配置圖，圖15是RAM信號和ROM信號的說明圖，圖16是磁場調(diào)制記錄方式的說明圖。
在圖12中，與圖6和圖8所示相同的部分用相同符號來表示。即，除了圖6所示的光拾取器5、LD驅(qū)動器31、磁頭驅(qū)動器34、存取用伺服控制器15-2以及主控制器15-1的構(gòu)成以外，還具有編碼器50、解碼器52、54、運(yùn)算器56以及緩沖存儲器51、53、55。
編碼器50把外部輸入數(shù)據(jù)編碼成適于后述光磁(RAM)記錄的NRZI信號。RAM記錄緩沖器51是輸入數(shù)據(jù)的速度轉(zhuǎn)換緩沖器，轉(zhuǎn)換成輸入數(shù)據(jù)的傳送速度V的n倍速度。
ROM信號解碼器52把用光拾取器5讀出的ROM信號(EFM信號)解碼成輸出信號。ROM播放緩沖器53是輸出數(shù)據(jù)的速度轉(zhuǎn)換緩沖器，轉(zhuǎn)換成輸出數(shù)據(jù)的傳送速度nV的1/n倍的速度。
RAM信號解碼器55對用光拾取器5讀出的、適于后述光磁(RAM)記錄的NRZI信號進(jìn)行解碼。RAM播放緩沖器55是輸出數(shù)據(jù)的速度轉(zhuǎn)換緩沖器，轉(zhuǎn)換成輸出數(shù)據(jù)的傳送速度nV的1/n倍的速度。運(yùn)算器56例如由混頻電路構(gòu)成，對所讀出的ROM信號和RAM信號進(jìn)行運(yùn)算，并輸出到外部。
各緩沖存儲器51、53、55可細(xì)分成2個緩沖存儲器5、6、1、2、3、4，并具有在一個存儲器達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)量時，切換到另一個存儲器的開關(guān)電路SW1、SW2、SW3、SW4、SW5、SW6。雖然作為緩沖存儲器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)未進(jìn)行細(xì)分，緩沖存儲器的內(nèi)容也可采用先入先出的方式，但結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。
在緩沖器內(nèi)可記錄的存儲量可任意選取，然而在本實(shí)施例中，如圖14所示，ROM部和RAM部都采用CDROM格式，為了方便起見，使ROM和RAM的塊地址位置相同。進(jìn)行實(shí)際記錄播放的基本單位可以是以塊為單位，在本實(shí)施例中，針對1塊98CD幀，把5塊定義成作為記錄播放的基本單位的1簇。
作為1簇的大小，如果過大，則需要龐大的緩沖存儲器，如果過小，則在光信息記錄介質(zhì)4旋轉(zhuǎn)1次期間讀寫的量減小，存取時間的比例相對增大。因此，在本實(shí)施例中，考慮與存取時間的平衡，把5塊設(shè)定為1簇。
圖13示出在n＝4，即采用4倍速的情況下的主控制器15-1進(jìn)行的ROM-RAM記錄播放處理。示出了外部輸出對應(yīng)簇位置、外部輸入對應(yīng)簇位置、光拾取器5的簇位置、光拾取器5的狀態(tài)(讀取，存取，寫入)、ROM播放緩沖器53、RAM播放緩沖器55、以及RAM記錄緩沖器51的存儲數(shù)據(jù)量。各緩沖存儲器具有作為內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行了2分化的緩沖存儲器，形成為在一個緩沖存儲器達(dá)到1簇時，在另一個緩沖存儲器內(nèi)存儲的結(jié)構(gòu)。
控制器15-1相對手成為基準(zhǔn)的信息播放速度V，將旋轉(zhuǎn)光信息記錄介質(zhì)4的電動機(jī)18以n(此處，為4)倍速來旋轉(zhuǎn)，用光拾取器5將光信息記錄介質(zhì)4的ROM信號和RAM信號以播放速度V的n倍速來讀出，并存儲在ROM信號讀取用緩沖存儲器53和RAM信號讀取用緩沖存儲器55內(nèi)。然后，控制器15-1將存儲在緩沖存儲器53、55內(nèi)的信息以播放速度V的速度讀出，輸出到運(yùn)算器56，并從輸出接口輸出到外部。
控制器15-1把從輸入接口以速度V輸入的信息存儲在RAM信號寫入用緩沖存儲器51內(nèi)。然后，在從該ROM信號的緩沖存儲器53、55輸出的信息沒有結(jié)束之前的期間(播放結(jié)束之前的期間)，使光拾取器5存取以使輸出信息和輸入信息的時間關(guān)系大致一致的方式所管理的RAM地址位置，以播放速度V的n倍速把來自RAM信號寫入用緩沖存儲器51的信息作為RAM信號記錄在光信息記錄介質(zhì)4上。
該ROM信號讀取用緩沖存儲器53、RAM信號讀取用緩沖存儲器55以及RAM信號寫入用緩沖存儲器51的內(nèi)部結(jié)構(gòu)由2個內(nèi)部緩沖存儲器和開關(guān)構(gòu)成，當(dāng)一個內(nèi)部緩沖存儲器達(dá)到基準(zhǔn)量時，開關(guān)切換，并存儲在另一個內(nèi)部緩沖存儲器內(nèi)。因此，在播放ROM和RAM數(shù)據(jù)的同時，可不中斷地進(jìn)行RAM記錄。
而且，可使用對來自ROM信號讀取用緩沖存儲器53的信息和來自RAM信號讀取用緩沖存儲器55的信息進(jìn)行運(yùn)算的運(yùn)算器56，進(jìn)行混頻處理并輸出。
這樣，在以1倍速輸出和輸入所鏈接的信息的同時，可順暢地進(jìn)行記錄和播放。這基本上在n＞2時就可實(shí)現(xiàn)，但是，光拾取器的存取可使用的時間，必須按小數(shù)點(diǎn)以下的倍速的時間來進(jìn)行，最好記錄、播放速度大于等于4倍速。
在圖13中，光拾取器5讀出位置n的ROM和RAM的簇，存儲在緩沖器1、3內(nèi)，讀取后，把與簇位置n對應(yīng)的播放信號輸出到外部。在該輸出中，繼簇位置n之后，以4倍速來讀取簇位置n+1，并存儲在緩沖器2、4內(nèi)。與該緩沖器1的播放信號的輸出對應(yīng)，把輸入數(shù)據(jù)輸入到緩沖器5內(nèi)。在緩沖器1的播放信號的輸出結(jié)束的時刻，把與緩沖器1的播放信號對應(yīng)的輸入數(shù)據(jù)記錄在RAM的簇位置n。
此時，由于簇位置n、n+1的讀取結(jié)束，因而光拾取器5的位置是n+1。因此，在緩沖器1的播放信號的輸出結(jié)束之前，從位置n進(jìn)行旋轉(zhuǎn)等待或者軌道跳轉(zhuǎn)，為了進(jìn)行寫入，使光拾取器5存取位置n并寫入輸入簇。在該寫入期間，由于輸出了緩沖器2的播放信號，因而播放信號沒有中斷。
在簇位置n的寫入結(jié)束了時，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)等待等存取，使光拾取器5處于位置n+2，同樣，光拾取器5讀出位置n+2的ROM和RAM的簇，并存儲在緩沖器1、3內(nèi)。以后，同樣執(zhí)行讀出、播放、寫入順序。
這樣，在執(zhí)行讀出/讀出/存取/寫入/存取的順序并以4倍速同時播放ROM-RAM的同時，可實(shí)現(xiàn)對RAM的改寫。例如，在汽車導(dǎo)航設(shè)備中，可實(shí)現(xiàn)如下的利用方式在把地圖信息記錄在ROM內(nèi)，把對應(yīng)的道路信息記錄在RAM內(nèi)，并將它們同時播放的同時，把新的道路信息改寫在對應(yīng)位置上。
如圖16所示，對使用不調(diào)制光照射強(qiáng)度而調(diào)制施加磁場強(qiáng)度的磁場調(diào)制記錄方式進(jìn)行記錄的情況作了研究。如圖15所例示的那樣，假定在ROM信號記錄中使用的調(diào)制方式是EFM(8-14調(diào)制Eight to FourteenModulation)，要進(jìn)行光磁記錄的RAM數(shù)據(jù)的調(diào)制方式為NRZI(不歸零見1就翻NonReturn-to-Zero change-on-Ones recording)。
此時，如圖15所示，相對于原始數(shù)據(jù)的位長T，把最短標(biāo)記設(shè)定為Tmin，把窗口邊緣寬度設(shè)定為Tw，則使用NRZI(圖11A)時，Tmin＝T，Tw＝T，使用EFM(圖11B)時，Tmin＝1.41T，Tw＝0.47T。
對于RAM信號，也有磁場調(diào)制寫入信號的頻率特性的限制，窗口邊緣寬度Tw大且最短標(biāo)記Tmin長的結(jié)構(gòu)比較適合。另一方面，對于ROM信號，最短標(biāo)記Tmin長的EFM方式比較適合。因此，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是使用分別適合于RAM信號和ROM信號的不同的記錄調(diào)制方式。
而且，在前述的磁場調(diào)制方式中，通過使半導(dǎo)體激光二極管LD的照射功率恒定并使磁場反轉(zhuǎn)來進(jìn)行信息記錄。與此相對，也可以用脈沖使半導(dǎo)體激光二極管LD發(fā)光，并根據(jù)信號來改變施加磁場。這樣，與使半導(dǎo)體激光二極管LD連續(xù)發(fā)光進(jìn)行記錄的情況相比，記錄標(biāo)記的箭頭形狀得到緩和。因此，通過箭頭形狀的記錄標(biāo)記的緩和，可改善播放信號的特性。
圖17是本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的另一簇配置圖。在圖14的例中，ROM部和RAM部都采用CDROM格式，為了方便起見，使ROM和RAM的塊地址位置相同。在圖17的例中，把ROM和RAM的簇的物理配置錯開。即使這樣，與圖13的處理相同，可進(jìn)行使簇地址位置一致的播放和記錄。而且，在介質(zhì)的制造階段，使簇位置在ROM和RAM中的物理位置和邏輯位置一致，在文件管理上是最理想的。然而，也可以是物理上靠近。但在文件管理上，必須使其邏輯位置關(guān)系一致。
圖18是使用圖2所示的光調(diào)制改寫用的介質(zhì)進(jìn)行記錄的情況下的施加磁場和光照射強(qiáng)度的說明圖。在本發(fā)明中，信號輸出和輸入是同時的，然而如圖13所示，由于光存儲介質(zhì)的光讀取與寫入的定時發(fā)生偏離，因而如圖18所示，也可以在施加恒定磁場的基礎(chǔ)上調(diào)制光照射強(qiáng)度來進(jìn)行RAM信號的記錄。由于磁場不進(jìn)行AC調(diào)制，因而能以與光信息記錄介質(zhì)具有充足間隔的狀態(tài)進(jìn)行配置。
圖19是本發(fā)明的光學(xué)存儲裝置中的另一讀取/寫入機(jī)構(gòu)的方框圖，圖20是其使用的Q通道的說明圖，圖21是圖19的聲音、地址數(shù)據(jù)流程的說明圖。
在圖19中，與圖12所示相同的部分用相同符號來表示。即，除了圖12所示的光拾取器5、LD驅(qū)動器31、磁頭驅(qū)動器34、存取用伺服控制器15-2、主控制器15-1、編碼器50、解碼器52、54、運(yùn)算器56以及緩沖存儲器51、53、55的結(jié)構(gòu)以外，還設(shè)有具有在CD聲頻中利用的時間信息的Q通道功能。
具體地說，設(shè)編碼器50為Q通道對應(yīng)的編碼器。而且，在輸出側(cè)設(shè)置延遲電路57、58和Q通道比較器59。即，作為ROM和RAM的地址鏈接的方法，利用在音樂CD中利用的Q通道。
如圖20所示，在音樂用CD中，針對98幀(5塊)，使用98幀的數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)設(shè)置的Q通道數(shù)據(jù)(子碼)，按照分、秒、幀編號來控制98幀的地址信息。
如圖19所示，在從控制器15向RAM記錄時，編碼器50對輸入數(shù)據(jù)附加Q通道碼。詳細(xì)地說，如圖21所示，聲音數(shù)據(jù)在A/D轉(zhuǎn)換器60中進(jìn)行模擬/數(shù)字變換，之后在編碼器61中進(jìn)行編碼。與此同時，在編碼器62中對從定時器等時鐘獲得的地址信息(Q通道)進(jìn)行編碼。兩者在復(fù)用器63結(jié)合，之后進(jìn)行EFM調(diào)制(附加同步信號)。
在從控制器向RAM記錄時，使光拾取器5存取由Q通道碼指定的幀位置，并記錄在光盤4上。
在播放時，從控制器15-1調(diào)整延遲電路57、58，以實(shí)現(xiàn)ROM和RAM的地址的鏈接。即，在解碼器52、54中，把來自光盤4的ROM、RAM信號在同步檢測/EFM解調(diào)電路65中進(jìn)行解調(diào)，并在定時檢測電路66中分離成聲音和地址(Q通道)。所分離的聲音和地址在各解碼器67、68進(jìn)行解碼，并輸出地址信息(Q通道)。所解碼的聲音信號在D/A轉(zhuǎn)換器69中被轉(zhuǎn)換成模擬聲音信號，并被輸入到緩沖器53或55。
控制器15-1把該Q通道數(shù)據(jù)發(fā)送到Q通道比較器59，將ROM信號和RAM信號的延遲時間在各延遲電路57、58中進(jìn)行調(diào)整，并輸出到運(yùn)算器56。
這樣，在光盤4中，即使ROM信號和RAM信號的存儲位置發(fā)生偏離，也能在輸出側(cè)進(jìn)行調(diào)整，使ROM信號和RAM信號的時間關(guān)系一致。這樣，在同時播放ROM-RAM的同時，可實(shí)現(xiàn)向RAM的改寫。
這樣，在具有相位凹坑的透明基板上形成了含有光磁記錄膜的多層膜的光信息記錄介質(zhì)具有以下2個特征(1)ROM和RAM的同時播放可使用1個光拾取器來實(shí)現(xiàn)；(2)在播放ROM的同時，可在RAM上記錄。
本發(fā)明由于附加了n倍速同時播放和使用緩沖存儲器的間歇記錄，因而可實(shí)現(xiàn)一種例如在收聽卡拉OK的同時，可把自己的歌聲記錄在鏈接的位置，并可再次與卡拉OK的音樂一起播放的利用方式。
而且，在輸出音樂、動態(tài)圖像、導(dǎo)航系統(tǒng)等流式信息的同時追加新信息的系統(tǒng)中，可記錄和播放信息而不會使流式信息中斷。
并且，單單只利用ROM播放和RAM記錄的組合，例如，在地圖信息中，在讀入記錄有與預(yù)先追加更新過的信息有關(guān)的地址信息等的文件之后，必須存取與ROM信息對應(yīng)的RAM信息位置來進(jìn)行信息的播放和記錄，要求非?？焖俚拇嫒∷俣群蛡魉退俣?。
根據(jù)本發(fā)明，由于ROM和RAM的地址對應(yīng)可大致設(shè)為1∶1，因而不需要讀入表示ROM和RAM的信息的鏈接的文件，適合于流式信息的記錄播放。
而且，盡管分別記載了讀出緩沖器和寫入緩沖器，然而也能把1個緩沖器內(nèi)的區(qū)域分割成讀出用和寫入用來構(gòu)成。并且，運(yùn)算器不一定是單獨(dú)電路，也可以是控制器執(zhí)行的程序。
由于向可實(shí)現(xiàn)ROM-RAM同時播放的光記錄介質(zhì)附加了n倍速同時播放和使用緩沖存儲器的間歇記錄，因而在使用1枚光信息記錄介質(zhì)以基準(zhǔn)速度輸出信息的同時，可將以基準(zhǔn)速度輸入的信息順暢地進(jìn)行鏈接記錄。
而且，使用1枚光信息記錄介質(zhì)，可輸出對ROM信號和與ROM信號鏈接的RAM信號進(jìn)行了運(yùn)算的信號。
并且，為了實(shí)現(xiàn)輸入輸出的同步，不設(shè)置大容量緩沖器，而是使用較小容量的緩沖器就能實(shí)現(xiàn)，并且不會使裝置成本大幅度增加就能實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)存儲裝置，其特征在于，具有光學(xué)頭，其向在形成有相位凹坑的基板上形成了光磁記錄膜的光信息記錄介質(zhì)照射光，并且從來自前述光信息記錄介質(zhì)的返回光中，檢測出用前述相位凹坑調(diào)制后的光強(qiáng)度作為ROM信號，同時，檢測出前述返回光被前述光磁記錄膜調(diào)制后的偏振光方向分量的差動振幅作為RAM信號；磁場施加單元，其為了記錄到前述光磁記錄膜上，向信息記錄介質(zhì)施加磁場；尋道致動器，其用于使至少前述光學(xué)頭存取前述光信息記錄介質(zhì)的期望位置；讀取用緩沖存儲器，其存儲至少前述所檢測出的ROM信號；寫入用緩沖存儲器，其存儲應(yīng)寫入到前述光磁記錄膜上的輸入信號；以及控制器，其用于相對于成為基準(zhǔn)的信息播放速度V，把至少前述ROM信號以n(n＞2)倍速來讀出，并存儲在前述讀取用緩沖存儲器內(nèi)，之后把前述所存儲的信息以前述信息播放速度V的速度輸出，并把前述所輸入的信息存儲在前述寫入用緩沖存儲器內(nèi)，之后在從前述讀取用緩沖存儲器輸出期間，使前述光學(xué)頭存取以與前述輸出信息和前述輸入信息的時間關(guān)系鏈接的方式所管理的地址位置，并以前述n倍速把來自前述寫入用緩沖存儲器的信息作為RAM信號進(jìn)行記錄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其特征在于，前述讀取用緩沖存儲器由存儲前述ROM信號的ROM信號讀取用緩沖存儲器和存儲前述RAM信號的RAM信號讀取用緩沖存儲器構(gòu)成；還具有運(yùn)算來自前述兩讀取用緩沖存儲器的信息的運(yùn)算器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其特征在于，前述ROM信號讀取用緩沖存儲器和RAM信號寫入用緩沖存儲器中的至少1個以上的緩沖存儲器由2個內(nèi)部緩沖存儲器和開關(guān)構(gòu)成；前述控制器在一個內(nèi)部緩沖存儲器的存儲量達(dá)到基準(zhǔn)量時，切換前述開關(guān)，并存儲在另一個內(nèi)部緩沖存儲器內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其特征在于，前述磁場施加單元由磁頭構(gòu)成，該磁頭與前述光學(xué)頭一起移動，向前述光學(xué)頭將光聚光后的位置施加調(diào)制磁場，進(jìn)行改寫記錄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其特征在于，以n≥4進(jìn)行前述信息的讀出和前述信息的記錄。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其特征在于，前述控制器對前述光學(xué)頭的照射功率進(jìn)行調(diào)制并進(jìn)行改寫記錄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其特征在于，前述控制器采用與根據(jù)前述光信息記錄介質(zhì)的前述相位凹坑的ROM格式相同的前述光磁記錄膜的RAM格式進(jìn)行前述光磁記錄膜的讀出和寫入控制。
8.一種光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，具有以下步驟向在形成有相位凹坑的基板上形成了光磁記錄膜的光信息記錄介質(zhì)照射光，并且從來自前述光信息記錄介質(zhì)的返回光中，檢測出用前述相位凹坑調(diào)制后的光強(qiáng)度作為ROM信號，同時，檢測出前述返回光用前述光磁記錄膜調(diào)制后的偏振光方向分量的差動振幅作為RAM信號；相對于成為基準(zhǔn)的信息播放速度V，把至少前述ROM信號以n(n＞2)倍速來讀出，并存儲在讀取用緩沖存儲器內(nèi)，之后把前述所存儲的信息以前述信息播放速度V的速度進(jìn)行輸出；以及在把前述所輸入的信息存儲在寫入用緩沖存儲器內(nèi)之后，在從前述讀取用緩沖存儲器輸出期間，使光學(xué)頭存取以使前述輸出信息和前述輸入信息的時間關(guān)系相鏈接的方式所管理的地址位置，以前述n倍速把來自前述寫入用緩沖存儲器的信息作為RAM信號記錄在前述光信息記錄介質(zhì)內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，前述讀出步驟由以下步驟構(gòu)成，即把前述光信息記錄介質(zhì)的ROM信號存儲在ROM信號讀取用緩沖存儲器內(nèi)的步驟；和把光信息記錄介質(zhì)的前述RAM信號存儲在RAM信號讀取用緩沖存儲器內(nèi)的步驟；前述輸出步驟還具有運(yùn)算來自前述兩讀取用緩沖存儲器的信息的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，前述存儲步驟由以下步驟構(gòu)成，即在由2個緩沖存儲器和開關(guān)構(gòu)成的ROM信號讀取用緩沖存儲器和RAM信號寫入用緩沖存儲器中的至少1個以上的緩沖存儲器中的一個內(nèi)部緩沖存儲器的存儲量達(dá)到基準(zhǔn)量時，切換前述開關(guān)，并存儲在另一個內(nèi)部緩沖存儲器內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，前述記錄步驟由以下步驟構(gòu)成，即使用與前述光學(xué)頭一起移動的磁頭，向前述光學(xué)頭將光聚光后的位置施加調(diào)制磁場，并進(jìn)行改寫記錄。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，以n≥4進(jìn)行前述信息的讀出和前述信息的記錄。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，前述記錄步驟由以下步驟構(gòu)成，即對前述光學(xué)頭的照射功率進(jìn)行調(diào)制并進(jìn)行改寫記錄。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出和寫入方法，其特征在于，采用與根據(jù)前述光信息記錄介質(zhì)的前述相位凹坑的ROM格式相同的前述光磁記錄膜的RAM格式，進(jìn)行前述光磁記錄膜的讀出和寫入控制。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)的讀出/寫入方法。為了在連續(xù)播放光信息存儲介質(zhì)的ROM信息的同時，把與ROM信息相關(guān)聯(lián)的新信息RAM記錄在光信息存儲介質(zhì)中與ROM信息鏈接的位置，具有光學(xué)頭(5)，該光學(xué)頭(5)向在形成有相位凹坑的基板上形成了光磁記錄膜的光信息記錄介質(zhì)(4)照射光，并從來自前述光信息記錄介質(zhì)的返回光中，檢測出用前述相位凹坑調(diào)制后的光強(qiáng)度作為ROM信號，同時檢測出前述返回光被前述光磁記錄膜調(diào)制后的偏振光方向分量的差動振幅作為RAM信號；把前述ROM信號以n(n＞2)倍速讀出，轉(zhuǎn)換成基準(zhǔn)速度輸出，并且，以前述n倍速把與前述ROM相關(guān)聯(lián)的輸入信息作為RAM信息記錄在規(guī)定的位置。
文檔編號G11B20/10GK1625771SQ0282875
公開日2005年6月8日 申請日期2002年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者青山信秀, 森本寧章 申請人:富士通株式會社