專利名稱：磁記錄媒體用聚酯薄膜、磁記錄帶和數(shù)字記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合磁記錄帶，特別是記錄數(shù)字盒式錄像磁帶(digitalvideo cassette tape)、數(shù)據(jù)存儲帶等的數(shù)字數(shù)據(jù)，通過MR頭進行再生處理的強磁性金屬薄膜型磁記錄帶的制造的聚酯薄膜。另外，本發(fā)明涉及采用該聚酯薄膜制造的磁記錄帶和數(shù)字記錄裝置。
該DVC磁帶作為家庭用的，在世界上最初的數(shù)字錄像盒帶，其具有下述等的優(yōu)點，即a.主體的整體尺寸較小，同時可記錄大量的信息；b.由于信號性能不變差，無論在哪一年，畫質(zhì)和音質(zhì)仍不變差；c.由于不受到噪音的妨礙，故可享受高畫質(zhì)和高音質(zhì)；d.即使在反復(fù)進行配音的情況下，圖像性能仍不變差，因此市場平價很高。
作為DVC磁帶的帶基薄膜采用表面覆蓋有微小顆粒和聚合物的聚酯薄膜(比如，JP特公昭63-57238號文獻，JP特公平6-99579號文獻，JP特開2002-50028號文獻等)。
但是，作為更小型的，并且輕量的數(shù)字攝像機，在2001年秋，與DV迷你型盒式磁帶(mini cassette)相比較，用容積比30％的大小的盒式磁帶可錄制1小時的圖像的MICRO MV規(guī)格出現(xiàn)。該新的視頻規(guī)格是采用與DVC規(guī)格相同的蒸鍍磁帶的數(shù)字記錄方式，但是，圖像壓縮方式從DV壓縮(DVC規(guī)格)，變?yōu)镸PEG2壓縮，磁帶寬度從6.35mm(DVC規(guī)格)，減小到3.8mm，另外，最短記錄波長從0.49μm(DVC規(guī)格)變?yōu)?.29μm，磁道間距從10μm(DV規(guī)格)，6.7μm(DVLP規(guī)格)變?yōu)?μm，被大幅度高密度化。另外，磁性層的厚度從DVC磁帶的160～220nm，變?yōu)镸ICRO MV磁帶的50nm，被大幅度薄膜化。
可進行這樣的高密度記錄、再生的原因在于在再生時硬盤所使用的MR頭(磁阻磁頭)。MR頭為利用下述現(xiàn)象的頭，該現(xiàn)象指如果對金屬薄膜施加磁場，則其電阻值發(fā)生變化。
本發(fā)明的目的在于提供MR頭的磨耗很少，行走耐久性良好，而且信息遺失少的磁記錄帶，和可制造該磁記錄帶的帶基薄膜。
本發(fā)明涉及一種磁記錄媒體用聚酯薄膜，在該磁記錄媒體用聚酯薄膜的一側(cè)的表面A上，形成包含微小顆粒和有機化合物的覆蓋膜，在該表面A上，存在300萬～1億個/mm2的微小表面突起，并且滿足以下的條件(a)，(b)中的至少任何一個條件，該條件指(a)上述微小表面突起的平均直徑在5～60nm的范圍內(nèi)，并且上述微小表面突起中的，高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)小于等于3000個/mm2；
(b)上述微小表面突起的平均直徑在5～100nm的范圍內(nèi)，上述微小表面突起的平均高度在5～30nm的范圍內(nèi)，并且上述微小表面突起的凝集度小于15％。
另外，本發(fā)明涉及一種磁記錄帶，該磁記錄帶在上述的磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面A的覆蓋膜上，設(shè)置有強磁性金屬薄膜。
此外，本發(fā)明涉及一種數(shù)字記錄裝置，該數(shù)字記錄裝置為至少具有再生頭和磁記錄帶的磁性記錄裝置，作為上述再生頭采用MR頭，使用數(shù)字記錄方式，并且作為磁記錄帶采用上述的磁記錄帶。
作為深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于存在于帶基薄膜的表面A上的微小表面突起為上述的特定尺寸和個數(shù)，故由該帶基薄膜制造的磁記錄帶的，MR頭的磨耗變少，并且該帶的行走耐久性也良好。
位于帶基薄膜的表面A上的微小表面突起的個數(shù)在300萬～1億個/mm2的范圍內(nèi)，優(yōu)選在500萬～9000萬個/mm2的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在500萬～8000萬個/mm2的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在900萬～6000萬個/mm2的范圍。
如果微小表面突起的個數(shù)少于300個/mm2，則磁記錄帶的磁性層表面過于平滑，磁記錄帶的行走耐久性降低。如果微小表面突起的個數(shù)大于1億個/mm2，則磁記錄帶的磁性層表面過于粗糙，往往信號遺失增加。另外，“信號遺失”指因再生信號不良，信號的一部分欠缺，產(chǎn)生圖像缺陷。
本發(fā)明的微小表面突起的一個形式是，其直徑在5～60nm的范圍內(nèi)。另外，上述微小表面突起中的，高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)小于等于3000個/mm2，更優(yōu)選小于等于1200個/mm2。
在該形式中，如果微小表面突起的平均直徑小于5nm，則磁記錄帶的磁性層表面過于平滑，磁記錄帶的行走耐久性降低，故最好不采用該方式。如果微小表面突起的平均直徑大于60nm，則磁記錄帶的磁性層表面過于粗糙，往往信號遺失增加，故該方式是不好的。
由于該微小表面突起的作用，記錄或再生時的與磁頭的摩擦造成的惡劣影響變少。但是，由于該微小表面突起中的，高度大于等于20nm的突起在通過MR頭再生的電信號中會添加噪音，故最好高度大于等于20nm的表面突起較少。另外，由于MR頭對應(yīng)磁記錄帶中的磁性層的厚度為過去的DVC帶的1/3左右，故帶基薄膜的表面突起的形狀容易呈磁性層的表面突起形狀。如果該磁性層表面的表面突起過高，則在與MR頭接觸而行走時，對MR頭表面進行磨削。于是，按照本發(fā)明，將帶基薄膜的覆蓋膜表面中的高度大于等于20nm的表面突起的個數(shù)抑制在3000個/mm2或以下。高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)更優(yōu)選小于等于1200個/mm2。
如果高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)超過3000個/mm2，則在再生時，在通過MR頭讀取的再生信號中，噪音成分增加，容易產(chǎn)生信號遺失，另外，容易對MR頭產(chǎn)生磨耗，由此，本發(fā)明的目的難于實現(xiàn)。
本發(fā)明的微小表面突起的另一個形式是，其平均直徑(D)在5～100nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在20～100nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在22～80nm的范圍內(nèi)，平均高度(H)在5～30mm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在10～30nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在12～25nm的范圍內(nèi)。另外，該微小表面突起的凝集度小于15％，優(yōu)選小于10％，更優(yōu)選小于5％，進一步優(yōu)選小于2％。
在該形式中，如果微小表面突起的平均直徑(D)小于5nm，則在磁記錄帶的磁性層的表面，難于呈現(xiàn)表面突起形狀，行走耐久性降低。如果平均直徑(D)大于100nm，則在其上的磁性層表面上呈現(xiàn)的微小表面突起的直徑過大，往往信號遺失增加。
在該形式中，如果微小表面突起的平均高度(H)小于5nm，則在形成于其上的磁性層表面上，難于呈現(xiàn)足夠的表面突起，行走耐久性降低。如果微小表面突起的平均高度(H)大于30nm，則形成于其上的磁性層表面上的表面突起的高度過高，往往信號遺失增加。
上述微小表面突起的平均直徑(D)與平均高度(H)的關(guān)系，優(yōu)選H/D小于1.0。更優(yōu)選H/D小于0.9，進一步優(yōu)選H/D小于0.8。由于這樣的微小表面突起的形狀不是陡峭的，故形成于其表面的磁性層的表面上顯現(xiàn)的表面突起的形狀也是平緩的。其結(jié)果是，在磁記錄帶進行再生時，難于通過磁性層表面的突起，對MR頭的表面產(chǎn)生磨削。
上述微小表面突起優(yōu)選不是凝集的。微小表面突起的凝集度優(yōu)選小于15％，更優(yōu)選小于10％，進一步優(yōu)選小于5％，其中以小于2％為最佳。在這里，“微小表面突起的凝集度”指在全部的微小表面突起中，與其它的微小表面突起緊密接觸的微小表面突起的比例?！芭c其它的微小表面突起緊密接觸”指該微小表面突起與周邊的其它的微小表面突起接觸，或者是在該微小表面突起的長徑的1/10以內(nèi)的距離中。
如果微小表面突起的凝集度大于等于15％，則在形成于其表面上的磁性層的表面上，也容易呈現(xiàn)凝集的表面突起。如果存在凝集于磁性層上的表面突起，則在接觸行走時，容易象銼刀那樣作用，容易對MR頭產(chǎn)生磨削。因此，帶基薄膜上的微小表面突起的凝集度越低越好。如果充分地提高微小顆粒的分散性，則可將凝集度降低到0.1％的等級。
帶基薄膜的表面A的表面粗糙度Ra最好在1～5nm的范圍內(nèi)，進一步優(yōu)選在2～4nm的范圍內(nèi)。如果該Ra值小于1nm，則形成于表面A上的磁性層過于平滑，在記錄或再生時，由于磁頭的作用，磁記錄帶中的磁性層容易磨耗，故最好不采用該方式。另一方面，如果Ra值超過5nm，則磁性層過于粗糙，磁記錄帶的輸出特性容易降低，故最好不采用該方式。
本發(fā)明的磁記錄媒體用聚酯薄膜的厚度最好小于10μm，更優(yōu)選在3.5～9.0μm的范圍內(nèi)。
用于本發(fā)明的薄膜的聚酯，只要是通過分子取向可成為高強度薄膜的聚酯都可以，但是其中優(yōu)選，聚對苯二甲酸乙二醇酯，或聚-2，6-萘二羧酸乙二醇酯。在這里，聚對苯二甲酸乙二醇酯，或聚-2，6-萘二羧酸乙二醇酯，優(yōu)選其構(gòu)成成分的80mol％或以上分別是對苯二甲酸乙二醇酯單元，或萘二羧酸乙二醇酯單元。作為對苯二甲酸乙二醇酯單元，聚萘二羧酸乙二醇酯單元以外的聚酯共聚成分，可列舉例如，二甘醇、丙二醇、新戊二醇、聚乙二醇、對亞二甲苯基二甲醇、1，4-環(huán)己烷二甲醇等的二醇成分、己二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、5-磺基間苯二甲酸等的二羧酸成分、偏苯三酸、1，2，4，5-苯四酸等的多官能羧酸成分、對羰基乙氧基苯甲酸等。
另外，在上述的聚酯中，還可按照不超過5重量％的方式混合具有與聚酯為非反應(yīng)性的磺酸的堿金屬鹽衍生物，實質(zhì)上不溶于該聚酯的聚亞烷基二醇等中的至少1種。
表面A的微小表面突起通過使具有微小顆粒和有機化合物的覆蓋膜形成于聚酯薄膜表面上而設(shè)置。該微小顆粒的平均顆粒直徑最好在5～60nm左右。另外，作為該微小顆粒最好能夠采用以下述顆粒為核芯，外面覆蓋有機高分子形成的顆粒等，作為核心的顆粒為由聚丙烯酸、聚苯乙烯、聚乙烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚環(huán)氧樹脂、聚乙酸乙烯酯、丙烯酸酯-苯乙烯共聚物、丙烯酸類共聚物、各種改性的丙烯酸樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、各種改性的苯乙烯-丁二烯共聚物等的有機高分子形成的有機高分子顆粒，二氧化硅、氧化鋁、碳酸鈣等的無機顆粒。作為有機高分子最好采用端基被環(huán)氧、胺、羧酸、羥基等改性的自交聯(lián)性的有機高分子。另外，作為微小顆?？刹捎枚趸?，氧化鋁等的無機顆粒，但是，有機高分子顆粒容易形成高度小于直徑的微小表面突起，并且柔軟，難于對MR頭產(chǎn)生磨削，故更優(yōu)選采用有機高分子顆粒。
作為用于覆蓋膜的有機化合物，可優(yōu)選采用從聚乙烯醇、黃蓍膠、酪蛋白、明膠、纖維素衍生物、水溶性聚酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、丙烯酸-聚酯樹脂、間苯二甲酸酯樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂等的有極性的高分子和它們的摻混物中選擇的化合物。
覆蓋膜中的微小顆粒的含量優(yōu)選在0.5～12.0重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.6～10.0重量％的范圍內(nèi)。
與帶基薄膜的表面A相反一側(cè)的表面(在下面將其稱為“表面B”)的表面粗糙度Ra優(yōu)選在8～50nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10～45nm的范圍內(nèi)。如果表面B的表面粗糙度Ra大于50nm，在將聚酯薄膜卷繞成卷筒狀時，因?qū)⒈砻鍮的粗糙部轉(zhuǎn)移到表面A上，則在磁性層上，引起起伏狀的變形。另外，如果表面B的表面粗糙度Ra在上述范圍內(nèi)，則按照規(guī)定的寬度將聚酯薄膜切開時，則容易獲得卷姿良好的制品。另外，在加工成磁記錄帶的場合，則錄像機內(nèi)的帶的行走性良好。
使表面B的表面粗糙度在上述范圍內(nèi)的一種方式是，在表面B上，設(shè)置含有大于表面A的微小顆粒與有機化合物的覆蓋膜。另外，另一方式是，在表面B側(cè)，層壓含有大于表面A的微小顆粒的聚酯薄膜?；蛘?，也可同時采用這些方式。另外，作為在這里所采用的微小顆粒的實例，可列舉碳酸鈣、二氧化硅、氧化鋁、聚苯乙烯等。作為微小顆粒，平均顆粒直徑優(yōu)選在100～1000nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在150～900nm的范圍內(nèi)。微小顆粒的添加量優(yōu)選在0.05～1.0重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.08～0.8重量％的范圍內(nèi)。作為有機化合物，可采用與表面A的覆蓋膜相同的成分。
為了使在將本發(fā)明的磁記錄媒體用聚酯薄膜用作磁記錄帶時的，相對于錄像機內(nèi)的各種導(dǎo)向件，銷(pin)等的帶的行走性和耐久性提高，優(yōu)選對表面B進行易滑處理。該易滑處理沒有特別的限制，但是，優(yōu)選在上述表面B側(cè)的覆蓋膜，或聚酯薄膜中包含潤滑劑，或在表面B上，進一步設(shè)置包含潤滑劑的背面涂敷層。上述潤滑劑可采用硅酮等的公知的成分。背面涂敷層的厚度最好在0.3～1.5μm的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的磁記錄帶是，在本發(fā)明的磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面A的覆蓋膜上，通過真空蒸鍍方式設(shè)置磁性層，然后加工成磁帶狀的產(chǎn)品。作為用于磁性層的金屬，沒有特別的限制，但是優(yōu)選由鐵、鈷、鎳、或它們的合金的強磁性體形成。為了與MR頭相對應(yīng)，磁性層的厚度優(yōu)選在20～70nm的范圍內(nèi)。如果磁性層的厚度小于20nm，則磁記錄帶產(chǎn)生的再生輸出信號過弱，記錄信號的讀取變得困難，故最好不采用該方式。如果磁性層的厚度超過70nm，則再生輸出信號過強，MR頭再生信號強度飽和，記錄的讀取變得困難，故最好不采用該方式。
本發(fā)明的磁記錄帶適合用作采用作為再生頭的MR頭的數(shù)字記錄裝置用的磁記錄帶。采用本發(fā)明的磁記錄帶的數(shù)字記錄裝置，特別是，如果用作數(shù)字視頻，數(shù)據(jù)存儲裝置使用，則可獲得優(yōu)異的結(jié)果。例如，即使在用作于MICRO MV規(guī)格的數(shù)字視頻等的，在磁記錄帶上以高密度，按照磁道間距小于等于6μm的較大幅度進行記錄，通過MR頭進行再生的數(shù)字記錄裝置的情況下，由于信號遺失少，故可獲得品質(zhì)良好的圖像。另外，由于不對MR頭的使用壽命造成不利影響，磁帶的行走耐久性也良好，故即使在反復(fù)使用的情況下，圖像也不變差。
下面對本發(fā)明的磁記錄媒體用聚酯薄膜的制造方法的1個實例進行描述。
首先，作為原料采用盡可能除去了包含顆粒的聚酯，通過熔融擠出成形，得到聚酯薄膜。然后，在拉伸溫度在90～140℃，拉伸倍率在2.7～5.5倍的條件下，沿縱向?qū)υ摫∧だ臁?br> 在沿縱向拉伸后的聚酯薄膜的表面A上，涂敷含有上述的微小顆粒和有機化合物的涂敷液體，形成覆蓋膜。
在拉伸溫度在90～140℃，拉伸倍率在3.5～7.0倍的條件下，對這樣在表面A上形成有微小表面突起的薄膜沿橫向拉伸。這樣被雙軸拉伸的薄膜在190～220℃的溫度下進行熱固定。
上面為逐次雙軸拉伸法的實例，但是，也可在拉伸前的薄膜的表面A上，涂敷包括微小顆粒和有機化合物的涂敷液體后，同時進行雙軸拉伸。如果需要，還可在加熱固定之前，沿縱向，橫向，或縱橫兩個方向再次進行拉伸，可提高機械強度。
微小表面突起的個數(shù)可通過調(diào)整上述涂敷液體中的微小顆粒的種類，微小顆粒的平均顆粒直徑，固態(tài)成分濃度來控制。
微小表面突起的平均直徑(D)與平均高度(H)可通過上述涂敷液體中的微小顆粒的種類，微小顆粒的平均顆粒直徑，固定成分濃度來控制。此外，在微小顆粒為有機高分子顆粒的場合，可通過調(diào)整有機高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和拉伸溫度進行控制。如果在涂敷液體涂敷后，在大于等于有機高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下進行拉伸，則有機高分子顆粒的直徑增加的同時，高度減小，形成扁平狀。由此，可使H/D小于1.0。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和拉伸溫度之間的差越大，則H/D越小。
為了使高度大于20nm的微小表面突起的個數(shù)小于等于3000個/mm2，而且表面A的表面粗糙度Ra在1～5nm的范圍內(nèi)，下述的方法是有效的。首先，通過調(diào)整上述涂敷液體中的微小顆粒的種類，微小顆粒的平均顆粒直徑，固態(tài)成分濃度，對突起個數(shù)，突起高度和突起的直徑進行控制。另外，在覆蓋膜中的微小顆粒采用有機高分子顆粒的場合，采用平均顆粒直徑在10～55nm的范圍內(nèi)，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在0～90℃的范圍內(nèi)的有機高分子顆粒。接著，在大于等于有機高分子顆粒的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，進行拉伸，由此，如前述的那樣，該有機高分子顆粒的直徑增加的同時，高度減小。這樣，可使微小表面突起的高度在20nm或以下，還可使表面粗糙度在所需的范圍內(nèi)。另一方面，在微小顆粒采用無機顆粒的場合，采用其平均顆粒直徑在5～10nm的范圍內(nèi)的無機顆粒。在此場合，如果產(chǎn)生2個或以上微小顆粒的凝集，則產(chǎn)生20nm或以上的微小表面突起，表面粗糙度Ra也過大，由此，防止凝聚是重要的。為了防止凝集，則最好，使無機顆粒的表面帶有電荷，在無機顆粒之間，產(chǎn)生排斥力。根據(jù)控制微小顆粒表面的電位，調(diào)整pH，沿微小顆粒排斥的方向調(diào)整。另外，通過提高涂敷液體的粘度，可使微小顆粒的凝集的速度減小。在采用有機高分子顆粒的場合，可確實進行控制，因此，最好采用該方式。
為了使微小表面突起的凝集度小于15％，在上述涂敷液體中，按照上述微小顆粒相互排斥的方式進行調(diào)整是有效的。為此，可調(diào)整涂敷液體粘度和涂敷液體的pH值。例如，優(yōu)選根據(jù)微小粒子表面突起的電位，調(diào)整pH值，沿微小顆粒排斥的方向進行調(diào)整。另外，最好，通過提高涂敷液體的粘度，使微小顆粒的凝集速度減小。
此外，也可通過使用共擠出技術(shù)，通過熔融擠出方式，制作A/B層壓薄膜。在此場合，作為表面A側(cè)的原料，采用上述的聚酯，表面B側(cè)的原料優(yōu)選采用含有更大的微小顆粒的聚酯。此外，也可通過在表面B上，涂敷含有潤滑劑的涂敷液體，進行易滑處理。還可同時采用共擠出和具有潤滑劑的涂敷液體的涂敷。
下面對本發(fā)明的磁記錄帶的制造方法的1個實例進行描述。在本發(fā)明的磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面A的覆蓋膜上，通過真空蒸鍍，按照厚度在20～70nm的范圍內(nèi)，形成由Co等形成的磁性層。在該磁性層上，涂敷厚度為10nm的金剛石狀的碳膜，進一步在其上，涂敷潤滑劑。另一方面，在表面B上，涂敷下述溶液，該溶液包含固體微小顆粒和粘接劑，根據(jù)需要還添加有各種添加劑，由此，設(shè)置背面涂敷層。然后，切斷為規(guī)定的寬度的磁帶狀，由此，可制造磁記錄帶。
下面根據(jù)實施例，對本發(fā)明進行描述。
本實施例所采用的測定法如下所示。另外，在針對形成有磁性層的薄膜，測定薄膜表面特性的場合，通過鹽酸等的化學物質(zhì)，去除磁性層后，可通過下述的方法進行測定。
(1)薄膜表面的表面粗糙度Ra采用原子間力顯微鏡(掃描型探針(probe)顯微鏡)，對薄膜的表面進行測定。根據(jù)所獲得的表面的輪廓曲線，計算相當于在JIS·B0601(與ISO 468-1982相同)中描述的Ra的算術(shù)平均粗糙度，作為Ra。即，根據(jù)構(gòu)成輪廓曲線的各粗糙度曲線，沿該中心線的方向，抽取測定長度L的部分，以該抽取部分的平均線的方向為X軸，以縱向倍率的方向為Y軸，粗糙度曲線由y＝f(x)表示，在此場合，根據(jù)下述公式求出的值由納米(nm)表示，相對已抽取的粗糙度曲線的根數(shù)取平均值作為Ra。Ra=1L∫01|f(x)|dx]]>測定面積為4μm的方塊的范圍，平面內(nèi)方向的放大倍率在1～5萬倍，高度方向的放大倍率為100萬倍左右。
(2)薄膜表面的微小表面突起的凝集度通過掃描型電子顯微鏡，按照5萬倍的放大倍率，對10個以上的視野進行薄膜表面觀察。在具有與某個表面突起連接的另一表面突起的場合，或在某個表面突起的長徑的1/10左右的距離以內(nèi)，具有另一表面突起的場合，該突起看上去為凝集的突起。用已凝集的突起的個數(shù)除以全部突起個數(shù)，求出凝集度(％)。
(3)薄膜表面中高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)薄膜表面中高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)，采用原子間力顯微鏡(掃描型探針(probe)顯微鏡)測定。采用Seiko Instrments公司生產(chǎn)的臺式小型探針(probe)顯微鏡(Nanopics 1000)，用轉(zhuǎn)儲方式(dumping mode)在40μm的方塊范圍內(nèi)，對薄膜的表面，進行原子間力顯微鏡測定掃描。通過所獲得的表面的輪廓曲線，制作Z軸方向剖視圖，最小高度為0nm，求出高于20nm的突起個數(shù)，換算為每1mm2的個數(shù)。平面內(nèi)方向的放大倍率為5千倍左右，高度方向的放大倍率為100萬倍左右。測定5次，求出平均值。另外，實際的可測定的高度達到100nm附近。
(4)薄膜表面上的微小表面突起的個數(shù)通過掃描型電子顯微鏡，按照5萬倍的放大倍率，以10個以上的視野，觀察薄膜表面，求出看上去呈突起狀的突起每1mm2為多少個，由此實現(xiàn)上述個數(shù)的測定。
(5)薄膜表面中的微小表面突起的平均直徑(D)通過掃描型電子顯微鏡，按照5萬倍的放大倍率，以5個視野，觀察薄膜表面，從每個視野，每次任選10個看上去呈突起狀的突起。針對已選擇的各突起，將最大直徑和最小直徑的平均值作為各突起的直徑，將50個突起的直徑的平均值作為微小表面突起的平均直徑(D)。
(6)薄膜表面的微小表面突起的平均高度(H)制作沿薄膜長度方向平行地切斷的薄膜表面部分的超薄切片(厚度約為60nm)，通過透射型電子顯微鏡(TEM，倍率為20萬倍)，進行觀察。測定從薄膜和覆蓋膜的邊界面，到微小表面突起的前端的距離，將其作為微小表面突起的高度。具體來說，制作5個超薄切片，逐個切片地拍攝TEM照片，根據(jù)各照片，進行測定，將由此得到的共計10～20個突起的高度的平均值作為微小表面突起的平均高度(H)。
(7)磁記錄帶的特性評價在已制作的MICCRO MV磁帶上，采用市場上銷售的MICRO MV方式的攝像機，在安靜的室內(nèi)，進行錄像。磁道間距為5μm。在常溫(25℃)下對已錄制的圖像進行1分鐘的再生處理，計算在畫面上出現(xiàn)的塊狀的馬塞克個數(shù)，將其作為信號遺失(在下面將其稱為DO)個數(shù)。DO個數(shù)越少，磁記錄帶的特性越好。
接著，在磁帶的全長范圍內(nèi)，反復(fù)進行200次的磁帶再生處理，測定第200次的再生時的DO個數(shù)。根據(jù)初次的再生時與第200次的再生時的DO個數(shù)的變化，評價MICRO MV磁帶的行走耐久性。另外，通過掃描型電子顯微鏡，觀察200次再生處理后的MR頭，對再生頭的磨耗特性進行評價。
實施例1將實質(zhì)上不含有非活性顆粒的聚對苯二甲酸乙二醇酯原料A，和在同一聚對苯二甲酸乙二醇酯中含有平均顆粒直徑為300nm的，含量為0.20重量％的硅酸鋁的原料B，按照厚度比為5∶1的比例，進行共擠出處理，使其緊密貼合于冷卻輥上，得到層壓薄膜。在下面，將“原料A側(cè)的表面”稱為表面A，將“原料B側(cè)的表面”稱為表面B。將所得到薄膜采用輥拉伸法，在110℃的溫度下，縱向拉伸3.0倍。
在該縱向拉伸后的工序中，在薄膜的表面A上，按照固態(tài)成分涂敷量為20mg/m2的方式，涂敷下述組成的水溶液。
表面A的涂敷水溶液(整體的pH值＝8.1)甲基纖維素 0.12重量％水溶性聚酯(由對苯二甲酸70mol％，間苯二甲酸5-磺酸鈉30mol％構(gòu)成的酸成分與乙二醇的比為1∶1的共聚物)0.33重量％氨基改性硅酮 0.010重量％平均顆粒直徑為33nm的聚苯乙烯球(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度107℃，固態(tài)成分為10重量％的乳化狀態(tài)，pH值為7.8) 0.03重量％然后，采用拉幅機，沿橫向在110℃的溫度下將薄膜拉伸4.2倍，在215℃的溫度下對其進行加熱固定處理，將其卷繞到中間卷軸上，進一步用剪切機將薄膜裁成小幅，卷繞到圓筒芯上制成卷，獲得厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜。
在該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面A上，通過真空蒸鍍，以50nm的厚度形成鈷-氧薄膜。接著，在該鈷-氧薄膜層上，通過濺射法，以10nm的厚度，形成金剛石狀的碳膜。然后，在該金剛石狀的碳膜上，以3nm的厚度，涂敷包含氟的脂肪酸酯系潤滑劑。之后，在表面B上，以500nm的厚度，設(shè)置由碳黑，聚氨酯和硅酮形成的背面涂下敷層，通過切割器，按照寬度為3.8nm的尺寸對其進行切割，將其卷繞到卷筒上，制作磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。
在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
實施例2在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球改為平均顆粒直徑為28nm的聚甲基丙烯酸甲酯球(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度118℃，固態(tài)成分為40重量％，乳化狀態(tài)，pH值＝5.6)，將涂敷水溶液整體的pH值調(diào)整為5.6，將橫向的拉伸溫度改為122℃。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
(實施例3)在實施例1的帶基薄膜制造中，將聚對苯二甲酸乙二醇酯改為聚-2，6-萘二羧酸乙二醇酯，將原料B內(nèi)的硅酸鋁的含量改為1.1重量％，將縱向拉伸工序中的溫度，拉伸倍率改為135℃，5.0倍，將固態(tài)成分涂敷量改為50mg/m2。將橫向拉伸工序中的溫度，拉伸倍率改為135℃，6.5倍，改為在200℃的溫度下的熱處理，其它的方面與實施例1相同，制作厚度為4.8μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜。采用該磁記錄媒體用聚酯薄膜，與實施例1相同，制作寬度為3.8mm的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為22nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
(實施例4)在實施例1的帶基薄膜制造中，將固態(tài)成分涂敷量改為6mg/m2。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8mm的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了很少的磨耗。
(實施例5)在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球的平均顆粒直徑改為14nm，將橫向的拉伸溫度改為102℃。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8mm的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了很少的磨耗。。
(實施例6)在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球的平均顆粒直徑改為10nm。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8mm的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了很少的磨耗。。
(實施例7)將實質(zhì)上不含有非活性顆粒的聚對苯二甲酸乙二醇酯原料A，和在同一聚對苯二甲酸乙二醇酯中含有平均顆粒直徑為300nm的，含量為0.20重量％的硅酸鋁的原料B，按照厚度比為5∶1的比例，進行共擠出處理，使其緊密貼合于冷卻輥上0，形成層片，通過輥拉伸法，在110℃的溫度下，拉伸至3.0倍。
在該縱向拉伸后的工序中，在一側(cè)的表面A的外側(cè)，按照固態(tài)成分涂敷量達到20mg/m2的方式，涂敷下述組成的水溶液。
表面A外側(cè)的涂敷水溶液(整體的pH值＝4.5)甲基纖維素 0.10重量％水溶性聚酯(＝對苯二甲酸70mol％，間苯二甲酸5-磺酸鈉30mol％形成的酸成分與乙二醇的比為1∶1的共聚物)0.33重量％氨基改性硅酮 0.01重量％平均顆粒直徑為8nm的極微小的二氧化硅0.005重量％然后，采用拉幅機，沿橫向在110℃的溫度下將薄膜拉伸4.2倍，在215℃的溫度下對其進行加熱固定處理，將其卷繞到中間卷軸上，進一步用剪切機將薄膜裁成小幅，卷繞到圓筒上制成卷，獲得厚度為6.3μm的卷筒狀的磁記錄媒體用聚酯薄膜。
在該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面A的覆蓋膜上，通過真空蒸鍍方式，以50nm的厚度形成鈷-氧薄膜。接著，在該鈷-氧薄膜層上，通過濺射法，以10nm的厚度，形成金剛石狀的碳膜，以3nm的厚度，涂敷含氟的脂肪酸酯系潤滑劑。之后，在表面B上，以500nm的厚度，設(shè)置由碳黑，聚氨酯和硅酮形成的背面涂敷層，通過切割器，按照寬度為3.8nm的尺寸對其進行切割，將其卷繞到卷筒上，制作磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。
在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
(實施例8)在實施例7的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的極微小的二氧化硅改為平均顆粒直徑為23nm的聚苯乙烯球(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度107℃，固態(tài)成分為10重量％，乳化狀態(tài)，pH值為7.8)0.03重量％，將涂敷水溶液整體的pH值調(diào)整為8.0，其它的方面與實施例7相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
(實施例9)在實施例8的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球改為平均顆粒直徑為50nm的聚甲基丙烯酸甲酯球(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度118℃，固態(tài)成分為40重量％，乳化狀態(tài)，pH值為5.6)，將涂敷水溶液整體的pH值調(diào)整為5.0，將橫向的拉伸溫度改變?yōu)?22℃。其它的方面與實施例8相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
(實施例10)在實施例7的帶基薄膜制造中，將聚對苯二甲酸乙二醇酯改為聚-2，6-萘二羧酸乙二醇酯，原料B內(nèi)的硅酸鋁的含量為1.1重量％，縱向拉伸工序的溫度，拉伸倍率改為135℃的溫度，5.0倍，固態(tài)成分涂布量改為50mg/m2，橫向拉伸工序的溫度，拉伸倍率改為135℃，6.5倍，并在200℃進行熱處理，其它的方面與實施例7相同，制作厚度為4.8μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜卷。采用所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜，與實施例1相同，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為22nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜沒有磨耗。
(比較例1)在實施例1的帶基薄膜制造中，將固態(tài)成分涂敷量改為90mg/m2，將聚苯乙烯球的濃度改為0.10重量％。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出該所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。
(比較例2)在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球的平均顆粒直徑改為90nm。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。
(比較例3)在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球改為平均顆粒直徑為20nm的極微小的二氧化硅。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了磨耗。
(比較例4)在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球的平均顆粒直徑改為60nm。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為6.35m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。
(比較例5)在實施例1的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液的pH值調(diào)整為6.5。其它的方面與實施例1相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了磨耗。
(比較例6)在實施例7的帶基薄膜制造中，將固態(tài)成分涂敷量改為6mg/m2。其它的方面與實施例7相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了磨耗。
(比較例7)在實施例7的帶基薄膜制造中，將固態(tài)成分涂敷量改為95mg/m2，將聚苯乙烯球濃度改為0.10重量％。其它的方面與實施例7相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出該所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。
(比較例8)在實施例8的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的聚苯乙烯球改為平均顆粒直徑改為90nm的球。其它的方面與實施例8相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。
(比較例9)在實施例7的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的極微小的二氧化硅改為平均顆粒直徑改為4nm的顆粒，將橫向的拉伸溫度改為102℃。其它的方面與實施例7相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了磨耗。
(比較例10)在實施例7的帶基薄膜制造中，將涂敷水溶液中的極微小的二氧化硅改為平均顆粒直徑改為18nm的顆粒。其它的方面與實施例7相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為3.8m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出該所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。在對磁記錄帶進行200次的再生處理后，在對MICRO MV攝像機的再生頭進行觀察時，頭表面的MR薄膜發(fā)生了很少的磨耗。
(比較例11)在實施例8的帶基薄膜制造中，將橫向的拉伸溫度改為103℃。其它的方面與實施例8相同，制作厚度為6.3μm的磁記錄媒體用聚酯薄膜，制作寬度為6.35m的磁記錄帶(MICRO MV磁帶)。在表1中給出該所得的磁記錄媒體用聚酯薄膜和磁記錄帶的特性。另外，該磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面B的Ra值為20nm。表1

如根據(jù)表1所述的特性所知道的那樣，采用本發(fā)明的磁記錄媒體用聚酯薄膜制造的磁記錄帶((MICRO MV磁帶)的信號遺失少，不產(chǎn)生再生時的行走造成的磨耗，另外行走耐久性良好。
如果采用本發(fā)明，可獲得MR頭的磨耗少，行走耐久性良好，信號遺失少的磁記錄帶，和可制造該磁記錄帶的磁記錄媒體用聚酯薄膜。本發(fā)明的磁記錄帶適合用作再生頭采用MR頭的數(shù)字記錄裝置用的磁記錄帶。采用本發(fā)明的磁記錄帶的數(shù)字記錄裝置特別適合用作數(shù)字視頻，數(shù)據(jù)存儲裝置。即使在采用本發(fā)明的磁記錄帶的數(shù)字記錄裝置用作在MV規(guī)格的數(shù)字視頻等的，磁記錄帶上，以磁道間距小于等于6μm的大幅度，高密度地進行記錄，通過MR頭進行再生的數(shù)字記錄裝置的情況下，信號遺失仍很少，因此，可獲得質(zhì)量良好的圖像。另外，由于不對MR頭的使用期限造成不利影響，磁帶的行走耐久性也良好，故即使在反復(fù)使用的情況下，圖像性能仍不變差。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄媒體用聚酯薄膜，其特征在于，在聚酯薄膜的一側(cè)的表面A上，形成含有微小顆粒和有機化合物的覆蓋膜，在該表面A上，存在300萬～1億個/mm2的微小表面突起，并且滿足以下的條件(a)，(b)中的至少任何一個條件，該條件指(a)上述微小表面突起的平均直徑在5～60nm的范圍內(nèi)，并且上述微小表面突起中的，高度大于等于20nm的微小表面突起的個數(shù)小于等于3000個/mm2；(b)上述微小表面突起的平均直徑在5～100nm的范圍內(nèi)，上述微小表面突起的平均高度在5～30nm的范圍內(nèi)，并且上述微小表面突起的凝集度小于15％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄煤體用聚酯薄膜，其特征在于，上述微小表面突起的平均直徑在20～100nm的范圍內(nèi)，上述微小表面突起的平均高度在10～30nm的范圍內(nèi)，并且上述微小表面突起的凝集度小于10％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄媒體用聚酯薄膜，其特征在于，上述微小表面突起的個數(shù)在500萬～90000萬個/mm2的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄媒體用聚酯薄膜，其特征在于，上述表面A的表面粗糙度Ra在1～5nm的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄媒體用聚酯薄膜，其特征在于，上述微小顆粒是有機高分子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄媒體用聚酯薄膜，其特征在于，上述聚酯為聚對苯二甲酸乙二醇酯，或聚-2，6-萘二羧酸乙二醇酯。
7.一種磁記錄帶，其特征在于，該磁記錄帶在權(quán)利要求1所述的磁記錄媒體用聚酯薄膜的表面A的覆蓋膜上，設(shè)置有強磁性金屬薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁記錄帶，其特征在于，上述強磁性金屬薄膜的厚度在20～70nm的范圍內(nèi)。
9.一種數(shù)字記錄裝置，該數(shù)字記錄裝置為至少具有再生頭和磁記錄帶的磁性記錄裝置，其特征在于，上述再生頭采用MR頭，并且磁記錄帶采用權(quán)利要求7或8所述的磁記錄帶。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)字記錄裝置，其特征在于，其采用磁道間距小于等于6μm的數(shù)字記錄方式。
全文摘要
本發(fā)明涉及下述磁記錄媒體用聚酯薄膜，在該磁記錄媒體用聚酯薄膜的一側(cè)的表面A上，形成含有微小顆粒和有機化合物的覆蓋膜，在該表面A上，存在300萬～1億個/mm
文檔編號G11B5/73GK1440996SQ03105259
公開日2003年9月10日 申請日期2003年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月26日
發(fā)明者小野雅章, 岡本克哉, 深田一吉 申請人:東麗株式會社