專利名稱：具有非磁性籽晶層的垂直寫入磁極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及電子數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取系統(tǒng)的領(lǐng)域。具體地說，本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)換頭的具有非磁性籽晶層的垂直寫入磁極。
背景技術(shù)：
在電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取系統(tǒng)中，轉(zhuǎn)換頭通常包括一用來將磁性編碼的信息存儲(chǔ)到磁盤上的寫入器和一用來從磁盤上讀取該磁性編碼信息的讀出器。讀出器通常包括兩屏蔽件和一置于兩屏蔽件之間的一磁阻(MR)傳感器。從磁盤表面發(fā)出的磁通使MR傳感器的傳感層的磁化矢量旋轉(zhuǎn)，這又使得MR傳感器的電阻率發(fā)生變化。這種MR傳感器的電阻率變化可以藉助在MR傳感器中通過一電流并測(cè)量跨越MR傳感器的電壓來測(cè)出。然后，外電路就將電壓信息轉(zhuǎn)換成一合適的格式并如所需地對(duì)信息進(jìn)行操作。
寫入器通常包括兩磁極或一磁芯，它們?cè)趯懭腩^的一空氣承載表面(ABS)處相互隔開一寫入間隙，并在離開該ABS的一區(qū)域處相互連接。在兩磁極之間設(shè)有一個(gè)或多個(gè)由一絕緣材料密封的導(dǎo)電線圈層。寫入器和讀出器經(jīng)常布置成一種合并的結(jié)構(gòu)，其中一公用的磁極同時(shí)用作讀出器的一屏蔽件和寫入器的一磁極。
磁極可以通過噴濺式工藝或者通過電解沉積來沉積。在后一種情況中，需要在其上通過光刻掩模進(jìn)行電鍍磁極的導(dǎo)電籽晶層，以使金屬離子減少并從而形成磁極。傳統(tǒng)上，籽晶層也是由導(dǎo)磁的材料制成的，這樣就使籽晶層成為磁極的一磁性活躍的部分。
寫入器可以設(shè)置成縱向的寫入器或者垂直的寫入器。在任一種情況下，盡管其元件的實(shí)際的操作和尺寸明顯不同，但寫入頭的總體結(jié)構(gòu)則是相似的。在一縱向的寫入器中，兩磁極一般指一底磁極和一頂磁極，而在一垂直的寫入器中，兩磁極一般指一返回磁極和一主磁極。
為了將數(shù)據(jù)寫入到一縱向的磁性介質(zhì)上，讓一隨時(shí)間變化的電流或?qū)懭腚娏髁鬟^導(dǎo)電線圈。寫入電流通過頂磁極和低磁極產(chǎn)生一隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)在轉(zhuǎn)換頭的ABS處跨越兩磁極之間的寫入間隙?？v向磁極介質(zhì)在靠近轉(zhuǎn)換頭的ABS的一預(yù)定的距離處通過，以使介質(zhì)的磁表面通過該磁場(chǎng)。當(dāng)寫入電流改變了方向時(shí)，磁場(chǎng)的密度和方向發(fā)生變化。因?yàn)樗a(chǎn)生的磁場(chǎng)使所要寫到磁性介質(zhì)上的諸比特(bits)處于磁性介質(zhì)的平面內(nèi)，所以這種寫入器被稱為縱向?qū)懭肫鳌?br> 垂直磁性介質(zhì)與縱向磁性介質(zhì)在記錄表面中保持磁化的方向不同。對(duì)于縱向介質(zhì)，磁化保持在一個(gè)大致平行于介質(zhì)表面的方向上，而對(duì)于垂直介質(zhì)，磁化則保持在一個(gè)大致垂直于介質(zhì)表面的方向上。為了能垂直地記錄數(shù)據(jù)，垂直介質(zhì)一般由兩層形成一具有高滲透性的柔軟磁性底層和一具有高垂直各向異性的介質(zhì)層。
為了將數(shù)據(jù)寫入到垂直磁性介質(zhì)上，使一隨時(shí)間變化的寫入電流流過導(dǎo)線線圈，這接著通過主磁極和返回磁極產(chǎn)生一隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)。然后，磁性介質(zhì)在靠近寫入器的ABS的一預(yù)定距離處通過，以使介質(zhì)通過磁場(chǎng)。對(duì)于垂直寫入器，主磁極和返回磁極比縱向?qū)懭肫鞯捻敶艠O和底磁極隔開得更遠(yuǎn)，磁極介質(zhì)的底層實(shí)質(zhì)上用作寫入器的一第三磁極；亦即，磁場(chǎng)跨越從主磁極到底層的間隙，穿過磁介質(zhì)層，然后又跨越底層與返回磁極之間的間隙，并再次穿過介質(zhì)層。為了保證磁場(chǎng)不在該返回路徑上寫入數(shù)據(jù)，返回磁極在ABS處比主磁極大得多，以使穿過介質(zhì)層的磁場(chǎng)無法集中到足以克服介質(zhì)的內(nèi)稟磁化。
目前，正采用垂直寫入器作為優(yōu)于縱向?qū)懭肫鞯目蛇x擇裝置，以增加磁性介質(zhì)的面比特密度。如上所述，垂直寫入器的主磁極一般通過光刻掩模電鍍一磁性材料來形成，這接著需要進(jìn)行導(dǎo)電籽晶層的沉積。傳統(tǒng)上，該籽晶層也是由導(dǎo)磁的材料制成的，這樣就使籽晶層成為磁極的一磁性活躍的部分。
重要的是，當(dāng)設(shè)計(jì)垂直寫入器時(shí)，較佳地是使在ABS處的主磁極的厚度最小，以減少在歪斜時(shí)的出軌。此外，僅有垂直寫入器的主磁極的一后隨邊有助于寫入過程。這樣，更厚的主磁極不會(huì)提高寫入數(shù)據(jù)的質(zhì)量。傳統(tǒng)上，縱向?qū)懭肫鞯暮穸仍诩s一微米至約兩微米的范圍內(nèi)，而垂直寫入器的厚度則小于一微米左右。但在其上進(jìn)行電鍍主磁極的傳統(tǒng)的磁性籽晶層難于使主磁極厚度的最小。以及，由于寫入頭在介質(zhì)上留下了ABS處的主磁極形狀的痕跡，所以較佳的是一正方形的主磁極。再次，傳統(tǒng)的磁性籽晶層會(huì)影響到主磁極的寬高比，使主磁極的形狀不是很正方。

發(fā)明內(nèi)容
一種垂直寫入頭，它包括一主磁極、一返回磁極以及導(dǎo)電線圈。主磁極包括一籽晶層和一電鍍?cè)谧丫由系拇判詫印Ｗ丫邮欠谴判?、?dǎo)電及防腐蝕的。返回磁極在寫入頭的空氣承載表面處與主磁極隔開一間隔，并在與空氣承載表面相對(duì)之處與主磁極相連。導(dǎo)線線圈至少部分地位于主磁極和返回磁極之間。
附圖簡(jiǎn)述

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一轉(zhuǎn)換頭的剖面圖。
圖2是圖1所示轉(zhuǎn)換頭的一主磁極和一主磁極籽晶層的空氣承載圖。
圖3-6是示出形成圖1所示轉(zhuǎn)換頭的主磁極的方法的剖面圖。
圖7A-7D為B-H圖，示出了分別電鍍?cè)卺懽丫?、?釩籽晶層、鈦-鎢籽晶層以及現(xiàn)有技術(shù)鈷-鐵籽晶層中的一個(gè)上的鈷-鎳-鐵薄片的矯頑磁性(magnetic coercivity)。
圖8A-8D是分別電鍍和形成圖案于釕籽晶層、鎳-釩籽晶層、鈦-鎢籽晶層以及現(xiàn)有技術(shù)鈷-鐵籽晶層中的一個(gè)上的一鈷-鎳-鐵結(jié)構(gòu)特征的易磁化軸的克耳鏡(Kerrscope)圖。
圖9A-9D是分別電鍍和形成圖案于釕籽晶層、鎳-釩籽晶層、鈦-鎢籽晶層以及現(xiàn)有技術(shù)鈷-鐵籽晶層中的一個(gè)上的一鈷-鎳-鐵結(jié)構(gòu)特征的難磁化軸克耳鏡圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭的一可替代實(shí)施例的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭10和磁盤12的的剖面圖。圖1所示的剖面大致垂直于轉(zhuǎn)換頭10的空氣承載表面(ABS)。圖1示出了轉(zhuǎn)換頭10和其相對(duì)磁盤12的方位。轉(zhuǎn)換頭10的ABS面對(duì)磁盤12的盤表面14。磁盤12在相對(duì)轉(zhuǎn)換頭10的一箭頭A所示方向上移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)。較佳地是使轉(zhuǎn)換頭10的ABS與盤表面14之間的間隙最小，并避免轉(zhuǎn)換頭10和磁盤12之間的接觸。在大多數(shù)情況下，轉(zhuǎn)換頭10與磁盤12之間的接觸會(huì)同時(shí)損壞磁性轉(zhuǎn)換頭10和磁盤12。
轉(zhuǎn)換頭10包括磁阻(MR)讀出器16和垂直寫入器18。MR讀出器16包括底屏蔽件20、MR讀取件22、絕緣層24以及頂屏蔽件/返回磁極26。MR讀取件22位于絕緣層24內(nèi)ABS的附近，且處于底屏蔽件20和頂屏蔽件/返回磁極26的終端之間。底屏蔽件20和頂屏蔽件/返回磁極26起作用，以通過吸收任何從相鄰的磁道和過渡區(qū)域中發(fā)出的散逸的磁場(chǎng)來保證MR讀取件22僅讀取正好存儲(chǔ)于其下方的、在磁盤12的一特定磁道上的信息。MR讀取件22可以是多種不同類型的讀取件中的任一種，如一各向異性的MR讀取件或一大磁阻(GMR)讀取件。在操作過程中，從磁盤12的一表面發(fā)出的磁通使MR讀取件22的一傳感層的磁化矢量旋轉(zhuǎn)，這接著使MR讀取件22的電阻率發(fā)生變化。MR讀取件22的電阻率變化可以藉助在MR讀取件22中通過一電流并測(cè)量跨越MR讀取件22的電壓來測(cè)出。絕緣層24使MR讀取件22對(duì)底屏蔽件20和頂屏蔽件/返回磁極26中的每一個(gè)絕緣。
垂直寫入器18包括頂屏蔽件/返回磁極26、絕緣層28、主磁極籽晶層30、主磁極32以及導(dǎo)線線圈34。頂屏蔽件/返回磁極26與主磁極籽晶層30在ABS處由絕緣層28相互隔開，并在與ABS相對(duì)處相互磁性連接。主磁極32形成在主磁極籽晶層30的與絕緣層28相對(duì)的一側(cè)上。導(dǎo)電線圈34至少部分地位于頂屏蔽件/返回磁極26與主磁極30之間的絕緣層28中。導(dǎo)電線圈34至少纏繞在頂屏蔽件/返回磁極26和主磁極32中的一個(gè)的周圍，以使通過導(dǎo)電線圈34的電流流動(dòng)在頂屏蔽件/返回磁極26和主磁極32中產(chǎn)生磁場(chǎng)。盡管圖1所示的是單層的導(dǎo)電線圈34，但應(yīng)予理解，在本技術(shù)中也可以使用由多個(gè)絕緣層隔開的多層導(dǎo)電線圈。轉(zhuǎn)換頭10是一個(gè)合并的MR頭，其中頂屏蔽件/返回磁極26同時(shí)用作MR讀出器16中的一頂屏蔽件和垂直寫入器18中的一返回磁極。如果轉(zhuǎn)換頭10是一分段式(piggyback)MR頭，頂屏蔽件/返回磁極26則由分開的層來形成。
在轉(zhuǎn)換頭10的制造中，磁性主磁極32是通過電解沉積來沉積成的，其中主磁極籽晶層30由一導(dǎo)電材料形成，并且在其上可通過光刻掩模來電鍍主磁極32。傳統(tǒng)上，主磁極籽晶層30由一種諸如鎳-鐵之類的導(dǎo)磁材料制成，以使主磁極籽晶層30成為主磁極32的一磁性活躍的部分，使得主磁極32的有效厚度大于其實(shí)際的厚度。但如上在技術(shù)背景部分所述，較佳地是使主磁極32的有效厚度最小，以減少在歪斜時(shí)的出軌。
本發(fā)明認(rèn)識(shí)到可以通過選擇不成為主磁極32的一磁性部分的主磁極籽晶層30材料來使主磁極32的有效厚度最?。灰嗉?，通過選擇一種非磁性材料來實(shí)現(xiàn)。較佳地是，為主磁極籽晶層所選擇的材料也能使主磁極32中矯頑磁性較低；更具體地說，該材料較佳地是能提供一大于3奧斯特左右的矯頑磁性，并且更佳地是大于1奧斯特左右。較低的矯頑磁性能使寫入更快，亦即，可以更加快速地反轉(zhuǎn)寫入器所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的方向。主磁極籽晶層所選擇的材料較佳地是也能防腐蝕。此外，主磁極籽晶層所選擇的材料較佳地是不會(huì)在形成主磁極32的材料中發(fā)生電蝕，從而有效地消除了將諸如金、銀及鉑之類的貴金屬用作主磁極籽晶層30的需要。此外，主磁極籽晶層30所選擇的材料較佳地是能在主磁極32中提供所要求的粗糙度和電阻率。最佳地是，主磁極籽晶層30由釕、鎳-釩或者鈦-鎢制成。
為了能垂直地記錄數(shù)據(jù)，垂直磁盤12一般由兩層形成一具有高滲透性的柔軟磁性底層38和一具有高垂直各向異性的介質(zhì)層36。
為了將數(shù)據(jù)寫入到垂直磁盤12上，使一隨時(shí)間變化的寫入電流流過導(dǎo)線線圈34，這接著通過頂屏蔽件/返回磁極26和主磁極30產(chǎn)生一隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)。然后，磁盤12在一預(yù)定距離處在寫入器18的ABS之上通過，以使磁盤12通過磁場(chǎng)。磁盤12的底層38實(shí)質(zhì)上用作寫入器18的一第三磁極；亦即，磁場(chǎng)跨越從主磁極32到底層38的間隙，穿過磁盤12的介質(zhì)層36，然后又跨越底層38與頂屏蔽件/返回磁極26之間的間隙，并再次穿過介質(zhì)層36。為了保證磁場(chǎng)不在該返回路徑上寫入數(shù)據(jù)，頂屏蔽件/返回磁極26在ABS處比主磁極32大得多，以使穿過介質(zhì)層36的磁場(chǎng)無法集中到足以克服介質(zhì)層36的內(nèi)稟磁化。
圖2是圖1所示的轉(zhuǎn)換頭10的主磁極籽晶層30和主磁極32的空氣承載圖。較佳地是，主磁極籽晶層30和主磁極32各自的寬度WMP在約0.05微米至約1微米的范圍內(nèi)，最佳是在約0.1微米至約0.3微米的范圍內(nèi)，且主磁極籽晶層30的厚度TS在約0.025微米至約0.1微米的范圍內(nèi)，主磁極32的厚度TMp使主磁極籽晶層30和主磁極32兩者的總厚度在約0.1微米至約1微米的范圍內(nèi)。此外，主磁極32較佳地是具有一沿著ABS的大致長(zhǎng)方形的形狀；亦即，主磁極32的寬度WMp較佳地是與主磁極32的厚度大致相等。因此，主磁極32的寬度對(duì)厚度而寬高比較佳地是在約0.95至約1.05的范圍內(nèi)，最佳地是約為1。
圖3-6是示出形成圖1所示的轉(zhuǎn)換頭10的主磁極32的方法的剖面圖。在圖3中，主磁極籽晶層30沉積在絕緣材料28上，并且掩模40沉積到主磁極籽晶層30之上，兩個(gè)沉積都是由傳統(tǒng)的裝置來完成的。掩模40用來限定主磁極32的形狀。在圖4中，主磁極32被電鍍到未被掩模40覆蓋的主磁極籽晶層30未遮掩部分上。在圖5中，移去掩模40。以及，在圖6中，通過一銑削過程將主磁極籽晶層30的先前掩模遮蓋的部分除去，該銑削過程也使主磁極32變薄。
本發(fā)明的發(fā)明者進(jìn)行了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，以調(diào)研非磁性主磁極籽晶層對(duì)電鍍于其上的主磁極性能的影響。圖7-9示出了實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。在實(shí)驗(yàn)中，其磁矩約1.8為泰斯拉的鈷-鎳-鐵薄片被電鍍到四種不同的籽晶層材料上；亦即(a)釕，(b)鎳-釩，(c)鈦-鎢以及(d)現(xiàn)有技術(shù)的鈷-鐵。這些籽晶層分別在鋁鈦碳(AlTiC)晶片上被沉積1000埃的厚度。然后，對(duì)四鈷-鎳-鐵薄片的磁性能進(jìn)行測(cè)量，并用一B-H滯回儀(looper)繪圖。接著測(cè)量四個(gè)鈷-鎳-鐵薄片的電阻率和粗糙度。最后，使各籽晶層和鈷-鎳-鐵薄片試件形成圖案(pattern)以形成一大的結(jié)構(gòu)特征，并用克耳鏡了進(jìn)行分析，以調(diào)研試件的沿著易磁化軸和難磁化軸的疇壁形成情況。
圖7A-7D為B-H圖，示出了分別電鍍?cè)卺懽丫?圖7A)、鎳-釩籽晶層(圖7B)、鈦-鎢籽晶層(圖7C)以及現(xiàn)有技術(shù)的鈷-鐵籽晶層(圖7D)上的鈷-鎳-鐵薄片的矯頑磁性。這些圖中所示，現(xiàn)有技術(shù)的磁性的鈷-鐵籽晶層使得薄片的易磁化軸的矯頑磁性為4.20奧斯特以及難磁化軸的矯頑磁性為1.30奧斯特，而各非磁性籽晶層所產(chǎn)生的矯頑磁性則較低。具體地說，釕籽晶層得到的薄片的易磁化軸的矯頑磁性為0.80奧斯特、難磁化軸的矯頑磁性為0.24奧斯特，鎳-釩籽晶層得到的薄片的易磁化軸的矯頑磁性為1.20奧斯特、難磁化軸的矯頑磁性為0.38奧斯特，以及鈦-鎢籽晶層得到的薄片的易磁化軸的矯頑磁性為2.60奧斯特、難磁化軸的矯頑磁性為1.50奧斯特。
圖8A-8D是分別電鍍?cè)卺懽丫?圖8A)、鎳-釩籽晶層(圖8B)、鈦-鎢籽晶層(圖8C)以及現(xiàn)有技術(shù)鈷-鐵籽晶層(圖8D)中的一個(gè)上的形成圖案的大1.8泰斯拉鈷鎳鐵結(jié)構(gòu)特征的易磁化軸克耳鏡圖。類似地，圖9A-9D是分別電鍍?cè)卺懽丫?圖9A)、鎳-釩籽晶層(圖9B)、鈦-鎢籽晶層(圖9C)以及現(xiàn)有技術(shù)鈷-鐵籽晶層(圖9D)中的一個(gè)上的形成圖案的大1.8泰斯拉鈷鎳鐵結(jié)構(gòu)特征的難磁化軸克耳鏡圖。在兩種情況下，形成在一非磁性籽晶層上的結(jié)構(gòu)特征的疇壁比形成在磁性、鈷-鐵籽晶層上的結(jié)構(gòu)特征的疇壁更少，更穩(wěn)定，且釕樣品所得的結(jié)構(gòu)特征疇壁最少、最穩(wěn)定。
圖10是根據(jù)本發(fā)明一可替代實(shí)施例的轉(zhuǎn)換頭50和磁盤52的剖面圖。圖10的剖面圖是大致垂直于轉(zhuǎn)換頭50的ABS。圖10示出了轉(zhuǎn)換頭50和其相對(duì)磁盤52的方位。轉(zhuǎn)換頭50的ABS面對(duì)磁盤52的盤表面54。磁盤52在相對(duì)轉(zhuǎn)換頭50的一箭頭A所示方向上移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)。較佳地是使轉(zhuǎn)換頭50的ABS與盤表面54之間的間隙最小，并避免轉(zhuǎn)換頭50和磁盤52之間的接觸。在大多數(shù)情況下，轉(zhuǎn)換頭50與磁盤52之間的接觸會(huì)同時(shí)損壞磁性轉(zhuǎn)換頭50和磁盤52。
轉(zhuǎn)換頭50包括由絕緣層59分開的磁阻(MR)讀出器56和垂直寫入器58。MR讀出器56包括底屏蔽件60、MR讀取件62、絕緣層64以及頂屏蔽件66。MR讀取件62位于絕緣層64內(nèi)ABS的附近，且處于底屏蔽件60和頂屏蔽件66的終端之間。底屏蔽件60和頂屏蔽件66起作用，以通過吸收任何從相鄰的磁道和過渡區(qū)域中發(fā)出的散逸的磁場(chǎng)來保證MR讀取件62僅讀取正好存儲(chǔ)于其下方的、在磁盤52的一特定磁道上的信息。MR讀取件62可以是多種不同類型的讀取件中的任一種，如一各向異性的MR讀取件或一大磁阻(GMR)讀取件。在操作過程中，從磁盤52的一表面發(fā)出的磁通使MR讀取件62的一傳感層的磁化矢量旋轉(zhuǎn)，這接著使MR讀取件62的電阻率發(fā)生變化。MR讀取件62的電阻率變化可以藉助在MR讀取件62中通過一電流并測(cè)量跨越MR讀取件62的電壓來測(cè)出。絕緣層64使MR讀取件62對(duì)底屏蔽件60和頂屏蔽件66中的每一個(gè)絕緣。
垂直寫入器58包括主磁極籽晶層68、主磁極70、絕緣層72、返回磁極74以及導(dǎo)線線圈76。返回磁極74與主磁極籽晶層70在ABS處由絕緣層72相互隔開，并在與ABS相對(duì)處相互磁性連接。主磁極70形成在主磁極籽晶層68的與絕緣層59相對(duì)的一側(cè)上。導(dǎo)電線圈76至少部分地位于返回磁極74與主磁極70之間的絕緣層72中。導(dǎo)電線圈76至少纏繞在返回磁極74和主磁極70中的一個(gè)的周圍，以使通過導(dǎo)電線圈76的電流流動(dòng)在返回磁極74和主磁極70中產(chǎn)生磁場(chǎng)。盡管圖10所示的是單層的導(dǎo)電線圈76，但應(yīng)予理解，在本技術(shù)中也可以使用由多個(gè)絕緣層隔開的多層導(dǎo)電線圈。轉(zhuǎn)換頭50是一個(gè)分段式的MR頭，其中主磁極70和頂屏蔽件66由分開的層來形成。
為了能垂直地記錄數(shù)據(jù)，垂直磁盤52一般由兩層形成一具有高滲透性的柔軟磁性底層80和一具有高垂直各向異性的介質(zhì)層78。
圖10所示的垂直寫入器58與圖1所示的寫入器18的不同在于，寫入器58的主磁極70是主磁極70和返回磁極74的前導(dǎo)磁極，而寫入器18的返回磁極26是主磁極30和返回磁極26的前導(dǎo)磁極。另外，轉(zhuǎn)換頭50的各部分的性能與轉(zhuǎn)換頭10的相應(yīng)部分的性能類似。
盡管本發(fā)明是參照較佳實(shí)施例進(jìn)行描述的，但熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員會(huì)理解，在形式上和細(xì)節(jié)上可以進(jìn)行修改，而不超出本發(fā)明的思想和保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種垂直寫入器，它包括一垂直寫入磁極，該垂直寫入磁極包括一非磁性、導(dǎo)電及防腐蝕的籽晶層和一電鍍?cè)谧丫由系拇判詫印?br> 2.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，籽晶層由選自釕、鎳-釩及鈦-鎢所組成的一組材料中的一種材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，籽晶層的厚度小于約0.1微米。
4.如權(quán)利要求3所述的寫入器，其特征在于，籽晶層的厚度大于約0.025微米。
5.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，垂直寫入磁極的厚度在約0.1微米至約1微米的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，垂直寫入磁極的厚度在約0.1微米至約0.5微米的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，垂直寫入磁極的寬度對(duì)厚度的寬高比在約0.95至約1.05的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，磁性層的易磁化軸矯頑磁性小于約3奧斯特。
9.如權(quán)利要求1所述的寫入器，其特征在于，磁性層的易磁化軸矯頑磁性小于約1奧斯特。
10.一種垂直寫入頭，它包括一主磁極，它包括一非磁性、導(dǎo)電、防腐蝕的籽晶層和一電鍍?cè)谧丫由系拇判詫樱灰环祷卮艠O，該返回磁極在寫入頭的空氣承載表面處與主磁極隔開一間隔，并在與空氣承載表面相對(duì)之處與主磁極相連；以及至少部分地位于主磁極和返回磁極之間的導(dǎo)電線圈。
11.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，籽晶層由選自釕、鎳-釩及鈦-鎢所組成的一組材料中的一種材料制成。
12.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，籽晶層的厚度小于約0.1微米。
13.如權(quán)利要求12所述的垂直寫入頭，其特征在于，籽晶層的厚度大于約0.025微米。
14.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，主磁極的厚度在約0.1微米至約1微米的范圍內(nèi)。
15.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，主磁極的厚度在約0.1微米至約0.5微米的范圍內(nèi)。
16.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，主磁極的寬度對(duì)厚度的寬高比在約0.95至約1.05的范圍內(nèi)。
17.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，磁性層的易磁化軸矯頑磁性小于約3奧斯特。
18.如權(quán)利要求10所述的垂直寫入頭，其特征在于，磁性層的易磁化軸矯頑磁性小于約1奧斯特。
19.在具有一磁性主磁極和一磁性返回磁極的垂直寫入頭中，其中主磁極包括一籽晶層和一電鍍?cè)谧丫由系拇判詫?，以及其中主磁極在寫入頭的空氣承載表面處與返回磁極隔開一間隔，并在與空氣承載表面相對(duì)之處與返回磁極接觸，改進(jìn)包括選擇一種非磁性、導(dǎo)電及防腐蝕的材料來形成籽晶層，以將磁性層的易磁化軸矯頑磁性和難磁化軸矯頑磁性同時(shí)減小到小于約3奧斯特。
20.如權(quán)利要求19所述的垂直寫入頭，其特征在于，籽晶層由選自釕、鎳-釩及鈦-鎢所組成的一組材料中的一種材料制成。
全文摘要
一種垂直寫入頭，它包括一主磁極、一返回磁極以及導(dǎo)電線圈。主磁極包括一籽晶層和一電鍍?cè)谧丫由系拇判詫印Ｗ丫邮欠谴判?、?dǎo)電及防腐蝕的。返回磁極在寫入頭的空氣承載表面處與主磁極隔開一間隔，并空氣承載表面相對(duì)之處與主磁極相連。導(dǎo)線線圈至少部分地位于主磁極和返回磁極之間。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1508774SQ03107800
公開日2004年6月30日 申請(qǐng)日期2003年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月3日
發(fā)明者P·K·M·麥吉恩, A·M·貝爾, A·B·約翰斯頓, P K M 麥吉恩, 約翰斯頓, 貝爾 申請(qǐng)人:西加特技術(shù)有限責(zé)任公司