專利名稱：用于動(dòng)態(tài)頁編程的更新設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及存儲(chǔ)系統(tǒng)，而且更特別地關(guān)于具有參考單元的存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，以及確保數(shù)據(jù)單元與參考單元有相同期齡的一種方法。
背景技術(shù)：
閃存是一種在不耗電力的情形下可重寫并且可維持其內(nèi)容的電子存儲(chǔ)介質(zhì)。閃存器件一般具有100K至300K寫入次數(shù)的壽命。不像可將單一字節(jié)擦除的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件以及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件，閃存器件典型地在固定多位區(qū)塊或者扇區(qū)中被擦除和寫入。從電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)芯片技術(shù)發(fā)展而來的閃存技術(shù)，其可在位置上予以擦除。閃存器件比較便宜且較密實(shí)，這意味著閃存器件在每單元區(qū)域可維持更多數(shù)據(jù)。此新類型的EEPROM(電可擦除只讀存儲(chǔ)器)已經(jīng)顯示為一重要的非易失性存儲(chǔ)器，其結(jié)合了可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)的密度與EEPROM的電可擦除能力的優(yōu)點(diǎn)。
傳統(tǒng)的閃存器件是以單元結(jié)構(gòu)建構(gòu)的，其中在每個(gè)單元中存儲(chǔ)單一位的信息。在此種單一位存儲(chǔ)器架構(gòu)中，各單元基本上包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管結(jié)構(gòu)，其在襯底或者P阱中具有源極、漏極和溝道，并且具有覆蓋溝道的堆疊的柵極結(jié)構(gòu)。堆疊柵極可能進(jìn)一步包括形成在襯底或者P阱的表面上的薄柵極介電層(有時(shí)稱為隧道氧化物層)。堆疊柵極還包括覆蓋該隧道氧化物的多晶硅浮柵，以及覆蓋該浮柵的層間介電層。層間電介質(zhì)經(jīng)常是多層絕緣體，譬如具有兩個(gè)氧化物層夾著氮化物層的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層。最后，將多晶硅控制柵極則覆蓋在層間介電層上。
該控制柵極連接到與一行這樣的單元關(guān)聯(lián)的字線，以在典型的NOR組態(tài)中形成此單元的扇區(qū)。此外，這些單元的漏極區(qū)域通過導(dǎo)電的位線而彼此連接。形成在源極與漏極區(qū)域之間的單元的溝道，根據(jù)通過附著到該堆疊柵極結(jié)構(gòu)的字線而施加到該堆疊柵極結(jié)構(gòu)的電壓在溝道內(nèi)形成的電場，在源極與漏極之間傳導(dǎo)電流。在NOR組態(tài)中，在一列內(nèi)的晶體管的各漏極端連接到相同的位線。此外，在一列中各快閃單元的堆疊柵極結(jié)構(gòu)連接到相同的字線?；旧?，各單元的源極端連接到共同的源極端。在操作上，使用外圍譯碼器與控制電路經(jīng)過各自的位線與字線對(duì)各快閃單元尋址，以對(duì)該單元編程(寫入)、讀取和擦除。
通過將程序化電壓施加到控制柵極，將源極連接到地面以及將漏極連接到程序化電壓，來對(duì)單一位堆疊的柵極閃存單元進(jìn)行編程。最后通過該隧道氧化物的高電場導(dǎo)致一種現(xiàn)像，稱為″Fowler-Nordheim″隧道效應(yīng)。在Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)期間內(nèi)，因?yàn)楦疟粚娱g介電質(zhì)與隧道氧化物所圍繞，所以在隧道區(qū)域中的電子經(jīng)過柵極氧化物，而進(jìn)入浮柵，并且在浮柵中被捕獲。由于捕獲了電子，所以該單元的該臨限電壓則會(huì)增加。由捕獲的電子所產(chǎn)生的該單元臨限電壓的此種改變(以及因此的溝道導(dǎo)電性)，使得該單元被編程。
為了將典型的單一位堆疊柵極閃存單元擦除，將電壓施加到源極，將控制柵極維持在負(fù)電位，并且允許漏極浮動(dòng)。在這些條件下，形成一個(gè)穿過浮柵與源極之間的隧道氧化物的電場。在浮柵中捕獲的電子流動(dòng)朝向并且聚集在覆蓋源極區(qū)域上的浮柵部分。隨后該電子依靠穿過隧道氧化物的Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)從浮柵逸出并進(jìn)入源極區(qū)域內(nèi)。當(dāng)電子從浮柵被移除時(shí)，該單元被擦除。
在傳統(tǒng)的單一位閃存器件中，將執(zhí)行擦除確認(rèn)，以決定在一區(qū)塊中或者單元組中的每個(gè)單元是否已經(jīng)被適當(dāng)?shù)夭脸，F(xiàn)有的單一位擦除確認(rèn)方法提供用于位或者單元擦除的確認(rèn)，以及將增補(bǔ)擦除脈沖施加到各個(gè)最初的確認(rèn)失效的單元。之后，再度確認(rèn)該單元的擦除狀態(tài)，而且會(huì)持續(xù)該過程，直到將該單元或者位成功地擦除或者將該單元以不能使用來標(biāo)示為止。
近來，已經(jīng)引入雙位閃存單元，其允許在單一存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)兩位的信息。單一位堆疊柵極結(jié)構(gòu)采用的傳統(tǒng)的編程與擦除確認(rèn)方法，不適用于此種雙位器件。雙位閃存結(jié)構(gòu)并沒有應(yīng)用浮柵，譬如ONO閃存器件在ONO層上應(yīng)用多晶硅層，來提供字線連接。已經(jīng)發(fā)展的傳統(tǒng)單一位閃存器件的技術(shù)，并不能良好的用于新雙位閃存單元。
雙位閃存單元使用令人認(rèn)為是虛擬接地架構(gòu)的結(jié)構(gòu)，其中一位的源極可用作鄰近位的漏極。在讀取操作期間內(nèi)，最靠近被讀取單元的接合是接地端，而該單元的另一邊則為漏極端。這被稱為反向讀取。在編程和擦除期間使用V漏極電壓取代接地電壓，將漏極切換返回到最近接合處，其用于讀取與確認(rèn)操作。
已經(jīng)出現(xiàn)的另一問題是在該單元循環(huán)之后的電荷耗損。本發(fā)明者已經(jīng)確定，雙位操作的主要挑戰(zhàn)源自于在以下兩種情形下的電荷耗損與新增位(complimentary bit)干擾的結(jié)合1.在BOL(有效期開始)的CBD(新增位干擾)；以及2.在EOL(有效期結(jié)束或者烘烤后)循環(huán)后的電荷耗損。測試數(shù)據(jù)指示出該CBD在靠近BOL處較高，而且這些分布在循環(huán)與烘烤(EOL)之后覆加在編程Vt上。該兩分布的重疊阻止了對(duì)于雙重操作的正確工作的正常讀取感應(yīng)設(shè)計(jì)。換句話說，我們無法決定出在CB或者NB的數(shù)據(jù)是一或者零，因?yàn)楫?dāng)這些分布彼此接近時(shí)，我們無法可靠地決定該數(shù)據(jù)是一或者零。這是由于從該單元讀取的數(shù)據(jù)與靜態(tài)性參考的比較。另一問題則是，編程單元的電荷耗損(循環(huán)后)以及CBD并非處于1對(duì)1的關(guān)系。循環(huán)后的CBD單元僅損失它的編程單元所損耗的全部Vt的大約60％。因此，在循環(huán)與烘烤之后，無法使用讀取CBD與零的正常感應(yīng)方法。
由于在循環(huán)與烘烤之后，不良的CBD至零窗口，所以必須發(fā)展和探究讀取的替代性方法。在許多讀取替代性方法中，發(fā)展出一種方法，稱為″平均動(dòng)態(tài)參考方法″，其被判定為最佳的方法，并且解決了許多相關(guān)于雙位操作的問題。該平均動(dòng)態(tài)參考方法將雙位存儲(chǔ)單元的可使用壽命延長到設(shè)計(jì)壽命。該平均動(dòng)態(tài)參考方法使用″平均的″兩參考單元，而且將平均電流與被讀取單元的電流進(jìn)行比較。這些參考單元與該陣列同時(shí)循環(huán)。這意味著這些參考單元是相同″期齡″的，是因?yàn)樗鼈円呀?jīng)持續(xù)了與相較的數(shù)據(jù)單元相同數(shù)目的周次。為了確保這些參考單元與這些數(shù)據(jù)單元相同期齡，于是就發(fā)展出一種方法，在將該扇區(qū)陣列單元再循環(huán)時(shí)，將這些參考單元再循環(huán)。
因此，所需要的則是將這些參考單元與這些數(shù)據(jù)單元維持“同步”(相同期齡)的一種結(jié)構(gòu)與方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，前述的與其它的目標(biāo)與優(yōu)點(diǎn)，是通過閃存陣列以及將受到改變的字中的位再編程與更新的一種方法而得到。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面，將多個(gè)雙位閃存單元分成區(qū)段，并且連接到與各區(qū)段邏輯相關(guān)的一對(duì)參考單元的共同字線。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，將所允許的改變輸入到該存儲(chǔ)陣列，該陣列讀取受到改變的字或多個(gè)字。受到編程的位在受到改變的各區(qū)段中被編程，而且在字或者多個(gè)字中沒受到改變的位也被再編程。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，對(duì)該區(qū)段的剩余字或者多個(gè)字中先前編程的位進(jìn)行編程。在本發(fā)明另一個(gè)方面中，對(duì)該參考單元中先前編程的位進(jìn)行編程。
對(duì)受到改變的位再編程并且將先前編程位更新的所述閃存陣列與方法，提供了一種確保該參考單元與數(shù)據(jù)單元是相同期齡的閃存陣列與方法。
依據(jù)以下詳細(xì)說明結(jié)合附圖的考慮可較佳地理解本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將從以下說明而變得容易了解，其僅通過實(shí)施本發(fā)明的最佳具體實(shí)施例的說明而來顯示與說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。誠如所將理解到的是，本發(fā)明能夠有其它的具體實(shí)施例，而且它的許多細(xì)節(jié)能夠以種種明顯的態(tài)樣來修改，所有均不脫離本發(fā)明的范圍。因此，該附圖與詳細(xì)說明在特性上將視為是說明性，而非限制性。


本發(fā)明令人信服的新特征陳述于所附權(quán)利要求中。不管怎樣，本發(fā)明本身與所使用的較佳模式以及其進(jìn)一步目的與優(yōu)點(diǎn)，將通過結(jié)合附圖而讀取時(shí)參考說明性具體實(shí)施例的以下詳細(xì)說明而最佳地令人理解，其中圖1是示范性雙位存儲(chǔ)單元的側(cè)剖面圖，其中可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各個(gè)方面；圖2A是一部分陣列的互連的示意圖；圖2B是字線的示意圖，其具有相關(guān)于該字線的一參考對(duì)存儲(chǔ)單元；圖2C是在分成區(qū)段的字線中單元的示意圖，各區(qū)段則具有按邏輯配置的相關(guān)參考對(duì)；圖3是流程圖，顯示對(duì)區(qū)段的字或者多個(gè)字中將要改變的位進(jìn)行再編程，并且對(duì)該區(qū)段中剩余字中的剩余編程的位進(jìn)行更新的步驟，再該區(qū)段中的字或者多個(gè)字被再編程；圖4A至4D說明本發(fā)明的方法，在此8字區(qū)段的其中一個(gè)字被改變并且顯示一個(gè)代表性的字，該代表性的字連同與包括改變字的8字區(qū)段相關(guān)的參考對(duì)被更新；以及圖5是表示以本發(fā)明而進(jìn)行的有效改變的表。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的具體實(shí)施例或者多個(gè)具體實(shí)施例，其說明目前由本發(fā)明者所思量的用來實(shí)施本發(fā)明的最佳模式或者多個(gè)模式。
現(xiàn)在參考附圖，圖1說明示范性雙位存儲(chǔ)單元10，其中可能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明各個(gè)方面的其中一個(gè)或者多個(gè)。存儲(chǔ)單元10包含夾于頂部二氧化硅層14與底部二氧化硅層18之間的氮化硅層16，以形成ONO層30。多晶硅層12存在于ONO層30上，提供連接到該存儲(chǔ)單元10的字線。第一位線32行進(jìn)于第一區(qū)域4下的ONO層30下，而且第二位線34行進(jìn)于第二區(qū)域6下的ONO層30下。位線32與34由傳導(dǎo)性部分24以及選擇性氧化物部分22形成。硼心注入物20設(shè)置在各位線32與34的兩端點(diǎn)上，在此位線接觸底部二氧化硅層18或者沿著全部的晶體管。硼心注入物比P型襯底9具有更濃密地?fù)诫s，其有助于控制存儲(chǔ)單元10的Vt。該單元10存在于P型襯底9上，位線32與34的傳導(dǎo)性部分24則由N+砷注入物所形成，以便穿過P型襯底9而形成溝道8。存儲(chǔ)單元10是單一晶體管，其具有可互換的源極與漏極組件，該等組件由存在于P型襯底區(qū)域9的N+砷注入物部分24所形成，而柵極則作為一部分多晶硅字線12被形成。
氮化硅層16形成電荷捕獲層。通過施加適當(dāng)電壓到充當(dāng)漏極端的位線、到柵極、以及將充當(dāng)源極端的源極位線接地而完成對(duì)一個(gè)單元的編程。該電壓沿著溝道產(chǎn)生電場，以導(dǎo)致電子加速并且從襯底層9進(jìn)入氮化物層16內(nèi)，其被認(rèn)為是熱電子注入。因?yàn)槎鄠€(gè)電子在漏極得到大部分能量，所以這些電子被捕獲，并且依然儲(chǔ)存在靠近漏極的氮化物層16中。單元10通常是均勻的，而且漏極與源極可互換。因?yàn)閷?6的氮化硅為非傳導(dǎo)性的，所以第一電荷26可注入到靠近中央?yún)^(qū)域5的第一端點(diǎn)的氮化物16內(nèi)，而且第二電荷28可注入到靠近中央?yún)^(qū)域5第二端點(diǎn)的氮化硅層16內(nèi)。因此，假如該電荷沒有移動(dòng)的話，每單元就會(huì)有兩位，取代每單元一位。
如先前所述，第一電荷26可儲(chǔ)存在中央?yún)^(qū)域5的第一端的氮化硅層16中，第二電荷28則可儲(chǔ)存在中央?yún)^(qū)域5的另一端，以致使每存儲(chǔ)單元10可存在兩位。雙位存儲(chǔ)單元10是對(duì)稱的，其容許漏極與源極可相互交換。于是，當(dāng)對(duì)左位C0進(jìn)行編程時(shí)，第一位線32可以當(dāng)作漏極端而且第二位線34則當(dāng)作源極端。同樣地，第二位線34可能當(dāng)作漏極端，第一位線32則當(dāng)作源極端，以用來對(duì)右位C1進(jìn)行編程。
圖2A與表1說明一組特定的電壓參數(shù)，用于進(jìn)行讀取、編程、對(duì)具有第一位C0與第二位C1的雙位存儲(chǔ)單元10的單邊與雙邊擦除。
表1

參考圖2A，顯示了由雙位存儲(chǔ)單元10，譬如圖1所示的雙位存儲(chǔ)單元10所組成的一部分存儲(chǔ)陣列200。該存儲(chǔ)陣列部分200顯示連接到共同字線202的雙位存儲(chǔ)單元10。該共同的字線連接到字線控制器204，該控制器提供適當(dāng)電壓到各字線，用來對(duì)存儲(chǔ)組中的單元進(jìn)行讀取、編程與擦除。位線BL0至BLn將單元10連接到位線控制器206，該控制器則提供適當(dāng)電壓到各種單元，用來讀取、編程和擦除各種單元。如上所述，連接到字線的雙位存儲(chǔ)單元的數(shù)目可以非常大，而且可以是128個(gè)字或者更多。例如，假如各字是16位字的話，那么則會(huì)有2048位連接到字線。
圖2B是字線208的示意圖，其具有功能如同數(shù)據(jù)單元(包含數(shù)據(jù)信息的單元)的雙位存儲(chǔ)單元210至216以及功能如同參考單元的一參考對(duì)218雙位存儲(chǔ)單元220與222。閃存單元被配置在具有共同字線的陣列中，該字線延伸超過許多頁，而各頁則具有8或16或者一些其它數(shù)目的數(shù)據(jù)字/頁。假如每16位/字的字線具有128個(gè)數(shù)據(jù)字的話，那么隨后每字線就會(huì)有2048位。在圖2B中，各字線具有邏輯上與該字線相關(guān)的一對(duì)參考單元。要注意的是，所示參考單元被物理地連接在該字線末端，不過，參考單元可在任何點(diǎn)上物理地連接到該字線。目前，假如客戶想要改變連接到該字線的字的話，該客戶則必須擦除并且再編程連接到該字線的所有的2048位，包括在該參考對(duì)中的位，以確保諸數(shù)據(jù)單元以及在該參考對(duì)中的單元有相同期齡。誠如應(yīng)該理解的是，每當(dāng)必須將單一字重新再編程時(shí)，客戶寧愿不再編程一個(gè)字線上的所有單元。例如，假如該客戶需要在單元210中改變僅僅一位的話，而且假如數(shù)據(jù)單元與參考單元需要維持同步(相同期齡)的話，那么全部的2048位就必須被擦除和再編程。因?yàn)榫哂杏邢迶?shù)目的擦除/編程循環(huán)，以及各擦除/編程循環(huán)花費(fèi)時(shí)間，所以擦除全部2048位的條件就會(huì)不利于存儲(chǔ)陣列的壽命，它是無效率的。
圖2C給出了每次改變連接到字線的一個(gè)字時(shí)，對(duì)字線上的所有2048位必須再編程的必要條件的解決方法，以將沒有改變的字所受到的循環(huán)次數(shù)最小化，并且將與改變字線上的一字或者多個(gè)字有關(guān)的時(shí)間最小化。在圖2C中所顯示的解決方法是將連接到字線的全部數(shù)目的字劃分成區(qū)段，而且在圖2C中給出了各10區(qū)段包含8字以及與各區(qū)段相關(guān)的邏輯配置參考對(duì)。因此，假如各字線具有128字，各區(qū)段具有8字，就會(huì)有16區(qū)段以及與該16區(qū)段結(jié)合的16對(duì)參考單元。誠如應(yīng)該理解的，指派到各區(qū)段的字?jǐn)?shù)是任意的，而其它的字/區(qū)段數(shù)是可選擇的。本實(shí)施例中每區(qū)段8字的選擇僅僅用于說明與討論的目的，而由本發(fā)明可了解每區(qū)段可使用其它數(shù)目的字。位線控制器/譯碼器206控制經(jīng)由以224表示的位線而施加到在各區(qū)段的單元的電壓。要注意的是，顯示在位線控制器/譯碼器206與各區(qū)段以及各區(qū)段參考對(duì)之間的單一互聯(lián)224，代表各種位線連接。
圖3給出了與本發(fā)明結(jié)構(gòu)有關(guān)的基本方法的流程圖。如步驟300所示，使用者將需要的改變輸入到該系統(tǒng)。使用者僅僅輸入改變，而不需要擦除，即，并不需要將0(一個(gè)編程位)改變成1(一個(gè)未編程或者空白位)。參見圖5，其用于由本發(fā)明而完成的有效改變。在步驟302，該系統(tǒng)讀取包含再編程的字或者多個(gè)字的該區(qū)段或者多個(gè)區(qū)段中的所有字。在步驟304，該系統(tǒng)根據(jù)在步驟300的使用者輸入而將在該字或者多個(gè)字中的位編程。在步驟304，該系統(tǒng)還將先前改變的字或者多個(gè)字中受到編程的位更新(再編程)。在步驟306，該系統(tǒng)將先前已經(jīng)在該區(qū)段或者多個(gè)區(qū)段的剩余字以及相關(guān)參考對(duì)中受到編程的位更新，該區(qū)段或者多個(gè)區(qū)段包括受到改變的字或者多個(gè)字。
圖4A至4D說明本發(fā)明的方法，在此8字區(qū)段的一個(gè)字受到改變，并且顯示來自該剩下7字的代表性字，該代表性字連同與包括受到改變的字的8字區(qū)段相關(guān)的參考對(duì)一起被更新。
圖4A在400顯示了區(qū)段中受到改變的一個(gè)字。沒受到改變的代表性字則顯示在402。相關(guān)的參考對(duì)顯示在404。
圖4B在406顯示了被改變的在400的字。位1、4、7&11受到改變。這些位從左到右為位0和位15，位0和位15分別由408和410表示。
圖4C圖顯示在400、402的字以及在圖4A所顯示的改變前的參考對(duì)。在412，顯示出通過再編程而改變的位1、4、7&11。在414，顯示出受到更新的先前編程位，這些位并不在受到改變的字中被改變。此外，先前在代表性字中受到編程的位，其顯示出受到更新，而且在該參考對(duì)中受到先前編程的位也顯示出受到更新(再編程)。
圖4D圖顯示出在完成再編程與更新之后的字。
圖5是表500，表示出以本發(fā)明的方法進(jìn)行的有效改變。使用者數(shù)據(jù)(顯示出使用者希望的位)顯示在第1列，現(xiàn)存的陣列數(shù)據(jù)則顯示于第2列，而寫入數(shù)據(jù)則顯示于第3列。行502顯示一無效的功能，該功能將需要擦除，在此情形中，使用者將要求而且執(zhí)行擦除功能。
總之，將受到改變的再編程位以及將先前編程位更新的所描述的閃存陣列與方法，提供一種閃存陣列與方法，該存儲(chǔ)陣列與方法確保參考單元與數(shù)據(jù)單元是相同的期齡。
本發(fā)明的具體實(shí)施例的先前說明是為了顯示與說明。并不打算將本發(fā)明排出或者限制在所揭露出的精確形式。鑒于上述學(xué)說而有可能進(jìn)行種種修改或者改變。選擇并且說明本具體實(shí)施例，以提供本發(fā)明原理的最佳說明及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員以種種具體實(shí)施例來應(yīng)用本發(fā)明，而種種變更則適合所考慮到的特別使用。所有此種變更與改變?cè)诟鶕?jù)它們以公平、合法、與均等具有的廣泛性而詮釋的時(shí)候，處于由附加權(quán)利要求所決定的發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種閃存陣列，包含復(fù)數(shù)個(gè)雙位閃存(10、210、212、214、216、220、222)，其連接到一共同字線(12、202、208)；該連接到共同字元線(12、202、208)的復(fù)數(shù)個(gè)雙位閃存單元(10、210、212、214、216、220、222)被分成區(qū)段；一對(duì)參考單元(218)，其與各區(qū)段邏輯相關(guān)；一對(duì)位線(32、34)，其連接到各區(qū)段中的各閃存單元，以及一對(duì)位線(32、34)，其連接到該對(duì)參考單元(218)；一位線控制器/譯碼器(206)，其連接到與該閃存單元連接的該對(duì)位線(32、34)以及該對(duì)位線(32、34)；以及一字線控制器(204)，其連接到該共同字線(12、202、208)。
2.一種對(duì)雙位閃存陣列中雙位閃存單元(10、210、212、214、216、220、222)進(jìn)行再編程與更新的方法，其中復(fù)數(shù)個(gè)雙位閃存單元(10、210、212、214、216、220、222)連接到一共同字線(12、202、208)以及被劃分成區(qū)段，其中一對(duì)參考單元與雙位閃存單元(10、210、212、214、216、220、222)的各區(qū)段邏輯相關(guān)，該方法包含(a)將改變輸入到該閃存陣列；(b)讀取各區(qū)段中受到改變的字或者多個(gè)字；(c)將各區(qū)段中受到改變的字或者多個(gè)字的位編程；(d)將各區(qū)段中受到改變的字或者多個(gè)字的先前受到編程的位更新；(e)將各區(qū)段中剩余字或者多個(gè)字中先前受到編程的位更新；以及(f)將與雙位閃存單元(10、210、212、214、216、220、222)各區(qū)段邏輯相關(guān)的該對(duì)參考單元(218)中先前受到編程的位更新。
3.如權(quán)利要求2的方法，其中步驟(a)由使用者將可允許的改變輸入到該閃存陣列而完成。
4.如權(quán)利要求2的方法，其中步驟(c)通過改變字或者多個(gè)字中的將改變?yōu)榫幊涛坏牟脸欢瓿伞?br> 5.如權(quán)利要求2的方法，其中步驟(d)通過將受到改變的字或者多個(gè)字中先前編程的位再編程而完成。
6.如權(quán)利要求2的方法，其中步驟(e)通過將各區(qū)段中剩余字或者多個(gè)字中先前受到編程的位再編程而完成，該各區(qū)段包括受到改變的字。
7.如權(quán)利要求2的方法，其通過對(duì)與各區(qū)段相關(guān)的參考對(duì)中先前編程的位進(jìn)行編程而來完成。
全文摘要
一種閃存陣列，其具有被分成連接到字線(12、202、208)的區(qū)段的多個(gè)雙位存儲(chǔ)單元(10、210、212、214、216、220、222)以及一對(duì)參考單元(218)，此參考單元與各區(qū)段邏輯地相關(guān)。一種將需要改變的區(qū)段或者多個(gè)區(qū)段字再編程的方法，包括將允許的改變輸入到閃存陣列；在各區(qū)段中讀取受到改變的字或者多個(gè)字；對(duì)各區(qū)段中將受到改變的字或者多個(gè)字中的位進(jìn)行編程；將在受到改變的字或者多個(gè)字中的先前受到編程的位更新；將在各區(qū)段中改變的字或者多個(gè)字中先前受到編程的位更新；將在各區(qū)段中剩余字或者多個(gè)字中先前受到編程的位更新；以及將在已經(jīng)被改變的區(qū)段中的各對(duì)參考單元中先前受到編程的位(10、210、212、214、216、220、222)予以更新。
文檔編號(hào)G11C16/04GK1647214SQ03807744
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2003年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月8日
發(fā)明者李賓寬, 鐘成智, 陳伯苓 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司