專利名稱：具有集成電源的盤上芯片型記錄載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于從記錄載體上再現(xiàn)信息的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括一個(gè)記錄載體，該記錄載體包括用于攜帶代表信息的標(biāo)記的軌道；和用于從該軌道中讀取信息的設(shè)備。所述記錄載體包括一個(gè)集成電路，該集成電路包括用于與所述設(shè)備無(wú)接觸地進(jìn)行通信的通信裝置。所述設(shè)備包括用于讀取標(biāo)記的光頭和與所述集成電路無(wú)接觸地進(jìn)行通信的通信裝置。
背景技術(shù)：
從EP0966124中可以獲知一種用于再現(xiàn)信息的設(shè)備和記錄載體。該盤形記錄載體配備有一個(gè)集成電路，該集成電路構(gòu)成用于記錄附加數(shù)據(jù)(例如記錄管理數(shù)據(jù))的存儲(chǔ)器。該集成電路具有相關(guān)聯(lián)的電磁耦合裝置，用于對(duì)記錄管理數(shù)據(jù)進(jìn)行處理以及從記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備接收電源供應(yīng)。該耦合裝置以環(huán)狀螺旋形式建立在盤上或集成電路中。按照第一種實(shí)施方式，使用了低傳輸頻率并且需要很大的電感。因此環(huán)狀形式的結(jié)構(gòu)需要很大的線圈并且需要通過(guò)焊盤將線圈與集成電路連接起來(lái)。這種連接方式增大了記錄載體的生產(chǎn)成本并且降低了可靠性。按照第二種實(shí)施方式，使用了高傳輸頻率并且將電磁耦合裝置像HF天線那樣設(shè)置在集成電路上。使用高頻帶向集成電路供電會(huì)有這樣的問(wèn)題必須要在所述設(shè)備中包含大功率的HF源。由于傳輸效率較低，這種HF源需要相對(duì)較高的功率，以向集成電路轉(zhuǎn)送足夠的功率，并且受限于實(shí)現(xiàn)這些目的可用頻帶。政府規(guī)定只有有限頻率的頻率范圍可用于家用，并且在全球范圍內(nèi)這些范圍可能是不同的。此外，這樣的HF源可能會(huì)造成與其附近的其它電子電路發(fā)生干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于再現(xiàn)信息的系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有記錄載體上的集成電路用的可靠電源，該集成電路不與其它電子電路相接觸。
為了這個(gè)目的，本文起始段落中所介紹的那種記錄載體包括一個(gè)集成電路，該集成電路包括一個(gè)通過(guò)低頻磁通量變化生成電源的電源線圈，所述低頻磁通量變化是借助移動(dòng)所述集成電路穿過(guò)具有正、負(fù)磁通量的磁通區(qū)域的磁場(chǎng)而感生的。為了這一目的，本文起始段落中所介紹的那種記錄載體包括一個(gè)磁性陣列，該陣列具有多個(gè)磁極，這些磁極用于產(chǎn)生靜磁場(chǎng)，該靜磁場(chǎng)具有正、負(fù)磁通區(qū)域，該磁性陣列用于與所述電源線圈共同工作；和驅(qū)動(dòng)裝置，用于轉(zhuǎn)動(dòng)所述記錄載體，以通過(guò)所述光頭對(duì)所述軌道進(jìn)行掃描，并且用于移動(dòng)所述集成電路穿過(guò)所述磁場(chǎng)，以造成低頻磁通量變化。采用這些方式的效果是，記錄載體上的集成電路用的電源只有當(dāng)記錄載體以預(yù)定的最小速度旋轉(zhuǎn)的時(shí)候才能使用，并且是直接使用。這樣做具有優(yōu)點(diǎn)對(duì)于試圖篡改集成電路內(nèi)容(例如安全措施或訪問(wèn)權(quán)限)的惡意用戶而言，更加難于對(duì)集成電路進(jìn)行訪問(wèn)，這是因?yàn)楸仨氁褂涗涊d體轉(zhuǎn)動(dòng)并且可以在設(shè)備中控制對(duì)集成電路的訪問(wèn)。此外，與使用集成在集成電路上的HF天線相比，沒(méi)有必要使用任何高頻源對(duì)芯片供電。磁場(chǎng)電源的使用，為通信和其它應(yīng)用解放了可用HF頻率。
本發(fā)明還基于下面的認(rèn)識(shí)。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，可以將至少一個(gè)小而強(qiáng)的高磁性材料的磁體(例如NeFeBo合金磁體，該磁體能夠得到大約1特拉斯的強(qiáng)度)和具有低功率要求的集成電路處理技術(shù)以及實(shí)現(xiàn)相當(dāng)數(shù)量匝數(shù)的線圈的幾個(gè)金屬層結(jié)合起來(lái)。這一結(jié)合為當(dāng)前記錄載體(比如CD或DVD)所用的旋轉(zhuǎn)速度提供了剛好足夠的電源。
在設(shè)備的實(shí)施方式中，磁性陣列設(shè)置為用于產(chǎn)生在所述集成電路的運(yùn)動(dòng)方向上具有與集成電路相同量級(jí)的尺寸的磁通區(qū)域。這具有這樣的效果通過(guò)集成電路的小位移實(shí)現(xiàn)了磁通量的大變化。這樣做的優(yōu)點(diǎn)在于，以相對(duì)較小的速度產(chǎn)生了更大的電源。
在設(shè)備的實(shí)施方式中，所述磁性陣列設(shè)置為用于僅沿著基本小于集成電路在所述運(yùn)動(dòng)期間行進(jìn)的路徑的整個(gè)圓周的圓周段產(chǎn)生磁通區(qū)域。這樣做的優(yōu)點(diǎn)在于，只需要少量的磁體，這降低了設(shè)備的成本并且簡(jiǎn)化了設(shè)備的結(jié)構(gòu)。在圓周段內(nèi)的時(shí)間期間，訪問(wèn)集成電路，例如執(zhí)行EEPROM寫入周期的時(shí)間是充足的。
在記錄載體的實(shí)施方式中，所述軌道設(shè)置在傳導(dǎo)性記錄層上，并且所述層由包圍著所述集成電路的環(huán)形區(qū)域切斷。這一切斷可垂直于運(yùn)動(dòng)的方向或者可以完全去掉環(huán)形區(qū)域中的層。這樣做的優(yōu)點(diǎn)在于，由于磁場(chǎng)造成的記錄層中的渦電流得到了減小。這樣的渦電流可能會(huì)削弱來(lái)自磁體的磁通量，可能導(dǎo)致記錄層發(fā)熱或者對(duì)盤的旋轉(zhuǎn)具有制動(dòng)效果。
按照一種實(shí)施方式，所述集成電路包括速度檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述集成電路穿過(guò)具有正、負(fù)磁通量的磁通區(qū)域的磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)速度。這樣做的優(yōu)點(diǎn)在于，如果速度不在要求范圍之內(nèi)，可以阻斷集成電路的功能。這樣，通過(guò)校驗(yàn)記錄載體是否以要求的速度旋轉(zhuǎn)，或者通過(guò)防止集成電路由過(guò)低或過(guò)高的電源電平驅(qū)動(dòng)，增強(qiáng)了對(duì)于篡改集成電路內(nèi)容的抵抗能力。
請(qǐng)注意，EP0884729介紹了一種帶有芯片的記錄載體，該芯片是由記錄載體中的線圈和設(shè)備中的靜磁體供電的。不過(guò)，該線圈并沒(méi)有集成到芯片中，并且具有分布在記錄載體的很大區(qū)域上用于覆蓋充足的通量的復(fù)雜多匝結(jié)構(gòu)。芯片通過(guò)焊盤與線圈相連接。磁體的尺寸制作得適于與大面積的線圈共同工作。


通過(guò)進(jìn)一步參考在下面的說(shuō)明書中借助實(shí)例并參照附圖介紹的實(shí)施方式，本發(fā)明的這些和其它方面將會(huì)變得顯而易見(jiàn)，其中附圖1表示包含集成電路的記錄載體，附圖2表示再現(xiàn)設(shè)備，附圖3表示集成電路與設(shè)備之間的通信，附圖4表示記錄載體和磁性陣列，附圖5表示磁通量變化和感生電壓，附圖6表示多磁極情況下的磁通量變化和感生電壓，和附圖7表示多極磁性陣列。
不同附圖中的對(duì)應(yīng)元件具有相一致的附圖標(biāo)記。
具體實(shí)施例方式
附圖1表示一個(gè)帶有中孔2和軌道3的記錄載體1。軌道3以螺旋或同心圖案方式設(shè)置，并且包括用于存儲(chǔ)信息的第一區(qū)域。該記錄載體可以是只讀型的，例如，包含可采用光學(xué)手段讀取的信息，或者可以是可記錄型的，例如CD-R或DVD+RW。記錄載體1上的第二區(qū)域包括一個(gè)集成電路4，該集成電路4帶有發(fā)射裝置和接收裝置，用于無(wú)接觸地發(fā)射和接收附加信息。對(duì)于適當(dāng)?shù)陌l(fā)射裝置和接收裝置，見(jiàn)附圖3及其說(shuō)明。集成電路4具有一個(gè)相當(dāng)匝數(shù)的電源線圈20，用于通過(guò)低頻磁通量變化生成電源。
附圖2表示用于讀取所述載體的設(shè)備。該設(shè)備6配備有用于轉(zhuǎn)動(dòng)記錄載體1的驅(qū)動(dòng)裝置26和用于讀取該記錄載體上的軌道3的讀取光頭22。讀取光頭22包括公知類型的輻射單元27和光學(xué)系統(tǒng)，用于借助光束29產(chǎn)生聚焦在記錄載體的軌道上的光斑8。光束29是由輻射源41產(chǎn)生的，該輻射源例如為波長(zhǎng)780nm的紅外激光二極管。該光學(xué)系統(tǒng)包括多個(gè)光學(xué)元件，比如，用于準(zhǔn)直光束的準(zhǔn)直透鏡39、用于聚焦光束的物鏡40以及分束單元43(例如偏振分束立方晶體)、半透膜或延遲器。在光束29由記錄載體反射回來(lái)之后，由檢測(cè)器42對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)器42例如四象限檢測(cè)器，該檢測(cè)器產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)31，比如，讀取信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和聚焦誤差信號(hào)。設(shè)備6具有跟蹤裝置32，該跟蹤裝置32與讀取光頭22相耦合，用于接收跟蹤誤差信號(hào)并且用于控制跟蹤致動(dòng)器30。讀取光頭22包括一個(gè)用于將光束29聚焦在記錄載體上的致動(dòng)器和用于在徑向上將光斑28精確定位在軌道中央的跟蹤致動(dòng)器30。借助激光對(duì)軌道進(jìn)行跟蹤還可能受到物鏡40位置變化的影響。在讀取期間，讀取信號(hào)在讀取裝置34中轉(zhuǎn)換成輸出信息，這一過(guò)程由箭頭33表示。該讀取裝置34包括例如，一個(gè)通道解碼器，用于將所檢測(cè)到的通道字轉(zhuǎn)換成源字；和一個(gè)誤差修正器，用于修正存在于讀取信號(hào)中的誤差。設(shè)備6還包括定位裝置36，用于在軌道的徑向上粗略定位讀取光頭22；和一個(gè)系統(tǒng)控制單元37，用于從控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或從用戶接收命令，并且用于借助控制線38(例如，與驅(qū)動(dòng)裝置26、定位裝置36、跟蹤裝置32和讀取裝置34相連的系統(tǒng)總線)對(duì)所述設(shè)備進(jìn)行控制。為此，系統(tǒng)控制單元37包括一個(gè)控制電路(例如，微處理器)、程序存儲(chǔ)器和控制門，用于執(zhí)行后面介紹的進(jìn)程。系統(tǒng)控制單元37還可以在邏輯電路的狀態(tài)機(jī)中實(shí)現(xiàn)。
設(shè)備6包括一個(gè)磁性陣列21，該陣列具有多個(gè)磁極，這些磁極用于產(chǎn)生具有磁通量為正和負(fù)的磁通區(qū)域的靜磁場(chǎng)。按照基本的實(shí)施方式，磁性陣列具有一個(gè)單一的強(qiáng)磁體，該磁體具有指向所述集成電路的兩個(gè)極性相反的磁極，該磁體例如為成型磁體或安裝在鐵芯中的矩形磁體。所得到的磁場(chǎng)具有短距離內(nèi)大幅變化的磁通量，并且因此適于在記錄載體上的集成電路4中的小電源線圈20中產(chǎn)生電力。驅(qū)動(dòng)裝置26轉(zhuǎn)動(dòng)記錄載體并由此移動(dòng)所述集成電路4穿過(guò)所述磁場(chǎng)。借助移動(dòng)集成電路4穿過(guò)這些磁通區(qū)域所造成的低頻磁通量變化，電源線圈20生成電源。在附圖4、5和6中給出了磁性陣列的其它實(shí)施方式。
設(shè)備6還包括接收和發(fā)射裝置5，用于接收和發(fā)射存儲(chǔ)在記錄載體1上的集成電路4中的附加信息。按照一種實(shí)施方式，所述附加信息包括用于對(duì)信息進(jìn)行加擾和/或解擾的密鑰。這個(gè)解擾密鑰會(huì)添加到解擾裝置35中。加擾的輸出信息33隨后將會(huì)在這些解擾裝置中進(jìn)行解擾并且隨后送出，這一過(guò)程由箭頭44表示。這一解擾信息例如可以包括能在相配的設(shè)備上顯示的音頻或視頻信息。應(yīng)當(dāng)注意，信息的加擾和解擾還可以理解為加密和解密的含義。本設(shè)備的一種實(shí)施方式包括寫入設(shè)備，該寫入設(shè)備用于在諸如CD-R盤或DVD+RW盤之類的可寫型記錄載體上設(shè)置可采用光學(xué)手段讀取的記號(hào)。
附圖3表示集成電路與所述設(shè)備之間的通信。按照本設(shè)備6的發(fā)射裝置5的實(shí)施方式，數(shù)據(jù)9向集成電路4的傳遞是通過(guò)驅(qū)動(dòng)器8和發(fā)光二極管(LED)7進(jìn)行的。在集成電路4中，從LED 7發(fā)出的光線由光電二極管12采集，以產(chǎn)生接收信號(hào)13，該接收信號(hào)會(huì)供應(yīng)給檢測(cè)器10。該檢測(cè)器從所述設(shè)備接收附加信息，例如，為了保存在存儲(chǔ)器中或?yàn)榱嗽趶?fù)制保護(hù)算法中使用，在處理器14中對(duì)這一附加信息進(jìn)行處理。按照一種實(shí)施方式，復(fù)制保護(hù)算法用于根據(jù)所接收到的附加信息產(chǎn)生用于對(duì)記錄載體上的信息進(jìn)行解擾的解擾密鑰。從集成電路4輸出的數(shù)據(jù)，例如，解擾密鑰，可以供應(yīng)給無(wú)線發(fā)射器11，該無(wú)線發(fā)射器11用于通過(guò)天線15將該數(shù)據(jù)發(fā)送給設(shè)備6。設(shè)備6包括一個(gè)無(wú)線電接收器17，用于通過(guò)天線16接收所述數(shù)據(jù)。然后將所述數(shù)據(jù)供應(yīng)給，例如，運(yùn)行復(fù)制保護(hù)算法的或者用于向解擾裝置35輸出密鑰的處理器18。
集成電路4包括與電源電路19耦合的電源線圈20。該線圈具有集成在集成電路的金屬層上的多匝線圈。為了產(chǎn)生能夠?qū)嵱玫碾娫戳?，至少需?0匝，不過(guò)為了滿足當(dāng)前的功率要求，大約100匝是必要且可行的。
附圖4表示一個(gè)記錄載體和一個(gè)磁性陣列。記錄載體1位于一個(gè)設(shè)備中，圖中僅示出了該設(shè)備的光頭22、定位滑架36和磁性陣列21?？梢郧宄乜闯觯ㄟ^(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)記錄載體1，使得集成電路(或芯片)4沿著磁性陣列21運(yùn)動(dòng)。磁性陣列僅覆蓋了圓周的一部分，按照這種實(shí)施方式，覆蓋了大約111度的圓周段。從而該磁性陣列大體上為香蕉形狀。借助芯片穿過(guò)永磁體的磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)，芯片內(nèi)感應(yīng)器內(nèi)感生的感生電壓為芯片供電。注意，磁性陣列與集成電路之間的工作距離必須保持為線圈尺寸的左右。
應(yīng)當(dāng)注意，可能會(huì)在盤1的傳導(dǎo)層中感生出渦電流，尤其是在包含集成電路的環(huán)形區(qū)域中。可以通過(guò)切斷所述區(qū)域周圍的記錄層來(lái)削弱這種渦電流，例如，通過(guò)形成條帶，從而使得渦電流遇到高阻抗路徑。
附圖5表示磁通量變化和感生電壓。在最上端給出了按照箭頭51沿著磁性陣列21運(yùn)動(dòng)的包含線圈20的集成電路4。穿過(guò)線圈的總通量由磁通量曲線53表示。從單一磁極在線圈20中感生出來(lái)的電壓由電壓曲線54表示。所產(chǎn)生的功率可以按照如下方式求得。為方便起見(jiàn)，假設(shè)磁極尺寸等于內(nèi)線圈尺寸，從而線圈中的每一匝都包含總磁通量。芯片在1T(Wb/m2)的永磁體的3×3mm磁極上方移動(dòng)。實(shí)際使用的磁體由NeFeBo合金構(gòu)成，并且大約為5的高長(zhǎng)比。在芯片上，集成有一個(gè)內(nèi)徑尺寸lcoil，inner×wcoil，inner＝3×3mm的N匝感應(yīng)器。盤每旋轉(zhuǎn)一次，就在芯片內(nèi)感應(yīng)器中出現(xiàn)一個(gè)通量脈沖。設(shè)定在35mm直徑處和100Hz旋轉(zhuǎn)頻率下，線速度共計(jì)v＝π·dchip·frot＝π·0.035·100＝11m/s。移動(dòng)芯片完全進(jìn)入和退出磁場(chǎng)的持續(xù)時(shí)間為ton=2·lcoil,innerv=2·0.00311=546μs.]]>假設(shè)總磁通量出現(xiàn)在線圈中，則感應(yīng)電壓等于 為了在負(fù)載上實(shí)現(xiàn)Ul＝2.5V，需要 取各匝的寬度wturn＝3.9μm并且它們的間隔wspacing＝0.64μm，線圈寬度變?yōu)?
Wwinding＝N·(wturn+wspacing)＝152·(3.9·10-6+0.64·10-6)＝0.7mm。
所需的芯片面積為(lcoil，inner+2·Wwinding)×(wcoil，inner+2·Wwinding)＝4.4×4.4mm＝19.3mm2。
芯片尺寸共計(jì)4.4×4.4mm，其中中央的3×3mm可用于電子元件。線圈中每一匝的平均尺寸為3.7×3.7mm，從而平均匝長(zhǎng)度等于lturn＝4×3.7＝14.8mm?？捎玫慕饘賹涌梢缘玫狡叫欣?。這將每匝阻抗變?yōu)镽turn=lturnwturn·Rsheet,5layers=14.8·10-33.9·10-6·12·10-3=45Ω.]]>線圈阻抗變?yōu)镽coil＝N·Rturn＝152·45＝6822Ω。
通過(guò)將負(fù)載阻抗Rl選擇為與線圈阻抗Rcoil相等，就可以得到最大電負(fù)載功率Pl。在這種情況下，電負(fù)載功率變?yōu)镻l=Ul2Rl=2.426286=0.92mW.]]>在盤旋一圈期間可以得到的能量為El＝Pl·ton＝0.92·10-3·546·10-6＝500nJ，并且平均功率為Pav=PI··tonTrot=PI·ton·frut=0.92·10-3·0.546·10-3·100=50μW.]]>所需的19mm2的芯片面積相對(duì)較大。當(dāng)較小的電功率就足夠的時(shí)候，所需的線圈阻抗會(huì)增大，而金屬層中的線圈匝被串行連接。在重新計(jì)算之后，所需的芯片面積變成了1.3mm2，并且磁極尺寸為0.7×0.7mm，以采集5nJ每轉(zhuǎn)。按照一種實(shí)施方式，芯片位于盤的外徑上，例如，110mm處。由于線速度較高，因此感生電壓增大而需要較少的匝數(shù)。
附圖6表示多磁極情況下的磁通量變化和感生電壓。在頂端，給出了按照箭頭51沿著磁性陣列21運(yùn)動(dòng)的包括線圈20的集成電路4。所給出的磁性陣列具有極性交錯(cuò)的四個(gè)磁極50，引發(fā)了具有正、負(fù)通量的多個(gè)磁通區(qū)域。穿過(guò)線圈的總磁通量由磁通曲線53表示。線圈20中感生得到的電壓由電壓曲線54表示。芯片在永磁體陣列的上方移動(dòng)。在磁極邊界附近，所接收到的通量的方向發(fā)生反向轉(zhuǎn)換，從而通量階躍與單個(gè)磁極結(jié)構(gòu)相比是其兩倍大。結(jié)果使得感應(yīng)電壓加倍。顯然，在磁體的首端和末端，通量減小到零，感生出了所需電壓的一半。使用具有34個(gè)1×1mm尺寸的磁極的1特斯拉(＝Wb/m2)的永磁體，并且總芯片面積為1.5×1.5mm(2.26mm2)，能夠在3ms內(nèi)產(chǎn)生1.8伏的300μW功率。在實(shí)踐中，這對(duì)于在盤的每一圈中在包括適當(dāng)存儲(chǔ)器(例如，EEPROM中的16字節(jié))的芯片中寫入數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠了。芯片的位置選取在35mm直徑處，并且旋轉(zhuǎn)頻率為100Hz，這得到了11.0m/s的速度。通量變化的時(shí)間，稱為坡道時(shí)間(ramp time)52，對(duì)于34個(gè)1mm的磁極而言是0.091ms，得到了有效的3ms‘導(dǎo)通時(shí)間’，即，旋轉(zhuǎn)時(shí)間的大約30％。164匝的線圈和0.022V/匝的感生電壓得到了3.60伏的開(kāi)路線圈電壓。可以使用5個(gè)金屬層和大約2.3mm2的芯片面積以及1.25mm的平均線圈寬度和長(zhǎng)度來(lái)設(shè)置匝數(shù)。使用1.8伏的負(fù)載電壓，在890nJ每轉(zhuǎn)的能量的情況下，線圈中的功率為0.30mW，而平均功率為0.089mW。所需的IC面積相當(dāng)實(shí)用，即2.3mm2。
附圖7表示多磁極磁性陣列。軌道61支撐著寬63長(zhǎng)64的磁體62。多個(gè)磁體62和軌道構(gòu)成了具有交錯(cuò)的北磁極65和南磁極66的磁性陣列21。按照一種實(shí)際的實(shí)施方式，該陣列具有34個(gè)由1特斯拉的NeFeBo合金磁體構(gòu)成的磁極。使各個(gè)1×1mm磁體磁化，并且一同安裝到香蕉狀的軌道61中，該軌道61例如由鐵構(gòu)成。
雖然主要是通過(guò)使用光盤的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的說(shuō)明，但是也可以采用類似的實(shí)施方式，比如光卡。要注意，在這篇文獻(xiàn)中，詞“包括”并不排除所列的元件或步驟之外的其它元件或步驟的存在，而置于元件前面的詞“一”或“一個(gè)”并不排除存在多個(gè)這樣的元件的情況，任何附圖標(biāo)記對(duì)權(quán)利要求的范圍都不構(gòu)成限制，本發(fā)明既可以借助硬件也可以借助軟件實(shí)現(xiàn)，并且?guī)讉€(gè)“設(shè)備”可由硬件的同一單元代表。此外，本發(fā)明的范圍并不局限于具體的實(shí)施方式，并且本發(fā)明在于上面介紹的各個(gè)和每個(gè)新穎的特征或這些特征的組合。
權(quán)利要求
1.用于從記錄載體上再現(xiàn)信息的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括記錄載體，包括用于攜帶代表信息的標(biāo)記的軌道，和用于從所述軌道上讀取信息的設(shè)備，該記錄載體包括一個(gè)集成電路，該集成電路包括用于與所述設(shè)備進(jìn)行無(wú)接觸通信的通信裝置和用于通過(guò)低頻磁通量變化生成電源的電源線圈，所述設(shè)備包括-用于讀取所述標(biāo)記的光頭，-用于與所述集成電路進(jìn)行無(wú)接觸通信的通信裝置，-磁性陣列，具有多個(gè)磁極，這些磁極用于產(chǎn)生靜磁場(chǎng)，該靜磁場(chǎng)具有正、負(fù)磁通區(qū)域，該磁性陣列用于與所述電源線圈共同工作，和-驅(qū)動(dòng)裝置，用于轉(zhuǎn)動(dòng)所述記錄載體，以通過(guò)所述光頭對(duì)所述軌道進(jìn)行掃描，并且用于移動(dòng)所述集成電路穿過(guò)所述磁場(chǎng)，以造成低頻磁通量變化。
2.用于從記錄載體的軌道上讀取信息的設(shè)備，該記錄載體包括一個(gè)集成電路，該集成電路包括用于與該設(shè)備進(jìn)行無(wú)接觸通信的通信裝置和用于通過(guò)低頻磁通量變化生成電源的電源線圈，所述設(shè)備包括-用于讀取所述標(biāo)記的光頭，-用于與所述集成電路進(jìn)行無(wú)接觸通信的通信裝置，-磁性陣列，具有多個(gè)磁極，這些磁極用于產(chǎn)生靜磁場(chǎng)，該靜磁場(chǎng)具有正、負(fù)磁通區(qū)域，該磁性陣列用于與所述電源線圈共同工作，和-驅(qū)動(dòng)裝置，用于轉(zhuǎn)動(dòng)所述記錄載體，以通過(guò)所述光頭對(duì)所述軌道進(jìn)行掃描，并且用于移動(dòng)所述集成電路穿過(guò)所述磁場(chǎng)，以造成低頻磁通量變化。
3.按照權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中磁性陣列設(shè)置為用于產(chǎn)生在所述集成電路的運(yùn)動(dòng)方向上具有與集成電路尺寸量級(jí)相同的尺寸的磁通區(qū)域。
4.按照權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述磁性陣列設(shè)置為用于僅沿著基本小于集成電路在所述運(yùn)動(dòng)期間行進(jìn)的路徑的整個(gè)圓周的圓周段產(chǎn)生磁通區(qū)域。
5.按照權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述磁性陣列包括安裝在導(dǎo)磁軌道中的多個(gè)矩形磁體。
6.記錄載體，包括用于攜帶代表信息的標(biāo)記的軌道，該記錄載體包括一個(gè)集成電路，該集成電路包括用于與一個(gè)設(shè)備進(jìn)行無(wú)接觸通信的通信裝置和用于通過(guò)低頻磁通量變化生成電源的電源線圈，所述低頻磁通量變化是借助移動(dòng)所述集成電路穿過(guò)具有正、負(fù)磁通區(qū)域的磁場(chǎng)而感生的。
7.按照權(quán)利要求6所述的記錄載體，其中所述軌道設(shè)置在傳導(dǎo)性記錄層上，并且所述層由包圍著所述集成電路的環(huán)形區(qū)域切斷。
8.集成電路，該集成電路包括用于與一個(gè)設(shè)備進(jìn)行無(wú)接觸通信的通信裝置和用于通過(guò)低頻磁通量變化生成電源的電源線圈，所述低頻磁通量變化是借助移動(dòng)所述集成電路穿過(guò)具有正、負(fù)磁通區(qū)域的磁場(chǎng)而感生的。
9.按照權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述電源線圈至少具有10匝。
10.按照權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述集成電路包括速度檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述集成電路穿過(guò)具有正、負(fù)磁通區(qū)域的磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)速度。
全文摘要
描述了一種用于從記錄載體上再現(xiàn)信息的系統(tǒng)。所述記錄載體(1)具有內(nèi)建于其中的集成電路(4)。該芯片無(wú)接觸地與設(shè)備進(jìn)行通信。該芯片(4)的電源是由集成在芯片中的電源線圈通過(guò)低頻磁通量變化產(chǎn)生的。所述設(shè)備包括讀取光頭(22)和磁性陣列(21)，該磁性陣列(21)具有多個(gè)磁極，這些磁極用于產(chǎn)生靜磁場(chǎng)，該靜磁場(chǎng)具有正、負(fù)磁通區(qū)域，該磁性陣列(21)用于與所述電源線圈共同工作；以及驅(qū)動(dòng)裝置(26)，用于轉(zhuǎn)動(dòng)記錄載體，以通過(guò)所述讀取光頭(22)對(duì)軌道進(jìn)行掃描，并且用于移動(dòng)所述集成電路(4)穿過(guò)磁場(chǎng)，以造成低頻磁通量變化。
文檔編號(hào)G11B7/135GK1659645SQ03813631
公開(kāi)日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2003年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月14日
發(fā)明者J·A·H·M·卡赫曼, I·W·F·保魯斯森 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司