專利名稱：光記錄介質(zhì)的反射層形成用的銀合金濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種銀合金濺射靶，用于通過(guò)濺射法形成使用半導(dǎo)體激光等的激光束而對(duì)聲音、圖像、文字等的情報(bào)信號(hào)進(jìn)行播放或記錄·播放·消去的光記錄磁盤(CD-RW、DVD-RAM)等的光記錄介質(zhì)的全反射層以及半透明反射層(以下，包含兩者總稱為反射層)。
背景技術(shù)：
在光記錄磁盤等的光記錄介質(zhì)中，具有激光入射側(cè)的第一的記錄層和與第一的記錄層相比在距激光源遠(yuǎn)處存在的第二的記錄層這兩個(gè)記錄層，此記錄層中使用相變記錄材料，反復(fù)進(jìn)行記錄·播放·消去。在上述光記錄介質(zhì)中，為了達(dá)到記錄高密度化，使用作為激光束的短波長(zhǎng)的青紫激光的研究廣泛進(jìn)行。此光記錄介質(zhì)，為了在第二的記錄層對(duì)記錄信號(hào)進(jìn)行記錄·播放·消去，有必要使激光高效地透過(guò)與上述第二的記錄層相比設(shè)于激光入射側(cè)的半透明反射層。另外，為了在激光入射側(cè)的第一的記錄層對(duì)記錄信號(hào)進(jìn)行記錄·播放·消去，付與半透明反射層充分的冷卻效果，并且具有充分的反射率十分必要。
作為滿足所述條件的光記錄磁盤(CD-RW、DVD-RAM)等的光記錄介質(zhì)的全反射層以及半透明反射層等的反射層，以往，使用的是Ag或Ag合金層，此Ag或Ag合金層在400～830nm的寬幅的波長(zhǎng)區(qū)域中的反射率高，特別是因?yàn)閷?duì)于用于光記錄介質(zhì)的高密度化記錄的短波長(zhǎng)的激光反射率大，所以適于使用。在上述Ag或Ag合金層的形成中，Ag、或Ag-Zn合金、Ag-Cu合金、Ag-Ni合金等的Ag合金構(gòu)成的靶，通過(guò)濺射而形成，這為大家所熟識(shí)(參照特開(kāi)昭57-186244號(hào)公報(bào)，以及特開(kāi)2001-35014號(hào)公報(bào))。
但是，現(xiàn)有的Ag或Ag合金層作為全反射層進(jìn)行使用時(shí)，隨著記錄·播放·消去的反復(fù)進(jìn)行的次數(shù)的增加，其反射率下降，不能得到長(zhǎng)時(shí)間的充分的記錄播放耐性。此原因之一被認(rèn)為是對(duì)光記錄介質(zhì)反復(fù)進(jìn)行記錄·播放·消去，則受激光照射的全反射層的加熱、冷卻反復(fù)進(jìn)行，由此Ag或Ag合金層再結(jié)晶化，晶粒粗大化，所以反射率下降。
此外，現(xiàn)有的Ag或Ag合金層作為半透明反射層進(jìn)行使用時(shí)，還有激光的透過(guò)、反射效率不充分，半透明反射層消耗激光能的問(wèn)題。還有，隨著記錄·播放·消去的反復(fù)進(jìn)行的次數(shù)的增加，反射率·透過(guò)率發(fā)生變化，不能得到充分的記錄播放耐性。作為此原因之一被認(rèn)為是對(duì)光記錄介質(zhì)反復(fù)進(jìn)行記錄·播放·消去，則受激光照射的半透明反射層的加熱、冷卻反復(fù)進(jìn)行，由此半透明反射層的晶粒之間伴有擴(kuò)散的凝集使得再結(jié)晶化進(jìn)行，此外由于半透明反射層的膜厚很薄，所以由擴(kuò)散原子移動(dòng)，因?yàn)樵記](méi)有了提供源，所以膜發(fā)生欠損、出現(xiàn)孔洞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一的形態(tài)，光記錄介質(zhì)的反射層形成用的銀合金濺射靶，由以下所示(1)～(4)的任一種的銀合金構(gòu)成。
(1)含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(2)含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，此外還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(3)含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(4)含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，此外還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
還有，使用上述第一的形態(tài)中所記載的銀合金濺射靶，則能夠形成光記錄介質(zhì)的反射膜，但是在光記錄介質(zhì)的特別是形成全反射膜中，優(yōu)選使用調(diào)整為含有Zn為1質(zhì)量％以上，含有Al為0.5質(zhì)量％以上的銀合金濺射靶。
因此還有，本發(fā)明的第二的形態(tài)，形成光記錄介質(zhì)的全反射層用的銀合金濺射靶，由以下所示(6)～(9)的任一種的銀合金構(gòu)成。
(6)含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(7)含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(8)含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(9)含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
另外，在形成光記錄介質(zhì)的半透明反射膜中，優(yōu)選使用調(diào)整為含有Zn為低于1質(zhì)量％，含有Al為低于0.5質(zhì)量％，此外根據(jù)必要，含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％的銀合金濺射靶。
因此還有，本發(fā)明的第三的形態(tài)，形成光記錄介質(zhì)的半透明反射層用的銀合金濺射靶，由以下所示(11)或(12)的任一種的銀合金構(gòu)成。
(11)含有Zn0.1～低于1質(zhì)量％、Al0.1～低于0.5質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(12)含有Zn0.1～低于1質(zhì)量％、Al0.1～低于0.5質(zhì)量％，此外還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
本發(fā)明的濺射靶由以下方法制造而成，作為原料準(zhǔn)備了哪一個(gè)都是純度為99.99質(zhì)量％以上的高純度Ag、Zn以及Al，還有任一純度為99.9質(zhì)量％以上的Dy、La、Tb以及Gd，這些原料在高真空或惰性氣體氛圍中溶解，所得到的熔融金屬在真空或惰性氣體氛圍中進(jìn)行鑄造制成鑄錠，對(duì)這些鑄錠進(jìn)行熱加工后進(jìn)行機(jī)械加工。
在基本不向Ag固溶的Ca、Be以及Si中，各元素的濃度分別為0.20質(zhì)量％與Ag進(jìn)行配合后，通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，溶解后向爐內(nèi)填充Ar氣體使?fàn)t內(nèi)壓力達(dá)到大氣壓為止，在石墨制鑄模中進(jìn)行鑄造，預(yù)制成含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金，將此母合金通過(guò)在Ag中添加Zn以及Al進(jìn)行溶解鑄造制成鑄錠，對(duì)所得到的鑄錠通過(guò)熱加工，機(jī)械加工制造而成。
此外，本發(fā)明的第四的形態(tài)，光記錄介質(zhì)的反射層形成用的銀合金濺射靶，由以下所示(13)～(16)的任一種的銀合金構(gòu)成。
(13)含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(14)含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(15)含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
(16)含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
形成本發(fā)明的銀合金反射層用的濺射靶由以下方法制造而成，作為原料準(zhǔn)備了哪一個(gè)都是純度為99.99質(zhì)量％以上的高純度Ag以及Cu，還有任一純度為99.9質(zhì)量％以上的Ni、Dy、La、Tb以及Gd，這些原料在高真空或惰性氣體氛圍中溶解，所得到的熔融金屬在真空或惰性氣體氛圍中進(jìn)行鑄造制成鑄錠，對(duì)這些鑄錠進(jìn)行熱加工后進(jìn)行機(jī)械加工。
在基本不向Ag固溶的Ca、Be以及Si中，各元素的濃度分別為0.20質(zhì)量％與Ag進(jìn)行配合后，通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，溶解后向爐內(nèi)填充Ar氣體使?fàn)t內(nèi)壓力達(dá)到大氣壓為止，在石墨制鑄模中進(jìn)行鑄造，制成含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金，還有同樣在基本不向Ag固溶的Ni中，使Ni的濃度為5～95質(zhì)量％與Cu進(jìn)行配合后，通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，溶解后在真空氛圍中，在石墨制鑄模中進(jìn)行鑄造，制成含有Ni的Cu的母合金，將這些母合金根據(jù)必要通過(guò)與Cu進(jìn)行添加溶解鑄造制成鑄錠，對(duì)所得到的鑄錠通過(guò)熱加工，機(jī)械加工制造而成。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明者們?yōu)榱说玫郊词乖龃蠓磸?fù)進(jìn)行記錄·播放·消去的次數(shù)也很少有全反射層的反射率下降，還有即使增大反復(fù)進(jìn)行記錄·播放·消去的次數(shù)也很少有半透明反射層的透過(guò)·反射的效率下降的銀合金層，而進(jìn)行了研究，得出如下的結(jié)果。
(A)使用在Ag中添加Zn0.1～20質(zhì)量％，還有添加Al0.1～3質(zhì)量％的Ag-Zn合金構(gòu)成組成的銀合金濺射靶通過(guò)濺射所得到的銀合金層，與使用現(xiàn)有的Ag或Ag-Zn合金構(gòu)成的靶通過(guò)濺射所得到的銀或銀合金層相比，即使隨激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化也很少，進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間使用也極少有反射率的下降。
(B)使用在Ag中添加Zn0.1～20質(zhì)量％，還有添加Al0.1～3質(zhì)量％的Ag-Zn合金中，此外還使其含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％的組成的銀合金靶通過(guò)濺射所得到的銀合金層，與使用現(xiàn)有的Ag或Ag-Zn合金構(gòu)成的靶通過(guò)濺射所得到的銀或銀合金層相比，隨激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化進(jìn)一步減少，因此，進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間使用也極少有反射率的下降。
(C)使用在Ag中添加Zn0.1～20質(zhì)量％，還有添加Al0.1～3質(zhì)量％的Ag-Zn合金中，此外還使其含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％的組成的銀合金靶通過(guò)濺射所得到的銀合金層，與使用現(xiàn)有的Ag或Ag-Zn合金構(gòu)成的靶通過(guò)濺射所得到的銀或銀合金層相比，隨激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化進(jìn)一步減少，因此，進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間使用也極少有反射率的下降。
(D)使用在Ag中添加Zn0.1～20質(zhì)量％，還有添加Al0.1～3質(zhì)量％的Ag-Zn合金中，此外還使其含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％和Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％的組成的銀合金靶通過(guò)濺射所得到的銀合金層也可以得到相同效果。
(E)使用在Ag中共同添加Cu以及Ni的銀合金構(gòu)成的靶通過(guò)濺射所得到的銀合金反射層，與現(xiàn)有的Ag、Ag-Cu合金或Ag-Ni合金構(gòu)成的靶通過(guò)濺射所得到的銀或銀合金層相比，由激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化進(jìn)一步減少，此共同含有Cu以及Ni的銀合金反射層的成分組成優(yōu)選為含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，剩余部為Ag。
(F)使用含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金靶通過(guò)濺射所得到的銀合金反應(yīng)層，隨激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化進(jìn)一步減少，因此，進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間使用也極少有反射率的下降。
(G)使用含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金靶通過(guò)濺射所得到的銀合金反應(yīng)層，隨激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化進(jìn)一步減少，因此，進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間使用也極少有反射率的下降。
(H)使用在含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金中，還共同含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％和Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％的銀合金靶通過(guò)濺射所得到的銀合金層也可以得到相同效果。
接著，對(duì)形成本發(fā)明的合金層用的濺射靶的成分組成、進(jìn)行如上所述的限定的理由進(jìn)行說(shuō)明。
ZnZn，在Ag中固溶，提高晶粒的強(qiáng)度，防止晶粒的再結(jié)晶化，具有抑制由濺射所形成的反射層的反射率的下降的效果，但是因?yàn)楹衂n低于0.1質(zhì)量％則不能夠防止充分的晶粒的再結(jié)晶化所以也不能夠抑制反射層的反射率的下降，另外，含有Zn超過(guò)20質(zhì)量％，則由濺射所形成的Ag合金反射層的內(nèi)部應(yīng)力變大，在制靶時(shí)在晶內(nèi)及/或晶界形成金屬間化合物，由于容易發(fā)生破裂，所以為不佳。因此，包括Ag合金反射層以及形成此Ag合金反射層用的濺射靶，這些Zn的含量定為0.1～20質(zhì)量％。特別是形成全反射層用的Zn含量的優(yōu)選范圍為1～20質(zhì)量％(進(jìn)一步優(yōu)選范圍為5～15質(zhì)量％)，特別是形成半透明反射層用的Zn含量的優(yōu)選范圍為0.1～低于1質(zhì)量％(進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為0.5～0.9質(zhì)量％)。
AlAl，在Ag中固溶，提高晶粒的強(qiáng)度，防止晶粒的再結(jié)晶化，具有抑制由濺射所形成的反射層的反射率的下降的效果，但是含有Al低于0.1質(zhì)量％，因?yàn)椴荒軌蚍乐钩浞值木Я５脑俳Y(jié)晶化所以也不能夠抑制反射層的反射率的下降，另外，含有Al超過(guò)3質(zhì)量％，則由濺射所形成的Ag合金反射層的內(nèi)部應(yīng)力變大，由于反射層容易剝離，所以為不佳。因此，包括Ag合金反射層以及形成此Ag合金反射層用的濺射靶，這些Al含量定為0.1～3質(zhì)量％。特別是形成全反射層用的Al含量的優(yōu)選范圍為0.5～3質(zhì)量％(進(jìn)一步優(yōu)選范圍為1.0～2.0質(zhì)量％)，特別是形成半透明反射層用的Al含量的優(yōu)選范圍為0.1～低于1質(zhì)量％(進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為0.1～0.5質(zhì)量％)。
CuCu，在Ag中固溶，提高晶粒的強(qiáng)度，防止晶粒的再結(jié)晶化，具有抑制由濺射所形成的反射層的反射率的下降的效果，但是含有Cu低于0.5質(zhì)量％，因?yàn)椴荒軌蚍乐钩浞值木Я５脑俳Y(jié)晶化所以也不能夠抑制反射層的反射率的下降，另外，含有Cu超過(guò)5質(zhì)量％，則由濺射所形成的Ag合金反射層的內(nèi)部應(yīng)力變大，由于反射層容易剝離，所以為不佳。因此，包括Ag合金反射層以及形成此Ag合金反射層用的濺射靶，這些Cu的含量定為0.5～5質(zhì)量％(優(yōu)選為1.0～3質(zhì)量％)。
NiNi，基本上不與Ag固溶，通過(guò)晶界析出防止相同晶粒的結(jié)合，防止反射層的晶粒的再結(jié)晶化，具有抑制由濺射所形成的反射層的反射率的下降的效果，但是含有Ni低于0.05質(zhì)量％則不能夠得到如此的效果，另外，含有Ni超過(guò)2質(zhì)量％，膜應(yīng)力變大，因?yàn)闉R射后膜上有裂紋，所謂為不佳。因此，包括Ag合金反射層以及形成此Ag合金反射層用的濺射靶，這些Ni的含量定為0.05～2質(zhì)量％(優(yōu)選為0.1～1.5質(zhì)量％)。
Ca、Be、Si這些成分，基本上不與Ag固溶，通過(guò)晶界析出防止相同晶粒的結(jié)合，是進(jìn)一步促進(jìn)防止Ag合金反應(yīng)層的再結(jié)晶化的成分，但是含有這些成分的一種或兩種以上合計(jì)低于0.005質(zhì)量％則不能得到如此的效果，另外，含有這些成分的一種或兩種以上合計(jì)超過(guò)0.05質(zhì)量％，則靶顯著硬化，因?yàn)榘械闹谱骼щy，所以為不佳。因此，包括Ag合金反射層以及形成此Ag合金反射層用的濺射靶，這些成分的含量定為0.005～0.05質(zhì)量％(優(yōu)選為0.010～0.035質(zhì)量％)。
Dy、La、Nd、Tb、Gd這些成分與Ag反應(yīng)在晶界形成金屬間化合物防止相同晶粒的結(jié)合，是進(jìn)一步促進(jìn)防止Ag合金反應(yīng)層的再結(jié)晶化的成分，但是含有這些成分的一種或兩種以上合計(jì)低于0.1質(zhì)量％則不能得到如此的效果，另外，含有這些成分的一種或兩種以上合計(jì)超過(guò)3質(zhì)量％，則靶顯著硬化，因?yàn)榘械闹谱骼щy，所以為不佳。因此，包括Ag合金反射層以及形成此Ag合金反射層用的濺射靶，這些成分的含量定為0.1～3質(zhì)量％(優(yōu)選為0.2～1.5質(zhì)量％)。
使用形成本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的反射層用的銀合金濺射靶制作的反射層，與使用現(xiàn)有的光記錄介質(zhì)的反射層形成用的銀合金濺射靶制作的反射層相比，由時(shí)效的惡化少，能夠制造能夠長(zhǎng)時(shí)間使用的光記錄介質(zhì)，對(duì)介質(zhì)工業(yè)的發(fā)展作出了很大貢獻(xiàn)。
實(shí)施例[實(shí)驗(yàn)1]作為原料準(zhǔn)備了哪一個(gè)都是純度均在99.99質(zhì)量％以上的高純度Ag、Zn以及Al。將這些原料通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，溶解后向爐內(nèi)填充Ar氣體使?fàn)t內(nèi)壓力達(dá)到大氣壓為止，在石墨制鑄模中進(jìn)行鑄造，制成鑄錠(ingot)，所得的鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表1所示成分組成的實(shí)施例1～10、比較例1～2以及以往例1～2。
將這些實(shí)施例1～10、比較例1～2以及以往例1～2分別在無(wú)氧銅制的墊模板(backing plate)上進(jìn)行焊接，將此安裝到直流磁控管(magnetron)濺射裝置上，通過(guò)真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內(nèi)排氣至1×10-4pa為止后，輸入Ar氣作為1.0Pa的濺射氣壓，接著通過(guò)直流電源對(duì)靶施加100W的直流濺射電功率，并且在與靶相對(duì)且設(shè)置70mm的間隔而與靶平行配置的直徑30mm、厚度0.5mm的玻璃基板和靶之間產(chǎn)生等離子體，形成厚度100nm的Ag以及Ag合金全反射膜。
如此形成的Ag以及Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的Ag以及Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表1中表示，對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表1

*標(biāo)表示實(shí)施例的范圍之外的值從表1所示的結(jié)果可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例1～10進(jìn)行濺射而得到的全反射層，與使用以往例1～2進(jìn)行濺射而得到的全反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率的下降少。但是，可以得知，實(shí)施例的范圍之外的含有Zn以及Al的比較例1～2，發(fā)生了破裂，并且作為光記錄介質(zhì)的反射膜記錄再生耐性下降，因此不理想。
準(zhǔn)備了純度99.9質(zhì)量％以上的Ca、Be以及Si。因?yàn)镃a、Be以及Si基本上不向Ag固溶，所以各元素的濃度分別為0.20質(zhì)量％與Ag進(jìn)行配合后，通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，溶解后向爐內(nèi)填充Ar氣體使?fàn)t內(nèi)壓力達(dá)到大氣壓為止，在石墨制鑄模中進(jìn)行鑄造，預(yù)制成含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金。
這些母合金通過(guò)共同添加實(shí)驗(yàn)1中所準(zhǔn)備的高純度Ag、Zno以及Al，經(jīng)溶解鑄造，制成鑄錠，所得鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)的加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表2～3所示成分組成的實(shí)施例11～28以及比較例3～5。
將這些實(shí)施例11～28以及比較例3～5分別在無(wú)氧銅制的墊模板(backing plate)上進(jìn)行焊接，將此安裝到直流磁控管(magnetron)濺射裝置上，通過(guò)真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內(nèi)排氣至1×10-4Pa為止后，輸入Ar氣作為1.0Pa的濺射氣壓，接著通過(guò)直流電源對(duì)靶施加100W的直流濺射電功率，并且在與靶相對(duì)且設(shè)置70mm的間隔而與靶平行配置的直徑30mm、厚度0.5mm的玻璃基板和靶之間產(chǎn)生等離子體，形成厚度100nm的Ag以及Ag合金全反射膜。
如此形成的Ag以及Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的Ag以及Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表2～3中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表2

表3

*標(biāo)表示實(shí)施例的范圍之外的值從表2～3所示的結(jié)果可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例11～28進(jìn)行濺射而得到的全反射層，與使用實(shí)驗(yàn)1的表1所示的以往例1～2進(jìn)行濺射而得到的全反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率的下降少。但是，可以得知，本發(fā)明的范圍之外的含有大量Ca、Be以及Si的比較例3～5變硬不能成形。
準(zhǔn)備了純度99.9質(zhì)量％以上的Dy、La、Nd、Tb以及Gd，將此原料共同添加至實(shí)驗(yàn)1中準(zhǔn)備的高純度Ag、Zn以及Al中，由高頻真空溶解爐溶解，所得熔融金屬在Ar氣體氛圍中在石墨鑄模中鑄造，制成鑄錠，所得鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)的加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表4～6所示成分組成的實(shí)施例29～53以及比較例6～11。
將這些實(shí)施例29～53以及比較例6～11分別在無(wú)氧銅制的墊模板(backing plate)上進(jìn)行焊接，將此安裝到直流磁控管(magnetron)濺射裝置上，通過(guò)真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內(nèi)排氣至1×10-4Pa為止后，輸入Ar氣作為1.0Pa的濺射氣壓，接著通過(guò)直流電源對(duì)靶施加100W的直流濺射電功率，并且在與靶相對(duì)且設(shè)置70mm的間隔而與靶平行配置的直徑30mm、厚度0.5mm的玻璃基板和靶之間產(chǎn)生等離子體，形成厚度100nm的Ag以及Ag合金全反射膜。
如此形成的各Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的Ag以及Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表4～6中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表4

表5

表6

從表4～6所示的結(jié)果可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例29～53進(jìn)行濺射而得到的全反射層，與使用實(shí)驗(yàn)1的表1所示的以往例1～2進(jìn)行濺射而得到的全反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率的下降少。但是，從比較例6～11可以得知，含有Dy、La、Nd、Tb以及Gd的合計(jì)多于3質(zhì)量％，則軋制中發(fā)生破裂等，不能夠成形。
實(shí)驗(yàn)1中準(zhǔn)備的高純度Ag、Zn以及Al，實(shí)驗(yàn)2中準(zhǔn)備的含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金，和實(shí)驗(yàn)3中準(zhǔn)備的Dy、La、Nd、Tb以及Gd，在高頻真空溶解爐中溶解，所得熔融金屬在Ar氣體氛圍中在石墨鑄模中鑄造，制成鑄錠，所得鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)的加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表7所示成分組成的實(shí)施例54～65。對(duì)這些靶與實(shí)驗(yàn)1同樣在玻璃基板表面形成厚度100nm的Ag合金全反射層，各Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的各Ag合金全反射膜，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表7中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表7

從表7所示的結(jié)果可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例54～65進(jìn)行濺射而得到的全反射層，與使用表1的以往例1～2進(jìn)行濺射而得到的全反射層相比，在波長(zhǎng)400nm以及650nm的溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率的下降少。
與實(shí)驗(yàn)1以及實(shí)驗(yàn)2同樣，制作成具有表8～10所示成分組成的實(shí)施例66～93以及比較例12～14。還準(zhǔn)備了實(shí)驗(yàn)1中制作的以往例1～2。
將這些實(shí)施例66～93、比較例12～14以及以往例1～2分別在無(wú)氧銅制的墊模板(backing plate)上進(jìn)行焊接，將此安裝到直流磁控管(magnetron)濺射裝置上，通過(guò)真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內(nèi)排氣至1×10-4Pa為止后，輸入Ar氣作為1.0Pa的濺射氣壓，接著通過(guò)直流電源對(duì)靶施加100W的直流濺射電功率，并且在與靶相對(duì)且設(shè)置70mm的間隔而與靶平行配置的直徑30mm、厚度0.5mm的玻璃基板和靶之間產(chǎn)生等離子體，形成厚度10nm的Ag以及Ag合金半透明反射膜。
在如此形成的Ag以及Ag合金半透明反射膜中，對(duì)成膜后的反射率以及透過(guò)率在波長(zhǎng)范圍300～800nm的范圍內(nèi)通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定，從此分光反射率曲線以及分光透過(guò)率曲線，求出波長(zhǎng)405nm的反射率以及透過(guò)率，其結(jié)果在表8～10中表示。
其后，形成的Ag以及Ag合金半透明反射膜，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件求出了反射率以及透過(guò)率，其結(jié)果在表8～10中表示。從所得的反射率以及透過(guò)率的數(shù)據(jù)，求出成膜后的波長(zhǎng)405nm的激光的半透明反射膜的吸收率，此外從在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率以及透過(guò)率，求出經(jīng)過(guò)200小時(shí)后的波長(zhǎng)405nm的激光的半透明反射膜的吸收率，這些結(jié)果在表8～10中表示。
表8

表9

表10

從表8～10中所示結(jié)果，使用本發(fā)明的實(shí)施例66～93進(jìn)行濺射而得到的半透明反射層，與使用以往例1～2進(jìn)行濺射而得到的半透明反射層相比，可以得知，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率以及透過(guò)率的下降少，并且在從反射率以及透過(guò)率求出的膜的激光吸收率中也同樣，可以得知，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的吸收率的增加少。但是，本發(fā)明的范圍之外的含有Zn以及Al的比較例12～14，可以得知，作為光記錄介質(zhì)的半透明反射膜的反射率以及透過(guò)率記錄播放耐性下降，為不理想，此外在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的吸收率的增加顯著。
作為原料，準(zhǔn)備了哪一個(gè)都是純度99.99質(zhì)量％以上的高純度Ag以及高純度Cu。此外因?yàn)镹i基本上沒(méi)有向Ag的固溶，所以將Ni與Cu共同通過(guò)高頻真空溶解爐溶解，在石墨鑄模中進(jìn)行鑄造，制成含有Ni的Cu的母合金，以此為原料進(jìn)行了準(zhǔn)備。將這些準(zhǔn)備好的含有Ag、Cu以及Ni的Cu的母合金晶高頻真空溶解爐溶解，所得到的熔融金屬在Ar氣體氛圍中在石墨鑄模中鑄造，制成鑄錠，這些鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)的加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表11所示成分組成的實(shí)施例94～102、比較例15～17以及以往例3～4。
將這些實(shí)施例94～102、比較例15～17以及以往例3～4分別在無(wú)氧銅制的墊模板(backing plate)上進(jìn)行焊接，將此安裝到直流磁控管(magnetron)濺射裝置上，通過(guò)真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內(nèi)排氣至1×10-4Pa為止后，輸入Ar氣作為1.0Pa的濺射氣壓，接著通過(guò)直流電源對(duì)靶施加100W的直流濺射電功率，并且在與靶相對(duì)且設(shè)置70mm的間隔而與靶平行配置的直徑30mm、厚度0.5mm的玻璃基板和靶之間產(chǎn)生等離子體，形成厚度100nm的Ag以及Ag合金全反射膜。
如此形成的各Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的各Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表11中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表11

*標(biāo)表示實(shí)施例的范圍之外的值從表11所示的結(jié)果可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例94～102進(jìn)行濺射而得到的全反射層，與使用比較例15～17以及以往例3～4進(jìn)行濺射而得到的全反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率的下降少。
作為原料，準(zhǔn)備了純度99.9質(zhì)量％以上的Ca、Be以及Si。因?yàn)镃a、Be以及Si基本上不向Ag固溶，所以各元素的濃度分別為0.20質(zhì)量％與Ag進(jìn)行配合后，通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，溶解后向爐內(nèi)填充Ar氣體使?fàn)t內(nèi)壓力達(dá)到大氣壓為止，在石墨制鑄模中進(jìn)行鑄造，預(yù)制成含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金。
通過(guò)將這些母合金與實(shí)驗(yàn)6準(zhǔn)備的含有Cu以及Ni的Cu的母合金共同添加至Ag中，溶解鑄造，制成鑄錠，所得鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)的加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表12～13所示成分組成的實(shí)施例103～120。
在這些如此得到的實(shí)施例103～120中，與實(shí)驗(yàn)6同樣，在玻璃基板上形成厚度100nm的Ag合金反射膜，對(duì)Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的各Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表12～13中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表12

表13

*標(biāo)表示實(shí)施例的范圍之外的值從表12～13中所示結(jié)果，可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例103～120進(jìn)行濺射而得到的反射層，與使用表11所示的以往例3～4進(jìn)行濺射而得到的反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率以及透過(guò)率的下降少。但是，從比較例18～21中可以得知，含有Ca、Be以及Si合計(jì)多于0.05質(zhì)量％，則軋制中發(fā)生破裂等，不能成形。
作為原料，準(zhǔn)備了純度99.9質(zhì)量％以上的Dy、La、Nd、Tb以及Gd，將這些原料與實(shí)驗(yàn)6準(zhǔn)備的含有Cu以及Ni的Cu的母合金，和實(shí)驗(yàn)7準(zhǔn)備的含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金共同添加至Ag中，通過(guò)高頻真空溶解進(jìn)行溶解，所得到的熔融金屬在Ar氣體氛圍中在石墨鑄模中鑄造，制成鑄錠，所得鑄錠在600℃經(jīng)2小時(shí)的加熱后，進(jìn)行軋制，接著通過(guò)機(jī)械加工制造成具有直徑125mm、厚度5mm的尺寸，具有如表14～16所示成分組成的實(shí)施例121～145以及比較例22～27。
將這些實(shí)施例121～145以及比較例22～27分別在無(wú)氧銅制的墊模板(backing plate)上進(jìn)行焊接，將此安裝到直流磁控管(magnetron)濺射裝置上，通過(guò)真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內(nèi)排氣至1×10-4Pa為止后，輸入Ar氣作為1.0Pa的濺射氣壓，接著通過(guò)直流電源對(duì)靶施加100W的直流濺射電功率，并且在與靶相對(duì)且設(shè)置70mm的間隔而與靶平行配置的直徑30mm、厚度0.5mm的玻璃基板和靶之間產(chǎn)生等離子體，形成厚度100nm的Ag以及Ag合金全反射膜。
如此形成的各Ag合金反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的各Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650m的各反射率，其結(jié)果在表14～16中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表14

表15

表16

從表14～16中所示結(jié)果，可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例121～145進(jìn)行濺射而得到的反射層，與使用表11所示的以往例3～4進(jìn)行濺射而得到的反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率以及透過(guò)率的下降少。但是，從比較例22～27中可以得知，含有Dy、La、Nd、Tb以及Gd合計(jì)多于3質(zhì)量％，則軋制中發(fā)生破裂等，不能成形。
使用實(shí)驗(yàn)6準(zhǔn)備的含有Cu以及Ni的Cu的母合金、實(shí)驗(yàn)7準(zhǔn)備的含有Ca、Be以及Si的Ag的母合金，和實(shí)驗(yàn)8準(zhǔn)備的Dy、La、Nd、Tb以及Gd，制成具有表17所示成分組成的實(shí)施例146～157，這些靶中與實(shí)驗(yàn)6同樣在玻璃基板上形成厚度100nm的Ag合金反射膜，對(duì)Ag合金全反射膜的成膜后的反射率通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行了測(cè)定。其后，將形成的各Ag合金全反射膜在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后，再次以相同的條件測(cè)定了反射率。從所得到的反射率數(shù)據(jù)，求出波長(zhǎng)400nm以及650nm的各反射率，其結(jié)果在表17中表示對(duì)作為光記錄介質(zhì)的反射膜的記錄播放耐性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
表17

從表17中所示結(jié)果，可以得知，使用本發(fā)明的實(shí)施例146～157進(jìn)行濺射而得到的反射層，與使用表11所示的以往例3～4進(jìn)行濺射而得到的反射層相比，在溫度80℃、相對(duì)濕度85％的恒溫恒濕槽內(nèi)保持200小時(shí)后的反射率以及透過(guò)率的下降少。
工業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，使用在Ag中添加Zn0.1～20質(zhì)量％，還添加Al0.1～3質(zhì)量％的Ag-Zn合金構(gòu)成組成的銀合金靶進(jìn)行濺射而得到的銀合金層，與使用現(xiàn)有的Ag或Ag-Zn合金構(gòu)成組成的靶進(jìn)行濺射而得到的銀或銀合金層相比，具有隨激光束的反復(fù)照射受到反復(fù)的加熱·冷卻，晶粒的粗大化減少，進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間使用也極少有反射率的下降的效果。
此外，使用在Ag中共同添加Cu以及Ni的銀合金構(gòu)成的靶進(jìn)行濺射而得到的銀合金反射層，與現(xiàn)有的Ag、Ag-Cu合金或Ag-Ni合金構(gòu)成的靶進(jìn)行濺射而得到的銀合金反射層相比，具有與上述相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的全反射層以及半透明反射層，以下，包含兩者總稱為反射層，其特征在于，由具有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
2.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，還含有選自Ca、Be、Si中的一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
3.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
4.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
5.一種光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由使用權(quán)利要求1、2、3或4所述的銀合金濺射靶制作而成的蒸鍍膜構(gòu)成。
6.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的全反射層，其特征在于，由含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
7.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的全反射層，其特征在于，由含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
8.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的全反射層，其特征在于，由含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
9.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的全反射層，其特征在于，由含有Zn1～20質(zhì)量％、Al0.5～3質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
10.一種光記錄介質(zhì)的全反射層，其特征在于，由使用權(quán)利要求6、7、8或9所述的銀合金濺射靶制作而成的蒸鍍膜構(gòu)成。
11.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的半透明反射層，其特征在于，由含有Zn0.1～低于1質(zhì)量％、Al0.1～低于0.5質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
12.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的半透明反射層，其特征在于，由含有Zn0.1～低于1質(zhì)量％、Al0.1～低于0.5質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
13.一種光記錄介質(zhì)的半透明反射層，其特征在于，由使用權(quán)利要求11或12所述的銀合金濺射靶制作而成的蒸鍍膜構(gòu)成。
14.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
15.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
16.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
17.一種銀合金濺射靶，用于形成光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，此外還含有Dy、La、Nd、Tb、Gd中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金構(gòu)成。
18.一種光記錄介質(zhì)的反射層，其特征在于，由使用權(quán)利要求14、15、16或17所述的銀合金濺射靶制作而成的蒸鍍膜構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供的銀合金濺射靶由以下銀合金構(gòu)成，(1)含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金，(2)含有Zn0.1～20質(zhì)量％、Al0.1～3質(zhì)量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計(jì)0.005～0.05質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金，或者，(3)含有Cu0.5～5質(zhì)量％、Ni0.05～2質(zhì)量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1771547SQ0382645
公開(kāi)日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2003年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月16日
發(fā)明者三島昭史, 藤田悟史, 小路雅弘 申請(qǐng)人:三菱麻鐵里亞爾株式會(huì)社