專利名稱：升壓電路和含有這種升壓電路的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于產(chǎn)生正/負(fù)高電壓的升壓電路，該電路被包含于非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，所產(chǎn)生的正/負(fù)高電壓的電壓電平根據(jù)操作模式而不同。
背景技術(shù)：
在如閃爍EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，需要比輸送電壓高的正高電壓和比地電位低的負(fù)高電壓，它們的電壓電平和電流能力不同，并根據(jù)讀、擦、和寫模式而施加于存儲(chǔ)單元陣列晶體管。近年來(lái)，由于系統(tǒng)最小化、以及輸送電壓、功耗的降低等需求，希望在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中包含一種用于產(chǎn)生高電壓的升壓電路，并且該升壓電路的升壓效率增強(qiáng)。
此外，為了在一種升壓電路中產(chǎn)生電壓電平和電流能力不同的正/負(fù)高電壓，提供互相串聯(lián)連接的多級(jí)電荷泵電路，并且級(jí)的數(shù)量可以轉(zhuǎn)換。
圖9是表示作為常規(guī)升壓電路用于產(chǎn)生電壓電平不同的負(fù)高電壓的負(fù)正壓電路的示意結(jié)構(gòu)。在圖9中，參考標(biāo)記11、12、13和14表示閾值取消型電荷泵電路(PUMP1、PUMP2、PUMP3、PUMP4)。假設(shè)時(shí)鐘信號(hào)CLK3和CLK2的高電平是輸送電壓VDD，并且其低電平是地電位VSS(＝0V)，每個(gè)電荷泵電路使輸入電壓向負(fù)極側(cè)升高-VDD并輸出它。其它時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK4具有于時(shí)鐘信號(hào)CLK3和CLK2相同的振幅。輸入到電荷泵電路11的輸入電壓為0V，因此其輸出電壓為-VDD，并且接收電壓-VDD的電荷泵電路12的輸出電壓為-2VDD。因此，在0V到-2VDD范圍內(nèi)的負(fù)高電壓可由2級(jí)電荷泵電路11和12產(chǎn)生。此外，輸入電壓被二級(jí)電荷泵電路12和14向負(fù)極側(cè)升高-2VDD。閾值取消型電荷泵電路11-14的細(xì)節(jié)將在下面介紹。
參考標(biāo)記60表示用于轉(zhuǎn)換電荷泵電路的級(jí)的數(shù)量的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路。在輸入到級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60中的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON處于邏輯低電平(即，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60被去激勵(lì))的情況下，電平移位電路LS1關(guān)斷N溝道MOS晶體管Tn1和接通N溝道MOS晶體管Tn2。因此，二級(jí)電荷泵電路11和12以及二級(jí)電荷泵電路13和14互相并聯(lián)連接。結(jié)果，二級(jí)電荷泵電路11和12的輸出電壓-2VDD使第一負(fù)電壓VNN1(＝-2VDD)通過(guò)作為用于防止逆流的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp1作為負(fù)電壓VNN而輸出。此外，二級(jí)電荷泵電路13和14的輸出電壓-VDD使第一負(fù)電壓VNN1(＝-2VDD)通過(guò)作為用于防止逆流(Route(1))的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp2作為負(fù)電壓VNN而輸出。
另一方面，在級(jí)數(shù)切轉(zhuǎn)控制信號(hào)SWHON處于邏輯高電平的情況下(即級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60被激勵(lì))，電平移位電路LS1接通N溝道MOS晶體管Tn1和截止N溝道MOS晶體管Tn2。因此，二級(jí)電荷泵電路12和12以及二級(jí)電荷泵電路13和14互相串聯(lián)連接。結(jié)果是，二級(jí)電荷泵電路11和12的輸出電壓-2VDD通過(guò)用于對(duì)電壓進(jìn)行整流的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp3以及N溝道MOS晶體管Tn1輸送給電荷泵電路13，并被二級(jí)電荷泵電路13和14升壓到-4VDD。結(jié)果是，輸入電壓-4VDD使第二負(fù)電壓VNN2(＝-4VDD)通過(guò)作為用于防止逆流(Route(2))的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp2作為負(fù)電壓VNN而輸出。在這種情況下，作為用于防止逆流的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp1處于反向偏置狀態(tài)，以便被截止。
這樣，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60在相同負(fù)升壓電路中產(chǎn)生電壓電平不同的兩個(gè)負(fù)高電壓。Cp1表示用于輸出的平滑電容器。
通常，為了抑制電平移位電路LS1的輸送電壓VEE由于級(jí)數(shù)切轉(zhuǎn)電路60中的泵送操作而產(chǎn)生波動(dòng)，提供作為用于對(duì)輸送電壓進(jìn)行整流的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp3和平滑電容器Cp2。
接著，下面參照

圖10和11介紹圖9中所示的二級(jí)電荷泵電路11和12的結(jié)構(gòu)和操作。
圖10示出了表示二級(jí)電荷泵電路11和12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖11是輸送給二級(jí)電荷泵電路11和12的四個(gè)時(shí)鐘信號(hào)CLK1、CLK2、CLK3和CLK4。
在圖10中，P溝道MOS晶體管(以下稱為“電荷轉(zhuǎn)移晶體管”)Tp5和Tp7連接在地電位和輸出VOUT之間，以便其電流溝道互相串聯(lián)連接。電容器Cp4的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管Yp5的連接節(jié)點(diǎn)N5，電容器Cp6的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp7的輸出節(jié)點(diǎn)N7。電容器Cp4的另一電極被輸送以具有輸送電壓VDD幅度的時(shí)鐘信號(hào)CLK3，電容器Cp6的另一電極被輸送以具有輸送電壓VDD的幅度的時(shí)鐘信號(hào)CLK2。電容器Cp3的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp5的柵極，電容器Cp5的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp7的柵極。電容器Cp3的另一電極被輸送以具有輸送電壓VDD的幅度的時(shí)鐘信號(hào)CLK1，電容器Cp5的另一電極被輸送以具有輸送電壓VDD的幅度的時(shí)鐘信號(hào)CLK4。
此外，閾值取消P溝道MOS晶體管(以下稱為“閾值取消晶體管”)Tp4和Tp6的電流溝道分別連接在電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp5和Tp7的柵極和漏極之間。閾值取消晶體管Tp4和Tp6的每個(gè)柵極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp5和Tp7的每個(gè)源極(節(jié)點(diǎn)N5和N7)。提供閾值取消晶體管Tp4和Tp6以便取消作為二極管工作的電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp5和Tp7的閾值電壓。
接著，下面參照?qǐng)D11中時(shí)序圖介紹二級(jí)電荷泵電路11和12的升壓操作。
首先，在圖11中的時(shí)間t1，時(shí)鐘信號(hào)CLK4從0V升高到VDD。結(jié)果是，由于與電容器Cp5耦合而使節(jié)點(diǎn)N6的電壓電平升高。此外，電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp7截止，節(jié)點(diǎn)N7處于浮置狀態(tài)。
然后，在時(shí)間t2，時(shí)鐘信號(hào)CLK2從VDD下降到0V。結(jié)果，由于與電容器Cp6的耦合而使節(jié)點(diǎn)N7的電壓電平V7下降。閾值取消晶體管Tp6導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平變得與節(jié)點(diǎn)N6的電壓電平相同。
接著，在時(shí)間t3，時(shí)鐘信號(hào)CLK3從0V升高到VDD。結(jié)果是，由于與電容器Cp4的耦合而使節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平V5升高。此外，閾值取消晶體管Tp4截止，節(jié)點(diǎn)N4處于浮置狀態(tài)。
接著，在時(shí)間t4，時(shí)鐘信號(hào)CLK4從VDD下降到0V。結(jié)果是，由于與電容器Cp3的耦合而使節(jié)點(diǎn)N4的電壓電平下降，并且電流從節(jié)點(diǎn)N5流到地電位，由此降低了節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平。
接著，在時(shí)間t5，時(shí)鐘信號(hào)LCK1從0V升高到VDD。結(jié)果是，由于與電容器Cp3耦合而使節(jié)點(diǎn)N4的電壓電平升高。此外，電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp5導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)N5處于浮置狀態(tài)。
接著，在時(shí)間t6，時(shí)鐘信號(hào)CLK3從VDD下降到0V。結(jié)果是，由于與電容器Cp4的耦合而使節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平V5下降。此外，閾值取消晶體管Tp4導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)N4達(dá)到地電位(0V)。
接著，在時(shí)間t7，時(shí)鐘信號(hào)CLK2從0V升高到VDD。因此，由于與電容器Cp6耦合而使節(jié)點(diǎn)N7的電壓電平V7升高。此外，閾值取消晶體管Tp6截止，節(jié)點(diǎn)N6處于浮置狀態(tài)。
接著，在時(shí)間t8，時(shí)鐘信號(hào)CLK4從VDD下降到0V。結(jié)果是，由于與電容器Cp5耦合而使節(jié)點(diǎn)N6的電壓電平下降。此外，電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp7導(dǎo)通，并且由于在時(shí)間t7時(shí)的關(guān)系V5＜V7而使電流從節(jié)點(diǎn)N7流到節(jié)點(diǎn)N5，由此節(jié)點(diǎn)N7的電壓電平V7下降。
最后，電流通過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp5流到地電位，由此節(jié)點(diǎn)N5的電壓電平下降到-VDD。此外，電流通過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管Tp7流到節(jié)點(diǎn)N5，由此節(jié)點(diǎn)N7的電壓電平下降到-2VDD。結(jié)果，產(chǎn)生了作為輸出電壓VOUT的負(fù)高電壓-2VDD。
從二級(jí)電荷泵電路11和12獲得負(fù)高電壓-2VDD的原理如上所述。
通常，如圖9所示，為了抑制電平移位電路LS1的輸送電壓VEE由于泵送操作而產(chǎn)生波動(dòng)，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60中提供作為用于整流輸送電壓VEE的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp3和平滑電容器Cp2。
因此，在路線(2)中產(chǎn)生第二負(fù)電壓VNN2的情況下，其中在路線(2)中二級(jí)電荷泵電路11和12串聯(lián)連接二級(jí)電荷泵電路13和14，輸出端的升高電流能力被作為級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60中的二極管連接的P溝道MOS晶體管Tp3的閾值電壓Vth降低，并且升壓效率降低了。為了抑制升壓效率的降低，需要增加P溝道MOS晶體管Tp3的尺寸，并且降低閾值電壓Vth。因此，增加了芯片面積。
此外，通過(guò)采用平滑電容器Cp2，由于由P溝道MOS晶體管Tp3的導(dǎo)通電阻和平滑電容器Cp2的電容構(gòu)成的時(shí)間常數(shù)，延長(zhǎng)了用于到達(dá)第二負(fù)電壓VNN2所需要的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，鑒于上述情況，本發(fā)明的目的是提供一種升壓電路以及含有包含這種升壓電路的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中提高了升壓效率而在不增加芯片面積，并且縮短了用于達(dá)到具有不同電壓電平的所希望的升高電壓所需要的時(shí)間。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一升壓電路具有若干個(gè)電荷泵電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，本發(fā)明的第一升壓電路包括第一電荷泵電路組(PUMP1、PUMP2)，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接(n是2或更大的整數(shù))；第二電荷泵電路組(PUMP3、PUMP4)，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接(m是2或更大的整數(shù))；以及級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路(SW電路)，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)(SWHON)、在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端，其轉(zhuǎn)換的方式使得第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相串聯(lián)連接，并且第二電荷泵電路組輸出第一升高電壓，或者第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相并聯(lián)連接，并且第一和第二電荷泵電路組輸出第二升高電壓。級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和電容器，其一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一個(gè)電極連接該轉(zhuǎn)換晶體管的柵極。在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平(輸送電壓VDD)的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平(地電位0V)的情況下，轉(zhuǎn)換晶體管截止。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，第二升壓電路具有若干個(gè)電荷泵電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，該第二升壓電路包括第一電荷泵電路組(PUMP1、PUMP2)，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接(n是2或更大的整數(shù))；第二電荷泵電路組(PUMP3、PUMP4)，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接(m是2或更大的整數(shù))；與第二電荷泵電路組串聯(lián)連接的第三電荷泵電路組(PUMP5、PUMP6)，其中電荷泵電路以p級(jí)形式互相串聯(lián)連接(p是2或更大的整數(shù))；并且輸出第一或第二升高電壓；第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)(SWHON)、在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端；門電路(AND電路)，用于根據(jù)第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)輸送給第二電荷泵電路組；和第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，根據(jù)作為第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的邏輯反相信號(hào)的第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)(/SWHON)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第三電荷泵電路組的輸入端。第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括第一轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和第一電容器，它的一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一電極連接到第一轉(zhuǎn)換晶體管的柵極。在第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平(輸送電壓VDD)的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使第一轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平(地電位0V)的情況下，第一轉(zhuǎn)換晶體管截止。第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括第二轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第三電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和第二電容器，它的一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一電極連接到第二轉(zhuǎn)換晶體管的柵極。在第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平(輸送電壓VDD)的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使第二轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平(地電位0V)的情況下，第二轉(zhuǎn)換晶體管截止。
根據(jù)第一和第二升壓電路的上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)采用4相位時(shí)鐘信號(hào)用于級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路中的電荷泵電路，可以采用具有等于電荷泵電路的晶體管尺寸的減小尺寸的晶體管。因此，雖然晶體管的數(shù)量增加了，但晶體管的總面積保持相同或甚至減小。此外，轉(zhuǎn)換晶體管的導(dǎo)通或截止與用于電荷泵電路的4相位時(shí)鐘信號(hào)同步。因此，只有在前一級(jí)中的電荷泵電路中在絕對(duì)值方面較高的電位可以被傳輸給后一級(jí)中的電荷泵電路，同時(shí)防止逆流，并且前一級(jí)中的電荷泵電路的電荷可以有效地輸送給后一級(jí)中的電荷泵電路。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第三升壓電路具有若干個(gè)電荷泵電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，該第三升壓電路包括第一電荷泵電路組(PUMP1、PUMP2)，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接(n是2或更大的整數(shù))；第二電荷泵電路組(PUMP3、PUMP4)，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接(m是2或更大的整數(shù))；以及級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路(SW電路)，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)(SWHON)、在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端，其轉(zhuǎn)換的方式使得第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相串聯(lián)連接，并且第二電荷泵電路組輸出第一升高電壓，或者第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相并聯(lián)連接，并且第一和第二電荷泵電路組輸出第二升高電壓。級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括電平移位電路，其被輸送第一或第二升高電壓作為工作電壓，以便使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平移位；和開關(guān)電路，用于根據(jù)從電平移位電路輸出的信號(hào)在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端。
在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，利用從電平移位電路輸出的信號(hào)，開關(guān)電路設(shè)置第二電荷泵電路組的輸入端的電位與第一電荷泵電路組的輸入端的電位相同。
根據(jù)第三升壓電路的上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)采用升壓電路的輸出端的升高電壓作為電平移位電路的工作電壓，其中所述升高電壓的絕對(duì)值高于級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的輸入端和輸出端的電位，不需要提供作為二極管連接的晶體管以用于防止由于前一級(jí)中電荷泵電路的泵送操作引起的電位波動(dòng)、以及用于穩(wěn)定電位而連接的平滑電容器。因此，可以減小芯片面積，并利用簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)可以抑制升高電壓的下降。
在第一和第二升壓電路中，優(yōu)選的是，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路與要輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，允許級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路以與電荷泵電路的一級(jí)中相同的方式工作。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路被激勵(lì)的情況下，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路用作電荷泵電路的一級(jí)。因此，與常規(guī)電路結(jié)構(gòu)相比，使電荷泵電路的數(shù)量的減少量等于轉(zhuǎn)換晶體管的數(shù)量，由此減小了芯片面積。
在第一升壓電路中，優(yōu)選的是，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括電平移位電路，其被輸送第一或第二升高電壓作為工作電壓，以便使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平移位；和開關(guān)電路，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平(地電位0V)的情況下，利用從電平移位電路輸出的信號(hào)設(shè)置第二電荷泵電路組的輸入端的電位與第一電荷泵電路組的輸入端的電位相同。
此外，在第一和第二升壓電路中，優(yōu)選的是，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)允許或禁止要輸送的時(shí)鐘信號(hào)的門電路。
此外，優(yōu)選的是，第一和第三升壓電路包括第一逆流防止晶體管，其連接在第一電荷泵電路組的輸出端和升壓電路的輸出端之間；和第二逆流防止晶體管，其連接在第二電荷泵電路組的輸出端和升壓電路的輸出端之間。
此外，優(yōu)選的是，第二升壓電路包括連接在第三電荷泵電路組的輸出端和升壓電路的輸出端之間的逆流防止晶體管。
而且，優(yōu)選的是，第一到第三升壓電路包括連接到升壓電路的輸出端的平滑電容器。
此外，在第一和第三升壓電路中，第一和第二電荷泵電路組由串聯(lián)連接的若干個(gè)二級(jí)電荷泵電路構(gòu)成，輸送給二級(jí)電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)由具有不同相位的4種時(shí)鐘信號(hào)組成。
此外，在第二升壓電路中，第一、第二和第三電荷泵電路組由串聯(lián)連接的二級(jí)電荷泵電路構(gòu)成，并且輸送給二級(jí)電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)由具有不同相位4種時(shí)鐘信號(hào)組成。
此外，在第一到第三升壓電路中，電荷泵電路包括電荷轉(zhuǎn)移晶體管，具有連接在電荷泵電路的輸入端和輸出端之間的電流溝道；閾值取消晶體管，具有連接到輸入端和電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極的電流溝道；第一耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)；和第二耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到閾值取消晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)。
此外，在第一到第三升壓電路中，構(gòu)成電荷泵電路和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是N溝道MOS晶體管，升壓電路輸出被升高的正電壓。
此外，在第一到第三升壓電路中，構(gòu)成電荷泵電路和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是P溝道MOS晶體管，并且升壓電路輸出被升高的負(fù)電壓。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括第一到第三升壓電路的任一個(gè)；被輸送以來(lái)自升壓電路的升高電壓的非易失性存儲(chǔ)單元陣列；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路，用于根據(jù)存儲(chǔ)器的工作方式將級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平轉(zhuǎn)換到第一或第二電壓電平。
通過(guò)閱讀參照附圖下面的詳細(xì)說(shuō)明使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員更容易理解本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
附圖簡(jiǎn)述圖1是表示用于產(chǎn)生負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖，該電路作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的升壓電路。
圖2是表示作為級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a的圖1中所示的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20的一種示意內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖3是表示作為級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b的圖1中所示的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20的另一示意內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4是表示在實(shí)施例1中采用級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的情況下和在采用常規(guī)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的情況下通過(guò)繪制負(fù)升壓電路(4級(jí)串聯(lián)結(jié)構(gòu))的輸出電壓VNN相對(duì)于工作電壓VDD的曲線圖。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的作為升壓電路的用于產(chǎn)生負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖。
圖6是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的作為升壓電路的用于產(chǎn)生負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖。
圖7是表示作為產(chǎn)生正高電壓的正升壓電路、用于使本發(fā)明實(shí)施例中的負(fù)升壓電路工作的時(shí)鐘信號(hào)CLK1-CLK4的時(shí)序圖。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的示意結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖9是表示作為常規(guī)升壓電路用于產(chǎn)生負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖。
圖10是表示現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明實(shí)施例中的閾值取消型二級(jí)電荷泵電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖11是輸送給圖10中所示二級(jí)電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)CLK1-CLK4的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖借助示意實(shí)施例介紹本發(fā)明。
實(shí)施例1圖1是表示作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的升壓電路、用于產(chǎn)生具有不同電壓電平的負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖。在圖1中，與圖9中所示現(xiàn)有技術(shù)中的相同結(jié)構(gòu)和相同功能的部件用相同的參考標(biāo)記表示，并且在此省略對(duì)它們的說(shuō)明。
本實(shí)施例不同于現(xiàn)有技術(shù)的地方在于，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路(SW電路)20的結(jié)構(gòu)。下面將主要介紹級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20的結(jié)構(gòu)和操作。
在圖1中，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON處于邏輯低電平的情況下，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20被去激勵(lì)，并且負(fù)升壓電路具有如下結(jié)構(gòu)其中二級(jí)電荷泵電路11和12并聯(lián)連接二級(jí)電荷泵電路13、14。另一方面，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON處于邏輯高電平的情況下，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20被激勵(lì)，并且二級(jí)電荷泵電路11、12串聯(lián)連接二級(jí)電荷泵電路13、14。這與現(xiàn)有技術(shù)的相同。
然而，本實(shí)施例中的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20不同于現(xiàn)有技術(shù)的地方在于，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20被輸送以時(shí)鐘信號(hào)CLK1、CLK3和輸出電壓VNN。
圖2是表示作為級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a的圖1中所示級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20的一種示意內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖2中，Tp11到Tp16表示P溝道MOS晶體管；Cp9、Cp10表示被分別被泵送時(shí)鐘信號(hào)CLK3、CLK1的電容器；LS2表示用于使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON的電壓電平從正工作電壓VDD移位到負(fù)工作電壓VNN的電平移位電路AND5、AND6表示用于允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)CLK1、CLK3輸入到級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a的AND(與)電路；INV2表示用于利用級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON轉(zhuǎn)換P溝道MOS晶體管Tp12-Tp15的襯底電壓的反相器電路。
下面將介紹如此構(gòu)成的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a的操作。
首先，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a被激勵(lì)的情況下(即SWHON處于邏輯高電平(VDD))，P溝道MOS晶體管Tp14和Tp15的柵極被輸送以工作電壓VDD，以便P溝道MOS晶體管Tp14和Tp15被截止。此外，要輸入的時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK3被AND電路AND5和AND6允許。此外，P溝道MOS晶體管Tp12到Tp15的襯底被輸送以0V。
P溝道MOS晶體管Tp11的柵極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)CLK1，如圖11所示，由此利用低于/高于連接到輸入端SWIN的前一級(jí)中的電荷泵電路12(圖1)的輸出電壓的電壓，使P溝道MOS晶體管Tp11導(dǎo)通/截止。為此，由被連接到輸入端SWIN的前一級(jí)中電荷泵電路12所升高的電壓通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp11被輸送給連接到輸出端SWOUT的后一級(jí)中的電荷泵電路13，而不會(huì)降低升壓能力。
另一方面，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a被去激勵(lì)的情況下(即SWHON處于邏輯低電平(0V))，P溝道MOS晶體管Tp14和Tp15的柵極被輸送以地電位(0V)，以便P溝道MOS晶體管Tp14和Tp15導(dǎo)通。此外，要輸入的時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK3被AND電路AND5和AND6禁止。此外，P溝道MOS晶體管Tp12到Tp15的襯底被輸送以工作電壓VDD。
P溝道MOS晶體管Tp12的柵極通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp14被輸送以工作電壓VDD，并且P溝道MOS晶體管Tp11和Tp13的柵極通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp15被輸送以工作電壓VDD。為此，P溝道MOS晶體管Tp11、Tp12和Tp13截止，由此防止被連接到輸入端SWIN的前一級(jí)中電荷泵電路12升高的電壓通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp11被輸送到連接輸出端SWOUT的后一級(jí)中電荷泵電路13的輸入端。
此外，P溝道MOS晶體管Tp16的柵極被輸送以來(lái)自電平移位電路LS2的負(fù)升高電壓VNN。為此，P溝道MOS晶體管Tp16導(dǎo)通，并且將地電位輸出到輸出端SWOUT，由此給后一級(jí)中的電荷泵電路13輸送地電位(0V)。
圖3是表示圖1中所示的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20的另一內(nèi)部示意結(jié)構(gòu)的電路圖，其作為級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b。在圖3中，Tp17到20表示P溝道MOS晶體管；Cp11和Cp12分別表示被泵送以時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK3的電容器；LS3表示用于使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON的電壓電平從正工作電壓VDD移位到負(fù)工作電壓VNN的電平移位電路；和AND7和AND8表示用于允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK3輸入到級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b的AND電路。這里，P溝道MOS晶體管17-20的襯底處于地電位(0V)。
下面介紹由此構(gòu)成的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b的操作。
首先，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b被激勵(lì)的情況下(即SWHON處于邏輯高電平)，P溝道MOS晶體管Tp19和Tp20的柵極被輸送以來(lái)自電平移位電路LS3的工作電壓VDD。因此，P溝道MOS晶體管Tp19和Tp20截止。此外，要輸入的時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK3被AND電路AND7和AND8允許。
在上述狀態(tài)下，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b以與圖10中所示閾值取消型常規(guī)電荷泵電路的一級(jí)相同的方式，具有與之相同的結(jié)構(gòu)和功能。因此，由被連接到輸入端SWIN的前一級(jí)中電荷泵電路12升高的電壓進(jìn)一步被一級(jí)升高，并被輸送給連接到輸出端SWOUT的后一級(jí)中電荷泵電路13，而不會(huì)使升壓能力下降。
另一方面，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20b被去激勵(lì)的情況下(即SWHON處于邏輯低電平)，P溝道MOS晶體管Tp19和Tp20的柵極被輸送以來(lái)自電平移位電路LS3的負(fù)升高電壓。因此，P溝道MOS晶體管Tp19和Tp20導(dǎo)通。此外，要輸入的時(shí)鐘信號(hào)CLK1和CLK3被AND電路AND7和AND8禁止。
通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp20，向P溝道MOS晶體管Tp17的柵極輸送地電位(0V)，并且通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp19給P溝道MOS晶體管Tp18的柵極輸送地電位(0V)。因此，P溝道MOS晶體管Tp17和Tp18截止，由此防止被連接到輸入端SWIN的前一級(jí)中電荷泵電路12升高的電壓通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp17被輸送給連接輸出端SWOUT的后一級(jí)中電荷泵電路13的輸入端。
此外，通過(guò)P溝道MOS晶體管Tp19給節(jié)點(diǎn)N17輸送地電位(0V)。因此，地電位(0V)被輸送給輸出端SWOUT，并且后一級(jí)中電荷泵電路13被輸送以地電位(0V)。
圖4表示在圖2所示的本實(shí)施例中采用級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20a的情況下和在采用圖9中所示常規(guī)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路60的情況下、通過(guò)繪制負(fù)升壓電路(4級(jí)串聯(lián)結(jié)構(gòu))的輸出電壓VNN相對(duì)于工作電壓VDD的曲線圖。此時(shí)電荷泵電路的工作效率設(shè)置為90％(在4級(jí)結(jié)構(gòu)的情況下，-0.9VDD×4是負(fù)升壓電路的輸出電壓)。在圖4中，實(shí)線表示本實(shí)施例中輸出電壓VNN相對(duì)于工作電壓VDD的變化，虛線表示現(xiàn)有技術(shù)中輸出電壓VNN相對(duì)于工作電壓VDD的變化。如圖4所示，當(dāng)本實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比時(shí)，本實(shí)施例的輸出電壓VNN高于現(xiàn)有技術(shù)的輸出電壓，并可以提高升壓效率。
實(shí)施例2圖5是表示用于產(chǎn)生具有不同電壓電平的負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖，其作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的升壓電路。在本實(shí)施例中，將介紹其中電荷泵電路在4級(jí)串聯(lián)結(jié)構(gòu)和6級(jí)串聯(lián)結(jié)構(gòu)之間轉(zhuǎn)換的情況。
在圖5中，二級(jí)電荷泵電路31和32、二級(jí)電荷泵電路33和34、以及二級(jí)電荷泵電路35和36具有與圖10中所示二級(jí)電荷泵電路11和12相同的結(jié)構(gòu)。
AND1-AND4表示用于允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)CLK1-CLK4輸入到二級(jí)電荷泵電路33和34的AND(與)電路Tp21表示作為用于防止逆流的二極管連接的P溝道MOS晶體管；和Cp13表示用于使輸出平滑的電容器。
20-1和20-2表示用于轉(zhuǎn)換電荷泵電路的級(jí)數(shù)的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，并具有圖2或3所示的結(jié)構(gòu)。
下面介紹如此構(gòu)成的負(fù)升壓電路的工作。
首先，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20-1被激勵(lì)(即SWHON處于邏輯高電平)和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20-2被去激勵(lì)(即/SWHON處于邏輯低電平)的情況下，6級(jí)電荷泵電路31-36互相串聯(lián)連接。
另一方面，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20-1被去激勵(lì)(即SWHON處于邏輯高電平)和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路20-2被激勵(lì)(/SWHON處于邏輯高電平)的情況下，要輸入到二級(jí)電荷泵電路33和34的時(shí)鐘信號(hào)CLK1-CLK4被AND電路AND1-AND4禁止，并且二級(jí)電荷泵電路33和34的升壓操作被懸掛，由此4級(jí)電荷泵電路31、32、35和36互相串聯(lián)連接。
實(shí)施例3圖6示出用于產(chǎn)生具有不同電壓電平的負(fù)高電壓的負(fù)升壓電路的示意結(jié)構(gòu)的電路方框圖，其作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的升壓電路。在圖6中，具有與圖9中所示現(xiàn)有技術(shù)相同的結(jié)構(gòu)和功能的部件用相同的參考標(biāo)記表示，并省略了它們的說(shuō)明。
本實(shí)施例不同于現(xiàn)有技術(shù)的地方在于級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路(SW電路)80的結(jié)構(gòu)。下面將主要介紹級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80的結(jié)構(gòu)和操作。
在圖6中，級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80由P溝道MOS晶體管Tp22和Tp23以及負(fù)電平移位電路LS4構(gòu)成。這里，電平移位電路LS4被輸送以負(fù)升壓電路的輸出電壓VNN作為工作電壓。
下面介紹如此構(gòu)成的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80的操作。
首先，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80被激勵(lì)的情況下(即SWHON處于邏輯高電平)的情況下，P溝道MOS晶體管Tp22的柵極被輸送以負(fù)升壓電路的輸出電壓VNN，該輸出電壓VNN是負(fù)電平移位電路LS4的反相輸出電壓。由于P溝道MOS晶體管Tp22的源極電壓和漏極電壓比柵極電壓高一個(gè)閾值或更多，因此P溝道MOS晶體管Tp22導(dǎo)通。在另一方面，P溝道MOS晶體管Tp23的柵極被輸送以工作電壓VDD，其中該工作電壓VDD是負(fù)電平移位電路LS4的非反相輸出電壓。由于P溝道MOS晶體管Tp23的源極電壓和漏極電壓比柵極電壓低一個(gè)閾值或更多，則P溝道MOS晶體管Tp23被截止。結(jié)果，被級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80的前級(jí)中的電荷泵電路12升高的電壓可以通過(guò)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80輸送給后一級(jí)中的電荷泵電路13，而不會(huì)被降低。
另一方面，在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80被去激勵(lì)(即SWHON處于邏輯低電平)的情況下，P溝道MOS晶體管Tp22的柵極被輸送以工作電壓VDD，該工作電壓VDD是負(fù)電平移位電路LS4的反相輸出電壓，P溝道MOS晶體管Tp22被截止。因此，防止了被級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80的前一級(jí)中的電荷泵電路12升高的電壓通過(guò)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路80輸送給后一級(jí)中的電荷泵電路13。
此外，P溝道MOS晶體管Tp23的柵極被輸送以負(fù)升壓電路的輸出電壓VNN，該輸出電壓VNN是負(fù)電平移位電路LS4的非反相輸出電壓，以使P溝道MOS晶體管Tp23導(dǎo)通。因此，后一級(jí)中的電荷泵電路13被輸送以地電位(0V)。
在上述實(shí)施例1-3中，已經(jīng)示出了和介紹了負(fù)升壓電路。然而，本發(fā)明還可適用于正升壓電路。在這種情況下，構(gòu)成負(fù)升壓電路的所有P溝道MOS晶體管用N溝道MOS晶體管代替，并改變襯底的連接，以便不引起逆流。此外，負(fù)電平移位電路被正電平移位電路代替，并且在圖7中所示的時(shí)序輸入時(shí)鐘信號(hào)CLK1-CLK4。這樣，可以構(gòu)成具有級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的正升壓電路。
實(shí)施例4圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的示意結(jié)構(gòu)的方框圖。本實(shí)施例的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包含實(shí)施例1-3的任一個(gè)升壓電路或其組合。
在圖8中，參考標(biāo)記90表示振蕩電路，91表示具有級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的升壓電路，92表示級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路，93表示存儲(chǔ)器。
下面將介紹如此構(gòu)成的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作。
首先，根據(jù)來(lái)自級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路92的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)SWHON(/SWHON)，具有級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的升壓電路91與在振蕩電路90中產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)CLK1-CLK4同步操作，產(chǎn)生升高電壓VNN并輸送給存儲(chǔ)器93。
輸送給存儲(chǔ)器93的升高電壓VNN被級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路92改變。例如，要輸送給存儲(chǔ)器93的升高電壓VNN可以在需要大電流能力而升高電壓較低(如在從存儲(chǔ)器讀出)的情況和需要小電流能力而升高電壓較高(如在存儲(chǔ)器中寫入)的情況之間轉(zhuǎn)換。這樣，根據(jù)這個(gè)目的可以在一個(gè)升壓電路中有效地產(chǎn)生多種升高電壓，并且可以輸送給存儲(chǔ)器93。
如上所述，本發(fā)明具有如下專用的技術(shù)效果可以實(shí)現(xiàn)升壓電路，其中在不增加芯片面積的情況下提高了升壓效率，并縮短了用于到達(dá)電壓電平和電流能力不同的所希望升高電壓所需要的時(shí)間，并可以實(shí)現(xiàn)包含這種升壓電路的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
本發(fā)明可以以其它各種形式實(shí)施而不脫離本發(fā)明的精神或主要特性。本申請(qǐng)中公開的實(shí)施例在各方面都只是示意性的而非限制性的。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書限定而不是由前述說(shuō)明限定，并且在權(quán)利要求書的等效含義和范圍內(nèi)產(chǎn)生的所有變化都應(yīng)被包含在本發(fā)明的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種具有若干個(gè)電荷泵電路的升壓電路，通過(guò)使電荷能夠穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)一電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，包括第一電荷泵電路組，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接，n是2或更大的整數(shù)；第二電荷泵電路組，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接，m是2或更大的整數(shù)；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端，其轉(zhuǎn)換的方式使得第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相串聯(lián)連接，并且第二電荷泵電路組輸出第一升高電壓，或者第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相并聯(lián)連接，第一和第二電荷泵電路組輸出第二升高電壓，其中該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和電容器，其一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一個(gè)電極連接到轉(zhuǎn)換晶體管的柵極，和在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，轉(zhuǎn)換晶體管截止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中，在該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路與要輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，允許級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路工作在與電荷泵電路的一級(jí)中相同的方式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括電平移位電路，它被輸送以第一或第二升高電壓作為工作電壓，以便使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的的電壓電平移位；和開關(guān)電路，用于在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，利用從電平移位電路輸出的信號(hào)，設(shè)置第二電荷泵電路組的輸入端的電位與第一電荷泵電路組的輸入端的電位相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括一門電路，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)被輸送。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，還包括第一逆流防止晶體管，連接在第一電荷泵電路組的輸出端和該升壓電路的輸出端之間；和第二逆流防止晶體管，連接在第二電荷泵電路組的輸出端和該升壓電路的輸出端之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的升壓電路，還包括連接到該升壓電路的輸出端的平滑電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中第一和第二電荷泵電路組由串聯(lián)連接的若干個(gè)二級(jí)電荷泵電路構(gòu)成，輸送給二級(jí)電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)由具有不同相位的4種時(shí)鐘信號(hào)構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中電荷泵電路包括電荷轉(zhuǎn)移晶體管，具有連接在電荷泵電路的輸入端和輸出端之間的電流溝道；閾值取消晶體管，具有連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極和輸入端的電流溝道；第一耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)；和第二耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到閾值取消晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中構(gòu)成該電荷泵電路的晶體管是N溝道MOS晶體管，并且該升壓電路輸出被升高的正電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的升壓電路，其中構(gòu)成該電荷泵電路的晶體管是P溝道MOS晶體管，并且該升壓電路輸出被升高的負(fù)電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的升壓電路，其中構(gòu)成該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是N溝道MOS晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的升壓電路，其中構(gòu)成該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是P溝道MOS晶體管。
13.一種具有若干個(gè)電荷泵電路的升壓電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)一電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，包括第一電荷泵電路組，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接，n是2或更大的整數(shù)；第二電荷泵電路組，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接，m是2或更大的整數(shù)；第三電荷泵電路組，與第二電荷泵電路組串聯(lián)連接，其中電荷泵電路以p級(jí)形式互相串聯(lián)連接，p是2或更大的整數(shù)，其輸出第一或第二升高電壓；第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端；門電路，用于根據(jù)第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)輸送給第二電荷泵電路組；和第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，根據(jù)第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第三電荷泵電路組的輸入端，第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)是第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的邏輯反相信號(hào)，其中第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括第一轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和第一電容器，它的一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一電極連接到第一轉(zhuǎn)換晶體管的柵極，在第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使第一轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，第一轉(zhuǎn)換晶體管截止，其中第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括第二轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第三電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和第二電容器，它的一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一電極連接到第二轉(zhuǎn)換晶體管的柵極，在第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使第二轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，第二轉(zhuǎn)換晶體管截止。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，其中，在該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路與要輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，允許級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路工作在與電荷泵電路的一級(jí)中相同的方式。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，其中，該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括一門電路，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)被輸送。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，還包括連接在第三電荷泵電路組的輸出端和該升壓電路的輸出端之間的逆流防止晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的升壓電路，還包括連接到該升壓電路的輸出端的平滑電容器。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，其中，第一、第二和第三電荷泵電路組由串聯(lián)連接的若干個(gè)二級(jí)電荷泵電路構(gòu)成，輸送給二級(jí)電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)由具有不同相位的4種時(shí)鐘信號(hào)構(gòu)成。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，其中該電荷泵電路包括電荷轉(zhuǎn)移晶體管，具有連接在電荷泵電路的輸入端和輸出端之間的電流溝道；閾值取消晶體管，具有連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極和輸入端的電流溝道；第一耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)；和第二耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到閾值取消晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)。
20.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，其中構(gòu)成電荷泵電路的晶體管是N溝道MOS晶體管，并且該升壓電路輸出被升高的正電壓。
21.根據(jù)權(quán)利要求13的升壓電路，其中構(gòu)成電荷泵電路的晶體管是P溝道MOS晶體管，并且該升壓電路輸出被升高的負(fù)電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的升壓電路，其中構(gòu)成級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是N溝道MOS晶體管。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的升壓電路，其中構(gòu)成級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是P溝道MOS晶體管。
24.一種具有若干個(gè)電荷泵電路的升壓電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)一電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，包括第一電荷泵電路組，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接，n是2或更大的整數(shù)；第二電荷泵電路組，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接，m是2或更大的整數(shù)；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端，其轉(zhuǎn)換的方式使得第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相串聯(lián)連接，并且第二電荷泵電路組輸出第一升高電壓，或者第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相并聯(lián)連接，并且第一和第二電荷泵電路組輸出第二升高電壓，其中級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括電平移位電路，其被輸送第一或第二升高電壓作為工作電壓，以便使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平移位；和開關(guān)電路，用于根據(jù)從電平移位電路輸出的信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的升壓電路，其中在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，利用從電平移位電路輸出的信號(hào)，開關(guān)電路設(shè)置第二電荷泵電路組輸入端的電位與第一電荷泵電路組的輸入端的電位相同。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的升壓電路，還包括第一逆流防止晶體管，連接在第一電荷泵電路組的輸出端和升壓電路的輸出端之間；和第二逆流防止晶體管，連接在第二電荷泵電路組的輸出端和升壓電路的輸出端之間。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的升壓電路，還包括連接到升壓電路的輸出端的平滑電容器。
28.根據(jù)權(quán)利要求24的升壓電路，其中第一和第二電荷泵電路組由串聯(lián)連接的若干個(gè)二級(jí)電荷泵電路構(gòu)成，輸送給二級(jí)電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)由具有不同相位的4種時(shí)鐘信號(hào)構(gòu)成。
29.根據(jù)權(quán)利要求24的升壓電路，其中電荷泵電路包括電荷轉(zhuǎn)移晶體管，具有連接在電荷泵電路的輸入端和輸出端之間的電流溝道；閾值取消晶體管，具有連接到輸入端和電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極的電流溝道；第一耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到電荷轉(zhuǎn)移晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)；和第二耦合電容器，它的一個(gè)電極連接到閾值取消晶體管的柵極，另一電極被輸送以時(shí)鐘信號(hào)。
30.根據(jù)權(quán)利要求24的升壓電路，其中構(gòu)成電荷泵電路的晶體管是N溝道MOS晶體管，并且該升壓電路輸出被升高的正電壓。
31.根據(jù)權(quán)利要求24的升壓電路，其中構(gòu)成電荷泵電路的晶體管是P溝道MOS晶體管，并且該升壓電路輸出被升高的負(fù)電壓。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的升壓電路，其中構(gòu)成級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是N溝道MOS晶體管。
33.根據(jù)權(quán)利要求31的升壓電路，其中構(gòu)成級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路的晶體管是P溝道MOS晶體管。
34.一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括升壓電路；非易失性存儲(chǔ)單元陣列，被輸送以來(lái)自升壓電路的升高電壓；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路，用于根據(jù)存儲(chǔ)器的工作方式，將級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平轉(zhuǎn)換到第一或第二電壓電平，其中該升壓電路具有若干個(gè)電荷泵電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)一電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，該升壓電路包括第一電荷泵電路組，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接，n是2或更大的整數(shù)；第二電荷泵電路組，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接，m是2或更大的整數(shù)；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端，其轉(zhuǎn)換的方式使得第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相串聯(lián)連接，并且第二電荷泵電路組輸出第一升高電壓，或者第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相并聯(lián)連接，并且第一和第二電荷泵電路組輸出第二升高電壓，其中級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和電容器，其一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一個(gè)電極連接到轉(zhuǎn)換晶體管的柵極，和在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，該轉(zhuǎn)換晶體管截止。
35.一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括升壓電路；非易失性存儲(chǔ)單元陣列，被輸送以來(lái)自升壓電路的升高電壓；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路，用于根據(jù)存儲(chǔ)器的工作方式將級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平轉(zhuǎn)換到第一或第二電壓電平，其中該升壓電路具有若干個(gè)電荷泵電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)一電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，該升壓電路包括第一電荷泵電路組，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接，n是2或更大的整數(shù)；第二電荷泵電路組，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接，m是2或更大的整數(shù)；第三電荷泵電路組，與第二電荷泵電路組串聯(lián)連接，其中電荷泵電路以p級(jí)形式互相串聯(lián)連接，p是2或更大的整數(shù)，并且其輸出第一或第二升高電壓；第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端；門電路，用于根據(jù)第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，允許或禁止時(shí)鐘信號(hào)輸送給第二電荷泵電路組；和第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，根據(jù)第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第三電荷泵電路組的輸入端，該第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)是第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的邏輯反相信號(hào)，其中第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括第一轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和第一電容器，它的一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一電極連接到第一轉(zhuǎn)換晶體管的柵極，在第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使第一轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在第一級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，第一轉(zhuǎn)換晶體管截止，其中第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括第二轉(zhuǎn)換晶體管，具有連接在第一電荷泵電路組的輸出端和第三電荷泵電路組的輸入端之間的電流溝道；和第二電容器，它的一個(gè)電極被輸送以與輸入到電荷泵電路的時(shí)鐘信號(hào)同步的時(shí)鐘信號(hào)，其另一電極連接到第二轉(zhuǎn)換晶體管的柵極，在第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第一電壓電平的情況下，通過(guò)輸送的時(shí)鐘信號(hào)而使第二轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通，并且在第二級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)處于第二電壓電平的情況下，第二轉(zhuǎn)換晶體管截止。
36.一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括升壓電路；非易失性存儲(chǔ)單元陣列，被輸送以來(lái)自升壓電路的升高電壓；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制電路，用于根據(jù)存儲(chǔ)器的工作方式，將級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平轉(zhuǎn)換到第一或第二電壓電平，其中該升壓電路具有若干個(gè)電荷泵電路，通過(guò)允許電荷穿過(guò)電荷轉(zhuǎn)移晶體管并與通過(guò)一電容器輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步，相對(duì)于預(yù)定電位產(chǎn)生升高電壓，該升壓電路包括第一電荷泵電路組，其中電荷泵電路以n級(jí)形式互相串聯(lián)連接，n是2或更大的整數(shù)；第二電荷泵電路組，其中電荷泵電路以m級(jí)形式互相串聯(lián)連接，m是2或更大的整數(shù)；和級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端，其轉(zhuǎn)換的方式使得第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相串聯(lián)連接，并且第二電荷泵電路組輸出第一升高電壓，或者第一電荷泵電路組和第二電荷泵電路組互相并聯(lián)連接，并且第一和第二電荷泵電路組輸出第二升高電壓，其中該級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括電平移位電路，其被輸送第一或第二升高電壓作為工作電壓，以便使級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)的電壓電平移位；和開關(guān)電路，用于根據(jù)從電平移位電路輸出的信號(hào)，在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換第一電荷泵電路組的輸出端和第二電荷泵電路組的輸入端。
全文摘要
一種升壓電路，其中提高了升壓效率而不增加芯片面積，并縮短了用于到達(dá)電壓電平和電流能力不同的所希望升高電壓所需要的時(shí)間。在級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)(SWHON)處于工作電壓VDD電平、與電荷泵電路的泵送同步、并以高于前級(jí)中的電荷泵電路(12)的升高電壓的電位使內(nèi)部轉(zhuǎn)換晶體管導(dǎo)通的情況下，用于在連接狀態(tài)和非連接狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換電荷泵電路(12)的輸出端和電荷泵電路(13)的輸入端的級(jí)數(shù)轉(zhuǎn)換電路(20)允許要輸送給二級(jí)電荷泵電路的4相位時(shí)鐘信號(hào)(CLK1－CLK4)當(dāng)中的時(shí)鐘信號(hào)(CLK1、CLK3)被輸送給電荷泵電路(11)，由此二級(jí)電荷泵電路(11、12)和二級(jí)電荷泵電路(13、14)互相串聯(lián)連接。
文檔編號(hào)G11C5/14GK1503273SQ200310115628
公開日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2003年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月19日
發(fā)明者大澤幸一, 山平征二, 二 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社