專利名稱：光學(xué)信息記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用激光線等光學(xué)手段對信息進(jìn)行高速且高密度記錄、再現(xiàn)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
利用激光線進(jìn)行高密度的信息再現(xiàn)或記錄的技術(shù)是公知的，主要作為光盤而實(shí)用化。
光盤可以大致分成再現(xiàn)專用型、追記型、改寫型。再現(xiàn)專用型作為光盤(compact disk)或激光盤而實(shí)用化，另外，追記型或改寫型作為文本文件、數(shù)據(jù)文件等而實(shí)用化。在改寫型光盤當(dāng)中，主要有光磁和相變型。相變光盤利用的是記錄層通過激光線的照射在非晶質(zhì)和晶粒間(或者晶體與不同結(jié)構(gòu)的晶粒間)發(fā)生可逆的狀態(tài)變化。這是因?yàn)橥ㄟ^激光照射而使薄膜的折射率或消光系數(shù)中的至少一種發(fā)生變化而進(jìn)行記錄，透過光或反射光的振幅在該部分發(fā)生變化，其結(jié)果是檢測出到達(dá)檢測系統(tǒng)的透過光量或反射光量發(fā)生變化，從而再現(xiàn)信號。
從使光盤的記錄容量增加的觀點(diǎn)來看，提出有單面2層的結(jié)構(gòu)(例如特開2001-273634號公報(bào)(第8～9頁，圖1))。
另外，正在進(jìn)行面向使用藍(lán)紫色激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的2層光學(xué)信息記錄介質(zhì)的實(shí)用化的研究開發(fā)。一直以來，通過使用短波長的激光或數(shù)值孔徑(NA)大的物鏡，可以減小激光的點(diǎn)徑，進(jìn)行更高密度的記錄。
作為在單面多層記錄介質(zhì)中要求的磁盤特性，鄰近用于對信息進(jìn)行記錄再現(xiàn)的激光的入射側(cè)的信息層，具有高透過率。在2層光學(xué)信息記錄介質(zhì)的情況下，使用透過鄰近激光入射側(cè)的信息層的激光，進(jìn)行深部側(cè)的信息層的記錄再現(xiàn)。為此，記錄深部側(cè)的信息使所必需的激光功率，應(yīng)該是用面前側(cè)的層的透過率去除深部側(cè)的信息層為單層情況下的記錄功率而得到的功率。即，在是2層的情況下，有必要使用于記錄再現(xiàn)的激光功率較大。為此，特別是面前側(cè)的層需要有高透過率(例如50％)。目前進(jìn)行研究的技術(shù)是，從激光的入射側(cè)來看，在按順序至少具備記錄層、反射層的信息層中，研究靠近反射層的與激光入射側(cè)相反一側(cè)而設(shè)置由電介質(zhì)構(gòu)成的透過率調(diào)節(jié)層，進(jìn)而研究了通過使上述透過率調(diào)節(jié)層與反射層的折射率、消光系數(shù)最佳化而實(shí)現(xiàn)高透過率的技術(shù)(例如，特愿2002-591524號)。
當(dāng)利用濺射在光盤上形成記錄層、反射層、電介質(zhì)層、透過率調(diào)節(jié)層等時(shí)，從其批量生產(chǎn)的觀點(diǎn)來看，多使用單葉式濺射裝置。使用圖3說明單葉式濺射裝置。關(guān)于該裝置的構(gòu)造，借助裝載閉鎖室11而被投入到真空容器內(nèi)(主要容器18)的成膜前磁盤基板9，被運(yùn)送至用于形成第1層的成膜室(此時(shí)為成膜室12)并進(jìn)行成膜，接著被運(yùn)送至用于形成第2層的成膜室(此時(shí)為成膜室13)并進(jìn)行成膜，重復(fù)進(jìn)行，在形成需要的層之后，再次通過裝載閉鎖室11取出成膜后磁盤10。磁盤基板9繼續(xù)借助裝載閉鎖室11而一個(gè)接一個(gè)投進(jìn)去。使用該單葉式濺射裝置，可以制造大量的光磁記錄介質(zhì)或DVD-RAM等。
本發(fā)明人等在進(jìn)行單面多層記錄介質(zhì)的研究時(shí)，首先致力于2層光學(xué)信息記錄介質(zhì)的研發(fā)。為了提高入射側(cè)的信息層的透過率，通過設(shè)置氧化鈦層作為透過率調(diào)節(jié)層的結(jié)構(gòu)(圖2)進(jìn)行研究，確保透過率為50％以上。不過，在該結(jié)構(gòu)的單面多層記錄介質(zhì)的批量生產(chǎn)研究中，明確了以下的問題。
使用單葉式濺射裝置進(jìn)行了批量生產(chǎn)，但已知當(dāng)使用氧化鈦層作為透過率調(diào)節(jié)層時(shí)，在對樣品進(jìn)行多張成膜的情況下，在透過率或反射率中產(chǎn)生較大的偏差。詳細(xì)研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)這是因?yàn)檠趸伳ず竦钠钶^大造成的。即，通過實(shí)驗(yàn)已經(jīng)明確光學(xué)特性對透過率調(diào)節(jié)層的膜厚的要求非?？量?，但氧化鈦的成膜速度或光學(xué)性質(zhì)(折射率、消光系數(shù))對成膜氣氛中的氧氣量非常敏感，微量的氧氣量變動(dòng)都會(huì)造成成膜速度變得不穩(wěn)定(當(dāng)氧氣大量存在時(shí)，成膜速度減少)，這對磁盤反射率或透過率等帶來較大的影響。在本研究中，氧氣(或水)作為成為問題的成膜速度的不穩(wěn)定性的原因，預(yù)測其使吸附于樹脂基板上的物質(zhì)在成膜時(shí)脫氣而造成影響。不過，氧化鈦在進(jìn)行本研究的激光波長處的光學(xué)性質(zhì)是最好的(折射率大，透光性大)。為此，在解決上述問題的基礎(chǔ)上，必須進(jìn)行具有使用了氧化鈦的結(jié)構(gòu)的磁盤研發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的第1目的在于，提供一種將均勻的氧化鈦膜作為信息層的構(gòu)成要素的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
另外，本發(fā)明的第2目的在于，提供將氧化鈦膜用作透過率調(diào)節(jié)層且具有高透過率的單面多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)及其制造方法。
為了解決上述問題，因有吸附于樹脂基板上的物質(zhì)在成膜時(shí)脫氣而造成影響的觀點(diǎn)，從而潛心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在形成氧化鈦層之前，在基板側(cè)形成折射率與氧化鈦層或基板相近的且氧氣的存在不會(huì)對成膜速度造成影響的電介質(zhì)層，并在其上形成氧化鈦層，此時(shí)可以形成實(shí)際上均勻的氧化鈦層。
因此，本發(fā)明提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，包括在基板上形成的且通過上述激光照射在非晶質(zhì)相和晶體相之間產(chǎn)生可用光學(xué)檢測的可逆變化的記錄層，在上述記錄層和基板之間形成的折射率與氧化鈦層或基板接近的且氧氣的存在也不會(huì)對形成的膜厚造成實(shí)質(zhì)影響的第1電介質(zhì)層，在上述記錄層和第1電介質(zhì)層之間形成的且作為主成分含有氧化鈦的第2電介質(zhì)層。
上述第1電介質(zhì)層優(yōu)選至少將氧化鈮或氧化硅作為主成分而成的電介質(zhì)層，可以利用氧化鈮或氧化硅形成，作為主成分含有它們(這里所說的主成分是指51mol％以上)，剩下的可以由從氧化鈦、ZrO2、ZnO、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N和ZnS中選擇的至少一個(gè)而形成。
另外，氧化鈦層可以只由氧化鈦形成，還可以將氧化鈦?zhàn)鳛橹鞒煞郑矣蓮腪rO2、ZnO、氧化鈮、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N和ZnS中選擇的至少一個(gè)而形成。這里所說的主成分是指51mol％以上。
本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，具備含有記錄層的信息層，其中，所述的記錄層在上述激光的照射下會(huì)在非晶質(zhì)相和晶體相之間產(chǎn)生可用光學(xué)檢測的可逆變化，上述的信息層可以應(yīng)用于至少由2層構(gòu)成的情況。此時(shí)，上述第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層與實(shí)施例一樣，被用作透過率調(diào)節(jié)層。即，從激光的入射側(cè)來看，第1信息層最好是如下所示的構(gòu)造，即從上述記錄層向基板側(cè)具備透過率調(diào)節(jié)層，該透過率調(diào)節(jié)層是在作為主成分至少含有氧化鈮或氧化硅的第1透過率調(diào)節(jié)層的上面層疊作為主成分至少含有氧化鈦的第2透過率調(diào)節(jié)層的結(jié)構(gòu)。
在上述單面多層光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，最好在第2透過率調(diào)節(jié)層和記錄層之間設(shè)置反射層，使兩者的折射率、消光系數(shù)最佳化，從而實(shí)現(xiàn)高透過率(參照特愿2002-591524號)。其中，作為反射層，可以使用將Ag、Au、Al等金屬元素作為主成分的材料。另外，也可以通過層疊折射率不同的2種以上的保護(hù)層來代替金屬反射層，得到與反透過層相同的光學(xué)特性。
另外，上述作為主成分至少含有氧化鈦的第2透過率調(diào)節(jié)層是含有氧化鈦為51％以上的層，可以只用氧化鈦來形成，但與上述一樣，可以將氧化鈦?zhàn)鳛橹鞒煞?，并由從ZrO2、ZnO、氧化鈮、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N和ZnS中選擇的至少一個(gè)而形成。其中，第1透過率調(diào)節(jié)層可以是能夠阻斷氧氣影響的膜厚，大約10nm左右已足夠，但第2透過率調(diào)節(jié)層需要以如上所述的與反射膜的關(guān)系來實(shí)現(xiàn)高透過率，所以優(yōu)選其膜厚在10～40nm的范圍內(nèi)。
另外，為了解決上述問題，本發(fā)明中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法包括在基板上形成氧化鈮、氧化硅或?qū)⑺鼈冏鳛橹鞒煞值牡?電介質(zhì)層的步驟，在形成第1電介質(zhì)層之后形成氧化鈦或以氧化鈦為主成分的第2電介質(zhì)層的步驟，在形成第2電介質(zhì)層之后形成通過激光的照射而在非晶質(zhì)相和晶體相之間產(chǎn)生可用光學(xué)檢測的可逆變化的記錄層的步驟。
通過單葉式濺射裝置，形成氧化鈮、氧化硅或?qū)⑺鼈冏鳛橹鞒煞值牡?電介質(zhì)層，和氧化鈦或以氧化鈦為主成分的第2電介質(zhì)層；上述基板是從用于出入濺射裝置的真空容器內(nèi)的裝載閉鎖室被按順序運(yùn)送至形成各層的各容器內(nèi)，在形成第1和第2電介質(zhì)層的情況下，在形成第1和第2電介質(zhì)層之前，優(yōu)選對上述基板進(jìn)行水和氧氣的脫氣。
為此，優(yōu)選在裝載閉鎖室和形成電介質(zhì)層的成膜室之間至少經(jīng)由1個(gè)容器，其中，所述的容器用于促進(jìn)從基板的水和氧氣的脫氣。
通過本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)及其制造方法，可以形成均勻的氧化鈦層。然后，在將氧化鈦層用作透過率調(diào)節(jié)層的情況下，可以使其膜厚穩(wěn)定化，從而可以提供批量生產(chǎn)性出色的單面多層光學(xué)信息記錄介質(zhì)。


圖1是表示用于本發(fā)明的實(shí)施方式的光盤的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示用于本發(fā)明的實(shí)施方式的光盤的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示作為光盤的制造裝置的單葉式濺射裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示使本實(shí)施方式的透過率調(diào)節(jié)層2層化的情況和未2層化的情況的磁盤的透過率偏差的圖。
圖5是表示基于本實(shí)施方式的透過率調(diào)節(jié)層材料的成膜速度依賴于氧氣添加量特性的圖。
圖6是表示使用了用于在本實(shí)施方式的透過率調(diào)節(jié)層成膜前對基板進(jìn)行脫氣的容器的情況和未使用的情況的磁盤的透過率偏差的圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)下面，使用

本發(fā)明。
使用圖2對用于本實(shí)施例的磁盤的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。本發(fā)明人等正在進(jìn)行單面多層信息記錄介質(zhì)的研發(fā)，但在本實(shí)施例中，在基板上只形成作為激光入射側(cè)的最上層的第1信息層，并研究其特性穩(wěn)定性。
基板1是由聚碳酸酯、PMMA等樹脂板、玻璃板等形成。
在基板1上的基板側(cè)設(shè)置未圖示的第2信息層，在其上設(shè)置第1信息層。第1信息層至少具有反射層4，電介質(zhì)層5、7，記錄層6，透過率調(diào)節(jié)層3。
電介質(zhì)層5、7的材料，可以使用將Al、Si、Ta、Mo、W、Zr等的氧化物，ZnS等硫化物，Al、B、Ge、Si、Ti、Zr等的氮化物，Pb、Mg、La等的氟化物作為主成分的材料。在本實(shí)施方式中，使用ZnS-20mol％SiO2作為電介質(zhì)層7，使用GeN作為電介質(zhì)層5。
記錄層6的材料可以使用將Te、In、Se等作為主成分的相變材料。作為眾所周知的相變材料的主成分，可以舉出TeGeSb、TeGeSn、TeGeSnAu、SbSe、SbTe、SbSeTe、In-Te、In-Se、In-Se-Tl、InSbInSbSe、GeSbTeAg等。目前，作為通過相變光盤而商品化的材料或者被廣泛進(jìn)行研究的材料系，是GeSbTe系、AgGeSbTe系。在本實(shí)施例中，主要使用GeSbTe系的材料。，反射層4可以使用將Ag、Au、Al等金屬元素作為主成分的材料。另外，通過層疊折射率不同的2種以上的保護(hù)層來代替金屬反射層，可以得到與反透過層同樣的光學(xué)特性。
在本實(shí)施例中，使用將Ag作為主成分的金屬反射層。
關(guān)于透過率調(diào)節(jié)層3，在進(jìn)行信息記錄的激光波長處的折射率較大的一側(cè)可以增高透過率。在本實(shí)施例中，使用激光波長為405nm的材料。作為在該波長處折射率較高的材料，可以舉出氧化鈦或氧化鈮等(折射率分別為2.7和2.5)。
另外，也優(yōu)選在記錄層6和電介質(zhì)層5以及7之間，以提高記錄層的結(jié)晶能力并確保良好的記錄刪去的循環(huán)特性為目的而設(shè)置C或氮化物界面層。氮化物界面層的主材料是含有Ge、Cr、Si、Al、Te但中的至少1個(gè)元素的材料。
作為保護(hù)層、記錄層、反射層、氮化物界面層、透過率調(diào)節(jié)層等各層的形成方法，通?？梢赃m合使用電子束蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、CVD法、激光濺射法等。在本實(shí)施方式中，使用濺射法。
詳細(xì)說明在本實(shí)施方式中使用的磁盤的構(gòu)造。作為磁盤構(gòu)造的一個(gè)例子，通過使用了表面被間距為0.3μm且溝深為20nm的凹凸形狀的引導(dǎo)溝覆蓋的直徑為120mm、厚度為1.1mm的聚碳酸酯的基板，采用磁控濺射法在其上按順序形成作為透過率調(diào)節(jié)層3的氧化鈦、Ag反射層、GeN、Ge22Sb25Te53(at％)、Zns-20mol％SiO2，從而形成第1信息層。接著，通過旋涂法形成厚0.1mm的透光層。
首先，顯示對將透過率調(diào)節(jié)層2層化情況下的透過率偏差的改善效果進(jìn)行研究的結(jié)果。
作為參比，只用1層氧化鈦層形成透過率調(diào)節(jié)層3。關(guān)于該磁盤的制作方法，是在厚1.1mm的聚碳酸酯基板上，使用單葉式濺射裝置按順序形成20nm的作為透過率調(diào)節(jié)層3的氧化鈦、10nm的Ag反射層、15nm的GeN、7nm的Ge22Sb25Te53(at％)、40nm的Zns-20mol％SiO2，制作同一結(jié)構(gòu)的磁盤100個(gè)。
接著，在將如圖1所示的本發(fā)明的透過率調(diào)節(jié)層2層化的情況下，即使用了作為透過率調(diào)節(jié)層2的氧化鈮和作為透過率調(diào)節(jié)層3的氧化鈦的情況下的磁盤的制作方法，是在厚1.1mm的聚碳酸酯基板上，使用單葉式濺射裝置按順序形成10nm的作為透過率調(diào)節(jié)層2的氧化鈮、10nm的作為透過率調(diào)節(jié)層3的氧化鈦、10nm的Ag反射層、15nm的GeN、7nm的Ge22Sb25Te53(at％)、40nm的Zns-20mol％SiO2，制作同一結(jié)構(gòu)的磁盤100個(gè)。
初始化各100個(gè)的這些磁盤(對于相變光盤，通常由于在剛剛成膜后的記錄層為非晶質(zhì)狀態(tài)，所以使用激光等進(jìn)行晶體化的工序)，測定結(jié)晶狀態(tài)下的透過率。
使用分光測定裝置，評價(jià)實(shí)際上和用于在這些磁盤中記錄并再現(xiàn)信息的激光波長相同的405nm處的透過率，研究其偏差。其結(jié)果如圖4所示。
由圖4可知，當(dāng)作為參比的透過率調(diào)節(jié)層為1層時(shí)，即當(dāng)使用氧化鈦?zhàn)鳛橥高^率調(diào)節(jié)層3時(shí)，透過率有p-p5％的偏差。當(dāng)透過率也偏移p-p5％時(shí)，在是單面多層介質(zhì)的情況下，從激光入射側(cè)來看，到達(dá)深部側(cè)的層的激光量只以透過率偏差分量發(fā)生變動(dòng)。進(jìn)而對深部側(cè)的層的反射率的影響達(dá)到透過率的2次方，所以對深部側(cè)的層的信號特性的有較大影響。
另一方面，如同本發(fā)明，當(dāng)將透過率調(diào)節(jié)層2層化時(shí)，即當(dāng)使用氧化鈮作為透過率調(diào)節(jié)層2且使用氧化鈦?zhàn)鳛橥高^率調(diào)節(jié)層3時(shí)，可以將透過率的偏差改善至p-p2.5％。
這2個(gè)透過率的偏差的差可以用透過率調(diào)節(jié)層的膜厚的偏差的差進(jìn)行說明。在這里，顯示了對氧化鈦和氧化鈮的濺射速度的氧氣量依賴性進(jìn)行研究的結(jié)果。對于兩種材料，都和在本實(shí)施方式中使用的成膜條件相同，使用可以DC放電的濺射靶，以各種比例混合Ar氣和O2氣以使濺射功率為2kW，濺射氣壓力為0.3Pa，比較其濺射速度。其結(jié)果如圖5所示。
由圖5可知，氧化鈦的濺射速度的O2依賴性大于氧化鈮，通過稍微的O2添加量的增加可以大大變動(dòng)濺射速度。
因此，100個(gè)基板的吸濕釋狀態(tài)不同，在濺射速度的O2依賴性大的氧化鈦中，受其影響較大而使膜厚發(fā)生變動(dòng)。另一方面，在O2依賴性小的氧化鈮中，與氧化鈦相比，其影響較小，膜厚變動(dòng)也小。
在實(shí)際上不向氧化鈦、氧化鈮中添加氧氣的狀態(tài)下，消光系數(shù)不是0，即膜具有吸收能力。膜吸收減少透過第1信息層的光的量，在制成多層介質(zhì)的情況下，從激光入射側(cè)來看，到達(dá)深部側(cè)的層的激光減少，所以不優(yōu)選。為此，有必要添加O2以使消光系數(shù)為0。當(dāng)考慮到消光系數(shù)時(shí)，有必要向氧化鈦、氧化鈮中添加氧氣2％以上，在此次的研究中添加2％的氧氣。
由上述可知，氧化鈮的濺射速度的O2依賴性小于氧化鈦。不過，氧化鈮的折射率比氧化鈦稍小，稍微降低作為透過率調(diào)節(jié)層的功能的透過率。但是，濺射速度的變動(dòng)成為磁盤特性的較大偏差，當(dāng)然希望使用濺射速度的O2依賴性較小的氧化鈮使透過率調(diào)節(jié)層為2層而抑制磁盤特性的偏差。
其中，在本實(shí)施例中，說明作為透過率調(diào)節(jié)層2、3的氧化鈮、氧化鈦的情況，但即使在透過率調(diào)節(jié)層3是由作為主成分的氧化鈦，和含有從ZrO2、ZnO、氧化鈮、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N和ZnS中選擇的至少一個(gè)的材料而形成的情況下，也可以得到同樣的結(jié)果(這里所說的主成分是指51mol％以上)。
其中，在本實(shí)施例中，即使在透過率調(diào)節(jié)層2是由作為主成分的氧化鈮，和含有從氧化鈦、ZrO2、ZnO、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N和ZnS中選擇的至少一個(gè)的材料而形成的情況下，也可以得到同樣的結(jié)果(這里所說的主成分是指51mol％以上)。
(實(shí)施例2)當(dāng)將基板從用于出入濺射裝置的真空容器內(nèi)的裝載閉鎖室，按順序運(yùn)送至形成透過率調(diào)節(jié)層3、反射層4、記錄層6各層的各容器內(nèi)，形成透過率調(diào)節(jié)層3時(shí)，在裝載閉鎖室和形成透過率調(diào)節(jié)層的容器之間，設(shè)置至少一個(gè)用于對上述基板進(jìn)行真空吸引的容器，并該情況進(jìn)行說明。
磁盤的結(jié)構(gòu)與作為實(shí)施例1的參比的且只使用氧化鈦?zhàn)鳛橥高^率調(diào)節(jié)層的磁盤相同。
使用單葉式濺射裝置進(jìn)行上述研究。此時(shí)，研究如下所示情況下的磁盤透過率偏差，即從裝載閉鎖室被運(yùn)送的基板立即將氧化鈦成膜的情況，和設(shè)置用于從基板脫氣的容器的情況。在此次的研究中，磁盤成膜間歇設(shè)為10秒，所以在脫氣用容器內(nèi)的基板脫氣時(shí)間為7秒。
使用分光測定裝置，評價(jià)實(shí)際上和用于在這些磁盤中記錄并再現(xiàn)信息的激光波長相同的405nm處的透過率，研究其偏差。其結(jié)果如圖6所示。
由圖6可知，在沒有用于從基板脫氣的容器的情況下，透過率有p-p5％的偏差。
另一方面，在如同本發(fā)明使用用于脫氣的容器的情況下，透過率的偏差改善至p-p2％。
偏差得到改善的原因在于，通過脫氣用容器使對氧化鈦的濺射速度造成較大影響的O2產(chǎn)生脫氣，所以在投入到裝載閉鎖室之前就吸附在基板上的O2(水)量的偏差減小。
如上述，在有脫氣用容器的成膜方法中，可以實(shí)現(xiàn)磁盤特性的偏差較小的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
其中，在本實(shí)施例中，說明作為透過率調(diào)節(jié)層3的氧化鈦的情況，但即使在透過率調(diào)節(jié)層3是由作為主成分的氧化鈦，和含有從ZrO2、ZnO、氧化鈮、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N和ZnS中選擇的至少一個(gè)的材料而形成的情況下，也可以得到同樣的結(jié)果(這里所說的主成分是指51mol％以上)。
工業(yè)上的可利用性如同以上說明，通過本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)及其制造方法，可以改善初始化工序中的光盤批量生產(chǎn)時(shí)的生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，包括在基板上形成的且通過上述激光照射在非晶質(zhì)相和晶體相之間產(chǎn)生可用光學(xué)檢測的可逆變化的記錄層，在上述記錄層和基板之間形成的以氧化鈮或氧化硅為主成分的第1電介質(zhì)層，和在上述記錄層和第1電介質(zhì)層之間形成的且以氧化鈦為主成分的第2電介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第2電介質(zhì)層含有氧化鈦51％以上。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第2電介質(zhì)層的膜厚在10～40nm的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述基板的與上述記錄層相反的一側(cè)上具備第2記錄層。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在第2電介質(zhì)層和上述記錄層之間具有反射層。
6.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括形成以氧化鈮或氧化硅為主成分的第1電介質(zhì)層的步驟，在形成上述第1電介質(zhì)層之后形成以氧化鈦為主成分的第2電介質(zhì)層的步驟，和在形成上述第2電介質(zhì)層之后形成通過激光的照射而在非晶質(zhì)相和晶體相之間產(chǎn)生可用光學(xué)檢測的可逆變化的記錄層的步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述第2電介質(zhì)層含有氧化鈦51％以上。
8.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述第2透過率調(diào)節(jié)層的膜厚在10～40nm的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在基板上形成所述第1電介質(zhì)層、所述第2電介質(zhì)層、所述記錄層，在形成所述第1電介質(zhì)層或第2電介質(zhì)層之前，從上述基板進(jìn)行水和氧氣的脫氣。
10.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，還包括形成通過激光的照射而在非晶質(zhì)相和晶體相之間產(chǎn)生可用光學(xué)檢測的可逆變化的第2記錄層的步驟。
11.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括在所述第2電介質(zhì)層和所述記錄層之間形成反射層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有氧化鈦層的多層記錄介質(zhì)，是在氧化鈮、氧化硅或以它們?yōu)橹鞒煞值牡?電介質(zhì)層上形成氧化鈦或以氧化鈦為主成分的第2電介質(zhì)層。這是因?yàn)樵诙鄬佑涗浗橘|(zhì)中，當(dāng)使用單葉式濺射裝置形成氧化鈦層時(shí)，引氧化鈦層的膜厚偏差使得透過率產(chǎn)生較大偏差。另外，在使用單葉式濺射裝置時(shí)，在裝載閉鎖室和形成透過率調(diào)節(jié)層的容器之間至少設(shè)置一個(gè)用于促進(jìn)從基板的水和氧氣的脫氣的容器。
文檔編號G11B7/26GK1723496SQ20038010544
公開日2006年1月18日 申請日期2003年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月13日
發(fā)明者坂上嘉孝, 長田憲一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社