專利名稱：一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)及其缺陷管理信息的管理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，及用于管理所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的缺陷管理信息的方法及裝置，并且具體的說(shuō)涉及一種用于分配臨時(shí)缺陷管理區(qū)域的方法和裝置、用于分配用于缺陷管理的備用區(qū)域的方法以及一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，在所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上，臨時(shí)缺陷管理區(qū)域及備用區(qū)被分配在一種光學(xué)記錄介質(zhì)如一次性寫入藍(lán)光光盤上。
背景技術(shù)：
光盤，作為一種光學(xué)記錄介質(zhì)，可以記錄大量的數(shù)據(jù)，并且現(xiàn)得以廣泛使用。當(dāng)前，正在開發(fā)一種新穎的高密度數(shù)字多用途光盤(HD-DVD)如藍(lán)光光盤(Blu-ray Disc)。這種介質(zhì)可以長(zhǎng)時(shí)間記錄和存儲(chǔ)高品質(zhì)視頻數(shù)據(jù)及高保真度的音頻數(shù)據(jù)。
藍(lán)光光盤是下一代光學(xué)記錄解決方案，可以比現(xiàn)有DVD存儲(chǔ)更大量的數(shù)據(jù)。
藍(lán)光光盤一般采用具有405nm波長(zhǎng)的藍(lán)-紫激光。該波長(zhǎng)比在現(xiàn)有DVD上使用的紅色激光波長(zhǎng)短。該紅色激光的波長(zhǎng)為650nm。藍(lán)光光盤具有1.2mm的厚度及12cm的直徑，并包含具有大約0.1mm厚度的光傳輸層。因此，藍(lán)光光盤可以比現(xiàn)有DVD存儲(chǔ)更大量的數(shù)據(jù)。
一種用于在所述藍(lán)光光盤上寫入及讀取數(shù)據(jù)的光盤裝置如圖1所示。其包括光學(xué)拾取器11，其用于在光盤10上寫入信號(hào)及從光盤10讀取信號(hào)；視頻光盤記錄器(VDR)系統(tǒng)12，其用于將從光學(xué)拾取器11讀出的信號(hào)處理成重播信號(hào)，或用于調(diào)制并處理外部輸入的數(shù)據(jù)流使其成為適合記錄的記錄信號(hào)；以及編碼器13，其用于將外部輸入的模擬信號(hào)編碼并輸出編碼的模擬信號(hào)至VDR系統(tǒng)12。
藍(lán)光光盤可以為可重寫類型，此處稱為藍(lán)光可重寫光盤(BD-RE)。BD-RE具有可重寫能力，使得在其上可以反復(fù)寫入、擦除及重寫視頻及音頻數(shù)據(jù)。BD-RE(如圖2所示)分為導(dǎo)入?yún)^(qū)(LIA)、數(shù)據(jù)區(qū)及導(dǎo)出區(qū)(LOA)，而所述數(shù)據(jù)區(qū)的前部及后部分配有內(nèi)部備用區(qū)(ISA)及外部備用區(qū)(OSA)。
對(duì)如上述方式設(shè)置的BD-RE，如圖1中所示的光盤裝置的VDR系統(tǒng)12編碼并調(diào)制外部輸入的信號(hào)成為適于記錄的信號(hào)，并以對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤校正塊單元的簇為單位來(lái)記錄。如果當(dāng)在BD-RE上記錄數(shù)據(jù)時(shí)，在數(shù)據(jù)區(qū)中出現(xiàn)缺陷區(qū)，那么根據(jù)線性替換操作，在所述缺陷區(qū)上記錄的一簇單元的數(shù)據(jù)也記錄在所述備用區(qū)(例如，在BD-RE上的所述內(nèi)部備用區(qū))上?？梢詧?zhí)行一系列的線性替換操作。
因此，所述光盤裝置的VDR系統(tǒng)12將記錄在缺陷區(qū)的簇單元的數(shù)據(jù)記錄在備用區(qū)上，即使缺陷區(qū)出現(xiàn)在可重寫藍(lán)光光盤的數(shù)據(jù)區(qū)中。當(dāng)對(duì)可重寫藍(lán)光光盤執(zhí)行回放操作時(shí)，讀出記錄在備用區(qū)的數(shù)據(jù)并重放，所以可以防止數(shù)據(jù)記錄錯(cuò)誤。
與藍(lán)光光盤相關(guān)的各種標(biāo)準(zhǔn)在開發(fā)之中。
在這方面，其上數(shù)據(jù)不是重復(fù)重寫的(非可重寫)而只是一次性寫入的第二種藍(lán)光光盤，在這里稱為一次性寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)。
當(dāng)不需要重復(fù)重寫數(shù)據(jù)時(shí)，所述一次性寫入藍(lán)光光盤是有用的。在BD-WO中，需要管理缺陷區(qū)。
因?yàn)樵贐D-RE上可以反復(fù)記錄數(shù)據(jù)(BD-RE的特性使然)，所以用于可重寫藍(lán)光光盤的缺陷管理區(qū)(DMA)的大小相對(duì)小(見(jiàn)圖2中DMA1-DMA4)。反之，因?yàn)樵谝淮涡詫懭胨{(lán)光光盤上數(shù)據(jù)只記錄一次，所以對(duì)于BD-WO管理缺陷區(qū)所需的區(qū)域應(yīng)當(dāng)大于對(duì)于BD-RE所需的區(qū)域。因此，對(duì)于BD-WO應(yīng)當(dāng)分配充分大的缺陷管理區(qū)。
用于BD-WO的有效的缺陷管理方法要求對(duì)于可應(yīng)用到BD-RE的標(biāo)準(zhǔn)的一致性和兼容性，包括涉及為在信息和數(shù)據(jù)的記錄和重放中獲得更有效、更穩(wěn)定及更高性能而記錄和重放管理信息的一致性和兼容性。因此，需要一種用于記錄和管理BD-WO缺陷區(qū)及相關(guān)信息的創(chuàng)新的方法、裝置及結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)(BD-WO)及其缺陷管理信息的管理方法，以及一種用于實(shí)現(xiàn)所述方法的裝置，本發(fā)明基本上避免一個(gè)或多個(gè)因所述現(xiàn)有技術(shù)的限制及缺點(diǎn)而引起的問(wèn)題。
本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)及特征將在下面的說(shuō)明中部分地闡明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將根據(jù)對(duì)下述內(nèi)容的驗(yàn)證或?qū)嵺`本發(fā)明，來(lái)部分地明了或領(lǐng)會(huì)到本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)及特征。通過(guò)在書面說(shuō)明和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和得到本發(fā)明的目標(biāo)及其他優(yōu)點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此處具體和廣泛地說(shuō)明的，管理具有至少一個(gè)記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上缺陷的方法包括如下步驟分別分配至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)至所述光學(xué)記錄介質(zhì)，并在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和/或所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上記錄缺陷管理信息。
在本發(fā)明另一方面，用于管理一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上缺陷的裝置包括用于給所述光學(xué)記錄介質(zhì)分別分配至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)的裝置，及用于在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和/或所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上記錄缺陷管理信息的裝置。
在本發(fā)明另一方面，具有至少一個(gè)記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，其中缺陷管理信息被記錄在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和/或至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
需理解，本發(fā)明的前述的一般說(shuō)明及后面的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和解釋性的，并用來(lái)提供對(duì)如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


從下面同附圖一起給出的詳細(xì)說(shuō)明可以更全面理解本發(fā)明進(jìn)一步的目標(biāo)及優(yōu)勢(shì)。附圖中圖1說(shuō)明所述現(xiàn)有技術(shù)的光盤裝置的示意結(jié)構(gòu)；圖2說(shuō)明BD-RE的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)；圖3說(shuō)明用于本發(fā)明的BD-WO的光盤裝置的示意結(jié)構(gòu)；圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)；圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)；圖6說(shuō)明本發(fā)明的臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理區(qū)使用方法的實(shí)例；圖7說(shuō)明本發(fā)明的臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理區(qū)使用方法的另一實(shí)例；圖8說(shuō)明本發(fā)明的臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理信息構(gòu)成方法的實(shí)例；
圖9說(shuō)明本發(fā)明的臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理信息構(gòu)成方法的另一實(shí)例；圖1O說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息內(nèi)容和TDDS的結(jié)構(gòu)；圖11為本發(fā)明的DMA、TDMA及IDMA的對(duì)比表。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)描述本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中說(shuō)明。在任何可能情況，在全部附圖中將使用同樣的附圖標(biāo)記來(lái)表示同樣或近似的部分。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的用于藍(lán)光一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的光盤記錄/再現(xiàn)裝置20包括光學(xué)拾取器22，其用于將數(shù)據(jù)寫入到光學(xué)記錄介質(zhì)21(如BD-WO)及從所述光學(xué)記錄介質(zhì)21中讀取數(shù)據(jù)；拾取器伺服單元23，其用于控制所述光學(xué)拾取器22來(lái)保持光學(xué)拾取器22的物鏡同所述光學(xué)記錄介質(zhì)21間的距離，并用于跟蹤有關(guān)軌道；數(shù)據(jù)處理器24，其用于處理并提供輸入數(shù)據(jù)至所述光學(xué)拾取器22；接口25，其用于同外部主機(jī)30交換數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器27，其用于存儲(chǔ)關(guān)于缺陷管理的信息；及微型計(jì)算機(jī)26，其用于控制上述單元。所述裝置20的所有部分工作地連接。所述主機(jī)30被連接至用于將數(shù)據(jù)寫入到光學(xué)記錄介質(zhì)21及從光學(xué)記錄介質(zhì)21中讀取數(shù)據(jù)的裝置20的接口25，來(lái)交換數(shù)據(jù)及指令。
當(dāng)載入光學(xué)記錄介質(zhì)如BD-WO時(shí)，所述裝置20將關(guān)于缺陷管理的信息，如DMA(缺陷管理區(qū))信息、TDMA(臨時(shí)缺陷管理區(qū))信息等，載入所述存儲(chǔ)器27或其他適合的存儲(chǔ)器。在工作期間，存儲(chǔ)器27根據(jù)缺陷管理操作而更新。本方法也可以使用在圖1中所示的裝置或其他合適的裝置或系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的BD-WO的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖4中所示的BD-WO具有單層光盤的結(jié)構(gòu)。而且圖4中所示的BD-WO包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)及導(dǎo)出區(qū)。用戶數(shù)據(jù)區(qū)位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)。所述導(dǎo)入及導(dǎo)出區(qū)包括最終或永久缺陷管理區(qū)(DMA1-DMA4)。每一各自區(qū)域中的箭頭用作數(shù)據(jù)記錄方向的實(shí)例。
根據(jù)本發(fā)明，將臨時(shí)缺陷管理區(qū)(TDMA)提供在BD-WO的導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)。此處，所述TDMA可以同缺陷管理區(qū)(DMA1、DMA2、DMA3及DMA4)區(qū)別開。特別地，BD-WO的臨時(shí)缺陷管理區(qū)(TDMA)是在所述BD-WO最終完成之前用來(lái)臨時(shí)記錄和管理缺陷管理信息的BD-WO的區(qū)域。此后，所述缺陷管理信息被記錄至多個(gè)缺陷管理區(qū)，如在圖4中所示的記錄層上DMA1-DMA4中至少一個(gè)上。例如，在將數(shù)據(jù)記錄到BD-WO的用戶數(shù)據(jù)區(qū)已經(jīng)完成時(shí)，認(rèn)為BD-WO最終完成。在導(dǎo)入?yún)^(qū)中提供的TDMA具有固定大小，如2048個(gè)簇。
圖4中所示的BD-WO的數(shù)據(jù)區(qū)包括用戶數(shù)據(jù)區(qū)，內(nèi)部備用區(qū)ISA0及外部備用區(qū)OSA0。使用全部?jī)?nèi)部備用區(qū)ISA0作為用于線性替換的區(qū)域，即替換區(qū)，用于存儲(chǔ)分配到用戶數(shù)據(jù)區(qū)的缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)。沒(méi)有TDMA分配至內(nèi)部備用區(qū)ISA0。如本發(fā)明一實(shí)施例所提供的，所述外部備用區(qū)OSA0包括暫時(shí)缺陷管理區(qū)(IDMA)。這里，所述IDMA區(qū)別于前述在導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)具有固定大小的TDMA。在這一點(diǎn)上，IDMA被看作是具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。然而，盡管TDMA和IDMA間有差別，但二者可以具有同樣內(nèi)容，和/或根據(jù)考慮到實(shí)際記錄過(guò)程中的各種方式、時(shí)間和/或事件，使用TDMA及IDMA的方式可以彼此不同。這將在討論使用TDMA及IDMA的方法時(shí)更詳細(xì)地討論。
在圖4所示的單層BD-WO中，部分外部備用區(qū)OSA0用作IDMA，而外部備用區(qū)OSA0的剩余部分作為用于線性替換的區(qū)域(替換區(qū))。例如，IDMA被分配至鄰接OSA0替換區(qū)的部分。根據(jù)備用區(qū)的大小可變地分配IDMA的大小。因?yàn)橥獠總溆脜^(qū)(OSA0)具有可變大小，所述IDMA也具有可變大小。
這里，根據(jù)是否確定分配備用區(qū)來(lái)將具有可變大小的IDMA分配到數(shù)據(jù)區(qū)。如果分配外部備用區(qū)，那么IDMA可以以上述方式來(lái)分配。如果不分配外部備用區(qū)，那么只分配具有固定大小的TDMA(而不分配IDMA)。在這種情況下，TDMA用來(lái)管理缺陷管理信息。在另一實(shí)例中，即使存在備用區(qū)OSA0，根據(jù)設(shè)計(jì)的選擇仍可以不分配IDMA。就是說(shuō)，設(shè)計(jì)者對(duì)IDMA的分配有廣泛的設(shè)計(jì)選擇。然而，如果分配了備用區(qū)(例如，OSA0)，那么在一個(gè)實(shí)施例中兩者一般總是一起分配，就是說(shuō)，如果分配了OSA0，那么也在OSA0中分配IDMA。
位于光盤外部軌道的IDMA的大小取決于備用區(qū)OSA0的大小(OSA0的大小是可變的)。舉例來(lái)說(shuō)，如果備用區(qū)OSA0的大小為N×256(0≤N≤64)個(gè)簇，那么IDMA的大小可以變?yōu)镻×256個(gè)簇，其中P＝N/4。P和N可以是整數(shù)。換而言之，在上述實(shí)例中，可以使用這樣的方法(作為實(shí)例)其中將IDMA(具有可變大小)的大小分配為外部備用區(qū)大小的四分之一。
舉例來(lái)說(shuō)，如果N＝64，那么因?yàn)橥獠總溆脜^(qū)OSA0的大小為16384個(gè)簇而P＝N/4＝16，所以暫時(shí)缺陷管理區(qū)IDMA的大小為4096個(gè)簇。
類似地，位于光盤外部軌道區(qū)的IDMA的大小可以不同于上面給出實(shí)例中的大小，在上面的實(shí)例中，根據(jù)備用區(qū)OSA0的大小來(lái)使得IDMA的大小可變。在考慮到當(dāng)外部備用區(qū)OSA0中保留用于線性替換的區(qū)域的情況，用于線性替換的區(qū)域的大小、缺陷管理區(qū)的大小及備用區(qū)OSA0的大小可能彼此相關(guān)。與之對(duì)比，內(nèi)部軌道區(qū)的大小，特別是位于導(dǎo)入?yún)^(qū)的TDMA的大小，為固定值。
在圖4中所示的實(shí)施例中，容易理解TDMA不是位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)，而是位于導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)。暫時(shí)缺陷管理區(qū)IDMA位于外部備用區(qū)OSA0中，并可以設(shè)置成大小為“0”。在這種情況，全部OSA0將用作替換區(qū)。在另一種情況，如果不執(zhí)行缺陷管理，那么ISA0和OSA0可以被分配成大小為“0”。然而，因?yàn)閷?dǎo)入?yún)^(qū)的TDMA是可用的，即使不管理臨時(shí)缺陷列表(TDFL)，也可以使用臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)來(lái)記錄和管理特定信息。在后文中將提供對(duì)記錄(并在此使用)TDFL及TDDS的方法的進(jìn)一步解釋。
根據(jù)本實(shí)施例，如果在BD-WO中記錄數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)(如，用戶數(shù)據(jù)區(qū))，那么將已記錄(或?qū)⒂涗?在缺陷區(qū)上的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域。缺陷區(qū)可以因記錄過(guò)程自身而產(chǎn)生，或者在記錄時(shí)可以“發(fā)現(xiàn)”缺陷區(qū)。在后一種情況，發(fā)現(xiàn)的缺陷區(qū)不是當(dāng)前記錄過(guò)程導(dǎo)致的。在產(chǎn)生缺陷的情況，相應(yīng)的缺陷管理信息記錄在臨時(shí)和暫時(shí)缺陷管理區(qū)TDMA和IDMA二者上。
圖5所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，說(shuō)明BD-WO記錄區(qū)的另一結(jié)構(gòu)。圖5中所示的BD-WO具有雙層光盤的結(jié)構(gòu)。如圖5中所示的BD-WO包括在第一記錄層(層0)上的導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)50a及外部區(qū)(Outer area 0)，以及在第二記錄層上的導(dǎo)出區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)50b及外部區(qū)(Outer area 1)。
在每一區(qū)域中的箭頭為說(shuō)明數(shù)據(jù)記錄方向的實(shí)例。
然而，在所示的雙層BD-WO中，在所述導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)都提供有本發(fā)明的臨時(shí)缺陷管理區(qū)(TDMA)。如圖所示，所述數(shù)據(jù)區(qū)50a、50b包括內(nèi)部備用區(qū)ISA0和ISA1及外部備用區(qū)OSA0和OSA1。在每一記錄層上，每一內(nèi)部區(qū)ISA1和外部區(qū)OSA0及OSA1都包括IDMA。換而言之，IDMA被分配給備用區(qū)OSA0、OSA1及ISA1的每一個(gè)，全部IDMA具有的可變大小，該可變大小依賴于除ISA0(可能具有固定大小)外的備用區(qū)的可變大小。
在該例中，如圖5中所示，提供在雙層BD-WO的導(dǎo)入?yún)^(qū)(第一記錄層)和導(dǎo)出區(qū)(第二記錄層)中的TDMA具有固定大小，如，2048個(gè)簇。
所述內(nèi)部備用區(qū)ISA0的全部用作用于線性替換的區(qū)域。換而言之，用于臨時(shí)缺陷管理的IDMA沒(méi)有被分配給內(nèi)部備用區(qū)ISA0。
部分內(nèi)部備用區(qū)ISA1、外部備用區(qū)OSA0和OSA1用作IDMA，而內(nèi)部備用區(qū)ISA1及外部備用區(qū)OSA0和OSA1的剩余部分(或其他部分)用作用于線性替換缺陷區(qū)的區(qū)域。在一個(gè)實(shí)例中，將IDMA分配給備用區(qū)中的一部分，該部分鄰接用于線性替換的區(qū)域。根據(jù)備用區(qū)ISA1、OSA0和OSA1(這些備用區(qū)具有可變大小)的大小來(lái)分配IDMA的大小。
這里，依據(jù)是否作出分配相應(yīng)備用區(qū)(對(duì)應(yīng)特定IDMA的備用區(qū))的決定來(lái)分配具有可變大小的IDMA給數(shù)據(jù)區(qū)。如果分配備用區(qū)，那么IDMA可以如上述分配。如果沒(méi)有分配備用區(qū)，那么只有TDMA可以分配。一些或全部導(dǎo)入?yún)^(qū)和/或?qū)С鰠^(qū)可以用來(lái)存儲(chǔ)缺陷管理信息。舉例來(lái)說(shuō)，如果外部備用區(qū)OSA0、OSA1的大小為N×256(0≤N≤32)個(gè)簇，而內(nèi)部備用區(qū)ISA1的大小為L(zhǎng)×256(0≤L≤64)個(gè)簇，那么在OSA0和OSA1中的暫時(shí)缺陷管理區(qū)的大小可以變?yōu)镻×256個(gè)簇，而在ISA1中的暫時(shí)缺陷管理區(qū)的大小可以變?yōu)镼×256個(gè)簇，其中P和Q確定為P＝N/4而Q＝L/4。N和L可以為整數(shù)。該方法可以作為這樣的方法將具有可變大小的IDMA的大小分配為相應(yīng)外部或內(nèi)部備用區(qū)OSA0、OSA1或ISA1的大小的四分之一。
舉例來(lái)說(shuō)，如果N＝32，因?yàn)橥獠總溆脜^(qū)(OSA0+OSA1)的大小為16384個(gè)簇，而P＝N/4＝8，所以在OSA0中的IDMA及OSA1中的IDMA的總的大小為4096個(gè)簇。如果L＝64，因?yàn)閮?nèi)部備用區(qū)ISA1的大小為16384，而Q＝L/4＝16，所以在ISA1中的IDMA的大小為4096個(gè)簇。那么在第一和第二記錄層上的全部暫時(shí)缺陷管理區(qū)的總大小為8192個(gè)簇。
類似地，考慮到當(dāng)用于線性替換的區(qū)域設(shè)計(jì)為在備用區(qū)中時(shí)，用于線性替換的區(qū)域的大小、缺陷管理區(qū)的大小及備用區(qū)的大小彼此相關(guān)，于是使IDMA的大小根據(jù)備用區(qū)ISA1、OSA0和OSA1的大小可變。與之對(duì)比，內(nèi)部軌道區(qū)(特別是位于導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的TDMA)的大小具有固定值。
在本發(fā)明的具有雙層BD-WO結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，容易理解TDMA位于導(dǎo)入?yún)^(qū)并且也位于導(dǎo)出區(qū)。如果全部用戶區(qū)都用于記錄用戶數(shù)據(jù)，那么位于備用區(qū)上的暫時(shí)缺陷管理區(qū)IDMA的大小可以為“0”。如果不執(zhí)行缺陷管理，那么備用區(qū)可以被分配成大小為“0”。然而，因?yàn)閷?dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的TDMA保持可用，所以盡管可以不管理臨時(shí)缺陷列表(TDFL)，但仍可以利用臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)來(lái)記錄和管理特定信息。這些將在后文中更詳細(xì)地解釋，但同時(shí)，大小為“0”的IDMA意味著沒(méi)有管理TDFL。
仍根據(jù)圖5中所示的實(shí)施例，如果在BD-WO的數(shù)據(jù)的實(shí)際記錄期間產(chǎn)生缺陷區(qū)，那么將要記錄在缺陷區(qū)上的數(shù)據(jù)被記錄到用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上。在這種情況，相關(guān)的缺陷管理信息可以被記錄在OSA0、OSA1或ISA1內(nèi)的臨時(shí)和暫時(shí)缺陷管理區(qū)TDMA和IDMA上。
總之，IDMA的分配取決于是否作出了分配備用區(qū)的決定。一旦作出了分配備用區(qū)的決定，那么如此處所述的分配IDMA的方法(使用分配備用區(qū)的方法及管理缺陷的方法)將是可以應(yīng)用的。
除上述討論外，有一種情況也需考慮其中在雙層BD-WO中沒(méi)有分配備用區(qū)。特別地，存在其中只使用了TDMA的情況，以及其中如果只分配了內(nèi)部備用區(qū)ISA0那么只使用TDMA的情況。如果分配內(nèi)部備用區(qū)ISA0及外部備用區(qū)OSA0和OSA1，那么分配OSA0和OSA1中的IDMA。如果只分配了內(nèi)部備用區(qū)ISA0和ISA1但沒(méi)有分配外部備用區(qū)OSA0和OSA1，那么可以分配ISA1中的暫時(shí)缺陷管理區(qū)IDMA。如果分配了全部備用區(qū)，那么可以如上所述分配ISA1、OSA0和OSA1中的IDMA。
圖6說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用單層或雙層BD-WO中臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理區(qū)TDMA或IDMA的方法的實(shí)例。在該方法中，所述TDMA示出了TDDS和TDFL。然而，盡管在圖中沒(méi)有示出，但是所述IDMA也可以包括TDDS和TDFL。如圖6中所示的實(shí)施例說(shuō)明，特定的缺陷管理信息(TDDS和TDFL)在其被記錄在IDMA之前，先被記錄在TDMA中。
現(xiàn)將提供TDDS和TDFL的討論。在本發(fā)明中，TDDS指臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)并區(qū)別于DDS(光盤定義結(jié)構(gòu))，其中TDDS是臨時(shí)性的。類似地，TDFL指臨時(shí)缺陷列表，并區(qū)別于DFL(缺陷列表)。此處，TDFL及TDDS都包括在TDMA中，而TDFL及TDDS也都包括在IDMA中。
所述臨時(shí)缺陷列表(TDFL)包含(部分地)在使用介質(zhì)期間確定為有缺陷的簇的列表。與此相關(guān)，TDDS指明與缺陷管理相關(guān)的光盤的格式和狀態(tài)，并且通常提供總的管理信息。光盤的格式可以包括與光盤上用于管理缺陷區(qū)的區(qū)域的特定布局相關(guān)的信息，而光盤的狀態(tài)可以包括各種標(biāo)志(下面將解釋)。TDFL包括BD-WO上的缺陷區(qū)及替換區(qū)的地址。記錄在臨時(shí)缺陷管理區(qū)(如，TDMA和IDMA)中的TDDS和TDFL，變?yōu)閷懺谟谰萌毕莨芾韰^(qū)(如DMA1-DMA4)中的永久信息(DDS和DFL)。例如，當(dāng)最終完成光盤時(shí)，TDDS及TDFL轉(zhuǎn)移并被記錄在至少一個(gè)DMA中。在BD-WO的用戶數(shù)據(jù)記錄操作期間，TDDS及TDFL周期性地或同時(shí)更新，并且將所述更新記錄在一個(gè)或多個(gè)TDMA和/或一個(gè)或多個(gè)IDMA中。隨著對(duì)其過(guò)程的討論，對(duì)于這些的特定操作將變得更加明了。
在圖6中所示的實(shí)施例中，首先使用TDMA(在使用IDMA之前)來(lái)記錄缺陷管理信息，如TDDS和TDFL。在TDMA已滿時(shí)，使用IDMA來(lái)記錄缺陷管理信息。然而，在本發(fā)明的其他變化中，首先使用IDMA(在TDMA之前)。在這種情況下，在IDMA已滿時(shí)，使用TDMA來(lái)記錄缺陷管理信息。在這樣的實(shí)例中，由TDMA的“已滿標(biāo)志”來(lái)指示信息，所指示的信息提供TDMA中哪一區(qū)域已滿的通知。因?yàn)榇颂幑_的優(yōu)選實(shí)施例需要這樣指示多個(gè)TDMA和/或IDMA中哪個(gè)區(qū)域已滿的信息，所以所述“已滿標(biāo)志”指示是必須的。在一個(gè)實(shí)例中，該TDMA已滿標(biāo)志可以被包括在TDDS中。
因此，在圖6的實(shí)施例中，順序使用所述TDMA和IDMA，或IDMA和TDMA來(lái)存儲(chǔ)缺陷管理信息。在更多的實(shí)施例中，TDMA和IDMA既位于導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)又位于導(dǎo)出區(qū)內(nèi)。使用特定的TDMA和IDMA取決于多種因素，這些因素的實(shí)例將在對(duì)使用TDMA和IDMA的方法的討論中提供。
應(yīng)當(dāng)注意，圖6所示的方法以及這里所討論的任何其他方法(圖7-11)是可以應(yīng)用到圖4和5的光盤結(jié)構(gòu)及其上面討論的其他變型的。還應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明包括這樣的實(shí)施例所述實(shí)施例在BD-WO每一記錄層上包括多個(gè)TDMA和IDMA。
圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的指示TDMA和/或IDMA已滿(如TDDS中所記錄的)的已滿標(biāo)志的實(shí)例。如前所述，TDDS包括總的管理信息。在本發(fā)明中為管理缺陷區(qū)，在記錄于一個(gè)或多個(gè)TDMA和/或一個(gè)或多個(gè)IDMA的TDDS中，使用并包括各種已滿標(biāo)志如“備用區(qū)已滿標(biāo)志”和“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”，以及指示標(biāo)記如“最新TDFL的第一PSN”。特別地，已滿標(biāo)志提供關(guān)于特定區(qū)域是否已滿的信息，并可以是對(duì)應(yīng)所述特定區(qū)域的1比特指示。在所示的實(shí)施例中，如果該特定區(qū)域?yàn)樗鼋Y(jié)構(gòu)中的特定TDMA或IDMA，且所述“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”的相應(yīng)比特的值為“1”，那么認(rèn)為相應(yīng)區(qū)域(TDMA或IDMA)已滿或在“已滿”狀態(tài)。因此，該TDMA/IDMA因其已滿而不可以再使用。
圖10還說(shuō)明，所述“備用區(qū)已滿標(biāo)志”字段包括如從其伸出的箭頭所指的8比特結(jié)構(gòu)。同樣地，所述“TDMA/IDMA已滿”標(biāo)志字段(也在TDDS中)包括從其伸出的箭頭所指的8比特結(jié)構(gòu)。在圖10所示TDDS中字段的實(shí)例中，示出了許多字節(jié)(大小)及相應(yīng)扇區(qū)。
作為一個(gè)實(shí)例，所述備用區(qū)已滿標(biāo)志的比特b3、b2、b1和b0用來(lái)分別指示所述外部備用區(qū)OSA1、內(nèi)部備用區(qū)ISA1、外部備用區(qū)OSA0及內(nèi)部備用區(qū)ISA0是否已滿。例如，如果“備用區(qū)已滿標(biāo)志”的值為00000011，這可以表示內(nèi)部和外部備用區(qū)ISA0及OSA0已滿。如果所述BD-WO是單層光盤，那么可以只使用比特b1和b0。
作為另一實(shí)例，所述“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”的比特b4-b0用來(lái)分別指示OSA1中的IDMA、ISA1中的IDMA、OSA0中的IDMA、導(dǎo)出區(qū)中的TDMA及導(dǎo)入?yún)^(qū)中的TDMA是否已滿。例如，如果“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”的值為00000010，那么這可以表示只有導(dǎo)出區(qū)中的TDMA已滿。顯然，對(duì)這些已滿標(biāo)志，比特值及位置的其他實(shí)例和分配也是可能。
在一個(gè)實(shí)施例中，在記錄圖6中所述TDDS及TDFL中，TDDS的大小是固定的，如1個(gè)簇，而TDFL的大小是可變的。如圖5所示的雙層BD-WO的TDFL的大小可以從1個(gè)簇至8個(gè)簇改變。這一大小可以根據(jù)全部光盤的容量及備用區(qū)的大小來(lái)確定。
根據(jù)所述使用TDMA/IDMA的方法，如果在BD-WO上記錄數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)，那么將已記錄或要記錄到BD-WO的缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)記錄在BD-WO中用于線性替換的預(yù)定區(qū)域(如，備用區(qū))。
圖7說(shuō)明本發(fā)明的臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理區(qū)使用方法的另一實(shí)例。在如圖7中所示的使用臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理區(qū)的方法中，隨機(jī)地使用TDMA和IDMA而沒(méi)有確定任何使用順序。關(guān)于圖10討論的“TDMA和IDMA已滿”標(biāo)志也同樣地在此應(yīng)用。
如果所述“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”指示某個(gè)TDMA/IDMA已滿，那么使用BD-WO中隨后的TDMA/IDMA。在如圖7所示的隨機(jī)情況，沒(méi)有指明使用順序。如果全部TDMA和IDMA都已滿，那么無(wú)法再管理BD-WO上的缺陷。當(dāng)無(wú)法再管理缺陷時(shí)，TDDS和TDFL的最終信息(即，TDMA/IDMA中最后更新的TDDS和TDFL)被轉(zhuǎn)移并記錄在至少一個(gè)DMA(DMA1-DMA4)上，來(lái)反映當(dāng)前光盤狀態(tài)。此處，同樣的缺陷管理信息可以被記錄在每一個(gè)DMA中，使得即使一個(gè)DMA變得有缺陷，也不會(huì)丟失重要的缺陷管理信息。后文將提供更多的關(guān)于在DMA上記錄最終信息的討論。
根據(jù)圖7所示的實(shí)施例，缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)被記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域。關(guān)于該缺陷區(qū)及所述替換區(qū)的缺陷管理信息被隨機(jī)地記錄在希望的TDMA或IDMA上。例如，在BD-WO上最接近缺陷區(qū)所在區(qū)域的TDMA或IDMA可用于記錄這樣的缺陷管理信息。因此，如圖7中所示，可以可變地使用或者按需要使用TDMA或IDMA。
在如圖7的實(shí)施例中的使用臨時(shí)缺陷管理區(qū)的另一方法中，根據(jù)多種條件可變地使用多個(gè)缺陷管理區(qū)。在一個(gè)實(shí)例中，當(dāng)使用BD-WO時(shí)，可以只將缺陷管理信息記錄在IDMA上。而最新的缺陷管理信息是后來(lái)在彈出BD-WO時(shí)記錄在TDMA上的。換而言之，從用來(lái)在使用光盤時(shí)記錄缺陷管理信息的區(qū)域和用來(lái)在彈出光盤時(shí)記錄缺陷管理信息的區(qū)域此二者之間，確定選擇區(qū)域來(lái)在其中記錄缺陷管理信息。
在另一實(shí)例中，當(dāng)在BD-WO上記錄數(shù)據(jù)時(shí)，如果在記錄數(shù)據(jù)過(guò)程中產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)，那么將已記錄(或?qū)⒂涗?在缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上。在使用光盤時(shí)，將缺陷管理信息記錄在IDMA上。在彈出光盤時(shí)，將同樣的缺陷管理信息再次記錄在TDMA上。因?yàn)門DMA位于光盤內(nèi)部軌道的管理區(qū)(導(dǎo)入或?qū)С?，所以當(dāng)最初加載光盤時(shí)，系統(tǒng)首先從管理區(qū)獲取信息。即使在先前光盤已經(jīng)彈出的情況下，TDMA仍包括最新的管理信息。
作為使用光盤的另一方法，多種目標(biāo)被用來(lái)選擇多個(gè)缺陷管理區(qū)中的一個(gè)。一種使用光盤的方法是根據(jù)重要性。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)更新缺陷管理信息的重要性低時(shí)，可以使用IDMA來(lái)在其中記錄缺陷管理信息。而當(dāng)更新缺陷管理信息的重要性高時(shí)，可以使用TDMA來(lái)在其中記錄缺陷管理信息。此處，可以可變地設(shè)置用來(lái)確定重要性的標(biāo)準(zhǔn)?？梢詫⑺⑿?更新)缺陷管理信息的頻率設(shè)置為條件，或基于設(shè)計(jì)者的選擇。也可以將彈出光盤的時(shí)間指定作為記錄缺陷管理信息的重要時(shí)間。在這種情況，使用光盤的時(shí)間被認(rèn)為是較不重要的，所以在此期間，缺陷管理信息可以記錄在IDMA上。彈出光盤的時(shí)間可以被認(rèn)為是更重要的，所以在此期間，可以將缺陷管理信息記錄在TDMA上?？梢匀我獾厥褂迷O(shè)計(jì)者決定使用的方法。
更新間隔(如，用來(lái)更新缺陷管理信息)是用來(lái)確定重要性的標(biāo)準(zhǔn)之一。換而言之，如果前次更新時(shí)間與當(dāng)前更新時(shí)間之間的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)，則當(dāng)前更新信息被認(rèn)為是相對(duì)重要的。在這種情況，即使在使用光盤，也可以將缺陷管理信息記錄在TDMA(而不是IDMA)上。產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)的缺陷區(qū)的數(shù)目是確定重要性的另一標(biāo)準(zhǔn)。如果有相對(duì)多的缺陷區(qū)，那么因?yàn)檎J(rèn)為要求更高的可靠性，所以即使在使用光盤也可以將缺陷管理信息記錄在TDMA(而不是IDMA)上。
根據(jù)使用的目標(biāo)，如果根據(jù)重要性將缺陷管理信息記錄在TDMA上，那么因?yàn)門DMA是位于內(nèi)部軌道上，所以從加載光盤的最初時(shí)間開始，可以快速并準(zhǔn)確地得到重要信息。
圖8和9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的臨時(shí)或暫時(shí)缺陷管理信息構(gòu)成方法的實(shí)例。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息(TTDS和TDFL)的方法，其中所述TDDS和TDFL彼此分開。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息的方法，其中TDDS和TDFL彼此結(jié)合在一起。圖8所示為前種情況(分開的)而圖9所示為后種情況(結(jié)合的)。
具體地，圖8說(shuō)明一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息的方法，其中TDDS和TDFL彼此分開。每一TDDS都具有固定大小，如1個(gè)簇，而每一TDFL的大小是從如1個(gè)簇到8個(gè)簇可變的。
圖9說(shuō)明一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息的方法，其中TDMA或IDMA的TDDS和TDFL是彼此結(jié)合在一起的。如圖9中所示，以TDFL+TDDS的形式來(lái)記錄缺陷管理信息。即，每當(dāng)缺陷管理信息更新，最新的TDFL和TDDS都被記錄在TDMA或IDMA中。因?yàn)槿缜八?，TDFL的大小可以從1個(gè)簇到8個(gè)簇變化，所以(TDFL+TDDS)的大小可以從1個(gè)簇到8個(gè)簇變化。圖8和9的方法可以應(yīng)用到在本公開中討論的每一所述光盤結(jié)構(gòu)和TDMA/IDMA使用方法。
圖11為一個(gè)圖表，說(shuō)明根據(jù)使用的目標(biāo)何時(shí)使用DMA、TDMA和IDMA以及每一DMA、TDMA和IDMA具有什么信息。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用BD-WO時(shí)，將缺陷管理信息記錄在IDMA上。而在彈出BD-WO時(shí)，將缺陷管理信息記錄在TDMA上。當(dāng)可能發(fā)生DMA臨時(shí)填寫過(guò)程時(shí)，將缺陷管理信息記錄在DMA上，所述DMA臨時(shí)填寫過(guò)程發(fā)生在如將最終完成BD-WO且不再記錄數(shù)據(jù)時(shí)，備用區(qū)已滿時(shí)，或者TDMA或IDMA已滿而無(wú)法再管理缺陷時(shí)。如圖10中所示，將已滿的信息(如，已滿的標(biāo)志)記錄在TDDS中。如果根據(jù)使用的目標(biāo)TDMA和IDMA不分開，那么顯然，在TDMA和IDMA上記錄缺陷管理信息的時(shí)間不必彼此區(qū)別開。圖11中的表說(shuō)明根據(jù)使用的目標(biāo)何時(shí)使用DMA、TDMA和IDMA以及DMA、TDMA和IDMA各自含有什么信息，該表適用于上文中討論過(guò)的結(jié)構(gòu)，包括附圖4-10中所示的結(jié)構(gòu)和方法以及圖3中所示的裝置。
工業(yè)應(yīng)用性在本發(fā)明中，在BD-WO中將要記錄在缺陷區(qū)上的信息被記錄在用于線性替換的區(qū)域上。將所述缺陷管理信息記錄在光盤預(yù)定區(qū)域上分開地提供的多個(gè)臨時(shí)管理區(qū)上。所述臨時(shí)管理區(qū)根據(jù)備用區(qū)被分為具有固定大小的臨時(shí)管理區(qū)及具有可變大小的臨時(shí)管理區(qū)，使得可以更有效地管理缺陷管理信息。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將明了，在本發(fā)明中可以實(shí)現(xiàn)各種修改及變化。因而可以預(yù)期，本發(fā)明覆蓋在所附權(quán)利要求及其等效范圍內(nèi)的任何本發(fā)明的修改、變化。
權(quán)利要求
1.一種管理具有至少一個(gè)記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷的方法，所述方法包括下列步驟分別分配至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)至所述光學(xué)記錄介質(zhì)；及將缺陷管理信息記錄在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和/或所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
2.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有至少兩個(gè)記錄層，第一記錄層包括具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，且第二記錄層包括具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和至少兩個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)被分配至光學(xué)記錄介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的至少其中之一。
4.如權(quán)利要求3所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)被分配至所述光學(xué)記錄介質(zhì)的至少一個(gè)備用區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中，所述至少一個(gè)備用區(qū)包括在光學(xué)記錄介質(zhì)上的內(nèi)部備用區(qū)和外部備用區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，該分配步驟進(jìn)一步包括分配至少一個(gè)內(nèi)部備用區(qū)，部分所述內(nèi)部備用區(qū)用來(lái)替換缺陷區(qū)；分配至少一個(gè)外部備用區(qū)，部分所述外部備用區(qū)用來(lái)替換缺陷區(qū)；及分配至少一個(gè)外部或內(nèi)部備用區(qū)的一部分作為臨時(shí)缺陷管理區(qū)，以管理缺陷管理信息。
7.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷管理區(qū)被分配至光學(xué)記錄介質(zhì)上的第一外部備用區(qū)，且具有根據(jù)全部第一外部備用區(qū)的大小可變的大小。
8.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有至少兩個(gè)記錄層，第一記錄層包括其全部區(qū)域用來(lái)替換缺陷區(qū)的第一內(nèi)部備用區(qū)，以及具有可變地分配的大小的第一外部備用區(qū)，第二記錄層包括第二內(nèi)部備用區(qū)和第二外部備用區(qū)。
9.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中，在分配步驟中，如果沒(méi)有分配至少一個(gè)備用區(qū)，那么不分配至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，而只分配至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
10.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中，在分配步驟中，如果分配了至少一個(gè)備用區(qū)，不分配至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，而只分配至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
11.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)為一次性寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)。
12.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟，所述缺陷管理信息包括至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表(TDFL)以及至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)。
13.如權(quán)利要求12所述的管理方法，其中，所述至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)的大小是固定的，而所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表的大小是可變的。
14.如權(quán)利要求12所述的管理方法，其中，所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表及至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)是分開的。
15.如權(quán)利要求12所述的管理方法，其中，所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表及至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)是結(jié)合在一起的。
16.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，順序使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，來(lái)在其中記錄缺陷管理信息。
17.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，隨機(jī)地使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)而無(wú)預(yù)定順序，以在其中記錄缺陷管理信息。
18.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，以根據(jù)給予缺陷管理信息的重要性而定的順序，來(lái)使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
19.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，以根據(jù)出現(xiàn)在所述光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷區(qū)的數(shù)目而定的順序，來(lái)使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
20.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，根據(jù)在先前的缺陷管理信息更新時(shí)間和當(dāng)前的缺陷管理信息更新時(shí)間之間的持續(xù)時(shí)間，將缺陷管理信息記錄在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
21.如權(quán)利要求20所述的管理方法，其中，如果在先前的更新時(shí)間和當(dāng)前的更新時(shí)間之間的持續(xù)時(shí)間超過(guò)基準(zhǔn)持續(xù)時(shí)間，那么將所述缺陷管理信息記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
22.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，在使用光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，將所述缺陷管理信息記錄在至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上，而在彈出光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，將所述缺陷管理信息記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
23.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，如果在記錄數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生缺陷區(qū)，那么將要記錄的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上，且在記錄步驟中，根據(jù)哪個(gè)臨時(shí)缺陷管理區(qū)最接近產(chǎn)生的缺陷區(qū)，來(lái)將關(guān)于所述缺陷區(qū)的缺陷管理信息隨機(jī)記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)或至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
24.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在載入光學(xué)記錄介質(zhì)的初始時(shí)間首先訪問(wèn)所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
25.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，所述缺陷管理信息包括已滿指示信息，所述已滿指示信息提供在臨時(shí)缺陷管理區(qū)中哪個(gè)區(qū)域已滿的通知。
26.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其進(jìn)一步包括當(dāng)最終完成光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，將缺陷管理信息記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)的永久缺陷管理區(qū)上。
27.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其進(jìn)一步包括當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)的備用區(qū)已滿時(shí)，將缺陷管理信息記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)的永久管理區(qū)中。
28.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其進(jìn)一步包括當(dāng)所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)已滿而不能再管理缺陷時(shí)，將缺陷管理信息記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)的永久管理區(qū)上。
29.一種用于管理一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷的裝置，所述裝置包括用于分別將至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)分配至光學(xué)記錄介質(zhì)的裝置；及用于將缺陷管理信息記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和/或至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上的裝置。
30.一種具有至少一個(gè)記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，其中缺陷管理信息被記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和/或至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
31.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)包括至少兩個(gè)記錄層，所述兩個(gè)記錄層包括第一記錄層，其包括具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)；和第二記錄層，其包括具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少兩個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
32.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)位于光學(xué)記錄介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的至少其中之一中。
33.如權(quán)利要求32所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)位于光學(xué)記錄介質(zhì)的至少一個(gè)備用區(qū)中。
34.如權(quán)利要求33所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)備用區(qū)包括在光學(xué)記錄介質(zhì)上的內(nèi)部備用區(qū)及外部備用區(qū)。
35.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括至少一個(gè)內(nèi)部備用區(qū)，部分內(nèi)部備用區(qū)用來(lái)替換缺陷區(qū)；及至少一個(gè)外部備用區(qū)，部分外部備用區(qū)用來(lái)替換缺陷區(qū)，其中至少一個(gè)外部或內(nèi)部備用區(qū)的一部分用作臨時(shí)缺陷管理區(qū)來(lái)管理缺陷管理信息。
36.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)位于光學(xué)記錄介質(zhì)上的第一外部備用區(qū)中，并且具有根據(jù)整個(gè)第一外部備用區(qū)的大小可變的大小。
37.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有至少兩個(gè)記錄層，所述至少兩個(gè)記錄層包括第一記錄層，其包括其全部區(qū)域都用來(lái)替換缺陷區(qū)的第一內(nèi)部備用區(qū)，以及具有可變地分配的大小的第一外部備用區(qū)；以及第二記錄層，其包括第二內(nèi)部備用區(qū)和第二外部備用區(qū)。
38.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)為一次性寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)。
39.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述缺陷管理信息包括至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表(TDFL)和至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)。
40.如權(quán)利要求39所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)的大小是固定的，而所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表的大小是可變的。
41.如權(quán)利要求39所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表和至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)是分開的。
42.如權(quán)利要求39所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)臨時(shí)缺陷列表和至少一個(gè)臨時(shí)光盤定義結(jié)構(gòu)是結(jié)合在一起的。
43.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，順序使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)，以在其中記錄缺陷管理信息。
44.隨機(jī)使用具有固定大小的光學(xué)記錄介質(zhì)區(qū)域和至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)而無(wú)預(yù)訂順序，以在其中記錄缺陷管理信息。
45.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，以根據(jù)給予所述缺陷管理信息的重要性而定的順序，來(lái)使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
46.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，以根據(jù)出現(xiàn)在光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷區(qū)的數(shù)目而定的順序，來(lái)使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
47.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，根據(jù)先前的缺陷管理信息更新時(shí)間和當(dāng)前的缺陷管理信息更新時(shí)間之間的持續(xù)時(shí)間，將缺陷管理信息記錄在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)及至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
48.如權(quán)利要求47所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，如果先前的更新時(shí)間和當(dāng)前的更新時(shí)間之間的持續(xù)時(shí)間超過(guò)基準(zhǔn)持續(xù)時(shí)間，那么將所述缺陷管理信息記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
49.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在使用光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，將所述缺陷管理信息記錄在所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上，而在彈出光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，將所述缺陷管理信息記錄在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上。
50.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，如果在記錄數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生缺陷區(qū)，那么將要記錄的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上，并且在記錄步驟中，根據(jù)哪個(gè)臨時(shí)缺陷管理區(qū)最接近產(chǎn)生的缺陷區(qū)，來(lái)將關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息隨機(jī)記錄在至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)或至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)中。
51.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在載入光學(xué)記錄介質(zhì)的初始時(shí)間，首先訪問(wèn)所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
52.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述缺陷管理信息包括已滿指示信息，所述已滿指示信息提供在臨時(shí)缺陷管理區(qū)中哪個(gè)區(qū)域已滿的通知。
53.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括永久管理區(qū)，其用來(lái)在要最終完成光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，在其中記錄缺陷管理信息。
54.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括永久管理區(qū)，其用來(lái)在光學(xué)記錄介質(zhì)的備用區(qū)已滿時(shí)，在其中記錄缺陷管理信息。
55.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括永久管理區(qū)，其用來(lái)在臨時(shí)缺陷管理區(qū)已滿且不能再管理缺陷時(shí)，在其中記錄缺陷管理信息。
全文摘要
本發(fā)明提供了一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，用于分配所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的缺陷管理區(qū)的方法，以及用于分配所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的備用區(qū)的方法。這里提供的具有至少一個(gè)記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷的管理方法包括下列步驟分別分配至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)至所述光學(xué)記錄介質(zhì)，將缺陷管理信息記錄在所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)上；以及使用所述至少一個(gè)具有固定大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)和所述至少一個(gè)具有可變大小的臨時(shí)缺陷管理區(qū)。
文檔編號(hào)G11B11/00GK1754206SQ200380109904
公開日2006年3月29日 申請(qǐng)日期2003年10月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月21日
發(fā)明者樸容徹, 金成大 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社