專利名稱：光盤及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括多個信息記錄層的光盤，利用激光束，其使信息能夠記錄在信息記錄層上，或從信息記錄層再現(xiàn)信息。
近年來，光盤中的信息都以高密度被記錄。因此，要求形成在光盤中的凹坑或凹槽以高密度形成。此外，例如第9-138970號日本專利申請KOKAI公開文獻公開了多層光盤，該多層光盤具有帶有凹坑或凹槽的多個層，使得從光盤的一側(cè)能夠光學地讀取信息。
例如，雙層光盤作為多層光盤被設(shè)置。雙層光盤的兩側(cè)的一側(cè)具有其上形成有第一信息記錄層的第一基片，另一側(cè)具有其上形成有第二信息記錄層的第二基片。第一和第二信息記錄層彼此相對被設(shè)置，并且通過透明紫外線固化樹脂彼此粘結(jié)。以上信息記錄層的每一個為相變記錄層，其通過利用由激光束照射引起的相變使信息能夠被記錄在其中；或為具有一個表面的只讀反射層，其被形成以具有表示信息的凹坑。
以示例的方式，下面將說明通過進行旋涂粘接基片的常規(guī)方法。
在常規(guī)的方法中，紫外線固化型樹脂被滴在信息記錄層的基片上以使其為與該基片共軸的環(huán)型。該紫外線固化型樹脂被旋涂預定的時間以涂覆該基片，使得紫外線固化型樹脂的多余部分從該基片中被去除。因此，紫外線固化型樹脂被設(shè)置成具有預定的厚度。在用這樣的方式制備兩個涂覆了紫外線固化型樹脂的基片后，進行下列的步驟使涂覆了紫外線固化型樹脂的基片的表面彼此相對；使用中心銷使基片的中心在一起；在真空中將基片粘結(jié)在一起；將紫外線照射基片預定時間，由此固化紫外線固化型樹脂。因此，預定厚度的間隔層(spacerlayer)(粘合層)被設(shè)置。
然而，當通過以上旋涂方法形成間隔層(spacer layer)時，由于紫外線固化型樹脂具有粘性并且可滴上樹脂的位置局限于特定的位置，所以位于光盤內(nèi)圓周部分的間隔層部分一般較薄。在最近市場上出現(xiàn)的雙層DVD-ROM中，不會出現(xiàn)諸如失效之類的問題，即使當在光盤的內(nèi)圓周部分和外圓周部分上的間隔層厚度不均勻時。這是因為光學拾取器被最佳化設(shè)計。
近年來，通過采用增加記錄/再現(xiàn)激光束的NA來降低激光束的直徑的方法，已生產(chǎn)出了包含以高密度被記錄的信息的雙層光盤。作為這樣的一種雙層光盤，如果采用包括具有不均勻厚度的間隔層的雙層光盤，則可出現(xiàn)諸如發(fā)生在層之間的聚焦誤差或串擾之類的嚴重問題。因此，顯著降低了光盤的記錄/再現(xiàn)特性和可靠性。
為了避免上述問題，可嘗試下列方法間隔層由具有均勻厚度的粘合板構(gòu)成使得在雙層光盤的整個表面上形成厚度均勻的間隔層。然而，將基片粘結(jié)在一起的步驟中，該方法需要去除固定在粘合板上的隔離物(separator)的新步驟。此外，如果進行從粘合板去除隔離物的步驟需要較短時間，則當從粘合板去除隔離物時，很有可能由于機械應(yīng)力作用記錄層可能被損壞。另一方面，如果進行去除隔離物的步驟需要較長的時間，則降低了光盤的生產(chǎn)率。
此外，在生產(chǎn)透光的基片中，可考慮嚴格控制其的厚度以降低在透光基片之間的厚度變化，由此補償間隔層的不均勻。然而，該方法也降低了產(chǎn)量，并且顯著降低了生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況產(chǎn)生了本發(fā)明，其的目的是提供一種雙層光盤。在該雙層光盤中，具有均勻厚度的間隔層被設(shè)置在信息記錄層之間。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的光盤包括第一基片，包括其上形成有第一記錄層的第一表面；第二基片，包括其上形成有第二記錄層的第二表面，所述第二表面包括其上形成有環(huán)形部分的非記錄區(qū)，該非記錄區(qū)位于預定半徑朝內(nèi)側(cè)的位置；以及透光的間隔層，其中第一記錄層和第二記錄層位于彼此相對的位置，在第一記錄層和第二記錄層之間的間隙填充有間隔層。


這里所包含的并構(gòu)成說明書的一部分的

了本發(fā)明的實施例，并且與上面的一般描述和下面對實施例的詳細描述一起用來說明本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光盤的剖面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光盤的平面圖；圖3A和3B是說明紫外線固化型樹脂UVR的旋涂的說明圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光盤的剖面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的光盤的剖面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的光盤的剖面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的光盤的剖面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的光盤的剖面圖；圖9示出了與本發(fā)明相比較的第一比較示例的光盤剖面圖；圖10示出了與本發(fā)明相比較的第二比較示例的光盤剖面圖；具體實施方式
參照附圖，下面將說明本發(fā)明的實施例。
圖1是說明本發(fā)明的第一實施例的光盤的剖面圖。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，形成包括通過間隔層S粘結(jié)在一起的基片1A和1B的雙層光盤D1。在基片1A上，形成記錄層2A。另一方面，在基片1A的內(nèi)圓周部分上，設(shè)置環(huán)形部分(凸起)8。在基片1B上，形成記錄層2B。在基片1B的內(nèi)圓周部分上，設(shè)置環(huán)形部分(ring-shaped member)8。這些記錄層為利用光束的照射使得信息能夠被記錄到記錄層或使信息能夠從記錄層再現(xiàn)的相變記錄層。如圖2中所示的環(huán)形部分由高度為3um、內(nèi)半徑r1(例如為14mm)和外半徑r2(例如為19mm)的樹脂形成。
下面將詳細地說明生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的光盤的方法。
(記錄層的形成)首先，制備包括其半徑(r3)為11mm、寬度(W1)為1mm和深度為0.2mm的凹部U的透明基片1A(由聚碳酸酯形成，直徑為120mm、厚度為0.6mm)?；?A包括內(nèi)半徑r4為20mm、外半徑r5為58mm的區(qū)域G。在區(qū)域G中，螺旋地形成凹槽以包含信息。更具體地說，凹槽以擺動的方式延伸，以表示地址等作為上述信息?；?B以與基片1A相同的方式被形成，除了其包含與基片1A中的信息不同的信息以外。
然后，通過利用使用Ar等離子的磁電管濺射裝置，記錄層2A形成于基片1A上。用相同的方式，記錄層2B形成于基片1B上。在這種情況下，記錄層2A包括，由ZnS和SiO2形成的介電保護薄膜、由GeSbTe合金形成的相變材料薄膜、與前面的介電保護薄膜相同的介電保護薄膜和由AlMo合金形成的金屬反射薄膜。在記錄層1A中，介電薄膜相變材料薄膜、介電保護薄膜和金屬反射薄膜從基片1A側(cè)按此順序形成。記錄層2B也包括由AlMo合金形成的金屬反射薄膜、由ZnS和SiO2形成的介電薄膜、由GeSbTe合金形成的相變材料薄膜和與前面的介電保護薄膜相同的介電保護薄膜。在記錄層2B中，金屬反射薄膜、介電薄膜、相變材料薄膜和介電保護薄膜從基片1B側(cè)按此順序形成。
應(yīng)當注意，相變材料薄膜的成分被設(shè)定使得相變材料薄膜對于具有405nm波長的激光束具有良好的記錄、擦除和重復記錄/再現(xiàn)特性，并且在晶相和非晶相之間的反射率的差非常大。金屬反射薄膜的成分用這樣的方式被設(shè)定以提高相變光盤的反射率。
此外，為了形成記錄層，具有36mm外直徑的內(nèi)圓周掩膜和具有119mm內(nèi)直徑的外圓周掩膜被使用。這是為了提供更大的記錄區(qū)域以盡可能多地增加光盤的容量。
(環(huán)形部分的形成)在其上形成有記錄層1A的基片1A上和其上形成有記錄層1B的基片1B上，環(huán)形部分8由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。更具體地說，內(nèi)半徑r1為14mm和外半徑r2為19mm的基片1A的一部分被涂覆上三烯(triene)溶液(其包含以5％的重量百分比溶解的PMMA)，使得該三烯溶液為與基片1A共軸的環(huán)形。當表面階高測量裝置(surface step-height measuring device)測量環(huán)形部分8的高度時，它們的平均高度為3um。具有內(nèi)半徑r4和外半徑R5的區(qū)域G為形成有凹槽的記錄區(qū)域?；?A的位于與對應(yīng)于半徑R4的部分接續(xù)并朝向內(nèi)側(cè)的區(qū)域為非記錄區(qū)域。環(huán)形部分8被設(shè)置在如圖2中所示的非記錄區(qū)域中。
(基片的粘結(jié))按下列方法用紫外線固化型樹脂涂覆其上形成有記錄層2A的基片1A和其上形成有記錄層2B的基片1B將紫外線固化型樹脂滴在對應(yīng)于半徑為12mm的基片1A的部分(其位于基片內(nèi)圓周部分的凹部和環(huán)形部分之間)上，使得該紫外線固化型樹脂位于與基片1A或1B共軸的位置。然后，每一基片在3秒內(nèi)以8000rmp被旋涂，使得紫外線固化型樹脂的多余部分從每一基片中被去除。使涂上紫外線固化型樹脂的基片1A和1B彼此相對。然后，通過使用中心銷(centerpin)使基片1A和1B的中心在一起，并且這些基片被粘結(jié)，同時保持彼此平行。然后，將紫外線照射在基片上預定的時間，由此固化該紫外線固化型樹脂。
當測量在基片1A和1B的整個信號讀取區(qū)域(記錄區(qū)域G)上的間隔層S的厚度(即在記錄層2A和2B之間的厚度)時，該厚度為20um±1um。
圖3A是說明用常規(guī)的方法旋涂紫外線固化型樹脂的示圖。為了便于理解，在圖3A中，紫外線固化型樹脂的厚度被放大。在圖3A中所示的常規(guī)方法中，位于光盤外圓周部分上的紫外線固化型樹脂UVR的部分的厚度大于位于光盤內(nèi)圓周部分上的紫外線固化型樹脂UVR的部分的厚度。這里因為當用UVR涂覆光盤的整個表面時，滴在光盤內(nèi)圓周部分上的紫外線固化型樹脂UVR通過離心力被擴散，然后，大部分紫外線固化型樹脂UVR移到光盤的外圓周部分。
圖3B示出了本發(fā)明中的旋涂。在本發(fā)明中，滴到部分光盤上的位于朝向環(huán)形部分8內(nèi)側(cè)的紫外線固化型樹脂UVR由于離心力朝光盤外圓周部分擴散。此時，非?？拷h(huán)形部分8的部分紫外線固化型樹脂UVR緩慢地移動。這是由于紫外線固化形樹脂UVR具有粘性，環(huán)形部分8阻礙了紫外線固化型樹脂的移動。因此，在旋涂期間，位于緊靠環(huán)形部分8附近的部分紫外線固化型樹脂UVR保持原狀態(tài)，即其不朝光盤的外圓周部分移動。該種結(jié)構(gòu)特征防止了采用常規(guī)方法所出現(xiàn)的上述問題，在常規(guī)方法中，大部分UVR移動到光盤的外圓周部分。因此，可防止位于光盤的內(nèi)圓周部分上的部分UVR變得太薄。
考慮到在固化前測量的紫外線固化型樹脂的粘性范圍、旋涂的便利和實驗結(jié)果，應(yīng)當理解環(huán)形部分8的寬度(r2-r1)應(yīng)在2-8mm的范圍內(nèi)。
下面，將說明本發(fā)明的第二實施例。
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光盤D2的剖面的說明圖。光盤D2例如為ROM光盤。
(反射薄膜的形成)首先，制備具有外半徑為22mm、寬度為1mm和深度為0.2mm的凹部的透明基片1C(由聚碳酸酯形成并且具有120mm的直徑和0.6mm的厚度)。在內(nèi)半徑為20mm和外半徑為58mm的基片1C的部分中，形成表示信息的凹坑?；?D以與基片1C相同的方式被形成，除了基片1D包括表示信息(該信息不同于由基片1C的凹坑所表示的信息)的凹坑以外。在基片1C和1D的每一個中，具有20mm內(nèi)半徑和58mm外半徑并且包括凹坑的部分為記錄區(qū)，與內(nèi)半徑為20mm和外半徑為58mm的部分接續(xù)的朝向內(nèi)側(cè)的部分為非記錄區(qū)。環(huán)形部分8位于非記錄區(qū)。
緊接著，形成反射層3A和3B分別作為在基片1C和1D上的記錄層。在這種情況下，以與在第一實施例中所應(yīng)用的方法相同的方法，形成雙層光盤D2，除了由Ag合金形成的金屬反射薄膜被用做反射層3B以外，此時，如同第一實施例，使用外直徑為36mm的內(nèi)圓周掩膜和內(nèi)直徑為119mm的外圓周掩膜。這是為了提供更大的記錄區(qū)域以盡可能多地增加光盤的容量。
當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層3A和3B之間的距離)時，其為20um±1um。
作為第二實施例的改進，雙層光盤D2’(未示出)以與光盤D2相同的方式被制成，除了其使用外直徑為23mm的內(nèi)圓周掩膜作為改進以外。當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層3A和3B之間的距離)時，其為20um±1um。
下面將說明根據(jù)第三實施例的雙層光盤D3的剖面的說明圖。光盤D3為包括透明和較薄的表面覆蓋層的雙層RW(可重寫)光盤。
首先，制備具有外直徑為22mm、寬度為1mm和深度為0.2mm的凹部的透明基片1E(由聚碳酸酯形成并且具有120mm的直徑和1.1mm的厚度)，也制備由聚碳酸酯形成和直徑為120mm、厚度為0.1mm的基片1F?；?E的厚度不同于在第一和第二實施例中的基片1A的厚度。內(nèi)半徑為20mm和外半徑為58mm的基片1E的一部分包括具有信息的凹槽?；?F包括具有信息的凹槽，該信息不同于在基片1E中的凹槽的信息。記錄層2B設(shè)置于基片1E上，記錄層2A設(shè)置于基片1F上。除了這些情況以外，以與生產(chǎn)光盤D1相同的方法形成雙層相變光盤D3。
對于雙層相變光盤D3，當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層2A和2B之間的距離)時，其為20um±1um。
然后，下面將說明本發(fā)明的第四實施例。
圖6是說明根據(jù)第四實施例的光盤D4的剖面的說明圖。光盤D4與在第一實施例中的光盤一樣為雙層相變光盤。在第四實施例中，與基片一體，形成環(huán)形部分8。
首先，制備具有外直徑為22mm、寬度為1mm和深度為0.2mm的凹部的透明基片1G(由聚碳酸酯形成并且具有120mm的直徑和0.6mm的厚度)。內(nèi)半徑為20mm和外半徑為58mm的基片1H的一部分包括具有信息的凹槽。在基片1H的凹槽中的信息不同于在基片1G的凹槽中的信息。在基片1G上，設(shè)置記錄層2A；在基片1H上，設(shè)置記錄層2B。除了這些情況以外，以與第一實施例中相同的方式，形成雙層相變光盤D4。
對于雙層相變光盤D4，當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度時(即在反射層2A和2B之間的距離)時，其為25um±1um。在雙層相變光盤D4中的環(huán)形部分8的高度和間隔層的厚度不同于在光盤D1中的高度和厚度，但上述間隔層S的厚度的精度(即精度為±1um)等于光盤D1中的精度。
下面將說明本發(fā)明的第五實施例。
圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的光盤D5的剖面的說明圖。光盤D5與根據(jù)第一實施例的光盤D1一樣為雙層相變光盤。光盤D5使用與光盤D1的基片1A和1B相同的基片1A和1B。然而，不像光盤D1，在光盤D5中，環(huán)形部分8僅形成于基片1B上。
在光盤D5中，在粘結(jié)基片1A和1B時，將紫外線固化型樹脂滴在對應(yīng)于半徑為12mm的基片1B的部分上，使得紫外線固化型樹脂位于與基片1B共軸的位置，并且基片1B以4000rmp被旋涂3秒使得紫外線固化型樹脂的多余部分從基片1B中被去除。具有記錄層2A的基片1A未被涂覆上該樹脂，即基片1A和1B僅使用在基片1B上所提供的樹脂粘結(jié)在一起。除了這些情況以外，以與第一實施例相同的方式，形成雙層相變光盤D5。
就雙層相變光盤D5而言，當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層2A和2B之間的距離)時，其為25um±2um。甚至該精度(即精度為±2um)也能夠滿足對在下一代DVD中所采用的間隔S的要求。
下面將說明本發(fā)明的第六實施例。
圖8是說明根據(jù)第六實施例的光盤D6的剖面的說明圖。光盤D6為以與第一實施例中相同的方式所形成的雙層相變光盤，除了所形成的光盤D6包括分別具有高度6um的環(huán)形部分8。
就雙層相變光盤D6而言，當測量基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層2A和2B之間的距離)時，其為20um±1um。
上述的每一個說明均參照了作為記錄層的可重寫相變記錄層。像在DVD-RAM或DVD-RW中一樣，該可重寫相變記錄層利用由光束的照射所發(fā)生的相變。然而，適用于本發(fā)明的記錄層不限于上述類型的記錄層。即本發(fā)明可使用包含顏料的記錄層，在該顏料利用光束的照射僅變化一次之后，其不允許記錄層的反射率發(fā)生變化。
然后，下面將說明雙層光盤的比較示例。該比較示例為以與形成根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的光盤不同的方式所形成的雙層光盤。
(比較示例1)圖9是說明作為比較示例1所形成的雙層光盤Dcp1的剖面的說明圖。
雙層光盤Dcp1以與本發(fā)明的第二實施例中的相同的方式被生產(chǎn)，除了其基片被粘結(jié)而不形成環(huán)形部分8。然后就光盤Dcp1而言，當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層2A和2B之間的距離)時，分別位于對應(yīng)于半徑為25mm、40mm和55mm的基片的記錄區(qū)域的部分的間隔層S的各部分的厚度分別為18um、24um和26um。
(比較示例2)圖10是說明作為比較示例2所形成的雙層光盤Dcp2的剖面的說明圖。
雙層光盤Dcp2以與光盤D1相同的方式被制成，除了其分別具有高度為25um的環(huán)形部分8。就光盤Dcp2而言，當測量在基片的整個記錄區(qū)域上的間隔層S的厚度(即在反射層3A和3B之間的距離)時，其為32um±15um。
如從以上描述可以清楚看到的，根據(jù)本發(fā)明，在形成具有粘結(jié)在一起的兩個基片的光盤時，可形成粘合層(間隔層)以在基片的整個記錄區(qū)域上具有基本上均勻的厚度。即，與常規(guī)方法相比，可降低在光盤的內(nèi)圓周側(cè)和光盤的外圓周側(cè)之間的間隔層的不均勻。此外，當應(yīng)用本發(fā)明時，在光盤的記錄層上，可均勻地形成間隔層，而不需要很大地改變生產(chǎn)常規(guī)DVD的生產(chǎn)設(shè)備。因此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)點，可很容易地生產(chǎn)具有高質(zhì)量和高精度的光盤。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可很容易地發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的其它的優(yōu)點和改進。因此，本發(fā)明不限于這里所示的和所描述的具體的、代表性的實施例。因此，在不脫離如由后附的權(quán)利要求和它們的等同物所限定的一般性的發(fā)明概念的精神和范圍的情況下，可對其進行各種改進。此外，通過適當?shù)亟M合在上述實施例中的結(jié)構(gòu)部件、功能、特征和生產(chǎn)步驟，可實現(xiàn)本發(fā)明中的裝置和方法。
權(quán)利要求
1.一種光盤，其特征在于包括第一基片(1A)，包括其上形成有第一記錄層的第一表面；第二基片(1B)，包括其上形成有第二記錄層的第二表面，所述第二表面包括其上形成有環(huán)形部分(8)的非記錄區(qū)，所述非記錄區(qū)位于自預定半徑朝內(nèi)側(cè)的位置；以及透光的間隔層(S)，其中第一記錄層和第二記錄層位于彼此相對的位置，在第一記錄層和第二記錄層之間的間隙填充有間隔層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征在于環(huán)形部分(8)與第二基片(1B)被一體地形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征在于在第一基片(1A)的第一表面上，非記錄區(qū)被設(shè)置自預定半徑朝內(nèi)側(cè)的位置；并且環(huán)形部分(8)形成在非記錄區(qū)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征在于環(huán)形部分沿著光盤的半徑方向具有2-8mm的寬度。
5.一種光盤，其特征在于包括第一基片(1C)，包括第一表面，所述第一表面形成有表示信息的第一凹坑、并且其上形成有第一反射層(3A)；第二基片(1D)，包括第二表面，所述第二表面形成有不同于第一凹坑的第二凹坑、并且其上設(shè)置有第二反射層(3B)和非記錄區(qū)，環(huán)形部分(8)形成在非記錄區(qū)上，所述非記錄區(qū)位于自預定半徑朝內(nèi)側(cè)的位置；透光的間隔層(S)，其中第一反射層和第二反射層位于彼此相對的位置，在第一反射層和第二反射層之間的間隙填充有間隔層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的光盤，其特征在于環(huán)形部分(8)與第二基片(1D)被一體地形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的光盤，其特征在于非記錄區(qū)被設(shè)置在第一基片(1C)上形成有第一凹坑的第一表面上，并且環(huán)形部分形成在非記錄區(qū)上。
8.一種生產(chǎn)光盤的方法，其特征在于包括形成第一基片，所述第一基片包括其上形成有第一記錄層(2B)的第一表面，并且所述第一表面包括其上設(shè)置有環(huán)形部分(8)的內(nèi)圓周部分；將紫外線固化型樹脂滴在位于自環(huán)形部分朝內(nèi)側(cè)位置的第一表面的一部分上，并且旋涂第一基片以將第一記錄層(2B)涂覆上紫外線固化型樹脂；形成第二基片(1A)，所述第二基片具有不同于第一表面的第二表面，第二記錄層被設(shè)置在第二表面上；以及使第一記錄層和第二記錄層彼此相對，并且用紫外線固化樹脂粘結(jié)第一基片和第二基片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于形成第一基片包括與第一基片一體地形成環(huán)形部分。
全文摘要
形成第一基片(1A)，所述第一基片包括其上形成有第一記錄層(2A)的第一表面，并且所述第一表面包括其上設(shè)置有環(huán)形部分(8)的內(nèi)圓周部分。將紫外線固化型樹脂滴在位于環(huán)形部分朝內(nèi)側(cè)位置的第一表面的一部分上，并且旋涂第一基片以將第一記錄層(2A)涂覆上紫外線固化型樹脂。形成第二基片(1B)，所述第二基片具有第二表面，在第二表面上形成有第二記錄層，旋涂第二基片以將第二記錄層涂覆上紫外線固化型樹脂。然后，使第一記錄層和第二記錄層彼此相對，并且用紫外線固化樹脂粘結(jié)第一基片和第二基片。
文檔編號G11B7/24GK1573989SQ200410031510
公開日2005年2月2日 申請日期2004年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月5日
發(fā)明者高澤孝次 申請人:株式會社東芝