專利名稱：半導體激光器件的制作方法
背景技術：
1.發(fā)明領域本發(fā)明涉及一種半導體激光器件，特別是涉及一種用于讀出光記錄介質上記錄的信息的光拾取器件。
2.相關技術的描述讀出光存儲器，諸如CD-ROM或者MD(小光盤)上的光信號的光拾取器件包括全息激光系統(tǒng)的半導體激光器件。
全息激光系統(tǒng)使用組合在一個組件里的半導體激光元件、全息元件和光信號接收元件，使從半導體激光元件發(fā)出的光束投射到一光盤上(光記錄介質)，全息元件衍射從光盤上反射的光束并將光束引導到偏離光軸位置的光接收元件上。
已知下列器件是與本發(fā)明相關的(1)包含至少一個裝在用樹脂材料封裝的框架上的半導體激光器芯片的半導體激光器件，該樹脂材料包含有高熱導率的樹脂材料微粒[參見例如日本未審查的特許公開平11-25465(1999)]。
(2)包含一芯片座、一框架和二個凸起物的半導體激光器件，一半導體激光元件裝在該芯片座上，該框架圍住該芯片座，二個凸起物裝在框架上并彼此相對將芯片座夾在它們之間(參見例如日本未審查特許公開2001-111159)。
(3)包含一芯片座、一框架、二個凸起物和一光學元件的激光器件，一半導體激光元件裝在該芯片座上，該框架包圍該裝有半導體激光元件的芯片座的表面，二個凸起物裝在框架上并彼此相對將芯片座夾在它們之間，該光學元件裝在二個凸起物之間的框架上(參見例如日本未審查特許公開2000-196117)。
(4)包括一包圍半導體元件座的框架的組件，該框架有一外周表面，該外周表面具有通過軸向切去一部分圓柱表面形成的表面(參見例如日本未審查特許公開2000-196176)。
(5)包括一裝在芯片座上的半導體激光器芯片、安裝在該芯片周圍的外引線及一框架的半導體激光器件，該外引線的觸點與該半導體激光器芯片的電極相連，該框架由包圍芯片座和外引線觸點的絕緣材料構成(參見例如日本未審查特許公開平6-203403(1994))。
(6)用于全息激光單元的半導體激光器組件，它包括以下元件作為光源的半導體激光器芯片、監(jiān)測從半導體激光器發(fā)出的激光束的PIN光電二極管、讀出光盤上信號的光電二極管，它們裝在單個平面的管座上且用管座上的管帽覆蓋；用于偏振的有衍射光柵的玻璃片，它裝在管帽的上表面，而管座通常是橢圓形的，如由通過去掉一個圓上二個相向的圓缺而形成的二根弧和二根弦所確定的形狀，通常是橢圓形的管座的弧用作決定半導體激光器芯片的光發(fā)射點的參照物[參見例如日本未審查特許公開平6-5990(1994)]。
與此同時，這些半導體激光器件期望滿足下述要求(1)減小了半導體激光器組件的體積以得到減小了體積和厚度的拾取器、CD驅動器或CD播放器；和(2)改進了拾取器中的半導體激光器件的定位精確性以便于通過旋轉調整三個光束。
但是，常規(guī)的半導體激光器件都不能充分地滿足這些要求。

發(fā)明內容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于使得半導體激光器件能夠進一步減小其組件體積改進半導體激光器件安裝時的定位精度且使得通過旋轉調整三個光束變得更方便。
根據本發(fā)明，提供了一種半導體激光器件，它包括一個有前表面、后表面及一外周表面的組件；裝在該前表面的半導體激光元件和光接收元件；排列在該前表面上的在空間上分開并從組件向外延伸的多根引線；裝在前表面上的光學器件，其光軸垂直于前表面，將半導體激光元件發(fā)出的激光束引向目標并將從目標反射回來的光引向光接收元件；其中外周表面是這樣形成的使得與其軸和光學元件的光軸平行的橢圓形孔相配合，該外周表面有一從前表面通到后表面的凹槽；引線隨著從前表面延伸并通過凹槽被彎曲，其遠端沿著光學元件的光軸延伸，其近端與半導體激光元件和光接收元件實現電連接。
根據本發(fā)明，組件的外周表面是這樣形成的使其與圓柱形孔相配合，引線通過組件的外周表面的凹槽向下彎曲。因此，半導體激光器件的外部尺寸可以減小，并且，該半導體激光器件能容易地安裝在拾取器外殼的孔上。
附圖簡要說明

圖1是根據本發(fā)明的第一實施例的半導體激光器件的正視圖，半導體激光器件裝在光拾取器件上；圖2是圖1的半導體激光器件的頂視圖；圖3是圖1的半導體激光器件的側視圖；圖4是圖1的半導體激光器件的透視圖；圖5是圖1的半導體激光器件組件的頂視圖；圖6是如圖5沿A-A方向的組件截面圖；圖7是如圖5沿B-B方向的組件截面圖；圖8是用于圖1所示的半導體激光器件制造過程的引線框的頂視圖；圖9和圖10是說明如何彎曲第一實施例的半導體激光器件引線的過程示意圖；圖11(a)是根據本發(fā)明第二實施例在引線被彎曲以前的半導體激光器件的頂視圖；圖11(b)是在引線彎曲后的半導體激光器件的頂視圖；圖11(c)是圖11(b)的器件的左側視圖；圖11(d)是圖11(b)的器件的頂視圖；圖11(e)是圖11(b)A-A的截面圖；圖12(a)和圖12(b)是本發(fā)明第三實施例的半導體激光器件在引線彎曲前、后的頂視圖；圖13(a)和13(b)是本發(fā)明第四實施例的半導體激光器件在引線彎曲前、后的頂視圖；圖13(c)是圖13(b)所示器件的左側視圖；圖14是描述本發(fā)明第五實施例的截面圖；圖15(a)和圖15(b)是描述本發(fā)明第六實施例的截面圖；圖16是描述本發(fā)明第七實施例的截面圖；圖17(a)和17(b)是詳細說明本發(fā)明制造工藝的頂視圖和正視圖；
圖18是詳細說明本發(fā)明制造工藝的示意圖。
具體實施例方式
根據本發(fā)明的一個方面，一種半導體激光器件包括有前表面、后表面和外周表面的組件；裝在前表面上的半導體激光元件和光接收元件；排列在前表面上的在空間上隔開并從組件向外延伸出的多根引線；裝在前表面上的光學元件，其光軸垂直于前表面，將半導體激光元件發(fā)出的激光束引向目標并將從目標反射回來的光引向光接收元件；其中，外周表面被形成得使之與其軸和光學元件的光學平行的圓柱形孔相配，外周表面有一從前表面通到后表面的凹槽，引線隨著從前表面延伸出并通過凹槽而被彎曲，其遠端沿光學元件的光軸延伸，其近端與半導體激光元件和光接收元件實現電連接。
在本發(fā)明中，所說的光學元件的光軸可以與圓柱形孔的軸對準。全息元件可用作光學元件。
本發(fā)明中，所述的組件可以包括一平面基板、多個在空間上隔開從基板上平行于基板向外凸起的凸起物，凹槽可在二個相鄰的凸起物之間形成。形成外周表面凹槽的另一種方法是通過切去一部分從前表面向后表面延伸的外周表面來形成。
本發(fā)明中，基板可以有用于空氣冷卻半導體激光元件的開孔。
本發(fā)明中，基板可以是矩形的，凸起物可以從基板的四個角向外突起。
本發(fā)明中，引線可以從矩形基板的二個相對邊延伸，且可被彎曲90°。
本發(fā)明中，半導體激光器件還可以包括裝在基板一個面上的鏡子以垂直于基板表面的方式反射從半導體激光元件發(fā)出的激光束。
本發(fā)明中，基板和凸起物可以用同一種材料一體形成。
本發(fā)明中，基板可以有一端面這樣來形成，使得在引線被彎曲時，在引線和基板端面之間得到一引線彎曲的隔離物。
本發(fā)明中，每一根引線可以包括在組件內部的內引線部分和在組件外部的外引線部分，引線的外引線部分排列的間隔比引線的內引線部分大。
內引線部分的間隔可以自近端部分向外增大。
根據本發(fā)明的另一方面，一種半導體激光器件包括一基板；從基板向外凸起的、在空間上相互分開的、平行于基板的多個基板支撐塊，基板支撐塊共同形成了外周表面，該表面形成得使其與圓柱形孔相匹配；安裝在基板前表面上的一半導體激光元件、一光接收元件一光學元件和多根引線，光學元件是用于將來自半導體激光元件的激光束引向目標并將在目標物上反射的光束引向光接收元件；其中，引線有與半導體激光元件和光接收元件電連接的近端和從基板的一個端面延伸出來的被彎曲且進一步穿過在二個相鄰的基板支撐塊之間形成的間隙而延伸到基板的后表面的遠側部分。
根據本發(fā)明的再一方面，一種半導體激光器件包括一有前表面和后表面的基板；多根在組件的前表面上從組件向外延伸的在空間上分開的互連引線；安裝在組裝前表面上的一半導體激光元件、一反射鏡、一光接收元件和一光學元件，光學元件是用于將半導體激光元件發(fā)出的激光束導向載有記錄下外部信息的介質并將在介質上反射的光導向光接收元件；其中引線電連接到半導體激光元件和光接收元件，每根引線包括在組件內部的內引線部分和在組件外部的外引線部分，引線的外引線部分排列的間隔比內引線部分大并向組件的后表面彎曲。
實施例下面參照附圖，以實施例的方式詳細地說明本發(fā)明，應該理解的是，本發(fā)明并不限于這些實施例。
第一實施例圖1是根據本發(fā)明第一個實施例的半導體激光器件的正視圖。如圖所示，半導體激光器件101安裝在拾取器的外殼102的圓柱形座的孔內。半導體激光器件101被用來通過物鏡104向光盤(一種用來讀寫信息的記錄介質)103發(fā)射激光束并且接收從光盤通過物鏡反射回來的光束。
圖2是安裝在外殼102的圓柱形座孔107內的半導體激光器件101的頂視圖，圖3是半導體激光器件101的側視圖。
如各圖所示，半導體激光器件101包括一組件105和一裝在組件105上的全息元件106。
圖4是從半導體激光器件101中去除全息元件106后的組件105的透視圖。圖5是組件105的頂視圖。圖6和圖7是相應于圖5上A-A和B-B箭頭方向的組件105的截面圖。
如圖4到圖7所示，組件105包括一矩形基板1，與基板1一體成形的凸起物(基板支撐塊)2a-2d，從基板1水平地向外凸起。支撐塊2a-2d分別有外周表面部分3a-3d，它們被共同配置以便與如圖2所示的底座上的孔107相配。全息元件支撐塊4a-4d、引線壓塊6、光接收元件支撐塊7和鏡子支撐塊8與基板1一體地設置在基板1的上表面。如圖1所示，全息元件支撐塊4a-4d支撐全息元件106。
基板1包括置于其上表面的引線51-62和導電板(島板)13。
引線51和57的近端分別通過支撐塊4d和4b固定在基板1的上表面上，引線52到55的近端通過支撐塊7固定在基板1的上表面上。導電板13通過支撐塊4a、4c、4d和8固定在基板1的上表面，引線56和62從導電極13橫向延伸。
半導體激光元件10通過小底座9安裝在導電板13的上表面。光接收元件11裝在光接收元件支撐塊7上，鏡子12裝在鏡子支撐塊8上。
引線51-56的遠端部分從基板1的相對的側邊之一延伸并在支撐塊2a和2d之間彎曲90°并進一步向下延伸。引線57-62的遠端部分從基板1的另一側邊延伸并在支撐塊2b和2c之間彎曲90°并進一步向下延伸。
導電板13插在基板1的上表面和小底座9之間，用作熱沉和導電體。
引線51-55、58和59用金絲連接(引線接合)到光接收元件11，引線60、61用金絲連接到半導體激光元件10。導電板13用金絲連接到光接收元件11和半導體激光元件10。
支撐塊2a-2d、4a-4d、壓塊6、支撐塊8、光接收元件11和基板1用環(huán)氧樹脂整體模封(molding)，下面會有描述。引線51-62和導電板13以上述方式在模封中固定到基板1上。
如圖6所示，基板1有一形成于其中的截頂圓椎形的通孔14，它與小底座9相對且其直徑從基板1的上表面到下表面增大。從而，半導體激光元件10產生的熱通過小底座9和導電板13向空氣消散，所以半導體激光元件10能有效地自然冷卻。
按上述的結構，當半導體激光器件101像圖2所示嵌在外殼102的圓柱形座的孔107中時，基板支撐塊2a-2d的外周表面部分3a-3d與孔107的內壁表面相匹配，如圖2所示。這樣，全息元件101的光軸與物鏡104的光軸對準。全息元件101是一光學元件，它將來自半導體激光元件10的激光束通過物鏡104(圖1)導向光盤103并將從光盤103反射的光束通過物鏡104導向光接收元件11。
從光盤103反射的光束包括3個光束(三個分量)，即從光盤103上讀出記錄信息的一束和讀出表示光束入射到光盤103上的位置的位置信息的兩束。
因此，當半導體激光器件安裝在孔107中的時候，用適當的工具通過約束支撐塊2b和2a之間的基板1的一個端面和支撐塊2c和2d之間的基板1的一個端面(圖5)來繞物鏡104的光軸旋轉半導體激光器件101，就能容易地完成從光盤103反射回的和入射到光接收元件11的光束的位置調節(jié)，即完成光接收元件上的三支光束的位置調節(jié)。
當引線51-62的遠端連接到驅動電路時，半導體激光元件10發(fā)射平行于基板1的上表面的激光束。然后，如圖1所示，激光束在鏡子12上反射，垂直于基板1的表面而傳播，通過全息元件106和物鏡104投射到光盤103上。在光盤103上反射光光束通過物鏡104和全息元件106，被光接收元件11接收。如此，光盤103上的信息被讀出。
接下來，說明半導體激光器件101的制造過程。
首先，如圖8所示的引線框108用壓機從銅板上沖壓出來。沖壓出的引線框包括引線51-62和與引線56及62連成一體的導電板(島板)13，引線56及62呈一前一后排列。引線框放在一模子中，熱固環(huán)氧樹脂澆注入模子，基板1、支撐塊2a-2d、4a-4d、壓塊和支撐塊6-8同時一體澆注并固定于引線框108。
然后，裝有半導體激光元件的小底座9用銀漿粘合到基板1上的導電板13的上表面上。注意，半導體激光元件是預先鍵合到小底座9上的。
接下來，玻璃鏡子12用一紫外線固化樹脂粘合在支撐塊8上。
隨后光接收元件11也用紫外線固化樹脂粘合在支撐塊7上。
然后，用金絲把半導體激光元件10和光接收元件11連接(引線接合)到引線51到62以及導電板13上。
全息元件106進而安裝到支撐塊4a-4d上。
隨后，引線51-62用預定工具從引線框分開并被彎曲。如此，引線51-62的遠端在與基板1的空間距離為L處被垂直彎曲(如圖6所示)。
通過上述工藝，制成了半導體激光器件101。
若半導體激光元件10[半導體激光器件101]的大小進一步減小，引線51-62的彎曲點和基板1之間的距離L可以減小。
既然這樣，基板1的一個端面預先就形成階梯形或錐形，如圖9或圖10所示。用這樣的構造，引線51-62的彎曲能采用較厚的隔離物SP1或SP2穩(wěn)穩(wěn)地實現。
上述的制造工藝能用在制造下面的第二到第七實施例的半導體激光器件。
第二實施例圖11(a)是根據本發(fā)明第二實施例的半導體激光器件在引線彎曲以前的頂視圖，圖11(b)是引線彎曲以后的半導體激光器件的頂視圖。圖11(c)和11(d)分別是該器件的左視圖和正視圖。圖11(e)是圖11(b)A-A方向上的半導體激光器件截面圖。
圖11(a)中，組件105a包含一基板21?；?通常從頂部看是矩形的，并有橫向延伸的縱邊。組件105a具有多根互連線(6根互連線)22，它們位于組件105a的二個相對的橫向邊的每一邊上從內向外延伸?；?1有切除的部分40、41，它們分別位于二個相對的橫向邊上。
小底座25裝有半導體激光元件24，用于沿其光軸反射半導體激光元件發(fā)出的光束的鏡子26和光接收元件27都安裝在組件105a內的島板23上。
小底座25直接粘合在島板23上，鏡子26和光接收元件27分別粘合在與基板21一體形成的鏡子支撐塊28和接收元件支撐塊29上。
盡管為了清晰起見未表示在圖11(a)和11(b)上，光學元件(全息元件)30安裝在組件105(a)的上表面上，如圖11(d)所示。光學元件30將使半導體激光元件發(fā)出的光束和在含有記錄信息的反射物(光盤)上反射的光束入射到光接收元件。
在組件105a中，半導體激光元件24和光接收元件27用金絲(未示出)連到引線22的內引線22a上。
組件105a用像第一實施例一樣的方法用絕緣樹脂成形(molding)，將包括引線22的引線框和島板嵌在其中。成形以后，引線22從組件105a橫向延伸出。如圖11(b)到11(e)所示，引線22在通過切除部分40、41延伸時向組件105(a)的后表面彎曲。如此，組件105a能與底座孔107以與第一實施例同樣的方法相配，如圖11(b)所示。
第三實施例接下來的第三實施例參照圖12(a)和12(b)加以說明。圖12(a)和12(b)是根據第三實施例的半導體激光器件在引線彎曲前和彎曲后的頂視圖。
第三實施例的結構基本上與第二實施例相同，只是在組件內部的引線22的內引線部分22a的間隔沿著向在組件105a外的引線22的外引線部分22b慢慢增大，如圖12(a)和12(b)所示。
于是，外引線部分22(b)排列的間隔比第二實施例中的大。因此，按本實施例的半導體激光器件的引線22能更容易地與印刷電路板焊接。
第四實施例接下來，參照圖13(a)和圖13(c)說明第四實施例。圖13(a)和圖13(b)是第四實施例的半導體激光器件在引線彎曲前、后的頂視圖而圖13(c)是該器件的側視圖。
第四實施例的半導體激光器件的結構與第二實施例基本相同，只是引線22的內引線部分22a的間隔沿著向外引線部分22b漸漸增大，此外，外引線部分22b的中間部分的間隔也漸漸增大。
這里有漸漸增大的間隔的外引線部分的中間部分與組件105a的周面壁分開距離x，從而不與組件105a接觸。
于是，引線22的外引線部分排列的間隔比第三實施例更大。因此，第四實施例的半導體激光器件的引線22更容易與印刷電路板焊接。
第五實施例接下來參照圖14說明第五實施例。圖14是對應于圖11(e)的截面圖。在圖11(e)中光接收元件支撐塊29與基板21成一整體。但在本實施例中，島板23更厚并暴露在基板21的下表面，使得光接收元件支撐塊29與基板21分開，如圖14所示。除此以外，第五實施例與第二實施例基本相同。
于是，光接收元件支撐塊29支撐在島板23的預定位置而與基板21分開。因此，即使組件105a造受溫度變化或安裝過程中受外力影響，水平方向的力加不到光接收器件支撐塊29上，使得光接收元件支撐塊29不會位移和變形。因而，光接收元件27能不改變光學位置，維持穩(wěn)定的光學特性。
盡管沒有表示出來，反射鏡支撐塊28也可以以上述方法構造。
第六實施例接下去參照圖15(a)和15(b)說明第六實施例。圖15(a)說明根據本實施例，怎樣將半導體激光器件焊接印刷電路板上去。本實施例的半導體激光器件基本上與第二實施例的半導體激光器件的結構相同。
用烙鐵32熔融焊料33并將焊料施加到外引線部分22b，使得外引線部分22b與印刷電路板(未示出)接合。這時，流動氣體34從焊料33散發(fā)出來。如果流動氣體34侵入組件105(a)，則流動氣體34會污染鏡子26、光接收元件27和光學元件30(圖11(c))并損壞這些元件的光學特性。本實施例中，隔離墻35裝在組件105a上，以將內引線部分22(a)與外引線部分22(b)隔開從而避免流動氣體侵入組件105(a)。
隨著隔離墻高度的增加，阻止流動氣體的效果也增強。但是，如圖15(b)所示，當金絲被接合到內引線部分22a時，金線接合處的毛細管36可能妨礙隔離墻。因此，隔離墻35被安裝在組件最外面的位置且其高度要使得隔離墻不受毛細管36的影響。而且，隔離墻35有一錐形的內側部分。
第七實施例接下來，參照圖16說明第七個實施例。圖16是對應于圖11(e)的截面圖。本實施例的半導體激光器件的結構與第二實施例相同，只是內引線部分22a的近端部分和島板23的周邊的厚度較小。
如上面所述的一樣，在引線22和島板23用沖壓機從材料板上沖壓而成時，為使沖壓精度較高，通過沖壓除去的材料板的沖壓邊緣應當有較小的寬度，基本上等于材料板厚度。但是，材料板厚度的減小導致引線22更容易變形以及島板23的散熱變差。因此，材料板應相對厚些。
本實施例中，如圖16所示，只是沖壓邊緣的厚度較小。
于是，與用較厚的材料板沖壓的情況比較，沖壓精度能改善。
由于較薄的部分用樹脂填充，組件105a有足夠的機械強度。
接下來，說明第二至第七實施例的半導體激光器件的制造過程。該制造過程基本上與上面所述的第一實施例的制造過程相同，這里對前面沒有描述過的制造過程的細節(jié)作一解釋。
如17(a)和17(b)所示，光接收元件支撐塊29與光接收元件27的大小基本相同。在紫外固化樹脂粘合劑37均勻涂步在光接收元件支撐塊29上以后，光接收元件27放在光接收元件支撐塊上時，紫外固化樹脂37靠表面張力沿光接收元件周邊均勻散布。于是，在校正光接收元件傾斜度的同時，光接收元件定位在支撐塊29的中心。這樣，就不需要為光接收元件27相對于支撐塊29專門定位了。
為了將鏡子26安裝在鏡子支撐塊28上，紫外固化樹脂粘合劑施涂在鏡子支撐塊28的鏡子結合表面上。然后，鏡子26放在鏡子支撐塊28上并通過紫外幅射照射固定到鏡子支撐塊28上。此時，存在著鏡子26移位或者隆起的可能性。因為當組件105a水平地支撐時，鏡子支撐塊28的鏡子結合表面相對于水平面呈45°傾斜。
為了防止鏡子26的移位或隆起，組件105a以相對于水平面成45°角支撐起來，如圖8所示，以保持鏡子結合表面成水平。然后，借助一垂直可動的夾頭38將鏡子26放在鏡子結合面上。這樣，鏡子26在重力作用下，垂直于結合面，鏡子26的移位和隆起就能夠消除。
權利要求
1.一種半導體激光器件，其特征在于，包括一個有前表面、后表面和外周表面的組件；安裝在所述前表面的一半導體激光元件和一光接收元件；排列在所述前表面上空間上隔開并從組件向外延伸的多根引線；一支承在所述前表面之上、其光軸垂直于前表面、用于將半導體激光元件發(fā)出的激光束導向目標物并將在目標物上反射的光導向光接收元件的光學元件；其中，所述外周表面被形成得與一其軸和光學元件的光軸平行的圓柱形孔相配，所述外周表面有一從前表面延伸到后表面的凹槽，引線從前表面延伸出去并通過凹槽時被彎曲，其遠端沿光學元件的光軸延伸而其近端與半導體激光元件和光接收元件實現電連接。
2.如權利要求1所述的半導體激光器件，其特征在于，所述光學元件的光軸與圓柱形孔的軸成一直線。
3.如權利要求1所述的半導體激光器件，其特征在于，所述組件包括一平面基板，多個在空間上隔開的凸起物平行于基板向外凸起，凹槽形成在二個相鄰的凸起物之間。
4.如權利要求3所述的半導體激光器件，其特征在于，所述基板有一用于空氣冷卻半導體激光元件的開口。
5.如權利要求3所述的半導體激光器件，其特征在于，所述基板是矩形的，凸起物從基板的四個角向外突起。
6.如權利要求5所述的半導體激光器件，其特征在于，所述引線從矩形基板的二個相對邊延伸并被彎成直角。
7.如權利要求3所述的半導體激光器件，其特征在于，還包括裝在基板表面用于垂直地反射半導體激光元件發(fā)出的激光束到基板表面的鏡子。
8.如權利要求3所述的半導體激光器件，其特征在于，所述基板與凸起物是用同樣材料一體形成的。
9.如權利要求3所述的半導體激光器件，其特征在于，所述基板使一端面配置成在引線彎曲時在引線和基板端面之間得到引線彎曲的隔離物。
10.如權利要求1所述的半導體激光器件，其特征在于，所述每一根引線包括在組件里面的內引線部分和在組件外面的外引線部分，引線的外引線部分排列的間隔比內引線部分大。
11.如權利要求10所述的半導體激光器件，其特征在于，所述內引線部分的間隔可從近端部分向外而增大。
12.一種半導體激光器件，包括一基板；從基板向外凸起的、空間上相互分開的、平行于基板的多個基板支撐塊，基板支撐塊共同形成一外周表面，該外周表面被配置成與圓柱形孔相匹配；以及裝在基板前表面上的一半導體激光元件、一光接收元件、一光學元件和多根引線，光學元件用于將半導體激光元件發(fā)出的激光束引向目標物并將目標物上反射的光束引向光接收元件；其中引線有與半導體激光元件和光接收元件電連接的近端和從基板的一個端面延伸出來的被彎曲且進而穿過在二個相鄰的基板支撐塊之間形成的間隙延伸到基板的后表面的遠端。
13.一種半導體激光器件，包括一有前表面和后表面的基板；在組件前表面上從組件向外延伸時空間上分開的多根互連引線；裝在組件前表面上的一半導體激光元件、一反射鏡、一光接收元件和一光學元件，光學元件用來將從半導體激光元件發(fā)出的激光束導向載有記錄于其上的外部信息的介質并進而將在介質上反射的光導向光接收元件；其中所述引線電連接到半導體激光元件和光接收元件，每根引線包括在組件內部的內引線部分和組件外部的外引線部分，引線的外引線部分排列的間隔比內引線部分大并向組件的后表面彎曲。
全文摘要
一種半導體激光器件，包括一有前表面、后表面和外周表面的組件；裝在前表面上的半導體激光元件和光接收元件；排列在前表面上、空間上隔開并從組件向外延伸的多根引線；裝在前表面上的其光軸垂直于前表面用于將半導體激光元件發(fā)出的激光束導向目標物并將目標物反射的光導向光接收元件的光學元件；其中外周表面被配置成使得與其軸和光學元件的光軸平行的圓柱形孔相配，外周表面有一從前表面延伸到后表面的凹槽，引線從前表面延伸出去并通過凹槽時被彎曲，其遠端沿光學元件的光軸延伸而其近端與半導體激光元件和光接收元件電連接。
文檔編號G11B7/12GK1533003SQ20041003222
公開日2004年9月29日 申請日期2004年3月25日 優(yōu)先權日2003年3月25日
發(fā)明者篠原久幸, 八木有百實, 松原和德, 井上哲修, 修, 原久幸, 德, 百實 申請人:夏普株式會社