專利名稱：磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器電路，特別是有關(guān)于一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路。
背景技術(shù)：
磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic Random Access Memory，以下簡(jiǎn)稱為MRAM)是一種金屬磁性材料，其抗輻射性比半導(dǎo)體材料要高出許多，屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(Non-volatile Random Access Memory)，當(dāng)計(jì)算機(jī)斷電、關(guān)機(jī)的時(shí)候，仍然可以保持記憶性。
MRAM是利用磁電阻特性儲(chǔ)存記錄信息，具有低耗能、非揮發(fā)、以及永久的特性。其運(yùn)作的基本原理與在硬盤上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方向?yàn)橐罁?jù)，儲(chǔ)存為0或1，所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場(chǎng)影響之后，才會(huì)改變這個(gè)磁性數(shù)據(jù)。
圖1是顯示傳統(tǒng)MRAM數(shù)組的架構(gòu)圖。MRAM單元10A及10B的頂部是耦接于位線Bn，而其底部是耦接于電極12。晶體管14的柵極是耦接于字符線(Wm，Wm+1)，源極是接地，而其漏極是分別耦接于對(duì)應(yīng)的電極12。用以寫入數(shù)據(jù)的編程線(16A、16B)與電極12之間具有一絕緣層13，用以隔離編程線16A、16B與電極12。
圖2A及圖2B是顯示MRAM單元10的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖。電流可垂直由一自由磁軸層102透過絕緣層(tunnel junction)104流過(或穿過)固定磁軸層106。自由磁軸層102的磁軸方向可受其它磁場(chǎng)的影響而變化，而固定磁軸層106的磁軸方向固定，其磁軸方向分別如圖2A及圖2B的標(biāo)號(hào)108A及108B所示。當(dāng)自由磁軸層102與固定磁軸層106的磁軸方向?yàn)橥环较驎r(shí)(如圖2A所示)，MRAM單元會(huì)有低電阻的情況，而當(dāng)自由磁軸層102與固定磁軸層106為不同方向時(shí)，則MRAM單元便會(huì)有具有高電阻的特質(zhì)。參閱圖1，自由磁軸層102的磁軸方向是藉由數(shù)據(jù)線16A、16B所產(chǎn)生的磁場(chǎng)、并結(jié)合位線產(chǎn)生的磁場(chǎng)而改變。
各MRAM單元的自旋反轉(zhuǎn)磁場(chǎng)是由流經(jīng)位線Bn與編程線的電流磁場(chǎng)所共同合成的。經(jīng)由此動(dòng)作則只有被選擇的MRAM單元的磁軸會(huì)進(jìn)行反轉(zhuǎn)，而得以順利進(jìn)行記錄的動(dòng)作。至于未被選擇的存儲(chǔ)單元部分，則只有位線或是數(shù)據(jù)線的其中之一者會(huì)被施加電流磁場(chǎng)，因此無法形成足夠的反轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，所以無法進(jìn)行信息寫入動(dòng)作。
上述位線與數(shù)據(jù)線的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，必須經(jīng)過精確的設(shè)計(jì)才能夠使得MRAM數(shù)組正常執(zhí)行編程動(dòng)作。參閱圖3，圖3是顯示位線與編程線所提供的磁場(chǎng)與MRAM切換條件的關(guān)系圖。橫向磁場(chǎng)Ht是由位線的電流所提供，而縱向磁場(chǎng)H1是由編程線的電流所提供，而在沒有橫向磁場(chǎng)Ht的況下，縱向磁場(chǎng)H1為H0時(shí)，將導(dǎo)致MRAM單元切換其導(dǎo)通程度。若有橫向磁場(chǎng)Ht的存在，此時(shí)使MRAM單元切換的臨界值將降低，因此，施加較H0小的縱向磁場(chǎng)H1即可使MRAM單元切換其導(dǎo)通狀態(tài)。
在虛線所形成的區(qū)域A中，MRAM單元呈第一導(dǎo)通狀態(tài)(以高阻抗為例)，而在區(qū)域A以外的部分，MRAM單元將受到磁場(chǎng)的影響而切換為另一導(dǎo)通狀態(tài)(以低阻抗為例)。
在讀取MRAM數(shù)據(jù)時(shí)，以MRAM單元10A為例，此時(shí)字符線Wm導(dǎo)通晶體管14，而根據(jù)MRAM單元10A的導(dǎo)通狀態(tài)，即可決定位線Bn的電壓位準(zhǔn)，藉以讀取MRAM單元10A所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。
在寫入步驟中，由于磁場(chǎng)的大小與電流的截面中心距離成反比，在傳統(tǒng)MRAM數(shù)組的架構(gòu)下，若編程線16A上具有編程電流，編程線16A所產(chǎn)生的磁場(chǎng)除了可改變MRAM單元10A的導(dǎo)通狀態(tài)，位于MRAM數(shù)組中，與編程線16A平行以及MRAM單元10A所在的整行的MRAM單元，其磁軸方向同樣會(huì)受到編程線16A所產(chǎn)生的磁場(chǎng)影響，甚至位于另一行的MRAM單元10B同樣會(huì)受到影響，因此，編程線16A所供應(yīng)的磁場(chǎng)不可過大。
另外，當(dāng)編程線16A所供應(yīng)的磁場(chǎng)過小時(shí)，會(huì)造成MRAM單元10A的導(dǎo)通狀態(tài)無法切換。因此，傳統(tǒng)MRAM數(shù)組的位線與數(shù)據(jù)線的電流量，必須經(jīng)過精確的設(shè)計(jì)才能夠使得MRAM數(shù)組正常執(zhí)行編程動(dòng)作。
亦即，若編程線16A所供應(yīng)的磁場(chǎng)過大時(shí)，此時(shí)固然MRAM單元10A可寫入數(shù)據(jù)，然其它MRAM單元也有可能因此被寫入數(shù)據(jù)，造成編程錯(cuò)誤(programming disturb)。而當(dāng)編程線16A所供應(yīng)的磁場(chǎng)過小時(shí)，又無法達(dá)到寫入數(shù)據(jù)至特定MRAM單元的效果。
然而，若位線與編程線的電流量必須控制地如此精確，當(dāng)有外界磁場(chǎng)干擾，或者是外部環(huán)境出現(xiàn)變化時(shí)(如溫度、濕度等)，勢(shì)必會(huì)造成編程錯(cuò)誤，顯示傳統(tǒng)需要精確控制編程電流的MRAM架構(gòu)具有可靠度不佳的缺點(diǎn)。
因此，臺(tái)灣集成電路制造公司提出一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路以克服上述缺點(diǎn)。圖4是顯示臺(tái)灣集成電路制造公司所提出的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(MRAM cell)的架構(gòu)示意圖。
MRAM單元40A及40B的自由磁軸層是電性連接于以一既定方向配置的位線Bn，而MRAM單元40A及40B的固定磁軸層是分別電性連接于編程線42A及42B。由于自由磁軸層與數(shù)據(jù)線的距離僅為幾個(gè)埃(angstrom)(范圍約為8-15埃)，因此能夠接收到很大的磁場(chǎng)。故，相較于現(xiàn)有技術(shù)，僅需少量的編程電流IW即可改變自由磁軸層102的磁軸方向，因此達(dá)到省電的效果。另外，參閱圖4，編程線42A與MRAM單元40A的距離甚小于其與MRAM單元40B的距離，因此編程線42A對(duì)MRAM單元40A的影響遠(yuǎn)大于對(duì)MRAM單元40B的影響，因此不會(huì)改變MRAM單元40B的阻抗而發(fā)生編程錯(cuò)誤的情形。
圖5是顯示如圖4所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)數(shù)組(MRAM)電路的架構(gòu)圖。當(dāng)要于MRAM單元50寫入數(shù)據(jù)時(shí)，此時(shí)存儲(chǔ)數(shù)組的周邊電路選取字符線Wm，并浮接位線Bn，且由編程線PL供應(yīng)編程電流IW。由于此時(shí)字符線Wm是高位準(zhǔn)，因此晶體管52A以及52B導(dǎo)通，故編程電流IW流經(jīng)MRAM單元50而改變MRAM單元50的導(dǎo)通狀態(tài)以達(dá)到寫入數(shù)據(jù)的目的。
當(dāng)要讀取MRAM單元50所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)時(shí)，周邊電路選取該MRAM單元50所屬的字符線Wm，且編程線PL，PL′接地，此時(shí)于位線Bn提供讀取電流Ir使其經(jīng)由MRAM單元50以及導(dǎo)通的晶體管52A、52B而流至接地的編程線PL、PL′，再根據(jù)于位線Bn所偵測(cè)的電壓值而得知MRAM單元50此時(shí)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。
然而，當(dāng)于上述電路執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)，編程電流必須流經(jīng)晶體管52A以及52B，由于編程電流相當(dāng)大，因此必須加大晶體管52A以及52B的面積以承受大量的編程電流。再者，由于各MRAM存儲(chǔ)單元兩側(cè)皆須配置晶體管以控制編程電流，但晶體管以及其周邊的電路組件(例如接觸窗以及導(dǎo)線等)，造成整個(gè)存儲(chǔ)數(shù)組的尺寸變大，使得MRAM存儲(chǔ)數(shù)組尺寸的縮小發(fā)展遭遇技術(shù)瓶頸。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明主要目的在于提供一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)數(shù)組電路，能夠有效減小目前MRAM存儲(chǔ)數(shù)組的尺寸。
為獲致上述的目的，本發(fā)明提出一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，包括下列組件。多個(gè)磁阻式存儲(chǔ)單元，具有固定磁軸層、自由磁軸層，以及設(shè)置于固定磁軸層以及自由磁軸層之間的絕緣層。共同導(dǎo)電層是用以耦接磁阻式存儲(chǔ)單元。多個(gè)限流裝置分別具有第一極以及第二極，各限流裝置的第一極是分別耦接于磁阻式存儲(chǔ)單元。開關(guān)裝置是耦接于共同導(dǎo)電層的一端，并具有一控制閘。多個(gè)字元線是分別耦接于限流裝置的第二極，用以于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)提供第一編程電流以及執(zhí)行讀取動(dòng)作時(shí)提供讀取電流。第一編程線是耦接于共同導(dǎo)電層的另一端，用以于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)提供第二編程電流。第二編程線是耦接于開關(guān)裝置。選取線是耦接于控制閘，用以提供一致能信號(hào)以導(dǎo)通上述開關(guān)裝置。


圖1是顯示傳統(tǒng)MRAM數(shù)組的架構(gòu)圖。
圖2A及圖2B是顯示MRAM單元10的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖。
圖3是顯示位線與數(shù)據(jù)線所提供的磁場(chǎng)與MRAM切換條件的關(guān)系圖。
圖4是顯示另一傳統(tǒng)磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(MRAM cell)的架構(gòu)示意圖。
圖5是顯示如圖4所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)數(shù)組(MRAM)電路的架構(gòu)圖。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM)單元的結(jié)構(gòu)圖。
符號(hào)說明10A、10B、40A、40B、50、60A、60B、60C～MRAM單元12～電極13、104～絕緣層14、52A、52B、64A、64B～晶體管16A、16B～編程線102～自由磁軸層106～固定磁軸層108A、108B～標(biāo)號(hào)42A、42B～資料線
60A～60C～MRAM單元62A、62B、62C～二極管A～區(qū)域Bn、B1～B6～位線、操作線Ht～橫向磁場(chǎng)H1、H0～縱向磁場(chǎng)IW、IPGM1、IPGM2、IPGM3～編程電流Ir～讀取電流PL、PL′、PL1、PL2、G～編程線Wm、Wm+1、W1、W2～字符線、選取線具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下參閱圖6，圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM)單元的結(jié)構(gòu)圖。MRAM單元60A～60C是共同設(shè)置于共同導(dǎo)電層61上。MRAM單元60A包括固定磁軸層106、自由磁軸層102，以及設(shè)置于固定磁軸層106以及自由磁軸層102之間的絕緣層(magnetic tunneling junction)104。MRAM單元與共同導(dǎo)電層61接觸的部分可為固定磁軸層106或自由磁軸層102，若與共同導(dǎo)電層61接觸的部分為固定磁軸層106時(shí)，共同導(dǎo)電層61可包括MRAM單元除了自由磁軸層102以外的部分。以下以MRAM單元與共同導(dǎo)電層61接觸的部分為固定磁軸層106為例。
MRAM單元60A的磁阻(magneto-resistance)是由固定磁軸層106以及自由磁軸層102的磁軸方向所決定。當(dāng)自由磁軸層102與固定磁軸層106的磁軸方向?yàn)橥环较驎r(shí)，MRAM單元會(huì)有低電阻的情況，而當(dāng)自由磁軸層102與固定磁軸層106為不同方向時(shí)，則MRAM單元便會(huì)有具有高電阻的特質(zhì)。另外，自由磁軸層102內(nèi)部的易軸方向是大體垂直于自由磁軸層102最大的截面，因此自由磁軸層102的磁軸向量較容易改變方向，降低了切換MRAM單元導(dǎo)通狀態(tài)所需的磁場(chǎng)。
二極管62A的負(fù)極端是耦接于自由磁軸層102，而正極端是耦接于位線B1。在此，上述二極管可為PN接面二極管、肖特基(shottky)二極管、射極接至基極的PNP晶體管或柵極接至漏極的MOS晶體管等構(gòu)成。NMOS晶體管64A與64B的源/漏極是分別耦接于共同導(dǎo)電層61的兩端，而其柵極是耦接于字符線W1。藉由字符線W1所輸出信號(hào)的位準(zhǔn)能夠控制NMOS晶體管64A與64B的導(dǎo)通或關(guān)閉而于編程動(dòng)作時(shí)控制由編程線PL1所提供的編程電流IW流經(jīng)MRAM單元60A～60B。在此，在此雖以NMOS晶體管作為控制編程電流IW的開關(guān)裝置，然而此開關(guān)裝置能以雙極晶體管(bipolar transistor)、微機(jī)械開關(guān)或熱遮斷開關(guān)等代替。另外，由于編程電流IW的電流量相當(dāng)?shù)拇?，因此晶體管的體積必須夠大才能承受大量的編程電流。故以設(shè)置于位線的二極管62A～62C代替晶體管能夠有效減小MRAM存儲(chǔ)數(shù)組的尺寸。
以存取MRAM單元60A為例，當(dāng)要于MRAM單元60A寫入數(shù)據(jù)時(shí)，首先選取字符線W1以導(dǎo)通NMOS晶體管64A與64B，并由編程線PL1提供編程電流IW且將編程線G接地，此時(shí)編程電流IW所產(chǎn)生的磁場(chǎng)是用來降低使MRAM單元60A切換導(dǎo)通狀態(tài)所需的磁場(chǎng)。此時(shí)，MRAM單元60B與60C切換導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)所需的磁場(chǎng)同樣也會(huì)降低，但皆未達(dá)到切換時(shí)所需的磁場(chǎng)，因此并未切換導(dǎo)通狀態(tài)。接著，此時(shí)于位線B1提供編程電流IPGM1，編程電流IPGM1的方向是依據(jù)能夠于MRAM單元60A產(chǎn)生幫助MRAM單元60A的自由磁軸層的磁軸方向轉(zhuǎn)換的磁場(chǎng)，因此，其所產(chǎn)生的磁場(chǎng)結(jié)合先前編程電流IW所提供的磁場(chǎng)已足以切換MRAM單元60A的導(dǎo)通狀態(tài)，故能夠順利將MRAM單元60A的導(dǎo)通狀態(tài)切換為另一狀態(tài)，達(dá)到寫入數(shù)據(jù)的目的。
再者，雖然此時(shí)編程電流IW是同時(shí)流經(jīng)MRAM單元60A～60C，然而此時(shí)的編程電流IW的電流量在沒有位線所提供的編程電流的情況下并無法讓MRAM單元60B與60C導(dǎo)通。以MRAM單元60B為例，由于位線B2并未提供輔助編程電流，而位線B1所產(chǎn)生的磁場(chǎng)因?yàn)榫嚯x的關(guān)系而對(duì)MRAM單元60B的影響甚小，故不會(huì)造成MRAM單元60B的誤動(dòng)作，因此，提高了寫入數(shù)據(jù)時(shí)的穩(wěn)定性。
另外，為了避免MRAM單元60B與60C受到編程電流IW的影響而不預(yù)期切換導(dǎo)通狀態(tài)，因此位線B2與B3更可提供阻止MRAM單元60B與60C的自由磁軸層的磁軸方向轉(zhuǎn)換的磁場(chǎng)，以避免MRAM單元60B與60C誤動(dòng)作。例如，若此時(shí)MRAM單元60B的自由磁軸層的磁軸方向?yàn)橄蛴遥瑒t此時(shí)于位線B2所提供的電流IPGM2必須于MRAM單元60B產(chǎn)生約略向右的磁場(chǎng)，以增加改變MRAM單元60B的自由磁軸層磁軸方向所需的能量。同樣的，若此時(shí)MRAM單元60C的自由磁軸層的磁軸方向?yàn)橄蜃?，則此時(shí)于位線B3所提供的電流IPGM3必須于MRAM單元60C產(chǎn)生約略向左的磁場(chǎng)，亦即此時(shí)編程電流IPGM3的電流方向與IPGM2相反，因此增加改變MRAM單元60C的自由磁軸層磁軸方向所需的能量，防止MRAM單元60B與60C的導(dǎo)通狀態(tài)改變。
當(dāng)要讀取MRAM單元60A所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)時(shí)，此時(shí)將編程線G以及PL1接地，并將選取線W1的電壓位準(zhǔn)拉升至高位準(zhǔn)。由于此時(shí)NMOS晶體管64A以及64B為導(dǎo)通狀態(tài)因此由位線B1所提供的讀取電流Ir經(jīng)由二極管62A以及MRAM單元60A而流至接地點(diǎn)，并根據(jù)所偵測(cè)位線B1的電壓可得知MRAM單元60A目前所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。特別注意的是，由于二極管62A～62C的設(shè)計(jì)，能夠防止讀取電流Ir經(jīng)由其它MRAM單元而流至耦接于其它MRAM單元的位線，因此可避免影響MRAM單元60A的數(shù)據(jù)讀取結(jié)果。
根據(jù)本實(shí)施例是以三個(gè)串接的MRAM單元共享一共同導(dǎo)電層為例，然而在實(shí)際運(yùn)用上，串接的MRAM單元可達(dá)128個(gè)單元。以三個(gè)串接MRAM單元為例，其需要的組件為耦接各MRAM單元的位線以及位于共同導(dǎo)電層兩端的兩個(gè)開關(guān)裝置，遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)電路所需的電路組件以及導(dǎo)線數(shù)，故大幅減少隨機(jī)存取存儲(chǔ)數(shù)組電路所需的成本以及尺寸。再者，于執(zhí)行編程步驟時(shí)，藉由獨(dú)立控制同一組串接MRAM單元的各位線電流，即可同時(shí)改變多個(gè)MRAM單元的導(dǎo)通狀態(tài)，且確保其它不打算編程的MRAM單元的導(dǎo)通狀態(tài)不會(huì)被改變，大幅提高編程的效率以及穩(wěn)定性。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)數(shù)組電路，能夠藉由需要較少面積的二極管以取代需要占用相當(dāng)大面積的晶體管，有效減小目前MRAM存儲(chǔ)數(shù)組的尺寸。
雖然本發(fā)明已以多個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，包括多個(gè)磁阻式存儲(chǔ)單元，具有一固定磁軸層、具有一既定自由磁軸方向的一自由磁軸層，以及設(shè)置于上述固定磁軸層以及自由磁軸層之間的絕緣層；一共同導(dǎo)電層，用以耦接上述磁阻式存儲(chǔ)單元；多個(gè)限流裝置，分別具有第一極以及第二極，各限流裝置的第一極是分別耦接于上述磁阻式存儲(chǔ)單元；一開關(guān)裝置，耦接于上述共同導(dǎo)電層的一端，并具有一控制閘；多個(gè)字元線，分別耦接于上述限流裝置的第二極，用以于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)提供第一編程電流以及執(zhí)行讀取動(dòng)作時(shí)提供讀取電流；一第一編程線，耦接于上述共同導(dǎo)電層的另一端，用以于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)提供第二編程電流；一第二編程線，耦接于上述開關(guān)裝置；以及一選取線，耦接于上述控制閘，用以提供一致能信號(hào)以導(dǎo)通上述開關(guān)裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)，上述第二編程線是接地，且上述致能信號(hào)導(dǎo)通上述開關(guān)裝置，使得上述第二編程電流經(jīng)由上述共同導(dǎo)電層以及開關(guān)裝置而流至上述第二編程線。
3.如權(quán)利要求2所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)，上述位線所提供的第一編程電流的方向是根據(jù)所對(duì)應(yīng)的上述磁阻式存儲(chǔ)單元是否被切換導(dǎo)通方向而定。
4.如權(quán)利要求3所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，欲切換上述磁阻式存儲(chǔ)單元的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，上述磁阻式存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的位線所提供的第一編程電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)是與上述磁阻式存儲(chǔ)單元的自由磁軸方向相反。
5.如權(quán)利要求3所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述磁阻式存儲(chǔ)單元的導(dǎo)通狀態(tài)不改變時(shí)，上述磁阻式存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的位線所提供的第一編程電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)是與上述磁阻式存儲(chǔ)單元的自由磁軸方向相同。
6.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，于執(zhí)行讀取動(dòng)作時(shí)，上述第一選取線與第二選取線是接地，而上述致能信號(hào)是導(dǎo)通上述開關(guān)裝置，使得上述讀取電流經(jīng)由上述位線、限流裝置以及上述磁阻式存儲(chǔ)單元而流至接地點(diǎn)，并根據(jù)上述位線的電壓位準(zhǔn)而讀取儲(chǔ)存于上述磁阻式存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述限流裝置為二極管。
8.如權(quán)利要求7所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述限流裝置的第一極為二極管的正極。
9.如權(quán)利要求8所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述限流裝置的第二極為二極管的負(fù)極。
10.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述開關(guān)裝置為MOS晶體管、微機(jī)械開關(guān)以及熱遮斷開關(guān)之一者。
11.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述固定磁軸層是耦接于上述共同導(dǎo)電層。
12.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，其特征在于，上述自由磁軸層是耦接于上述共同導(dǎo)電層。
全文摘要
一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路，包括下列組件多個(gè)磁阻式存儲(chǔ)單元，具有固定磁軸層、自由磁軸層，以及設(shè)置于固定磁軸層以及自由磁軸層之間的絕緣層。共同導(dǎo)電層是用以耦接磁阻式存儲(chǔ)單元。多個(gè)限流裝置分別具有第一極以及第二極，各限流裝置的第一極是分別耦接于磁阻式存儲(chǔ)單元。開關(guān)裝置是耦接于共同導(dǎo)電層的一端，并具有一控制閘。多個(gè)字元線是分別耦接于限流裝置的第二極，用以于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)提供第一編程電流以及執(zhí)行讀取動(dòng)作時(shí)提供讀取電流。第一編程線是耦接于共同導(dǎo)電層的另一端，用以于執(zhí)行編程動(dòng)作時(shí)提供第二編程電流。第二編程線是耦接于開關(guān)裝置。選取線是耦接于控制閘，用以提供一致能信號(hào)以導(dǎo)通上述開關(guān)裝置。
文檔編號(hào)G11C11/15GK1574071SQ20041004832
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月18日
發(fā)明者鄧端理, 林文欽 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司