專利名稱：具有帶封裝加熱元件的熱輔助寫頭的磁頭及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般性地涉及薄膜硬盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中所使用的磁頭，尤其涉及其中形成存儲(chǔ)介質(zhì)加熱器件的磁頭的設(shè)計(jì)及制備方法。
背景技術(shù)：
正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟悉的，標(biāo)準(zhǔn)磁頭包含寫頭(write head)元件，其包含兩個(gè)磁極，這兩個(gè)磁極通常被稱為P1極和P2極，它們之間形成一個(gè)寫間隙層。在數(shù)據(jù)記錄過程中，磁通(magnetic flux)在兩極間的寫間隙上的通過產(chǎn)生了磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)影響到靠近磁頭的硬盤上磁介質(zhì)的薄膜層，使得變化的磁通在磁介質(zhì)內(nèi)產(chǎn)生數(shù)據(jù)位。
對(duì)磁介質(zhì)的更高數(shù)據(jù)記錄密度的持續(xù)不斷的尋求要求有更小的位單元(bit cell)，其中要求減少單元中記錄材料(顆粒)的體積和/或增加矯頑力(Hc)。當(dāng)位單元尺寸得以充分減少時(shí)，超順磁極限問題會(huì)給出磁記錄表面密度的物理極限。目前延緩這種存儲(chǔ)介質(zhì)的極限的出現(xiàn)的方法是使用熱輔助記錄磁頭，其中在這樣的磁頭內(nèi)布置加熱器件。該加熱器件所產(chǎn)生的熱被導(dǎo)向存儲(chǔ)介質(zhì)，并且它暫時(shí)地減少該介質(zhì)的局部矯頑力，使得磁頭能夠在磁介質(zhì)內(nèi)記錄數(shù)據(jù)位。一旦該介質(zhì)恢復(fù)到其周圍的溫度，介質(zhì)的非常高的矯頑力提供了記錄數(shù)據(jù)所需要的位存留時(shí)間(bit latency)。
在磁頭內(nèi)建立這樣的加熱器件的問題在于需要保護(hù)加熱器件以免在隨后的其它磁頭部件的制備中受到例如濺蝕和/或離子銑削的侵蝕性(aggressive)處理步驟的影響。因此需要提供在其制備之后對(duì)這樣的加熱器件的防護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的磁頭包含在制備磁頭的讀頭部件之后在磁頭結(jié)構(gòu)內(nèi)制備的介質(zhì)加熱器件。該介質(zhì)加熱器件用于在磁介質(zhì)通過磁頭的寫極尖下方之前，將磁介質(zhì)立即加熱。加熱該介質(zhì)降低了它的局部矯頑力，因此利于磁頭的寫頭將數(shù)據(jù)寫入該介質(zhì)。
為了在隨后的處理步驟期間防止加熱器件受到損壞，在加熱器件上形成犧牲材料層，并且在隨后的處理期間犧牲層先被去掉，使得該加熱器件得以保護(hù)。在示例性實(shí)施例中，該介質(zhì)加熱器件在靠近磁頭的ABS面的第一磁極層上制備。在加熱器件的制備之后，犧牲層被沉積。其后，例如寫頭感應(yīng)線圈和/或P1極基底(pedestal)的寫頭部件在加熱器件上制備，而犧牲層則在用于制備那些部件的侵蝕和銑削步驟中基本上被消耗掉。其后，包含第二磁極的其它部件被制備出來(lái)以完成磁頭的寫頭部分的制備。
在優(yōu)選實(shí)施例中，加熱器件包含電阻加熱元件，并且在加熱元件之下和之上制備電絕緣層以防止電短路，并在電絕緣層上形成犧牲層。該加熱元件最好由NiCr、CrV或NiFe構(gòu)成，而絕緣層最好由氧化鋁和/或SiO2構(gòu)成，使得只有常用的感應(yīng)磁頭材料在制備加熱器件時(shí)被引入到磁頭中。犧牲層可以由氧化鋁，或例如NiFe、能夠作為諸如P1極基底的后續(xù)磁頭部件的種子層的材料構(gòu)成。
本發(fā)明磁頭的優(yōu)點(diǎn)在于包含改進(jìn)的介質(zhì)加熱器件，以利于數(shù)據(jù)寫入磁盤。
本發(fā)明磁頭的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在加熱器件上制備犧牲層以便在后續(xù)磁頭制備步驟中保護(hù)該加熱器件。
本發(fā)明磁頭的進(jìn)一步優(yōu)點(diǎn)在于該加熱器件被沉積在磁頭的P1極基底的之下，而犧牲層由作為P1極基底的電鍍的種子層的材料構(gòu)成。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)點(diǎn)在于包含具有改進(jìn)介質(zhì)加熱器件的磁頭，以利于數(shù)據(jù)寫入到磁盤中。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它包含具有犧牲層的磁頭，該犧牲層在加熱器件之上制備，以在后續(xù)制備步驟中保護(hù)磁頭。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器的進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)在于包含具有加熱器件的磁頭，該加熱器件被沉積在磁頭的P1極基底之下，而犧牲層由作為P1極基底的電鍍的種子層的材料構(gòu)成。
毫無(wú)疑問，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在參照附圖閱讀下列詳細(xì)描述之后，能夠理解本發(fā)明的這些和其它的特性和優(yōu)點(diǎn)。


下列附圖并沒有按實(shí)際裝置的尺寸畫出，這里附圖僅用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行舉例說明。
圖1是包含本發(fā)明磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器的示意俯視圖；圖2是描述現(xiàn)有技術(shù)磁頭的各種部件的側(cè)橫截面圖；圖3是描述用于制備本發(fā)明磁頭的起始處理步驟的側(cè)橫截面圖；圖4是描述可以在本發(fā)明磁頭內(nèi)制備的介質(zhì)加熱器件的俯視圖；圖5-9是描述用于制備本發(fā)明磁頭的相繼處理步驟的側(cè)橫截面圖；圖10是描述在本發(fā)明磁頭的加熱器件上的犧牲層的俯視圖；圖11-14是描述用于制備本發(fā)明磁頭的進(jìn)一步相繼處理步驟的側(cè)橫截面圖；圖15是描述本發(fā)明的已完成磁頭的側(cè)橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
增加硬盤驅(qū)動(dòng)器的表面數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的努力導(dǎo)致磁頭的寫頭元件功能和結(jié)構(gòu)的改善。普通硬盤驅(qū)動(dòng)器10簡(jiǎn)化俯視圖如圖1所示，該硬盤驅(qū)動(dòng)器適宜包含本發(fā)明的磁頭。如其中所示，至少一個(gè)硬盤14可旋轉(zhuǎn)地被安放在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的主軸18上。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的那樣，在其上沉積有磁頭26的滑塊22被安放在致動(dòng)臂30上，以使磁頭在每個(gè)旋轉(zhuǎn)的硬盤14的表面上飛行。本發(fā)明包含這樣的磁頭26的改進(jìn)特性和制造方法，并且為了更好地描述本發(fā)明，下面將描述現(xiàn)有技術(shù)中所用的磁頭。
正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的那樣，圖2是描述現(xiàn)有技術(shù)磁頭38的部分的側(cè)橫截面圖。磁頭38包含第一磁屏蔽層(S1)40，它在滑塊體材料22的表面44上形成。讀頭傳感器元件52被沉積在絕緣層56內(nèi)，并且在該絕緣層56上形成第二磁屏蔽層(S2)58。然后在S2屏蔽層58上沉積電絕緣層59，而第一磁極(P1)60在該絕緣層59上進(jìn)行制備。
在制備P1層60之后，在P1層60上制備P1極基底64，并且在包含P1極基底64的層內(nèi)，在P1層上制備第一感應(yīng)線圈層68。其后，寫間隙層72被沉積，接著進(jìn)行P2磁極尖76的制備。在含有P2極尖76的層上制備第二感應(yīng)線圈層80。其后，制備第二磁極的磁軛(yoke)部分84且讓其與P2極尖76磁連接，并通過后間隙(back gap)元件88和89連到P1層60。磁頭接著被封裝在氧化鋁90中并且進(jìn)行制備，使得產(chǎn)生氣浮面(ABS)92。應(yīng)當(dāng)理解的是，有許多詳細(xì)制備步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟悉并且在這里不必多加描述便可完整地理解本發(fā)明。
如上所示，本發(fā)明是包含加熱器件的磁頭，該加熱器件在記錄數(shù)據(jù)位到高矯頑力磁介質(zhì)時(shí)提供熱輔助。正如從下列詳細(xì)的描述中所理解的，本發(fā)明的磁頭包含對(duì)電阻加熱器件制備過程的改進(jìn)，其中加熱器件可以沉積在磁頭內(nèi)的不同位置。為了易于描述，本申請(qǐng)將詳細(xì)描述在P1極基底64之下和P1極層60之上制備的加熱器件；然而，本發(fā)明并不限制于該位置。同樣，例如感應(yīng)線圈的其它磁頭元件的位置和制備也可以改變，并且本發(fā)明不限于例如感應(yīng)線圈的元件的位置或數(shù)量。下面將描述在本發(fā)明的磁頭26內(nèi)的加熱器件的制備。
圖3描述了所制備的磁頭26的讀頭部分。象圖2的現(xiàn)有技術(shù)磁頭那樣，它包含第一磁屏蔽層40、讀頭傳感器元件52和第二磁屏蔽層58。因此應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的磁頭在制備磁頭的讀頭部分方面沒有明顯的改變。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，在一個(gè)可選磁頭設(shè)計(jì)中，S2屏蔽58也作為第一磁極，在這種情形中，不制備絕緣層59。這種可選磁頭設(shè)計(jì)被稱為合并磁頭，并且本發(fā)明的加熱器件能夠以與在背負(fù)式(piggyback)磁頭設(shè)計(jì)中的制備方式同樣的方式在合并磁頭的屏蔽/磁極58上進(jìn)行制備，其中背負(fù)式磁頭設(shè)計(jì)將在這里詳細(xì)地進(jìn)行描述。
如圖3所述，在P1極層60的制備之后，最好采取化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟以獲得光滑表面104，其中在該光滑表面上制備磁頭的其它結(jié)構(gòu)。接著，將最好由氧化鋁或SiO2構(gòu)成的絕緣層108沉積在P1層60的表面104上。絕緣層108提供如下所述的加熱器件與P1層60的電絕緣。
接著在絕緣層108的頂部制備加熱器件112，圖4是這樣的加熱器件的俯視圖。如圖4所示，該加熱器件112可以利用著名的光刻技術(shù)進(jìn)行制備，在這種技術(shù)中，加熱器件112的電阻加熱元件116和電導(dǎo)體(lead)120被相繼制備出來(lái)。制備這樣的加熱元件的細(xì)節(jié)描述可參見美國(guó)專利申請(qǐng)SJO9-2002-0096US1，于＿＿＿＿提交，題目為＿＿＿＿，這里完整地參考引用其公開內(nèi)容?；旧?，加熱器件112包含中心電阻加熱元件116，其中在后續(xù)制備寫頭磁極尖的位置下方制備該加熱元件。盡管不必要，然而希望電導(dǎo)體120的內(nèi)邊緣之間的加熱元件116的中心部分幾乎與極尖的軌道寬度一樣寬，因?yàn)橐话悴幌Ｍ訜岢练e在與正寫入磁道相鄰的數(shù)據(jù)磁道上的磁介質(zhì)的部分。同樣地，盡管不是必要的，然而希望將加熱元件116制備成稍微離開磁頭的氣浮面(ABS)92，以限制寫入操作期間對(duì)加熱元件116的侵蝕，并避免從加熱器件112到介質(zhì)盤的可能放電。
圖5的橫截面圖中提供了加熱元件和導(dǎo)體端部的放大橫截面圖，該圖是沿圖4的線5-5的方向取得的。如圖4和圖5中所見，可以首先制備加熱元件116，接著電導(dǎo)體元件120沉積在加熱元件116的頂部并且從加熱元件116的邊緣124橫向延伸。在一個(gè)產(chǎn)生這樣的加熱器件112的方法中，加熱元件材料的薄膜被沉積在第一電絕緣層108上的晶片表面上。在制備電導(dǎo)體120期間加熱元件膜的中心部分用掩模130來(lái)保護(hù)，并且可以在沉積導(dǎo)體材料之后在導(dǎo)體材料120上沉積電絕緣氧化鋁的保護(hù)層134。其后，該掩模130被去掉，并且如圖6所示，以電導(dǎo)體的覆蓋輪廓(footprint)的形狀(該覆蓋輪廓在圖4的俯視圖中示出)形成掩模140。圖6是沿圖4中的線6-6取得的加熱器件112的側(cè)橫截面圖，其中描述了區(qū)域材料(field material)的清除和掩模140對(duì)加熱元件的保護(hù)。接著完成離子銑削或噴濺蝕刻步驟，其中不被掩模140保護(hù)的域144中的氧化鋁和電導(dǎo)體材料被清除。
之后，如圖7所示，清除掩模140，暴露出加熱器件112的表面。如上所示，本發(fā)明的目的是在后續(xù)的磁頭制備步驟期間保護(hù)加熱器件112。起初，如圖7所示，最好由氧化鋁構(gòu)成的電絕緣層150在晶片表面全膜(full film)沉積。氧化鋁絕緣層150的期望厚度近似為250。為了進(jìn)一步保護(hù)該加熱器件112，接著在氧化鋁絕緣層150上，在晶片表面全膜沉積將在以后的處理中被犧牲的材料層154。如從下述說明中所理解的那樣，犧牲層154旨在在例如噴濺蝕刻和/或離子銑削步驟的后續(xù)侵蝕制備步驟期間保護(hù)加熱器件112，而并不旨在在已制備完成的磁頭中保留全部犧牲層154，如下所述。犧牲層154的厚度近似地為1000至2000，并且最好由磁頭中常用的材料構(gòu)成。于是，犧牲層154可以由氧化鋁或例如鎳鐵的材料構(gòu)成，該材料可以充當(dāng)在加熱器件上制備的、例如下述P1極基底的后續(xù)磁頭部件的種子層。
接著如圖8所示，在晶片表面上犧牲層154的全膜沉積之后，雙層掩模160在加熱器件112上制備以保護(hù)該加熱器件。其后如圖9所示，完成離子銑削步驟，其中清除犧牲層154的未掩模域部分。在離子銑削步驟之后，例如通過使用合適的溶劑清除掩模160。圖9描述了在銑削步驟之后仍然保留的犧牲層154和氧化鋁絕緣層150，圖10是在加熱器件112上仍然保留的保護(hù)性犧牲層154的俯視圖。圖10中容易見到，仍然保留的犧牲層154的尺寸被定為保護(hù)加熱器件的中心部分，該中心部分包含中央的加熱元件116和電導(dǎo)體120的內(nèi)側(cè)部分。因此，保護(hù)性犧牲層154向外擴(kuò)展到足夠的范圍以保護(hù)加熱器件112的中央部分免受后續(xù)例如噴濺蝕刻和離子銑削的侵蝕性處理步驟的影響，這些后續(xù)步驟是在制備進(jìn)一步的磁頭部件時(shí)所采取的，將在下面通過例子進(jìn)行描述。
圖11是與圖3類似的側(cè)橫截面圖，示出的是布置在絕緣層108上的所制備的加熱器件112，其上面形成有氧化鋁層150和犧牲層154。作為例子，并且如下面描述的，接著可以在磁頭上制備感應(yīng)線圈。如圖12所示，在制備感應(yīng)線圈時(shí)，通常由銅構(gòu)成的種子層174首先沉積在晶片上，包含上述犧牲層154。其后，通過已知的制備步驟，以感應(yīng)線圈線匝(induction coil turn)溝槽的形狀將電鍍光致抗蝕劑層(沒有示出)制備在種子層174上，并且感應(yīng)線圈線匝178后續(xù)被電鍍光致抗蝕劑層的線匝溝槽內(nèi)。接著例如通過使用化學(xué)涂層消除劑清除光致抗蝕劑層。此時(shí)，線圈線匝178被制備在種子層上，并且接著需要清除種子層174，特別是清除感應(yīng)線圈線匝178之間的種子層，以防止線圈線匝之間的電短路。
利用侵蝕性噴濺蝕刻步驟(其中從晶片的表面蝕刻掉種子層174)完成種子層174的清除。因?yàn)榉N子層174難以從線圈線匝178之間的相對(duì)緊湊的空間完全清除，需要侵蝕性蝕刻處理以確保其清除。圖13描述的是在種子層清除蝕刻步驟之后的磁頭?？梢钥闯?，確保從感應(yīng)線圈線匝之間清除種子層的侵蝕性蝕刻從其它暴露的晶片面元件上清除了大量材料，包含加熱器件112上的材料。因此，如圖13所見，幾乎所有的犧牲層154已經(jīng)在清除感應(yīng)線圈種子層的處理步驟中被蝕刻掉(被犧牲掉)。如果犧牲層154還沒有制備，則侵蝕性種子層蝕刻步驟將會(huì)導(dǎo)致清除加熱器件112上的絕緣層150，和加熱器件各部分的不希望的蝕刻和清除，從而損壞或破壞加熱器件。因此犧牲層154在后續(xù)的例如感應(yīng)線圈制備步驟的侵蝕性制備步驟中用于對(duì)加熱器件112進(jìn)行保護(hù)。
接著如圖14所示，可以沉積光刻絕緣層(patterned insulationlayer)180來(lái)填充感應(yīng)線圈，從而為后續(xù)的P1極基底64的制備提供開口184。如圖14中所見，剩余的NiFe犧牲層154能夠用作P1極基底64的種子層，它通常由例如NiFe的磁性材料構(gòu)成。同樣如圖14中所示，NiFe犧牲層的剩余部分188通?？梢员Ａ粼赑1極基底64的邊緣部分周圍，所述邊緣部分被填充絕緣層材料180所覆蓋。
接著如圖15所示，接著制備進(jìn)一步的磁頭部件以完成磁頭26的制造。制備這樣的附加部件的步驟與圖2中所示的現(xiàn)有技術(shù)中制備磁頭的那些部件所采取的步驟基本相同，并且為了容易理解，部件的編號(hào)相同。
因此應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的重要特性是犧牲層的制備，其中在加熱器件上沉積犧牲層以便在后續(xù)侵蝕性磁頭制備步驟中對(duì)加熱器件進(jìn)行保護(hù)。打算在后續(xù)的侵蝕性制備步驟中將犧牲層基本消耗掉，并且它的使用使得制造過程中增加了磁頭的產(chǎn)量，并加大了制備的磁頭的可靠性。加熱器件可以在磁頭內(nèi)的不同位置上制備，磁頭本身可以是縱向(如這里所示)或垂直磁頭，正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟悉的那樣。
盡管已經(jīng)參照某些優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明和描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本公開內(nèi)容后無(wú)疑會(huì)得到形式和細(xì)節(jié)方面的修改。因此下列權(quán)利要求旨在涵蓋所有這樣的改變和修改，只要其包含本發(fā)明的發(fā)明特征的真正精神和范圍。此外，申請(qǐng)人的意圖旨在囊括所有權(quán)利要求的要素的等同物，對(duì)本申請(qǐng)的任何權(quán)利要求的修改均不應(yīng)被解釋為對(duì)修改的權(quán)利要求的任何要素或特征的等同物的任何利益或權(quán)利的放棄。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，包括磁極；介質(zhì)加熱器件；布置在所述介質(zhì)加熱器件之下的第一電絕緣層；布置在所述介質(zhì)加熱器件之上的第二電絕緣層；布置在所述第二電絕緣層上的犧牲層。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中所述加熱器件被布置在所述磁極的鄰近，所述犧牲層被布置在所述加熱器件和所述磁極之間。
3.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其中所述犧牲層由作為所述磁極的種子層的材料構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的磁頭，其中所述種子層由NiFe構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其中所述磁極包含磁極基底，其中所述犧牲層被布置在所述介質(zhì)加熱器件和所述磁極基底之間。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中所述犧牲層的各部分暴露在磁頭的氣浮面處。
7.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中所述犧牲層厚度小于大約2000。
8.一種包含磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括磁極；介質(zhì)加熱器件；布置在所述介質(zhì)加熱器件之下的第一電絕緣層；布置在所述介質(zhì)加熱器件之上的第二電絕緣層；布置在所述第二電絕緣層上的犧牲層。
9.如權(quán)利要求8所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述加熱器件被布置在所述磁極的鄰近，所述犧牲層被布置在所述加熱器件和所述磁極之間。
10.如權(quán)利要求9所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述犧牲層由作為所述磁極的種子層的材料構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述種子層由NiFe構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求9所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述磁極包含磁極基底，其中所述犧牲層被布置在所述加熱器件和所述磁極基底的下面。
13.如權(quán)利要求8所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述犧牲層的各部分暴露在磁頭的氣浮面處。
14.如權(quán)利要求8所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述犧牲層的厚度小于2000。
15.一種制備磁頭的方法，包括制備所述磁頭的第一磁極；在所述第一磁極上沉積第一電絕緣層；在所述第一電絕緣層上制備介質(zhì)加熱器件；在所述介質(zhì)加熱器件上沉積第二電絕緣層；在所述第二電絕緣層上沉積犧牲層；制備所述磁頭的進(jìn)一步部件，其中所述進(jìn)一步部件的所述制備包含導(dǎo)致清除布置在所述介質(zhì)加熱器件上的所述犧牲層的各部分的步驟。
16.如權(quán)利要求15所述的制備磁頭的方法，其中所述犧牲層由充當(dāng)種子層的材料構(gòu)成，該種子層用于磁頭的另一部件的電鍍。
17.如權(quán)利要求15所述的制備磁頭的方法，其中所述介質(zhì)加熱器件包含電阻加熱元件。
18.如權(quán)利要求15所述的制備磁頭的方法，其中沉積犧牲層的所述步驟包含在其中制備所述磁頭的晶片上全膜沉積犧牲層材料的步驟。
19.如權(quán)利要求16所述的制備磁頭的方法，其中所述犧牲層由鎳鐵構(gòu)成。
20.如權(quán)利要求15所述的制備磁頭的方法，其中所述進(jìn)一步部件是所述磁頭的感應(yīng)線圈部分。
21.如權(quán)利要求16所述的制備磁頭的方法，其中所述磁頭的所述另一部件是磁極。
22.如權(quán)利要求15所述的制備磁頭的方法，其中所述進(jìn)一步部件是磁頭的感應(yīng)線圈部分，并且在導(dǎo)致清除所述犧牲層的各部分的所述步驟之后，在所述犧牲層上制備磁極。
全文摘要
包含介質(zhì)加熱器件的磁頭。在加熱器件的制備之后，沉積犧牲層材料以在后續(xù)的處理步驟中保護(hù)該加熱器件。其后，例如寫頭感應(yīng)線圈和/或P1極基底的寫頭部件在該加熱器件上制備，在用于制造那些部件的侵蝕性蝕刻和銑削步驟中，犧牲層被基本消耗掉以保護(hù)該加熱器件。包含第二磁極的進(jìn)一步部件之后被制備以完成磁頭的寫頭部分的制備。犧牲層可以由氧化鋁，或例如NiFe、可以作為例如P1極基底的后續(xù)頭部件的種子層的材料構(gòu)成。
文檔編號(hào)G11B5/127GK1584990SQ200410058819
公開日2005年2月23日 申請(qǐng)日期2004年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月30日
發(fā)明者小羅伯特·E.·范塔納, 杰弗里·S.·莉莉 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司