專利名稱：非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及是一種內(nèi)存組件(memory device)的操作方法，且特別是有關(guān)一種非揮發(fā)內(nèi)存(non-volatile memory)的程序化方法。
背景技術(shù)：
由于可程序化的非揮發(fā)內(nèi)存可用以提高電路設(shè)計(jì)的彈性，且具有輕巧及無電源時(shí)仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)，所以其相關(guān)應(yīng)用愈來愈廣。在公知非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法中，都是使用固定的參考位準(zhǔn)(reference level)來區(qū)別內(nèi)存單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存狀態(tài)(后文簡(jiǎn)稱儲(chǔ)存態(tài))，此參考位準(zhǔn)可能為電流或啟始電壓(threshold voltage，VT)的參考位準(zhǔn)。
公知在程序化每?jī)?nèi)存單元儲(chǔ)存1位(1-bit per cell)的一次程序化(one-time programmable，OTP)非揮發(fā)內(nèi)存時(shí)，是使用一個(gè)固定的參考位準(zhǔn)；而在程序化多級(jí)單元(multi-level cell，MLC)內(nèi)存或可多次程序化(multi-time programmable，MTP)內(nèi)存時(shí)，則會(huì)使用數(shù)個(gè)固定的參考位準(zhǔn)，如圖1～2所示，其中圖1(A)顯示在理想狀態(tài)下，每?jī)?nèi)存單元2位(2-bit percell)的MLC內(nèi)存中各儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布與各固定參考位準(zhǔn)之間的關(guān)系。圖2(A)則是理想狀態(tài)下，MTP內(nèi)存在第1次及第2次程序化之后，各儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布與各固定參考位準(zhǔn)之間的關(guān)系。
然而，在程序化非揮發(fā)內(nèi)存時(shí)使用固定的參考位準(zhǔn)，卻有程序化速率難以提升的問題。這是因?yàn)樘岣叱绦蚧俾蕰r(shí)，內(nèi)存單元的寫入程度不易穩(wěn)定控制，而容易產(chǎn)生過度程序化(over-programming)的問題，致使內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布變寬。如圖1(B)或2(B)所示，此時(shí)MLC或MTP內(nèi)存的儲(chǔ)存態(tài)間裕度(inter-state window，代號(hào)w)即會(huì)變窄，而容易造成數(shù)據(jù)值誤判的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明目的的為提出一種非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其可避免過度程序化及儲(chǔ)存態(tài)間裕度變窄的問題。
本發(fā)明的另一目的為提出一種非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，以解決公知程序化方法的速率難以提升的問題。
本發(fā)明的又一目的為提出一種多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其是應(yīng)用本發(fā)明的非揮發(fā)內(nèi)存程序化方法而得。
本發(fā)明的再一目的為提出一種可多次程序化(MTP)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其是應(yīng)用本發(fā)明的非揮發(fā)內(nèi)存程序化方法而得。
本發(fā)明的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，是先依照儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布情形選定一參考位準(zhǔn)，再依照此參考位準(zhǔn)，將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至下一儲(chǔ)存態(tài)。其中，參考位準(zhǔn)是在儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍與下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布范圍之間。此處所謂的“位準(zhǔn)”可以是電流的位準(zhǔn)，也可以是啟始電壓的位準(zhǔn)，根據(jù)非揮發(fā)內(nèi)存的種類而定。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)高于該儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)，且參考位準(zhǔn)介于儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)與下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)之間。另外，上述非揮發(fā)內(nèi)存可以是一次程序化(OTP)內(nèi)存、可多次程序化(MTP)內(nèi)存、多級(jí)單元(MLC)內(nèi)存，或是可程序電阻不需擦除內(nèi)存(Programmable Resistor with Erase-lessMemory，PREM)等等。
本發(fā)明的多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法即是應(yīng)用上述本發(fā)明的程序化方法，而從位準(zhǔn)最低的儲(chǔ)存態(tài)開始程序化。對(duì)每一內(nèi)存單元可具有位準(zhǔn)由低至高的第1至第N儲(chǔ)存態(tài)的MLC非揮發(fā)內(nèi)存而言，此方法是令儲(chǔ)存態(tài)指針i的起始值為1，然后重復(fù)步驟(a)-依照第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布選定第i參考位準(zhǔn)，以及步驟(b)-依照第i參考位準(zhǔn)將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至第i+1儲(chǔ)存態(tài)，直至第N儲(chǔ)存態(tài)的程序化完成為止，其中每次重復(fù)前皆將i值加1，且第i參考位準(zhǔn)是介于第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)與第i+1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)之間。
本發(fā)明的可多次程序化(MTP)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法也是上述本發(fā)明的程序化方法的應(yīng)用。首先，依照所有內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布選定一參考位準(zhǔn)，然后重設(shè)各內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)為第一儲(chǔ)存態(tài)。接著，依照此參考位準(zhǔn)將部分內(nèi)存單元程序化為第二儲(chǔ)存態(tài)。其中，參考位準(zhǔn)是介于第一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)與第二儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)之間。
由于本發(fā)明的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法并不使用固定的參考位準(zhǔn)，而是依照一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布情形來選擇參考位準(zhǔn)，再依此參考位準(zhǔn)將預(yù)定內(nèi)存單元程序化至下一儲(chǔ)存態(tài)，所以參考位準(zhǔn)可以配合內(nèi)存單元位準(zhǔn)的實(shí)際分布情形來調(diào)整，而不會(huì)產(chǎn)生儲(chǔ)存態(tài)間裕度變窄的問題。因此，本發(fā)明可以解決數(shù)據(jù)值誤判的問題。同時(shí)，由于參考位準(zhǔn)可以配合內(nèi)存單元位準(zhǔn)的實(shí)際分布情形作調(diào)整，所以使用本發(fā)明的方法即可容許較寬的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍，也就是說可容許使用較高的程序化速率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明


圖1(A)是在理想狀態(tài)下，每?jī)?nèi)存單元2位的MLC內(nèi)存中內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布與各固定參考位準(zhǔn)之間的關(guān)系；圖1(B)是過度程序化時(shí)的情形。
圖2(A)是在理想狀態(tài)下，一個(gè)MTP內(nèi)存在第一次及第二次程序化之后，其中內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布與各固定參考位準(zhǔn)之間的關(guān)系；圖2(B)是過度程序化時(shí)的情形。
圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例的程序化多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存的方法的流程圖。
圖4是本發(fā)明較佳實(shí)施例的可多次程序化(MTP)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法的流程圖。
圖5是本發(fā)明較佳實(shí)施例的程序化多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存的方法，其是以每一內(nèi)存單元可儲(chǔ)存2位的情形為例。
圖6是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，使用本發(fā)明的方法對(duì)MTP非揮發(fā)內(nèi)存進(jìn)行多次程序化的過程的范例。
圖號(hào)說明310～350、410～440步驟標(biāo)號(hào)
具體實(shí)施例方式
在下文中，本發(fā)明的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法雖是以多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存及可多次程序化(MTP)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法為例，但依照本發(fā)明的精神，本發(fā)明當(dāng)可應(yīng)用于較簡(jiǎn)單的一次程序化(OTP)非揮發(fā)內(nèi)存，以及更復(fù)雜的多位準(zhǔn)、多次可程序化非揮發(fā)內(nèi)存上。
圖3所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法的流程圖。在程序化開始時(shí)(步驟310)，是先令儲(chǔ)存態(tài)指針i的起始值為1。接著依照第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布選定第i參考位準(zhǔn)(步驟320)，其值高于第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)。然后，依照第i參考位準(zhǔn)將預(yù)定內(nèi)存單元程序化至第i+1儲(chǔ)存態(tài)(步驟330)，此第i+1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)高于第i參考位準(zhǔn)。接著，判斷程序化是否已完成(步驟340)，也就是最高位準(zhǔn)的儲(chǔ)存態(tài)的程序化是否已進(jìn)行過。如未完成，即回到步驟320重新循環(huán)，直至最高位準(zhǔn)的儲(chǔ)存態(tài)的程序化完成為止(步驟350)，其中每次重復(fù)前都將i值加1。
圖4所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的可多次程序化(MTP)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法的流程圖。在程序化操作開始(步驟410)之后，先依此MTP非揮發(fā)內(nèi)存的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布選定參考位準(zhǔn)，其值是高于各內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)，然后重設(shè)各內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)為某一儲(chǔ)存態(tài)(步驟420)。接著，依照此參考位準(zhǔn)將部分內(nèi)存單元程序化為另一儲(chǔ)存態(tài)(步驟430)，此程序化操作即結(jié)束(步驟440)，其中另一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)是高于參考位準(zhǔn)。
圖5所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的多級(jí)單元(MLC)非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其是以每一內(nèi)存單元可儲(chǔ)存2位，而具有位準(zhǔn)由低至高的00、01、10及11四種儲(chǔ)存態(tài)的情形為例。如圖5所示，首先決定出所有內(nèi)存單元都未經(jīng)程序化時(shí)的位準(zhǔn)分布，其即第1儲(chǔ)存態(tài)(00)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布，然后選擇一個(gè)在00儲(chǔ)存態(tài)的最高位準(zhǔn)以上的位準(zhǔn)作為第1參考位準(zhǔn)。接著依照第1參考位準(zhǔn)將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至第2儲(chǔ)存態(tài)(01)，并使01儲(chǔ)存態(tài)的最低位準(zhǔn)高于第1參考位準(zhǔn)。后續(xù)第2參考位準(zhǔn)的決定及第3儲(chǔ)存態(tài)(10)的程序化，以及第3參考位準(zhǔn)的決定及第4儲(chǔ)存態(tài)(11)的程序化，即可依照前述方法先后進(jìn)行。
另外，上述各參考位準(zhǔn)可自程序化前預(yù)設(shè)的多個(gè)候選參考位準(zhǔn)中選出。請(qǐng)參照?qǐng)D5，此例是先預(yù)設(shè)多個(gè)候選參考位準(zhǔn)A～K。在決定出00儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布之后，即可自高于00儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)的各候選參考位準(zhǔn)A～K中，選擇能配合預(yù)定的儲(chǔ)存態(tài)間裕度的候選參考位準(zhǔn)A作為第1參考位準(zhǔn)。在依照第1參考位準(zhǔn)完成01儲(chǔ)存態(tài)的程序化之后，即可自高于01儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)的各候選參考位準(zhǔn)D～K中，選擇能配合預(yù)定的儲(chǔ)存態(tài)間裕度的候選參考位準(zhǔn)D作為第2參考位準(zhǔn)。依此類推，在依照第2參考位準(zhǔn)完成10儲(chǔ)存態(tài)的程序化之后，即可自高于10儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)的各候選參考位準(zhǔn)G～K中，選擇能配合預(yù)定的儲(chǔ)存態(tài)間裕度的候選參考位準(zhǔn)G作為第3參考位準(zhǔn)，然后再依此第3參考位準(zhǔn)進(jìn)行最后11儲(chǔ)存態(tài)的程序化操作。
再者，上述的MLC非揮發(fā)內(nèi)存例如為一可程序電阻不需擦除內(nèi)存(PREM)，其內(nèi)存單元結(jié)構(gòu)包括以極薄介電層分隔的P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層，并是利用施加電壓所造成的介電層累進(jìn)崩潰現(xiàn)象來改變內(nèi)存單元的電流位準(zhǔn)，以進(jìn)行程序化，而其中所設(shè)的參考位準(zhǔn)為電流的位準(zhǔn)。PREM的特色在于內(nèi)存單元電流可隨程序化的電壓或時(shí)間增加而增加，故可程序化至多個(gè)不同的位準(zhǔn)，而可用作MLC非揮發(fā)內(nèi)存。同時(shí)，由于累進(jìn)崩潰現(xiàn)象是不可逆的過程，所以在程序化用作MLC非揮發(fā)內(nèi)存的PREM時(shí)，必須從位準(zhǔn)最低的儲(chǔ)存態(tài)開始程序化。
此外，雖然上述說明是以每一內(nèi)存單元可儲(chǔ)存2位的情形為例，但由本發(fā)明的原理可知，本發(fā)明并不以此為限，而當(dāng)可應(yīng)用于每?jī)?nèi)存單元可儲(chǔ)存3或更多位的可程序非揮發(fā)內(nèi)存上。
圖6所示本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，使用本發(fā)明的方法對(duì)MTP非揮發(fā)內(nèi)存進(jìn)行多次程序化的過程，其是以每一內(nèi)存單元儲(chǔ)存1位，且1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)高于0儲(chǔ)存態(tài)的情形為例。如圖6所示，在第1次程序化時(shí)，首先決定出所有內(nèi)存單元未經(jīng)程序化時(shí)的位準(zhǔn)分布，再依此選定參考位準(zhǔn)，其值高于各內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)。接著，將各內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)重設(shè)為0，再依照選定的參考位準(zhǔn)，將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至1儲(chǔ)存態(tài)，其最低位準(zhǔn)是高于此參考位準(zhǔn)。往后如有需要進(jìn)行第2次程序化，則先決定出1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布，再依此選定新的參考位準(zhǔn)，其值高于1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)。接著，將各內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)重設(shè)為0，再依照新選定的參考位準(zhǔn)，將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至1儲(chǔ)存態(tài)，其最低位準(zhǔn)是高于新選定的參考位準(zhǔn)。至于第3次及其后的程序化方法，當(dāng)可依此類推。
同樣地，上述各參考位準(zhǔn)可自第一次程序化前即預(yù)設(shè)的多個(gè)候選參考位準(zhǔn)中選出。請(qǐng)參照?qǐng)D6，此例是先預(yù)設(shè)多個(gè)候選參考位準(zhǔn)A～K。在決定出所有未經(jīng)程序化的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布之后，即可自高于內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)的各候選參考位準(zhǔn)A～K中，選擇能配合所需的儲(chǔ)存態(tài)間裕度的候選參考位準(zhǔn)A作為參考位準(zhǔn)。之后在第2次程序化中，當(dāng)1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布決定之后，即可自高于1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)的各候選參考位準(zhǔn)D～K中，選擇能配合所需的儲(chǔ)存態(tài)間裕度的候選參考位準(zhǔn)D作為參考位準(zhǔn)。
此外，上述的可多次程序化(MTP)非揮發(fā)內(nèi)存也例如為前述的PREM。如前所述，由于PREM的內(nèi)存單元電流可隨程序化時(shí)間的累積而增加，故可在使用范圍內(nèi)多次提高內(nèi)存單元的電流位準(zhǔn)，如圖6所示，而可用作MTP非揮發(fā)內(nèi)存。同時(shí)，由于累進(jìn)崩潰現(xiàn)象是不可逆的過程，所以每一次程序化時(shí)內(nèi)存單元的電流位準(zhǔn)只能提高，不能降低。
如上所述，由于本發(fā)明的程序化非揮發(fā)內(nèi)存的方法是依照內(nèi)存單元的實(shí)際位準(zhǔn)分布情形來機(jī)動(dòng)調(diào)整參考位準(zhǔn)，所以不致產(chǎn)生儲(chǔ)存態(tài)間裕度縮減的問題，而可以解決數(shù)據(jù)值誤判的問題。同時(shí)，由于參考位準(zhǔn)可以配合內(nèi)存單元位準(zhǔn)的分布情形作調(diào)整，所以如使用本發(fā)明的方法，即可允許較寬的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍，也就是說可容許使用較高的程序化速率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)根據(jù)權(quán)利要求中所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于包括依照該非揮發(fā)內(nèi)存中儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布情形，選定一參考位準(zhǔn)；以及依照該參考位準(zhǔn)，將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至該儲(chǔ)存態(tài)的下一儲(chǔ)存態(tài)，其中該參考位準(zhǔn)是在儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍及該下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍之間。
2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)高于該儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)，且該參考位準(zhǔn)介于該儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)與下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)之間。
3.如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于選定該參考位準(zhǔn)的方法包括預(yù)設(shè)多個(gè)侯選參考位準(zhǔn)；以及由該儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)以上的各侯選參考位準(zhǔn)中選擇一個(gè)作為該參考位準(zhǔn)。
4.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于非揮發(fā)內(nèi)存是選自一次程序化內(nèi)存、可多次程序化內(nèi)存、多級(jí)單元內(nèi)存及可程序電阻不需擦除內(nèi)存。
5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于這些內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)是依其內(nèi)存單元電流而定，且參考位準(zhǔn)為一電流參考位準(zhǔn)。
6.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于這些內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)是依其內(nèi)存單元啟始電壓而定，且參考位準(zhǔn)為一啟始電壓參考位準(zhǔn)。
7.一種多級(jí)單元非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于該多級(jí)單元非揮發(fā)內(nèi)存的內(nèi)存單元具有位準(zhǔn)由低至高的第1至第N儲(chǔ)存態(tài)，且該方法包括(a)依照第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布，選定第i參考位準(zhǔn)；(b)依照該第i參考位準(zhǔn)，將多個(gè)內(nèi)存單元程序化至第i+1儲(chǔ)存態(tài)；以及依序重復(fù)步驟(a)與(b)，直至第N儲(chǔ)存態(tài)的程序化完成為止，其中i的起始值為1，且每次重復(fù)前都將i值加1，而第i參考位準(zhǔn)是介于第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)與第i+1儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)之間。
8.如權(quán)利要求7所述的MLC非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于還包括在進(jìn)行步驟(a)與(b)的前預(yù)設(shè)多個(gè)侯選參考位準(zhǔn)；且步驟(a)包括由第i儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)以上的各侯選參考位準(zhǔn)中選擇一個(gè)作為第i參考位準(zhǔn)。
9.如權(quán)利要求7所述的MLC非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于這些內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)是依其啟始電壓而定，且這些參考位準(zhǔn)為啟始電壓參考位準(zhǔn)。
10.如權(quán)利要求7所述的MLC非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于這些內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)是依其內(nèi)存單元電流而定，且這些參考位準(zhǔn)為電流參考位準(zhǔn)。
11.如權(quán)利要求10所述的MLC非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于該MLC非揮發(fā)內(nèi)存包括可程序電阻不需擦除內(nèi)存。
12.一種可多次程序化非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于包括依照可多次程序化非揮發(fā)內(nèi)存的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布選定一個(gè)參考位準(zhǔn)；重設(shè)各內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)為第一儲(chǔ)存態(tài)；以及依照該參考位準(zhǔn)，將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化為第二儲(chǔ)存態(tài)，其中，該參考位準(zhǔn)介于第一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)與第二儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的最低位準(zhǔn)之間。
13.如權(quán)利要求12所述的MTP非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于選定參考位準(zhǔn)的方法包括預(yù)設(shè)多個(gè)候選參考位準(zhǔn)；以及由這些內(nèi)存單元的最高位準(zhǔn)以上的各候選參考位準(zhǔn)中選擇一個(gè)作為參考位準(zhǔn)。
14.如權(quán)利要求12所述的MTP非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于這些內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)是依其啟始電壓而定，且參考位準(zhǔn)為一啟始電壓參考位準(zhǔn)。
15.如權(quán)利要求12所述的MTP非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于該些內(nèi)存單元的儲(chǔ)存態(tài)是依其內(nèi)存單元電流而定，且參考位準(zhǔn)為一電流參考位準(zhǔn)。
16.如權(quán)利要求15所述的MTP非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其特征在于該MTP非揮發(fā)內(nèi)存包括可程序電阻不需擦除內(nèi)存。
全文摘要
一種非揮發(fā)內(nèi)存的程序化方法，其是依照儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元的位準(zhǔn)分布情形選定一參考位準(zhǔn)，再依照此參考位準(zhǔn)將預(yù)定的內(nèi)存單元程序化至下一儲(chǔ)存態(tài)。其中，參考位準(zhǔn)是在該儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍及下一儲(chǔ)存態(tài)的內(nèi)存單元位準(zhǔn)分布范圍之間。
文檔編號(hào)G11C11/56GK1744231SQ20041007416
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2004年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者葉致鍇, 蔡文哲 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司