專利名稱：磁性記錄介質(zhì)及磁性記錄介質(zhì)用襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于磁性記錄介質(zhì)的襯底，和包括一個(gè)記錄層的磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在磁記錄領(lǐng)域中，利用硬盤設(shè)備進(jìn)行信息記錄是計(jì)算機(jī)(例如，個(gè)人計(jì)算機(jī))首要外部記錄設(shè)備必不可少的。隨著硬盤驅(qū)動的記錄密度的增加，能夠進(jìn)行更高密度的記錄的垂直(perpendicμlar)磁記錄類型的發(fā)展得以推進(jìn)，代替了傳統(tǒng)的縱向(longitμdinal)磁記錄方法。
在垂直(perpendicμlar)磁記錄中，相鄰字節(jié)的磁場方向與磁化方向是一致的，其在相鄰字節(jié)之間形成一個(gè)封閉的磁路，并且由自身磁化引起的自減磁場(下面稱作“去磁場”)比在橫向(horizontal)磁記錄中小，磁化條件穩(wěn)定。
在垂直磁記錄中，不用特別要求磁薄膜很薄來使得記錄密度增加。從這些方面來看，因?yàn)榇怪贝庞涗浤軌驕p少去磁場并使KμV值穩(wěn)定，其中Kμ表示各向異性能量(anisotropic energy)，能夠特別使在磁記錄情況下表示晶體的磁性各向異性能量(crystalline magneticanisotropic energy)，以及使V表示記錄比特量單位。因此，具有了防止由熱波動引起磁化的穩(wěn)定性，并可認(rèn)為這是一種記錄方法，使得記錄極限由顯著提升變?yōu)榭赡?。對于記錄媒體，垂直記錄媒體與橫向記錄媒體非常密切相關(guān)，可以在磁記錄的讀與寫方面使用基本相同的傳統(tǒng)的技術(shù)。
關(guān)于垂直磁記錄介質(zhì)，可以詳細(xì)地觀察雙層垂直磁記錄介質(zhì)，其中除了記錄層外，還有一軟磁性內(nèi)襯層(典型地是強(qiáng)磁性鐵鎳合金或類似物)，一記錄層(其候選材料為基于CoCr的合金，極薄的PtCo層和Pd和Co的薄膜，以及SmCo非晶體薄膜交互層疊而成的多層薄膜)，一保護(hù)層，和一潤滑層，都按照此順序形成于襯底上。
雙層垂直磁記錄介質(zhì)比僅具有一層作為磁功能層的記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)具有更好的寫特性。
雙層垂直磁記錄介質(zhì)的內(nèi)襯層必須是軟磁性的，并且具有一層厚度為至少100nm到大約500nm的薄膜。軟磁性內(nèi)襯層不僅是來自其上的記錄薄膜的磁通量的傳導(dǎo)通路，而且是來自記錄頭的寫流量的傳導(dǎo)通路。因此，它與永久磁鐵上鐵軛的磁電路扮演著相同的角色，由此其厚度需要比記錄層的厚度厚得多。
與橫向記錄媒體中的基于Cr的無磁性底層薄膜的形成相比，形成垂直記錄媒體的軟磁性內(nèi)襯層薄膜不是一件簡單的事情。通常，構(gòu)成橫向記錄媒體的薄膜都是通過干燥處理的(主要使用磁控濺射法magnetron spμttering)(參見日本專利未審公開號5-143972/1993)。通過干燥處理形成雙層垂直記錄介質(zhì)的記錄層和軟磁層的方法都已經(jīng)研究出來了。然而從批量生產(chǎn)和產(chǎn)量這方面來看，由于處理的穩(wěn)定性、參數(shù)設(shè)定的復(fù)雜性，以及更多其他因素，處理速度等，使得通過干燥處理形成軟磁層還存在著很大問題。此外，為達(dá)到更高密度的目的，必須使得磁盤表面上方的頭浮標(biāo)的高度(飛行高度，the flying height)，盡可能低，并且制造雙層垂直記錄介質(zhì)過程中，需要覆蓋一個(gè)金屬薄膜的襯底，其金屬薄膜的厚度能夠通過磨擦而調(diào)平。然而，通過干燥處理而獲得的厚膜的附著力很低，通過磨擦達(dá)到調(diào)平很成問題。因而，進(jìn)行了各種測試，以覆蓋一個(gè)電鍍金屬薄膜的無磁性襯底，厚的薄膜能夠通過比真空方法沉積更容易的方法而形成。

發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)通過鍍膜法形成雙層類型的垂直磁記錄介質(zhì)的軟磁層時(shí)，就會產(chǎn)生多磁疇(multiple magnetic domains)。該磁疇是在構(gòu)成了軟磁層的鍍膜表面上幾毫米到幾厘米的一個(gè)范圍內(nèi)以一特定方向進(jìn)行磁化而形成的，并且磁疇壁產(chǎn)生于這些磁疇的邊界上。當(dāng)包含這樣的磁疇壁的軟磁層應(yīng)用到雙層垂直磁記錄介質(zhì)中時(shí)，由磁疇壁部分所產(chǎn)生的漏磁疇引起的如尖峰脈沖噪聲那樣的孤立脈沖噪聲的出現(xiàn)而引起的信號再現(xiàn)特性的大幅度退化的問題就會出現(xiàn)。
為了能夠通過簡單的方法來獲得具有優(yōu)質(zhì)特性的雙層垂直磁記錄介質(zhì)，發(fā)明人對使用鍍膜法形成軟磁層的條件以及適宜使用的軟磁層的類型進(jìn)行了仔細(xì)的研究。
結(jié)果，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)利用由Co，Ni和Fe組成的一組金屬中至少兩種金屬的合金通過化學(xué)鍍層在記錄介質(zhì)的襯底上面或者上方形成一軟磁層，該軟磁層選擇那種在平行于襯底表面的方向上具有少于20奧斯特(Oe)矯頑磁力的軟磁層，且在平行于襯底表面方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的產(chǎn)生比率為4∶1到4∶3，這樣的軟磁層在防止尖峰脈沖噪聲的產(chǎn)生以及引起尖峰脈沖噪聲的磁疇壁方面有顯著的效果。
此外，申請人發(fā)現(xiàn)當(dāng)這樣的鍍層具有在垂直于襯底表面的方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為10000∶1到100∶1時(shí)，磁疇壁的產(chǎn)生能夠更多地被抑制，這是所期望的。
而且，對獲得如此的軟磁膜的鍍膜條件進(jìn)行全面的研究之后，申請人發(fā)現(xiàn)優(yōu)選地自轉(zhuǎn)或繞轉(zhuǎn)地對襯底鍍膜以使得在襯底上面或上方鍍膜形成的速度與襯底表面上方的電鍍?nèi)芤核俣鹊谋嚷蕪闹辽?∶3×106到少于1∶2×108。
也就是說，本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，包括一個(gè)直徑不多于90mm的襯底；及一個(gè)設(shè)置在襯底上面或上方的由包含Co，Ni和Fe一組中至少兩種金屬的合金鍍膜形成的軟磁層；其中軟磁層在平行于襯底表面的方向上的矯頑磁力少于20奧斯特(Oe)，且其中在平行于襯底表面的方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為4∶1到4∶3。
此外，本發(fā)明提供一種制造磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底的方法。包括在直徑不多于90mm的襯底上面或上方由包含Co，Ni和Fe一組中至少兩種金屬的合金通過非電解電鍍形成軟磁層的步驟，其中鍍膜包括在鍍膜過程中將自轉(zhuǎn)或繞轉(zhuǎn)的襯底鍍一層膜以使得在襯底上面或上方鍍膜形成的速度與襯底表面上方的電鍍?nèi)芤核俣鹊谋嚷蕪闹辽?∶3×106到少于1∶2×108，且鍍膜形成的速度為至少0.03μm/min到少于0.3μm/min。
此外，本發(fā)明提供一種包括磁記錄介質(zhì)襯底的磁記錄介質(zhì)。
經(jīng)歷過依據(jù)本發(fā)明的軟磁層鍍膜的磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，其表面上的磁疇壁發(fā)生率很低，且具有很好的尖峰噪聲特性。當(dāng)表面處理的襯底被用于垂直磁記錄設(shè)備時(shí)，其具有優(yōu)異的噪聲特性。也就是能夠獲得高的記錄密度。另外，根據(jù)本發(fā)明，軟磁層通過濕類型非電解置換鍍膜法來形成軟磁層，以使得處理過程比通過蒸汽沉積或等同方法引入一底層鍍層的過程要簡單。然而，該制造軟磁層的處理過程能夠通過鍍膜過程之后的?；瘉泶_保其平滑度，且使得磁記錄介質(zhì)具有極好的特性。
具體實(shí)施例方式
對于本發(fā)明中用作無磁性襯底的襯底沒有特殊的限制?？梢允褂肧i單晶體襯底、玻璃襯底，或者鋁襯底，并在其上面設(shè)置一層Ni-P非電解質(zhì)鍍膜，這通常用在磁記錄介質(zhì)的制造中。
該Si單晶體襯底能夠經(jīng)歷置換鍍膜。因?yàn)樗哂蟹浅＞鶆虻奶貙?，特別適合從鍍膜的不規(guī)則性引起的磁化不規(guī)則性的抑制點(diǎn)來達(dá)到本發(fā)明的目的。
該Si襯底中使用的Si單晶體可以特別優(yōu)選地包括一種通過CZ(Czochralski)處理或FZ(Floating Zone)方法制造的Si單晶體材料。該襯底可以具有任何可能的方向，包括例如(100)、(110)或(111)。此外，該襯底可以含有硼(B)，磷(P)，氮(N)，砷(As)，錫(Sn)等中的一種或多種雜質(zhì)在襯底中，總量在0至1022atoms/cm2。然而，當(dāng)利用在同一襯底表面上具有不同結(jié)晶方向的多晶體Si，和雜質(zhì)的分布極其局部化的Si作為襯底時(shí)，在襯底上形成的底鍍層就會因?yàn)榛瘜W(xué)反應(yīng)不同而不均勻。而且，當(dāng)使用具有極度離析的襯底時(shí)，將不能形成所期望的底鍍層結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诘族兡み^程中在襯底表面的局部形成了局部電池。
當(dāng)Si被用作本發(fā)明的襯底材料時(shí)，優(yōu)選地，可首先通過輕微的腐蝕表面氧化層和襯底表面來激活襯底表面，用于底鍍層的形成。
該腐蝕能夠通過各種方法如酸、堿或電解來實(shí)現(xiàn)。關(guān)于腐蝕的條件，當(dāng)堿性水溶液如腐蝕性蘇打用于腐蝕過程時(shí)，襯底表面被濃度為2到60wt％溶液溫度在30到100℃的溶液腐蝕，用于在輕微腐蝕襯底表面的同時(shí)，除去表面氧化膜。
之后，優(yōu)選地實(shí)施置換取代鍍膜法來獲得良好的附著性，之后進(jìn)行化學(xué)電鍍以獲得軟磁層。
在腐蝕之后的置換鍍膜中，可通過將襯底浸在電鍍液中來形成鍍膜，其電鍍液包含Ag，Co，Cμ，Ni，Pd以及Pt一組金屬中的一種或多種離子或主要離子，濃度為至少0.01N，且優(yōu)選地為0.05N到0.3N。因此，襯底表面的Si原子被金屬原子所取代。對于置換鍍膜法沒有特殊的限制，且公知技術(shù)中任何鍍膜法都可使用。
置換的鍍層的厚度優(yōu)選地為10到1000nm，更優(yōu)選地為50到500nm。當(dāng)層厚度小于10nm時(shí)，將不能獲得金屬多晶微粒的均勻分布。當(dāng)層厚度大于1000nm時(shí)，晶體微粒將增大以至于不適合作為底鍍層。
本發(fā)明的主要特征在于在制造磁記錄介質(zhì)中使用化學(xué)鍍層作為軟磁層，其中軟磁層在平行于襯底表面的方向上的矯頑磁力少于20奧斯特(Oe)，優(yōu)選地2到5奧斯特(Oe)，并且具有飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為4∶1到4∶3。該軟磁層可以更優(yōu)選地在垂直于軟磁鍍膜的襯底方向上具有飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為100∶1到10000∶1。
該軟磁鍍層可通過通常所知的如非電解置換鍍膜法來形成。
在電解鍍膜法中，能夠使用硫化物或氯化物電鍍液。盡管電鍍液中可以包含各種金屬，然而還是使用從包含Co，Ni及Fe中選擇的兩種或多種金屬元素的金屬鹽，以使得形成包含兩種或多種元素的合金鍍層。這是因?yàn)楸仨氝_(dá)到軟磁層的磁化屬性且必需獲得一個(gè)立方晶體。
因?yàn)镃o，Ni以及Fe能夠用于化學(xué)電鍍，并且作為軟磁性材料具有極好的特屬，所以根據(jù)本發(fā)明需要包含這些元素。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槭峭ㄟ^極其細(xì)小的區(qū)域內(nèi)的主要金屬元素的離析來推測磁化特屬，所以就需要包含至少兩種這些金屬元素的合金鍍層。另一方面，使用單一金屬鍍層很難得到本發(fā)明的效果。
電鍍液(溶液)成分的一個(gè)特定例子可以包括優(yōu)選地濃度為0.01N到0.5N的硫酸鎳和硫酸鈷的混合電鍍液。
可用在化學(xué)電鍍法中的還原劑可以包括次磷酸、二甲基胺硼烷、以及基于鍍液或鍍液中的金屬離子所選擇的混合物。
本發(fā)明所需的電鍍的軟磁層能夠通過對襯底進(jìn)行化學(xué)電鍍來獲得，其中襯底在鍍膜液中自轉(zhuǎn)或繞轉(zhuǎn)，以使得在襯底上面或上方鍍膜形成的速度與襯底表面上方的電鍍液速度的比率從至少1∶3×106到少于1∶2×108，且優(yōu)選地是從1∶8×106到1∶1.5×108。
當(dāng)在襯底上面鍍膜形成的速度與將要電鍍的襯底表面的電鍍液的速度的比率小于1∶3×106時(shí)，相對于自轉(zhuǎn)的頻率，剩余磁化強(qiáng)度將比本發(fā)明規(guī)定的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度比率為4∶3時(shí)要大得多。當(dāng)在襯底上面鍍膜形成的速度與將要電鍍的襯底表面的電鍍液速度的比率大于1∶2×108時(shí)，是所不希望的，因?yàn)轱柡痛呕c剩余磁化強(qiáng)度的比率要比本發(fā)明規(guī)定的4∶1要小，且將引起通過鍍膜形成的薄膜不平坦。
正如前面所描述的比率，鍍膜形成速度本身對于實(shí)施本發(fā)明是很重要的因素。根據(jù)本發(fā)明，鍍膜速度至少為小于和等于0.03μm/min，且優(yōu)選地是至少為0.2μm/min。
當(dāng)鍍膜形成速度小于0.03μm/min時(shí)，即使改變組成或電鍍條件也很難獲得小于20奧斯特(Oe)的矯頑磁力，且此外，剩余磁化強(qiáng)度會變得太大以至于在垂直于襯底表面方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率不可期望地超出4∶3。
當(dāng)鍍膜形成速度超出0.3μm/min時(shí)，則由于組成的晶體微粒變得非晶體而使剩余磁化強(qiáng)度將變得太小，且在垂直于襯底表面方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率變得比期望的比率4∶1要小。
獲得預(yù)先確定的電鍍液流動速度的方法可包括在鍍膜期間控制溶液再循環(huán)的方法，使用如葉片那樣的攪拌器攪動電鍍液的方法，以及使襯底自轉(zhuǎn)和繞轉(zhuǎn)的方法。
于此，繞轉(zhuǎn)襯底的方法簡單且對于獲得預(yù)先確定的溶液流動速度是有效的。然而，當(dāng)襯底很大時(shí)，襯底表面易受渦流形成的影響。
根據(jù)本發(fā)明，襯底的尺寸被設(shè)置在不大于90mm。當(dāng)襯底的直徑大于90mm時(shí)，將很難在襯底表面形成均勻的電鍍?nèi)芤毫鲃右灾劣诤茈y得到本發(fā)明的效果。
根據(jù)本發(fā)明，鍍膜形成速度被定義為單位時(shí)間內(nèi)電鍍膜生長的厚度。鍍膜的橫截面可通過掃描電子顯微鏡、熒光X射線分析儀或等同物觀察到。
根據(jù)本發(fā)明，電鍍液速度被定義為電鍍?nèi)芤涸谄叫杏谝r底表面的方向上相對于要電鍍的襯底的相對速度。尤其是，在距離襯底表面小于10mm的區(qū)域內(nèi)與襯底相比較的電鍍液的相對速度。可以使用皮托管、葉輪型質(zhì)量流量計(jì)、超聲波流量計(jì)或激光-多普勒流量計(jì)來測量在所述區(qū)域內(nèi)的電鍍液的速度與將要電鍍的襯底的位移之間的速度之差。
在距離被電鍍的襯底少于1mm的區(qū)域內(nèi)，有一個(gè)平穩(wěn)的電鍍液流動層，其在一種由流動邊界膜的粘度引起的與鍍膜表面半混合的狀態(tài)下流動。然而，根據(jù)本發(fā)明，電鍍液流動速度不考慮直接接近襯底的那個(gè)區(qū)域的流動速度，其是很難用數(shù)字來測量的，如流動邊界膜的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明，具有規(guī)定的特性的軟磁層的晶體結(jié)構(gòu)可通過X射線衍射來觀察。結(jié)果表明，不考慮其成分，軟磁層的晶體排列是FCC或BCC立方體晶體結(jié)構(gòu)。比較形成晶體正方面的晶格面之間的間隔，當(dāng)比較垂直于軟磁層表面的晶格面間隔和平行于軟磁層表面的面間隔時(shí)在晶格面間隔上是有區(qū)別的。垂直于軟磁層表面的立方體晶格面長出至少0.3％且小于3％。此外，發(fā)現(xiàn)晶格面間隔的這一點(diǎn)差別不依賴于構(gòu)成軟磁層的晶體方向或排列，但是依賴于相對于平面軟磁層表面的角度。關(guān)于這一點(diǎn)的準(zhǔn)確的原因還是未知，但是可以推定如此的內(nèi)在晶體結(jié)構(gòu)是確定本發(fā)明的軟磁層的磁化特性的一個(gè)要素。
軟磁層的厚度優(yōu)選地為100到1000nm。
當(dāng)厚度超出1000nm時(shí)，信號再現(xiàn)期間來自介質(zhì)的軟磁層的磁噪聲會變大且介質(zhì)的S/N將使其特性減弱。因此這是所不期望的。當(dāng)厚度小于100nm時(shí)，磁滲入特性將不足以作為軟磁性底層且會減弱介質(zhì)的重寫特性。因此也是不期望的。
如上述的形成100nm到1000nm的軟磁層之后，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)優(yōu)選地通過在軟磁層上面或上方順序形成5到100nm的磁記錄層、2到20nm的保護(hù)層以及潤滑層來產(chǎn)生。
該磁記錄層形成于軟磁層上面或上方，且是用于磁記錄磁性硬材料的記錄層。
該磁記錄層可直接形成在軟磁層上，或通過一層或多層中間層如Ti形成于其上，通過該中間層晶體微粒的尺寸和磁性特性能夠根據(jù)需要進(jìn)行匹配。
對于用于磁記錄層的材料沒有特別的限制，只要其是包含了容易地在垂直于平面層的方向上磁化的磁疇的高磁性材料就可以。該磁記錄層可包括通過濺射應(yīng)用的Co-Cr合金膜、Fe-Pt合金膜、Co-Si微粒膜以及Co/Pd多層膜。另外，通過濕法鍍膜形成的膜，如基于Co-Ni的鍍膜能夠作為記錄膜。此外，通過涂上諸如磁鐵鉛礦形態(tài)的鋇鐵酸鹽而形成的膜能夠用作記錄層。
這種記錄層的厚度通常是5到100nm，更優(yōu)選地是10到50nm。此外，關(guān)于矯頑磁力，其優(yōu)選地提供0.5到10kOe的記錄層，更優(yōu)選地是1.5到3.5kOe。
在磁記錄層上面或上方形成的保護(hù)層包括通過濺射或CVD形成的非晶體的基于碳的保護(hù)膜，諸如Al2O3的晶體的保護(hù)膜等。
此外，最上層的潤滑膜可以包括通過應(yīng)用基于氟的潤滑油的單分子的薄膜。對于本申請代理或方法的類型沒有特殊的限制。
本發(fā)明將通過下面的實(shí)例進(jìn)行解釋。然而，本發(fā)明并不局限于此。
例1通過將直徑為200mm的Si單晶體襯底使用CZ處理法進(jìn)行去心、倒角和磨光步驟而制成直徑65mm的(100)Si單晶體(P摻雜N型襯底)。用具有平均微粒大小為15mm的硅膠研磨兩個(gè)表面來獲得粗糙度(Rms)為4nm的表面。該Rms是均方粗糙度，且通過AFM(原子力顯微鏡，Atomic Force Microscope)來測量。
將襯底表面一層薄薄的氧化膜除去，并將襯底浸在2％重量，45℃的腐蝕性苛性燒堿溶液中3分鐘來腐蝕襯底表面上的Si，之后，在0.1N的硫酸鎳水溶液中加入0.5N硫酸銨制成的底層電鍍液(溶液)中浸泡襯底5分鐘并加熱到80℃。結(jié)果，底層電鍍層形成于襯底上。
然后，制備好一個(gè)含有0.2N硫酸銨、0.02N硫酸鎳、0.1N硫酸鈷、0.01N硫酸鐵以及0.04N二甲基胺硼烷的電鍍液作為還原劑。將電鍍液加熱到65℃以使得在襯底上的化學(xué)電鍍的膜生長速度達(dá)到0.1μm/min。
將鍍膜的襯底在電鍍液中以60rpm的速度進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)化學(xué)電鍍進(jìn)行20分鐘，產(chǎn)出2μm厚的軟磁層。
在此期間，距離襯底表面5mm處的電鍍液速度通過激光多普勒流量計(jì)測量。距離襯底中心10mm處的襯底內(nèi)圓周邊緣上的速度為3000mm/min，而距離襯底中心32.5mm處的襯底的外圓周邊緣上的速度為10000mm/min。鍍膜形成速度與電鍍液在將要的襯底表面上方的電鍍液流動速度的比率為1∶3×107和1∶108。
當(dāng)這樣方式獲得的軟磁膜的磁特性用振蕩型磁力計(jì)測量時(shí)，在平行于軟磁層表面的方向上的矯頑磁力為4奧斯特(Oe)，飽和磁化為18000G，剩余磁化強(qiáng)度為9000G，飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為2∶1。
當(dāng)以同樣的方式在垂直于軟磁層表面的方向上測量磁特性時(shí)，矯頑磁力為50Oe，飽和磁化為18000G，剩余磁化強(qiáng)度為10G，飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為1800∶1。
此外，當(dāng)通過X射線衍射觀察軟磁層的晶體時(shí)，在平行于由一組非定向的FCC晶體構(gòu)成的薄膜的表面的方向上的晶格面平均間隔為2.024，垂直于膜表面方向上立方體晶格面的平均間隔為2.040，因此在垂直于薄膜的表面的方向上的晶格面間隔比平行于膜表面方向上立方體晶格面的間隔長0.8％。
將包括這種軟磁層的襯底涂上一層用質(zhì)量比為Co∶Cr∶Ta＝79∶19∶2的含有Co，Cr和Ta的厚度為20nm的垂直磁記錄膜，其在220℃的恒溫下噴鍍而成。
當(dāng)測量記錄層的矯頑磁力時(shí)，在垂直于膜表面的矯頑磁力為2.2Koe，且平行于膜表面的矯頑磁力為500奧斯特(Oe)。
此外，襯底用厚度為10nm的非晶體碳元素來覆蓋，并然后通過浸漬涂上一層基于氟的潤滑膜。因此，垂直記錄介質(zhì)就制成了。
將由此獲得的介質(zhì)安裝在旋轉(zhuǎn)臺(spinstand)并進(jìn)行直流消磁(DCerasing)。然后，用nanoslider GMR探頭在懸浮高度為10nm處測量介質(zhì)的噪聲。結(jié)果再現(xiàn)包絡(luò)圖形時(shí)沒有尖峰噪聲。
此外，為了研究磁性遷移的狀態(tài)的目的，用磁感應(yīng)裝置(OSA5100，由Candela有限公司制作)在整個(gè)襯底區(qū)域內(nèi)觀察克爾效應(yīng)。然而，沒有觀察到來自軟磁層的磁遷移引起的尖峰噪聲。
權(quán)利要求
1.一種用于磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，包括直徑不大于90mm的襯底，及設(shè)置在襯底上面或上方的由包含Co、Ni和Fe組中選擇的至少兩種金屬的合金的軟磁鍍層；其中該軟磁層在平行于襯底表面的方向上的矯頑磁力小于20奧斯特(Oe)，以及其中，在平行于襯底表面的方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為4∶1到4∶3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的用于磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，進(jìn)一步包括磁記錄層，其設(shè)置在軟磁鍍層上面或上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的用于磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，其中所述軟磁鍍層在垂直于所述襯底表面的方向上具有飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為100∶1到10000∶1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的用于磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，其中所述軟磁鍍層在垂直于所述襯底表面的方向上具有飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為100∶1到10000∶1。
5.一種制造用于磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底的方法，其包括化學(xué)電鍍的步驟，用于在直徑不大于90mm的襯底上面或上方形成包含由Co、Ni和Fe的組中選擇的至少兩種金屬的合金的軟磁層，其中該化學(xué)電鍍的步驟包括將在鍍膜過程中自轉(zhuǎn)或繞轉(zhuǎn)的襯底涂敷，以使得在襯底上面或上方鍍膜形成的速度與襯底表面上方的電鍍液速度的比率從1∶3×106到少于1∶2×108，且維持鍍膜形成的速度為至少0.03μm/min到小于0.3μm/min。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一個(gè)權(quán)利要求的包含經(jīng)表面處理的襯底的磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
當(dāng)通過鍍膜方法形成用于雙層型垂直磁記錄介質(zhì)的軟磁層時(shí)，存在著稱作尖峰噪聲的孤立脈沖噪聲發(fā)生的問題，以使得信號的再現(xiàn)特性丟失。為了解決此問題，提供一種用于磁記錄介質(zhì)的經(jīng)表面處理的襯底，其包括一個(gè)直徑不大于90mm的襯底；及一個(gè)設(shè)置在襯底上面或上方的由包含Co，Ni和Fe一組中選擇的至少兩種金屬的合金鍍膜形成的軟磁層；其中該軟磁層在平行于襯底表面的方向上的矯頑磁力少于20奧斯特(Oe)，并且其中在平行于襯底表面的方向上的飽和磁化與剩余磁化強(qiáng)度的比率為4∶1到4∶3；以及一種包含磁記錄介質(zhì)襯底的磁記錄介質(zhì)。
文檔編號G11B5/74GK1595499SQ20041007522
公開日2005年3月16日 申請日期2004年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月12日
發(fā)明者逢坂哲彌, 朝日透, 橫島時(shí)彥, 津森俊宏 申請人:學(xué)校法人早稻田大學(xué), 信越化學(xué)工業(yè)株式會社