專利名稱：光信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于可以使用高能量密度的激光寫入(記錄)或讀出(再現(xiàn))信息的熱方式(heat mode)型信息記錄介質(zhì)以及信息記錄方法，特別是關(guān)于適合于使用可見激光記錄信息的追記型的數(shù)字通用光盤(DVD-R)等熱方式型的信息記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
使用激光只能進(jìn)行一次信息記錄的信息記錄介質(zhì)(光盤)已為人們所公知。該信息記錄介質(zhì)也稱為追記型CD(所謂的CD-R)，與以往的CD制作相比，其優(yōu)點(diǎn)是能夠以適當(dāng)?shù)膬r(jià)格迅速地提供少量的CD，近年來，隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)的普及，對其需求逐漸增大。CD-R型的信息記錄介質(zhì)的典型結(jié)構(gòu)是，在透明的圓盤狀基板上順次疊層由有機(jī)色素構(gòu)成的記錄層、由金等金屬構(gòu)成的反射層以及由樹脂制成的保護(hù)層。
在光盤上記錄信息，是通過照射近紅外激光(通常是780nm左右波長的激光)，使記錄層上局部發(fā)熱變形而進(jìn)行的。另一方面，信息的讀出(再現(xiàn))通常是，照射與記錄時(shí)用的激光相同波長的激光，通過檢測記錄層發(fā)熱變形的部位(記錄部分)和未變形的部位(未記錄部分)的反射率差異來進(jìn)行的。
近年來，不斷地要求記錄密度更高的信息記錄介質(zhì)。在理論上人們已經(jīng)知道，為了提高記錄密度，縮小照射的激光的光斑直徑為是一種有效的方法，另外，越是波長短的激光，越能縮小光斑直徑，因而有利于高密度化。因此，人們開始研制使用比以往用的780nm更短波長的激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的光盤，例如被稱為追記型數(shù)字通用光盤(所謂的DVD-R)的光盤已經(jīng)面市。該光盤是按下面所述制造的，即，在形成了磁道間距(トラックピッチ)比CD-R的1.6μm窄的0.8μm磁道間距的初槽(プレグル一ブ)的直徑120mm或80mm的透明圓盤狀基板上設(shè)置由色素構(gòu)成的記錄層，通常在該記錄層上還設(shè)置反射層和保護(hù)層，將這樣形成的兩片盤或者一片盤和與該盤尺寸大致相同的圓盤狀保護(hù)基板，按照該記錄層朝內(nèi)側(cè)的方式用粘結(jié)劑粘合在一起。這樣，DVD-R通過照射可見激光(通常是600～700nm范圍波長的激光)就可以進(jìn)行信息的記錄和再現(xiàn)，可以實(shí)現(xiàn)比CD-R型的光盤更高密度的記錄。
與以往的CD-R型相比，DVD-R型信息記錄介質(zhì)可以記錄相當(dāng)于前者數(shù)倍的信息量，因而希望其具有高的記錄靈敏度，而且由于必須快速地處理特別大量的信息，因而還希望對于高速記錄來說錯(cuò)誤的發(fā)生率比較少。此外，一般地說，隨時(shí)間的延長，由色素構(gòu)成的記錄層對于熱或光來說其穩(wěn)定性降低，因而還希望研制和開發(fā)對于熱或光能長時(shí)期保持穩(wěn)定的性能的記錄層。
在特開昭63-209995公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中，公開了一種在基板上設(shè)置由氧雜菁(ォキンノ一ル)色素構(gòu)成的記錄層的CD-R型信息記錄介質(zhì)。通過使用這種色素化合物，可以長期保持穩(wěn)定的記錄和再現(xiàn)性能。而且，在該文獻(xiàn)中記載了在分子內(nèi)以鹽的形式導(dǎo)入銨的氧雜菁色素化合物。另外，在特開2000-52658公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)和特開2002-249674號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中記載了顯示高的耐光性和耐久性、提供良好記錄性能的光信息記錄介質(zhì)的氧雜菁色素化合物。但是，這些文獻(xiàn)中沒有記載含有氧雜菁色素的光信息記錄介質(zhì)在相當(dāng)于DVD-R規(guī)格的8倍速的高速下記錄再現(xiàn)信息時(shí)顯示出特別優(yōu)異的性能。
專利文獻(xiàn)1特開昭63-209995公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2000-52658公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開2002-249674公報(bào)本發(fā)明人將上述專利文獻(xiàn)中記載的各種氧雜菁色素化合物用于DVD-R型光信息記錄介質(zhì)中，對其性能進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在記錄層中含有該色素化合物的DVD-R型光信息記錄介質(zhì)，在等倍速至4倍速的低速記錄時(shí)發(fā)揮充分的性能，在8倍速以上的高速記錄時(shí)顯示出特別優(yōu)異的記錄性能，特別是在ァパレ一チャ一レシォ方面非常好，也就是說，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)在1～4倍速的低速記錄時(shí)保持良好的記錄性能，同時(shí)，在8倍速以上的高速記錄時(shí)也顯示出良好的記錄性能，從而完成了本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，在1-4倍速的低速記錄時(shí)保持良好的記錄性能，同時(shí)，在8倍速或其以上的高速記錄時(shí)也能實(shí)現(xiàn)高的反射率和高的調(diào)制度。本發(fā)明的另一目的是，提供在1-16倍速的很寬的記錄速度下實(shí)現(xiàn)足夠低的速度偏差的光信息記錄介質(zhì)。此外，本發(fā)明還有一個(gè)目的是，提供對于光和熱具有堅(jiān)牢性的光信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明人經(jīng)過深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，上述目的可以通過下面所述的技術(shù)措施得到解決。
(1)一種光信息記錄介質(zhì)，該介質(zhì)是包含透明基板和含有色素的記錄層以及反射層的熱方式追記型光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層的主要成分是有機(jī)色素，使用波長600～700nm的激光以線速度v(m/s)在該記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)的最佳記錄功率是25mW或其以上(優(yōu)選的是30mW，更優(yōu)選的是32mW或其以上，最好是60mW或其以下)，其中，以最佳記錄功率記錄8-16調(diào)制信號(hào)時(shí)，信號(hào)不穩(wěn)定性(晃動(dòng)jitter)達(dá)到最小的記錄功率是(Po)，該P(yáng)o由下列公式表示。
Po=P1×(v/3.5)~1.5P1×(v/3.5)]]>式中，P1是以3.5(m/s)的線速度記錄時(shí)的最佳記錄功率。
(2)上述第(1)項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述的有機(jī)色素是氧雜菁色素。
(3)上述第(2)項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述的氧雜菁色素是由下列通式(1)表示的結(jié)構(gòu)。
通式(1)
式中，Za1和Za2分別獨(dú)立地表示形成酸性核的原子團(tuán)，Ma1、Ma2和Ma3分別獨(dú)立地表示取代或未取代的次甲基，ka表示0～3的整數(shù)，ka為2或其以上時(shí)，存在多個(gè)Ma1和Ma2，它們可以是相同的，也可以是不同的；Q表示中和電荷的離子，y表示中和電荷所需要的數(shù)。
(4)上述第(3)項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述的氧雜菁色素的由Q表示的離子是下列通式(2)所示的結(jié)構(gòu)。
通式(2) 式中，R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，R13和R18分別獨(dú)立地表示取代基。
(5)上述第(1)～(4)中任一項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，[1]在形成了磁道間距0.6～0.9μm的初槽的、直徑為120±3mm或80±3mm、厚度0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上設(shè)置含有色素的記錄層而成的二片疊層體，各自的記錄一側(cè)向內(nèi)將兩片疊層體接合形成厚度為1.2±0.2mm；或者[2]由磁道間距0.6-0.9μm的初槽形成的、直徑為120±3mm或80±3mm、厚度0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上設(shè)置含有色素的記錄層而成的疊層體和圓盤狀的保護(hù)板，按照記錄層為內(nèi)側(cè)的方式接合的厚度為1.2±0.2mm。
(6)一種光信息記錄方法，其特征在于，在透明基板上至少設(shè)置了含有有機(jī)色素的記錄層和反射層的光信息記錄介質(zhì)上，以線速度v(m/s)、按最佳記錄功率25mW或其以上(最好是60mW或其以下)記錄波長600～700nm的激光。在上述最佳記錄功率記錄8-16調(diào)制信號(hào)時(shí)，信號(hào)不穩(wěn)定達(dá)到最小的記錄功率是Po，該P(yáng)o由下列公式表示。
Po=P1×(v/3.5)~1.5P1×(v/3.5)]]>式中，P1是以3.5(m/s)的線速度記錄時(shí)的最佳記錄功率。
(7)一種光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，該光信息記錄介質(zhì)是用于上述第(6)項(xiàng)中所述的光信息記錄方法。
(8)上述第(7)項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，其中所述的光信息記錄介質(zhì)中含有的有機(jī)色素是氧雜菁色素。
(9)上述第(8)項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧雜菁色素是由下列通式(1)表示的結(jié)構(gòu)。

式中，Za1和Za2分別獨(dú)立地表示形成酸性核的原子團(tuán)，Ma1、Ma2和Ma3分別獨(dú)立地表示取代或未取代的次甲基，ka表示0～3的整數(shù)，ka為2或其以上時(shí)，存在多個(gè)Ma1和Ma2，它們可以是相同的，也可以是不同的；Q表示中和電荷的離子，y表示中和電荷所需要的數(shù)。
(10)上述第(9)項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述的氧雜菁色素的用Q表示的離子是由下列通式(2)表示的結(jié)構(gòu)。
通式(2) 式中，R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，R13和R18分別獨(dú)立地表示取代基。
(11)上述第(7)～(10)中任一項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，[1]在形成了磁道間距0.6～0.9μm的初槽的、直徑為120±3mm或80±3mm、厚度0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上設(shè)置含有色素的記錄層而成的二片疊層體，各自的記錄一側(cè)向內(nèi)將兩片疊層體接合的厚度為1.2±0.2mm；或者[2]由磁道間距0.6-0.9μm的初槽形成的、直徑為120±3mm或80±3mm、厚度0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上設(shè)置含有色素的記錄層，將這樣形成的疊層體和圓盤狀的保護(hù)板，按照記錄層為內(nèi)側(cè)的方式接合的厚度為1.2±0.2mm。
本發(fā)明可以提供與低速記錄用的比較色素相比、雙折射率的實(shí)部n大、虛部k相同或較小的色素。另外，還可以提供低速至高速的記錄性能優(yōu)異的光信息記錄介質(zhì)。


圖1是表示評(píng)價(jià)光記錄介質(zhì)時(shí)所采用的記錄策略。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)地說明本發(fā)明。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中使用的有機(jī)色素，以氧雜菁色素為宜。作為氧雜菁色素的具體例子可以舉出F.M.Harmer著HeterocyclicCompounds-Cyanine Dyes and Related Compounds、John & Wiley & Sns、New York、London、1964版中記載的色素。
在氧雜菁色素中，優(yōu)先選用由下列通式(1)表示的結(jié)構(gòu)的色素。
通式(1) 在通式(1)中，Za1和Za2分別獨(dú)立地表示形成酸性核的原子團(tuán)。
Za1和Za2的具體例子在James編The Theory of thePhotographic Process，第4版，マクミラン社，1977年，第198頁中有明確定義。具體地說可以舉出吡唑啉-5-酮、吡唑烷-3，5-二酮、咪唑啉-5-酮、海因、2或4-海硫因、2-亞氨基噁唑烷-4-酮、2-噁唑烷-5-酮、2-硫噁唑烷-2，4-二酮、異繞丹酸、繞丹酸、5，6員的碳環(huán)(例如茚滿-1，3-二酮)、噻吩-3-酮、噻吩-3-酮-1，1-二氧化物、吲哚滿-2-酮、吲哚滿-3-酮、2-氧代吲唑翁、5，7-二氧代-6，7-二氫噻唑并[3，2-a]嘧啶、3，4-二氫異喹啉-4-酮、1，3-二噁烷-4，6-二酮(例如メルドラム酸)、巴比土酸、2-硫巴比土酸、香豆素-2，4-二酮、吲唑啉-2-酮、吡啶并[1，2-a]嘧啶-1，3-二酮、吡唑并[1，5-b]喹唑啉酮、吡唑并吡啶酮、3-二氰基次甲基-3-苯基丙腈、混合(メルドラム)酸等的核，優(yōu)選的是吡唑啉-5-酮、巴比土酸、2-硫巴比土酸、1，3-二噁烷-4，6-二酮。
Ma1、Ma2和Ma3分別獨(dú)立地表示取代或未取代的次甲基。取代Ma1、Ma2和Ma3的取代基是取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的雜環(huán)基、鹵原子、羧基、取代或未取代的烷氧基羰基、氰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的氨基甲?；?、氨基、取代的氨基、磺基、羥基、硝基、取代或未取代的磺?；被⑷〈蛭慈〈陌被驶被?、取代或未取代的烷基磺?；?、取代或未取代的芳基磺酰基、取代或未取代的亞硫酰基以及取代或未取代的氨磺?；?。所述的取代基優(yōu)選的是取代或未取代的碳原子數(shù)1～20的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)2～20的雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)1～20的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)6～20的芳基、鹵原子，更優(yōu)選的是取代或未取代的碳原子數(shù)1～10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1～10的烷氧基、未取代的碳原子數(shù)2～10的雜環(huán)基、鹵原子，最好是取代或未取代的碳原子數(shù)1～5的烷基、未取代的碳原子數(shù)1～5的烷氧基、未取代的碳原子數(shù)2～6的雜環(huán)基以及鹵原子。
Ma1、Ma2和Ma3優(yōu)選的是未取代的次甲基、未取代的碳原子數(shù)1～5的烷基、未取代的碳原子數(shù)1～5的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)2～6的雜環(huán)基以及被鹵原子取代的次甲基。
ka表示0～3的整數(shù)，優(yōu)選的是1～2的整數(shù)。ka為2以上時(shí)，存在多個(gè)Ma1和Ma2，它們可以是相同的，也可以是不同的。
Q表示中和電荷的離子，y表示中和電荷所需要的數(shù)。
某些化合物是陽離子、陰離子或者具有離子電荷與否，取決于該化合物的取代基。在通式(1)中，由Q表示的離子根據(jù)相對的色素分子的電荷有時(shí)表示陽離子，有時(shí)表示陰離子，另外，在色素分子無電荷的情況下，不存在Q。Q表示的離子沒有特別的限制，可以是由無機(jī)化合物構(gòu)成的離子，也可以是由有機(jī)化合物構(gòu)成的離子。此外，由Q表示的離子的電荷可以是1價(jià)，也可以是多價(jià)。由Q表示的陽離子，例如可以舉出鈉離子、鉀離子等金屬離子，季銨離子、氧離子、锍離子、磷離子、硒離子、碘翁離子等翁離子。另一方面，由Q表示的陰離子例如可以舉出氯離子、溴離子、氟離子等鹵素陰離子，硫酸根離子、磷酸根離子、磷酸氫根離子等雜多酸離子、琥珀酸根離子、馬來酸根離子、富馬酸根離子、芳香族磺酸根離子等有機(jī)多價(jià)陰離子，四氟硼酸根離子、六氟磷酸根離子等。
由Q表示的陽離子，優(yōu)選的是翁離子，更優(yōu)選的是季銨離子。在季銨離子中，特別優(yōu)先選用特開2000～52658中的由通式(I～4)表示的4，4’-二吡啶翁陽離子和特開2002～59652中所述的4，4’-二吡啶翁陽離子。
在通式(1)所示的色素中，由Q表示的離子最好是下列通式(2)表示的結(jié)構(gòu)。
通式(2) 式中，R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，R13和R18分別獨(dú)立地表示取代基。作為取代基的例子可以舉出鹵原子、烷基(包含環(huán)烷基、二環(huán)烷基)、鏈烯基(包含環(huán)鏈烯基、二環(huán)鏈烯基)、炔基、芳基、雜環(huán)基、氰基、羥基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、甲硅烷氧基、雜環(huán)氧基、酰氧基、氨基甲酰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、氨基(包含苯胺基)、酰氨基、氨基羰基氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、氨磺酰基氨基、烷基及芳基磺?；被?、巰基、烷硫基、芳硫基、雜環(huán)硫基、氨磺?；?、磺基、烷基及芳基亞硫?；?、烷基及芳基磺?；?、酰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、氨基甲?；?、芳基及雜環(huán)偶氮基、亞氨基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基、甲硅烷基。
更具體地說，R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20分別獨(dú)立地表示鹵原子(例如氯原子、溴原子、碘原子)、烷基[直鏈、支鏈、環(huán)狀的取代或未取代的烷基，它們是烷基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、叔丁基、正辛基、二十烷基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-乙基己基)、環(huán)烷基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)3～30的取代或未取代的環(huán)烷基，例如環(huán)己基、環(huán)戊基、4-正十二烷基環(huán)己基)、二環(huán)烷基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)5～30的取代或未取代的二環(huán)烷基，即從碳原子數(shù)5～30的二環(huán)鏈烷中去掉一個(gè)氫原子的一價(jià)的基，例如二環(huán)[1，2，2]庚烷-2-基、二環(huán)[2，2，2]辛烷-3-基)、此外還包括環(huán)結(jié)構(gòu)多的三環(huán)結(jié)構(gòu)。下文中所述的取代基中的烷基(例如烷硫基中的烷基)也表示這樣的烷基]，鏈烯基[直鏈、支鏈、環(huán)狀的取代或未取代的鏈烯基，它們是鏈烯基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的鏈烯基，例如乙烯基、烯丙基、異戊二烯基、香葉基、油基)、環(huán)鏈烯基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)3～30的取代或未取代的環(huán)鏈烯基，即將碳原子數(shù)3～30的環(huán)鏈烯的氫原子去掉一個(gè)后的一價(jià)的基，例如2-環(huán)戊烯-1-基、2-環(huán)己烯-1-基)、二環(huán)鏈烯基(取代或未取代的二環(huán)鏈烯基，優(yōu)選的是碳原子數(shù)5～30的取代或未取代的二環(huán)鏈烯基，即將具有一個(gè)雙鍵的二環(huán)鏈烯的氫原子去掉一個(gè)后的一價(jià)的基，例如二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯-1-基、二環(huán)[2，2，2]辛-2-烯-4-基)]，炔基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的炔基，例如乙炔基、丙炔基、三甲基甲硅烷基乙炔基)、芳基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基，例如苯基、對甲苯基、萘基、間氯苯基、鄰十六?；被交?、雜環(huán)基(優(yōu)選的是從5或6員的取代或未取代的、芳香族或非芳香族的雜環(huán)化合物中去掉一個(gè)氫原子的一價(jià)的基，更優(yōu)選的是碳原子數(shù)3～30的5或6員的芳香族雜環(huán)基，例如2-呋喃基、2-噻嗯基、2-嘧啶基、2-噻唑基)、氰基、羥基、硝基、羧基、烷氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、異丙氧基、叔丁氧基、正辛氧基、2-甲氧基乙氧基)、芳氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳氧基，例如苯氧基、2-甲基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、3-硝基苯氧基、2-四癸?；被窖趸?、甲硅烷氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)3～20的甲硅烷基氧基，例如三甲基甲硅烷基氧基、叔丁基二甲基甲硅烷基氧基)、雜環(huán)氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的雜環(huán)氧基，例如1-苯基四唑-5-氧基、2-四氫吡喃氧基)、酰氧基(優(yōu)選的是甲酰氧基、碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的烷基羰氧基、碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基羰氧基，例如甲酰氧基、乙酰氧基、三甲基乙酰氧基、硬脂酰氧基、苯甲酰氧基、對甲氧基苯基羰氧基)、氨基甲酰氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的氨基甲酰氧基，例如N，N-二甲基氨基甲酰氧基、N，N-二乙基氨基甲酰氧基、嗎啉代羰氧基、N，N-二正辛基氨基羰氧基、N-正辛基氨基甲酰氧基)、烷氧基羰氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的烷氧基羰氧基，例如甲氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、叔丁氧基羰氧基、正辛基羰氧基)、芳氧基羰氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)7～30的取代或未取代的芳氧基羰氧基，例如苯氧基羰氧基、對甲氧基苯氧基羰氧基、對正十六烷氧基苯氧基羰氧基)、氨基(優(yōu)選的是氨基、碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷氨基、碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基氨基，例如氨基、甲氨基、二甲基氨基、苯胺基、N-甲基苯胺基、二苯基氨基)、酰胺基(優(yōu)選的是甲酰胺基、碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷基羰基氨基、碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基羰基氨基，例如甲酰胺基、乙酰胺基、三甲基乙酰胺基、月桂酰胺基、苯甲酰胺基、3，4，5-三正辛氧基苯基羰基氨基)、氨基羰基氨基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的氨基羰基氨基，例如氨基甲酰胺基、N，N-二甲氨基羰基氨基、N，N-二乙氨基羰基氨基、嗎啉代羰基氨基)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的烷氧基羰基氨基，例如甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基甲氧基羰基氨基)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)7～30的取代或未取代的芳氧基羰基氨基，例如苯氧基羰基氨基、對氯苯氧基羰基氨基、間正辛氧基苯氧基羰基氨基)、氨磺?；被?優(yōu)選的是碳原子數(shù)0～30的取代或未取代的氨磺?；被?，例如氨磺酰基氨基、N，N-二甲氨基氨磺?；被?、N-正辛氨基氨磺酰基氨基)、烷基和芳基磺?；被?優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷基磺?；被?、碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基磺酰基氨基，例如甲基磺酰基氨基、丁基磺?；被?、苯基磺?；被?，3，5-三氯苯基磺酰基氨基、對甲基苯基磺酰基氨基)、巰基、烷硫基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基、正十六烷硫基)、芳硫基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳硫基，例如苯硫基、對氯苯硫基、間甲氧基苯硫基)、雜環(huán)硫基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的雜環(huán)硫基，例如2-苯并噻唑基硫基、1-苯基四唑-5-基硫基)、氨磺酰基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)0～30的取代或未取代的氨磺?；?，例如N-乙基氨磺酰基、N-(3-十二烷氧基丙基)氨磺酰基、N，N-二甲基氨磺?；?、N-乙?；被酋；?、N-苯甲?；被酋；-(N’-苯基氨基甲?；?氨磺酰基)、磺基、烷基和芳基亞硫酰基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷基亞硫?；?、碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基亞硫?；?，例如甲基亞硫?；?、乙基亞硫?；?、苯基亞硫?；?、對甲基苯基亞硫?；?、烷基和芳基磺?；?優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的烷基磺?；⑻荚訑?shù)6～30的取代或未取代的芳基磺?；?，例如甲磺?；⒁一酋；?、苯磺?；?、對甲基苯磺酰基)、?；?優(yōu)選的是甲酰基、碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的烷基羰基、碳原子數(shù)7～30的取代或未取代的芳基羰基、碳原子數(shù)4～30的取代或未取代的在碳原子上與羰基結(jié)合的雜環(huán)羰基，例如乙?；?、三甲基乙?；?、2-氯乙酰基、硬脂?；?、苯甲?；?、對正辛氧基苯基羰基、2-吡啶基羰基、2-呋喃基羰基)、芳氧基羰基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)7～30的取代或未取代的芳氧基羰基，例如苯氧基羰基、鄰氯苯氧基羰基、間硝基苯氧基羰基、對叔丁基苯氧基羰基)、烷氧基羰基(例如碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十六烷氧基羰基)、氨基甲?；?優(yōu)選的是碳原子數(shù)1～30的取代或未取代的氨基甲?；?，例如氨基甲?；-甲基氨基甲?；?、N，N-二甲基氨基甲?；，N-二正辛基氨基甲?；?、N-(甲磺酰基)氨基甲?；?、芳基和雜環(huán)偶氮基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)6～30的取代或未取代的芳基偶氮基、碳原子數(shù)3～30的取代或未取代的雜環(huán)偶氮基，例如苯偶氮基、對氯苯偶氮基、5-乙硫基-1，3，4-噻二唑-2-基偶氮基)、亞氨基(優(yōu)選的是N-琥珀酰亞氨基、N-鄰苯二甲酰亞氨基)、膦基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的膦基，例如二甲基膦基、二苯基膦基、甲基苯氧基膦基)、氧膦基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的氧膦基，例如氧膦基、二辛氧基氧膦基、二乙氧基氧膦基)、氧膦基氧基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的氧膦基氧基，例如二苯氧基氧膦基氧基、二辛氧基氧膦基氧基)、氧膦基氨基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)2～30的取代或未取代的氧膦基氨基，例如二甲氧基氧膦基氨基、二甲氨基氧膦基氨基)、甲硅烷基(優(yōu)選的是碳原子數(shù)3～30的取代或未取代的甲硅烷基，例如三甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯基二甲基甲硅烷基)。
在上述官能基中，具有氫原子的官能基也可以將其去除，再用上述基取代。這樣的官能基的例子可以舉出烷基羰基氨基磺酰基、芳基羰基氨基磺?；⑼榛酋；被驶?、芳基磺酰基氨基羰基。作為具體的例子可以舉出甲磺?；被驶谆交酋；被驶?、乙?；被酋；?、苯甲?；被酋；?。
R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20優(yōu)選的全部是氫原子。R13和R18優(yōu)選的是分別獨(dú)立地表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基。其中更優(yōu)選的是取代或未取代的芳基，最好是取代的芳基。R13和R18是取代的芳基時(shí)，取代基優(yōu)選的是羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基、鹵原子。
本發(fā)明中使用的氧雜菁色素的最優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是由下列通式(3)表示的結(jié)構(gòu)。
通式(3) 在通式(3)中，R1、R2、R3和R4分別獨(dú)立地表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基。
R1和R2、R3和R4也可以彼此結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29和R30分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基。在R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29和R30中，彼此鄰接的2個(gè)取代基也可以彼此結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
取代基的例子可以舉出上述通式(2)的R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20中所述的取代基。
R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29以及R30的優(yōu)選的分別獨(dú)立地表示氫原子、羥基、氰基、鹵原子、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷基。
作為R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29以及R30的優(yōu)選的例子，R23、R28是羥基，并且R22、R27是取代或未取代的苯基，更優(yōu)選的例子是，其它為氫原子。
下面舉出本發(fā)明的由通式(1)(包括(3))表示的化合物的優(yōu)選的具體例子，但本發(fā)明不限于這些例子。
化合物R1R2R3R4R21R22R23R24R25R26R27R28R29R301 -H -OH -H -H-H -OH -H-H2 ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″3 ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″4 ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″5 -H-H -H-OH -H -H -H-OH6 ″ ″-H -H -H-OH -H -H -H-OH
化合物 R1R2R3R4R21R22R23R24R25R26R27R28R29R307 -H -OH -H -H -H -OH -H -H8 ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″ ″9 ″″ ″ ″″ ″ ″ ″10 -OH -H -H -H -OH -H -H -H11 -H -H -H -OH -H -H -H-OH12 ″ ″ -H -H -H -OH -H -H -H -OH
色素 RaRbL13 -COOC2H5-H -H14 -COOC2H5-CH3-H15 -COOC2H5 -H16 -CONHCH3-C2H5 色素 R XL17 -C2H5-H18 -C3H7-H19-H20 -H21 -C4H9 -CH3


一般的氧雜菁色素，可以通過該活性亞甲基化合物與次甲基源(用于在次甲基染料中導(dǎo)入次甲基的化合物)的縮合反應(yīng)來合成。這種化合物的詳細(xì)情況可以參閱下列文獻(xiàn)特公昭39～22069號(hào)、特公昭43～3504號(hào)、特公昭52～38056號(hào)、特公昭54～38129號(hào)、特公昭55～10059號(hào)、特公昭58～35544號(hào)、特開昭49～99620號(hào)、特開昭52～92716號(hào)、特開昭59～16834號(hào)、特開昭63～316853號(hào)、特開昭64～40827號(hào)，以及英國專利第1133986號(hào)、美國專利第3247127號(hào)、4042397號(hào)、4181225號(hào)、5213956號(hào)、5260179號(hào)的說明書。此外，在特開昭63～209995號(hào)、特開平10～309871號(hào)、特開2002～249674號(hào)中也有記載。
本發(fā)明的由上述通式(1)和(3)表示的色素化合物，可以單獨(dú)使用，也可以2種或其以上并用。另外，本發(fā)明的色素化合物還可以與其它色素化合物并用。并用的色素例如可以舉出偶氮染料(包括與金屬離子的配位的偶氮染料)、甲撐吡咯染料、花青染料等。
本發(fā)明中使用的色素，其熱分解溫度在100～350℃的范圍內(nèi)為宜，優(yōu)選的是150～300℃，最好是200～300℃。
本發(fā)明中使用的色素的無定型膜的光學(xué)性能是，雙折射率的系數(shù)n(實(shí)部折射率)、k(虛部消光系數(shù))為，2.0≤n≤3.0、0.005≤k≤0.30，優(yōu)選的是，2.1≤n≤2.7、0.01≤k≤0.15，最好是，2.15≤n≤2.50、0.03≤k≤0.10。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，具有由上述通式(1)和(3)表示的色素化合物作為記錄層，只要在上述條件下具有特定的最佳記錄功率即可，沒有特別的限制，優(yōu)選的是在基板上至少順序疊層設(shè)置含有有機(jī)色素的記錄層及光反射層的光信息記錄介質(zhì)，在上述條件下具有特定的最佳記錄功率。
將本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)用于CD～R的情況下，優(yōu)選的是，在形成了磁道間距1.4～1.8μm的初槽的厚度1.2±0.2mm的透明圓盤狀基板上順次具有含有上述通式(1)(優(yōu)選的是(3))所示的色素化合物的記錄層、光反射層以及保護(hù)層而構(gòu)成。另外，在用于DVD～R的情況下，優(yōu)選的是以下所述的2種方式。
一種光信息記錄介質(zhì)，構(gòu)成為在形成了磁道間距0.6～0.9μm的初槽的、厚度為0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板上設(shè)置有含有上述通式(1)所示的色素化合物的記錄層和光反射層而成的二片疊層體，將其接合成使各自的記錄層成為內(nèi)側(cè)，并形成厚度1.2±0.2mm。
一種光信息記錄介質(zhì)，構(gòu)成為在形成了磁道間距0.6～0.9μm的初槽的、厚度0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板上設(shè)置有含有由上述通式(1)表示的色素化合物的記錄層和光反射層，將這樣形成的疊層體和與該疊層體的圓盤狀基板相同形狀的透明圓盤狀保護(hù)基板按照記錄層成為內(nèi)側(cè)的方式接合，形成厚度1.2±0.2mm。另外，構(gòu)成為在上述DVD～R型光信息記錄介質(zhì)中，還可以在光反射層上進(jìn)一步設(shè)置了保護(hù)層。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，優(yōu)選的是用來作為8倍速或其以上的高速信息記錄和再現(xiàn)用的介質(zhì)，更優(yōu)選的是用來作為10倍速或其以上的高速信息記錄和再現(xiàn)用的介質(zhì)，特別優(yōu)選的是用來作為12倍速或其以上的高速信息記錄和再現(xiàn)用的介質(zhì)，最優(yōu)選的是用來作為16倍速或其以上的高速信息記錄和再現(xiàn)用的介質(zhì)。
數(shù)據(jù)的傳輸速度在80Mbps或其以上為宜，優(yōu)選的是110Mbps或其以上，更優(yōu)選的是130Mbps，最好是170Mbps或其以上。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，例如可以使用下面所述的材料和方法制造。
基板(也包括保護(hù)基板)可以從以往用來作為信息記錄介質(zhì)基板的各種材料中任意選擇。作為基板的材料例如可以舉出玻璃；聚碳酸酯，聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯類樹脂；環(huán)氧樹脂，無定型聚烯烴以及聚酯等。根據(jù)需要，也可以將這些材料并用。另外，這些材料可以以薄膜狀或者具有剛性的基板的形式使用。在上述材料中，從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和價(jià)格等方面考慮優(yōu)先選用聚碳酸酯。
在設(shè)置了記錄層的一側(cè)的基板表面上，還可以設(shè)置中間涂層，以改善平面性、提高粘附力以及防止記錄層變質(zhì)。所述的中間涂層的材料例如可以舉出聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纖維素、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、醋酸乙烯-氯乙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等高分子物質(zhì)，以及硅烷偶聯(lián)劑等表面改性劑。將上述物質(zhì)溶解或分散于適當(dāng)?shù)娜軇┲校瞥赏坎家?，然后采用旋涂法、浸涂法、擠涂法等涂布方法將該涂布液涂布在基板表面上，即可形成中間涂層。
另外，在基板(或底涂層)上，形成有追跡用的溝槽或表示地址信號(hào)等信息的凹凸(プレグル一ブ)。該凹凸最好是在將聚碳酸酯等樹脂材料注射成形或擠出成形時(shí)直接在基板上在上述磁道間距處形成。另外，凹凸的形成還可以通過設(shè)置凹凸層來進(jìn)行。凹凸層的材料可以使用丙烯酸的單酯、二酯、三酯和四酯中的至少一種單體(或低聚物)與光聚合引發(fā)劑的混合物。凹凸層的形成例如也可以按下面所述的方法進(jìn)行，首先，在精密制作的母模(原模)上涂布由上述丙烯酸酯和聚合引發(fā)劑構(gòu)成的混合液，在該涂布液層上載置基板后，通過介有基板或母模照射紫外線，使涂布層固化，將基板和涂布層粘合固定，然后將基板從母模上剝離即可。
在基板(或底涂層)的形成了凹凸的表面上設(shè)置含有上述有機(jī)色素、最好是含有本發(fā)明的由上述通式(1)表示的色素化合物的記錄層。
記錄層中還可以含有提高耐光性的各種防退色劑。所述防退色劑的有代表性的例子可以舉出特開平3～224793號(hào)中所述的通式(III)、(IV)或(V)表示的金屬配位體、二亞胺鎓鹽(diimmonum)、胺翁鹽以及特開平2～300287號(hào)和特開平2～300288號(hào)中所示的亞硝基化合物、特開平10～151861中所示的TCNQ衍生物等。
記錄層的形成可以按下面所述進(jìn)行，即，將本發(fā)明的色素及根據(jù)需要使用的淬火劑、粘合劑等溶解在溶劑中制成涂布液，將該涂布液涂布在基板表面上形成涂膜，然后進(jìn)行干燥。用于形成色素記錄層的涂布液中的溶劑可以舉出乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙酸溶纖劑等酯；甲基乙基酮、環(huán)己酮、甲基異丁基酮等酮；二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、氯仿等氯化烴；二甲基甲酰胺等酰胺；環(huán)己烷等烴；四氫呋喃、乙醚、二噁烷等醚；乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、雙丙酮醇等醇；2，2，3，3-四氟丙醇等含氟溶劑；乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、丙二醇一甲醚等乙二醇醚類等?？紤]到所使用的化合物的溶解性，上述溶劑可以單獨(dú)使用1種或者2種或其以上組合使用。根據(jù)使用目的，還可以在涂布液中添加防氧化劑、紫外線吸收劑、增塑劑、潤滑劑等各種添加劑。
所述的粘合劑例如可以舉出明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松脂、橡膠等天然有機(jī)高分子物質(zhì)；聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁烯等烴類樹脂；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯乙烯-聚醋酸乙烯共聚物等乙烯基樹脂；聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂；聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁醛樹脂、橡膠衍生物、酚醛樹脂等熱固性樹脂的初期縮合物等合成有機(jī)高分子。作為記錄層的材料并用粘合劑的情況下，相對于色素來說粘合劑的用量一般是0.01～50倍量(質(zhì)量比)范圍，優(yōu)選的是0.1～5倍量(質(zhì)量比)范圍。這樣制備的涂布液的色素濃度一般是0.01～10％(質(zhì)量)范圍，優(yōu)選的是0.1～5％(質(zhì)量)范圍。
涂布的方法可以舉出噴涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、刮涂法、刮均輥法、絲網(wǎng)印刷法等。記錄層可以是單層的，也可以是多層的，記錄層的層厚度一般是20～500nm的范圍，優(yōu)選的是50～300nm的范圍。
為了提高信息再現(xiàn)時(shí)的反射率，在上述記錄層上設(shè)置反射層。作為反射層材料的光反射性物質(zhì)，是對于激光的反射率高的物質(zhì)，這種材料的例子可以舉出Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬和類金屬或者不銹鋼，其中優(yōu)選的是Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼，特別優(yōu)選的是Ag。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者2種或其以上組合使用，也可以制成合金使用。通過蒸鍍、濺射或離子鍍上述反射性物質(zhì)，可以在記錄層上形成反射層。
反射層的層厚度一般是10～300nm的范圍，優(yōu)選的是50～200nm的范圍。
為了以物理和化學(xué)方式保護(hù)記錄層等，在反射層上還可以設(shè)置保護(hù)層。在基板的未設(shè)置記錄層的一側(cè)，為了提高耐劃傷性和耐濕性的目的，也可以設(shè)置該保護(hù)層。保護(hù)層所使用的材料，例如，可以舉出SiO、SiO2、SgF2、SnO2、Si3N4等無機(jī)物質(zhì)、熱塑性樹脂、熱固性樹脂、UV固化性樹脂等有機(jī)物質(zhì)。保護(hù)層，例如可以通過在反射層上和/或基板上疊層通過塑料擠出加工得到的薄膜而形成，或者也可以采用真空蒸鍍、濺射、涂布等方法形成，另外，在熱塑性樹脂和熱固性樹脂的情況下，還可以通過將它們?nèi)芙庠谶m當(dāng)?shù)娜軇┲兄瞥赏坎家海缓笸坎荚撏坎家翰⑦M(jìn)行干燥而形成。在U V固化性樹脂的情況下，還可以通過將其直接涂布或者溶解于適當(dāng)?shù)娜軇┲兄瞥赏坎家汉笸坎?，然后照射紫外線使之固化而形成。根據(jù)使用目的，在這些涂布液中還可以添加防靜電劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等各種添加劑。保護(hù)層的層厚度一般是0.1～100μm的范圍。通過以上工藝過程，可以制成在基板上設(shè)置了記錄層和反射層以及必要時(shí)還有保護(hù)層的疊層體。如上所述，制作2片疊層體，使這2片疊層體各自的記錄層朝內(nèi)側(cè)，用粘結(jié)劑將它們貼合在一起，可以制造具有2個(gè)記錄層的DVD～R型信息記錄介質(zhì)。另外，將所得到的疊層體和與該疊層體的基板大致相同尺寸的圓盤狀保護(hù)基板按照記錄層朝內(nèi)側(cè)的方式用粘結(jié)劑貼合在一起，可以制造僅僅一側(cè)具有記錄層的DVD～R型的信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的信息記錄方法，是使用上述信息記錄介質(zhì)例如按下面所述進(jìn)行。首先，使信息記錄介質(zhì)以一定的線速度或一定的角速度旋轉(zhuǎn)，與此同時(shí)由基板一側(cè)照射半導(dǎo)體激光等記錄用的激光。經(jīng)過光照射，在記錄層與反射層的界面上形成空洞(空洞是伴隨記錄層或反射層的變形或者這兩層的變形而形成的)，或基板突起變形，或者在記錄層中由于變色、締合狀態(tài)的變化導(dǎo)致折射率改變，從而進(jìn)行信息記錄。所述的記錄光，對于CD～R型，使用具有770～790nm波長半導(dǎo)體激光束，對于DVD～R型，使用具有600～700nm(優(yōu)選的是620～680nm，更優(yōu)選的是630～660nm)振蕩波長的半導(dǎo)體激光。按上面所述記錄的信息，可以通過使信息記錄介質(zhì)按與上述相同的恒定線速度旋轉(zhuǎn)，同時(shí)由基板一側(cè)照射具有與記錄時(shí)相同波長的半導(dǎo)體激光并檢測其反射光而進(jìn)行信息再現(xiàn)。
實(shí)施例實(shí)施例1下面敘述光信息記錄介質(zhì)的實(shí)施例。
光信息記錄介質(zhì)的制作采用注塑成形，將聚碳酸酯樹脂成形為具有螺旋狀凹槽(深130nm、寬310nm、磁道間距0.74μm)的厚度度0.6mm、直徑為120mm的基板。將本發(fā)明的化合物(3)1.25g溶解于2，2，3，3-四氟丙醇100ml中，制成涂布液，采用旋涂法將該涂布液涂布在上述基板的形成凹槽的表面上，形成了色素層。
接著，在各色素涂布面上濺射銀，形成膜厚度約150nm的反射層，然后使用紫外線固化樹脂(ダィキュァクリァSD 640，大日本ィンキ化學(xué)工業(yè)制造)作為粘結(jié)劑與0.6mm厚度的空白基板貼合，制成光盤。
比較例1使用下述比較化合物(1)代替色素化合物(3)，除此之外與實(shí)施例1同樣操作，制成光盤。
比較化合物(1) 光信息記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)使用DDU 1000和多信號(hào)發(fā)生器(パルステック公司制造，激光波長＝660nm、開口率0.60)，將線速度從DVD～R的標(biāo)準(zhǔn)線速度3.5m/s改變至35m/s，記錄8～16調(diào)制信號(hào)。
所使用的記錄策略(strategy)采用表1和圖1中所示的策略。
表1

表2中示出此時(shí)的最佳記錄功率和信號(hào)不穩(wěn)定的測定結(jié)果。
表2

與比較例1相比，實(shí)施例1在1倍速、8倍速、10倍速記錄時(shí)信號(hào)不穩(wěn)定性比較低，反射率高。在比較例1中，AR達(dá)到8X、10X的高速記錄時(shí)，信號(hào)不穩(wěn)定性急劇噁化。另外，在實(shí)施例1中，最佳記錄功率在B記錄策略的情況下是34.7，在比較例1中，在A記錄策略附近晃動(dòng)最小，最佳記錄功率為8.6以下的值。
實(shí)施例2代替色素化合物(3)，使用下面表3中記載的色素化合物4、5、7、10、13、19、20、27、32、3與34并用、比較化合物(1)，除此之外與實(shí)施例1同樣操作，制成光盤試樣202～212。與實(shí)施例1完全同樣操作，評(píng)價(jià)記錄再現(xiàn)的性能，在1X至10X下顯示出優(yōu)異的記錄再現(xiàn)特性。表3中示出以35.0m/s的線速度記錄時(shí)的結(jié)果。與比較化合物相比，本發(fā)明的色素反射率高，晃動(dòng)低，可以得到足夠的調(diào)制度。
表3

此外，以12倍速和16倍速記錄3T和14T的單一頻率信號(hào)時(shí)，得到與1倍速～10倍速同等的C/N比、調(diào)制度和晃動(dòng)。這表明，至少在10～16倍速或者更高的記錄速度下可以得到良好的性能。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì)，是包含透明基板和含有色素的記錄層以及反射層的熱方式追記型光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，該記錄層的主要成分是有機(jī)色素，使用波長600-700nm的激光以線速度v(m/s)在該記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)的最佳記錄功率是25mW或其以上(優(yōu)選的是30mW，更優(yōu)選的是32mW或其以上，最好是60mW或其以下)，其中，以最佳記錄功率記錄8-16調(diào)制信號(hào)時(shí)，信號(hào)不穩(wěn)定性最小的記錄功率是(Po)，該P(yáng)o由下列公式表示。Po=P1×(v/3.5)~1.5P1×(v/3.5)]]>式中，P1是以3.5(m/s)的線速度記錄時(shí)的最佳記錄功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述有機(jī)色素是氧雜菁色素。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧雜菁色素是由下列通式(1)表示的結(jié)構(gòu)。通式(1) 式中，Za1和Za2分別獨(dú)立地表示形成酸性核的原子團(tuán)，Ma1、Ma2和Ma3分別獨(dú)立地表示取代或未取代的次甲基，ka表示0～3的整數(shù)，ka為2或其以上時(shí)，存在多個(gè)Ma1和Ma2，它們可以是相同的，也可以是不同的；Q表示中和電荷的離子，y表示中和電荷所需要的數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧雜菁色素的由Q表示的離子是下列通式(2)所示的結(jié)構(gòu)通式(2) 式中，R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，R13和R18分別獨(dú)立地表示取代基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于[1]在形成了磁道間距0.6～0.9μm的初槽的、直徑為120±3mm或直徑為80±3mm、厚度為0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上，設(shè)置含有色素的記錄層而成的二片疊層體，各自的記錄一側(cè)向內(nèi)接合在一起形成厚1.2±0.2mm；或者[2]在由磁道間距0.6～0.9μm的初槽形成的、直徑為120±3mm或直徑為80±3mm、厚0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上，設(shè)置含有色素的記錄層而成的疊層體和圓盤狀的保護(hù)板，按照記錄層為內(nèi)側(cè)的方式接合的厚度為1.2±0.2mm。
6.一種光信息記錄方法，其特征在于，在透明基板上至少設(shè)置了含有有機(jī)色素的記錄層和反射層的光信息記錄介質(zhì)上，以線速度v(m/s)、按最佳記錄功率25mW或其以上記錄波長600～700nm的激光，在上述最佳記錄功率記錄8-16調(diào)制信號(hào)時(shí)，信號(hào)不穩(wěn)定性最小的記錄功率是(Po)，該P(yáng)o由下列公式表示Po=P1×(v/3.5)~1.5P1×(v/3.5)]]>式中，P1是以3.5(m/s)的線速度記錄時(shí)的最佳記錄功率。
7.一種光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，該光信息記錄介質(zhì)是用于上述權(quán)利要求6所述的光信息記錄方法的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)中含有的有機(jī)色素是氧雜菁色素。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧雜菁色素是由下列通式(1)表示的結(jié)構(gòu)通式(1) 式中，Za1和Za2分別獨(dú)立地表示形成酸性核的原子團(tuán)，Ma1、Ma2和Ma3分別獨(dú)立地表示取代或未取代的次甲基，ka表示0～3的整數(shù)，ka為2或其以上時(shí)，存在多個(gè)Ma1和Ma2，它們可以是相同的，也可以是不同的；Q表示中和電荷的離子，y表示中和電荷所需要的數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧雜菁色素的用Q表示的離子是由下列通式(2)表示的結(jié)構(gòu)通式(2) 式中，R11、R12、R14、R15、R16、R17、R19和R20分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，R13和R18分別獨(dú)立地表示取代基。
11.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一項(xiàng)中所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于[1]在形成了磁道間距0.6～0.9μm的初槽的、直徑為120±3mm或直徑為80±3mm、厚度為0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上，設(shè)置含有色素的記錄層而成的二片疊層體各自的記錄一側(cè)向內(nèi)接合在一起形成厚度為1.2±0.2mm；或者[2]由磁道間距0.6～0.9μm的初槽形成的、直徑為120±3mm或直徑為80±3mm、厚度為0.6±0.1mm的透明圓盤狀基板的設(shè)置了該初槽一側(cè)的表面上設(shè)置含有色素的記錄層而成的疊層體和圓盤狀的保護(hù)板，按照記錄層為內(nèi)側(cè)的方式接合的厚度為1.2±0.2mm。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光信息記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)在1－4倍速的低速記錄時(shí)具有良好的記錄性能，同時(shí)，在8倍速以上的高速記錄時(shí)也能實(shí)現(xiàn)高的反射率和高的調(diào)制度，對于光和熱的可靠性高。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的其特征在于，所述記錄層的主要成分是有機(jī)色素，使用波長600－700nm的激光以線速度v(m/s)在該記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)的最佳記錄功率是25mW以上(優(yōu)選的是30mW，更優(yōu)選的是32mW以上，最好是60mW以下)，其中，以最佳記錄功率記錄8－16調(diào)制信號(hào)時(shí)，信號(hào)不穩(wěn)定最小的記錄功率是(Po)，該P(yáng)o由下列公式表示；Po=P1×
文檔編號(hào)G11B7/257GK1627400SQ20041009797
公開日2005年6月15日 申請日期2004年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月8日
發(fā)明者御子柴尚, 柴田路宏 申請人:富士膠片株式會(huì)社