專(zhuān)利名稱(chēng)：帶電路的懸掛基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的帶電路的懸掛基板。
背景技術(shù)：
用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的帶電路懸掛基板是在支持磁頭的懸掛基板上一體形成布線(xiàn)電路圖形的布線(xiàn)電路基板，而該布線(xiàn)電路圖形是為了將磁頭與傳輸該磁頭所讀寫(xiě)的讀寫(xiě)信號(hào)的讀寫(xiě)基板相連，該基板被廣泛使用，以對(duì)抗磁頭和磁盤(pán)相對(duì)運(yùn)行時(shí)的空氣流，保持與磁盤(pán)間的微小間隔，得到所裝配的磁頭的良好上浮姿態(tài)。
這樣的帶電路的懸掛基板如圖14(a)所示那樣，通常包括不銹鋼箔等的支持基板101、形成在該支持基板101上的基礎(chǔ)絕緣層102、作為布線(xiàn)電路圖形形成在該基礎(chǔ)絕緣層102上的導(dǎo)體層103、覆蓋該導(dǎo)體層103的覆蓋絕緣層104，并設(shè)置用于將作為布線(xiàn)電路圖形而形成的布線(xiàn)與讀寫(xiě)基板(無(wú)圖示)連接的外部側(cè)連接端子105。
在帶電路的懸掛基板中，這樣的外部側(cè)連接端子105，如圖14(b)所示那樣，在導(dǎo)體層103的里面一側(cè)，將支持基板101和基礎(chǔ)絕緣層102開(kāi)口，在導(dǎo)體層103的表面一側(cè)，通過(guò)將覆蓋絕緣層104開(kāi)口使導(dǎo)體層103的表里兩面外露，作為跨線(xiàn)部，在該跨線(xiàn)部的導(dǎo)體層103的表里兩面上，通過(guò)形成由鍍鎳層106和鍍金層107構(gòu)成的襯墊部108而形成(例如參考日本特許公開(kāi)公報(bào)2001-209918號(hào))。
在這樣的帶電路的懸掛基板中，為了將導(dǎo)體層103制成布線(xiàn)電路圖形，通常必須形成為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形，所以使用添加法。即，利用添加法，如圖14(a)所示那樣，在基礎(chǔ)絕緣層102上形成由導(dǎo)體構(gòu)成的種膜109后，在該種膜109上形成相對(duì)于布線(xiàn)電路圖形為反轉(zhuǎn)的圖形的抗鍍膜(無(wú)圖示)，在從該抗鍍膜中外露的種膜109上形成作為布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層103。其后，除去抗鍍膜及形成有導(dǎo)體層103的部分以外的種膜109(例如，參考日本特許公開(kāi)公報(bào)2001-209918號(hào))。
但是，在設(shè)置有跨線(xiàn)部的帶電路的懸掛基板中，若通過(guò)添加法形成作為布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層，在跨線(xiàn)部外露的導(dǎo)體層和襯墊部上會(huì)出現(xiàn)損傷。即，利用添加法時(shí)，由于需要用處理劑進(jìn)行的處理、洗凈水進(jìn)行的清洗等各種制造工序，在這樣的各種制造工序中，跨線(xiàn)部外露的導(dǎo)體層和襯墊部直接受到物理性的損傷，會(huì)出現(xiàn)被切斷的情況。特別在跨線(xiàn)部外露的導(dǎo)體層薄時(shí)，這種斷線(xiàn)變得突出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種帶電路的懸掛基板，它是利用添加法形成作為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層，并且將跨線(xiàn)部的該導(dǎo)體層的損傷和切斷降低的懸掛基板。
本發(fā)明的帶電路的懸掛基板包括金屬支持層、形成在上述金屬支持層上的基礎(chǔ)絕緣層、形成在上述基礎(chǔ)絕緣層上的導(dǎo)體層、形成在上述導(dǎo)體層上的覆蓋絕緣層、將上述金屬支持層、上述基礎(chǔ)絕緣層和上述覆蓋絕緣層開(kāi)口使上述導(dǎo)體層的雙面外露而形成的跨線(xiàn)(flying lead)部，其特征在于，上述跨線(xiàn)部含有上述基礎(chǔ)絕緣層和上述覆蓋絕緣層中的至少一個(gè)的絕緣層，以作為增強(qiáng)上述導(dǎo)體層的增強(qiáng)部。
在這樣的帶電路的懸掛基板中，跨線(xiàn)部含有用于增強(qiáng)導(dǎo)體層的絕緣層，以作為增強(qiáng)部。為此，利用添加法，經(jīng)過(guò)各種制造工序形成導(dǎo)體層，作為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形，跨線(xiàn)部的導(dǎo)體層即使直接受到物理性的損傷，通過(guò)該增強(qiáng)部的增強(qiáng)可防止導(dǎo)體層的損傷和切斷。其結(jié)果是可用作在該帶電路的懸掛基板中，雖然形成導(dǎo)體層作為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形，也可有效防止跨線(xiàn)部的導(dǎo)體層的損傷和切斷的可靠性高的帶電路的懸掛基板。
本發(fā)明的帶電路的懸掛基板具有在上述跨線(xiàn)部中，沿著上述導(dǎo)體層的長(zhǎng)度方向設(shè)置上述增強(qiáng)部的特性。
若沿著導(dǎo)體層的長(zhǎng)度方向設(shè)置增強(qiáng)部的話(huà)，可在跨線(xiàn)部導(dǎo)體層的整個(gè)長(zhǎng)度方向上切實(shí)增強(qiáng)導(dǎo)體層。另外若沿著導(dǎo)體層的長(zhǎng)度方向設(shè)置增強(qiáng)部的話(huà)，可從絕緣層連續(xù)形成增強(qiáng)部。
為此，在這樣的情況下，上述跨線(xiàn)部的上述增強(qiáng)部適合從上述基礎(chǔ)絕緣層開(kāi)始連續(xù)形成，或者上述跨線(xiàn)部的上述增強(qiáng)部適合從上述覆蓋絕緣層連續(xù)形成。


圖1是顯示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實(shí)施方式的平面圖。
圖2是圖1所示的帶電路的懸掛基板的沿著外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向截面的截面圖。
圖3是與圖2所示的帶電路的懸掛基板的沿著與外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向成直角方向進(jìn)行截面的截面圖。
圖4是顯示圖2所示帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，顯示了(a)為準(zhǔn)備支持基板的工序；(b)將感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的溶液涂布在整個(gè)支持基板上后，經(jīng)加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂前體的表面膜的工序；(c)使表面膜隔著光掩模曝光，顯像，形成為規(guī)定圖形的工序；(d)使表面膜固化，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層，使其在形成外部側(cè)連接端子的部分上形成多個(gè)突起狀的增強(qiáng)部的工序；(e)在支持基板和基礎(chǔ)絕緣層的全部表面上，形成由導(dǎo)體薄膜構(gòu)成的種膜的工序。
圖5是接著圖4顯示圖2所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，顯示了(f)在種膜上形成與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形的抗鍍膜的工序；(g)在基礎(chǔ)絕緣層的沒(méi)有形成抗鍍膜的部分上，通過(guò)鍍膜形成布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層的工序；(h)除去抗鍍膜的工序；(i)除去形成有抗鍍膜的部分的種膜的工序；(j)在導(dǎo)體層的表面和支持基板的表面形成金屬表面膜的工序。
圖6是對(duì)圖5的延續(xù)，顯示圖2所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，(k)在基礎(chǔ)絕緣層和金屬表面膜的全部表面上涂布感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的溶液后，加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜的工序；(l)隔著光掩模使表面膜曝光、顯像，利用表面膜進(jìn)行圖形化使其覆蓋導(dǎo)體層的工序；(m)使表面膜固化，在導(dǎo)體層上形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層的工序；(n)切除支持基板形成萬(wàn)向接頭等規(guī)定形狀，與此同時(shí)，切除形成外部側(cè)連接端子部分的支持基板，形成支持基板側(cè)開(kāi)口部的工序。
圖7是延續(xù)圖6顯示圖2所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，(o)是除去從支持基板側(cè)開(kāi)口部露出的基礎(chǔ)絕緣層以殘留增強(qiáng)部的工序；(p)除去從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的金屬表面膜的工序；
(q)除去基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的導(dǎo)體層的種膜的工序；(r)在跨線(xiàn)部露出的導(dǎo)體層上依次形成鍍鎳層和鍍金層的工序。
圖8是圖1所示的帶電路的懸掛基板的其它的實(shí)施方式的、沿著外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向截面的截面圖。
圖9是圖8所示的帶電路的懸掛基板的沿著與外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向垂直的方向截面的截面圖。
圖10是顯示圖8所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，顯示了(a)準(zhǔn)備支持基板的工序；(b)將感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的溶液涂布在全部的支持基板上后，加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜的工序；(c)隔著光掩模使表面膜曝光、顯像，將其形成規(guī)定圖形的工序；(d)使表面膜固化，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層的工序；(e)在全部的支持基板和基礎(chǔ)絕緣層的表面上形成由導(dǎo)體薄膜構(gòu)成的種膜的工序。
圖11是延續(xù)圖10顯示圖8所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，顯示了(f)在種膜上形成與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形的抗鍍膜的工序；(g)在基礎(chǔ)絕緣層的沒(méi)有形成抗鍍膜的部分，通過(guò)鍍膜形成布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層的工序；(h)除去抗鍍膜的工序；(i)除去形成有抗鍍膜的部分的種膜的工序；(j)在導(dǎo)體層的表面和支持基板的表面上形成金屬表面膜的工序。
圖12是延續(xù)圖11顯示了圖8所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，顯示了(k)在基礎(chǔ)絕緣層和金屬表面膜的全部表面上涂布感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的溶液后，加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜的工序；(l)隔著光掩模使表面膜曝光、顯像，利用表面膜進(jìn)行圖形化使其覆蓋導(dǎo)體層的工序；(m)使表面膜固化，在導(dǎo)體層上形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層，從覆蓋絕緣層開(kāi)始連續(xù)形成增強(qiáng)部的工序；(n)切除支持基板形成萬(wàn)向接頭等規(guī)定形狀，與此同時(shí)，切除形成外部側(cè)連接端子部分的支持基板，形成支持基板側(cè)開(kāi)口部的工序。
圖13是延續(xù)圖12顯示了圖8所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的制造工序圖，顯示(o)除去從支持基板側(cè)開(kāi)口部露出的基礎(chǔ)絕緣層的工序；(p)除去從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的金屬表面膜的工序；(q)除去基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的導(dǎo)體層的種膜的工序；(r)在跨線(xiàn)部露出的導(dǎo)體層上依次形成鍍鎳層和鍍金層的工序。
圖14是顯示以往的帶電路的懸掛基板的跨線(xiàn)部的重要部分的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是顯示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實(shí)施方式的平面圖。圖2是沿著圖1所示的帶電路的懸掛基板的外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向截面的截面圖。圖3是沿著與圖2所示的帶電路的懸掛基板的外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向成直角方向進(jìn)行截面的截面圖。
該帶電路的懸掛基板，裝配有硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的磁頭(無(wú)圖示)，對(duì)抗磁頭和磁盤(pán)相對(duì)運(yùn)行時(shí)的空氣流，一邊保持與磁盤(pán)間的微細(xì)的間隔，一邊支持該磁頭的基板。一體形成布線(xiàn)電路圖形，該布線(xiàn)電路圖形是為將磁頭與作為外部電路的讀寫(xiě)基板相連。
在圖1中，該帶電路的懸掛基板1包括作為向長(zhǎng)度方向延伸的金屬支持層的支持基板2、形成在該支持基板2上的基礎(chǔ)絕緣層3、形成在該基礎(chǔ)絕緣層3上的作為布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層4、形成在該導(dǎo)體層4上的覆蓋絕緣層5(在圖1中省略了，參考圖2和圖3)。
將導(dǎo)體層4的布線(xiàn)電路圖形形成為相互隔著規(guī)定間隔而平行狀配置的多條布線(xiàn)4a、4b、4c、4d。在支持基板2的前端部，通過(guò)切除該支持基板2形成安裝磁頭用的萬(wàn)向接頭8，同時(shí)形成連接磁頭和各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d用的磁頭側(cè)連接端子6。另外，在支持基板2的后端部，形成連接讀寫(xiě)基板的端子(無(wú)圖示)與各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d用的外部側(cè)連接端子7。
然后，在該帶電路的懸掛基板1上，例如如圖2和圖3所示那樣，在外部側(cè)連接端子7上，在導(dǎo)體層4的背面?zhèn)?，將支持基?和基礎(chǔ)絕緣層3開(kāi)口，在相反于背面?zhèn)鹊膶?dǎo)體層4的表面?zhèn)?，將覆蓋絕緣層5開(kāi)口，從導(dǎo)體層4的表里兩面外露，即，導(dǎo)體層4的表面從覆蓋絕緣層5外露，導(dǎo)體層4的背面從支持基板2和基礎(chǔ)絕緣層3外露，形成跨線(xiàn)部9。然后，在該跨線(xiàn)部9，在導(dǎo)體層4的表面、兩側(cè)面和背面(后敘的增強(qiáng)層16的露出部分除外)上，依次形成鍍鎳層10和鍍金層11形成襯墊部12。另外，襯墊部12也可以?xún)H由無(wú)圖示的鍍金層11形成。
更加具體地說(shuō)，在該外部側(cè)連接端子7中，在導(dǎo)體層4的背面?zhèn)?，形成支持基?被開(kāi)口成近似矩形狀的支持基板側(cè)開(kāi)口部13，以及對(duì)應(yīng)于該支持基板側(cè)開(kāi)口部13，形成將基礎(chǔ)絕緣層3基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口的開(kāi)口部14，同時(shí)在導(dǎo)體層4的表面?zhèn)龋瑢?duì)應(yīng)于支持基板側(cè)開(kāi)口部13和基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14，形成將覆蓋絕緣層5開(kāi)口的覆蓋側(cè)開(kāi)口部15，使其包括各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的后端部附近，。
然后，跨線(xiàn)部9通過(guò)使導(dǎo)體層4的背面從這些支持基板側(cè)開(kāi)口部13和基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14露出，使導(dǎo)體層4的表面從覆蓋側(cè)開(kāi)口部15露出而形成，在外露的導(dǎo)體層4上形成由上述的鍍鎳層10和鍍金層11構(gòu)成的襯墊部12，或者僅由無(wú)圖示的鍍金層11構(gòu)成的襯墊部12。
另外，該跨線(xiàn)部9中，基礎(chǔ)絕緣層3含有作為增強(qiáng)導(dǎo)體層4用的增強(qiáng)部16。增強(qiáng)部16沿著跨線(xiàn)部9的外露的導(dǎo)體層4的長(zhǎng)度方向，以從各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的下面外露其一部分的狀態(tài)埋在各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d內(nèi)，從跨線(xiàn)部9的長(zhǎng)度方向兩端部的基礎(chǔ)絕緣層3開(kāi)始，通過(guò)長(zhǎng)度方向連續(xù)形成跨線(xiàn)部9。這樣，若將增強(qiáng)部16沿著導(dǎo)體層4的長(zhǎng)度方向設(shè)置時(shí)，則在跨線(xiàn)部9的導(dǎo)體層4的整個(gè)長(zhǎng)度方向上可切實(shí)增強(qiáng)導(dǎo)體層4。若沿著導(dǎo)體層4的長(zhǎng)度方向設(shè)置增強(qiáng)部16時(shí)，從基礎(chǔ)絕緣層3開(kāi)始可連續(xù)形成增強(qiáng)部16。
下面，參照?qǐng)D4-圖7對(duì)制造這樣的帶電路的懸掛基板1的方法進(jìn)行說(shuō)明。在圖4-圖7中，在每一個(gè)工序中，其上側(cè)表示沿著該帶電路的懸掛基板1的長(zhǎng)度方向?qū)щ娐返膽覓旎?的形成外部側(cè)連接端子7的部分截面的截面圖；其下側(cè)表示沿著與該帶電路的懸掛基板1的長(zhǎng)度方向成直角的方向(寬度方向，以下相同)，將帶電路的懸掛基板1的形成外部側(cè)連接端子7的部分截面的截面圖。
在該方法中，首先，如圖4(a)所示那樣，準(zhǔn)備支持基板2。作為支持基板2，較好用金屬箔或金屬薄板，例如較好用不銹鋼、42合金等。其厚度為10-60μm、更好為15-30μm；其寬度為50-500mm，更好為125-300mm。
然后，在該方法中，如圖4(b)-圖4(d)所示那樣，以規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層3，使形成外部側(cè)連接端子7的部分形成突起狀的增強(qiáng)部16。在寬度方向，對(duì)應(yīng)于各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d相互隔著規(guī)定間隔，并且在全部的導(dǎo)體層4的長(zhǎng)度方向的后敘的跨線(xiàn)部9上，形成多個(gè)該增強(qiáng)部16。
作為形成基礎(chǔ)絕緣層3用的絕緣體，例如可用聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂、聚丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚醚腈類(lèi)樹(shù)脂、聚醚砜類(lèi)樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯類(lèi)樹(shù)脂、聚萘二甲酸二醇酯類(lèi)樹(shù)脂、聚氯乙烯類(lèi)樹(shù)脂等的合成樹(shù)脂。其中，為了以上述規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層3，較好用感光性的合成樹(shù)脂，更好用感光性的聚酰亞胺樹(shù)脂。
因而，例如在采用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂，以上述規(guī)定圖形在支持基板2上形成基礎(chǔ)絕緣層3時(shí)，首先，如圖4(b)所示那樣，將感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體(聚酰胺酸樹(shù)脂)的溶液涂布在整個(gè)支持基板2后，通過(guò)以例如60-150℃，較好是80-120℃加熱，形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜3a。
然后，如圖4(c)所示那樣，通過(guò)光掩模17使該表面膜3a曝光，根據(jù)需要加熱到規(guī)定溫度后，顯像，將表面膜3a形成為上述規(guī)定的圖形。另外，光掩模17，例如在形成負(fù)像圖形時(shí)，使用分級(jí)曝光的掩模，該掩模包括面對(duì)于沒(méi)有形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分的遮光部(透光率0％)17a、面對(duì)于形成有外露于后敘的支持基板側(cè)開(kāi)口部13的基礎(chǔ)絕緣層3(不對(duì)應(yīng)增強(qiáng)部16的部分)的部分的半透光部(透光率為20-80％)17b、面對(duì)于形成有增強(qiáng)部16和支持基板2上的基礎(chǔ)絕緣層3的部分的透光部(透光率100％)17c。
若使用這樣的分級(jí)曝光的掩模時(shí)，在以下的顯像處理時(shí)，在遮光部17a對(duì)面的未曝光部分上，不形成基礎(chǔ)絕緣層3，在半透光部17b對(duì)面的半曝光部分上，形成外露于后敘的支持基板側(cè)開(kāi)口部13的基礎(chǔ)絕緣層3(沒(méi)有對(duì)應(yīng)于增強(qiáng)部16的部分)，在透光部17c對(duì)面的曝光部分上，形成增強(qiáng)部16和支持基板2上的基礎(chǔ)絕緣層3，該增強(qiáng)部16，在后敘跨線(xiàn)部9中，對(duì)應(yīng)于各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d，沿著其長(zhǎng)度方向從基礎(chǔ)絕緣層3突起為線(xiàn)狀，可對(duì)表面膜3a進(jìn)行圖形化。
通過(guò)光掩模17進(jìn)行照射的照射光，其曝光的波長(zhǎng)為300-450nm，較好為350-420nm，其曝光的累積光量為100-1000mJ/cm2，更好為200-750mJ/cm2。
對(duì)被照射后的表面膜3a的半曝光部分和曝光部分，可通過(guò)例如130℃以上、未滿(mǎn)150℃的溫度進(jìn)行加熱，在后面的顯像處理中可熔化(正像型)，另外，還可通過(guò)以例如150℃以上、180℃以下的溫度加熱，在后面的顯像處理中不熔化(負(fù)像型)。而顯像采用例如使用堿性顯像液等的公知的顯像液的浸漬法或?yàn)R射法等的公知方法。在該方法中，以負(fù)像型來(lái)得到圖形較為理想，圖4中顯示了以負(fù)像型進(jìn)行圖形化的形態(tài)。
然后，如圖4(d)所示那樣，通過(guò)加熱到最終的250℃以上使如上所述圖形化后的聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜3a固化(酰亞胺化)，這樣，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層3，使形成多個(gè)突起狀的增強(qiáng)部16形成在外部側(cè)連接端子7的部分上。
若不使用感光性的合成樹(shù)脂時(shí)，也可以預(yù)先將合成樹(shù)脂成形為上述規(guī)定圖形的干膜，再將其粘貼到支持基板2上。
這樣形成的基礎(chǔ)絕緣層3的厚度為3-15μm。增強(qiáng)部16的厚度，包括基礎(chǔ)絕緣層3的厚度為5-30μm，若不含基礎(chǔ)絕緣層3的增強(qiáng)部16的殘余厚度為2-10μm，較好為4-8μm。
然后，在該方法中，在基礎(chǔ)絕緣層3上，以布線(xiàn)電路圖形形成導(dǎo)體層4。作為布線(xiàn)電路圖形所形成的導(dǎo)體層4，由導(dǎo)體構(gòu)成，作為這樣的導(dǎo)體，可用銅、鎳、金、錫、或這些金屬的合金等，較好用銅。在以布線(xiàn)電路圖形形成導(dǎo)體層4時(shí)，可通過(guò)腐蝕法(相減法)、添加法等公知的圖形化方法在基礎(chǔ)絕緣層3的表面上形成導(dǎo)體層4以作為布線(xiàn)電路圖形。
利用腐蝕法時(shí)，首先在基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)表面上，根據(jù)需要通過(guò)接合劑層，層疊導(dǎo)體層4，然后，在該導(dǎo)體層4上形成如同于布線(xiàn)電路圖形的圖形的抗蝕膜，將該抗蝕膜作為抗蝕膜，對(duì)導(dǎo)體層4進(jìn)行蝕刻，其后，除去抗蝕膜。
另外，利用添加法的話(huà)，首先，在基礎(chǔ)絕緣層3上形成由導(dǎo)體的薄膜構(gòu)成的種膜，然后，在該種膜上以與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形形成抗鍍膜后，在種膜的沒(méi)有形成抗鍍膜的表面上，通過(guò)鍍膜形成作為布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層4，其后，除去抗鍍膜和層疊了抗鍍膜部分的種膜。
在這些圖形化的方法中，若要形成微細(xì)的布線(xiàn)電路圖形的話(huà)，如圖4(e)-圖5(i)所示那樣，較好用添加法。即，使用添加法時(shí)，首先，如圖4(e)所示那樣在支持基板2和基礎(chǔ)絕緣層3(包括增強(qiáng)部16)的整個(gè)表面上，形成導(dǎo)體薄膜構(gòu)成的種膜18。種膜18的形成，較好用真空蒸鍍法，特別是濺射蒸鍍法。另外，成為種膜18的導(dǎo)體，較好用鉻或銅等。更加具體地說(shuō)，在整個(gè)支持基板2和基礎(chǔ)絕緣層3的表面上，較好利用濺射蒸鍍法將鉻薄膜和銅薄膜濺射蒸鍍，依次形成。鉻薄膜的厚度為100-600，銅薄膜的厚度為500-2000，較好。
下面，如圖5(f)所示那樣，在該種膜18上，形成與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形的抗鍍膜19?？瑰兡?9，可通過(guò)采用干膜抗鍍膜等公知的方法，形成為上述抗蝕膜圖形。然后，如圖5(g)所示那樣，在基礎(chǔ)絕緣層3的沒(méi)有形成抗鍍膜19的部分上，經(jīng)過(guò)鍍膜，形成布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層4。鍍膜可采用電解鍍膜，也可采用非電解鍍膜。較好用電解鍍膜，特好用電解銅鍍膜。該布線(xiàn)電路圖形，如圖1所示那樣，相互隔著規(guī)定間隔，平行配置，形成為多條的布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的圖形。
導(dǎo)體層4的厚度為2-25μm，較好為5-20μm，各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的寬度為10-500μm，較好為30-300μm，各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d間的間隔為10-1000μm，較好為10-500μm。
然后，如圖5(h)所示那樣，利用化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻法或剝離除去抗鍍膜19后，如圖5(i)所示那樣，同樣通過(guò)化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻法將形成有抗鍍膜19的部分的種膜18除去。這樣在基礎(chǔ)絕緣層3上形成作為布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層4。
在形成外部側(cè)連接端子7的部分中，在各增強(qiáng)部16的兩側(cè)面和其上面都形成了導(dǎo)體層4。
下面，如圖5(j)所示那樣，在導(dǎo)體層4的表面上形成金屬表面膜20。該金屬表面膜20，較好通過(guò)非電解鍍鎳形成以作為硬質(zhì)的鎳薄膜，其厚度可以是導(dǎo)體層4的表面不露出的程度。例如為0.05-0.1μm。該金屬表面膜20也可形成在支持基板2的表面上。
然后，如圖6(k)-圖6(m)所示那樣，形成覆蓋導(dǎo)體層4的覆蓋絕緣層5，它具有形成覆蓋側(cè)開(kāi)口部15的規(guī)定圖形。作為形成覆蓋絕緣層5的絕緣體，可用與基礎(chǔ)絕緣層3同樣的絕緣體，較好用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂。
若采用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂，形成覆蓋絕緣層5時(shí)，如圖6(k)所示那樣，將感光性聚酰亞胺樹(shù)脂前體(聚酰胺酸樹(shù)脂)的溶液涂布在整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層3和金屬表面膜20上后，在例如60-150℃，較好在80-120℃下加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜5a，然后，如圖6(l)所示那樣，隔著光掩模(具有遮光部和透光部的通常的光掩模)21使該表面膜5a曝光，根據(jù)需要加熱到規(guī)定溫度后，使曝光部分顯像，利用表面膜5a進(jìn)行圖形化，以覆蓋導(dǎo)體層4。在該圖形化中，在形成外部側(cè)連接端子7的部分中，形成覆蓋側(cè)開(kāi)口部15，外露導(dǎo)體層4。
該曝光和顯像的條件也可以和曝光和顯像基礎(chǔ)絕緣層3的條件一樣。較好以負(fù)像型制得圖形。圖6中顯示了以負(fù)像型進(jìn)行圖形化的形態(tài)。
如圖6(m)所示那樣，通過(guò)加熱到最終的250℃以上使這樣圖形化的聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜5a固化(酰亞胺化)，這樣在導(dǎo)體層4上形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層5，覆蓋絕緣層5的厚度為1-30μm，較好為2-20μm。
下面，如圖6(n)所示那樣通過(guò)化學(xué)蝕刻等公知的方法將支持基板2切除為萬(wàn)向接頭8等規(guī)定形狀，同時(shí)，切除形成外部側(cè)連接端子7的部分的支持基板2，形成支持基板側(cè)開(kāi)口部13。將該支持基板側(cè)開(kāi)口部13形成為含各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的俯視近似于矩形的形狀。
接著，如圖7(o)所示那樣，通過(guò)化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)、利用等離子體的干蝕刻等公知的蝕刻法將外露于支持基板側(cè)開(kāi)口部13的基礎(chǔ)絕緣層3除去，使增強(qiáng)部16(厚度2-10μm，較好為4-8μm)殘存，形成基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14后，如圖7(p)所示那樣，通過(guò)化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻方法將從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14和覆蓋側(cè)開(kāi)口部15露出的金屬表面膜20除去。另外，在此時(shí)，也除去形成在支持基板2的表面上的金屬表面膜20。
然后，如圖7(q)所示那樣，通過(guò)化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻方法將從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14和覆蓋側(cè)開(kāi)口部15露出的導(dǎo)體層4中、從各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的下面露出的種膜18除去，這樣，形成導(dǎo)體層4的表里兩面露出的跨線(xiàn)部9。
其后，如圖7(r)所示那樣，在該跨線(xiàn)部9的外露的導(dǎo)體層4上，通過(guò)電解鍍鎳和電解鍍金依次形成厚度為1-5μm的鍍鎳層10和厚度為1-5μm鍍金層11，或者通過(guò)電解鍍膜僅形成厚度為2-10μm的鍍金層11，此種形成方法無(wú)圖示，形成襯墊部12，形成外部側(cè)連接端子7，由此制得帶電路的懸掛基板。
在這樣的帶電路的懸掛基板1中，跨線(xiàn)部9含有為增強(qiáng)導(dǎo)體層4的由基礎(chǔ)絕緣層3構(gòu)成的增強(qiáng)部16。為此，通過(guò)添加法經(jīng)過(guò)各種制造工序，將導(dǎo)體層4形成為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形，而制得的跨線(xiàn)部9的襯墊部12，即使直接受到物理性的損傷，也能通過(guò)該增強(qiáng)部16的增強(qiáng)以防止襯墊部12的損傷和切斷。其結(jié)果是利用該帶電路的懸掛基板1，在將導(dǎo)體層4形成為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形的同時(shí)，也能有效地防止跨線(xiàn)部9的襯墊部12的損傷和切斷，用作可靠性高的帶電路的懸掛基板1。
在上述實(shí)施方式中，在跨線(xiàn)部9中，可從基礎(chǔ)絕緣層3開(kāi)始連續(xù)形成增強(qiáng)部16，也可從覆蓋絕緣層5開(kāi)始連續(xù)形成。圖8是這樣的實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板中的沿著外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向截面的截面圖。圖9是圖8所示的帶電路的懸掛基板的沿著與外部側(cè)連接端子的帶電路的懸掛基板的長(zhǎng)度方向成直角的方向截面的截面圖。在圖8和圖9、后敘的圖10-圖17中，在與圖1-圖7所示的帶電路的懸掛基板相同的部件上打上同一的記號(hào)，無(wú)差異的情況下，省略對(duì)其的說(shuō)明。
在圖8和圖9中，在該帶電路的懸掛基板1中，也是在外部側(cè)連接端子7中形成跨線(xiàn)部9，它是通過(guò)在導(dǎo)體層4的背面一側(cè)將支持基板2和基礎(chǔ)絕緣層3開(kāi)口，在與此相反的導(dǎo)體層4的表面一側(cè)將覆蓋絕緣層5開(kāi)口，使導(dǎo)體層4表里兩面外露，將襯墊部12設(shè)置在該表里兩面的跨線(xiàn)部9。
該跨線(xiàn)部9含有覆蓋絕緣層5，它作為增強(qiáng)導(dǎo)體層4的增強(qiáng)部16。增強(qiáng)部16，沿著跨線(xiàn)部9的外露的導(dǎo)體層4的長(zhǎng)度方向，以層疊在各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d上的狀態(tài)而設(shè)置的，從跨線(xiàn)部9的長(zhǎng)度方向兩端部的覆蓋絕緣層5開(kāi)始連續(xù)形成，使其沿長(zhǎng)度方向通過(guò)跨線(xiàn)部9。
下面，參照附圖10-附圖13對(duì)制造這樣的帶電路的懸掛基板1的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在圖10-圖13中，在每一個(gè)工序中，其上側(cè)表示帶電路的懸掛基板1的形成外部側(cè)連接端子7的部分，沿著該帶電路的懸掛基板1的長(zhǎng)度方向的截面圖；其下側(cè)表示帶電路的懸掛基板1的形成外部側(cè)連接端子7的部分，沿著與該帶電路的懸掛基板1的長(zhǎng)度方向成直角的方向(寬度方向，以下相同)的截面圖。
在該方法中，首先，如圖10(a)所示那樣，準(zhǔn)備支持基板2。采用與上述一樣的金屬箔或者金屬薄板作為支持基板2。
接著，在該方法中，如圖10(b)-圖10(d)所示那樣，以規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層3?；A(chǔ)絕緣層3的形成，采用和上述一樣的絕緣體的同樣的方法，例如，采用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂，在支持基板2上以規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層3時(shí)，首先，如圖10(b)所示那樣，將感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體(聚酰胺酸樹(shù)脂)溶液全面涂布在該支持基板2上后，以與上述相同的方法，形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜3a，然后，如圖10(c)所示那樣，經(jīng)過(guò)與上述相同的方法，隔著光掩模22使該表面膜3a曝光，根據(jù)需要加熱到規(guī)定溫度后，顯像，將表面膜3a形成規(guī)定圖形。但是，光掩模22因不必象上述那樣在基礎(chǔ)絕緣層3上形成突起狀的增強(qiáng)部16，所以在形成負(fù)像型的圖形時(shí)，使用包括面對(duì)不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分的遮光部(透光率為0％)和面對(duì)形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分的透光部(透光率為100％)的通常的光掩模。
如圖10(d)所示那樣，通過(guò)加熱到最終的250℃以上使如上所述圖形化后的聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜3a固化(酰亞胺化)，這樣，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層3。
在不使用感光性合成樹(shù)脂的情況下，例如也可以預(yù)先形成帶有規(guī)定圖形的干膜，將其粘貼在支持基板2上。
然后，在該方法中，采用與上述一樣的導(dǎo)體，通過(guò)相同的方法，以布線(xiàn)電路圖形在基礎(chǔ)絕緣層3上形成導(dǎo)體層4。例如，用添加法，首先如圖11(e)所示那樣，通過(guò)與上述相同的方法在整個(gè)支持基板2和基礎(chǔ)絕緣層3上形成由導(dǎo)體薄膜構(gòu)成的種膜18，然后，如圖11(f)所示那樣，在該種膜18上，利用與上述相同的方法，形成與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形的抗鍍膜19后，如圖11(g)所示那樣，在基礎(chǔ)絕緣層3的不形成抗鍍膜19的部分上，利用與上述相同的方法，形成布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層4。
然后，如圖11(h)所示那樣，利用與上述相同的方法除去抗鍍膜19后，如圖11(i)所示那樣，同樣除去形成有抗鍍膜19的部分的種膜18。這樣，在基礎(chǔ)絕緣層3上形成了作為布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層4。
接下來(lái)，如圖11(j)所示那樣，通過(guò)與上述相同的方法，在導(dǎo)體層4的表面和支持基板2的表面上形成金屬表面膜20后，如圖12(k)-圖12(m)所示那樣，將為覆蓋導(dǎo)體層4的覆蓋絕緣層5形成為規(guī)定圖形，使覆蓋側(cè)開(kāi)口部15和增強(qiáng)部23形成。作為為形成覆蓋絕緣層5的絕緣體，使用與基礎(chǔ)絕緣層3一樣的絕緣體。
即，例如采用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂，形成覆蓋絕緣層5的情況下，如圖12(k)所示那樣，通過(guò)與上述相同的方法，在基礎(chǔ)絕緣層3和金屬表面膜20上，涂布感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體(聚酰胺酸樹(shù)脂)溶液，以與上述相同的方法，形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜5a后，如圖12(l)所示那樣，隔著光掩模24使該表面膜5a曝光，根據(jù)需要，將曝光部分加熱到規(guī)定溫度后，顯像，利用表面膜5a將導(dǎo)體層4覆蓋而進(jìn)行圖形化。
在該圖形化中，光掩模24，例如在形成負(fù)像型的圖形時(shí)，可采用包括面對(duì)不形成含有覆蓋側(cè)開(kāi)口部15的覆蓋絕緣層5的部分的遮光部(透光率為0％)24a，以及面對(duì)形成含有增強(qiáng)層23的覆蓋絕緣層5的部分的透光部(透光率為100％)24b的圖形的光掩模。
若采用這樣的光掩模，在下面的顯像處理中，在面對(duì)于遮光部24a的未曝光部分上形成以含有各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d為目的的被開(kāi)口為近似于矩形的覆蓋側(cè)開(kāi)口部15；在面對(duì)于透光部24b的曝光部分上，以層疊在各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d上的狀態(tài)，從覆蓋絕緣層5開(kāi)始連續(xù)形成通過(guò)該覆蓋側(cè)開(kāi)口部15的長(zhǎng)度方向的多個(gè)增強(qiáng)部23。
該曝光和顯像的條件可以是與曝光和顯像基礎(chǔ)絕緣層3的條件相同的條件。另外，較好制得負(fù)像型的圖形，圖12中顯示了負(fù)像型圖形化的形態(tài)。
如圖12(m)所示那樣，以與上述相同的方法使如上所述圖形化的聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的表面膜5a固化(酰亞胺化)，這樣可在導(dǎo)體層4上形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層5。
然后，如圖12(n)所示那樣，以與上述相同的方法，將支持基板2切除為萬(wàn)向接頭8等規(guī)定形狀，與此同時(shí)，切去形成外部側(cè)連接端子7的部分的支持基板2，形成與上述相同的支持基板側(cè)開(kāi)口部13。
如圖13(o)所示那樣，與上述一樣，利用化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻法將從支持基板側(cè)開(kāi)口部13露出的基礎(chǔ)絕緣層3除去，形成基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14后，如圖13(p)所示那樣，利用與上述相同的方法將從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14和覆蓋側(cè)開(kāi)口部15露出的金屬表面膜20和形成在支持基板2的表面上的金屬表面膜20除去。接下來(lái)，如圖13(q)所示那樣，以同樣的方法將外露于基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14和覆蓋側(cè)開(kāi)口部15的導(dǎo)體層4中各布線(xiàn)4a、4b、4c、4d的下面的種膜18除去。這樣，可形成外露于導(dǎo)體層4的表里兩面的跨線(xiàn)部9。
其后，如圖13(r)所示那樣，通過(guò)電解鍍鎳和電解鍍金依次在外露于該跨線(xiàn)部9的導(dǎo)體層4上形成厚度1-5μm鍍鎳層和厚度1-5μm的鍍金層，或者通過(guò)電鍍僅形成厚度2-10μm的鍍金層11，該過(guò)程無(wú)圖示，通過(guò)形成襯墊部12形成外部側(cè)連接端子7，這樣可制得帶電路的懸掛基板1。
在這樣的帶電路的懸掛基板1中，跨線(xiàn)部9中含有增強(qiáng)導(dǎo)體層4用的覆蓋絕緣層5來(lái)作為該增強(qiáng)部23。為此，通過(guò)添加法經(jīng)過(guò)各種制造工序，將導(dǎo)體層4形成為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形，而制得的跨線(xiàn)部9的襯墊部12，即使直接受到物理性的損傷，也能通過(guò)該增強(qiáng)部23的增強(qiáng)以防止襯墊部12的損傷和切斷。其結(jié)果是利用該帶電路的懸掛基板1，在將導(dǎo)體層4形成為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形的同時(shí)，也能有效地防止跨線(xiàn)部9的襯墊部12的損傷和切斷，用作可靠性高的帶電路的懸掛基板1。
在該方法中，在為形成如圖10(c)所示的基礎(chǔ)絕緣層3的表面膜3a的圖形化中，也可以事先形成基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14，通過(guò)切去為形成如圖12(n)所示的外部側(cè)連接端子7的部分的支持基板2，形成支持基板側(cè)開(kāi)口部13，從該支持基板側(cè)開(kāi)口部13和事先所形成的基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14使導(dǎo)體層4外露。
在上述方法中，除去種膜18后，可形成金屬表面膜20，也可以在除去種膜18以前，形成金屬表面膜20。更加具體地說(shuō)，依次層疊鉻薄膜和銅薄膜形成種膜18的情況時(shí)，也可以首先除去銅薄膜，然后，形成金屬薄膜20，其后，將鉻薄膜除去。若利用該方法，在支持基板2的表面上不形成金屬表面膜20，可防止支持基板2的污染和損傷。
上述帶電路的懸掛基板1的制造，實(shí)際上可利用輥對(duì)輥法(ロ-ルツ-ロ-ル)等生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行實(shí)施。此時(shí)，直到形成跨線(xiàn)部9為止，可用輥對(duì)輥法連續(xù)制造后，切成各種帶電路的懸掛基板1，其后，再形成襯墊部12。
實(shí)施例以下顯示了實(shí)施例和比較例，對(duì)本發(fā)明更加具體地進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明不受任何實(shí)施例和比較例的限制。
實(shí)施例1采用輥對(duì)輥法實(shí)施下述各工序，制得帶電路的懸掛基板。
準(zhǔn)備由不銹鋼箔構(gòu)成的寬為300mm、厚度為20μm、長(zhǎng)度為120m的支持基板(參考圖4(a))。將聚酰胺酸樹(shù)脂的溶液涂布在全部該支持基板的表面上后，在100℃加熱，形成厚度為25μm的聚酰胺酸樹(shù)脂的表面膜(參考圖4(b))。隔著包括遮光部(透光率為0％)、半透光部(透光率為50％)和透光部(透光率為100％)的分級(jí)曝光光掩模，以720mJ/cm2使該表面膜曝光，在180℃加熱后，用堿性顯像液進(jìn)行顯像(參考圖4(c))。其后，以最高溫度420℃使其固化，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層，在形成外部側(cè)連接端子的部分上形成多個(gè)突起狀的增強(qiáng)部(參考圖4(d))。該基礎(chǔ)絕緣層的厚度是10μm，各增強(qiáng)部的厚度(作為不含基礎(chǔ)絕緣層的增強(qiáng)部的殘留厚度)為4μm。
下面，在全部的支持基板和基礎(chǔ)絕緣層(含增強(qiáng)部)的表面上，利用濺射蒸鍍法依次形成厚度為400的鉻薄膜和厚度為700的銅薄膜來(lái)形成種膜(參考圖4(e))。其后，在種膜上層壓感光性干膜保護(hù)膜后，通過(guò)光掩模以235mJ/cm2使其曝光，采用堿性顯像液進(jìn)行顯像除去未曝光部，形成與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形的抗鍍膜(參考圖5(f))。
在基礎(chǔ)絕緣層的沒(méi)有形成抗鍍膜的部分上，通過(guò)電解鍍銅將導(dǎo)體層形成為布線(xiàn)電路圖形(參考圖5(g))。導(dǎo)體層的厚度為12μm，各布線(xiàn)的寬為280μm，各布線(xiàn)間的間距為480μm。
其后，剝離抗鍍膜后(參考圖5(h))，利用化學(xué)蝕刻將形成有抗鍍膜的部分的銅薄膜除去，然后，在導(dǎo)體層的表面上，使用采用鈀液的非電解鍍鎳形成厚度為0.1μm的硬質(zhì)的鎳薄膜制的金屬表面膜，其后，通過(guò)化學(xué)蝕刻將鉻薄膜除去(參考圖5(i)、圖5(j))。
接下來(lái)，在整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層和金屬表面膜上涂布聚酰胺酸樹(shù)脂的溶液后，在100℃加熱，形成厚度20μm的聚酰胺酸樹(shù)脂的表面膜(參考圖6(k))，隔著光掩模以720mJ/cm2使該表面膜曝光，在180℃加熱后，使用堿性顯像液進(jìn)行顯像，以表面膜覆蓋導(dǎo)體層來(lái)進(jìn)行圖形化(參考圖6(l))。在該圖形化中，在形成外部側(cè)連接端子的部分，形成覆蓋側(cè)開(kāi)口部使導(dǎo)體層露出。其后，在最高溫度420℃使其固化，以在形成外部側(cè)連接端子的部分形成覆蓋側(cè)開(kāi)口部的規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層(參考圖6(m))。該覆蓋絕緣層的厚度為5μm。
接著，除形成萬(wàn)向接頭和支持基板側(cè)開(kāi)口部的部分以外，層疊感光性干膜保護(hù)膜以覆蓋支持基板后，以105mJ/cm2使其曝光，用堿性顯像液顯像，形成抗蝕膜后，以該抗蝕膜作為保護(hù)膜(resist)，采用氯化鐵溶液進(jìn)行蝕刻，形成萬(wàn)向接頭和支持基板側(cè)開(kāi)口部(參考圖6(n))。
其后，經(jīng)化學(xué)蝕刻除去從支持基板側(cè)開(kāi)口部露出的基礎(chǔ)絕緣層，使增強(qiáng)部(厚度為4μm)殘存，形成基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部后(參考圖7(o))，通過(guò)化學(xué)蝕刻除去從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的金屬表面膜(參考圖7(p))，再利用化學(xué)蝕刻將從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的導(dǎo)體層的、從各布線(xiàn)的下面露出的種膜(銅薄膜和鉻薄膜)除去，這樣就形成了從導(dǎo)體層的表里兩面露出的跨線(xiàn)部(參考圖7(q))。
其后，將感光性干膜保護(hù)膜層疊覆蓋全部的制得的帶電路的懸掛基板后，以105mJ/cm2使其曝光，用堿性顯像液顯像形成抗蝕膜后，以該抗蝕膜作為保護(hù)膜，使用氯化鐵溶液進(jìn)行蝕刻切下每塊帶電路的懸掛基板。
然后，跨線(xiàn)部露出的導(dǎo)體層上，通過(guò)電解鍍鎳和電解鍍金依次形成厚度1μm的鍍鎳層和厚度為1μm的鍍金層，通過(guò)形成襯墊部形成外部側(cè)連接端子，這樣制得帶電路的懸掛基板(參考圖7(r))。
在該帶電路的懸掛基板的制造中，在跨線(xiàn)部沒(méi)有出現(xiàn)不良的問(wèn)題。
實(shí)施例2采用輥對(duì)輥法實(shí)施下述各工序，制得帶電路的懸掛基板。
準(zhǔn)備由不銹鋼箔構(gòu)成的寬為300mm、厚度為20μm、長(zhǎng)度為120m的支持基板(參考圖10(a))。將聚酰胺酸樹(shù)脂的溶液涂布在全部該支持基板的表面上后，在100℃加熱，形成厚度為25μm的聚酰胺酸樹(shù)脂的表面膜(參考圖10(b))。隔著光掩模，以720mJ/cm2使該表面膜曝光，在180℃加熱后，用堿性顯像液進(jìn)行顯像(參考圖10(c))。其后，以最高溫度420℃使其固化，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層(參考圖10(d))。該基礎(chǔ)絕緣層的厚度是10μm。
下面，在全部的支持基板和基礎(chǔ)絕緣層的表面上，利用濺射蒸鍍法依次形成厚度為400的鉻薄膜和厚度為700的銅薄膜來(lái)形成種膜(參考圖10(e))。其后，在種膜上層壓感光性干膜保護(hù)膜后，通過(guò)光掩模以235mJ/cm2使其曝光，采用堿性顯像液進(jìn)行顯像以除去未曝光部，形成與布線(xiàn)電路圖形相反的圖形的抗鍍膜(參考圖11(f))。
在基礎(chǔ)絕緣層的沒(méi)有形成抗鍍膜的部分，通過(guò)電解鍍銅將導(dǎo)體層形成為布線(xiàn)電路圖形(參考圖11(g))。導(dǎo)體層的厚度為12μm，各布線(xiàn)的寬為280μm，各布線(xiàn)間的間距為480μm。
其后，剝離抗鍍膜后(參考圖11(h))，利用化學(xué)蝕刻將形成有抗鍍膜的部分的銅薄膜除去，然后，在導(dǎo)體層的表面，使用采用鈀液的非電解鍍鎳形成厚度為0.1μm的硬質(zhì)的鎳薄膜制的金屬表面膜，其后，通過(guò)化學(xué)蝕刻將鉻薄膜除去(參考圖11(i)、圖11(j))。
接下來(lái)，在整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層和金屬表面膜上涂布聚酰胺酸樹(shù)脂的溶液后，在100℃加熱，形成厚度20μm的聚酰胺酸樹(shù)脂的表面膜(參考圖12(k))，通過(guò)光掩模以720mJ/cm2使該表面膜曝光，在180℃加熱后，使用堿性顯像液進(jìn)行顯像，進(jìn)行圖形化以表面膜覆蓋導(dǎo)體層(參考圖12(l))。在該圖形化中，在形成外部側(cè)連接端子的部分，形成覆蓋側(cè)開(kāi)口部和多個(gè)增強(qiáng)部，該增強(qiáng)部層疊在覆蓋側(cè)開(kāi)口部的各布線(xiàn)上并橫穿該覆蓋側(cè)開(kāi)口部的長(zhǎng)度方向。其后，在最高溫度420℃使其固化，以規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層(參考圖12(m))。該覆蓋絕緣層的厚度為5μm。
接著，除成萬(wàn)向接頭和支持基板側(cè)開(kāi)口部的部分以外，層疊感光性干膜保護(hù)膜以覆蓋支持基板后，以105mJ/cm2使其曝光，用堿性顯像液顯像，形成抗蝕膜后，以該抗蝕膜作為保護(hù)膜(resist)，采用氯化鐵溶液進(jìn)行蝕刻，形成萬(wàn)向接頭和支持基板側(cè)開(kāi)口部(參考圖12(n))。
其后，經(jīng)化學(xué)蝕刻除去從支持基板側(cè)開(kāi)口部露出的基礎(chǔ)絕緣層，形成基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部后(參考圖12(o))，通過(guò)化學(xué)蝕刻除去從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的金屬表面膜(參考圖12(p))，再利用化學(xué)蝕刻將從基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部和覆蓋側(cè)開(kāi)口部露出的導(dǎo)體層的、從各布線(xiàn)的下面露出的種膜(鉻薄膜)除去，這樣就形成了從導(dǎo)體層的表里兩面露出的跨線(xiàn)部(參考圖12(q))。
其后，將感光性干膜保護(hù)膜層疊覆蓋全部制得的帶電路的懸掛基板后，以105mJ/cm2使其曝光，用堿性顯像液顯像形成抗蝕膜后，以該抗蝕膜作為保護(hù)膜，使用氯化鐵溶液進(jìn)行蝕刻切去各帶電路的懸掛基板。
然后，跨線(xiàn)部露出的導(dǎo)體層上，通過(guò)電解鍍鎳和電解鍍金依次形成厚度1μm的鍍鎳層和厚度為1μm的鍍金層，通過(guò)形成襯墊部形成外部側(cè)連接端子，這樣制得帶電路的懸掛基板(參考圖12(r))。
在該帶電路的懸掛基板的制造中，在跨線(xiàn)部沒(méi)有出現(xiàn)不良的問(wèn)題。
比較例1除了在覆蓋絕緣層的圖形化時(shí)形成覆蓋側(cè)開(kāi)口部，不形成增強(qiáng)部以外，通過(guò)和實(shí)施例2一樣的方法制得帶電路的懸掛基板(參考圖14)。
在該帶電路的懸掛基板的制造中，在跨線(xiàn)部產(chǎn)生了不良問(wèn)題。
上述說(shuō)明以例示的實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明不單單局限于這些例示，和受限于這些解釋?zhuān)绢I(lǐng)域技術(shù)人員所明確的本發(fā)明的變化例也包括在前述的專(zhuān)利權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.帶電路的懸掛基板，它是包括金屬支持層、形成在上述金屬支持層上的基礎(chǔ)絕緣層、形成在上述基礎(chǔ)絕緣層上的導(dǎo)體層、形成在上述導(dǎo)體層上的覆蓋絕緣層、將上述金屬支持層、上述基礎(chǔ)絕緣層和上述覆蓋絕緣層開(kāi)口使上述導(dǎo)體層的雙面外露的跨線(xiàn)部的帶電路的懸掛基板，其特征在于，上述跨線(xiàn)部含有上述基礎(chǔ)絕緣層和上述覆蓋絕緣層中的至少一個(gè)的絕緣層，以作為增強(qiáng)上述導(dǎo)體層的增強(qiáng)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，在上述跨線(xiàn)部中，沿著上述導(dǎo)體層的長(zhǎng)度方向設(shè)置上述增強(qiáng)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，在上述跨線(xiàn)部中，從上述基礎(chǔ)絕緣層開(kāi)始連續(xù)形成上述增強(qiáng)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，在上述跨線(xiàn)部中，從上述覆蓋絕緣層開(kāi)始連續(xù)形成上述增強(qiáng)部。
全文摘要
為了提供由添加法形成作為微細(xì)布線(xiàn)電路圖形的導(dǎo)體層、并且在跨線(xiàn)部減少該導(dǎo)體層的損傷和切斷的帶電路的懸掛基板，在具有支持基板2、形成在支持基板2上的基礎(chǔ)絕緣層3、形成在基礎(chǔ)絕緣層3上的導(dǎo)體層4、形成在導(dǎo)體層4上的覆蓋絕緣層5、將支持基板側(cè)開(kāi)口部13、基礎(chǔ)側(cè)開(kāi)口部14和覆蓋側(cè)開(kāi)口部15開(kāi)口使外部側(cè)連接端子7上、導(dǎo)體層4的雙面外露的跨線(xiàn)部9的帶電路的懸掛基板1中，其跨線(xiàn)部9含有從基礎(chǔ)絕緣層3和覆蓋絕緣層5中的至少一個(gè)的絕緣層，沿著導(dǎo)體層4的長(zhǎng)度方向連續(xù)形成為增強(qiáng)導(dǎo)體層4的增強(qiáng)部16或23。
文檔編號(hào)G11B21/00GK1627366SQ200410100148
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2004年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月4日
發(fā)明者金川仁紀(jì), 船田靖人, 大澤徹也 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社