專利名稱：：一種光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化方法及裝置的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及一種光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化方法，尤其涉及一種同時優(yōu)化光盤刻寫的多個參數(shù)的方法及其裝置。
背景技術(shù)：
：如今，光盤系統(tǒng)憑借其相對低廉的成本和巨大的容量已經(jīng)成為多媒體影音信息與大量數(shù)據(jù)的理想載體?，F(xiàn)有的光盤分為使用EFM(EighttoFourteenModulation)編碼規(guī)則的CD(CompactDisc)光盤；使用EFM+編碼規(guī)則的DVD光盤；使用17PP編碼規(guī)則的BD(Blu-Ray)光盤；以及其它一些并不普及的光盤。其中每一種又可以分為只讀(Read-Only)光盤、一次記錄(Recordable)光盤和可重寫(Rewritable)光盤。對于一次記錄光盤和可重寫光盤，數(shù)據(jù)是由記錄激光刻寫出的標記(Mark)以及標記間的空區(qū)(Space)代表的。由于它們對聚焦的讀取激光具有不同的反射率，從而產(chǎn)生高頻調(diào)制信號。模擬的高頻信號經(jīng)過交流耦合后被送入二進制信號裁切器(Slicer)，通過與裁切門限電平(SliceLevel)比較轉(zhuǎn)換為二進制數(shù)據(jù)，得到分別對應于光盤上的標記和空區(qū)的標記電平和空區(qū)電平。再通過與時鐘信號的耦合，就能得到各個標記和空區(qū)的游程長度(Runlength)，從而進一步恢復出記錄的原始數(shù)據(jù)。原始數(shù)據(jù)的恢復是由裁切后得到的標記游程長度和空區(qū)游程長度決定的，但最終是由刻寫的標記物理長度決定的。因為空區(qū)物理長度是由與其相鄰的兩個標記物理長度決定的，所以刻寫的標記物理長度的準確度決定了讀取的標記游程長度和空區(qū)游程長度的偏差量，從而決定了光盤刻寫的質(zhì)量。為了精確地刻寫光盤，依據(jù)光盤種類的不同，發(fā)展了很多種不同的刻寫策略適用于一次記錄CD-R光盤的方形激光波型刻寫策略；適用于一次記錄DVD光盤的開始和結(jié)尾部分采用較高功率的“狗骨架(dog-bone)”波型刻寫策略；適用于低速(10倍速以下)CD-RW光盤的“1T刻寫策略”；適用于高速相變介質(zhì)光盤的“2T刻寫策略”；此外，還有適用于其它各種光盤的相應刻寫策略。每一種刻寫策略是由若干不同種類的激光脈沖按照一定次序組成的。通常，不同的標記采用不同的激光脈沖序列進行刻寫，其中相同種類的激光脈沖采用相同的字母表示。每個種類的激光脈沖又都包含脈沖高度(即功率)和脈沖寬度(由開始時間與結(jié)束時間決定)兩個參數(shù)。在實際刻寫過程中，如果刻寫參數(shù)發(fā)生變化，就會最終影響到數(shù)據(jù)記錄的質(zhì)量。圖1顯示了一種在超速(UltraSpeed)CD-RW系統(tǒng)中使用的“2T刻寫策略”中用于24倍速下刻寫3T、4T和5T標記的激光脈沖模式。如圖1所示，這種“2T刻寫策略”中每個T的時間被均勻地分成8個時間分度(這里1個時間分度為1.206ns)，即刻寫策略是由相同寬度的激光脈沖構(gòu)成的序列，每個時間分度的激光脈沖的高度由不同的字母表示。具體的激光脈沖模式如下3T標記eeewwwwwwwwwbbbbbbbcceee4T標記eeewwwwwwbbbbbbbbbbwwwwwwbbbddee5T標記eeewwwwwwbbbbbbbbbbbbbwwwwwwwwwbbbbffeee其中，字母w表示刻寫功率；e表示擦除功率；b表示冷卻功率；參數(shù)c、d、f分別是用于精確調(diào)整3T、4T、5T標記的后沿的脈沖，具體功率可以依照情況進行優(yōu)化設定。在光盤刻寫過程中，為了得到精確的標記物理長度，從而準確地恢復原始數(shù)據(jù)，需要對刻寫參數(shù)進行優(yōu)化，即對刻寫策略中激光的脈沖功率和/或脈沖起止時間進行優(yōu)化。傳統(tǒng)的刻寫參數(shù)優(yōu)化方法都集中于刻寫功率和擦除功率的優(yōu)化，因為特定刻錄條件下的最佳刻寫功率和擦除功率是由光盤和驅(qū)動器的匹配共同決定的。對于一次記錄光盤和低速可重寫光盤，傳統(tǒng)技術(shù)只對刻寫功率進行校正，具體的技術(shù)細節(jié)已經(jīng)作為光盤標準加以公布。在正式刻寫光盤前，驅(qū)動器根據(jù)光盤標準所規(guī)定的OPC(OptimumPowerControl)步驟搜尋最佳的刻寫功率。在每張光盤的ATIP(AbsoluteTimeInPregroove)信息里包含了刻寫策略涉及的激光脈沖參數(shù)優(yōu)化的初始值。驅(qū)動器以這個優(yōu)化的初始值作為出發(fā)點，按照OPC的步驟進行GAMMA信號測量，找到最佳刻寫功率。而最佳擦除功率不需要獨立進行校正，因為ATIP信息里也包含了這種光盤的最佳擦除功率與最佳刻寫功率的比例。詳細的OPC步驟可以參考CD-R和CD-RW的橙皮書標準。對于多倍速刻錄光盤，光盤驅(qū)動器存有一張查找用的表格。因為光盤和驅(qū)動器之間存在各種差異，這張查找用的表格需要容納盡可能多光盤的刻寫參數(shù)值。具有該表格的驅(qū)動器能通過查找該表格方便的找到適用于某種特定光盤的刻寫參數(shù)的優(yōu)化值。然而對于高速可重寫光盤，例如超速CD-RW、可重寫DVD光盤以及可重寫藍光光盤，將不得不采用2T或更復雜的刻寫策略。由于至少有四個激光脈沖功率或脈沖寬度需要進行優(yōu)化，而光盤上的ATIP碼又沒有包含這些參數(shù)的優(yōu)化信息；同時，這些參數(shù)隨驅(qū)動器的光電結(jié)構(gòu)和刻錄環(huán)境的不同而變化，因此驅(qū)動器必須自行優(yōu)化這些參數(shù)。對于一張未知的光盤，如何快速靈活地優(yōu)化刻寫參數(shù)是一個巨大的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的針對高速可重寫光盤的參數(shù)優(yōu)化方法主要包括由B.Tieke和F.Tang提出的基于數(shù)據(jù)對數(shù)據(jù)抖動或數(shù)據(jù)對時鐘抖動的測量來優(yōu)化刻寫功率的方法；由WillemGeurtzen提出的基于Beta測量優(yōu)化擦除功率的方法；以及F.Tang提出的基于數(shù)據(jù)對數(shù)據(jù)抖動或數(shù)據(jù)對時鐘抖動的測量來優(yōu)化擦除功率的方法。這些方法只能優(yōu)化刻寫功率或者擦除功率。然而，還沒有任何一種傳統(tǒng)的刻寫參數(shù)優(yōu)化方法能適用于各種刻錄光盤類型(包括各種一次記錄或可重寫光盤)和不同的刻寫策略。尤其是還沒有任何針對標記游程長度，同時優(yōu)化多個激光脈沖參數(shù)的方法，使各個符號(Symbol)的標記游程長度盡可能地接近精確的標記游程長度(如光盤標準規(guī)定的標準標記長度)。通過使各個標記的游程長度標準化，從而使得空區(qū)的游程長度也標準化，得到較小的標記和空區(qū)長度或位置抖動(Jitter)，達到低的誤碼率，最終得到準確的原始數(shù)據(jù)。綜上所述，傳統(tǒng)的優(yōu)化方法存在諸多問題。因此，需要提供一種適用于各種情況的光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化方法，以同時優(yōu)化多個刻寫參數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種能夠得到精確的標記游程長度的光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化方法及裝置。本發(fā)明的進一步目的是提供能夠同時優(yōu)化多個光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化方法。為此，本發(fā)明提供了一種光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化裝置，包括一個獲取裝置，用于獲取標記游程長度的變化量；一個確定裝置，用于確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量；和一個調(diào)整裝置，用于調(diào)整所述的刻寫參數(shù)值。本發(fā)明還提供了一種光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化方法，包括步驟獲取標記游程長度的變化量；根據(jù)標記游程長度的變化量與參數(shù)的調(diào)整量之間的關系，確定參數(shù)的調(diào)整量；調(diào)整所述參數(shù)值。在本發(fā)明中，確定了參數(shù)的調(diào)整量對標記游程長度的變化量的影響。通過本發(fā)明提供的優(yōu)化方法及裝置，就可以同時對多個刻寫參數(shù)進行優(yōu)化，從而得到精確的標記游程長度。圖1是超速CD-RW系統(tǒng)中用于刻寫3T、4T、5T標記的“2T刻寫策略”的激光脈沖模式；圖2是光盤刻錄系統(tǒng)中獲取標記游程長度的示意圖；圖3是由于高頻信號的變化引起的裁切電平再平衡的示意圖；圖4是依據(jù)本發(fā)明的光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的工作流程圖；圖6、7、8分別是為確定參數(shù)c、d、f的強度(ns/mW)所作的多次實驗和測量；圖9是對3T、4T、5T標記的游程長度偏差進行一次優(yōu)化后的結(jié)果，這里系統(tǒng)設定的優(yōu)化目標是標準規(guī)定的各標記的標準長度。具體實施例方式為了提供一種能夠同時優(yōu)化多個刻寫參數(shù)的優(yōu)化方法，發(fā)明人仔細研究了光盤刻寫中參數(shù)變化影響標記游程長度的原因。通過分析，清楚地表明了傳統(tǒng)的優(yōu)化方法局限于單一參數(shù)優(yōu)化的原因，同時為新的優(yōu)化方法提供了思路。圖2是光盤刻錄系統(tǒng)中獲取標記游程長度的示意圖，用來說明刻寫參數(shù)變化影響標記游程長度的原因。在一次記錄或可重寫光盤的刻寫過程中，刻寫裝置110根據(jù)刻寫參數(shù)的設置在光盤上刻寫出標記。相鄰標記之間成為空區(qū)。標記和空區(qū)具有各自的物理長度，由刻寫參數(shù)決定。當光盤上的標記(Mark)與空區(qū)(Space)被讀取裝置120讀出時，就會產(chǎn)生高頻調(diào)制信號。該高頻調(diào)制信號對應著標記物理長度和空區(qū)物理長度。通過二進制信號裁切裝置140將來自讀取裝置120的高頻信號與來自裁切電平確定裝置130的裁切門限電平(SliceLevel)比較，轉(zhuǎn)換為二進制數(shù)據(jù)，就得到標記電平和空區(qū)電平。最后由游程長度測量裝置160根據(jù)內(nèi)部或外部的時鐘裝置150產(chǎn)生的時鐘信號對來自二進制信號裁切裝置140的標記電平和空區(qū)電平進行測量，就能得到標記和空區(qū)的游程長度。上述過程中使用的裁切門限電平由裁切電平確定裝置130依據(jù)二進制信號裁切裝置140反饋的標記電平和空區(qū)電平加以確定，并且不斷動態(tài)地變化。其原理是，裁切電平確定裝置在其內(nèi)部對裁切后得到的二進制數(shù)據(jù)的游程長度進行積分。一般，空區(qū)的游程長度的值取正，而標記游程長度的值取負?！癉SV(DigitalSumValue)趨向最小”原理將對裁切門限電平施加負反饋控制作用，使其電平位置保證所有空區(qū)的游程長度之和趨近于所有標記的游程長度之和。這樣，當高頻信號發(fā)生變化后，就會導致裁切門限電平的再平衡。圖3給出了上述由于高頻信號的變化引起裁切電平再平衡過程的更清晰的圖像。圖中，實線表示再平衡前的穩(wěn)定狀態(tài)，虛線表示再平衡后的狀態(tài)。S0、S1分別是再平衡前后的高頻信號，L0、L1分別是再平衡前后的裁切門限電平。dS是讀出的高頻信號發(fā)生的變化，Δh是因此造成的裁切門限電平的移動量。由于高頻信號由S0改變dS到S1位置，裁切門限電平會相應的由L0移動Δh到L1位置。這樣，由于刻寫參數(shù)的變化(dPj)，標記物理長度會發(fā)生相應的變化(dPhyLj)。標記物理長度的變化以及空區(qū)物理長度的變化，又會引起高頻信號發(fā)生變化。由于高頻信號的變化，測得的標記游程長度也相應地變化(ΔMarkRLi)。然而，標記游程長度不僅與高頻信號有關，還與裁切電平有關。而裁切電平本身也受高頻信號影響。這意味著某一個刻寫參數(shù)的變化，不僅會引起與其對應的標記的游程長度變化，而且所有其他標記的游程長度也會受到影響。因此測得的標記游程長度的變化量并非真實的標記物理長度的變化量。結(jié)果是，測量到的標記游程長度依賴于所有的刻寫參數(shù)的設置(例如CD系統(tǒng)中3T標記的物理長度變化將影響6T標記的游程長度的觀測值)。本發(fā)明中所指的標記或空區(qū)的物理長度或游程長度是指在一次測試中某種標記或空區(qū)的多個物理長度或游程長度樣本被平均后的長度，用來衡量長度的整體效果，從而去除了熱干擾和測量噪音等的影響。正是由于每一參數(shù)的變化都會最終影響所有的標記游程長度，而傳統(tǒng)的方法又不能預期兩個或更多個參數(shù)同時變化對標記游程長度的復雜影響。因此，傳統(tǒng)的優(yōu)化方法局限在單一參數(shù)的優(yōu)化上。當涉及多個參數(shù)時，或者無能為力，或者只能將其簡化為分別執(zhí)行各個參數(shù)的優(yōu)化。本發(fā)明在仔細研究多個參數(shù)與標記游程長度的影響后，針對標記游程長度，創(chuàng)造性的提出了同時優(yōu)化多個參數(shù)的優(yōu)化方法。具體內(nèi)容在下面所舉的實施例中將做詳細的描述。圖4是本發(fā)明的光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化裝置的一個實施例的示意圖。該優(yōu)化裝置200包括一個獲取裝置210，用于獲取標記游程長度的變化量；一個確定裝置230，用于確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量；和一個調(diào)整裝置240，用于調(diào)整所述的刻寫參數(shù)值。執(zhí)行優(yōu)化時，由獲取裝置210根據(jù)來自游程長度測量裝置160的標記游程長度，獲取標記游程長度的變化量；而后由確定裝置230根據(jù)標記游程長度變化量與刻寫參數(shù)整量的關系，確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量；最后，由調(diào)整裝置240，根據(jù)確定裝置230確定的刻寫參數(shù)調(diào)整量調(diào)整所述的刻寫參數(shù)值。這樣就能使標記游程長度達到規(guī)定的優(yōu)化目標。本發(fā)明的光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化裝置還可以包括一個判斷裝置220，用來判斷是否需要進行優(yōu)化。因此，執(zhí)行優(yōu)化時，獲取裝置210獲取標記游程長度的變化量后，由判斷裝置220進行判斷，確定是否需要進行優(yōu)化。如果已經(jīng)達到優(yōu)化目標規(guī)定的標記游程長度，那么無需由該裝置進行優(yōu)化，可以直接由傳統(tǒng)的刻寫裝置進行刻寫。如果需要優(yōu)化，則由確定裝置230確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量；最后，再由調(diào)整裝置240根據(jù)確定裝置230確定的刻寫參數(shù)調(diào)整量，調(diào)整所述的刻寫參數(shù)值。這樣就能使標記游程長度達到優(yōu)化目標。上述裝置可以適用于一次記錄或可重寫的CD、DVD或藍光光盤。通過該裝置可以執(zhí)行本發(fā)明的優(yōu)化方法中的各個過程，從而對多個激光脈沖的功率或者起止時間進行同時優(yōu)化，使標記游程長度達到優(yōu)化目標。下面結(jié)合附圖與實施例詳細闡明本發(fā)明的優(yōu)化方法。本發(fā)明的光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化方法的實施例A是在一種超速(UltraSpeed)CD-RW光盤上進行的光盤刻寫的多參數(shù)優(yōu)化。優(yōu)化過程在24倍速下刻寫，10倍速下讀取測量。優(yōu)化過程采用按EFM編碼規(guī)則產(chǎn)生的隨機數(shù)據(jù)序列，使用如表一所示的“2T刻寫策略”來控制標記的刻寫。表一實施例A中使用的刻寫策略其中，字母w表示刻寫功率，e表示擦除功率，b表示冷卻功率，g和h為預先定義的功率，參數(shù)c是用于精確調(diào)整所有3T標記的后沿的功率，參數(shù)d是用于精確調(diào)整所有4T標記的后沿的功率，參數(shù)f是用于精確調(diào)整所有5T標記的后沿的功率。開始優(yōu)化前，確定需要進行優(yōu)化的參數(shù)?？紤]到3T、4T和5T標記對于電信號的位探測而言有極關鍵的作用，因為它們總共占所有標記的樣本數(shù)量的70％，且它們的頻率較高，所以確定優(yōu)化的參數(shù)為c、d和f，使3T、4T和5T標記達到精確的標記游程長度。在本例中確定的優(yōu)化目標是光盤標準規(guī)定的標記游程長度，因為是在10倍速下讀取測量，因此3T標記的優(yōu)化目標是69.45ns(納秒)，4T標記的優(yōu)化目標是92.6ns，5T標記的優(yōu)化目標是115.75ns，并且設允許的誤差范圍為±0.5ns。具體的優(yōu)化流程如圖5所示。開始優(yōu)化后，首先執(zhí)行步驟S10，為各個刻寫參數(shù)設定初始值。對于不進行優(yōu)化的參數(shù)，其參數(shù)值是預先定義的。根據(jù)OPC步驟后確定的刻寫功率Pw＝40mW，擦除功率Pe＝8mW，冷卻功率Pb＝0.1mW，g和h的功率Pg＝Ph＝4mW。Pc，Pd和Pf是要進行優(yōu)化的參數(shù)c、d和f的功率，它們的初始值可以在驅(qū)動器允許的范圍內(nèi)隨機選定。為了減少優(yōu)化過程的工作量，通常選定為擦除功率的一半，即在本例中采用的初始值為Pc＝Pd＝Pf＝4mW。而后執(zhí)行步驟S20，根據(jù)參數(shù)的當前值在光盤的優(yōu)化功率校正(OPC)區(qū)域刻寫一段根據(jù)EFM編碼規(guī)則產(chǎn)生的隨機數(shù)據(jù)。完成后執(zhí)行步驟S30，測量所寫的數(shù)據(jù)的標記游程長度，并用3T、4T和5T標記的游程長度優(yōu)化目標分別減去測得的3T、4T和5T標記的游程長度，得到3T、4T和5T標記游程長度的偏差量，這也是需要的3T、4T和5T標記游程長度的變化量，如圖9中的標記◆所示。3T標記游程長度變化量為ΔMarkRL3T＝1.58ns，4T標記游程長度變化量為ΔMarkRL4T＝-1.86ns，5T標記游程長度變化量為ΔMarkRL5T＝-1.15ns。圖9中，當測得的標記游程長度與各標記游程長度的優(yōu)化目標值一致時為0。進行判斷步驟S40，確定是否需要進行優(yōu)化。本例中，優(yōu)化過程中設定的允許誤差范圍為±0.5ns，比較顯示3T、4T和5T標記游程長度偏差量均超過了優(yōu)化目標允許的誤差范圍，因此需要進行優(yōu)化。執(zhí)行步驟S51、S52，根據(jù)步驟S30得到標記游程長度的變化量，確定要優(yōu)化參數(shù)的調(diào)整量。其中在步驟S51中，根據(jù)標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量之間的關系dPhyLcdPhyLddPhyLf=2.030.730.571.031.730.571.030.731.57·ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5T---Eq.(1)]]>可以確定需要的3T、4T和5T標記的物理長度的變化量dPhyLcdPhyLddPhyLf=2.030.730.571.031.730.571.030.731.57·1.58-1.86-1.15=1.197-2.243-1.533]]>即dPhyLc＝1.197ns，dPhyLd＝-2.243ns，dPhyLf＝-1.533ns。然后執(zhí)行步驟S52，根據(jù)需要的標記物理長度的變化量確定各參數(shù)的功率調(diào)整量。根據(jù)標記物理長度的變化量與參數(shù)間的關系dPr＝dPhyLr/Kr，結(jié)合系數(shù)Kc＝-0.83(ns/mW)，Kd＝-1.27(ns/mW)，Kf＝-1.05(ns/mW)可以得到需要的功率調(diào)整量dPc＝dPhyLc/Kc＝1.197/-0.83＝-1.442mW，dPd＝-2.243/-1.27＝1.766mW，dPf＝-1.533/-1.05＝1.46mW。得到功率調(diào)整量后，執(zhí)行步驟S60，調(diào)整各參數(shù)的功率設定值。將各參數(shù)的功率值調(diào)整為Pc＝4-1.442＝2.558mW，Pd＝4+1.766＝5.766mW，Pf＝4+1.46＝5.46mW。然后跳回步驟S20，重新進行刻寫測試。測量其標記游程長度，判斷是否達到系統(tǒng)設定的優(yōu)化目標。將3T、4T和5T標記的游程長度優(yōu)化目標分別減去測得的3T、4T和5T標記的游程長度，得到3T、4T和5T標記游程長度的調(diào)整量，結(jié)果如圖9中標記■所示。在圖9中，標記◆所示的是沒有優(yōu)化時的標記游程長度調(diào)整量，標記■所示的是一次優(yōu)化后的標記游程長度調(diào)整量。執(zhí)行判斷步驟S40，結(jié)果顯示為ΔMarkRL3T＝0.105ns，ΔMarkRL4T＝-0.05ns，ΔMarkRL5T＝-0.198ns，可見3T、4T和5T標記游程長度的調(diào)整量顯著減小。上述結(jié)果表明，經(jīng)過一次優(yōu)化之后就達到了系統(tǒng)設定的優(yōu)化目標范圍，不必再重復優(yōu)化步驟。達到優(yōu)化目標后，就可以執(zhí)行步驟S70，用優(yōu)化后的各參數(shù)功率值進行正式的刻寫過程。在上述優(yōu)化過程中，步驟S51中所采用的標記游程長度變化量與標記物理長度變化量之間的關系Eq.(1)是由以下步驟確定的。首先，確定在涉及多個刻寫參數(shù)時標記物理長度變化量與標記游程長度變化量之間的關系，其原理如下所述。一般地，需要進行優(yōu)化的刻寫參數(shù)j共M個，為j＝1，2，…M；用符號Pj表示參數(shù)j的設定值，dPj表示參數(shù)j的參數(shù)值變化量；由dPj所分別引起的受參數(shù)j直接影響的標記的物理長度的變化量為dPhyLj(j＝1，2，…M)；經(jīng)信號裁切器裁切后測量到的標記游程長度的變化量為ΔMarkRLi(i＝1，2，…N)。其中，標記i是標準允許的標記類型，例如對于采用EFM編碼規(guī)則CD光盤系統(tǒng)，i可以是3T，4T…11T標記，分別用標記i＝1，2…9表示?？梢詫?shù)變化量與標記游程長度的變化量間的關系表示為dP1→dPhyL1ΔMarkRL1dP2→dPhyL2ΔMarkRL2..............................dPM→dPhyLMΔMarkRLN上述過程在
背景技術(shù)：
中已經(jīng)結(jié)合附圖2加以詳細說明。通過仔細研究引起標記游程長度發(fā)生變化的原因，可以得到標記物理長度變化量與標記游程長度變化量之間的關系。對于工作中的二進制信號裁切器，通常裁切門限電平經(jīng)過一個短暫的過渡時期將趨于穩(wěn)定，由于裁切器相對于高頻信號而言具有很大的時間常數(shù)，因此在一段時間內(nèi)可以將裁切門限電平認為是一個恒定的電平。并且，一般情況下被讀出的高頻信號對于所有的標記和臺階具有相同的上升沿和下降沿，它們在裁切門限電平附近是線性的，它們的斜率的絕對值是“K”。進一步，考慮到不同的標記i的樣本數(shù)量對裁切門限電平的變化會做出不同的影響，因此定義權(quán)重系數(shù)jp描述標記的樣本數(shù)量分布，jp指示受參數(shù)j直接影響的標記的樣本數(shù)量占所有標記的樣本數(shù)量的百分比。通常，當采用按編碼規(guī)則產(chǎn)生的隨機數(shù)據(jù)進行優(yōu)化時，分布權(quán)重系數(shù)與編碼規(guī)則有關；當采用用戶自定義的數(shù)據(jù)進行優(yōu)化時，分布權(quán)重系數(shù)與編碼規(guī)則無關。當裁切門限電平位于其平衡位置的初始狀態(tài)時，如果對參數(shù)j引入變化量dPj，dPj所引起的對應標記的物理長度的變化量為dPhyLj，從而讀出的高頻信號將發(fā)生變化，根據(jù)“DSV趨向最小”原理，裁切門限電平將移動Δh以補償裁切后測得的所有標記的游程長度總和的變化量，最終使測得的所有標記的游程長度都會發(fā)生變化ΔMarkRLi。下面的方程Eq.(2)用來表示圖3中的裁切門限電平的再平衡的結(jié)果。dPhyL1×1p+...+dPhyLj×jp+...+dPhyLM×Mp＝-(Δh/K)×2Eq.(2)或?qū)憺橥ㄊ?amp;Sigma;j=1MdPhyLj×jp=-(Δh/K)×2]]>而測得的標記i的游程長度的變化量可以由真實的標記物理長度的變化量及裁切門限電平的移動通過下面的方程Eq.(3)來表示。ΔMarkRLi=(Δh/K)×2+Σj=1Meij×dPhyLj---Eq.(3)]]>其中，eij為影響系數(shù)，當參數(shù)j對標記i有直接影響時eij＝1，當參數(shù)j對標記i無直接影響時eij＝0。結(jié)合方程Eq.(2)和Eq.(3)能夠得到下述的涉及多個刻寫參數(shù)的標記物理長度變化量與標記游程長度變化量間的變換關系Eq.(4).其中，變換矩陣的系數(shù)vij＝-jp+eij。而后，將上述的變換關系逆變換，得到標記游程長度變化量與標記物理長度變化量間的關系。具體方法為當M＝N，并且變換矩陣在數(shù)學上非奇異時，即變換矩陣的行列式不等于零時，表示為對Eq.(4)逆變換，得到涉及多個刻寫參數(shù)的標記游程長度變化量與標記物理長度變化量間的關系，表示為在本實施例中，用符號dPc表示參數(shù)c的功率變化量，dPd表示參數(shù)d的功率變化量，dPf表示參數(shù)f的功率變化量。符號dPhyLc表示由dPc引起的3T標記的物理長度的變化量，dPhyLd表示由dPd引起的4T標記的物理長度的變化量，dPhyLf表示由dPf引起的5T標記的物理長度的變化量。ΔMarkRL3T表示測得的3T標記的游程長度的變化量，ΔMarkRL4T表示4T標記的游程長度的變化量，ΔMarkRL5T表示5T標記的游程長度的變化量。于是根據(jù)Eq.(2)可以得到裁切門限電平的再平衡方程dPhyLc×cp+dPhyLd×dp+dPhyLf×fp＝-(Δh/K)×2根據(jù)方程Eq.(3)，裁切后測得的3T、4T和5T標記的游程長度的變化量可表示為ΔMarkRL3T＝(Δh/K)×2+dPhyLcΔMarkRL4T＝(Δh/K)×2+dPhyLdΔMarkRL5T＝(Δh/K)×2+dPhyLf因此，對應于Eq.(4)的涉及參數(shù)c、d和f的3T、4T和5T標記的物理長度變化量與3T、4T和5T標記的游程長度變化量的關系為ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5T=-cp+1-dp-fp-cp-dp+1-fp-cp-dp-fp+1·dPhyLcdPhyLddPhyLf---Eq.(6)]]>本實施例采用的是EFM編碼規(guī)則，產(chǎn)生的隨機數(shù)據(jù)序列中的標記樣本數(shù)量分布是大致恒定的。本實施例的優(yōu)化過程中采用的是一個包含25000個標記的隨機數(shù)據(jù)序列，其中各標記的樣本數(shù)量分布如表二所列。表二根據(jù)EFM規(guī)則的標記樣本數(shù)量分布因此，可以定義3個權(quán)重系數(shù)來描述3T、4T和5T標記的樣本分布情況。cp＝7660/25000＝0.31指示受參數(shù)c直接影響的3T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，dp＝5514/25000＝0.22指示受參數(shù)d直接影響的4T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，fp＝4310/25000＝0.17指示受參數(shù)f直接影響的5T標記的樣本數(shù)量所占的百分比。代入Eq.(6)后得到ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5T=0.69-0.22-0.17-0.310.78-0.17-0.31-0.220.83·dPhyLcdPhyLddPhyLf]]>因為變換矩陣的行列式不等于零，即det0.69-0.22-0.17-0.310.78-0.17-0.31-0.220.83≠0]]>經(jīng)矩陣逆變換后可得到對應于Eq.(5)的變換關系dPhyLcdPhyLddPhyLf=0.69-0.22-0.17-0.310.78-0.17-0.31-0.220.83-1·ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5T]]>dPhyLcdPhyLddPhyLf=2.030.730.571.031.730.571.030.731.57·ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5T---Eq.·(1)]]>這就是步驟S51中所用的標記游程長度變化量與標記物理長度變化量間的關系Eq.(1)。步驟S52中所采用的標記物理長度變化量與刻寫參數(shù)值的變化量之間的關系dPr＝dPhyLr/Kr以及系數(shù)Kc＝-0.83(ns/mW)、Kd＝-1.27(ns/mW)、Kf＝-1.05(ns/mW)是由以下步驟確定的。首先，確定某個刻寫參數(shù)r與標記物理長度變化量的關系。當僅有參數(shù)r從設定值Pr變化dPr時，此時dPr≠0且dPx＝0(x＝1，2，...M，x≠r)，除受參數(shù)r直接影響的標記的物理長度變化量dPhyLr≠0外，其它標記的物理長度不會變化，即dPhyLx＝0。如果受參數(shù)r直接影響的標記為s，其游程長度的變化量為ΔMarkRLs；另一個不受該參數(shù)r直接影響的標記為t，其游程長度的變化量為ΔMarkRLt。由Eq.(3)可以得到如下方程，來描述測得的標記游程長度的變化量ΔMarkRLs＝(Δh/K)×2+dPhyLrΔMarkRLt＝(Δh/K)×2因此，ΔMarkRLs＝ΔMarkRLt+dPhyLr，dPhyLr＝ΔMarkRLs-ΔMarkRLtEq.(7)通常情況下，激光脈沖參數(shù)r的變化量與受其影響的標記的物理長度的變化量之間的關系可以表示成dPhyLr＝f(dpr)。為了得到標記物理長度的變化量與激光脈沖參數(shù)的變化量之間的關系，逐次改變Pr，進行多次刻寫實驗。然后測量標記游程長度的變化量，可以得到標記游程長度的變化量與激光脈沖參數(shù)之間的關系ΔMarkRLs＝f1(Pr)、ΔMarkRLt＝f2(Pr)，通過結(jié)合Eq.(7)就能得到dPhyLr＝ΔMarkRLs-ΔMarkRLt＝f1(Pr)-f2(Pr)＝f1-2(Pr).將激光脈沖參數(shù)的初始值Pr0代入就能得到激光脈沖參數(shù)r的變化量dPr與標記物理長度的變化量dPhyLr之間的關系dPhyLr＝f1-2(Pr)＝f1-2(Pr0+dPr)＝f(dPr)根據(jù)需要的標記物理長度的變化量dPhyLr和激光脈沖參數(shù)的初始值Pr0，就可算出需要的激光脈沖參數(shù)的變化量dPr。對于常見的刻錄光盤，通過合理定義刻寫策略的參數(shù)(激光脈沖的功率或起止時間)，可以使得在一定范圍內(nèi)，該參數(shù)與受其直接影響的標記物理長度的變化量的關系近似為線性關系，從而可以定義ΔMarkRLs＝K1×dPr和ΔMarkRLt＝K2×dPr。于是Eq.(7)變?yōu)閐PhyLr＝K1×dPr-K2×dPr＝(K1-K2)×dPr≡Kr×dPrEq.(8)逆變換后得到dPr＝dPhyLr/Kr。其中，強度系數(shù)Kr用于指示激光脈沖參數(shù)r的變化量所引起的受其直接影響的標記的物理長度的變化量，從而可以方便地用于優(yōu)化計算。最后，確定系數(shù)Kr。在本實施例中，需要確定各個刻寫參數(shù)的系數(shù)Kc、Kd、Kf(ns/mW)，即3T、4T和5T標記后沿的激光脈沖參數(shù)值的變化量所引起的3T、4T和5T標記的物理長度的變化量。為此，根據(jù)步驟S10確定的各參數(shù)的初始值，逐次改變c、d和f的功率值進行一系列的刻寫實驗。然后測量3T、4T和5T標記的游程長度相對于優(yōu)化目標的變化量，所得的測量結(jié)果如圖6、7、8所示，并擬合出它們的線性趨勢線。而后基于線性趨勢線的斜率計算各參數(shù)的強度系數(shù)。在針對參數(shù)c所作測量的結(jié)果圖6中，考慮到4T和5T的標記游程長度的變化量相對于參數(shù)c是一樣的，為消除測量誤差，取它們斜率的平均值作為K2得到K1＝-0.58(ns/mW)、K2＝-0.25(ns/mW)根據(jù)Eq.(8)，Kc＝K1-K2＝-0.58-0.25＝-0.83(ns/mW)，同樣的，可以從圖7、圖8得到Kd＝-1.27(ns/mW)，Kf＝-1.05(ns/mW)。因此得到標記物理長度變化量與刻寫參數(shù)值變化量之間的關系dPr＝dPhyLr/Kr以及強度系數(shù)Kc＝-0.83(ns/mW)、Kd＝-1.27(ns/mW)、Kf＝-1.05(ns/mW)。進一步，本發(fā)明并不局限于以上描述的實施例，還可有各種變化。這種多參數(shù)同時優(yōu)化的思想也可適用于其它一次記錄或可重寫的CD、DVD和藍光光盤系統(tǒng)，如DVD+R和DVD+RW刻錄系統(tǒng)或BD-RW刻錄系統(tǒng)等。適用的刻寫策略可以是方形激光刻寫策略、“狗骨架”刻寫策略、″1T刻寫策略″或″2T刻寫策略″等。進行優(yōu)化的刻寫參數(shù)不僅可以是激光脈沖的功率，也可以是激光脈沖的起止時間，即保持某個刻寫策略的激光脈沖功率不變，而去優(yōu)化它的激光脈沖的起止時間，同樣可以精確調(diào)整標記的前沿或后沿，使標記游程長度達到優(yōu)化目標。下面簡略介紹本發(fā)明的幾種變化實施例，用來說明本發(fā)明適用于各種情況下的刻寫參數(shù)優(yōu)化。其中與實施例A相同或顯而易見的變化不再詳述。本發(fā)明的優(yōu)化方法的實施例B是在與實施例A相同的光盤上進行的光盤刻寫的多參數(shù)優(yōu)化。區(qū)別在于，使用如表三所示的“2T刻寫策略”來控制標記的刻寫。表三實施例B中使用的刻寫策略其中，字母w表示刻寫功率，e表示擦除功率，b表示冷卻功率，h為預先定義的功率，參數(shù)c是用于精確調(diào)整所有3T標記的后沿的功率，參數(shù)d是用于精確調(diào)整所有4T標記的后沿的功率，參數(shù)f是用于精確調(diào)整所有5T標記的后沿的功率，參數(shù)g是用于精確調(diào)整所有6T標記的后沿的功率。其中，要進行優(yōu)化的參數(shù)為c、d、f和g，用來分別精確地調(diào)整所有3T、4T、5T和6T標記的后沿，使它們達到精確的標記游程長度。因此，根據(jù)表二所示的EFM編碼規(guī)則的標記樣本數(shù)量分布，可以定義4個權(quán)重系數(shù)來描述3T、4T、5T和6T標記的樣本分布情況。cp＝0.31指示受參數(shù)c直接影響的3T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，dp＝0.22指示受參數(shù)d直接影響的4T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，fp＝0.17指示受參數(shù)f直接影響的5T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，gp＝0.10指示受參數(shù)g直接影響的6T標記的樣本數(shù)量所占的百分比。因此，對應于Eq.(1)表示的標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量的變換關系為dPhyLcdPhyLddPhyLfdPhyLg=0.69-0.22-0.17-0.10-0.310.78-0.17-0.10-0.31-0.220.83-0.10-0.31-0.22-0.170.90-1·ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5TΔMarkRL6T---Eq.(9)]]>使用與實施例A相同的方法就可以對參數(shù)c、d、f和g同時進行優(yōu)化，在此不再詳述。進一步，本發(fā)明中受標記受某個參數(shù)直接影響的標記的權(quán)重系數(shù)不限于按編碼規(guī)則產(chǎn)生，也可以由用戶自定義，此時分布權(quán)重系數(shù)與編碼規(guī)則無關。本發(fā)明的優(yōu)化方法的實施例C應用于與實施例B相同的刻寫的多參數(shù)優(yōu)化。實施例C允許用戶自由定義用于優(yōu)化實驗的數(shù)據(jù)，則描述3T、4T、5T和6T標記的樣本分布情況的4個權(quán)重系數(shù)為cp＝0.3，dp＝0.2，fp＝0.1，gp＝0.05，分別指示受參數(shù)c、d、f和g直接影響的標記的樣本數(shù)量所占的百分比。因此，對應于Eq.(9)表示的標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量的變換關系為dPhyLcdPhyLddPhyLfdPhyLg=0.7-0.2-0.1-0.05-0.30.8-0.1-0.05-0.3-0.20.9-0.05-0.3-0.2-0.10.95-1·ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5TΔMarkRL6T---Eq.·(10)]]>使用相同的方法就可以對參數(shù)c、d、f和g同時進行優(yōu)化。本發(fā)明的優(yōu)化方法的實施例D是在與實施例A相同的光盤上進行的光盤刻寫的多參數(shù)優(yōu)化，使用如表四所示的“2T刻寫策略”來控制標記的刻寫。表四實施例D中使用的刻寫策略這里，字母w、e、b、g和h的定義與實施例A是相同的.區(qū)別在于，定義參數(shù)c為控制3T標記后沿的擦除功率e的起始時間，用于精確調(diào)整所有3T標記的后沿；參數(shù)d為控制4T標記后沿的擦除功率e的起始時間，用于精確調(diào)整所有4T標記的后沿；參數(shù)f為控制5T標記后沿的擦除功率e的起始時間，用于精確調(diào)整所有5T標記的后沿。要進行優(yōu)化的參數(shù)c、d和f的初始值為表四所示的時間，即距離末端分別為4個時間分度、2個時間分度和3個時間分度，這里1個時間分度為1.206ns。因此，可以使用與Eq.(1)相同的的標記游程長度的變化量到標記物理長度的變化量的變換關系dPhyLcdPhyLddPhyLf=2.030.730.571.031.730.571.030.731.57·ΔMarkRL3TΔMarkRL4TΔMarkRL5T]]>但步驟52中需要重新確定刻寫標記物理長度變化量與參數(shù)值的變化量之間的關系，即某個刻寫參數(shù)的強度系數(shù)(ns/ns)，也就是這個參數(shù)的起始時間的變化量(ns)所引起的其直接影響的標記物理長度的變化量(ns)。它們同樣可以通過實驗獲得。因此，根據(jù)實施例A所使用的方法，顯而易見可以對多個激光脈沖的持續(xù)時間(即脈沖寬度)同時進行優(yōu)化。本發(fā)明的優(yōu)化方法的實施例E應用于使用EFM+編碼規(guī)則的可重寫DVD光盤系統(tǒng)中。對于一次記錄或可重寫的DVD光盤系統(tǒng)，若采用按EFM+編碼規(guī)則產(chǎn)生的隨機數(shù)據(jù)序列進行優(yōu)化過程，需注意每兩個14T的游程長度被手工地插在固定的距離上，而其它標記的樣本數(shù)量分布也是大致恒定的，如表五所列，所以權(quán)重系數(shù)也要做相應的變化。表五根據(jù)EFM+規(guī)則的標記樣本數(shù)量分布根據(jù)實施例A所使用的方法，顯而易見可以應用于DVD光盤上進行的刻寫的多參數(shù)優(yōu)化。進一步，本發(fā)明還可以適用于對某種標記的一部分進行優(yōu)化的方法。本發(fā)明的優(yōu)化方法的實施例F是在與實施例A相同的光盤上進行的光盤刻寫的多參數(shù)優(yōu)化。區(qū)別在于，使用如表六所示的“2T刻寫策略”來控制標記的刻寫。表六實施例F中使用的刻寫策略的基本部分特別地，使用表七所示的激光脈沖模式控制緊接3T空區(qū)的3T、4T和5T標記的刻寫表七實施例F中使用的刻寫策略的特殊部分表六、表七中，字母w表示刻寫功率，e表示擦除功率，b表示冷卻功率，參數(shù)c是用于精確調(diào)整緊接3T空區(qū)的3T標記的后沿的功率，參數(shù)d是用于精確調(diào)整緊接3T空區(qū)的4T標記的后沿的功率，參數(shù)f是用于精確調(diào)整緊接3T空區(qū)的5T標記的后沿的功率。其中，要進行優(yōu)化的參數(shù)為c、d和f，用來分別精確地調(diào)整緊接3T空區(qū)的3T、4T和5T標記的后沿，使它們達到精確的標記游程長度。因此，根據(jù)表二所示的EFM編碼規(guī)則的標記樣本數(shù)量分布，可以定義3個權(quán)重系數(shù)來描述3T、4T和5T標記的樣本分布情況。cp＝0.31×0.31＝0.096指示受參數(shù)c直接影響的3T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，dp＝0.31×0.22＝0.068指示受參數(shù)d直接影響的4T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，fp＝0.31×0.17＝0.053指示受參數(shù)f直接影響的5T標記的樣本數(shù)量所占的百分比。因此，對應于Eq.(1)表示的標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量的變換關系為dPhyLcdPhyLddPhyLf=0.904-0.068-0.053-0.0960.932-0.053-0.096-0.0680.947-1·ΔMarkRL(3T)3TΔMarkRL(3T)4TΔMarkRL(3T)5T---Eq.·(11)]]>使用與實施例A相同的方法，就可以對參數(shù)c、d和f同時進行優(yōu)化，從而特別控制緊接3T空區(qū)的3T、4T和5T標記。本發(fā)明的優(yōu)化方法的實施例G是在與實施例F相同的光盤上進行的光盤刻寫的多參數(shù)優(yōu)化，使用如表六所示的“2T刻寫策略”來控制標記的刻寫。區(qū)別在于，使用表八所示的激光脈沖模式控制緊接3T空區(qū)的3T標記、緊接4T空區(qū)的4T標記、和緊接5T空區(qū)的5T標記的刻寫，代替表七對緊接3T空區(qū)的3T、4T和5T標記后沿的控制。表八實施例G中使用的刻寫策略的特殊部分表八中，字母w表示刻寫功率，e表示擦除功率，b表示冷卻功率，參數(shù)c是用于精確調(diào)整緊接3T空區(qū)的3T標記的后沿的功率，參數(shù)d是用于精確調(diào)整緊接4T空區(qū)的4T標記的后沿的功率，參數(shù)f是用于精確調(diào)整緊接5T空區(qū)的5T標記的后沿的功率。其中，要進行優(yōu)化的參數(shù)為c、d和f，用來分別精確地調(diào)整緊接3T空區(qū)的3T、緊接4T空區(qū)的4T標記、和緊接5T空區(qū)的5T標記的后沿，使它們達到精確的標記游程長度。因此，根據(jù)表二所示的EFM編碼規(guī)則的標記樣本數(shù)量分布，可以定義3個權(quán)重系數(shù)來描述3T、4T和5T標記的樣本分布情況。cp＝0.31×0.31＝0.096指示受參數(shù)c直接影響的3T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，dp＝0.22×0.22＝0.048指示受參數(shù)d直接影響的4T標記的樣本數(shù)量所占的百分比，fp＝0.17×0.17＝0.029指示受參數(shù)f直接影響的5T標記的樣本數(shù)量所占的百分比。因此，對應于Eq.(11)表示的標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量的變換關系為dPhyLcdPhyLddPhyLf=0.904-0.048-0.029-0.0960.952-0.029-0.096-0.0480.971-1·ΔMarkRL(3T)3TΔMarkRL(4T)4TΔMarkRL(5T)5T---Eq.(12)]]>使用與實施例A相同的方法，就可以對參數(shù)c、d和f同時進行優(yōu)化，從而特別控制緊接3T空區(qū)的3T標記、緊接4T空區(qū)的4T標記、和緊接5T空區(qū)的5T標記的刻寫。以上結(jié)合附圖詳細描述了本發(fā)明的多種實施例，這些實施例以及附圖僅是為了說明本發(fā)明的思想、內(nèi)容以及應用。對于本
技術(shù)領域：
內(nèi)熟練的技術(shù)人員而言，根據(jù)以上描述的內(nèi)容作出各種變化和修改是顯而易見的，因此，都不能脫離本發(fā)明的精神和范圍。本發(fā)明保護范圍以權(quán)利要求的記載為準。權(quán)利要求1.一種光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化裝置，包括一個獲取裝置，用于獲取標記游程長度的變化量；一個確定裝置，用于確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量；和一個調(diào)整裝置，用于調(diào)整所述的刻寫參數(shù)值。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，進一步包括一個判斷裝置，用來判斷是否需要進行優(yōu)化。3.一種光盤刻寫參數(shù)的優(yōu)化方法，包括步驟(a)獲取標記游程長度的變化量；(b)根據(jù)標記游程長度的變化量與刻寫參數(shù)的調(diào)整量之間的關系，確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量；和(c)調(diào)整所述的參數(shù)值。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中步驟(b)進一步包括(b1)根據(jù)標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量之間的關系，確定標記物理長度的變化量；(b2)根據(jù)標記物理長度的變化量與刻寫參數(shù)的調(diào)整量之間的關系，確定刻寫參數(shù)的調(diào)整量。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中步驟(b1)中的標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量之間的關系包括標記物理長度的變化量對標記游程長度的變化量的影響關系。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述的標記物理長度的變化量對標記游程長度的變化量的影響關系包括標記物理長度的變化量與標記游程長度的變化量以及標記物理長度的變化量對標記游程長度的變化量的影響程度表征量之間的關系。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的影響程度表征量包括標記物理長度的變化量對標記游程長度的變化量的影響系數(shù)。8.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述的刻寫參數(shù)包括多個刻寫參數(shù)。9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述的標記游程長度的變化量與標記物理長度的變化量之間的關系包括關系式其中，要優(yōu)化的刻寫參數(shù)為j＝1，2，…M；dPhyLj表示受第j個要優(yōu)化的刻寫參數(shù)直接影響的標記物理長度的變化量；ΔMarkRLi表示測得的第i個標記游程長度的變化量；變換矩陣中的系數(shù)vij是影響系數(shù)，表示參數(shù)j對標記i的影響，當參數(shù)j對標記i有直接影響時，vij＝-jp+1，當參數(shù)j對標記i沒有直接影響時，vij＝-jp；jp表示受第j個要優(yōu)化的刻寫參數(shù)直接影響的標記的樣本數(shù)量在全部標記的樣本數(shù)量中所占的百分比。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述的影響系數(shù)變換矩陣的行列式不等于零，表示為11.如權(quán)利要求4所述的方法，其中步驟(b2)包括步驟(b2.1)針對要優(yōu)化的刻寫參數(shù)(r)，用多個參數(shù)值(Pr)進行刻寫實驗；(b2.2)測量受該刻寫參數(shù)(r)直接影響的標記(s)的游程長度的變化量ΔMarkRLs，得到它與該參數(shù)值(Pr)之間的函數(shù)關系ΔMarkRLs＝f1(Pr)；(b2.3)測量該刻寫參數(shù)(r)不直接影響的標記(t)的游程長度的變化量ΔMarkRLt，得到它與該參數(shù)值(Pr)之間的函數(shù)關系ΔMarkRLt＝f2(Pr)；(b2.4)將步驟(b2.2)的結(jié)果與步驟(b2.3)的結(jié)果相減，得到標記物理長度的變化量(dPhyLr)與要優(yōu)化的參數(shù)值(Pr)之間的關系dPhyLr＝ΔMarkRLs-ΔMarkRLt＝fX(Pr)-f2(Pr)＝f1-2(Pr)＝f(Pr0+dPr)(其中Pr0為刻寫參數(shù)(r)的初始值，dPr為參數(shù)值的變化量)。12.如權(quán)利要求3所述的方法，其中進一步包括步驟在所述光盤上刻寫一段隨機數(shù)據(jù)。13.如權(quán)利要求3所述的方法，其中進一步包括步驟將獲得的各個標記游程長度的變化量與預定的優(yōu)化目標進行比較，確定是否需要繼續(xù)優(yōu)化。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中進一步包括步驟當無需繼續(xù)優(yōu)化時，將當前的參數(shù)值定為執(zhí)行刻寫的參數(shù)值。15.如權(quán)利要求3-14任一所述的方法，其中所述的刻寫參數(shù)包括激光脈沖的功率。16.如權(quán)利要求3-14任一所述的方法，其中所述的刻寫參數(shù)包括激光脈沖的起止時間。17.如權(quán)利要求3-14任一所述的方法，其中所述的光盤刻寫采用方形激光刻寫策略、“狗骨架”波形刻寫策略、“1T刻寫策略”或“2T刻寫策略”。全文摘要一種光盤刻寫參數(shù)優(yōu)化方法，包括步驟獲取標記游程長度的變化量；根據(jù)標記游程長度的變化量與參數(shù)的變化量之間的關系，確定參數(shù)的調(diào)整量；調(diào)整所述參數(shù)值。這種優(yōu)化方法適用于多種光盤系統(tǒng)，刻寫過程可以采用多種刻寫策略，可以對多個激光脈沖的功率或者起止時間進行優(yōu)化，從而使標記游程長度達到優(yōu)化目標。文檔編號G11B20/14GK1947187SQ200480034942公開日2007年4月11日申請日期2004年11月22日優(yōu)先權(quán)日2003年11月26日發(fā)明者陶靖,唐富龍,陳殿勇,G·R·蘭格雷斯申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司