專利名稱:電壓微調(diào)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明總體上涉及集成電路(IC)器件,更具體的說(shuō),涉及用于調(diào)節(jié)在這類器件內(nèi)部產(chǎn)生的電壓電平的微調(diào)電路。
背景技術(shù):
集成電路(IC)器件通常使用多種內(nèi)部產(chǎn)生的電壓工作以努力降低對(duì)波動(dòng)外部電壓電源的敏感性。這類器件中使用的外部電壓產(chǎn)生電路通常包括微調(diào)電路,用于調(diào)節(jié)所產(chǎn)生的電壓,以便例如補(bǔ)償由制作工藝所引入的變化。微調(diào)電路被調(diào)節(jié)用于使內(nèi)部產(chǎn)生的電壓盡可能地接近測(cè)試過(guò)程期間的目標(biāo)電壓。一般,微調(diào)電路通過(guò)一組一個(gè)或多個(gè)開關(guān)來(lái)調(diào)節(jié),這些開關(guān)可以打開或閉合以增大或減小所產(chǎn)生的電壓的電平。
例如,圖1示出了包括一組用于調(diào)節(jié)(即微調(diào))電壓產(chǎn)生電路144的輸出電壓VOUT的轉(zhuǎn)換開關(guān)1520和1521的常規(guī)微調(diào)電路150的簡(jiǎn)化實(shí)例。如所示,VOUT可以被產(chǎn)生以作為參考電壓VREF(由參考電壓產(chǎn)生器142供給)和分壓電路(由電阻器R0、R1、RA和RB構(gòu)成)的函數(shù)。由于VOUT可以(例如通過(guò)電源總線)提供給分布在整個(gè)芯片中的很多個(gè)部件,因此VREF可以通過(guò)比較器145提供到p-mos驅(qū)動(dòng)器147,該驅(qū)動(dòng)器147一般具有比參考電壓產(chǎn)生器142大的驅(qū)動(dòng)能力。
如所示,該組轉(zhuǎn)換開關(guān)1520和1521可用于通過(guò)在電阻器RA和RB兩端選擇性地分流來(lái)改變節(jié)點(diǎn)NB和N0之間的有效電阻(下文稱為RTRIM)從而改變VOUT。VOUT可以根據(jù)下面的公式表示為VREF和RTRIM的函數(shù)VOUT=(1+R1+RTRIMR0)·VREF]]>假定(暫時(shí))轉(zhuǎn)換開關(guān)不具有相關(guān)的溝道電阻,則RTRIM可以從零變到RA+RB。轉(zhuǎn)換開關(guān)1520和1521一般由從一組熔絲160或寄存器中的位得到的一組控制信號(hào)C
和C[1]來(lái)控制,所述一組熔絲160或寄存器的位中的任一項(xiàng)一般在VOUT和外部提供的目標(biāo)電壓相比較的校準(zhǔn)或測(cè)試過(guò)程期間設(shè)置。例如,可以切斷(或熔斷)一個(gè)或多個(gè)熔絲160來(lái)增大或減小VOUT的值,以努力盡可能接近地匹配目標(biāo)電壓。
如所示,在基本設(shè)置中,在兩個(gè)熔絲都完整(例如沒(méi)有熔斷或切斷)的情況下,C
=0且C[1]=0,轉(zhuǎn)換開關(guān)1521可以閉合,而轉(zhuǎn)換開關(guān)1520可以打開,以有效地從RTRIM除去RB(用于基本設(shè)置的電流IBAsE的流動(dòng)路徑顯示為虛線)。因而,通過(guò)修改上述方程式,VOUT的基本設(shè)置可以表示為VOUT=(1+R1+RAR0)·VREF]]>為了減小VOUT,可以切斷第一熔絲,如圖1的表110所示,也有效地從RTRIM除去RA,以使分子更小。因而,VOUT的減小設(shè)置可以表示為VOUT=(1+R1R0)·VREF.]]>作為選擇,可以切斷第二熔絲(C[1]=1),使第一熔絲保持完整(C
=0),以將RB有效地加到RTRIM上。因而,VOUT的增大設(shè)置可以表示為VOUT=(1+R1+RA+RBR0)·VREF]]>兩個(gè)熔絲都切斷可以增大或減小VOUT,這取決于RA和RB的值。換句話說(shuō),相對(duì)于基本設(shè)置,如果RA>RB,則兩個(gè)熔絲都切斷將減小VOUT,如果RA<RB,則兩個(gè)熔絲都切斷將增大VOUT。
如上所述,以上列出的方程式假定轉(zhuǎn)換開關(guān)具有零溝道電阻。然而,這不是有效的假定,因?yàn)榇嬖谂c每個(gè)轉(zhuǎn)換開關(guān)相關(guān)的某一有限的溝道電阻(RXFER)。因而,為了包括轉(zhuǎn)換開關(guān)1521的串聯(lián)溝道電阻的影響,VOUT的基本設(shè)置的方程式應(yīng)當(dāng)修改成下述VOUT=(1+R1+RA+RXFERR0)·VREF]]>不幸的是,溝道電阻的值受工藝變化的支配,并且已經(jīng)觀察到該值通常隨溫度而增大并隨著工作電壓的改變而改變。而且,在大多數(shù)電壓產(chǎn)生器中,利用很多個(gè)熔絲和開關(guān)來(lái)獲得所需的調(diào)節(jié)分辨率,這將增大溝道電阻的影響。作為實(shí)例,如果微調(diào)電路在任何給定的時(shí)刻都具有N個(gè)串聯(lián)的轉(zhuǎn)換開關(guān),則溝道電阻將增大N倍,以至于VOUT=(1+R1+RA+RXFER·NR0)·VREF]]>因而,VOUT的電平會(huì)隨著溫度和工作電壓的改變而顯著改變,如果微調(diào)電路具有較多個(gè)開關(guān)時(shí)尤其如此。
因此,存在以下需要,即與電壓產(chǎn)生器一起使用的且優(yōu)選對(duì)轉(zhuǎn)換開關(guān)溝道電阻具有降低的敏感性的改進(jìn)的微調(diào)電路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總體上提供用于降低器件內(nèi)部產(chǎn)生的電壓對(duì)用于調(diào)節(jié)電壓電平的開關(guān)的溝道電阻的敏感性的方法、電路、和器件。
一個(gè)實(shí)施例提供用于降低電路器件內(nèi)部產(chǎn)生的電壓對(duì)用于調(diào)節(jié)電壓電平的開關(guān)的溝道電阻的敏感性的方法。該方法通常包括提供具有多個(gè)串聯(lián)連接的電阻器的分壓電路,向該分壓電路提供參考電壓,結(jié)果在形成在串聯(lián)連接的電阻器之間的分壓電路的節(jié)點(diǎn)處產(chǎn)生不同的電壓電平,以及提供多個(gè)開關(guān),以選擇性地將其上提供電壓的輸出節(jié)點(diǎn)與分壓電路的單個(gè)節(jié)點(diǎn)耦接。
另一個(gè)實(shí)施例提供用于調(diào)節(jié)在集成電路器件內(nèi)部產(chǎn)生的電壓的微調(diào)電路。該微調(diào)電路通常包括用于選擇性地將其上提供電壓的輸出節(jié)點(diǎn)與分壓電路的多個(gè)節(jié)點(diǎn)中的單獨(dú)一個(gè)耦接的多個(gè)開關(guān),其中每個(gè)節(jié)點(diǎn)處于不同的電壓電平。
另一個(gè)實(shí)施例提供通常包括外圍電路、多個(gè)存儲(chǔ)單元、電壓產(chǎn)生電路、和多個(gè)開關(guān)的存儲(chǔ)器件,該電壓產(chǎn)生電路包括具有多個(gè)節(jié)點(diǎn)的分壓電路,每個(gè)節(jié)點(diǎn)處于依賴于參考電壓的不同電壓電平。該多個(gè)開關(guān)通常被設(shè)置用于選擇性地將電壓產(chǎn)生電路的輸出節(jié)點(diǎn)與分壓電路節(jié)點(diǎn)中的單獨(dú)一個(gè)節(jié)點(diǎn)耦接。
因此,通過(guò)參考附圖所示的本發(fā)明的實(shí)施例,可以得到和詳細(xì)地理解以上簡(jiǎn)單概括的本發(fā)明的上述特征、優(yōu)點(diǎn)和目的。
然而,應(yīng)當(dāng)注意,附圖僅示出了本發(fā)明的典型實(shí)施例,因此不應(yīng)被認(rèn)為是限制了本發(fā)明的范圍,因?yàn)楸景l(fā)明可以允許其它同樣有效的實(shí)施例。
圖1示出使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的微調(diào)電路的示例性電壓產(chǎn)生電路。
圖2示出具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微調(diào)電路的示例性存儲(chǔ)器件。
圖3示出使用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的微調(diào)電路的示例性電壓產(chǎn)生電路。
圖4示出使用根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的微調(diào)電路的示例性電壓產(chǎn)生電路。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明總體上提供改進(jìn)的微調(diào)電路,其最小化或消除了電壓產(chǎn)生電路中微調(diào)電路的影響。通常,開關(guān)的溝道電阻的影響通過(guò)利用與輸出串聯(lián)而不是如同常規(guī)微調(diào)電路中那樣與電阻器并聯(lián)的開關(guān)來(lái)減小。由于開關(guān)沒(méi)有與電阻器并聯(lián),因此當(dāng)開關(guān)接通時(shí),不會(huì)向由微調(diào)電路控制的有效電阻增加溝道電阻。
這里描述的微調(diào)電路可有利地用于采用內(nèi)部產(chǎn)生電壓的任意多個(gè)器件。然而,為了便于理解,以下描述將參考存儲(chǔ)器件(例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件)作為其中可以利用微調(diào)電路的特定的但不是限制的器件實(shí)例。另外,盡管以下描述可以參考切斷的(或保持完整的)熔絲來(lái)指示微調(diào)電路的設(shè)置,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到這類設(shè)置也可以存儲(chǔ)在任何其它類型的適當(dāng)非易失性存儲(chǔ)元件中,例如存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)寄存器的位中。
示例性存儲(chǔ)器件圖2示出了系統(tǒng)200,其中根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微調(diào)電路250可用于調(diào)節(jié)示例性存儲(chǔ)器件220的電壓產(chǎn)生電路244的輸出電壓VOUT。如所示,VOUT可以被產(chǎn)生以作為由參考電壓產(chǎn)生器142產(chǎn)生的參考電壓VREF的函數(shù),并可被提供給用于訪問(wèn)(例如讀、寫或刷新)存儲(chǔ)單元陣列222的一個(gè)或多個(gè)外圍電路224。典型存儲(chǔ)器件220(例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件)可以包括被配置用于產(chǎn)生寬范圍電壓的多個(gè)這類電壓產(chǎn)生電路244,所述電壓可以包括相對(duì)于地參考為正的電壓(例如升高的字線電壓或VPP)和相對(duì)于地參考為負(fù)的電壓(例如反向偏置電壓VBB或負(fù)字線電壓VNWL),它們中的任一個(gè)可通過(guò)單獨(dú)的微調(diào)電路250來(lái)調(diào)節(jié)。或者,用于產(chǎn)生多個(gè)不同電壓的單個(gè)參考電壓可以按照這里所描述的來(lái)調(diào)節(jié)。
在任一種情況下,一般通過(guò)測(cè)試裝置210將產(chǎn)生的電壓VOUT與在存儲(chǔ)器件220的輸入(例如引腳(pad))234上提供的外部參考電壓VREF_EXT相比較。如所示,VOUT和VREF_EXT可以輸入到電壓比較器246中,該電壓比較器(通過(guò)一個(gè)或多個(gè)輸出233)向測(cè)試裝置210提供指示比較結(jié)果的反饋。該反饋可以包括VOUT是應(yīng)當(dāng)增大(VOUT<VREF_EXT)、減小(VOUT>VREF_EXT)、還是在VREF_EXT的可接受的容差范圍內(nèi)(VOUT≈VREF_EXT)的任何適當(dāng)類型的指示。響應(yīng)于該反饋,測(cè)試裝置210可以通過(guò)例如由一個(gè)或多個(gè)地址或控制線232控制的微調(diào)接口248調(diào)節(jié)微調(diào)電路。該過(guò)程可以重復(fù)直到在規(guī)定的容差范圍內(nèi)VOUT匹配VREF_EXT為止,如反饋線233所指示的。然后可通過(guò)切斷/燒斷適當(dāng)?shù)娜劢z160來(lái)存儲(chǔ)微調(diào)電路250的電流設(shè)置,或者將該設(shè)置存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)寄存器中,其任一個(gè)可以在加電序列期間讀取以調(diào)節(jié)VOUT。
示例性微調(diào)電路圖3示出了微調(diào)電路250的一個(gè)示例性電路結(jié)構(gòu)。如所示,微調(diào)電路250可以包括一組開關(guān)154(如所示的1540-1543),它們可用于通過(guò)選擇性地將分壓電路(由電阻器R0-R1和RC-RE形成)的單個(gè)節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)NOUT耦接來(lái)調(diào)節(jié)VOUT。換句話說(shuō),每個(gè)開關(guān)154被置于與分壓電路的節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)NOUT串聯(lián)。在示出的配置中,電流ITRIM通過(guò)p-mos驅(qū)動(dòng)器的路徑流過(guò)所有電阻器,而與開關(guān)154的狀態(tài)無(wú)關(guān)。因此,與現(xiàn)有技術(shù)相反,由于電流ITRIM不流過(guò)任何開關(guān)154,所以開關(guān)154的溝道電阻將對(duì)VOUT產(chǎn)生很小的影響或不產(chǎn)生影響。盡管示出了電阻性分壓電路,但是根據(jù)本發(fā)明還可以利用任何其它類型的分壓電路。
微調(diào)電路250的操作可以參考表310來(lái)最好地描述,該表示出了對(duì)應(yīng)于VOUT的各種設(shè)置的熔絲160的狀態(tài)。盡管所示僅使用了兩個(gè)熔絲,兼顧到了四種不同的VOUT設(shè)置,但是熔絲的實(shí)際數(shù)目與VOUT的設(shè)置將根據(jù)不同的器件而改變,例如取決于VOUT應(yīng)如何準(zhǔn)確地匹配VREF_EXT。另外,在所示的結(jié)構(gòu)中,在任何給定時(shí)刻只有一個(gè)開關(guān)154閉合,以便耦接輸出節(jié)點(diǎn)NOUT。
為了對(duì)每個(gè)開關(guān)154產(chǎn)生單獨(dú)的控制信號(hào),向譯碼器352輸入熔絲信號(hào)C
,所述譯碼器352把一組已譯碼的控制信號(hào)DC
中的單獨(dú)一個(gè)置為有效來(lái)閉合相應(yīng)開關(guān)154。當(dāng)然,對(duì)于其它實(shí)施例來(lái)說(shuō),可以向每個(gè)開關(guān)提供單獨(dú)的熔絲。然而,采用所示實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于被配置用于利用給定數(shù)量的熔絲工作的現(xiàn)有測(cè)試裝置110可以與這里所描述的微調(diào)電路一起使用,從而有可能延長(zhǎng)昂貴測(cè)試設(shè)備的使用壽命。這通過(guò)圖1的表110與圖3的表310的比較示出,其從邏輯上揭示了用于相應(yīng)VOUT設(shè)置的類似的熔絲設(shè)置。
例如,在基本設(shè)置中,在沒(méi)有熔絲切斷(C
=C[1]=0)的情況下,將控制信號(hào)DC
置為有效,閉合開關(guān)1540并將輸出節(jié)點(diǎn)NOUT與節(jié)點(diǎn)NE耦接。因而,VOUT的基本設(shè)置可以表示為VOUT_BASE=(1+R1+RER0)·VREF]]>由于電流ITRIM不流過(guò)開關(guān),因此VOUT的電壓電平不依賴于開關(guān)的溝道電阻。
為了使VOUT的電平從基本電平減小,第一熔絲可以保持完整并且第二熔絲切斷(C
=0,C[1]=1),把控制信號(hào)DC[1]置為有效,閉合開關(guān)1541并將輸出節(jié)點(diǎn)NOUT與節(jié)點(diǎn)N1耦接。因而,VOUT的基本設(shè)置可以表示為VOUT_DECREASE=(1+R1R0)·VREF]]>采用類似方式,VOUT可以通過(guò)在第二熔絲保持完整(C[1]=0,把DC[2])置為有效的情況下切斷第一熔絲(C
=1),將輸出節(jié)點(diǎn)NoUT與節(jié)點(diǎn)ND耦接來(lái)增大,或者通過(guò)切斷第一和第二熔絲(C
=C[1]=1,把DC[3]置為有效)來(lái)進(jìn)一步增大。與設(shè)置無(wú)關(guān),VOUT的電壓電平對(duì)開關(guān)的溝道電阻不敏感。
如圖4所示,對(duì)于一些實(shí)施例來(lái)說(shuō),微調(diào)電路450可以包括和與分壓器的節(jié)點(diǎn)串聯(lián)的開關(guān)154的布置結(jié)合并與分壓電路的電阻器RA-RB并聯(lián)的開關(guān)152的常規(guī)布置。如所示,對(duì)應(yīng)于兩個(gè)熔絲160的信號(hào)C
可以控制開關(guān)152,而對(duì)應(yīng)于兩個(gè)其它熔絲的信號(hào)C[2:3]可用于產(chǎn)生控制開關(guān)154的四個(gè)信號(hào)DC
。
盡管如上所述開關(guān)152和154可以是相同類型,但是由于不同的布置的原因,VOUT的電平將對(duì)開關(guān)154的溝道電阻不敏感,而將對(duì)開關(guān)152的溝道電阻敏感。然而,可以有效地結(jié)合這兩個(gè)不同布置來(lái)在存在多個(gè)微調(diào)步驟的情況下降低溝道電阻的影響,同時(shí)限制所需開關(guān)的數(shù)目(即節(jié)省器件成本(real estate))。例如,如上所述,每個(gè)布置能夠產(chǎn)生四個(gè)不同的VOUT電平。換句話說(shuō),對(duì)于開關(guān)154的任何給定設(shè)置,開關(guān)152可以被改變以產(chǎn)生四個(gè)不同的VOUT電平。因而,利用總共六個(gè)開關(guān)可以產(chǎn)生共計(jì)十六個(gè)不同的VOUT電平,并且在任何給定時(shí)刻只有兩個(gè)開關(guān)的溝道電阻串聯(lián)。
相比之下,為了僅采用開關(guān)154的布置(不具有有效溝道電阻)來(lái)獲得十六個(gè)不同的VOUT電平,將需要十六個(gè)開關(guān)。盡管可以采用四個(gè)開關(guān)152的布置來(lái)獲得十六個(gè)不同的VOUT電平,但是至多四個(gè)開關(guān)的溝道電阻可以串聯(lián)(即在所有開關(guān)閉合時(shí)的最小電壓設(shè)置),這會(huì)在工作溫度和電壓的規(guī)定范圍內(nèi)產(chǎn)生不可接受的VOUT變化。因而,如圖4所示的布置組合可以在降低溝道電阻敏感性和保持成本之間提供有吸引力的折衷。
結(jié)論本發(fā)明提供微調(diào)電路,該微調(diào)電路降低了開關(guān)溝道電阻對(duì)由此調(diào)節(jié)的電壓電平的影響。溝道電阻的影響可以通過(guò)使開關(guān)與分壓電路的節(jié)點(diǎn)串聯(lián)而不是與電阻器并聯(lián)來(lái)降低。通過(guò)降低溝道電阻的影響,如這里所描述的,器件能夠在工作溫度和電壓的更寬的范圍內(nèi)在內(nèi)部產(chǎn)生在給定容差范圍內(nèi)匹配目標(biāo)電平的參考電壓。
盡管上述針對(duì)的是本發(fā)明的實(shí)施例,但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下可以設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它和另外的實(shí)施例,并且本發(fā)明的范圍由下面的權(quán)利要求來(lái)確定。
權(quán)利要求
1.一種用于降低在集成電路器件內(nèi)部產(chǎn)生的電壓對(duì)用于調(diào)節(jié)電壓電平的開關(guān)(154)的溝道電阻的敏感性的方法,該方法包括提供具有多個(gè)串聯(lián)連接的電阻器(R)的分壓電路;向該分壓電路提供參考電壓(VREF),結(jié)果在形成在所述串聯(lián)連接的電阻器(R)之間的分壓電路的節(jié)點(diǎn)(N)處產(chǎn)生不同的電壓電平;以及提供多個(gè)開關(guān)(154),以選擇性地將其上提供電壓的輸出節(jié)點(diǎn)(NOUT)與分壓電路的單個(gè)節(jié)點(diǎn)(N)耦接。
2.如權(quán)利要求1的方法,進(jìn)一步提供用于在任何給定時(shí)刻閉合開關(guān)(154)中的單獨(dú)一個(gè)的控制信號(hào)(DC)。
3.如權(quán)利要求2的方法,其中每個(gè)控制信號(hào)(DC)對(duì)應(yīng)于開關(guān)(154)中的不同的一個(gè),并且在任何時(shí)刻僅把控制信號(hào)(DC)中的一個(gè)置為有效來(lái)閉合單個(gè)開關(guān)(154)。
4.如權(quán)利要求2~3中的任何一個(gè)的方法,進(jìn)一步包括從一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160)產(chǎn)生控制信號(hào)(DC)。
5.如權(quán)利要求4的方法,其中非易失性存儲(chǔ)元件(160)數(shù)目比控制信號(hào)(DC)少。
6.如權(quán)利要求1~5中的任何一個(gè)的方法,進(jìn)一步包括提供與分壓電路的一個(gè)或多個(gè)電阻器(R)并聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)(154),每一個(gè)選擇性地繞過(guò)所述一個(gè)或多個(gè)電阻器(R)。
7.一種用于調(diào)節(jié)在集成電路器件內(nèi)部產(chǎn)生的電壓的微調(diào)電路(250),包括多個(gè)開關(guān)(154),用于選擇性地將其上提供電壓的輸出節(jié)點(diǎn)(NOUT)與分壓電路的多個(gè)節(jié)點(diǎn)(N)中的單獨(dú)一個(gè)耦接,其中每個(gè)節(jié)點(diǎn)(N)處于不同的電壓電平。
8.如權(quán)利要求7的微調(diào)電路(250),其中單個(gè)開關(guān)(154)耦接在輸出節(jié)點(diǎn)(NOUT)和分壓電路的每個(gè)節(jié)點(diǎn)(N)之間。
9.如權(quán)利要求7~8中的任何一個(gè)的微調(diào)電路(250),其中所述多個(gè)開關(guān)(154)響應(yīng)于產(chǎn)生作為一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160)的狀態(tài)的函數(shù)的控制信號(hào)(DC)而打開和閉合。
10.如權(quán)利要求9的微調(diào)電路(250),進(jìn)一步包括譯碼器(352),其被配置用于根據(jù)一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160)的狀態(tài)來(lái)把控制信號(hào)(DC)中的單獨(dú)一個(gè)置為有效。
11.如權(quán)利要求9的微調(diào)電路(250),其中開關(guān)(154)的數(shù)目比非易失性存儲(chǔ)元件(160)的數(shù)目大。
12.如權(quán)利要求7~11中的任何一個(gè)的微調(diào)電路(250),其中分壓電路包括多個(gè)串聯(lián)連接的電阻器(R);以及微調(diào)電路(250)進(jìn)一步包括與所述串聯(lián)連接的電阻器(R)中的一個(gè)并聯(lián)連接并選擇性地繞過(guò)所述串聯(lián)連接的電阻器(R)中的一個(gè)的至少一個(gè)附加開關(guān)(152)。
13.一種存儲(chǔ)器件(220),包括外圍電路(232);多個(gè)存儲(chǔ)單元陣列(222);電壓產(chǎn)生電路(244),其包括具有多個(gè)節(jié)點(diǎn)(N)的分壓電路,每個(gè)節(jié)點(diǎn)處于依賴于參考電壓(VREF)的不同電壓電平;以及多個(gè)開關(guān)(154),用于選擇性地將電壓產(chǎn)生電路(244)的輸出節(jié)點(diǎn)(NOUT)與分壓電路節(jié)點(diǎn)(N)中的單獨(dú)一個(gè)耦接。
14.如權(quán)利要求13的存儲(chǔ)器件(220),進(jìn)一步包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160),其中開關(guān)(154)由根據(jù)非易失性存儲(chǔ)元件(160)的狀態(tài)產(chǎn)生的控制信號(hào)(DC)控制。
15.如權(quán)利要求14的存儲(chǔ)器件(220),進(jìn)一步包括譯碼器(352),用于產(chǎn)生控制信號(hào)(DC),其中控制信號(hào)(DC)的數(shù)目比非易失性存儲(chǔ)元件(160)的數(shù)目大。
16.如權(quán)利要求13~15中的任何一個(gè)的存儲(chǔ)器件(220),其中電壓產(chǎn)生電路(244)被配置用于產(chǎn)生相對(duì)于地參考的負(fù)電壓。
17.如權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器件(220),其中存儲(chǔ)器件(220)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件并且所述負(fù)電壓被提供給存儲(chǔ)單元陣列(222)的晶體管的襯底。
18.如權(quán)利要求13~17中的任何一個(gè)的存儲(chǔ)器件(220),其中存儲(chǔ)器件(220)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件,并且電壓產(chǎn)生電路(244)被配置用于產(chǎn)生通過(guò)外圍電路(232)提供給存儲(chǔ)單元陣列(222)的字線的電壓。
19.如權(quán)利要求13~18中的任何一個(gè)的存儲(chǔ)器件(220),其中分壓電路(244)包括多個(gè)串聯(lián)連接的電阻器(R);以及存儲(chǔ)器件(220)進(jìn)一步包括用于選擇性地繞過(guò)所述串聯(lián)連接的電阻器(R)中的一個(gè)或多個(gè)的至少一個(gè)附加開關(guān)(152)。
20.如權(quán)利要求19的存儲(chǔ)器件(220),進(jìn)一步包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160),其中根據(jù)第一一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160)產(chǎn)生的第一一個(gè)或多個(gè)信號(hào)(DC)控制所述多個(gè)開關(guān)(154);以及根據(jù)第二一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(160)產(chǎn)生的第二一個(gè)或多個(gè)信號(hào)(C)控制所述至少一個(gè)附加開關(guān)(152)。
全文摘要
提供了用于最小化或消除電壓產(chǎn)生電路中微調(diào)電路的影響的方法和電路。通常,微調(diào)電路的開關(guān)的溝道電阻的影響通過(guò)利用與輸出串聯(lián)而不是如同在常規(guī)微調(diào)電路中那樣與電阻器并聯(lián)的開關(guān)來(lái)降低。由于開關(guān)沒(méi)有與電阻器并聯(lián),因此當(dāng)這些開關(guān)接通時(shí),不會(huì)向由微調(diào)電路控制的有效電阻增加溝道電阻。
文檔編號(hào)G11C29/02GK1890616SQ200480036540
公開日2007年1月3日 申請(qǐng)日期2004年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月8日
發(fā)明者J·P·金, J·芬 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份公司