專利名稱：刷新半導體存儲器中數(shù)據(jù)的方法和電路結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及半導體存儲器件，尤其涉及具有需要刷新的存儲單元的動態(tài)半導體存儲器件。
背景技術：
亞微米CMOS技術的發(fā)展導致了對高速半導體存儲器件，如動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)器件、偽靜態(tài)隨機存取存儲(PSRAM)器件等的需求增長。這里，這些存儲器件統(tǒng)稱為DRAM器件。這些器件利用由一個晶體管和一個電容器組成的存儲單元。由于泄漏，這些存儲單元需要周期性的刷新來避免存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)隨著時間的流逝惡化或退化。存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)當被存取時(例如通過讀取或寫入操作)自動恢復為滿邏輯電平，但當不被存取時必須周期性地刷新。因此，DRAM器件一般包括利于存儲單元刷新的刷新電路。
圖1示出了利用常規(guī)刷新電路120來刷新以四個存儲體(1040-1043)設置的多行存儲單元的示例性DRAM器件100。如圖所示，刷新電路120一般包括刷新定時器122和刷新地址計數(shù)器126。當進入自刷新模式時，響應于用于通過命令總線128探測外部器件發(fā)出的刷新命令的命令編碼器112，激活刷新定時器122。當激活時，刷新定時器產(chǎn)生通過存儲體控制邏輯電路106開始刷新操作的周期性刷新請求(REFRESH_REQUEST)信號。刷新請求信號的頻率選擇為確保在存儲單元的最大特定保持時間內尋址每一行。
響應于刷新請求信號，存儲體控制邏輯電路刷新由刷新地址計數(shù)器126產(chǎn)生的行地址(RA)表示的一行存儲器。行地址的高位表示哪個存儲體104包含將要刷新的行。刷新請求信號還激活延遲電路124，其信號輸出到刷新地址計數(shù)器，從而增加行地址。如圖所示，通過OR門128，外部刷新命令(例如自動刷新命令)也可給刷新地址計數(shù)器啟動刷新請求信號，以增加行地址。
因為每行單元都必須在特定的單元保持時間內存取，所以要經(jīng)常進行刷新操作。結果，刷新存儲單元常常要消耗功率。在電池供電的計算機系統(tǒng)(如掌上計算機，移動和手持電子器件等)中，最小功率消耗是非常重要的。本領域中公知的減小存儲器功率消耗的一個方法是部分陣列刷新(PAR)方案。在具有多個存儲體的DRAM器件中使用PAR方案，僅僅刷新了其中存儲單元包含有效數(shù)據(jù)的存儲體。
圖2描述了在具有四個存儲體(1040-1043)的DRAM器件中使用的示例性PAR方案的邏輯圖。將模式寄存器(例如圖1中所示的模式寄存器114)中的位(bit)編程(例如通過模式寄存器組命令)為確定在哪些地址范圍上會發(fā)生刷新操作。如圖所示，選擇了所有四個存儲體、前兩個存儲體、第一存儲體、或僅僅第一存儲體的一半。自刷新電流與選擇的存儲體數(shù)量成比例。例如，如果只選擇了前兩個存儲體，則自刷新電流減小50％。
然而，PAR方案的一個缺點是，多存儲體存儲器，如DRAM和雙數(shù)據(jù)速率(DDR)DRAM的性能通常通過交叉涉及不同存儲體的操作來最佳化，從而將與存取每個存儲體相關的特定等待時間隱藏。作為一個例子，通過以交叉方式操作兩個或多個存儲體，可以隱藏預充電時間、或從存儲體激活到列存取的時間。然而，如果在PAR方案中只選擇一個存儲體，則多個存儲體操作將不在是有利的選擇。PAR方案的另一個缺點是，在所選擇的存儲體中不可能所有的存儲單元都實際包含有效數(shù)據(jù)。結果，沒有最大地節(jié)省功率，因為持續(xù)刷新了不包含有效數(shù)據(jù)的多個行。
因此，本領域中需要一種用于刷新半導體存儲器件中數(shù)據(jù)的改善的方法和電路結構。

發(fā)明內容
本發(fā)明的實施方案一般提供了用于刷新半導體存儲器件中的數(shù)據(jù)的方法和電路結構，其中對于有限數(shù)的行執(zhí)行刷新操作。
一個實施方案提供了用于減小包含多行存儲單元的半導體存儲器件中電流的方法。該方法一般包括保持表示將要被刷新的存儲單元的行的多個位、和只刷新由所述多個位表示的將要被刷新的那些行。
另一個實施方案提供了一種在一個或多個半導體存儲器件中選擇性地刷新存儲單元的行的方法。該方法一般包括監(jiān)視存儲單元的寫入操作、保持多個位，該多個位表示包含在監(jiān)視寫入操作中涉及的存儲單元的行、和根據(jù)所述多個位來限制執(zhí)行刷新操作的行的數(shù)目。
另一個實施方案提供了一種半導體存儲器件，其一般包括多行存儲單元、刷新電路、行狀態(tài)電路、和刷新激活電路。刷新電路一般配置成當存儲器件處于自刷新模式中時對多行存儲單元發(fā)出刷新請求。行狀態(tài)電路一般配置成保持表示將要被刷新的行的多個位。刷新激活電路一步那配置成根據(jù)行狀態(tài)電路的所述位來限制發(fā)出刷新請求的行的數(shù)目。
另一個實施方案提供了一種系統(tǒng)，其一般包括具有多行存儲單元的存儲器件和存儲控制器。該存儲器件一般配置成在自刷新模式過程中根據(jù)行數(shù)據(jù)限制刷新的行的數(shù)目，所述行數(shù)據(jù)表示包含已經(jīng)被寫入的存儲單元的行。存儲控制器一般配置成監(jiān)視存儲器件的寫入操作、根據(jù)監(jiān)視寫入操作產(chǎn)生所述行數(shù)據(jù)、以及在使存儲器件處于自刷新模式之前將所述行數(shù)據(jù)傳輸給所述存儲器件。


通過結合附圖考慮下面詳細的描述，可以很容易地理解本發(fā)明的教導，其中圖1示出了利用依照現(xiàn)有技術的刷新電路的示例性半導體存儲器件；圖2是依照現(xiàn)有技術的部分陣列刷新(PAR)方案的邏輯框圖；圖3示出了依照本發(fā)明一個實施方案的示例性刷新電路；圖4是在圖3中所示示例性刷新電路中使用的信號的示例性時序圖；圖5A示出了依照本發(fā)明一個實施方案的圖3的狀態(tài)RAM塊的存儲單元的示例性電路結構；圖5B示出了依照本發(fā)明一個實施方案的圖3的狀態(tài)RAM塊的示例性布局圖；圖6A示出了利用具有依照本發(fā)明一個實施方案的狀態(tài)RAM的存儲控制器的示例性系統(tǒng)；和圖6B-6C示出了依照本發(fā)明一個實施方案將數(shù)據(jù)從存儲控制器狀態(tài)RAM傳輸?shù)酱鎯ζ骷顟B(tài)RAM的示例性圖表。
為了便于理解，盡可能使用了相同的參考數(shù)字來表示在圖中共用的相同的元件。
然而應當注意到，附圖僅僅示出了本發(fā)明的示例性實施方案，因此不應認為限制其范圍，本發(fā)明包含其它等價有效的實施方案。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了用于刷新半導體存儲器件中的數(shù)據(jù)的方法和電路結構，其中僅刷新包含有效數(shù)據(jù)的存儲單元的行。對于一些實施方案，存儲電路(這里稱作狀態(tài)RAM)中的位可以被保持以指示哪些行包含有效數(shù)據(jù)。換句話說，狀態(tài)RAM中的每個位可以對應于可刷新的行，位的狀態(tài)表示自復位事件以來在相應行中的存儲單元是否已經(jīng)被寫入。當執(zhí)行刷新操作時，只刷新那些已經(jīng)被寫入的行，如狀態(tài)RAM中的位所表示的，因而避免了對那些不包含有效數(shù)據(jù)的行的不必要的刷新操作，并減小了功耗。
這里描述的刷新電路對使用需要刷新的動態(tài)存儲單元的任意類型的器件(例如處理器，數(shù)字信號處理器，或具有嵌入式DRAM的其它類型的器件)是有利的。然而，為了便于理解，下面的描述將參照存儲器件，如動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)器件或偽靜態(tài)RAM(PSRAM)器件來具體描述，但并不限于使用刷新電路的器件的例子。盡管下面的說明書將描述在自刷新操作過程中(例如當器件處于待機或長時間閑置狀態(tài)時)限制被刷新的行的數(shù)目，但本領域熟練技術人員應當認識到，該技術還可用于在自動刷新操作過程中(例如當器件處于激活狀態(tài)時由存儲控制器控制的)限制被刷新的行的數(shù)目。
示例性的刷新電路圖3示出了在存儲器件，如上面參照圖1描述的PSRAM或DRAM器件100中使用的示例性刷新電路320。如圖所示，刷新電路320包括以與常規(guī)刷新電路，如圖1的刷新電路120中使用的那些類似的方式操作的刷新定時器322和刷新地址計數(shù)器326。然而，添加到刷新電路320的狀態(tài)RAM塊330可以例如只將刷新操作限制于包含有效數(shù)據(jù)的那些行。
如圖所示，刷新定時器322可以響應于自刷新命令(例如由外部器件發(fā)出的自刷新命令)而激活。當激活時，刷新定時器產(chǎn)生周期性的刷新請求(REFRESH_REQUEST)信號。刷新請求還可響應于外部施加的“自動”刷新命令而啟動。在任一情形中，可以由RAC326產(chǎn)生的行地址(RA)確定將要刷新的行。然而，不是根據(jù)刷新請求信號自動啟動對于所指示的行的刷新操作(例如通過給存儲體控制邏輯供給刷新請求信號和行地址)，而是只有如果由狀態(tài)RAM塊330聲明了激活信號(REFRESH_ENABLE)，表示當前行包含有效數(shù)據(jù)，才啟動刷新操作。
如圖所示，只有如果都聲明了REFRESH_ENABLE和REFRESH_REQUEST，才通過聲明的(通過AND門340)的刷新啟動信號(REFRESH_START)啟動刷新操作。因此，在刷新操作過程中，狀態(tài)RAM塊330一般配置為響應于確定與包含具有有效數(shù)據(jù)的存儲單元的當前行地址(RA)相對應的行來聲明REFRESH_ENABLE。如果當前行確實包含有效數(shù)據(jù)，則聲明REFRESH_ENABLE，REFRESH_REQUEST信號產(chǎn)生REFRESH_START信號，其啟動由當前行地址(RA)表示的行的刷新操作。另一方面，如果當前行存儲單元不包含有效數(shù)據(jù)(例如，如下面所述自復位事件起沒有被寫入)，就解除聲明REFRESH_ENABLE，抑制當前行的刷新操作。當然，本領域熟練技術人員將認識到，對于其它實施方案，REFRESH_ENABLE可以其它方式，例如通過禁止也將阻止刷新操作的刷新定時器322來抑制刷新操作。
參照圖4可以進一步描述刷新電路320各個組件的操作，圖4示出了刷新操作的示例性時序圖。當然，本領域熟練技術人員將認識到，示出的邏輯電平(聲明為高)是任意的，對于每個信號來說實際的邏輯電平和定時例如可根據(jù)精確的電路實現(xiàn)方案而變化。
在時間T1，進入自刷新模式，激活刷新定時器332。在時間T2k，通過刷新定時器3 32產(chǎn)生刷新請求信號(REFRESH_REQUEST)，同時由RAC326產(chǎn)生的行地址指向行K。如圖所示，狀態(tài)RAM塊330具有聲明的REFRESH_ENABLE，表示在行K中至少一個存儲單元包含有效數(shù)據(jù)。結果，在時間T3(例如與T2k不同之處只在于門340的傳輸延遲)，聲明REFRESH_START，其啟動對行K的刷新操作。
然后RAC126將行地址增加到K+1，該行是存儲單元不包含有效數(shù)據(jù)的行。作為響應，在時間T4，狀態(tài)RAM塊330解除聲明REFRSH_ENABLE。結果，當在時間T2k+1時由刷新定時器332產(chǎn)生另一個刷新請求信號(REFRESH_REQUEST)時，不聲明REF_START，并且不啟動對行K的刷新操作。一旦將行地址增加到包含有效數(shù)據(jù)的行(在圖示的例子中為K+2)，則再次聲明REFRESH_ENABLE，激活對該行的刷新操作。
示例性的狀態(tài)RAM電路配置狀態(tài)RAM塊330可以包括用于存儲和提供讀出可刷新行的狀態(tài)的任何適宜的電路。對于一些實施方案，狀態(tài)RAM塊330包括N位寄存器，其設置成N個存儲單元的陣列以保持位信息，每一個都對應于存儲器的可刷新行。每個位的邏輯狀態(tài)可以表示在相應行中的任何存儲單元是否包含有效數(shù)據(jù)，以及因此是否應當被刷新。例如，如果該行的至少一個存儲單元包含有效數(shù)據(jù)，則相應的位可以具有邏輯高狀態(tài)。這樣，REFRESH_ENABLE信號可簡單地表示從狀態(tài)RAM塊330讀出對應于當前行地址(RA)的位。
刷新電路320包括任何適宜的電路，其允許狀態(tài)RAM塊330在刷新操作過程中被讀取，以及在正常寫入操作過程中被寫入。例如，在自刷新過程中激活的讀取選通(RG)電路344可以配置成為狀態(tài)RAM塊330施加當前行地址，并產(chǎn)生任何其它適宜的控制信號，從而激活相應單元的讀出。類似地，在寫入操作過程中激活的寫入選通(WG)電路344可以配置成為狀態(tài)RAM塊330施加外部供給的寫地址(表示為XA)，并產(chǎn)生任何其它適宜的控制信號，從而激活對單元的寫入，以表示相應行已經(jīng)被寫入，并且因而包含有效數(shù)據(jù)。
換句話說，對行中任意單元的寫入操作將導致在狀態(tài)RAM塊330中相應的位被設置。對于一些實施方案，所述位可以保持設置，直到發(fā)生復位事件，例如，產(chǎn)生清除所有位的復位信號(RESET)的聲明。如下面更加詳細描述的，復位信號可以在硬件控制下(例如通過外部可訪問的引腳)或軟件控制下(通過模式寄存器組命令)來聲明。在任何情形中，RESET的聲明可將狀態(tài)RAM塊330初始化，并且當將狀態(tài)RAM塊330的位被編程時，通過寫入操作來定義，從而表示相應行包含有效數(shù)據(jù)，其有時可以是有用的。例如，當具有使用刷新電路302的存儲器件的系統(tǒng)執(zhí)行初始化測試，如電源ON自測試(POST)時，由于該測試，狀態(tài)RAM塊330的所有位可以被設置。因此，為了防止所有行在測試之后被刷新，可以將狀態(tài)RAM塊330復位。
狀態(tài)RAM塊330的存儲單元可采取任何適宜的形式來存儲位信息(不必是RAM)。圖5A示出了一種類型的示例性存儲單元306。如圖所示，存儲單元306可以包括讀出通過門505、寫開關506、復位開關507、和數(shù)據(jù)鎖存器508。如圖所示，當例如通過圖5B中所示的行解碼器電路604和列解碼器電路606來聲明一對互補的讀取門信號(RG/RG#)時，讀出開關505可以與讀出數(shù)據(jù)線(RDL)502耦合。
類似地，當聲明寫入門信號(WG)時，寫開關506可以與寫入數(shù)據(jù)線(WDL)504耦合，因而使WDL 504的狀態(tài)被寫入到數(shù)據(jù)鎖存器508。如圖所示，鎖存器508的前向逆變器(forward inverter)12可以比反饋逆變器(feedback inverter)11更強，有助于通過寫開關506寫入鎖存器508并通過通過門505加速讀取操作。在示例性的構造中，當寫入相應行時，通過將節(jié)點ST#拉低，在WG為高時寫入單元306，因而通過逆變器12將邏輯高鎖存到節(jié)點ST。為了將鎖存器508復位，當聲明復位信號(低)時，可以通過復位開關507上拉節(jié)點ST#。如前面所述，公共復位信號可復位狀態(tài)RAM塊330的所有存儲單元306。
圖5B示出了狀態(tài)RAM塊330的存儲單元306的示例性布局圖600。為了節(jié)省基板表面面積以及簡化布局，存儲單元306可以設置為陣列結構602。例如，盡管要被刷新的行數(shù)可以對于不同實施方案而大大不同，但由陣列602占據(jù)的表面面積一般較好地低于總基板表面面積的1％。因而，功率消耗的節(jié)省可以很好地勝過所需實際資產(chǎn)的成本。
在寫入操作過程中，可以由行解碼器604和列解碼器608產(chǎn)生一對WG信號(只有一個被聲明，對應于當前行)。例如，由行解碼器604產(chǎn)生的WG信號可以激活寫開關506(如圖5A中所示)，而由列解碼器608產(chǎn)生的WG信號通過下拉晶體管612可以下拉相應的WDL線行。如圖所示，在寫入操作過程中，行解碼器604可以接收外部地址XA(表示涉及的行)的最高有效位(MSB)作為輸入，而列解碼器608可以接收XA的最低有效位作為輸入。因而，盡管整個WDL線將被下拉，但只有耦合到WDL線的一個存儲單元的寫開關506被激活。
以類似的方式，在讀取操作過程中，行解碼器604可以接收當前行地址RA的最高有效位(MSB)作為輸入，而列解碼器608可以接收RA的最低有效位作為輸入。因而，盡管整個RDL502(與單元306的整個列耦合)將與驅動REFRESH_ENABLE輸出的逆變器618的輸入端(通過晶體管610)耦合，但只有與RDL線耦合的一個存儲單元306的讀取通過門504將被打開。因而，逆變器618的輸出表示對于所選行的存儲單元的狀態(tài)。
存儲控制器狀態(tài)RAM對于一些實施方案，不是監(jiān)視在存儲器件上的寫入操作來追蹤哪些行包含有效數(shù)據(jù)，而是可以外部地監(jiān)視寫入操作，例如在存儲控制器中。例如，圖6A示出了示例性的系統(tǒng)600，其中存儲控制器602監(jiān)視駐留在一個或多個存儲器件604上的存儲單元所涉及的行的寫入操作。存儲控制器602可以保持狀態(tài)RAM塊630C，其可以被配置為存儲表示存儲器件604的哪個相應的行包含有效數(shù)據(jù)的位。
例如，存儲控制器狀態(tài)RAM塊630C包含充足數(shù)量的位，從而使存儲控制器602監(jiān)視所有存儲器件604的行的狀態(tài)。在使存儲器件604處于自刷新模式中之前，存儲控制器可以將行狀態(tài)信息從存儲控制器狀態(tài)RAM塊630C傳輸?shù)絾蝹€存儲器件604的狀態(tài)RAM塊630M。在完成傳輸之后，存儲控制器602可以使存儲器件604處于自刷新模式中。
圖6B示出了存儲控制器602可以執(zhí)行的一系列示例性的操作650，以便準備并使存儲器件604處于自刷新模式中?？梢詧?zhí)行該系列的操作650，從而同時將位從存儲控制器狀態(tài)RAM塊630C傳輸?shù)蕉鄠€存儲器件604的狀態(tài)RAM塊630M，或者可以對每個存儲器件604重復該系列的操作650。
存儲控制器602可以首先對存儲狀態(tài)RAM塊630M發(fā)出復位命令(652)，之后是將數(shù)據(jù)(654)從控制器狀態(tài)RAM塊630C傳輸?shù)酱鎯顟B(tài)RAM塊630M的命令。一旦傳輸完成，可以發(fā)出自刷新命令(656)，從而使存儲器件604處于自刷新模式中(658)。在自刷新模式過程中，只對包含有效數(shù)據(jù)的行，如由所傳輸?shù)臓顟B(tài)RAM內容所表示的行，執(zhí)行刷新操作，直到退出自刷新模式(660)。
圖6C示出了用于將控制器狀態(tài)RAM塊630C的內容傳輸?shù)酱鎯顟B(tài)RAM塊630M的示例性順序660。如圖所示，第一時鐘周期時的MRS命令可以例如通過設定模式寄存器位來發(fā)出開始傳輸?shù)男盘?。在隨后的時鐘周期過程中，控制器可以驅動地址總線上的狀態(tài)RAM行地址和數(shù)據(jù)(DQ)總線(其中的一條線)上的相應內容。一旦完成傳輸，另一個MRS命令可以s例如通過清除模式寄存器位來發(fā)出完成的信號。根據(jù)該實施方案，不像如上所述的正常寫訪問激活，上述的狀態(tài)RAM電路330可修改成確保只有當傳輸?shù)膬热轂楦?表示應當激活相應行的刷新)時才激活耦合的寫入門(WG)。換句話說，在正常的寫入存取激活過程中，不管寫入到相應行存儲單元的狀態(tài)(高或低)如何來設定所述位。然而，當傳輸內容時，只有控制器RAM塊630C中的相應位被設定，才設定位。
返回參照圖6A，存儲控制器狀態(tài)RAM塊630C可傳輸比存儲器件604的狀態(tài)RAM塊630M保持的數(shù)量更多的位(＞N)。例如，如果存儲器通過在刷新地址計數(shù)器塊中壓縮一部分(較低的位)行地址來每次對超過一行執(zhí)行刷新操作，則就是該情形。然而即使在該情形中，利用前述的狀態(tài)RAM電路(圖5A-5B中所示)，傳輸操作應當作為工作，因為對相同的狀態(tài)RAM單元306超過一組的操作具有相同的結果(表示相應的行或多行具有有效數(shù)據(jù))。因而，對于多個一起刷新的行來說，如果多行中的任意都包含需要刷新的有效數(shù)據(jù)，則應當設置對應于多行的狀態(tài)RAM單元306。
混合的部分陣列刷新方案對于一些實施方案，可以結合常規(guī)的部分陣列刷新(PAR)方案利用這里所述的技術。例如，如前面所述，常規(guī)的PAR方案可能不夠最優(yōu)，因為所選的(部分)范圍的要刷新的存儲塊可以包括不含有有效數(shù)據(jù)的多個行。然而，通過利用這里所述的技術，只有那些在包含有效數(shù)據(jù)(例如由狀態(tài)RAM塊表示的)的所選范圍存儲塊內的行可以被刷新，因而進一步減小了功率。然而，對于沒有選擇的存儲器的存儲體，不管狀態(tài)RAM內容如何，都可以抑制所有的刷新操作。
盡管前面涉及了本發(fā)明的實施方案，但在不脫離其基本范圍的情況下可以設計出本發(fā)明的其他實施方案，本發(fā)明的范圍由下面的權利要求確定。
權利要求
1.一種減小半導體存儲器件中的電流的方法，該半導體存儲器件包含多行存儲單元，該方法包括保持表示將要被刷新的存儲單元的行的多個位；和只刷新由所述多個位表示的將要被刷新的那些行。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括獲得將要被包含在刷新操作中的多個行的有限部分的指示；和只刷新由所述位表示的并包含在所述有限部分中的那些行。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中接收該有限部分的指示包括讀取部分陣列刷新模式寄存器。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中保持表示將要被刷新的存儲單元的行的多個位包括監(jiān)視寫入操作；和設定與在被監(jiān)視的寫入操作中涉及的數(shù)據(jù)行對應的位。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，進一步包括響應于復位事件，只清除與在被監(jiān)視的寫入操作中涉及的數(shù)據(jù)行對應的位。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中復位事件由模式寄存器表示。
7.一種在一個或多個半導體存儲器件中選擇性地刷新存儲單元的行的方法，包括監(jiān)視對存儲單元的寫入操作；保持多個位，該多個位表示包含在被監(jiān)視的寫入操作中涉及的存儲單元的行；和根據(jù)所述多個位來限制對其執(zhí)行刷新操作的行的數(shù)目。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中根據(jù)所述多個位來限制對其執(zhí)行刷新操作的行的數(shù)目包括只對包含在被監(jiān)視的寫入操作中涉及的存儲單元的那些行執(zhí)行刷新操作。
9.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中監(jiān)視對存儲單元的寫入操作包括通過半導體存儲器件來監(jiān)視寫入操作。
10.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中監(jiān)視對存儲單元的寫入操作包括通過與半導體存儲器件耦合的存儲控制器來監(jiān)視寫入操作。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，進一步包括保持多個位，該多個位表示包含在所述存儲控制器上被監(jiān)視的寫入操作中涉及的存儲單元的行；將第一多個位傳輸給第一存儲器件；和使第一存儲器件處于自刷新模式中，其中只對由第一多個位表示的、包含在被監(jiān)視的寫入操作中涉及的存儲單元的那些行執(zhí)行刷新操作。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，進一步包括將第二多個位傳輸給第二存儲器件；和使第二存儲器件處于自刷新模式中，其中只對由第二多個位表示的、包含在被監(jiān)視的寫入操作中涉及的存儲單元的那些行執(zhí)行刷新操作。
13.一種半導體存儲器件，包括多行存儲單元；刷新電路，配置為當存儲器件處于自刷新模式中時對存儲單元的行發(fā)出刷新請求；行狀態(tài)電路，配置為保持表示將要被刷新的行的多個位；和刷新激活電路，配置為根據(jù)行狀態(tài)電路的所述位來限制對其發(fā)出刷新請求的行的數(shù)目。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體存儲器件，其中刷新激活電路被配置為通過產(chǎn)生用于抑制刷新請求的信號來限制對其發(fā)出刷新請求的行的數(shù)目。
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體存儲器件，其中通過訪問與由刷新地址計數(shù)器產(chǎn)生的行地址對應的位來產(chǎn)生所述信號。
16.根據(jù)權利要求13所述的半導體存儲器件，其中行狀態(tài)電路配置為設定位以表示已經(jīng)被寫入的存儲單元的行；和刷新激活電路配置為將對其發(fā)出刷新請求的行的數(shù)目限制為由所述位表示的已經(jīng)被寫入的行。
17.根據(jù)權利要求16所述的半導體存儲器件，其中每個位都對應于單個行的存儲單元。
18.根據(jù)權利要求16所述的半導體存儲器件，其中行狀態(tài)電路配置為設定位以表示已經(jīng)被寫入的存儲單元的行。
19.根據(jù)權利要求18所述的半導體存儲器件，其中行狀態(tài)電路配置為保持該設定的位直到發(fā)生復位事件。
20.根據(jù)權利要求13所述的半導體存儲器件，其中行狀態(tài)電路包括存儲單元的陣列，每一個都存儲表示相應行的一個或多個存儲單元是否已被寫入的位。
21.一種系統(tǒng)，包括存儲器件，具有多行存儲單元，其中該存儲器件配置為在自刷新模式過程中，根據(jù)表示將要被刷新的行的行數(shù)據(jù)，來限制被刷新的行的數(shù)目；和存儲控制器，配置為監(jiān)視對存儲器件的寫入操作、根據(jù)被監(jiān)視的寫入操作產(chǎn)生所述行數(shù)據(jù)、以及在使存儲器件處于自刷新模式之前將所述行數(shù)據(jù)傳輸給所述存儲器件。
22.根據(jù)權利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述行數(shù)據(jù)存儲在以存儲單元陣列形式的所述存儲器件中；和所述存儲控制器被進一步配置為在將所述行數(shù)據(jù)傳輸給存儲器件之前將存儲單元的陣列復位。
23.根據(jù)權利要求21所述的系統(tǒng)，其中所述存儲控制器配置為通過寫入存儲器件的模式寄存器來復位存儲單元的陣列。
24.根據(jù)權利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述存儲控制器配置為在所述行數(shù)據(jù)中設定位，以表示在相應行中的一個或多個單元已經(jīng)被寫入。
全文摘要
提供了一種刷新半導體存儲器件中數(shù)據(jù)的方法和電路結構，其中對有限數(shù)的行執(zhí)行刷新操作。有限數(shù)目的行只包括例如由監(jiān)視寫入操作所確定的包含有效數(shù)據(jù)的那些行。
文檔編號G11C11/406GK1906698SQ200480040556
公開日2007年1月31日 申請日期2004年11月18日 優(yōu)先權日2003年11月18日
發(fā)明者J·-H·區(qū) 申請人:英飛凌科技股份公司