專利名稱：色素類追記型dvd介質(zhì)的記錄再現(xiàn)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以通過照射光束在記錄層上發(fā)生透過率、反射率等的光學(xué)變化來進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)，并且可以追記的色素類追記型DVD介質(zhì)的記錄再現(xiàn)方法及裝置。
背景技術(shù)：
目前，作為大容量光盤，正在進(jìn)行DVD±R的開發(fā)。作為提高記錄容量的重要技術(shù)，用于記錄坑(記録ピツト)微小化的記錄材料的開發(fā)、MPEG2為代表的圖像壓縮技術(shù)的采用、記錄坑讀取用半導(dǎo)體激光的短波化等技術(shù)開發(fā)是必要的。
迄今為止，作為紅色波長區(qū)域的半導(dǎo)體激光器，只有條形碼閱讀器或計量儀器用的670nm帶區(qū)的AlGaInP激光二極管被商品化，但伴隨著光盤的高密度化，紅色激光開始正式地在光存儲器市場上使用。在DVD驅(qū)動器的場合，使用635nm帶區(qū)和650nm帶區(qū)的2個波長帶的激光二極管作為光源已被標(biāo)準(zhǔn)化。另一方面，再現(xiàn)專用的DVD-ROM驅(qū)動器為波長約650nm，已被商品化。
通常，通過加熱方式形成坑(標(biāo)記)的色素類追記型DVD介質(zhì)在特定的記錄速度下，記錄時的激光發(fā)光產(chǎn)生的記錄脈沖串的脈沖寬度和記錄功率被最佳化，在不同的記錄線速度下形成的標(biāo)記或空間(space)的狀態(tài)發(fā)生變化。即，由于形成標(biāo)記所必須的加熱脈沖產(chǎn)生熱容量不足，或者對于最佳分解溫度所到達(dá)的加熱溫度不同，標(biāo)記的平均長度產(chǎn)生偏差，或者最佳的加熱脈沖的占空比不同，得不到均勻的標(biāo)記寬度，對應(yīng)于標(biāo)記長度，會產(chǎn)生粗或細(xì)，因此，抖晃特性惡化。
因此，對應(yīng)于從低線速度到高線速度記錄的光記錄介質(zhì)，預(yù)先將從在最低線速度下的最佳記錄條件到在最高線速度下的最佳記錄條件編碼化，并記錄在母盤(スタンパ)上，通過使用由該母盤轉(zhuǎn)印的基板，實現(xiàn)在各線速度下記錄的最佳化。
但是，隨著高速化的進(jìn)展，特別是，在CLV記錄中，在最內(nèi)周的旋轉(zhuǎn)相當(dāng)快，因此，有時從最內(nèi)周到一定半徑位置不可能以最高線速度旋轉(zhuǎn)。因此，在最內(nèi)周用可以旋轉(zhuǎn)的的轉(zhuǎn)速開始記錄，而在到達(dá)可以用最高線速度記錄的半徑位置進(jìn)行記錄的時刻，將記錄速度切換為最高線速度。如果切換記錄線速度，必然是，記錄策略(ストラテジ)或記錄功率與在最內(nèi)周使用的參數(shù)不同，因此，在最高線速度下的最佳條件下進(jìn)行記錄。但是，記錄策略雖然可以使用在其介質(zhì)上進(jìn)行編碼化的參數(shù)，但是，對于記錄功率，往往由于當(dāng)時的記錄環(huán)境而使偏離了編碼化的最佳記錄功率的功率成為最佳值。例如，寫入驅(qū)動器的倉內(nèi)溫度由于旋轉(zhuǎn)電動機的發(fā)熱、LD本身的發(fā)熱等而在進(jìn)行了一定時間的連續(xù)記錄之后比開始寫入時上升。倉內(nèi)溫度上升時，LD長波長化，特別是，由于色素類記錄介質(zhì)的靈敏度具有波長依賴性，因此影響很大，容易產(chǎn)生與編碼化的最佳記錄功率偏離。由于LD波長的長波長化而偏離最佳記錄功率的情況幾乎都是最佳值向變大的方向偏離。
另外，從數(shù)據(jù)的連續(xù)性或數(shù)據(jù)容量的減少來看，不能采用用于在線速度切換位置的記錄功率最佳化的試寫(試し書き)。
不切換記錄線速度而以等線速進(jìn)行記錄時，顯然是使用最內(nèi)周的功率測定區(qū)域(功率測定區(qū)域)實施功率的最佳化，并開始記錄。另外，對于對應(yīng)于多個線速度的試寫(OPC)，在特開2000-163850、特開2002-358642以及特開2003-016651等中有記載。例如，在特開2002-358642中記載了，在ZCLV方式中在各區(qū)段(ゾ一ン)的記錄區(qū)域的邊界的高速記錄側(cè)設(shè)置OPC區(qū)域(試寫的區(qū)域)。按照該發(fā)明，可以根據(jù)各區(qū)段的記錄速度進(jìn)行試寫。但對OPC的修正沒有記載。
另一方面，隨著近年來數(shù)據(jù)向光盤的寫入速度的高速化，在數(shù)據(jù)向光盤的寫入中，有時從主計算機等傳送來的用于寫入的數(shù)據(jù)的傳送速度比數(shù)據(jù)向光盤的寫入速度慢。因此，將這種沒有需要寫入的數(shù)據(jù)的狀態(tài)叫做所謂的緩沖欠載運行(バツフアアンダ一ラン)。在最近的光盤裝置中，大多設(shè)置了用于防止該緩沖欠載運行的發(fā)生而導(dǎo)致的光盤的浪費的以所謂的バ一ンプル一フ(burn proof)或ジヤストリンク(just link)等名稱稱呼的記錄保護(hù)方法。按照這樣的記錄保護(hù)方法，發(fā)生緩沖欠載運行時，中斷寫入，原樣稍事待機。中斷后，數(shù)據(jù)的傳輸速度變快時或者緩存內(nèi)充分蓄積了需要寫入的數(shù)據(jù)時，解除中斷再次進(jìn)行寫入。由此，即使產(chǎn)生緩沖欠載運行，也不會浪費光盤。
采用這樣的記錄保護(hù)方法時，為再次啟動數(shù)據(jù)寫入，有必要使光盤的旋轉(zhuǎn)和數(shù)據(jù)寫入的時間與寫入再次啟動前同步，以使數(shù)據(jù)寫入確實從中斷的地址再次進(jìn)行。
作為同步的方法，可以使用以下方法將光拾取器的位置返回到比中斷的地址更前的位置，以與此前寫入的速度同樣的速度讀出此前寫入的數(shù)據(jù)，得到EFM信號。另一方面，在編碼器內(nèi)部產(chǎn)生寫入數(shù)據(jù)一側(cè)的EFM信號，使該2個信號吻合而獲得同步的方法。
另外，作為將色素使用于記錄層的光記錄介質(zhì)的已知例子有，將聚甲炔料或聚甲炔色料和光穩(wěn)定化材料作為記錄材料使用的光記錄介質(zhì)、將含有四氮雜卟啉(卟啉和金屬的絡(luò)合物(ポルフイラジン))色素或賽安寧色素+偶氮金屬螯合物色素(鹽形成的色素)構(gòu)成的層和反射層作為記錄層的光記錄介質(zhì)、使用甲 (金屬螯合物)色素+其他色素作為記錄材料的光記錄介質(zhì)、使用甲川二吡咯(金屬螯合物)色素+其他色素作為記錄材料的光記錄介質(zhì)等，不勝枚舉。另外，已知大量的在記錄材料中使用色素進(jìn)行多脈沖記錄的光記錄介質(zhì)，但就本發(fā)明者們所知，著眼于本發(fā)明這樣的將色素類追記型DVD介質(zhì)的記錄速度切換為最高線速度時的連接(つなぎ)的功率控制方法或進(jìn)行高線速度記錄時的記錄波形的文獻(xiàn)尚未發(fā)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于，提供對色素類追記型DVD介質(zhì)進(jìn)行高線速度記錄時可以得到良好的記錄波形的記錄再現(xiàn)方法以及裝置。特別是，其目的在于，提供對應(yīng)于高線速度的追記型DVD介質(zhì)的記錄速度切換為最高線速度時的連接的簡易功率控制方法。
另外，本發(fā)明是使用與CD類介質(zhì)相比為具有以短波長為激發(fā)波長的半導(dǎo)體激光的追記型DVD系統(tǒng)的新格式方式，其目的在于，提供一種與LPP(岸臺預(yù)制坑)方式同樣是一種消除在數(shù)據(jù)的補充寫入部分的未記錄區(qū)域的有效方式，另外，還提供一種與DVD-R岸臺預(yù)制坑方式相比較，制作光盤母盤時的微細(xì)的切紋寬度的控制或不會產(chǎn)生由于LPP信號向數(shù)據(jù)部分的泄露而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錯誤的優(yōu)異的方式。
解決問題的方法即，上述課題可以通過以下的1)～13)的發(fā)明(以下，稱為本發(fā)明1～13)來解決。
1)一種記錄再現(xiàn)方法，其特征在于，在具有設(shè)置了擺動(ウオブル)的導(dǎo)向槽的圓盤狀基板上具有含有有機色素的記錄層，并且在CLV最高線速度記錄條件和最高線速度以外的CLV線速度記錄條件被預(yù)先編碼化并記錄在基板的規(guī)定位置的追記型DVD介質(zhì)的記錄再現(xiàn)時，在最內(nèi)周，以最高線速度以外的CLV線速度條件開始記錄，在從可以以最高線速度旋轉(zhuǎn)的半徑位置切換為最高線速度下的記錄時，將暫時在最外周的功率測試區(qū)域進(jìn)行試寫來最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po、和預(yù)先編碼化并記錄在基板上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi相比較，Po＞Pi時，將由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率，Po≤Pi時，將Pi作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率。
2)按照1)所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，長度最短的標(biāo)記(マ一ク)通常用功率W0的一個脈沖光來記錄，第2短的標(biāo)記用以功率W0、或比W0低的功率W1、或比W1低的功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，從短者算起第3個或第3個以后的標(biāo)記用以功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，同時，在標(biāo)記記錄時，對所有標(biāo)記的上述脈沖后端部以后照射冷脈沖(ク一リングパルス)，其照射光量設(shè)置為在一定時間達(dá)到0.1mW或0.1mW以下。
3)按照1)和2)中任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，脈沖后端部以后的冷脈沖照射時間設(shè)定為長度最短(再短長)的空間的1/6～6/6的長度。
4)按照上述1)～3)中任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，以該標(biāo)記長度是否為最短長度來區(qū)別形成前一空間長度為最短長度的標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比不是最短長度的標(biāo)記的加熱脈沖寬度長，并且，以該最短長度標(biāo)記的前一空間長度是否為最短長度來區(qū)別形成最短長度標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將前一空間長度為最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比前一空間長度不是最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度短。
5)按照上述1)～4)中任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，將基本時鐘(クロツク)周期設(shè)為T時，上述擺動為相當(dāng)于4T～96T的頻率。
6)按照上述1)～5)中的任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，記錄光的波長為600～720nm。
7)按照上述1)～6)中的任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，對于記錄光以及再現(xiàn)光的波長±5nm的波長區(qū)域的光，記錄層單層的折射率n為1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k為0.02≤k≤0.2。
8)按照上述1)～7)中的任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，追記型DVD介質(zhì)在基板上具有選自反射層、保護(hù)層、粘接層、保護(hù)基板、基板面硬涂層中的至少一個層作為除記錄層以外的構(gòu)成層。
9)按照上述8)中所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，用于貼合至少一個基板具有設(shè)置了擺動的導(dǎo)向槽的2片基板制成兩面結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)的粘接層設(shè)置在該基板間，并且，該粘接層中使用的粘合劑為紫外線固化樹脂。
10)一種記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，該裝置是具有以下功能的裝置在基板的導(dǎo)向槽具有擺動，CLV最高線速度記錄條件和最高線速度以外的CLV線速度記錄條件預(yù)先編碼化并記錄在規(guī)定的位置上的色素類追記型DVD介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)時，在最內(nèi)周，以最高線速度以外的CLV線速度條件開始記錄，在從可以以最高線速度旋轉(zhuǎn)的半徑位置切換為最高線速度下的記錄時，將暫時在最外周的功率測試區(qū)域進(jìn)行試寫來最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po和預(yù)先編碼化并記錄在介質(zhì)上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi相比較，Po＞Pi時，將由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率，Po≤Pi時，將Pi作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率。
11)按照10)所述的記錄再現(xiàn)裝置，其中，該裝置是具有以下功能的裝置長度最短的標(biāo)記通常用功率W0的一個脈沖光來記錄，第2短的標(biāo)記用以功率W0、或比W0低的功率W1、或比W1低的功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，從短者算起第3個或第3個以后的標(biāo)記用以功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，同時，在標(biāo)記記錄時，對所有標(biāo)記的上述脈沖后端部以后照射冷脈沖，其照射光量設(shè)置為在一定時間達(dá)到0.1mW或0.1mW以下。
12)按照10)和11)中任一項所述的記錄再現(xiàn)裝置，其中，該裝置是具有以下功能的裝置脈沖后端部以后的冷脈沖照射時間設(shè)定為長度最短的空間的1/6～6/6的長度。
13)按照10)～12)中任一項所述的記錄再現(xiàn)裝置，其中，該裝置是具有以下功能的裝置以該標(biāo)記長度是否為最短長度來區(qū)別形成前一空間長度為最短長度的標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比不是最短長度的標(biāo)記的加熱脈沖寬度長，并且，以該最短長度標(biāo)記的前一空間長度是否為最短長度來區(qū)別形成最短長度標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將前一空間長度為最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比前一空間長度不是最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度短。


圖1A是示出通常的追記型光記錄介質(zhì)的層構(gòu)成例的圖。
圖1B是示出通常的追記型光記錄介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖1C是示出通常的追記型光記錄介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖1D是示出通常的追記型光記錄介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖2A是示出通常的CD-R介質(zhì)的層構(gòu)成例的圖。
圖2B是示出通常的CD-R介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖2C是示出通常的CD-R介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖3A是示出色素類追記型DVD介質(zhì)的層構(gòu)成例的圖。
圖3B是示出色素類追記型DVD介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖3C是示出色素類追記型DVD介質(zhì)的其他層構(gòu)成例的圖。
圖4是示出用記錄線速度28m/s的本發(fā)明2、3涉及的功率控制波形的例1的圖。
圖5是示出用記錄線速度28m/s的本發(fā)明2、3涉及的功率控制波形的例2的圖。
圖6是示出周記錄線速度28m/s的本發(fā)明2、3涉及的功率控制波形的例3的圖。
圖7是示出用記錄線速度28m/s的本發(fā)明2、3涉及的功率控制波形的例4的圖。
圖8是示出用記錄線速度21m/s的本發(fā)明2、3涉及的功率控制波形的例5的圖。
圖9是示出用記錄線速度21m/s的本發(fā)明2、3涉及的功率控制波形的例6的圖。
圖10是示出各半徑位置下的記錄功率和抖晃的關(guān)系的圖。
圖11是示出光盤驅(qū)動器的主要部分構(gòu)成的一例的功能框圖。
圖12是使用圖11所示的光盤驅(qū)動器的信息處理裝置的概要圖。
具體實施例方式
以下，對上述本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
如上所述，在編碼化并記錄在基板上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi、和以切換線速度時最外周的功率測定區(qū)域進(jìn)行試寫而最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po往往產(chǎn)生偏差。實際上，幾乎所有的情況下，寫入驅(qū)動器的倉內(nèi)溫度上升，在LD的特性上，其波長發(fā)生長波長化。另一方面，由于色素類介質(zhì)在記錄波長附近具有吸收，因此，記錄波長發(fā)生長波長化時，最佳記錄功率上升。即，成為Po＞Pi的關(guān)系。
因此，如本發(fā)明1所述，將由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為切換線速度時的記錄開始的記錄功率，之后，如果以運行(ランニング)OPC進(jìn)行記錄功率的最佳化，可以良好地保持作為本發(fā)明的目的的最高記錄線速度下的記錄品質(zhì)。
另外，Po≤Pi時，案例非常少，由于Po和Pi的功率都很小，因此，如果以預(yù)先編碼化并記錄在基板上的功率Pi開始記錄，仍然可以良好地保持記錄品質(zhì)。
這里，對在Po＞Pi時的由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率設(shè)定為最高線速度記錄開始記錄功率的原因進(jìn)行說明。
式中的第1項是Po和Pi的平均值，第2項是將功率差的平方用編碼化并記錄的功率進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化的項，將其與平均值相加作為最佳記錄功率。通常，圓盤狀的光記錄介質(zhì)，在外周，多數(shù)情況下比內(nèi)周或中周的機械特性差，多數(shù)情況下要求比內(nèi)周或中周高的記錄功率。因此，將在最外周求得的記錄功率直接采用到中周上時，用類似過功率開始記錄的幾率高，另一方面，如果用Po和Pi簡單的平均值的話，則有可能成為欠功率。因此，如上述式，通過將第2項與平均值相加，可以實現(xiàn)記錄線速度切換時的最佳記錄功率化。
本發(fā)明2規(guī)定了基本的最佳脈沖照射模式。
由于長度最短的標(biāo)記難以在高線速度記錄下形成坑，因此，該記錄脈沖的光量通常需要最高功率，長度最短的脈沖功率作為W0，將長度最短標(biāo)記以外的標(biāo)記的基本功率(無追加功率)作為W2，將追加在W2上的功率作為W1，優(yōu)選W0/W1＝1.01～2.00的范圍，更加優(yōu)選1.02～1.50的范圍。另一方面，W1/W2優(yōu)選1.05～3.00的范圍，更加優(yōu)選1.08～2.00的范圍。
對于長度最短標(biāo)記以外的標(biāo)記，作為記錄脈沖的前端部和/或后端部的、施加了追加功率而高輸出化的長度或高輸出化到W0的長度，是基本時鐘周期T的0.5倍～2倍，即，特別優(yōu)選0.5T～2T的范圍，在0.2T～2.5T的范圍也可以實施。
另外，標(biāo)記記錄時，通過使上述脈沖后端部以后的冷脈沖的照射光量在一定時間內(nèi)為0.1mW或0.1mW以下，可以以更加良好的記錄品質(zhì)進(jìn)行記錄，另外，如果以高頻擺動實施記錄位置檢測，則可以沒有連接點(つなぎ目)損耗地進(jìn)行記錄。
上述脈沖照射模式，與CD類介質(zhì)相比，是使用具有以短波長為激發(fā)波長的半導(dǎo)體激光的追記型DVD系統(tǒng)的新格式方式，與LPP方式一樣，是消除在數(shù)據(jù)寫入(書き足)部的未記錄領(lǐng)域的有效方式，另外，與DVD-R岸臺預(yù)制坑方式相比較，是不產(chǎn)生在制作母盤時的微細(xì)的切斷(カット)寬度控制或LPP信號向數(shù)據(jù)部的泄露導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錯誤的優(yōu)異方式。
本發(fā)明3規(guī)定了設(shè)置在各脈沖后端部以后的冷脈沖的優(yōu)選的照射條件，冷脈沖的照射時間優(yōu)選設(shè)置為長度最短的空間的1/6～6/6的長度，偏離該范圍時，難以得到冷脈沖的效果。
通過選擇上述的脈沖波形，特別是在高線速記錄中，可以以低抖晃進(jìn)行良好的記錄。
色素類的光記錄介質(zhì)要實現(xiàn)高線速化時，必須增大記錄功率，其結(jié)果是更容易引起標(biāo)記間的熱干涉。因此，對于優(yōu)化形成標(biāo)記時的標(biāo)記邊緣切痕，本發(fā)明是有效的按照以往例進(jìn)行記錄時，得到最低抖晃的功率和錯誤最小的功率產(chǎn)生偏離，功率容差(パワ一マ一ジン)減少。具體地，在高線速記錄中，如果是得到最低抖晃的記錄功率，則顯示出記錄信號的不對稱度(アシンメトリ)變?yōu)樨?fù)數(shù)側(cè)的傾向，在錯誤測定中，即使任何低的抖晃也容易出現(xiàn)錯誤。例如，不對稱度為負(fù)數(shù)，即使是低抖晃、低錯誤，但由于介質(zhì)、驅(qū)動器的年代推移等，比在不對稱度為零附近記錄的介質(zhì)容易出現(xiàn)錯誤。本發(fā)明就是為解決該低不對稱度問題而進(jìn)行的。
另外，即使在用多個脈沖光(多脈沖)寫入1標(biāo)記時，如果將脈沖光最佳化，也可以解決上述的低不對稱度問題，但由于使用多個脈沖光，在脈沖光上升、下降的時間上產(chǎn)生偏差時，記錄品質(zhì)本身有可能產(chǎn)生偏差。當(dāng)然，該偏差越是高線速度記錄就越容易發(fā)生。
與此相反，本發(fā)明的優(yōu)點是，由于每1標(biāo)記用1個脈沖光進(jìn)行記錄，因此與該多脈沖光記錄相比，可以提供記錄品質(zhì)的偏差少的記錄方法。另外，還具有以下優(yōu)點，在寫入中的地址檢測中，由于是比多脈沖法更為單純的記錄波形，因此記錄時的光量容易平均化，不僅空間部分的反射光量，而且標(biāo)記部分的光量也平均化，地址檢測成為可能，即使在脈沖的后端設(shè)置0.1mW或0.1mW以下的冷脈沖，也比較容易實施地址檢測。
另外，考慮到熱干涉的影響，用該標(biāo)記長度是否是最短長度來區(qū)分形成前一空間長度為最短長度的標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，通過將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖幅度設(shè)定為比不是最短長度的標(biāo)記的加熱脈沖寬度長(作為一個例子，參照后述的表1中的前一空間長度為3T、記錄標(biāo)記長度為3T、4T～14T的場合)，可以實現(xiàn)更低抖晃的記錄。
另外，以該最短長度標(biāo)記之前的空間長度是否為最短長度來區(qū)分形成最短長度標(biāo)記的記錄脈沖串的加熱脈沖寬度，通過將前一空間長度為最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比前一空間長度不是最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度短(作為一個例子，參照后述的表1中的記錄標(biāo)記長度為3T、空間長度為3T、4T～14T的場合)，可以實現(xiàn)更低抖晃的記錄。
用于將上述加熱脈沖寬度設(shè)定為短值的校正量(長度)特別優(yōu)選0.02T～0.10T的范圍。在形成的標(biāo)記的前一空間長度為最短長度時，如果形成該標(biāo)記的脈沖的脈沖寬度與其他標(biāo)記的情況大致相等，由于熱干涉該前一空間長度變短，抖晃稍有惡化。因此，只有在這樣的情況下，縮短用于記錄標(biāo)記的加熱脈沖寬度才是有效果的。另外，想要進(jìn)一步縮短脈沖寬度時，縮短加熱脈沖的前緣顯然是有效的。
另外，形成的標(biāo)記的前一空間長度為最短長度時，如果形成該標(biāo)記的脈沖的加熱脈沖幅度比0.10T短，則標(biāo)記長度本身變得過短，因此不優(yōu)選。
將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比其他的標(biāo)記的場合長時的校正量(長度)優(yōu)選0.05T～0.25T。特別是，由于記錄線速度變大時難以形成最短長度標(biāo)記，因此在上述的范圍內(nèi)校正，并延長最短長度標(biāo)記的脈沖寬度。
加熱脈沖寬度的校正量的具體例示于下表1。
表1

下面，作為記錄層必須的項目，列舉出光學(xué)特性。
作為光學(xué)特性，記錄層單層對于記錄再現(xiàn)波長附近的長波長附近的波長區(qū)域的光、即記錄光以及再現(xiàn)光的波長±5nm的波長區(qū)域的光的折射率n優(yōu)選1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k優(yōu)選0.02≤k≤0.2的范圍。n不足1.5時，難以得到充分的光學(xué)變化，并且由于記錄調(diào)制度變低，因此不優(yōu)選，當(dāng)n超過3.0時，波長依賴性變得過高，即使是記錄再現(xiàn)波長區(qū)域也會出現(xiàn)錯誤，因此不優(yōu)選。另外，k不足0.02時，由于記錄感度變差，因此不優(yōu)選，k超過0.2時，難以得到50％或50％以上的反射率，因此不優(yōu)選。
另外，DVD在再現(xiàn)專用機上在650nm附近被標(biāo)準(zhǔn)化，但記錄型介質(zhì)的記錄光的波長除在寫入(オ一サリング)專用介質(zhì)的635nm之外，作為通常用途在650～660nm被標(biāo)準(zhǔn)化。但是，這些波長歸根結(jié)底是中心波長，由于LD制造的偏差而在短波長側(cè)和長波長側(cè)波動。另外，LD在其特性上，通常，溫度上升時波長向長波長側(cè)移動。本發(fā)明是可以以含有上述的波長區(qū)域的600～720nm的記錄波長實施的方法。
下面，對設(shè)置在基板上的蛇行的導(dǎo)向槽的擺動特性進(jìn)行闡述，用于特別規(guī)定擺動頻率的T為基本時鐘周期，如果是DVD(4.7GB)介質(zhì)，約為0.133μm，用時間表示約為38nsec.。
通常，作為擺動的頻帶，可以使用相當(dāng)于150T～400T，但該頻帶無論是頻率調(diào)制還是相位調(diào)制在進(jìn)行數(shù)據(jù)補寫時的擺動的頻率都過低，在前數(shù)據(jù)和補寫數(shù)據(jù)之間產(chǎn)生相當(dāng)?shù)目瞻祝虼瞬贿m合高密度記錄。與此相反，在DVD-R中設(shè)置LPP，通過該LPP信號控制數(shù)據(jù)的寫入位置。
但是，在LPP方式中，LPP的信號振幅過小時，不能良好地讀出LPP，相反地，LPP過大時，此時LPP信號本身漏入寫入的數(shù)據(jù)中，產(chǎn)生所謂數(shù)據(jù)錯誤多發(fā)的不良現(xiàn)象，因此，LPP產(chǎn)生0.16≤LPPb≤0.32，優(yōu)選0.18≤LPPb≤0.26這樣的制約，在光盤母盤制成時，必須微細(xì)地控制岸臺的切紋寬度。
與此相反，如果設(shè)置為高頻率擺動，則LPP就沒有必要了，由于調(diào)制擺動并采取同步，因此不至于成為LPP方式那樣數(shù)據(jù)錯誤多發(fā)的情況。正如本發(fā)明5中規(guī)定那樣，擺動的優(yōu)選頻率為4T～96T。比4T小時，頻率過高，難以檢測，在旋轉(zhuǎn)控制或地址檢測信賴性方面也有問題。另一方面，比96T大時，頻率過低，在追寫數(shù)據(jù)時的接頭中，間隔過大，產(chǎn)生容量降低或數(shù)據(jù)處理速度降低等問題。
作為本發(fā)明對象的DVD介質(zhì)的擺動振幅只要是通過適當(dāng)?shù)臑V波器、例如4MHz、30kHz的高、低通濾波器的信號的擺動振幅(Wo)、和通過適當(dāng)?shù)臑V波器、例如30kHz的濾波器的推挽信號(PP)之比Wo/PP滿足0.1≤Wo/PP≤0.4，則在作為本發(fā)明的目的的擺動下的同步配合變得容易，更加優(yōu)選0.15≤Wo/PP≤0.30的范圍。Wo/PP的值如果不足0.1，雖然可以同步，但是不充分的信號強度，超過0.4時，數(shù)據(jù)部分錯誤有增加的傾向。但是，與LPP方式相比，對LPP大的介質(zhì)的數(shù)據(jù)錯誤發(fā)生的影響度小，隨著擺動振幅的增加的數(shù)據(jù)錯誤得到緩解。
另外，制成光盤母盤時，要想將LPP方式的LPP切紋寬度設(shè)置在上述的0.16～0.32的范圍內(nèi)，高度的切紋寬度控制技術(shù)是必要的，但在高頻率擺動方式中，只要管理高頻發(fā)生源和擺動的振動量的大小(在控制擺動振動量的電路中，振動量可以任意且再現(xiàn)性良好地制作)，就可以達(dá)到本發(fā)明的目的，光盤母盤的合格率或介質(zhì)的合格率可以有飛躍性的提高。
另外，作為具有上述格式的基板的槽形狀，如果以使用有機色素通過溶劑涂布法形成記錄層的情況為例，優(yōu)選的槽深是1000～2500，更為優(yōu)選1500～2000。槽深不足1000時，推挽信號不能充分獲取，并且不能尋軌控制。另外，如果超過2500，在基板成型時轉(zhuǎn)印性變鈍(甘く)，因此不優(yōu)選。
另外，設(shè)置了色素記錄層時的色素槽深度在將擺動頻率設(shè)為mT(m為自然數(shù))，色素槽深設(shè)為d1時優(yōu)選在1200≤d1×m≤160000的范圍。d1×m低于1200時，不能得到充分的差信號，在記錄再現(xiàn)時不能進(jìn)行充分的尋軌，d1×m大于160000時，相反地，由于產(chǎn)生振蕩，對于尋軌仍然是不優(yōu)選的，另外，起因于上述基板成型的轉(zhuǎn)印界限的基板槽深也有界限，因此，實際上也不能超過160000。
另外，為確保記錄密度4～5GB的容量，軌道間距為0.64～0.8μm左右是必要的。對于槽寬，視記錄材料而不同，但在幾乎全部的有機材料中，都使用半值寬0.18～0.40μm的寬度。
下面，對作為本發(fā)明的對象的色素類追記型DVD介質(zhì)的層構(gòu)成、各層的必要特性以及構(gòu)成材料進(jìn)行說明。
圖1A、圖1B、圖1C以及圖1D是通常的追記型光盤的層構(gòu)成例，圖2A、圖2B以及圖2C是通常的CD-R介質(zhì)的層構(gòu)成例，圖3A、圖3B以及圖2C是追記型DVD介質(zhì)的層構(gòu)成例，作為本發(fā)明的對象的色素類追記型DVD介質(zhì)優(yōu)選的基本構(gòu)成如圖3B以及圖3C所示，以將記錄層2夾在其間的方式用粘合劑貼合第1基板1和第2基板(保護(hù)基板7)。另外，圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、圖2A、圖2B、圖2C以及圖3A、圖3B以及圖3C(包括分支號(枝番))中，1表示基板，2表示記錄層，3表示底(下引き)層，4表示保護(hù)層，5表示硬涂層，6表示反射層，7表示保護(hù)基板，8表示粘接層。
記錄層可以是有機色素單層，為了提高反射率，也可以是有機色素層和反射層的疊層。記錄層2和基板1或保護(hù)基板7之間可以設(shè)置底層3或保護(hù)層4，為提高功能，可以是將各層制成2層或2層以上的疊層結(jié)構(gòu)的構(gòu)成。最為普通的使用是包括第1基板/有機色素層(記錄層2)/反射層6/保護(hù)層4/粘接層8/第2基板(保護(hù)基板7)的結(jié)構(gòu)。另外，還可以設(shè)置硬涂層。
《基板》基板對于從基板側(cè)進(jìn)行記錄再現(xiàn)時使用的激光必須是透明的，但從記錄層側(cè)進(jìn)行記錄再現(xiàn)時則不必是透明的。作為基板材料，可以使用，例如，聚酯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等塑料或者玻璃、陶瓷、金屬等。另外，也可以在基板表面形成尋軌用的導(dǎo)向槽或?qū)蚩?、以及地址信號等預(yù)格式(preformat)。
《記錄層》
記錄層是通過激光的照射產(chǎn)生若干光學(xué)變化并根據(jù)該變化記錄信息的層，作為其材料，使用含有有機色素的材料。這里，可以含有記錄再現(xiàn)中所必須的量的有機色素，但優(yōu)選含有記錄層的50重量％或50重量％以上，通常除視需要適當(dāng)添加的少量添加劑以外，只使用有機色素。
作為有機色素的例子，可以舉出，偶氮類、甲 類、次甲基二吡咯類、(聚)甲炔類、萘酞菁類、酞菁類、四氮雜卟啉類、スクアリリウム類、クロコニウム類、吡喃類、萘醌類、蒽醌類(陰丹士林類)、呫噸類、三苯基甲烷類、薁類、四氫膽堿類、菲類、三苯并噻嗪類色素或它們的金屬配位化合物等。其中，優(yōu)選偶氮(金屬螯合物)色素、甲 (金屬螯合物)色素、クアリリウム(金屬螯合物)色素、次甲基二吡咯(金屬螯合物)色素、三次甲基酞菁色素、四氮雜卟啉色素。
上述色素作為熱分解特性優(yōu)選分解開始溫度100～360℃的，特別優(yōu)選100～350℃的。分解開始溫度超過360℃時，記錄時的坑形成不能順利進(jìn)行，抖晃特性惡化。另外，不足100℃時，盤片保存的穩(wěn)定性惡化。
以提高光學(xué)特性、記錄感度、信號特性等為目的，可以在上述色素中混合其他有機色素、金屬、金屬化合物，或者也可以將色素層和含有其他有機色素、金屬、金屬化合物的層疊層。
作為這樣的金屬、金屬化合物的例子，可以舉出，In、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、Al、Be、TeO2、SnO、As、Cd等，可以將它們分散混合或疊層使用。
另外，還可以向上述染料中分散混合高分子材料、例如離聚物樹脂、聚酰胺樹脂、乙烯基類樹脂、天然高分子、聚硅氧烷、液態(tài)橡膠等各種材料、或者硅烷偶合劑等，以特性改良為目的，還可以一起使用穩(wěn)定劑(例如，過渡金屬配位化合物)、分散劑、阻燃劑、潤滑劑、抗靜電劑、表面活性劑、增塑劑等。
記錄層的形成可以通過蒸鍍、濺射、CVD、溶劑涂布等通常手段進(jìn)行。使用涂布法時，可以將上述染料等溶解于有機溶劑中，通過噴涂、輥涂、浸漬、旋涂等常用的涂布法進(jìn)行。作為使用的有機溶劑，通常可以舉出，甲醇、乙醇、異丙醇等醇類；丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮類；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺類；二甲亞砜等亞砜類；四氫呋喃、二烷、乙醚、乙二醇單甲醚等醚類；乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯類；氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、三氯乙烷等脂肪族鹵代烴類；苯、二甲苯、一氯代苯、二氯代苯等芳香族類；甲氧基乙醇、乙氧基乙醇等溶纖劑類；己烷、戊烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷等烴類等。
記錄層的膜厚100～10μm為合適、優(yōu)選200～2000。
《底層》底層是以(1)提高粘接性、(2)隔離水或氣體等、(3)提高記錄保護(hù)層的保存穩(wěn)定性、(4)提高反射率、(5)保護(hù)基板不受溶劑損害、(6)形成導(dǎo)向槽、導(dǎo)向坑、預(yù)格式形成等為目的而設(shè)置的。對于(1)的目的，可以使用離聚物樹脂、聚酰胺樹脂、乙烯基樹脂、天然樹脂、天然高分子、聚硅氧烷、液態(tài)橡膠等各種高分子化合物、或者硅烷偶合劑等。對于(2)和(3)的目的，可以在上述高分子材料以外使用SiO、MgF、SiO2、TiO、ZnO、TiN、SiN等無機化合物，還可以使用Zn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、Au、Ag、Al等金屬或半金屬。對于(4)的目的，可以使用Al、Au、Ag等金屬、或含有甲炔染料、呫噸類染料等具有金屬光澤的有機薄膜。對于(5)和(6)的目的，可以使用紫外線固化樹脂、熱固化樹脂、熱塑性樹脂等。
作為底層的膜厚0.01～30μm為合適，優(yōu)選0.05～10μm。
《反射層》作為反射層的材料，可以舉出Au、Ag、Cr、Ni、Al、Fe、Sn等可以得到高反射率的不易腐蝕的金屬或半金屬的單質(zhì)，但從反射率或生產(chǎn)性的觀點來看，特別優(yōu)選Au、Ag、Al。另外，這些金屬或半金屬可以單獨使用也可以制成2種或2種以上的合金使用。
作為膜形成方法，可以舉出蒸鍍、濺射等，作為膜厚，為50～5000，優(yōu)選100～3000。
《保護(hù)層、基板面硬涂層》保護(hù)層和基板面硬涂層是以(1)保護(hù)記錄層(反射吸收層)不受損傷、灰塵、污染等的傷害、(2)提高記錄層(反射吸收層)的保存穩(wěn)定性、(3)提高反射率等為目的而使用的。對于這些目的，可以使用與上述底層相同的材料。另外，也可以使用聚丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、纖維素樹脂、脂肪族烴樹脂、天然橡膠、苯乙烯-丁二烯樹脂、氯丁橡膠、石蠟、醇酸樹脂、干性油、松香等熱軟化性、熱熔融性樹脂等有機材料。最為優(yōu)選的是生產(chǎn)性優(yōu)異的紫外線固化樹脂。
保護(hù)層或基板面硬涂層的膜厚為0.01～30μm，優(yōu)選0.05～10μm。
上述底層、保護(hù)層以及基板面硬涂層中還可以與記錄層同樣含有穩(wěn)定劑、分散劑、阻燃劑、潤滑劑、抗靜電劑、表面活性劑、增塑劑等。
《保護(hù)基板》在從保護(hù)基板側(cè)照射激光時，保護(hù)基板對于使用的激光必須是透明的，但在作為單純的保護(hù)板使用時也可以不是透明的。
可以使用的保護(hù)基板材料與上述基板材料完全相同，可以使用聚酯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等塑料或者玻璃、陶瓷、金屬等。
《粘接層》作為粘接材料，只要是可以粘接2片記錄介質(zhì)的材料，任何材料都可以，考慮到生產(chǎn)性時，優(yōu)選紫外線固化型粘接劑或熱熔型粘接劑。
下面，對本發(fā)明的記錄再現(xiàn)裝置進(jìn)行說明。
光盤作為記錄大容量信息的裝置使用，而光盤通常通過光盤驅(qū)動器(記錄再現(xiàn)裝置)進(jìn)行記錄再現(xiàn)。這里，對于光盤和光盤驅(qū)動器的構(gòu)成進(jìn)行簡要說明。
DVD-RAM·WO、DVD-R、DVD+R、以及DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW盤片是可以寫入(可以記錄)的DVD(Digital Versatile Disc)。DVD-RAM·WO、DVD-R、DVD+R是只可以寫入一次的DVD(也叫做DVDWrite Once)。另外，DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW是可以多次寫入的DVD。這些DVD+R或DVD+RW盤片等光盤可以通過下面的如圖11所示的驅(qū)動器進(jìn)行信息記錄再現(xiàn)。
對于光盤驅(qū)動器，圖11是示出其主要部分構(gòu)成的一例的功能框圖。在圖中，11表示光盤、12表示主軸電動機、13表示光拾取器、14表示電機驅(qū)動器、15表示讀取放大器、16表示伺服裝置、17表示DVD解碼器、18表示ADIP解碼器、19表示激光控制器、20表示DVD編碼器、21表示DVD-ROM編碼器、22表示緩存RAM、23表示緩存管理器、24表示DVD-ROM解碼器、25表示ATAPI/SCSI接口、26表示D/A轉(zhuǎn)換器、27表示ROM、28表示CPU、29表示RAM、LB表示激光、Audio表示音頻輸出信號。
在該圖11中，箭頭表示數(shù)據(jù)主要流動方向，另外，為簡化該圖，在控制圖11的各框的CPU28中，僅使用粗線，將與各框的連接省略。以可以用CPU28解讀的代碼編寫的控制程序存儲在ROM27中。另外，光盤驅(qū)動器的電源為ON狀態(tài)時，上述程序加載至主存儲器(未圖示)，上述CPU28按照該程序控制上述各部分的運轉(zhuǎn)，同時，控制所必須的數(shù)據(jù)等暫時保存在RAM29中。
光盤驅(qū)動器的構(gòu)成和運轉(zhuǎn)如下。光盤11由主軸電動機12旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。該主軸電動機12通過電機驅(qū)動器14和伺服裝置16將線速度或角速度控制為一定。該線速度或角速度可以階段性地改變。
光拾取器13內(nèi)安裝有未圖示的半導(dǎo)體激光器、光學(xué)系統(tǒng)、聚焦致動器、尋軌致動器、受光元件以及位置傳感器，將激光LB照射到光盤11上。另外，該光拾取器13可以通過搜索電動機(シ一クモ一タ)向鉛錘(スレツジ)方向移動。這些聚焦致動器、尋軌致動器、搜索電動機，基于從受光元件以及位置傳感器得到的信號，通過電機驅(qū)動器14和伺服裝置16，控制激光LB的光點位于光盤11上的目的場所。
并且，讀取時，由光拾取器13得到的再現(xiàn)信號被讀取放大器15放大并2值化之后，輸入到DVD解碼器17中。輸入的2值化數(shù)據(jù)在該DVD解碼器17中進(jìn)行8/16解調(diào)。另外，記錄數(shù)據(jù)每8位一起進(jìn)行調(diào)制(8/16調(diào)制)，在該調(diào)制中，將8位轉(zhuǎn)換為16位。此時，結(jié)合位(結(jié)合ビツト)平均且相等地使用了到此為止的“1”和“0”的數(shù)目。將其稱為“DC成分抑制”，可以抑制被DC截止的再現(xiàn)信號的限幅電平的變動。
解調(diào)的數(shù)據(jù)進(jìn)行解交織(デインタ一リ一ブ)和錯誤的校正處理。之后，該數(shù)據(jù)輸入到DVD-ROM解碼器24中，為提高數(shù)據(jù)的信賴性，進(jìn)-步進(jìn)行錯誤的校正處理。這樣，進(jìn)行了2次錯誤修正處理的數(shù)據(jù)通過緩存管理器23暫時保存在緩存RAM22中，以作為區(qū)段數(shù)據(jù)整齊的狀態(tài)通過ATAPI/SCSI接口25全部傳送至未圖示的主計算機中。另外，在音樂數(shù)據(jù)的場合，從DVD解碼器17輸出的數(shù)據(jù)被輸入到D/A轉(zhuǎn)換器26中，作為模擬音頻輸出信號Audio被取出。
另外，寫入時，通過ATAPI/SCSI接口25，從主計算機傳送過來的數(shù)據(jù)被緩存管理器23暫時保存在緩存RAM22中。之后，寫入動作開始，但是，此時，此前必須將激光光點置于寫入開始地點。在DVD+RW/+R中，該地點可以通過預(yù)先在光盤11上通過軌道的蛇行而刻出的擺動信號求得。
另外，在DVD-RW/-R中，上述地點可以通過岸臺預(yù)制坑取代擺動信號求出，另外，在DVD-RAM/RAM·WO中，可以通過預(yù)制坑求出。
在DVD+RW/+R盤片中的擺動信號中，含有被稱為ADIP(ADress InPre-groove)的地址信息，該信息可以通過ADIP解碼器18讀取出來。另外，由該ADIP解碼器18生成的同步信號輸入DVD編碼器20中，就可以在光盤11上的正確位置進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入。緩存RAM22的數(shù)據(jù)在DVD-ROM編碼器21或DVD編碼器20中進(jìn)行錯誤修正碼的附加或交織(インタ一リ一ブ)，通過激光控制器19、光拾取器13，通過本發(fā)明的記錄功率和記錄波形記錄在光盤11上。
在本發(fā)明中，檢測每個介質(zhì)不同的“可以在最高線速度下旋轉(zhuǎn)的半徑位置”來切換記錄時的線速度，但該檢出可以使用眾所周知的方法。另外，在本發(fā)明中，從“可以在最高線速度下旋轉(zhuǎn)的半徑位置”切換為在最高線速度下進(jìn)行記錄時，暫時在最外周的功率測定區(qū)域進(jìn)行試寫，此時，中斷進(jìn)行到到達(dá)“可以在最高線速度下旋轉(zhuǎn)的半徑位置”的記錄動作，而使光拾取器移動到功率測定區(qū)域后，進(jìn)行試寫，求出在最高線速度下的最佳記錄功率Po。之后，在使光拾取器移動到“可以在最高線速度下旋轉(zhuǎn)的半徑位置”，重新啟動中斷了的記錄動作。
上述線速度的切換可以應(yīng)用例如以往的消除緩存欠載運轉(zhuǎn)的技術(shù)如下進(jìn)行。如果達(dá)到記錄線速度要切換為最高速度的預(yù)定地址，暫時中斷記錄。因此，在切換為最高線速度之后，需要記錄的開始寫入的數(shù)據(jù)暫時存放在緩存22中。這里，切換記錄線速度的預(yù)定地址有必要設(shè)置在比可以以最高記錄線速度旋轉(zhuǎn)的地址的稍微外周。同時，通過編碼器20將拾取器13移動到最外周，然后，實施地址檢測，從用戶使用區(qū)域檢測設(shè)置在外周的功率測試區(qū)域，控制為比在該功率測試區(qū)域中斷記錄的線速度更快的線速度、即最高線速度轉(zhuǎn)速實施旋轉(zhuǎn)。并且，在轉(zhuǎn)速、記錄頻率、功率測試區(qū)域達(dá)到期望的條件的時刻，實施試寫(OPC)，可以求出在該時刻下最高線速度下在最外周的實際最佳記錄功率Po。
在本發(fā)明中，預(yù)先編碼化并記錄在基板上的最高線速度的最佳記錄功率Pi與該Po相比較，Po＞Pi時，以由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為最高線速度下的記錄開始功率，Po≤Pi時，將Pi作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率。由此求出在最高記錄線速度下的記錄功率。另外，預(yù)先讀取可以記錄對象介質(zhì)的最高線速度或在各線速度下的最佳記錄功率或記錄波形，并進(jìn)行存儲這一點可以通過已知的方法進(jìn)行。
另外，使用上述以往技術(shù)，通過編碼器將拾取器移動到需要重新啟動數(shù)據(jù)寫入的附近的地址，接著使光盤的旋轉(zhuǎn)和數(shù)據(jù)寫入的時間在寫入重新啟動之前同步，重新啟動在最高線速度下的記錄。如上所述，由于需要記錄的數(shù)據(jù)存儲在緩存中，因此可以在最高線速度下進(jìn)行記錄，光拾取器的位置回到比中斷的地址更往前的位置，以最高線速度讀出數(shù)據(jù)，得到EFM信號。另一方面，在編碼器內(nèi)部產(chǎn)生寫入數(shù)據(jù)側(cè)的EFM信號，使這2個信號吻合并取得同步，則可以在最高線速度下進(jìn)行記錄。此外，如果擺動的頻率達(dá)到4T～96T左右成為高頻率，則可以容易地進(jìn)行相位檢測，并可以良好地形成記錄的連接點。
本發(fā)明10的記錄再現(xiàn)裝置，由于具有以下功能在基板的導(dǎo)向槽具有擺動，CLV最高線速度記錄條件和最高線速度以外的CLV線速度記錄條件預(yù)先編碼化并記錄的色素類追記型DVD介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)時，在最內(nèi)周，以最高線速度以外的CLV線速度條件開始記錄，在從可以以最高線速度旋轉(zhuǎn)的半徑位置切換為以最高線速度進(jìn)行記錄時，將暫時在最外周的功率測試區(qū)域進(jìn)行試寫來最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po和預(yù)先編碼化并記錄在介質(zhì)上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi相比較，Po＞Pi時，以由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率，Po≤Pi時，將Pi作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率，因此可以實現(xiàn)高線速度下的高品質(zhì)記錄。
另外，本發(fā)明11的記錄再現(xiàn)裝置，由于具有以下功能長度最短的標(biāo)記通常用功率W0的一個脈沖光來記錄，第2短的標(biāo)記用以功率W0、或比W0低的功率W1、或比W1低的功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，從短者算起第3個或第3個以后的標(biāo)記用以功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，同時，在標(biāo)記記錄時，對所有標(biāo)記的上述脈沖后端部以后照射冷脈沖，其照射光量設(shè)置為在一定時間達(dá)到0.1mW或0.1mW以下，因此可以進(jìn)一步提高高線速度下的記錄品質(zhì)。
本發(fā)明12的記錄再現(xiàn)裝置，由于具有將脈沖后端部以后的冷脈沖照射時間設(shè)定為長度最短的空間的1/6～6/6的長度的功能，并通過采用更為優(yōu)選的冷脈沖范圍，因此可以進(jìn)一步提高記錄品質(zhì)。
另外，本發(fā)明13的記錄再現(xiàn)裝置，由于具有以下功能以該標(biāo)記長度是否為最短長度來區(qū)別形成前一空間長度為最短長度的標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比不是最短長度的標(biāo)記的加熱脈沖寬度長，并且，以該最短長度標(biāo)記的前一空間長度是否為最短長度來區(qū)別形成最短長度標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將前一空間長度為最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比前一空間長度不是最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度短，因此可以實現(xiàn)高品質(zhì)的記錄，即低抖晃化。
另外，得到地址信息的方式，也可以是從岸臺預(yù)制坑或預(yù)制坑得到地址信息的方式。
圖12是使用圖11所示的光盤驅(qū)動器的信息處理裝置的概要圖。
信息處理裝置具有主控制裝置、接口、記錄裝置、輸入裝置以及顯示裝置等。
主控制裝置含有CPU(中央處理裝置，微型計算機)、主存儲器(均未圖示)等而構(gòu)成，控制主計算機的整體。
接口是與光盤驅(qū)動器雙向通信的接口，以ATAPI以及SCSI等標(biāo)準(zhǔn)接口為標(biāo)準(zhǔn)。接口與上述的光盤驅(qū)動器的接口25連接。另外，各接口間的連接形態(tài)不僅可以是使用通信電纜(例如SCSI電纜)等通信線的電纜連接，也可以是利用紅外線等的無線連接。
在記錄裝置(HDD、硬盤)中，安裝了可以由主控制裝置的微型計算機解讀的代碼編寫的程序。另外，當(dāng)信息處理裝置的驅(qū)動電源處于ON狀態(tài)時，上述程序加載至主控制裝置的主存儲器中。
顯示裝置具有例如CRT、液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示屏(PDP)等顯示部(圖示省略)，顯示來自控制裝置的各種信息。
輸入裝置具有例如鍵盤、鼠標(biāo)、指示器等中的至少一種的輸入介質(zhì)(圖示省略)，將用戶輸入的各種信息通知給主控制裝置。另外，從輸入介質(zhì)輸入的信息也可以以無線方式輸入。另外，作為顯示裝置和輸入裝置一體化的裝置有例如帶觸摸板的CRT等。另外，信息處理裝置安裝操作系統(tǒng)(OS)。另外，構(gòu)成信息處理裝置的全部設(shè)備由OS管理。
按照本發(fā)明，可以使簡易的記錄功率控制方法高精確度地實施最高線速度時的記錄功率最佳化，并可以改善記錄線速度切換時的記錄品質(zhì)。另外，如果使用本發(fā)明中規(guī)定的寫入波形，則可以在高線速度側(cè)進(jìn)行低抖晃、低錯誤率的記錄。另外，可以以比DVD-R中使用的岸臺預(yù)制坑格式制造上更為簡單的高頻擺動格式，高效地實現(xiàn)數(shù)據(jù)部分的寫入，而且，可以提供與現(xiàn)在大量制造的CD-R、DC-RW幾乎同一格式的記錄介質(zhì)。
實施例下面，通過實施例和比較例更為具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些實施例和比較例的限定。
實施例1～9、比較例1～3OPC是在該記錄介質(zhì)的實際驅(qū)動中尋求實際最佳記錄功率的。OPC中的最佳記錄功率的計算是，在(通常為最內(nèi)周)OPC區(qū)域使記錄功率波動，試著記錄少量的數(shù)據(jù)，求出波動該功率的試驗記錄波形的非對稱性、β或抖晃下該介質(zhì)的非對稱性、用于將β的最佳值或抖晃變?yōu)闃O小的功率。通常的情況下，已知，非對稱性、β均在0(零)附近是良好的，在CD-R或DVD±R中是通常的，但在低速記錄中會向正側(cè)(プラス側(cè))移動，在高速記錄中會向負(fù)側(cè)(マイナス側(cè))移動。在本實施例中，使用以抖晃為最小的功率求出OPC的最佳記錄功率的方法來實施。
在具有槽深1660、半值寬度0.38μm、軌道間距0.74μm、擺動頻率相當(dāng)于32T的厚度0.6mm、外徑120mm的注塑成型聚碳酸酯基板上，以65∶35的重量比量取下述化學(xué)式1和化學(xué)式2表示的色素化合物，溶解于2，2，3，3-四氟-1-丙醇中，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，形成厚度為900的有機色素層之后，在85℃下進(jìn)行30分鐘干燥。
接著，通過濺射法設(shè)置厚度1100的Ag反射層，再在其上設(shè)置含有丙烯酸類光敏聚合物的厚度為5μm的保護(hù)層后，通過丙烯酸類光敏聚合物粘接厚度為0.6mm、外徑120mm的注塑成型聚碳酸酯平板基板，得到光記錄介質(zhì)。
化學(xué)式1[化學(xué)式2] 化學(xué)式2在對上述光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄并測定最佳功率時，假定在40mm附近將記錄線速度從21m/s切換為28m/s時的實際驅(qū)動記錄來設(shè)定條件。即，考慮實際的驅(qū)動記錄時，以21m/s實施連續(xù)記錄到40mm附近，驅(qū)動倉內(nèi)溫度上升，記錄LD發(fā)生長波長化。LD的長波長化為0.6nm/℃左右，倉內(nèi)溫度如果上升10℃，則會產(chǎn)生6nm的LD移動。預(yù)先編碼在記錄介質(zhì)(基板(母盤))上的28m/s的最佳記錄功率并未加進(jìn)該LD的長波長化。本發(fā)明是假定在21rn/s下實施連續(xù)記錄使驅(qū)動器倉內(nèi)溫度上升10℃多時實施的。
首先，使用激發(fā)波長660nm、光束徑0.9μm的半導(dǎo)體激光對上述光記錄介質(zhì)，邊尋軌邊在圖5的記錄波形、記錄線速度28m/s、W1/W2＝1.48，W0/W1＝1.04，冷功率0mW、冷脈沖長度2T的條件下，從盤片半徑位置為39mm(40mm附近)開始，將記錄功率切換到圖10記載的功率地來記錄EFM信號(最小坑長約為0.4微米)，并測定抖晃。即，在記錄波長658nm(DVD介質(zhì)記錄下的試驗條件波長)、28m/s下，波動39mm(40mm附近)的記錄功率進(jìn)行記錄再生時，得到極小的抖晃的記錄功率相當(dāng)于編碼化在記錄介質(zhì)上的Pi。
然后，除將激發(fā)波長改為665nm，將記錄功率的切換半徑位置改為40mm以外，在與上述同樣的條件下進(jìn)行記錄，測定抖晃。
另外，除將激發(fā)波長改為665nm，將記錄功率的切換半徑位置改為58mm以外，在與上述同樣的條件下進(jìn)行記錄，測定抖晃。即，使記錄波長665nm(長波長化7nm)、在28m/s下使40mm的記錄功率波動，進(jìn)行記錄再現(xiàn)時，可以得到極小的抖晃的記錄功率是在驅(qū)動器上升大約10℃這樣的假定下在40mm(最高記錄線速度切換位置)下的實際最佳記錄功率，即Pr。但是，作為用戶區(qū)域的40mm附近的OPC在實際的系統(tǒng)中是不可能的。因此，為精確計算Pr，在記錄波長665nm、28m/s下，使58mm(最外周，用戶使用區(qū)域外)的記錄功率波動，進(jìn)行記錄再現(xiàn)時，可以得到極小的抖晃的功率為Po。這與在最外周用戶區(qū)域以外實施OPC的情況是同樣的。
測定結(jié)果示于圖10。
相當(dāng)于編碼化并記錄在基板上的功率(Pi)的658nm、39mm的最佳記錄功率為24mW。
另外，相當(dāng)于在LD長波長化的狀態(tài)下的最外周功率測定區(qū)域中計算出的功率(Po)的665nm、58mm的最佳記錄功率為29mW。
另外，相當(dāng)于最高記錄線速度的切換位置下的實際最佳功率(Pr)的665nm、40mm(中周)的最佳記錄功率為27.7mW。
另一方面，將Po、Pi的值代入本發(fā)明的式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”中時，得到27.5mW，從得到與上述Pr為27.7mW大致相等的結(jié)果來看，本發(fā)明對最佳記錄功率的控制是極為有效的。
另外，實施在假定溫度上升為上升5℃的658nm和663nm下的上述同樣的實驗，或者實施假定溫度上升15℃的658nm和667nm下的上述同樣實驗，可以確認(rèn)與上述實驗例同樣的本發(fā)明的有效性。
使用激發(fā)波長660nm、光束徑0.9μm的半導(dǎo)體激光對上述光記錄介質(zhì)，邊尋軌邊以下述表2所示的記錄條件和記錄線速度使本底抖晃(BottomJitter)為極小的記錄功率記錄EFM信號(最小坑長約為0.4微米)，再現(xiàn)該處，求出抖晃值、不對稱度、PI錯誤數(shù)。另外，記錄激光的波形如圖4～圖9所示。另外，圖4～圖9中，“W0”為最短長度標(biāo)記的脈沖功率或最短長度標(biāo)記以外的標(biāo)記的高輸出功率化了的功率、“W1”是最短長度標(biāo)記以外的標(biāo)記的施加了追加功率而高輸出功率化的功率、“W2”是最短長度標(biāo)記以外的標(biāo)記的基本功率(未追加功率)。
另外，線速度21m/s和28m/s的脈沖長度使用圖4～圖9所示的脈沖長度，但本發(fā)明并不限定于此。另外，圖4～圖9中，“space”表示空間，“mark”表示標(biāo)記，“Cooling Area”表示冷區(qū)域，“T”表示基本時鐘周期，“n”表示3或3以上的整數(shù)，“n’”表示3或3以上的整數(shù)，“ps”表示前一空間長度，“cm”表示記錄標(biāo)記長度。
結(jié)果示于表2，抖晃、非對稱性、PI錯誤均為良好。由此可知，對可以用作線速度切換前的線速度的21m/s下的記錄、以及用作最高記錄線速度的28m/s下的記錄，本發(fā)明的記錄波形在實現(xiàn)高品位的記錄中是極為有用的。


另外，使用激發(fā)波長660nm、光束徑0.9μm的半導(dǎo)體激光對于上述光記錄介質(zhì)，邊尋軌邊以下述表3所示的記錄條件和記錄線速度并且以有表1修正的條件下使本底抖晃為極小的記錄功率記錄EFM信號(最小坑長約0.4微米)，再現(xiàn)該處，求出抖晃值、不對稱度、PI錯誤數(shù)。
另外，在比較例1～3中，使用在DVD-R中實施的振動(變化)LPP格式的LPPb的大小的試制條件光盤母盤和成型基板，在與實施例同樣的制作條件下制成光記錄介質(zhì)，進(jìn)行與實施例相同的評價。


從上述表3可知，在LPP格式的試樣中，如比較例2～3，LPPb變大時，即使抖晃良好，PI錯誤也會增加。另外，確認(rèn)到，如比較例1，即使抖晃、非對稱性、PI錯誤上沒問題，LPPb成為小于0.16的水平時，在實用的裝置中也不能進(jìn)行地址檢測。
權(quán)利要求
1.一種記錄再現(xiàn)方法，其特征在于，在具有設(shè)置了擺動的導(dǎo)向槽的圓盤狀基板上具有含有有機色素的記錄層，并且在CLV最高線速度記錄條件和最高線速度以外的CLV線速度記錄條件被預(yù)先編碼化并記錄在基板的規(guī)定位置的追記型DVD介質(zhì)的記錄再現(xiàn)時，在最內(nèi)周，以最高線速度以外的CLV線速度條件開始記錄，在從可以以最高線速度旋轉(zhuǎn)的半徑位置切換為最高線速度下的記錄時，將暫時在最外周的功率測試區(qū)域進(jìn)行試寫來最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po、和預(yù)先編碼化并記錄在基板上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi相比較，Po＞Pi時，將用由“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率，Po≤Pi時，將Pi作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率。
2.按照權(quán)利要求1所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，長度最短的標(biāo)記通常用功率W0的一個脈沖光來記錄，第2短的標(biāo)記用以功率W0、或比W0低的功率W1、或比W1低的功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，從短者算起第3個或第3個以后的標(biāo)記用以功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，同時，在標(biāo)記記錄時，對所有標(biāo)記的上述脈沖后端部以后照射冷脈沖，其照射光量設(shè)置為在一定時間達(dá)到0.1mW或0.1mW以下。
3.按照權(quán)利要求1和2中任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，脈沖后端部以后的冷脈沖照射時間設(shè)定為長度最短的空間的1/6～6/6的長度。
4.按照權(quán)利要求1～3中任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，以該標(biāo)記長度是否為最短長度來區(qū)別形成前一空間長度為最短長度的標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比不是最短長度的標(biāo)記的加熱脈沖寬度長，并且，以該最短長度標(biāo)記的前一空間長度是否為最短長度來區(qū)別形成最短長度標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將前一空間長度為最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比前一空間長度不是最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度短。
5.按照權(quán)利要求1～4中任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，將基本時鐘周期設(shè)為T時，上述擺動為相當(dāng)于4T～96T的頻率。
6.按照權(quán)利要求1～5中的任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，記錄光的波長為600～720nm。
7.按照權(quán)利要求1～6中的任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，對于記錄光以及再現(xiàn)光的波長±5nm的波長區(qū)域的光，記錄層單層的折射率n為1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k為0.02≤k≤0.2。
8.按照權(quán)利要求1～7中的任一項所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，追記型DVD介質(zhì)在基板上具有選自反射層、保護(hù)層、粘接層、保護(hù)基板、基板面硬涂層中的至少一個層作為除記錄層以外的構(gòu)成層。
9.按照權(quán)利要求8中所述的記錄再現(xiàn)方法，其中，用于貼合至少一個基板具有設(shè)置了擺動的導(dǎo)向槽的2片基板制成兩面結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)的粘接層設(shè)置在該基板間，并且，該粘接層中使用的粘合劑為紫外線固化樹脂。
10.一種記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，該裝置是具有以下功能的裝置在基板的導(dǎo)向槽具有擺動，CLV最高線速度記錄條件和最高線速度以外的CLV線速度記錄條件預(yù)先編碼化并記錄在規(guī)定的位置上的色素類追記型DVD介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)時，在最內(nèi)周，以最高線速度以外的CLV線速度條件開始記錄，在從可以以最高線速度旋轉(zhuǎn)的半徑位置切換為最高線速度下的記錄時，將暫時在最外周的功率測試區(qū)域進(jìn)行試寫來最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po、和預(yù)先編碼化并記錄在介質(zhì)上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi相比較，Po＞Pi時，將由式“(Po+Pi)/2+(Po-Pi)2/Pi”求出的記錄功率作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率，Po≤Pi時，將Pi作為最高線速度下的記錄開始的記錄功率。
11.按照權(quán)利要求10所述的記錄再現(xiàn)裝置，其中，該裝置是具有以下功能的裝置長度最短的標(biāo)記通常用功率W0的一個脈沖光來記錄，第2短的標(biāo)記用以功率W0、或比W0低的功率W1、或比W1低的功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，從短者算起第3個或第3個以后的標(biāo)記用以功率W2為基礎(chǔ)且脈沖的前端部和/或后端部在一定時間內(nèi)被高輸出功率化為功率W0或W1的1個脈沖光來記錄，同時，在標(biāo)記記錄時，對所有標(biāo)記的上述脈沖后端部以后照射冷脈沖，其照射光量設(shè)置為在一定時間達(dá)到0.1mW或0.1mW以下。
12.按照權(quán)利要求10和11中任一項所述的記錄再現(xiàn)裝置，其中，該裝置是具有以下功能的裝置脈沖后端部以后的冷脈沖照射時間設(shè)定為長度最短的空間的1/6～6/6的長度。
13.按照權(quán)利要求10～12中任一項所述的記錄再現(xiàn)裝置，其中，該裝置是具有以下功能的裝置以該標(biāo)記長度是否為最短長度來區(qū)別形成前一空間長度為最短長度的標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將最短長度標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比不是最短長度的標(biāo)記的加熱脈沖寬度長，并且，以該最短長度標(biāo)記的前一空間長度是否為最短長度來區(qū)別形成最短長度標(biāo)記的記錄脈沖的加熱脈沖寬度，將前一空間長度為最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度設(shè)定為比前一空間長度不是最短的標(biāo)記的加熱脈沖寬度短。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光記錄再現(xiàn)方法以及裝置，其對色素類追記型DVD介質(zhì)進(jìn)行高線速度記錄時可以得到良好的記錄波形，特別是，提供將對應(yīng)高線速度的追記型DVD介質(zhì)的記錄速度切換為最高線速度時的連接的功率的簡單控制方法。本發(fā)明的記錄再現(xiàn)方法的特征在于，在附有設(shè)置了擺動的導(dǎo)向槽的基板上具有有機色素記錄層，并且在基板上記錄了CLV記錄線速度條件的追記型DVD介質(zhì)的記錄再現(xiàn)中，在最內(nèi)周，以不足最高線速度的線速度條件開始記錄，在中途切換為最高線速度時，將暫時在最外周的功率測試區(qū)域進(jìn)行試寫來最佳化的最高線速度下的最佳記錄功率Po和記錄在基板上的最高線速度下的最佳記錄功率Pi相比較，Po＞Pi時，將最高線速度下的記錄開始的記錄功率設(shè)為由式“(Po+Pi)/2+(Po－Pi)
文檔編號G11B7/126GK1906668SQ20048004089
公開日2007年1月31日 申請日期2004年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月10日
發(fā)明者戶村辰也, 佐藤勉, 野口宗, 植野泰伸 申請人:株式會社理光