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      反射型數(shù)據(jù)掩膜全息rom系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:6756458閱讀:255來源:國知局
      專利名稱:反射型數(shù)據(jù)掩膜全息rom系統(tǒng)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種全息只讀存儲器(ROM)系統(tǒng);并具體涉及一種通過使用反射型數(shù)據(jù)掩膜,在全息介質(zhì)中無干涉噪聲地記錄全息數(shù)據(jù),并且再現(xiàn)記錄在全息存儲介質(zhì)中的全息數(shù)據(jù)的全息ROM系統(tǒng)及其方法。
      背景技術(shù)
      隨著信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,大容量的存儲設(shè)備和高速的數(shù)據(jù)處理已經(jīng)成為一種需求。在數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲設(shè)備方面,全息只讀存儲器(ROM)系統(tǒng)已經(jīng)是廣為人知,它是一種逐頁存儲系統(tǒng),根據(jù)體全息原理,可以在全息存儲介質(zhì)中存儲很大容量的信息。全息ROM系統(tǒng)允許其中載有信息的信號光與參考光相互干涉,以產(chǎn)生欲存儲到全息存儲介質(zhì)中的干涉圖樣。而且,全息ROM系統(tǒng)可以利用角度復(fù)用的方法,即通過改變?nèi)肷涞酱鎯橘|(zhì)上的參考光的入射角度,在單個全息存儲介質(zhì)中重疊存儲更多的基于頁的數(shù)據(jù)。由于具有這些優(yōu)勢,全息ROM系統(tǒng)以有望成為未來的高密度光學(xué)存儲設(shè)備而為人們所關(guān)注。


      圖1示出了一種在全息存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的典型的全息ROM控制系統(tǒng)的示意圖。在全息ROM控制系統(tǒng)中,參考光S1和信號光S2來自包括光源在內(nèi)的一個光學(xué)系統(tǒng)(未表示)。錐形鏡1通過折射參考光S1來控制參考光S1入射到全息存儲介質(zhì)5上的入射角,從而產(chǎn)生具有可控入射角的錐形參考光S3。錐形參考光S3入射到全息存儲介質(zhì)5上,并且與信號光S2相互干涉,產(chǎn)生干涉圖樣,其中信號光S2通過透射型數(shù)據(jù)掩膜3,該數(shù)據(jù)掩膜3上顯示所要記錄到全息存儲介質(zhì)5上的預(yù)定數(shù)據(jù)圖樣。干涉圖樣作為全息數(shù)據(jù)被記錄到存儲介質(zhì)5上。
      利用角度復(fù)用可以將更多的數(shù)據(jù)重疊地存儲到全息介質(zhì)5上。具體做法為,記錄完一次全息數(shù)據(jù)之后,將錐形鏡1替換為另外一個錐形鏡,如第二個錐形鏡(未表示),并且透射型數(shù)據(jù)掩膜3也替換為另外一個,如第二個數(shù)據(jù)掩膜(未表示)。
      第二個錐形鏡產(chǎn)生第二束錐形光,該第二束錐形光以與錐形參考光S3不同的入射角入射到存儲介質(zhì)5上。類似地,第二個數(shù)據(jù)掩膜具有與數(shù)據(jù)掩膜3不同的數(shù)據(jù)圖樣,以產(chǎn)生第二個信號光。第二個錐形參考光與第二個信號光相互干涉,并且將由此產(chǎn)生的第二個干涉圖樣疊加在存儲介質(zhì)5上。入射角度的最大可改變值取決于角度選擇性(例如,存儲介質(zhì)的厚度、參考光的波長以及sinθ,θ為參考光入射到全息存儲介質(zhì)上的入射角)。
      同時,圖2表示全息ROM的讀出系統(tǒng),利用該全息ROM的讀出系統(tǒng),可以再現(xiàn)出利用如圖1所示的全息控制系統(tǒng)記錄在存儲介質(zhì)5上的全息數(shù)據(jù)。為了使全息ROM讀出系統(tǒng)再現(xiàn)記錄到存儲介質(zhì)5上的全息數(shù)據(jù),只需使用平面波讀出光S1-1來照射存儲介質(zhì)5。平面波讀出光是參考光S1的一種。于是,在與存儲介質(zhì)5垂直的方向上再現(xiàn)出實像S4。實像S4被拾取透鏡6拾取到,并被探測器7所探測,由此使得從存儲介質(zhì)5上再現(xiàn)的數(shù)據(jù)得以讀出。在這種情況下,平面波讀出光S1-1應(yīng)當(dāng)以與前述的錐形參考光S3的可控的入射角相同的入射角照射到存儲介質(zhì)5上。類似地,當(dāng)圖1所示的錐形參考光的入射角度改變時,平面波讀出光的角度也隨之改變,由此可以再現(xiàn)重疊記錄在存儲介質(zhì)5上的數(shù)據(jù)。
      然而,如圖3所示,當(dāng)全息ROM控制系統(tǒng)在存儲介質(zhì)5上記錄全息數(shù)據(jù)時,部分錐形參考光S3透過存儲介質(zhì)5,在透射型數(shù)據(jù)掩膜3上被反射,形成了反射錐形參考光S5。反射錐形參考光S5入射到存儲介質(zhì)5上,與錐形參考光S3一起與信號光S2干涉,產(chǎn)生干涉圖樣。因此,現(xiàn)有技術(shù)的全息ROM控制系統(tǒng)存在一個弊端,即,由不需要的反射錐形參考光S5與信號光S2相互干涉而產(chǎn)生的干涉噪聲也被記錄到存儲介質(zhì)5上。

      發(fā)明內(nèi)容
      從而,本發(fā)明的目的在于提供一種全息ROM系統(tǒng)和方法,該系統(tǒng)和方法能無干涉噪聲地在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù),并且再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)。
      在本發(fā)明第一方面,提供一種在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的全息只讀存儲器(ROM)控制系統(tǒng),包括用于產(chǎn)生參考光的裝置;一個錐形鏡,用于折射參考光,從而產(chǎn)生以第一角度入射到存儲介質(zhì)上的錐形參考光;一個反射型數(shù)據(jù)掩膜,該反射型數(shù)據(jù)掩膜載有要記錄到存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)圖樣,用于調(diào)制和反射透過存儲介質(zhì)的部分錐形參考光,從而產(chǎn)生以第二角度入射到存儲介質(zhì)上的調(diào)制后的錐形參考光,其中,調(diào)制后的錐形參考光與入射到存儲介質(zhì)上的參考光相互干涉,從而基于干涉效應(yīng)將干涉圖樣記錄在存儲介質(zhì)上。
      根據(jù)本發(fā)明另一方面,提供一種用來再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)的全息只讀存儲器(ROM)讀出系統(tǒng),包括產(chǎn)生平面波讀出光的裝置,該平面波讀出光以第一角度掃描存儲介質(zhì),并由此從存儲介質(zhì)中再現(xiàn)一個實像;成像裝置,用于隨后形成實像,該成像裝置被布置在一個相對于存儲介質(zhì)的垂直方向以第二角度偏轉(zhuǎn)的光路上;以及探測裝置,將該探測裝置布置在所述光路上,并與成像裝置隔開一預(yù)定的距離,用來探測所述實像,從而讀出所述全息數(shù)據(jù)。
      根據(jù)本發(fā)明還有一個方面,提供一種利用全息只讀存儲器(ROM)控制系統(tǒng)在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的方法,包括以下步驟在錐形鏡內(nèi)折射參考光,從而產(chǎn)生以第一角度入射到存儲介質(zhì)上的錐形參考光;調(diào)制透過存儲介質(zhì)的部分錐形參考光,并反射該部分錐形參考光,以便產(chǎn)生以第二角度入射到存儲介質(zhì)上的調(diào)制后的錐形參考光;在存儲介質(zhì)上記錄由調(diào)制后的錐形參考光和錐形參考光相互干涉所產(chǎn)生的干涉圖樣。
      根據(jù)本發(fā)明的又一個方面,提供一種利用全息只讀存儲器(ROM)讀出系統(tǒng)來再現(xiàn)存儲介質(zhì)中全息數(shù)據(jù)的方法,包括以下步驟利用平面波讀出光以第一角度掃描該存儲介質(zhì),以便從存儲介質(zhì)中再現(xiàn)一個實像;將該實像成像在一個相對于存儲介質(zhì)的垂直方向以第二角度偏轉(zhuǎn)的光路上;探測在該光路上所成的像,從而讀出所述全息數(shù)據(jù)。
      附圖簡述根據(jù)下面結(jié)合附圖給出的優(yōu)選實施例的描述,本發(fā)明的上述和其他目的以及特征將顯而易見,其中圖1表示現(xiàn)有的全息ROM控制系統(tǒng)中,通過以相對方向傳播的參考光和信號光之間的相互干涉,在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的過程;圖2表示現(xiàn)有的全息ROM讀出系統(tǒng)中,再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)的過程;圖3表示部分參考光和由透射型數(shù)據(jù)掩膜反射的信號光之間相互干涉的過程,該透射型數(shù)據(jù)掩膜如圖1所示;圖4表示根據(jù)本發(fā)明的全息ROM控制系統(tǒng)的示意圖,該系統(tǒng)利用反射型數(shù)據(jù)掩膜在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù);圖5表示由如圖4所示的反射型數(shù)據(jù)掩膜產(chǎn)生的信號光與參考光之間的相互干涉過程;圖6表示出根據(jù)本發(fā)明的用于再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)的全息ROM讀出系統(tǒng)的示意圖;圖7示出用于描述在存儲介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法的流程圖,其中該方法采用根據(jù)本發(fā)明的全息ROM控制系統(tǒng)來實現(xiàn);以及圖8示出用于描述利用根據(jù)本發(fā)明的全息ROM讀出系統(tǒng)再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的方法的流程圖。
      發(fā)明詳述下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例,其中,在不同的附圖中,相同的參考標(biāo)記代表相同或相應(yīng)的部分。
      圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的在全息存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的全息ROM控制系統(tǒng),尤其示出利用全息ROM控制系統(tǒng)在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的過程。如圖4所示,本發(fā)明的全息ROM控制系統(tǒng)包括光源80,盤形全息存儲介質(zhì)50,反射型數(shù)據(jù)掩膜30,以及錐形鏡10。
      光源80由激光器來實現(xiàn),以產(chǎn)生具有某一波長,如532nm的參考光SS1。由光源80產(chǎn)生的參考光SS1直接入射到錐形鏡10上。
      錐形鏡10呈圓錐形,具有圓形底部,且該圓形底部與錐面之間具有預(yù)先設(shè)定的底角,以控制參考光SS1入射到存儲介質(zhì)50上的入射角。這樣的錐形鏡10折射參考光,以產(chǎn)生錐形參考光SS3。錐形鏡10使得錐形參考光SS3以第一角度θ入射到存儲介質(zhì)50上。此時,部分錐形參考光SS3通過存儲介質(zhì)50入射到反射型數(shù)據(jù)掩膜30上。
      將反射型數(shù)據(jù)掩膜30布置在與存儲介質(zhì)50相距預(yù)定距離的位置上,其形狀與存儲介質(zhì)50相似。該反射型數(shù)據(jù)掩膜30具有反應(yīng)所要記錄在存儲介質(zhì)50上的數(shù)據(jù)的預(yù)定數(shù)據(jù)圖樣,其作用相當(dāng)于一個反射型空間光調(diào)制器(SLM)。反射型數(shù)據(jù)掩膜30利用其上的數(shù)據(jù)圖樣來調(diào)制透過存儲介質(zhì)50的錐形參考光SS3,并以第二角度-θ反射由該數(shù)據(jù)圖樣調(diào)制后的錐形參考光。由反射型數(shù)據(jù)掩膜30調(diào)制后并反射的錐形參考光,作為信號光SS4,以第二角度-θ入射到存儲介質(zhì)50上。如圖5所示,第二角度-θ為關(guān)于存儲介質(zhì)50的垂直方向的第一角度θ的余角。
      于是,信號光SS4與入射到存儲介質(zhì)50上的錐形參考光SS3發(fā)生干涉,并且將基于干涉效應(yīng)的干涉圖樣作為全息數(shù)據(jù)記錄到存儲介質(zhì)5上。
      因此,根據(jù)本發(fā)明的全息ROM控制系統(tǒng)能夠利用反射型數(shù)據(jù)掩膜30,無干涉噪聲地記錄全息數(shù)據(jù)。而且,根據(jù)本發(fā)明的全息ROM系統(tǒng),由于使用了反射型數(shù)據(jù)掩膜30,使其信號光來源于參考光,而不需要另外的光學(xué)系統(tǒng)來產(chǎn)生該信號光,從而能夠簡化其光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。
      此外,為了利用角度復(fù)用在同一個全息存儲介質(zhì)5上記錄更多的數(shù)據(jù),在記錄完全息數(shù)據(jù)之后,需要將錐形鏡10和數(shù)據(jù)掩膜30替換為另外的錐形鏡和數(shù)據(jù)掩膜。因此,第一角度和第二角度也都要改變,改變幅度取決于角度選擇性(例如,存儲介質(zhì)的厚度,參考光的波長,以及sinθ,θ為參考光入射到全息存儲介質(zhì)的入射角)。
      圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)的全息ROM讀出系統(tǒng)的示意圖,并且具體示出,利用如圖4和圖5所示的全息ROM控制系統(tǒng),將記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)進(jìn)行再現(xiàn)的過程。
      如圖6所示,全息ROM讀出系統(tǒng)包括一個拾取透鏡60和一個光電探測器70。另外,盡管在圖6中沒有具體示出,全息ROM系統(tǒng)還包括一個驅(qū)動機制,用來轉(zhuǎn)動盤形全息存儲介質(zhì)50,以及一個光源,用來產(chǎn)生激光,如平面波讀出光SS1-1,它是參考光的一種。平面波讀出光SS1-1以第一角度入射到由驅(qū)動機制旋轉(zhuǎn)的全息存儲介質(zhì)50上。第一角度θ與圖4所示在存儲介質(zhì)50上記錄全息數(shù)據(jù)時所用的錐形參考光SS3的角度相同。
      將拾取透鏡60和光電探測器70對準(zhǔn)在一個相對于存儲介質(zhì)50的垂直方向以第二角度-θ偏轉(zhuǎn)的光路上,該第二角度-θ第一角度θ的余角。
      光電探測器70放置在距接收透鏡60一預(yù)定距離的位置上,用來接收由拾取透鏡60所拾取的像,從而從存儲介質(zhì)50上讀出全息數(shù)據(jù)。
      為了再現(xiàn)記錄到旋轉(zhuǎn)的全息存儲介質(zhì)50上的全息數(shù)據(jù),要將平面波讀出光SS1-1以第一角度θ入射到全息存儲介質(zhì)50上,以掃描存儲介質(zhì)50的數(shù)據(jù)軌道。
      通過使用平面波讀出光SS1-1掃描存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)軌道,實像SS5可以從存儲介質(zhì)50中再現(xiàn)出來,并且該再現(xiàn)實像相對于存儲介質(zhì)50的垂直方向偏轉(zhuǎn)第二角度-θ,而不是再現(xiàn)到存儲介質(zhì)50的垂直方向上。該實像SS5入射到拾取透鏡60上。
      拾取透鏡60拾取該實像SS5,并對其成像。實像SS5經(jīng)過成像后,由光電探測器70探測,從而讀出記錄到存儲介質(zhì)50上的數(shù)據(jù)。
      如果想要再現(xiàn)重疊記錄在存儲介質(zhì)50上的其它數(shù)據(jù),則需要改變平面波讀出光SS1-1的第一角度θ,其改變量由角度選擇性決定,光路的第二角度-θ也相應(yīng)地改變。
      圖7所示的流程圖,表示利用圖4所示的全息ROM控制系統(tǒng)來在全息存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的方法。
      在步驟701中,由光源80產(chǎn)生的參考光SS1入射到錐形鏡10上。
      在步驟702中,錐形鏡10折射參考光SS1,以產(chǎn)生錐形參考光SS3。
      在步驟703中,錐形參考光SS3入射到全息存儲介質(zhì)50上。
      同時,在步驟704中,部分錐形參考光SS3透過存儲介質(zhì)50入射到反射型數(shù)據(jù)掩膜30上。
      在步驟705中,錐形參考光SS3在反射型數(shù)據(jù)掩膜上被調(diào)制和反射,從而形成信號光SS4。
      在步驟706中,將信號光SS4向存儲介質(zhì)傳播。
      然后,錐形參考光SS3和信號光SS4相互干涉。由此,在步驟707中,反射型數(shù)據(jù)掩膜30的數(shù)據(jù)被記錄到存儲介質(zhì)上。
      圖8所示的流程圖,表示利用圖6所示的全息ROM控制系統(tǒng)來再現(xiàn)記錄在存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)的方法。
      首先,在步驟801中,驅(qū)動機制旋轉(zhuǎn)存儲介質(zhì)50。在步驟802中,平面波讀出光SS1-1入射到存儲介質(zhì)50上以對其進(jìn)行掃描。
      然后,在步驟803中,實像SS5得以從存儲介質(zhì)50上再現(xiàn)出來,并隨后入射到拾取透鏡60上。
      在步驟804中,實像SS5由拾取透鏡60拾取,并被提供給光電探測器70。
      在步驟805中,光電探測器70探測來自于拾取透鏡60的實像SS5,從而讀出存儲介質(zhì)50上的全息數(shù)據(jù)。
      雖然參照優(yōu)選實施例示出并描述了本發(fā)明,不過本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不偏離下列權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的思想和范圍的條件下可進(jìn)行多種改變和變型。
      權(quán)利要求
      1.一種在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的全息只讀存儲器(ROM)控制系統(tǒng),包括一個用于產(chǎn)生參考光的裝置;一個錐形鏡,用來折射該參考光,以產(chǎn)生以第一角度入射到存儲介質(zhì)上的錐形參考光;和一個反射型數(shù)據(jù)掩膜,載有要記錄到存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)圖樣,用來調(diào)制和反射部分透過該存儲介質(zhì)的錐形參考光,從而產(chǎn)生以第二角度入射到該存儲介質(zhì)上的調(diào)制后的錐形參考光;其中,調(diào)制后的錐形參考光與入射到該存儲介質(zhì)上的錐形參考光相互干涉,從而基于干涉效應(yīng),將干涉圖樣記錄在該存儲介質(zhì)上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全息ROM控制系統(tǒng),其中所述第一角度和所述第二角度相對于所述存儲介質(zhì)的垂直方向互為余角的關(guān)系。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全息ROM控制系統(tǒng),其中所述調(diào)制后的錐形參考光用作附帶有數(shù)據(jù)的信號光。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全息ROM控制系統(tǒng),其中所述第一角度和所述第二角度按照角度復(fù)用時的角度選擇性的大小進(jìn)行改變。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全息ROM控制系統(tǒng),其中所述的選擇性由所述存儲介質(zhì)的厚度、所述參考光的波長以及sinθ決定,其中,θ為所述第一角度。
      6.一種用于再現(xiàn)記錄在全息存儲介質(zhì)上的全息數(shù)據(jù)的全息只讀存儲器(ROM)讀出系統(tǒng),包括一個以第一角度提供平面波讀出光的裝置,用于掃描該存儲介質(zhì),以便從該存儲介質(zhì)中再現(xiàn)出實像;一個用于形成所述實像的成像裝置,該成像裝置被布置在相對于存儲介質(zhì)的垂直方向以第二角度偏轉(zhuǎn)的光路上;和一個探測裝置,被布置在該光路上,與成像裝置隔開一預(yù)定的距離,用來探測該實像,從而讀出該全息數(shù)據(jù)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全息ROM讀出系統(tǒng),其中所述第一角度和所述第二角度相對于所述存儲介質(zhì)的垂直方向互為余角的關(guān)系,并且與在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)時參考光的入射角相同。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全息ROM讀出系統(tǒng),其中所述第一角度和所述第二角度按照角度復(fù)用時的角度選擇性的大小進(jìn)行改變。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全息ROM讀出系統(tǒng),其中所述選擇性取決于所述存儲介質(zhì)的厚度、所述參考光的波長以及sinθ,其中θ為所述第一角度。
      10.一種利用全息只讀存儲器(ROM)控制系統(tǒng)在存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)的方法,包括用錐形鏡折射參考光,以產(chǎn)生以第一角度入射到該存儲介質(zhì)上的錐形參考光;調(diào)制并反射部分透過該存儲介質(zhì)的該錐形參考光,以產(chǎn)生調(diào)制后的錐形參考光,并以第二角度入射到該存儲介質(zhì)上;和將由調(diào)制后的錐形參考光和錐形參考光之間相互干涉產(chǎn)生的干涉圖樣記錄在該存儲介質(zhì)上。
      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中所述第一角度和所述第二角度相對于存儲介質(zhì)的垂直方向互為余角關(guān)系。
      12.一種利用全息只讀存儲器(ROM)讀出系統(tǒng)從存儲介質(zhì)上再現(xiàn)全息數(shù)據(jù)的方法,包括以下步驟利用平面波讀出光以第一角度掃描該存儲介質(zhì),從該存儲介質(zhì)中再現(xiàn)出實像;在相對于存儲介質(zhì)的垂直方向偏轉(zhuǎn)第二角度的光路上對該實像進(jìn)行成像;和探測在該光路上所成的像,從而讀出該全息數(shù)據(jù)。
      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述第一角度和所述第二角度相對于存儲介質(zhì)的垂直方向互為余角關(guān)系,并且與在所述存儲介質(zhì)上記錄全息數(shù)據(jù)時所述參考光的入射角相同。
      全文摘要
      一種全息只讀存儲器(ROM)控制系統(tǒng),包括一個錐形鏡,用來折射參考光,從而產(chǎn)生以第一角度入射到存儲介質(zhì)上的錐形參考光;和反射型數(shù)據(jù)掩膜,其上載有要記錄到存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)圖樣,用來調(diào)制和反射部分透過存儲介質(zhì)的錐形參考光,從而產(chǎn)生以第二角度入射到存儲介質(zhì)上的調(diào)制后的錐形參考光。調(diào)制后的錐形參考光與入射參考光在存儲介質(zhì)上發(fā)生干涉,并由此基于干涉效應(yīng)的將干涉圖樣記錄在存儲介質(zhì)上。所述第一角度和所述第二角度相對于存儲介質(zhì)的垂直方向互為余角關(guān)系。
      文檔編號G11B7/0065GK1707638SQ200510005560
      公開日2005年12月14日 申請日期2005年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月4日
      發(fā)明者文軫培 申請人:株式會社大宇電子
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